TW202318497A - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

控制部係將已經在洗淨處理部中使用於洗淨處理的後半階段之排出液供給至洗淨處理部,並再次將已經在洗淨處理部中使用於洗淨處理的後半階段之排出液供給至洗淨處理部。由於在洗淨處理部中再次利用已經在洗淨處理部中使用過的排出液並再次在洗淨處理部中再次利用已經在洗淨處理部中使用過的排出液,因此能減少洗淨處理部的純水的供給量以及從供給管朝洗淨處理部供給的純水的供給量。因此,能藉由將純水循環使用而減少洗淨處理中的純水的消耗量。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係有關於一種用以將半導體基板、液晶顯示用或者有機EL(electroluminescence;電致發光)顯示裝置等平面顯示器(FPD;flat panel display)用基板、光罩(photomask)用玻璃基板、光碟用基板等之基板進行洗淨處理之基板處理裝置以及基板處理方法。
以往,作為此種裝置,已知有一種裝置(參照例如專利文獻1),係具備:藥液槽,係進行藥液所為的處理;以及純水槽,係進行純水所為的處理。此外,為了提升處理量(throughput),已知有一種裝置(參照例如專利文獻2),係具備複數組藥液槽以及純水槽,例如具備兩組藥液槽(元件符號為CHB1)與純水槽(元件符號為ONB1)以及藥液槽(元件符號為CHB2)與純水槽(元件符號為ONB2)。
從純水供給源對各個純水槽供給純水。被供給至純水槽且從純水槽溢出的純水係直接被廢棄。亦即,常態地從純水供給源對純水槽供給潔淨的純水。換言之,常態地僅以潔淨且新的純水對基板進行洗淨處理。
在純水槽進行處理的基板係例如為已經在藥液槽結束藥液所為的處理之基板。因此,在純水槽中基板被浸漬於純水的時間點,由於附著於基板的藥液等大量地存在於純水槽的純水中,因此比電阻(specific resistance)值低。當在純水槽中進行洗淨處理時,純水槽內的純水中的藥液等係與純水一起從純水槽逐漸排出。因此,藥液等的濃度逐漸減少且純水槽內的純水的比電阻值逐漸上升。當經過某種程度的時間時,純水的比電阻值不會再上升,純水槽內的純水的比電阻值係以接近針對純水理論上所能獲得的最大的比電阻值之值而飽和。一般而言,此時間點係成為洗淨處理的結束時間。
此結束時間係例如能藉由下述方式預先決定:一邊供給預定流量的純水,一邊從使已經結束預定的藥液處理的基板浸漬於純水槽內的時間點起計測純水槽內的純水的比電阻值的變化,並計測直至比電阻值飽和為止的時間。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-283947號公報(圖3)。 [專利文獻2]日本特開2010-27771號公報(圖1)。
[發明所欲解決之課題]
然而,在具有此種構成的習知例的情形中存在下述問題。亦即,以往的裝置係對各個純水槽供給潔淨的純水並將已經使用於洗淨處理的純水廢棄。因此,存在洗淨處理中的純水的消耗量變得非常多之問題。尤其,在為了提升處理量而具備複數台純水槽的基板處理裝置中,此種問題會更顯著。
本發明有鑑於此種問題而研創,目的在於提供一種能藉由將純水循環使用(recycle)而減少洗淨處理中的純水的消耗量之基板處理裝置以及基板處理方法。 [用以解決課題之手段]
為了達成此種目的,本發明係採用下述構成。亦即,方案一所揭示的發明為一種基板處理裝置,係用以對基板進行洗淨處理,並具備:第一處理槽,係能夠收容基板;第二處理槽,係能夠收容基板;第一純水供給管,係與純水供給源連通地連接,用以對前述第一處理槽供給純水;第一供給閥,係夾設於前述第一純水供給管;第二純水供給管,係與純水供給源連通地連接,用以對前述第二處理槽供給純水;第二供給閥,係夾設於前述第二純水供給管;第一循環使用管,係將從前述第一處理槽排出的排出液供給至前述第二處理槽;第一循環使用閥,係夾設於前述第一循環使用管;以及控制部,係控制前述第一供給閥、前述第二供給閥以及前述第一循環使用閥的開閉。
依據方案一所揭示的發明,控制部係控制第一供給閥、第二供給閥以及第一循環使用閥的開閉,以第一循環使用管將從第一純水供給管供給至第一處理槽並已經使用於洗淨處理的排出液供給至第二處理槽。由於在第二處理槽中再次利用已經在第一處理槽中使用過的排出液,因此能減少從第二純水供給管朝第二處理槽供給的純水的供給量。因此,能藉由將純水循環使用而減少洗淨處理中的純水的消耗量。
此外,此處所謂的排出液為包含純水的液體。排出液係於純水包含藥液。排出液的潔淨度係比剛從純水供給源供給的純水還低。排出液的比電阻值係比剛從純水供給源供給的純水還低。
此外,在方案二所揭示的發明中,較佳為進一步具備:第二循環使用管,係將從前述第二處理槽排出的排出液供給至前述第一處理槽;以及第二循環使用閥,係夾設於前述第二循環使用管;前述控制部係進一步控制前述第二循環使用閥的開閉。
控制部係藉由第二循環使用管將被供給至第二處理槽且已經使用於洗淨處理的排出液供給至第一處理槽。由於在第一處理槽中再次利用已經在第二處理槽中使用過的排出液,因此能減少從第一純水供給管朝第一處理槽供給的純水的供給量。因此,能進一步減少洗淨處理中的純水的消耗量。
此外,在方案三所揭示的發明中,較佳為在以批量(lot)管理屬於洗淨處理的對象的基板且第一批量在前述第一處理槽中進行洗淨處理而第二批量在前述第二處理槽中進行洗淨之情形中,前述控制部係控制成:將在前述第一批量的洗淨處理的後半階段中從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分,在前述第二批量的洗淨處理的前半階段中通過前述第一循環使用管供給至前述第二處理槽。
第一批量在第一處理槽中進行洗淨處理而第二批量在第二處理槽中進行洗淨處理時,在第一批量的洗淨處理中的後半階段中,第一處理槽中的排出液的比電阻值高。換言之,排出液的潔淨度係在第一批量的洗淨處理中的後半階段中比洗淨處理的前半階段還高。相對於此,由於在第二批量的洗淨處理中的前半階段中排出液大量地含有附著於基板的雜質等,因此排出液的比電阻值低。換言之,第二批量的洗淨處理中的前半階段係成為排出液的潔淨度比洗淨處理的後半階段還低之已經被污染的狀態。因此,藉由第一循環使用管將從第一處理槽排出且潔淨度比洗淨處理的前半階段還高之洗淨處理的後半階段的排出液供給至第二處理槽,並使用於第二批量的洗淨處理中的前半階段中。藉此,即使針對第二批量再次利用已經使用於洗淨處理的排出液,亦不會對洗淨處理造成不良影響而能進行處理。
此外,在此,洗淨處理中的前半階段的排出液的潔淨度係比洗淨處理中的後半階段還低。洗淨處理中的前半階段的比電阻值低。換言之,洗淨處理中的後半階段的排出液的潔淨度係比洗淨處理中的前半階段還高。洗淨處理中的後半階段的比電阻值高。因此,此處所謂的前半階段以及後半階段並不是指洗淨處理結束的時間中時間性為一半的意思。所謂前半階段以及後半階段係因應排出液的潔淨度所決定,且因應是否為能夠再次利用於洗淨處理的潔淨度所決定。
此外,在方案四所揭示的發明中,較佳為在以批量管理屬於洗淨處理的對象的基板且第一批量在前述第一處理槽中進行洗淨處理而第二批量在前述第二處理槽中進行洗淨之情形中,前述控制部係控制成:將在前述第一批量的洗淨處理的後半階段中從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分,在前述第二批量的洗淨處理的前半階段中通過前述第一循環使用管供給至前述第二處理槽;將在前述第二批量的洗淨處理的後半階段中從前述第二處理槽排出的排出液的至少一部分,在接續前述第一批量在前述第一處理槽中進行處理的第三批量的洗淨處理的前半階段中通過前述第二循環使用管供給至前述第一處理槽。
第一批量在第一處理槽中進行洗淨處理而第二批量在第二處理槽中進行洗淨處理時,在第一批量的洗淨處理中的後半階段中,第一處理槽中的純水的比電阻值高。換言之,排出液的潔淨度係在第一批量的洗淨處理中的後半階段中比洗淨處理的前半階段還高。相對於此,由於在第二批量的洗淨處理中的前半階段中排出液大量地含有附著於基板的雜質等,因此排出液的比電阻值低。換言之,第二批量的洗淨處理中的前半階段係成為排出液的潔淨度比洗淨處理的後半階段還低之已經被污染的狀態。因此,藉由第一循環使用管將從第一處理槽排出且潔淨度比洗淨處理的前半階段還高之洗淨處理的後半階段的排出液供給至第二處理槽,並使用於第二批量的洗淨處理中的前半階段中。同樣地,在第二批量的洗淨處理的後半階段中,藉由第二循環使用管將從第二處理槽排出的排出液供給至第一處理槽,並使用於接續於第一批量後面進行處理的第三批量的洗淨處理中的前半階段中。藉此,即使針對第一批量以及第二批量再次利用已經使用於洗淨處理的排出液,亦不會對洗淨處理造成不良影響而能進行處理。
此外,在方案五所揭示的發明中,較佳為前述第一處理槽係具備:第一內槽,係能夠收容基板;第一噴出管,係設置於前述第一內槽的底部,用以朝向上方噴出純水;以及第一外槽,係供從前述第一內槽的上緣溢出的排出液流入;前述第一純水供給管係連通地連接於前述第一噴出管以及前述第二循環使用管;前述第二處理槽係具備:第二內槽,係能夠收容基板;第二噴出管,係設置於前述第二內槽的底部,用以朝向上方噴出純水;以及第二外槽,係供從前述第二內槽的上緣溢出的排出液流入;前述第二純水供給管係連通地連接於前述第二噴出管以及前述第一循環使用管。
第一純水供給管係連通地連接於第一噴出管以及第二循環使用管。第二純水供給管係連通地連接於第二噴出管以及第一循環使用管。因此,由於將已經再次利用過的排出液從第一噴出管以及第二噴出管供給至第一處理槽以及第二處理槽,因此能將已經再次利用過的排出液適當地供給至基板。
此外,在方案六所揭示的發明中,較佳為前述第一批量的洗淨處理的後半階段為從前述洗淨處理的開始起比電阻值超過0.5MΩ.cm至1MΩ.cm的時間點之後。
當比電阻值超過0.5MΩ.cm至1MΩ.cm時,不會因為排出液的再次利用而對洗淨處理造成不良影響。
此外,在方案七所揭示的發明中,較佳為前述控制部係在前述第二批量的洗淨處理的後半階段中,不將從前述第一處理槽排出的排出液供給至前述第二處理槽,而是從前述第二純水供給管將純水供給至前述第二處理槽。
控制部係在第二處理槽中的洗淨處理的後半階段中,不將從第一處理槽排出的排出液供給至第二處理槽,而是從連通地連接於第二處理槽的第二純水供給管將純水供給至第二處理槽。亦即,控制部係不進行經由第一循環使用管的排出液的再次利用。因此,能在潔淨的狀態下結束基板的洗淨。
此外,在方案八所揭示的發明中,較佳為前述控制部係在前述第二批量的洗淨處理的前半階段中,將從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分與在前述第二純水供給管流通的純水混合並供給至前述第二處理槽;在前述第三批量的洗淨處理的前半階段中,將從前述第二處理槽排出的排出液的至少一部分與在前述第一純水供給管流通的純水混合並供給至前述第一處理槽。
在第二批量的洗淨處理的前半階段中,將從第一處理槽排出的排出液的至少一部分與在第二純水供給管流通的純水混合並供給至第二處理槽。在第三批量的洗淨處理的前半階段中,將從第二處理槽排出的排出液的至少一部分與在第一純水供給管流通的純水混合並供給至第一處理槽。因此,能供給洗淨處理所需的量的純水以及排出液。
此外,在方案九所揭示的發明中,較佳為前述第一循環使用管係具備緩衝筒槽;在方案十所揭示的發明中,較佳為前述第二循環使用管係具備緩衝筒槽。
第一循環使用管以及第二循環使用管皆具備緩衝筒槽。因此,用以從第一循環使用管朝第二處理槽供給以及從第二循環使用管朝第一處理槽供給之排出液的供給時序係能具有餘裕。結果,將第一批量與第二批量投入至第一處理槽以及第二處理槽時,即使第一批量中的洗淨處理的後半階段與第二批量中的洗淨處理的前半階段偏移,亦能適當地再次利用排出液。
方案十一所揭示的發明為一種基板處理方法,係用以對基板進行洗淨處理,並在以批量管理屬於洗淨處理的對象的基板之情形中依序實施在能夠收容基板的第一處理槽中針對第一批量開始洗淨處理之步驟以及在開始前述第一批量的洗淨處理之步驟之後在能夠收容基板的第二處理槽中針對第二批量開始洗淨處理之步驟時,將從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分供給至前述第二處理槽。
依據方案十一所揭示的發明,由於將已經在第一處理槽中使用過的排出液再次利用於第二處理槽,因此能減少朝第二處理槽供給的純水的供給量。因此,能藉由將純水循環使用而減少洗淨處理中的純水的消耗量。
此外,在方案十二所揭示的發明中,較佳為在開始前述第二批量的洗淨處理之步驟之後,在實施針對在前述第一處理槽中接續前述第一批量在前述第一處理槽中進行處理的第三批量開始洗淨處理之步驟時,將從前述第二處理槽排出的排出液的至少一部分供給至前述第一處理槽。
由於將已經在第二處理槽中使用過的排出液再次利用於第一處理槽,因此能減少朝第一處理槽供給的純水的供給量。因此,能進一步減少洗淨處理中的純水的消耗量。 [發明功效]
依據本發明的基板處理裝置,控制部係控制第一供給閥、第二供給閥以及第一循環使用閥的開閉,以第一循環使用管將從第一純水供給管供給至第一處理槽並已經使用於洗淨處理的排出液供給至第二處理槽。由於在第二處理槽中再次利用已經在第一處理槽中使用過的排出液,因此能減少從第二純水供給管朝第二處理槽供給的純水的供給量。因此,能藉由將純水循環使用而減少洗淨處理中的純水的消耗量。
以下,參照圖式說明本發明的一個實施例。
圖1係顯示實施例的基板處理裝置的概略構成之俯視圖。圖2係顯示實施例的基板處理裝置的概略構成之方塊圖。
[1. 基板處理裝置的構成]
實施例的基板處理裝置係例如為用以對基板W進行藥液處理、洗淨處理以及乾燥處理之裝置。複數片(例如二十五片)基板W係以水平姿勢被層疊收納於匣(cassette)1內。收納了未處理的基板W之匣1係被載置於投入部3。投入部3係具備兩個用以載置匣1之載置台5。
於基板處理裝置中之夾著中央部之投入部3的相反側配備有移出部7。移出部7係將處理完畢的基板W收納於匣1並針對每個匣1進行移出。與投入部3同樣地,以此種方式發揮作用的移出部7係具備用以載置匣1之兩個載置台9。
於沿著投入部3以及移出部7之位置設置有第一搬運機構CTC,第一搬運機構CTC係構成為能夠在投入部3以及移出部7之間移動。第一搬運機構CTC係取出收納於被載置在投入部3的匣1中的全部的基板W後搬運至第二搬運機構WTR。第一搬運機構CTC係從第二搬運機構WTR接取處理完畢的基板W後,將基板W收納於匣1。第二搬運機構WTR係構成為能夠沿著基板處理裝置的長邊方向移動。
於第二搬運機構WTR的移動方向中的移出部7之側設置有乾燥處理部LPD,乾燥處理部LPD係用以使複數片基板W收納於低壓的腔室(chamber)內並使基板W乾燥。
於屬於第二搬運機構WTR的移動方向且為鄰接於乾燥處理部LPD之位置配備有第一處理部11。
第一處理部11係具備洗淨處理部ONB1以及藥液處理部CHB1。洗淨處理部ONB1係藉由純水對基板W施予洗淨處理。藥液處理部CHB1係藉由包含藥液的處理液對基板W施予藥液處理。第一處理部11係具備副搬運機構LFS1。副搬運機構LFS1係在副搬運機構LFS1與第二搬運機構WTR之間接取並傳遞基板W。副搬運機構LFS1係構成為能夠在洗淨處理部ONB1與藥液處理部CHB1之間移動。副搬運機構LFS1係能夠僅在洗淨處理部ONB1與藥液處理部CHB1升降。
於與第一處理部11鄰接之位置設置有第二處理部13。第二處理部13係具備與上面所說明的第一處理部11同樣的構成。
亦即,第二處理部13係具備洗淨處理部ONB2、藥液處理部CHB2以及副搬運機構LFS2。洗淨處理部ONB2為與上面所說明的洗淨處理部ONB1同樣的構成。藥液處理部CHB2為與上面所說明的藥液處理部CHB1同樣的構成。副搬運機構LFS2為與上面所說明的副搬運機構LFS1同樣的構成。
控制部15係統括地控制上面所說明的第一搬運機構CTC等的各部。控制部15係具備CPU(Central Processing Unit;中央處理單元)以及記憶體。控制部15的記憶體係預先記憶處方(recipe)等,該處方係規定將基板W批量地處置且在第一處理部11以及第二處理部13中如何處理各個批量。於處方預先記載有例如朝內槽19供給之純水的流量以及在內槽19浸漬處理基板W之時間等。
在此,參照圖3。圖3係顯示基板處理裝置中的洗淨處理部之圖。
洗淨處理部ONB1係具備處理槽17。處理槽17係具備內槽19以及外槽21。
內槽19係能夠將基板W連同副搬運機構LFS1一起收容。於內槽19的底部的兩側具備噴出管23。噴出管23係於圖3中的圖紙前後方向具有長軸,且沿著長軸形成複數個噴射口(未圖示)。於內槽19的上緣的外周側設置有外槽21。外槽21係回收從噴出管23被供給至內槽19並從內槽19的上緣溢出的純水。
於噴出管23連通地連接有供給管25的一端側。供給管25的另一端側係連通地連接於純水供給源27。純水供給源27係供給比電阻值大致為理論值(16MΩ.cm)的純水。從接近純水供給源27之位置起朝向噴出管23,於供給管25具備流量調整閥29、開閉閥31以及流量計33。
流量調整閥29係調整於供給管25流通的純水的流量。開閉閥31係針對供給管25中的純水的流通切換容許的狀態以及阻斷的狀態。流量計33係測量於供給管25流通的純水的流量。所測量的流量係輸出至控制部15。
於內槽19的一側面安裝有比電阻計35。比電阻計35係計測儲留於內槽19的純水的比電阻值。所計測的比電阻值係被輸出至控制部15。
外槽21係具備排出管37。具體而言,於外槽21的底面連通地連接有排出管37的一端側。排出管37係從另一端側進行排出液的排出。排出液為包含已經從基板W脫離的微粒(particle)以及從基板W被沖掉的藥液的一部分之純水。此外,排出液亦會有僅為大致不含有雜質之純水的情形。排出管37係具備開閉閥39。開閉閥39係控制排出液的排出。亦即,開閉閥39係容許排出液的流通或者阻斷排出液的流通。於排出管37中的外槽21與開閉閥39之間設置有分支部41。
洗淨處理部ONB1係以上面所說明的方式構成。第二處理部13的洗淨處理部ONB2係與上面所說明的洗淨處理部ONB1同樣的方式構成。
洗淨處理部ONB1係具備循環使用管43。循環使用管43的一端部係連通地連接於分支部41。循環使用管43的另一端部係連通地連接於洗淨處理部ONB2的供給管25。
具體而言,循環使用管43的另一端部係連通地連接於洗淨處理部ONB2的流量計33與噴出管23之間。循環使用管43係從分支部41之側依序具備開閉閥45、泵47以及流量計49。
開閉閥45係容許或者阻斷排出至洗淨處理部ONB1的排出管37並流入至循環使用管43之排出液的流通。泵47係將被排出至洗淨處理部ONB1的排出管37的排出液從循環使用管43壓送至洗淨處理部ONB2的供給管25。流量計49係計測於循環使用管43流通的排出液的流量。流量計49所計測的流量係被輸出至控制部15。循環使用管43係將在洗淨處理部ONB1中被使用且已被排出至外槽21的排出液供給至洗淨處理部ONB2。
洗淨處理部ONB2係具備循環使用管53。循環使用管53的一端部係連通地連接於洗淨處理部ONB2的分支部41。循環使用管53的另一端部係連通地連接於洗淨處理部ONB1的供給管25。具體而言,循環使用管53的另一端係連通地連接於洗淨處理部ONB1的流量計33與噴出管23之間。循環使用管53係從分支部41之側起依序具備開閉閥55、泵57以及流量計59。
開閉閥55係容許或者阻斷排出至洗淨處理部ONB2的排出管37並流入至循環使用管53之排出液的流通。泵57係將被排出至洗淨處理部ONB2的排出管37的排出液從循環使用管53壓送至洗淨處理部ONB1的供給管25。流量計59係計測於循環使用管53流通的排出液的流量。流量計59所計測的流量係被輸出至控制部15。循環使用管53係將在洗淨處理部ONB2中被使用且已被排出至外槽21的排出液供給至洗淨處理部ONB1。
此外,洗淨處理部ONB1的處理槽17係相當於本發明中的「第一處理槽」,洗淨處理部ONB2的處理槽17係相當於本發明中的「第二處理槽」。洗淨處理部ONB1的供給管25係相當於本發明中的「第一純水供給管」,洗淨處理部ONB2的供給管25係相當於本發明中的「第二純水供給管」。洗淨處理部ONB1的流量調整閥29以及開閉閥31係相當於本發明中的「第一供給閥」,洗淨處理部ONB2的流量調整閥29以及開閉閥31係相當於本發明中的「第二供給閥」。循環使用管43係相當於本發明中的「第一循環使用管」,循環使用管53係相當於本發明中的「第二循環使用管」。開閉閥45係相當於本發明中的「第一循環使用閥」,開閉閥55係相當於本發明中的「第二循環使用閥」。
洗淨處理部ONB1的內槽19係相當於本發明中的「第一內槽」,洗淨處理部ONB2的內槽19係相當於本發明中的「第二內槽」。洗淨處理部ONB1的噴出管23係相當於本發明中的「第一噴出管」,洗淨處理部ONB2的噴出管23係相當於本發明中的「第二噴出管」。洗淨處理部ONB1的外槽21係相當於本發明中的「第一外槽」,洗淨處理部ONB2的外槽21係相當於本發明中的「第二外槽」。
控制部15係例如以下述方式在不進行後述的循環使用之通常的洗淨處理中操作各部。
控制部15係封閉開閉閥45、55。控制部15係開放開閉閥39。在此種狀態下,控制部15係操作流量調整閥29並設定成於供給管25流通的純水的流量會成為處方所規定的供給量的目標值的流量。控制部15係開放開閉閥31。藉此,在洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)中,對內槽19供給純水,從而對被浸漬於內槽19的基板W進行洗淨處理。
此時,控制部15較佳為監視流量計33的流量,且在與處方所規定的供給量的目標值存在差異之情形中操作流量調整閥29以消除此種差異。亦即,控制部15較佳為在供給純水時進行回授(feedback)控制以使純水的供給量的流量與目標值一致。
[2.洗淨處理時的比電阻值] 參照圖4。圖4係顯示洗淨處理時的比電阻值的變化例之圖表。此圖表的縱軸係表示比電阻值[Ω.cm],橫軸係表示洗淨時間[sec]。
在洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)中,從純水供給源27對供給管25供給純水。從供給管25所供給的純水係從一對噴出管23朝向內槽19的底面供給。朝向內槽19的底面中央供給的純水係在內槽19的中央部合流並上升,且沿著基板W的面上升。儲留於內槽19的純水係越過內槽19的上緣溢出至外槽21。被外槽21回收的純水係經由排出管37作為排出液排出。
此時,圖4的圖表係顯示使已經在藥液處理部CHB1(藥液處理部CHB2)中結束藥液處理的基板W浸漬於洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)的純水並進行洗淨處理時的比電阻計35所計測的比電阻值的變化例。控制部15係在對基板W進行洗淨處理時不參照比電阻計35的輸出。例如,控制部15係因應已經對基板W進行過的藥液處理,因應成為藉由預先實驗所求得的時間點t2之時間來控制洗淨處理。
控制部15係控制副搬運機構LFS1(副搬運機構LFS2)的升降。控制部15係操作副搬運機構LFS1(副搬運機構LFS2),使基板W在遍及位於內槽19的上方之上方位置與內槽19的內部中的處理位置移動。控制部15係藉由副搬運機構LFS1(副搬運機構LFS2)使基板W位於處理位置,並將開始純水所為的洗淨處理之時間點作為時間點0。例如,在時間點t1時比電阻值係成為比電阻值SR1左右,在時間點t2時比電阻值係大致飽和而成為比電阻值SR2。時間點t2為結束純水所為的洗淨處理之時間點。
在此,比電阻值SR2為從純水供給源27所供給之純水的理論上的最大值。比電阻值SR2係例如為16MΩ.cm。更具體而言,為在用以對純水供給源27供給純水之純水製造裝置中能夠製造的純水中的比電阻值的最大值。
比電阻值SR1係例如為1MΩ.cm。或者,比電阻值SR1係在0.5MΩ.cm至1MΩ.cm的範圍中考慮最終的洗淨結束來決定。從時間點0起至比時間點t1還早之前開始洗淨處理,成為儲留於內槽19的純水中的雜質濃度高之狀態。在時間點t1中,進行洗淨處理且從內槽19排出雜質等,藉此儲留於內槽19的純水中的雜質濃度開始急遽地減少,潔淨度變高。在時間點t2中,洗淨處理完全結束,儲留於內槽19的純水中的雜質濃度變成幾乎為零,成為潔淨的狀態。
在此,將從純水所為的洗淨時間中的時間點0起至時間點t1作為前半階段FH,將從純水所為的洗淨時間中的時間點t1起至時間點t2作為後半階段SH。相較於前半階段FH,後半階段SH的比電阻值係非常地高。換言之,在後半階段SH中,從內槽19經由外槽21排出的排出液的潔淨度係比前半階段FH的排出液還高。
因此,例如在洗淨處理部ONB1比洗淨處理部ONB2還先開始洗淨處理之情形中,在洗淨處理部ONB1中的後半階段SH中從外槽21排出的排出液的比電阻值係比在洗淨處理部ONB2中的前半階段FH中從外槽21排出的排出液的比電阻值還大。換言之,在洗淨處理部ONB1中的後半階段SH中從外槽21排出的排出液的潔淨度係比在洗淨處理部ONB2中的前半階段FH中從外槽21排出的排出液的潔淨度還高。
[3.控制部15中的操作] 在此,參照圖5。圖5係用以說明將洗淨處理的後半階段與其他的洗淨處理的前半階段重疊之處理之圖表。
例如,設想下述情形:先在洗淨處理部ONB1開始純水所為的洗淨處理,之後再在洗淨處理部ONB2開始純水所為的洗淨處理。在此情形中,控制部15係以洗淨處理部ONB1的洗淨處理中的後半階段SH與洗淨處理部ONB2的洗淨處理中的前半階段FH重複之方式進行處理。或者,控制部15係在針對先開始洗淨處理的洗淨處理部ONB1與之後再開始洗淨處理的洗淨處理部ONB2局部地重複洗淨處理的後半階段SH與前半階段FH之情形中,操作各部以將洗淨處理部ONB1中的後半階段SH的排出液再次利用於洗淨處理部ONB2中的前半階段FH中的洗淨。
具體而言,控制部15係在能將排出液再次利用於洗淨之情形中,僅將循環使用管43的排出液轉作為在洗淨處理部ONB2的前半階段FH中從供給管25供給至內槽19的純水。
控制部15係無須以洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)中的後半階段SH與洗淨處理部ONB2(洗淨處理部ONB1)中的前半階段FH完全地重疊之方式搬運各個批量。亦即,控制部15係只要以在洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)中的後半階段SH與洗淨處理部ONB2(洗淨處理部ONB1)中的前半階段FH的至少一部分重複之情形中進行排出液的再次利用之方式進行控制即可。藉此,能再次利用洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)中的後半階段SH中的排出液的至少一部分。
在進行此種循環使用時,控制部15較佳為進行下述控制。
例如,控制部15係控制成:超過從洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)的供給管25供給至內槽19的純水的流量時,不對洗淨處理部ONB2(洗淨處理部ONB1)進行經由循環使用管43(循環使用管53)供給排出液。換言之,控制部15係在被供給至洗淨處理部ONB1(洗淨處理部ONB2)的內槽19的純水的流量以內對洗淨處理部ONB2(洗淨處理部ONB1)進行經由循環使用管43(循環使用管53)的排出液的供給。藉此,能防止循環使用的排出液不足,從而能防止在被供給排出液的內槽19之側中產生供給不穩定的狀態而對處理產生不良影響。
[4.批量的處理] 在此,參照圖6。圖6係顯示處理四個批量時的例子之時序圖。
在以下的說明中,為了容易理解本發明,將複數片基板W或者一片基板W作為一個批量來處置並在基板處理裝置中處理各個批量之情形作為例子來說明。
在以下的說明中,針對控制部15的操作對象的各個資源(resource)中的搬運系統以及藥液處理部CHB1(藥液處理部CHB2)並無特別限定。因此,說明時將藥液處理部CHB1(藥液處理部CHB2)記載成藥液處理部CHB,且不記載第二搬運機構WTR以及副搬運機構LFS1(副搬運機構LFS2)。關於批量,作為一例,說明連續進行四個批量的處理之情形。
在圖6中,以元件符號L1表示第一批量。同樣地,以元件符號L2表示第二批量,以元件符號L3表示第三批量,以元件符號L4表示第四批量。依序將第一批量L1至第四批量L4投入至基板處理裝置。作為一例,在圖6中以一個正方形來顯示處理的單位時間。在圖6中以附有斜線的正方形來顯示純水所為的洗淨處理中的前半階段FH,以通常的正方形來顯示純水所為的洗淨處理中的後半階段SH。
以下說明下述例子:控制部15係在藥液處理部CHB所為的藥液處理後搬運第一批量L1至第四批量L4,並在洗淨處理部ONB1、ONB2進行洗淨處理。
控制部15係在時間點t0時在藥液處理部CHB中處理第一批量L1。藥液處理部CHB所為的藥液處理係在時間點t1中結束。控制部15係在從時間點t1起至時間點t2中搬運第一批量L1,並將第一批量L1搬運至洗淨處理部ONB1。控制部15係在洗淨處理部ONB1中處理第一批量L1。純水所為的洗淨處理係在時間點t2起至時間點t6為止進行。
此外,時間點t2起至時間點t6係相當於本發明中的「針對第一批量開始洗淨處理之步驟」。
控制部15係在時間點t2起至時間點t3為止在藥液處理部CHB中處理第二批量L2。藥液處理部CHB所為的第二批量L2的藥液處理係在時間點t3中結束。控制部15係在時間點t3中搬運第二批量L2,並將第二批量L2搬運至洗淨處理部ONB2。控制部15係在洗淨處理部ONB2中處理第二批量L2。純水所為的洗淨處理係在時間點t4起至時間點t8為止進行。
此外,時間點t4起至時間點t8係相當於本發明中的「針對第二批量開始洗淨處理之步驟」。
控制部15係在時間點t5中在藥液處理部CHB中處理第三批量L3。藥液處理部CHB所為的藥液處理係在時間點t6中結束。控制部15係在時間點t6起至時間點t7中搬運第三批量L3,並將第三批量L3搬運至洗淨處理部ONB1。控制部15係在洗淨處理部ONB1中處理第三批量L3。純水所為的洗淨處理係在時間點t7起至時間點t10為止進行。
此外,時間點t7起至時間點t10係相當於本發明中的「針對第三批量開始洗淨處理之步驟」。
控制部15係在時間點t7起至時間點t8為止在藥液處理部CHB中處理第四批量L4。藥液處理部CHB所為的第四批量L4的藥液處理係在時間點t8中結束。控制部15係在時間點t8中搬運第四批量L4,並將第四批量L4搬運至洗淨處理部ONB2。控制部15係在洗淨處理部ONB2中處理第四批量L4。純水所為的洗淨處理係在時間點t9起至時間點t11為止進行。
接著,說明如上所述般處理第一批量L1至第四批量L4之情形中的洗淨處理部ONB1以及洗淨處理部ONB2中的排出液的再次利用。
針對正在洗淨處理部ONB1中進行洗淨處理的第一批量L1與正在洗淨處理部ONB2中進行洗淨處理的第二批量L2,第一批量L1的後半階段SH的全部以及第二批量L2的前半階段FH的全部係在從時間點t4起至時間點t6中時間上完全地重複。
[5.循環使用動作]
[5.1從洗淨處理部ONB1朝向洗淨處理部ONB2之循環使用] 此時,控制部15係在時間點t4至時間點t6中以例如下述方式進行循環使用。
亦即,在從時間點t4至時間點t6中,控制部15係以下述方式針對從洗淨處理部ONB1的外槽21排出至排出管37的排出液進行循環使用。
具體而言,控制部15係開放開閉閥45並使泵47動作。藉此,從洗淨處理部ONB1的排出管37排出的排出液係於循環使用管43流通並被供給至洗淨處理部ONB2的供給管25。此時,控制部15係監視來自循環使用管43的流量計49的輸出。控制部15係較佳為以來自循環使用管43的流量計49的輸出與處方所規定的流量的目標值一致之方式操作泵47中的輸液量。
當到達時間點t6時,控制部15係封閉開閉閥45並停止泵47。再者,控制部15係開放開閉閥31。控制部15係操作流量調整閥29並控制成洗淨處理部ONB2的流量計33中的流量與處方所規定的流量的目標值一致。
針對正在洗淨處理部ONB2中進行洗淨處理的第二批量L2與正在洗淨處理部ONB1中進行洗淨處理的第三批量L3,第二批量L2的後半階段SH的一部分以及第三批量L3的前半階段FH的一部分係在從時間點t7起至時間點t8中重複。
[5.2從洗淨處理部ONB2朝向洗淨處理部ONB1之循環使用] 控制部15係在時間點t7至時間點t8中以例如下述方式進行循環使用。
亦即,在從時間點t7至時間點t8中,控制部15係以下述方式針對從洗淨處理部ONB2的外槽21排出至排出管37的排出液進行循環使用。具體而言,控制部15係開放開閉閥55並使泵57動作。藉此,從洗淨處理部ONB2的排出管37排出的排出液係於循環使用管53流通並被供給至洗淨處理部ONB1的供給管25。此時,控制部15係監視來自循環使用管53的流量計59的輸出。控制部15係較佳為以來自循環使用管53的流量計59的輸出與處方所規定的流量的目標值一致之方式操作泵57中的輸液量。
[5.3從洗淨處理部ONB1朝向洗淨處理部ONB2之循環使用] 控制部15係在時間點t9至時間點t10中以與上面所說明的[5.1從洗淨處理部ONB1朝向洗淨處理部ONB2之循環使用]同樣的方式進行循環使用。亦即,經由循環使用管43進行從洗淨處理部ONB1朝向洗淨處理部ONB2的排出液的供給。
如上所述,在依序處理第一批量L1至第四批量L4的四個批量之情形中,針對不進行純水的循環使用之通常的洗淨處理能以下述方式節約純水。此外,在此簡易地以表示處理的單位時間之一個正方形的數量來記載節約量。
在第二批量L2的處理時,能藉由循環使用管43節約「七單位時間」分量的純水。在第三批量L3的處理時,能藉由循環使用管53節約「五單位時間」分量的純水。在第四批量L4的處理時,能藉由循環使用管43節約「七單位時間」分量的純水。亦即,能節約合計共「十九單位時間」分量的純水。
依據本實施例,控制部15係控制洗淨處理部ONB1與洗淨處理部ONB2的開閉閥31與流量調整閥29以及循環使用管43、53的開閉閥45、55,將已在洗淨處理部ONB1中被使用於洗淨處理的後半階段SH的排出液供給至洗淨處理部ONB2,將已在洗淨處理部ONB2中被使用於洗淨處理的後半階段SH的排出液供給至洗淨處理部ONB1。由於在洗淨處理部ONB2中再次利用已經在洗淨處理部ONB1使用過的排出液且在洗淨處理部ONB1中再次利用已經在洗淨處理部ONB2使用過的排出液,因此能減少從供給管25朝洗淨處理部ONB1以及洗淨處理部ONB2供給純水的供給量。因此,藉由循環使用純水,能減少洗淨處理中的純水的消耗量。
[變化例一] 參照圖7。圖7係顯示洗淨處理部的變化例之圖。
與上面所說明的構成的差異點在於變化例一的基板處理裝置係具備緩衝筒槽51、61。
具體而言,洗淨處理部ONB1的循環使用管43係具備緩衝筒槽51。緩衝筒槽51係配置於開閉閥45與泵47之間。洗淨處理部ONB2的循環使用管53係具備緩衝筒槽61。緩衝筒槽61係配置於開閉閥55與泵57之間。
緩衝筒槽51係暫時性地儲留從洗淨處理部ONB1的外槽21排出至排出管37並流入至循環使用管43的排出液。緩衝筒槽61係暫時性地儲留從洗淨處理部ONB2的外槽21排出至排出管37並流入至循環使用管53的排出液。
如此,藉由具備緩衝筒槽51、61,能於將循環使用地供給排出液之時序設置餘裕。藉此,即使先投入的批量的後半階段SH與之後投入的批量的前半階段FH偏移,亦能適當地再次利用排出液。
具體地說明。在此,參照圖6。第二批量L2的後半階段SH係位於從時間點t6起至時間點t8。第三批量L3的前半階段FH係位於時間點t7起至時間點t9。因此,在實施例的構成中,僅能再次利用第二批量L2的後半階段SH(時間點t6至時間點t8)中的時間點t7至時間點t8的排出液。
因此,當構成為如變化例一般時,由於具備緩衝筒槽61,因此能將第二批量L2的後半階段SH的時間點t6至時間點t7的排出液暫時性地儲留於緩衝筒槽61。因此,能在第三批量L3的前半階段FH再次利用第二批量L2的後半階段SH的全部的排出液。
[變化例二] 參照圖8。圖8係顯示洗淨處理部的另一個變化例之圖。
上面所說明的構成為基板處理裝置具備洗淨處理部ONB1以及洗淨處理部ONB2這兩台洗淨處理部之構成。變化例二係顯示進一步具備洗淨處理部ONBx之構成的情形的例子。
在此種構成中具備循環使用管63,循環使用管63的一端側係連通地連接於洗淨處理部ONB1的循環使用管43。此外,具備循環使用管73,循環使用管73的一端側係連通地連接於洗淨處理部ONB2的循環使用管53。這些循環使用管63、73的另一端側係連通地連接於洗淨處理部ONBx的供給管。循環使用管63係具備開閉閥65。開閉閥65係容許或者阻斷來自洗淨處理部ONB1的排出液經由循環使用管43的流通並於循環使用管63中的流通。循環使用管73係具備開閉閥75。開閉閥75係容許或者阻斷來自洗淨處理部ONB2的排出液經由循環使用管53的流通並於循環使用管73中的流通。
此外,洗淨處理部ONB1係具備循環使用管83,循環使用管83的一端側係連通地連接於供給管25。洗淨處理部ONB2係具備循環使用管93,循環使用管93的一端側係連通地連接於供給管25。循環使用管83、93的另一端側係連通地連接於洗淨處理部ONBx的排出管37(未圖示)。循環使用管83、93係具備未圖示的開閉閥。藉此,在除了具備洗淨處理部ONB1、ONB2之外還進一步具備洗淨處理部ONBx之情形中,亦能相互地再次利用各部的排出液。
本發明並未限定於上述實施形態,亦能夠以下述方式進行變化來實施。
(1)雖然在上述實施形態中具備循環使用管43以及循環使用管53,然而本發明並未限定於此種構成。例如,亦可構成為僅具備循環使用管43以及循環使用管53中的一方。在此種構成中,亦能減少洗淨處理部ONB1或者洗淨處理部ONB2中的任一者的純水的消耗量。
(2)在上述實施例中已將具備圖1所示的第一搬運機構CTC、第二搬運機構WTR等之搬運機構以及乾燥處理部LPD等之構成作為例子來說明。然而,本發明並非需要此種構成。亦即,只要為具備至少兩台洗淨處理部ONB1以及洗淨處理部ONB2的基板處理裝置即能應用本發明。
(3)在上述實施例中作成供給管25能僅供給純水之構成。然而,本發明亦可構成為於供給管25具備混合閥組。混合閥組係由複數個混合閥所構成,能使複數種類的藥液於供給管25混合。在採用此種構成之情形中,能藉由供給管25僅供給純水,能藉由供給管25供給於純水混合了藥液的處理液,能藉由供給管25供給僅由藥液所構成的處理液。此種構成亦能應用本發明。
(4)在上述實施形態中,在能將排出液再次利用於洗淨之情形中,僅將循環使用管43的排出液轉作為在洗淨處理部ONB2的前半階段FH中從供給管25供給至內槽19的純水。然而,本發明並未限定於此種構成。
亦即,控制部15係控制洗淨處理部ONB2的供給管25中的純水的供給以及從洗淨處理部ONB1的排出管37排出的純水朝向循環使用管43的供給之供給量。
具體而言,將來自洗淨處理部ONB2的純水供給源27的純水的新的液體以及來自循環使用管43的排出液適當地混合並供給至內槽19。更詳細而言,控制部15係針對洗淨處理部ONB2來操作供給管25中的開閉閥31與流量調整閥29以及循環使用管43中的開閉閥45與泵47。此時,較佳為參照流量計33與流量計49中的流量來進行回授控制。藉此,控制部15係能將洗淨處理部ONB1中的後半階段SH的排出液與洗淨處理部ONB2的新的液體的純水混合並再次利用於洗淨處理部ONB2中的前半階段FH中的洗淨。此外,同樣地,能將洗淨處理部ONB2中的後半階段SH的排出液與洗淨處理部ONB1的新的液體的純水混合並再次利用於洗淨處理部ONB1中的前半階段FH中的洗淨。
藉此,藉由增加潔淨的純水的比例,能節約純水並期待縮短洗淨時間。
在進行上面所說明的混合之情形中,控制部15較佳為以下述方式操作各部。
亦即,控制部15係例如調整正在實施洗淨處理的前半階段FH之洗淨處理部ONB2的流量調整閥29,並考慮從循環使用管43流入的排出液的流量。亦即,控制部15係針對正在實施洗淨處理的前半階段FH之洗淨處理部ONB2操作流量調整閥29以及泵47,以使從噴出管23被供給至內槽19的純水的流量與不進行循環使用之情形的前半階段FH或者後半階段SH中的純水的流量大致一致。在正在實施洗淨處理的後半階段SH之洗淨處理部為洗淨處理部ONB1之情形中,操作洗淨處理部ONB2的流量調整閥29以及循環使用管43的泵47,以使從洗淨處理部ONB2的噴出管23被供給至內槽19的純水的流量與不進行循環使用之情形時被供給至洗淨處理部ONB2的前半階段FH之純水的流量或者被供給至洗淨處理部ONB2的後半階段SH之純水的流量大致一致。
藉此,能防止在洗淨處理的前半階段FH與後半階段SH中內槽19中的純水的流動急遽地變動從而對正在內槽19的處理位置處進行處理的基板W造成不良影響。
(5)在上述實施例中,循環使用管43、53係連通地連接於供給管25。然而,本發明並未限定於此種構成。循環使用管43、53亦可構成為連通地連接於噴出管23或者內槽19。
(6)在上述實施例中,在比電阻值SR1為0.5MΩ.cm至1MΩ.cm之時間點t1中區分成前半階段FH以及後半階段SH。然而,本發明並未限定於此種形態。亦即,在被供給再次利用的排出液之側的基板的潔淨度比被供給再次利用的排出液之側的基板的潔淨度還極端地低之情形中,亦可在比電阻值SR1比0.5MΩ.cm至1MΩ.cm還低的值之時間點中區分成前半階段FH以及後半階段SH。此外,比電阻值SR1為0.5MΩ.cm至1MΩ.cm係一例,本發明並未被限定於此種值。
(7)在上述實施例中已以內槽19具備比電阻計35之構成作為例子進行說明。然而,本發明並未限定於此種構成。例如,亦可採用電導度計來取代比電阻計35,相較於比電阻計35,電導度計即使在雜質多之情形對於潔淨度的感度仍然很高。藉此,能更正確地判斷基板W的洗淨程度。因此,控制部15能正確地判斷已經進入後半階段SH。因此,控制部15亦可控制成基於內槽19內的導電率開始後半階段SH中的循環使用,而不是在預先決定的時間中開始後半階段SH中的循環使用。藉此,並未限定於時間,能夠進行因應潔淨度之彈性的處理。
(8)在上述實施例中已以進行四個批量的處理之情形作為例子進行說明。然而,本發明並未限定於此種情形的處理。亦即,本發明在實施至少兩個批量的處理時即能達成功效。 [產業可利用性]
如上所述,本發明適用於用以將基板進行洗淨處理之基板處理裝置。
0,t0至t11:時間點 1:匣 3:投入部 5,9:載置台 7:移出部 11:第一處理部 13:第二處理部 15:控制部 17:處理槽 19:內槽 21:外槽 23:噴出管 25:供給管 27:純水供給源 29:流量調整閥 31,39,45,55,65,75:開閉閥 33:流量計 35:比電阻計 37:排出管 41:分支部 43,53,63,73,83,93:循環使用管 47,57:泵 49,59:流量計 51,61:緩衝筒槽 CHB,CHB1,CHB2:藥液處理部 CTC:第一搬運機構 FH:前半階段 L1:第一批量 L2:第二批量 L3:第三批量 L4:第四批量 LFS1,LFS2:副搬運機構 LPD:乾燥處理部 ONB1,ONB2,ONBx:洗淨處理部 SH:後半階段 SR1,SR2:比電阻值 W:基板 WTR:第二搬運機構
[圖1]係顯示實施例的基板處理裝置的概略構成之俯視圖。 [圖2]係顯示實施例的基板處理裝置的概略構成之方塊圖。 [圖3]係顯示基板處理裝置中的洗淨處理部之圖。 [圖4]係顯示洗淨處理時的比電阻值的變化例之圖表。 [圖5]係用以說明將洗淨處理的後半階段與其他的洗淨處理的前半階段重疊之處理之圖表。 [圖6]係顯示處理四個批量時的例子之時序圖。 [圖7]係顯示洗淨處理部的變化例之圖。 [圖8]係顯示洗淨處理部的另一個變化例之圖。
t0至t11:時間點
43,53:循環使用管
CHB:藥液處理部
FH:前半階段
L1:第一批量
L2:第二批量
L3:第三批量
L4:第四批量
ONB1,ONB2:洗淨處理部
SH:後半階段

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置,係用以對基板進行洗淨處理,並具備: 第一處理槽,係能夠收容基板; 第二處理槽,係能夠收容基板; 第一純水供給管,係與純水供給源連通地連接,用以對前述第一處理槽供給純水; 第一供給閥,係夾設於前述第一純水供給管; 第二純水供給管,係與純水供給源連通地連接,用以對前述第二處理槽供給純水; 第二供給閥,係夾設於前述第二純水供給管; 第一循環使用管,係將從前述第一處理槽排出的排出液供給至前述第二處理槽; 第一循環使用閥,係夾設於前述第一循環使用管;以及 控制部,係控制前述第一供給閥、前述第二供給閥以及前述第一循環使用閥的開閉。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中進一步具備: 第二循環使用管,係將從前述第二處理槽排出的排出液供給至前述第一處理槽;以及 第二循環使用閥,係夾設於前述第二循環使用管; 前述控制部係進一步控制前述第二循環使用閥的開閉。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中在以批量管理屬於洗淨處理的對象的基板且第一批量在前述第一處理槽中進行洗淨處理而第二批量在前述第二處理槽中進行洗淨之情形中,前述控制部係控制成:將在前述第一批量的洗淨處理的後半階段中從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分,在前述第二批量的洗淨處理的前半階段中通過前述第一循環使用管供給至前述第二處理槽。
  4. 如請求項2所記載之基板處理裝置,其中在以批量管理屬於洗淨處理的對象的基板且第一批量在前述第一處理槽中進行洗淨處理而第二批量在前述第二處理槽中進行洗淨之情形中,前述控制部係控制成:將在前述第一批量的洗淨處理的後半階段中從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分,在前述第二批量的洗淨處理的前半階段中通過前述第一循環使用管供給至前述第二處理槽;將在前述第二批量的洗淨處理的後半階段中從前述第二處理槽排出的排出液的至少一部分,在接續前述第一批量在前述第一處理槽中進行處理的第三批量的洗淨處理的前半階段中通過前述第二循環使用管供給至前述第一處理槽。
  5. 如請求項2所記載之基板處理裝置,其中前述第一處理槽係具備: 第一內槽,係能夠收容基板; 第一噴出管,係設置於前述第一內槽的底部,用以朝向上方噴出純水;以及 第一外槽,係供從前述第一內槽的上緣溢出的排出液流入; 前述第一純水供給管係連通地連接於前述第一噴出管以及前述第二循環使用管; 前述第二處理槽係具備: 第二內槽,係能夠收容基板; 第二噴出管,係設置於前述第二內槽的底部,用以朝向上方噴出純水;以及 第二外槽,係供從前述第二內槽的上緣溢出的排出液流入; 前述第二純水供給管係連通地連接於前述第二噴出管以及前述第一循環使用管。
  6. 如請求項3所記載之基板處理裝置,其中前述第一批量的洗淨處理的後半階段為從前述洗淨處理的開始起比電阻值超過0.5MΩ.cm至1MΩ.cm的時間點之後。
  7. 如請求項3所記載之基板處理裝置,其中前述控制部係在前述第二批量的洗淨處理的後半階段中,不將從前述第一處理槽排出的排出液供給至前述第二處理槽,而是從前述第二純水供給管將純水供給至前述第二處理槽。
  8. 如請求項4所記載之基板處理裝置,其中前述控制部係在前述第二批量的洗淨處理的前半階段中,將從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分與在前述第二純水供給管流通的純水混合並供給至前述第二處理槽;在前述第三批量的洗淨處理的前半階段中,將從前述第二處理槽排出的排出液的至少一部分與在前述第一純水供給管流通的純水混合並供給至前述第一處理槽。
  9. 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中前述第一循環使用管係具備緩衝筒槽。
  10. 如請求項2所記載之基板處理裝置,其中前述第二循環使用管係具備緩衝筒槽。
  11. 一種基板處理方法,係用以對基板進行洗淨處理,並在以批量管理屬於洗淨處理的對象的基板之情形中依序實施在能夠收容基板的第一處理槽中針對第一批量開始洗淨處理之步驟以及在開始前述第一批量的洗淨處理之步驟之後在能夠收容基板的第二處理槽中針對第二批量開始洗淨處理之步驟時,將從前述第一處理槽排出的排出液的至少一部分供給至前述第二處理槽。
  12. 如請求項11所記載之基板處理方法,其中在開始前述第二批量的洗淨處理之步驟之後,在實施針對在前述第一處理槽中接續前述第一批量在前述第一處理槽中進行處理的第三批量開始洗淨處理之步驟時,將從前述第二處理槽排出的排出液的至少一部分供給至前述第一處理槽。
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JP2994113B2 (ja) * 1991-10-08 1999-12-27 山形日本電気株式会社 部品洗浄装置
JPH11283947A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2003059891A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2005064312A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5466380B2 (ja) 2008-07-17 2014-04-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2013254821A (ja) * 2012-06-06 2013-12-19 Kurita Water Ind Ltd 基板のエッチング方法及び装置
JP2018022714A (ja) * 2016-08-01 2018-02-08 株式会社Sumco ウェーハの洗浄方法

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