JPH0621733U - 基板処理装置の薬液ミキシング装置 - Google Patents

基板処理装置の薬液ミキシング装置

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JPH0621733U
JPH0621733U JP10751191U JP10751191U JPH0621733U JP H0621733 U JPH0621733 U JP H0621733U JP 10751191 U JP10751191 U JP 10751191U JP 10751191 U JP10751191 U JP 10751191U JP H0621733 U JPH0621733 U JP H0621733U
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valve
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浩之 荒木
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理時間を短縮し、かつ基板及び薬液の汚染
を防止すること。また、装置の専有スペースを小さくす
ること。 【構成】 この薬液ミキシング装置は、基板処理装置の
基板処理槽4に純水と薬液とを混合して供給する装置で
ある。そして、純水が通過する純水供給路20と、純水
供給路20の途中に配置され、純水の流通によって減圧
空間43を形成するためのアスピレータ部40と、一端
がアスピレータ部40に開口し薬液が通過する薬液供給
路33a〜33eと、薬液供給路のアスピレータ開口部
46に配置された薬液導入弁30a〜30eとを備えて
いる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、基板処理装置の薬液ミキシング装置に関し、特に基板処理装置の処 理槽に純水と薬液とを混合して供給する基板処理装置の薬液ミキシング装置に関 する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板や液晶用ガラス基板等の薄板状の被処理基板(以下、単に基板と記 す)を表面処理する場合には、基板を処理槽内に浸漬して処理する浸漬型の基板 処理装置が一般に用いられる。この種の従来装置としては、たとえば特公平2− 13459号公報に示された装置がある。
【0003】 この装置は、基板の表面処理を行うための基板処理槽と、処理液を基板処理槽 内へ供給する処理液供給部とから構成されている。処理液供給部は、それぞれに 薬液が収容された複数の薬液貯留容器と、複数の薬液貯留容器と基板処理槽とを 連結する薬液供給管と、薬液供給管と各薬液貯留容器との間に設けられた薬液導 入弁とから構成されている。
【0004】 このような装置では、各薬液貯留容器に対応する薬液導入弁を選択的に開閉制 御し、所定の薬液を薬液供給管に導入する。薬液供給管に導入された薬液は、純 水と混合され、所定濃度の処理液(以下、薬液と純水とが混合された液を処理液 と記す)として基板処理槽に導入される。このようにして、処理液と洗浄のため の純水とを交互に基板処理槽に導入し、基板に対して所定の表面処理を行う。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
前記従来装置では、薬液の導入を開始した後に所望濃度の処理液となるまでに 時間がかかり、全体の処理時間が長くなってしまう。そこで、本件出願人は、基 板処理槽に連結された供給管に対して即座に所望の濃度の処理液が供給できるよ うにした装置を提案している。
【0006】 この装置では、処理液供給管と薬液貯留容器との間に導入弁を設けるとともに 、導入弁より上流側に一定量の薬液が導入されるようにポンプを設けている。こ のポンプによって薬液を圧送し、薬液導入弁上流側で循環させておくことにより 、薬液導入弁が開かれた際に、所望量の薬液を即座に処理液供給管に導入し、所 望濃度の処理液を即座に基板処理槽内に供給することができる。
【0007】 しかし、薬液を圧送するために各薬液貯留容器に対応して複数の圧送用ポンプ が必要となる。一般に、基板処理装置はクリーンルーム内に設置されるが、複数 の圧送用ポンプを基板処理装置内に設けると大きなスペースが必要となり、基板 処理装置を大きくしなければならない。また、ポンプは可動部を有しているので 、発塵によって基板や薬液が汚染されるおそれがある。
【0008】 本考案の目的は、積極的に薬液を処理液供給管に導入できるとともに、スペー スを小さくでき、かつ発塵による汚染を抑えることを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本考案に係る基板処理装置の薬液ミキシング装置は、基板処理装置の処理槽に 純水と薬液とを混合して供給する装置であり、純水供給路と、アスピレータ部と 、薬液供給路と、薬液導入弁とを備えている。 前記純水供給路は純水が通過する。前記アスピレータ部は純水供給路の中に配 置され、純水の流通によって減圧空間を形成する。前記薬液供給路は一端がアス ピレータ部に開口し、薬液が通過する。前記薬液導入弁は薬液供給路のアスピレ ータ開口部に配置されている。
【0010】
【作用】
本考案に係る基板処理装置の薬液ミキシング装置では、純水供給路を介して基 板処理装置に純水が供給される。この純水供給路の途中にはアスピレータ部が配 置されており、純水の流通により減圧空間が形成される。また、減圧空間には薬 液供給路が連結されているので、薬液導入弁を開くと、減圧空間に薬液供給路を 通して薬液が吸い出される。
【0011】 このように、アスピレータ部により減圧空間を形成して薬液を吸い出すので、 薬液導入弁を開くと所定量の薬液が即座に得られ、所望濃度の処理液が短時間で 得られる。また、薬液圧送用のポンプが不要となるので、装置全体の専有スペー スが小さくなる。さらに、ポンプに起因する発塵がなくなり、基板及び薬液の汚 染が抑えられる。
【0012】
【実施例】
図1は本考案の一実施例が採用された浸漬型基板処理装置を示している。図1 に示す基板処理装置1は、基板を収納するためのキャリアCを搬入、搬出するた めの搬入搬出部2と、基板移載装置3と、基板処理槽4と、乾燥装置5と、基板 搬送ロボット6とを備えている。またこの基板処理装置1は、複数の薬液貯留容 器7a〜7eを有している。
【0013】 搬入搬出部2にはキャリアCを搬送する基板移載ロボット10が設けられてい る。基板移載ロボット10は、昇降及び回転が可能であり、また図1の矢印Aで 示す方向に移動可能である。基板移載装置3、基板処理槽4及び乾燥装置5は、 左右方向に並設されている。基板搬送ロボット6は、基板を把持するための1対 のアーム11を有している。また基板搬送ロボット6は、矢印Bで示す方向に移 動可能であり、かつ昇降可能である。この基板搬送ロボット6により基板を各処 理部3〜5間で搬送可能である。また、基板処理槽4には、処理液内に基板を浸 漬するための、昇降可能な基板保持具12が設けられている。
【0014】 図2に、純水(DW)及び薬液の配管系統図を示す。基板処理槽4の底部には 、処理槽4内に処理液又は純水を供給するための処理液供給路19が連結されて いる。処理液供給路19には、給排液切り換え弁21が設けられている。また処 理液供給路19は、薬液ミキシング装置22を介して純水供給路20に連結され ている。純水供給路20には、下流側から順に、純水フィルタ23と、主開閉弁 24と、純水加熱部25とが順次配置されている。給排液切り換え弁21は、通 常の処理時には純水や処理液を基板処理槽4へ供給するように切り換えられてい る。
【0015】 また、基板処理槽4の外周には、基板処理槽4からオーバーフローした処理液 を受ける排液槽26が設けられている。排液槽26は排液路27を介して排液ド レン28に接続されている。そして、給排液切り換え弁21には排液路27が連 結されており、必要に応じて基板処理槽4内の処理液を排液路27を介して排液 ドレン28へ排出できるようになっている。
【0016】 薬液ミキシング装置22は、純水と薬液とを所定の割合で混合するための装置 であり、複数の薬液貯留容器7a〜7eに対応して設けられた薬液導入弁30a ,30b,30c,30d,30eと、これらの薬液導入弁30a〜30eと純 水供給路20とを連結する導入弁連結部31と、導入弁連結部31と給排液切り 換え弁21との間に設けられたスタティックミキサー32とを有している。薬液 導入弁30a〜30eは、それぞれ薬液供給路33a〜33eを介して対応する 薬液貯留容器7a,7eに連結されている。
【0017】 薬液供給路33a〜33eには、それぞれ薬液貯留容器7a〜7eから順に薬 液フィルタ34a〜34eと流量計35a〜35eとが接続されている。また、 流量計35a〜35eによって測定された信号はPID部36a〜36eに入力 され、比例、微分、積分処理されてモータコントロール回路37a〜37eに入 力される。モータコントロール回路37a〜37eの出力信号は、薬液導入弁3 0a〜30eに設けられた弁軸(後述する)駆動用のモータ(図示せず)の駆動 信号として出力される。なお、スタティックミキサー32は、純水と薬液とを均 一に混合するためのものであり、基板処理槽4までの管路が充分に長い場合には 省略することもできる。
【0018】 図3に導入弁連結部31の詳細を示す。導入連結部31は、図2における各薬 液導入弁30a〜30eのそれぞれに対応して図3に示すような構造を有してお り、ここでは、薬液導入弁30aに対応する構造を示している。 この図に示すように、純水供給路20の途中にはアスピレータ部40が形成さ れている。すなわち、純水供給路20は、その途中の経路において流通径が徐々 に絞られ、その先端に噴出口41を有する絞り部42が形成されている。これに より、純水供給路20及び絞り部42を通過して噴出口41から純水が噴出され た場合には、その下流側部分に減圧空間43が形成されるようになっている。一 方、純水供給路20には、バイパス路44(図中破線で示す)が形成されている 。バイパス路44は、ダイヤフラム式の純水弁45によって遮断あるいは開放さ れるようになっている。このバイパス路44には、薬液導入弁30aからの薬液 が導入される開口46が形成されている。
【0019】 図4に薬液導入弁の詳細を示す。 薬液導入弁30a〜30eは同様の構成であるので、ここでは薬液導入弁30 aについて説明する。この薬液導入弁30aは、弁本体50と、ピストン51と 、ピストン51の開度を制御するための弁軸52とを有している。 弁本体50内には、弁駆動室53と、薬液導入室54とが形成されている。弁 駆動室53には、エア導入口55,56が形成されている。ピストン51は、弁 駆動室53内を所定の範囲で摺動自在であり、バネ57によって常に薬液導入室 54側に付勢されている。ピストン51の一方側にはプランジャ51aが突出し ており、その先端には弁体51bが形成されている。この弁体51bがバイパス 通路44に連通する開口46を開閉し得るようになっている。また、薬液導入室 54には、薬液供給路33aから薬液が導入され得るようになっている。一方、 弁軸52の外周にはねじが形成されており、弁本体50側に形成されたナット部 と螺合している。このため、弁軸52をモータ(図示せず)により回転させるこ とにより、その先端の規制面52aが移動し、ピストン51の移動量が規制され るようになっている。このピストン51の移動量を制御することにより、弁開度 を制御することが可能である。なお、符号58はベローズ管である。
【0020】 また、この基板処理装置は制御部60を有している。 制御部60には、図5に示すように、主開閉弁24と、純水弁45と、薬液導 入弁30a〜30eと、給排液切り換え弁21とが接続されている。また制御部 60には、各種のセンサと他の入出力部が接続されている。 次に、図6〜図9に示すフローチャートにしたがって動作を説明する。
【0021】 まず装置の起動スイッチがオンされた場合には、ステップS1で初期設定を行 う。この初期設定では、主開閉弁24を閉とし、純水弁45を開とし、また薬液 導入弁30a〜30eを全て閉とし、給排液切り換え弁21を薬液ミキシング装 置22と基板処理槽4とが連通するように切り換える。次にステップS2では、 基板を収納したキャリアCが基板搬入搬出部2に搬入されてきたか否かを判断す る。基板が搬入されてきた場合にはステップS3に移行し、基板移載ロボット1 0によりキャリアCを基板移載装置3に搬入する。基板移載装置3では、キャリ アCから複数の基板を一括して受け取り、これを基板搬送ロボット6のアーム1 1により保持する。そして、受け取った複数の基板を基板処理槽4の基板保持具 12に引き渡す。
【0022】 次にステップS4では、基板処理槽4内で基板に対して各種の表面処理及び洗 浄処理を行う。一連の処理が終了した場合には、ステップS5に移行する。ステ ップS5では、基板処理槽4から基板を乾燥装置5に移し、乾燥処理を行う。乾 燥処理の終了した基板は、ステップS6の搬出処理によって外部に搬出される。 すなわち、基板搬送ロボット6により乾燥装置5から基板移載装置3に基板が搬 送され、この基板移載装置3において基板がキャリアC内に収納される。キャリ アCは、基板移載ロボット10によって基板移載装置3から基板搬入搬出部2に 搬送される。
【0023】 次に、図6のステップS4における基板処理を図7を用いて詳細に説明する。 なお、ここでは拡散前洗浄処理の例を示している。まずステップS10では、基 板処理槽4にアンモニア(NH4 OH)/過酸化水素(H2 2 )の処理液を導 入して第1の処理を実行する。ステップS10での処理が終了した場合には、ス テップS11に移行する。ステップS11では、基板処理槽4の底部から純水を 供給し続ける。これにより、先に基板処理槽4内に導入されていたアンモニア/ 過酸化水素処理液は基板処理槽4から排液槽26内にオーバーフローする。この 排液は、排液路27を通して排液ドレン28に排出される。このような純水の供 給を続けることによって、基板処理槽4内の基板を水洗処理する。
【0024】 次にステップS12では、基板処理槽4の底部からフッ酸(HF)処理液を導 入する。これにより、前述のように先に基板処理槽4内に導入されていた純水が 排液槽26にオーバーフローし、排液ドレン28に排出される。このフッ酸処理 が終了すればステップS13で水洗処理を実行する。さらに水洗処理が終了した 場合には、ステップS14で塩酸(HCl)/過酸化水素(H2 2 )処理液に よって第3の処理を実行する。またステップS14の処理が終了した場合にはス テップS15で前述と同様の水洗処理を実行する。
【0025】 ここで、各処理液によるステップS10、ステップS12及びステップS14 での処理を図8に詳細に説明する。 各処理液による処理を実行する場合には、まずステップS20において主開閉 弁24を開き、ステップS21で純水弁45を閉じる。これにより、純水路20 を通過した純水はアスピレータ部40を通過する。このアスピレータ部40を純 水が通過することにより、アスピレータ部40の下流側では減圧空間43が形成 される。そして、ステップS22で対応する薬液導入弁(ここでは弁30aとす る)を開く。これにより、薬液供給路33aを介して薬液導入室54に導入され た薬液は、開口46を通して減圧空間43に引き出される。したがって、所望量 の薬液を含んだ処理液を素早く処理槽4に供給することができる。
【0026】 ステップS23では、処理が終了したか否かを判断する。処理が終了するのを 待ってステップS24に移行する。ステップS24では、薬液導入弁30aを閉 じる。次にステップS25では、主開閉弁24を閉じ、処理液による処理を終了 する。 また、図7のステップS11,S13,S15において水洗処理を実行する場 合には、図9に示すように、まずステップS30で主開閉弁24を開き、ステッ プS31において純水弁45を開く。これにより、純水はアスピレータ部40を 通過すると同時にバイパス通路44を通過する。このため、大量の純水が基板処 理槽4に供給される。したがってアスピレータ部40が設けられた場合でも、水 洗処理を従来同様に短時間で行える。そしてステップS32で処理が終了するの を待つ。処理が終了すれば、ステップS33に移行する。ステップS33では主 開閉弁24を閉じる。このようにして水洗処理を終了する。
【0027】 なお、薬液導入弁を介して純水供給路20に供給される薬液は、流量計35a 〜35eによって測定されており、この測定された信号はPID部36a〜36 eに入力される。このPID部36a〜36eでは、比例、積分、微分動作を実 行し、モータコントロール回路37a〜37eに制御信号を出力する。モータコ ントロール回路37a〜37eは、PID部36a〜36eからの信号に基づい て薬液導入弁30a〜30eの弁軸52を回転させる。これにより、弁体51b が図4において上下方向に移動し、薬液導入弁の開口部の開口面積が変わる。し たがって、所望量の薬液が純水供給路20に対して供給される。
【0028】 このような実施例では、アスピレータ部40によって減圧空間43を形成し、 薬液を積極的に吸い出す。このため、所望量の薬液を即座に得ることができる。 また薬液を圧送するためのポンプが不要となるため、ポンプ設置のためのスペ ースが不要となり、装置全体を小型化することができる。なお、弁軸52を駆動 するためのモータの専有スペースは、圧送用ポンプのスペースに比較して非常に 小さい。
【0029】 また、圧送用ポンプが設けられていないので、発塵による基板及び薬液の汚染 が著しく抑えられる。 〔他の実施例〕 (a) アスピレータ部の構成は前記実施例に限定されるものではなく、図10 及び図11に示されるような構成としてもよい。
【0030】 図10に示す例では、純水供給路70に絞り部71が形成され、これによりア スピレータ部が形成されている。絞り部71の下流側には、薬液導入部72が形 成されており、薬液導入部72には薬液の導入量をコントロールすることが可能 な弁体73が移動自在に設けられている。 また、図11に示す例では、純水供給路75の一部にその上流側から徐々に流 通路が絞られ、また下流側に向かって流通路が徐々に広くなる絞り部76が形成 されている。これによりアスピレータ部が形成されている。この絞り部76の最 も絞られた部分には、薬液導入部77が形成されており、この薬液導入部77に 弁体78が移動自在に設けられている。この弁体78の移動量をコントロールす ることにより、薬液の導入量を制御することが可能である。 (b) 図12に示す例は、純水の供給量も制御できるようにした実施例である 。
【0031】 この実施例では、純水供給路80の一部にアスピレータ部81が形成されてお り、このアスピレータ部81に純水供給量をコントロールするための弁体82が 移動自在に配置されている。なお、バイパス通路及び薬液導入路等の構成は前記 実施例と同様である。 この例では、純水の供給量をも弁体82によってコントロールすることができ る。
【0032】
【考案の効果】
以上のように本考案では、純水供給路の一部にアスピレータ部を形成し、この アスピレータ部に薬液供給路を接続している。このため、純水の流れによって減 圧空間が形成され、この減圧空間に薬液を積極的に引き出すことができる。した がって、所望の量の薬液を即座に基板処理槽に対して供給することができる。
【0033】 また、薬液を圧送するためのポンプ等が不要となり、設置スペースが小さくな る。同様の理由により、ポンプに起因する発塵が抑えられ、基板及び薬液の汚染 が著しく減少する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例による薬液ミキシング装置が
採用された基板処理装置の斜視図。
【図2】前記基板処理装置の配管系統図。
【図3】薬液ミキシング装置の一部拡大断面図。
【図4】薬液導入弁の断面図。
【図5】前記装置の制御ブロック図。
【図6】全体処理を示す制御フローチャート。
【図7】基板処理の制御フローチャート。
【図8】薬液処理の制御フローチャート。
【図9】水洗処理の制御フローチャート。
【図10】本考案の他の実施例によるアスピレータ部の
断面図。
【図11】本考案の他の実施例によるアスピレータ部の
断面図。
【図12】本考案の他の実施例によるアスピレータ部の
断面図。
【符号の説明】
4 基板処理槽 20 純水供給路 22 薬液ミキシング装置 30a〜30e 薬液導入弁 31 導入弁連結部 33a〜33e 薬液供給路

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板処理装置の処理槽に純水と薬液とを混
    合して供給する基板処理装置の薬液ミキシング装置であ
    って、 純水が通過する純水供給路と、 前記純水供給路の途中に配置され、純水の流通によって
    減圧空間を形成するためのアスピレータ部と、 一端が前記アスピレータ部に開口し、薬液が通過する薬
    液供給路と、 前記薬液供給路のアスピレータ開口部に配置された薬液
    導入弁と、 を備えた基板処理装置の薬液ミキシング装置。
JP10751191U 1991-12-26 1991-12-26 基板処理装置の薬液ミキシング装置 Pending JPH0621733U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086561A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004006858A (ja) * 2002-05-10 2004-01-08 Dns Korea Co Ltd 薬液供給装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086561A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
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