JP3074366B2 - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JP3074366B2
JP3074366B2 JP05056424A JP5642493A JP3074366B2 JP 3074366 B2 JP3074366 B2 JP 3074366B2 JP 05056424 A JP05056424 A JP 05056424A JP 5642493 A JP5642493 A JP 5642493A JP 3074366 B2 JP3074366 B2 JP 3074366B2
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    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を処理液により処理する処理装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、被処理体である半導体ウエハ（以下にウエハとい
う）の表面に付着した被膜やパーティクル等の不純物を
除去するために洗浄処理装置が使用されている。この洗
浄処理装置は、ウエハに対して、例えばアンモニア処
理、水洗処理、フッ酸処理あるいは塩酸処理等の各処理
を順次施してウエハの表面を清浄化するものである。
【０００３】そこで、従来の洗浄処理装置では、アンモ
ニア処理槽、水洗処理槽、フッ酸処理槽等の各処理槽を
配置する複数の処理室を配列し、ウエハを搬送手段にて
載置保持して各処理室内外に搬入・搬出して処理を施し
ている。この場合、各処理室において、処理槽内に収容
された処理液にウエハを浸漬してウエハの表面を洗浄処
理し、順次所定の処理室で処理して最終の洗浄工程後の
ウエハの表面を清浄な状態にしている。
【０００４】ところで、処理槽内に収容される処理液は
その性質の違いにより温度や処理時間等によってその濃
度が変化する。例えばアンモニア処理においては、アン
モニア（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）及び純
水を混合した処理液を例えば６０℃〜８０℃の温度範囲
で使用しているが、このうちアンモニアは、図６に示す
ように、時間の経過と共に濃度が低下する傾向にあり、
このような濃度が低下した状態で処理を行うと、洗浄が
不均一となる。そこで、従来では最適状態で洗浄処理す
るには、例えば１０分後、２０分後に処理槽内の処理液
を全部交換する方法、所定処理回数毎に処理液を全部交
換するか処理液を断続的に一部補充する方法が採られて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように所定時間や所定処理回数後に処理槽内の処理液を
全部交換することは、多くの労力及び時間を要するた
め、処理能力の低下を招くという問題があった。しか
も、処理装置の処理液を全部交換することは、大量の処
理液を排出するため、処理液の無駄が生じるばかりか、
大量の処理液を頻繁に排出することは、処理済みの処理
液の廃棄問題をも惹起する虞れもあった。
【０００６】この問題を解決する方法として、所定時間
あるいは所定処理回数後に処理槽内に新しい処理液を補
充する方法が考えられる。この方法によれば、処理液の
交換時期を延ばすことができるが、この方法においては
新しい処理液の補充のタイミングが難しい上、処理液の
濃度を常に一定に維持することは難しいという問題があ
る。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理液の濃度を常に一定に維持でき、処理精度の向
上及び処理能力の向上を可能にする処理装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の処理装置は、被処理体を浸漬して処
理を施すための所定の成分を含有する処理液を収容する
処理槽と、 上記処理槽に上記処理液を供給する処理液
供給手段と、 上記処理槽から上記処理液の一部を取り
出し再び処理槽に戻す循環管路と、 上記処理液供給手
段から上記処理槽に供給される処理液の供給量を調整す
る流量調整手段と、この流量調整手段を制御する制御部
とからなる供給流量制御機構と、 上記処理槽に接続す
る処理液排出路に設けられると共に、上記制御部により
制御可能な排出流量制御機構と、処理に供される処理液
の汚れを検出する汚れ検出手段と、を具備し、 上記処
理槽内の処理液中の含有成分の濃度に応じて上記供給流
量制御機構を連続的に制御し、上記汚れ検出手段からの
検出信号に基いて上記排出流量制御機構を連続的に制御
すると共に、排出流量制御機構により排出された処理液
の量に応じて供給流量制御機構を制御可能に形成する、
ことを特徴とするものである。
【０００９】この場合、循環管路の途中に設けられるフ
ィルタの上流側から分岐し再び上記循環管路に合流する
バイパス管路を設け、 上記バイパス管路の途中に、汚
れ検出手段を設ける方が好ましい（請求項２）。
【００１０】請求項３記載の処理装置は、被処理体を浸
漬して処理を施すための所定の成分を含有する処理液を
収容する処理槽と、 上記処理槽に上記処理液を供給す
る処理液供給手段と、 上記処理槽から上記処理液の一
部を取り出し再び処理槽に戻す循環管路と、 上記循環
管路の途中に設けられるフィルタと、 上記処理液供給
手段から上記処理槽に供給される処理液の供給量を調整
する流量調整手段と、この流量調整手段を制御する制御
部とからなる供給流量制御機構と、 上記循環管路の上
記フィルタの上流側から分岐し再び上記循環管路に合流
するバイパス管路と、 上記バイパス管路の途中に設け
られて上記処理液中の含有成分の濃度を検出する濃度検
出手段と、を具備することを特徴とするものである。
【００１１】この発明において、上記供給流量制御機構
を処理槽内の処理液中の含有成分の濃度に応じて連続的
に制御可能に形成する方が好ましい（請求項４，５）。
この場合、処理液中の含有成分が予め定められた適当な
値よりも低くなった場合に、制御部が濃度検出手段の検
出信号に基いて上記成分を供給するように流量調整手段
を制御するか（請求項６）、あるいは、予め記憶された
処理液中の成分の所定のデータと、濃度検出手段からの
検出信号に基いて、比較演算された出力信号に従って、
流量調整手段を制御可能に形成する方がよい（請求項
７）。
【００１２】また、処理液供給手段から処理槽に処理液
を供給するには、循環管路を介して処理槽に供給する
か、あるいは、処理液供給管路を介して処理槽の上部に
供給してもよい（請求項８，９）。また、上記バイパス
管路を、循環管路に設けられたポンプの吐出側と吸入側
に接続する方が少流量の処理液を検出できる点で好まし
い（請求項１０）。
【００１３】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段の
処理液供給側に、処理液の供給量を調整する流量調整手
段と、この流量調整手段を制御する制御部とからなる供
給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構を処理槽
内の処理液中の含有成分の濃度に応じて連続的に制御す
ることにより、処理槽内の処理液の濃度を常に一定に維
持することができる。したがって、連続的に被処理体の
処理を行うことができ、処理精度の向上及び処理能力の
向上を図ることができる。
【００１４】また、処理槽内に処理液を供給する処理液
供給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設け、こ
の供給流量制御機構を処理槽内の処理液中の含有成分の
濃度に応じて連続的に制御し、処理槽に接続する処理液
排出路に、上記制御部により制御可能な排出流量制御機
構を設け、この排出流量制御機構を、処理に供される処
理液の汚れを検出する汚れ検出手段からの検出信号に基
いて連続的に制御すると共に、排出流量制御機構により
排出された処理液の量に応じて供給流量制御機構を制御
することにより、処理液の濃度の維持の他に処理液の汚
れに応じて処理液を交換することができる。したがっ
て、処理槽内の処理液を濃度及び汚れの２点を監視して
常に最適状態で処理に供することができる。
【００１５】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置をウ
エハの洗浄処理装置に適用した場合を示す。
【００１６】図１はこの発明における処理液供給手段と
供給流量制御機構を具備する処理装置の一例を示す概略
断面図である。上記処理装置は、被処理体であるウエハ
Ｗを浸漬処理する処理液Ｌを収容する処理槽１と、この
処理槽１に処理液Ｌを循環供給する循環系２と、処理槽
１に新しい処理液Ｌを供給する処理液供給手段３とで主
要部が構成されている。
【００１７】上記処理槽１は、図示しないウエハ保持ア
ームによってウエハＷを収容する処理槽本体１ａの底部
に処理液供給口４ａと処理液排出口４ｃを設け、処理槽
本体１ａの上部外周にオーバーフロー槽１ｂを設けると
共に、オーバーフロー槽１ｂの底部の適宜箇所に処理液
回収口４ｂを設けてなる。なお、処理槽本体１ａの下部
には処理液Ｌを均一にウエハＷに当るようにするための
整流板５が配設されている。
【００１８】循環系２は、処理槽１の処理液供給口４ａ
と処理液回収口４ｂに接続する循環管路６のオーバーフ
ロー回収側から順に処理液循環ポンプ７、ダンパー８、
熱交換器９及びフィルタ１０を介設してなる。そして、
処理槽１の上部からオーバーフロー槽１ｂにオーバーフ
ローした処理液Ｌを循環管路６及び処理液循環ポンプ７
によって循環しつつ循環管路６に介設された熱交換器９
で温度制御し、処理液循環ポンプ７による脈動をダンパ
ー８にて軽減した後、フィルタ１０でパーティクルを除
去して処理槽１内に戻し、温調及び清浄化した処理液Ｌ
でウエハＷの洗浄処理を行うように構成されている。
【００１９】上記処理液供給手段３は、新しい処理液
（薬液）、例えばアンモニア水、過酸化水素水及び純水
をそれぞれ収容する処理液供給槽１１ａ，１１ｂ，１１
ｃと、各処理液供給槽１１ａ〜１１ｃと上記循環管路６
とを接続する処理液供給管路１２と、処理液供給管路１
２に介設される処理液供給ポンプ１３とで構成されてい
る。そして、このように構成される処理液供給手段３の
各処理液供給管路１２にそれぞれ流量調整手段、例えば
供給流量制御弁１４ａ，１４ｂ，１４ｃが介設されてい
る。これら供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃは、予め実験
等によって検出された処理液Ｌ中の含有成分の濃度変化
のデータを記憶した制御部１５（例えば中央演算処理装
置：ＣＰＵ）によって操作されるようになっている。こ
れら供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃと制御部１５とで供
給流量制御機構が形成される。
【００２０】上記のように構成される処理装置におい
て、図示しないウエハ搬送アームにより搬送されたウエ
ハＷがウエハ保持アームによって処理槽１内に搬入さ
れ、処理槽１内に循環供給される処理液Ｌに所定時間浸
漬されて洗浄処理が行われる。この洗浄処理中に処理液
Ｌの濃度が低下するので、予め処理液Ｌ中の含有成分の
濃度の低下のデータを記憶したＣＰＵ１５からの信号に
よって濃度が低下した新しい処理液（薬液）の供給流量
制御弁例えばアンモニアの供給流量制御弁１４ａが操作
されて成分の濃度が低下した量の新しい処理液（アンモ
ニア）が補充される。したがって、処理槽１内の処理液
Ｌは常時濃度が一定に維持され、ウエハＷを最適状態で
洗浄処理することができる。
【００２１】なお、上記説明では濃度が低下した量の新
しい処理液を循環管路６を介して処理槽１内に補充する
場合について述べたが、必ずしもこのような構造とする
必要はなく、別の構造としてもよい。すなわち、図２に
示すように、処理液供給手段３の各処理液供給管路１２
を処理槽１のオーバーフロー槽１ｂの上方へ配管して、
新しい処理液（薬液）をオーバーフロー槽１ｂに供給す
る方式であってもよい。
【００２２】図３はこの発明における処理液供給手段と
濃度検出手段を具備する処理装置の別の例を示す概略断
面図である。図３に示す処理装置は、処理槽１内の処理
液Ｌ中の含有成分の濃度を検出しつつ処理液Ｌの濃度を
一定に維持できるようにした場合である。すなわち、処
理槽１の処理液供給口４ａと処理液回収口４ｂに接続す
る循環管路６の一部、例えば処理液循環ポンプ７の吐出
側と吸入側とを接続する、つまり循環管路６のフィルタ
１０の上流側から再び循環路６に合流するバイパス管路
１６に濃度検出手段である濃度検出用分光器１７を介設
すると共に、この濃度検出用分光器１７によって検出さ
れた濃度信号をＣＰＵ１５に伝達し、ＣＰＵ１５からの
出力信号によって各供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃを操
作するようにした場合である。この場合、濃度検出用分
光器１７による処理液濃度の測定は、バイパス管路１６
内を流れる処理液の近赤外線透過スペクトルが処理液を
構成している成分例えばアンモニア水、過酸化水素水の
濃度によって変化するという原理に基くものである。
【００２３】図３に示す処理装置において、ウエハＷを
処理槽１内の処理液Ｌに浸漬してウエハＷを洗浄処理を
行つている間に、循環管路６を介してバイパス管路１６
に流れるサンプリング用の処理液の濃度が濃度検出用分
光器１７によって検出される。そして、この濃度検出用
分光器１７により検出された濃度信号がＣＰＵ１５に送
られ、ＣＰＵ１５にて所定の情報（具体的には処理液中
の含有成分の濃度の基準値）と比較演算された出力信号
に基いて供給流量制御弁１４ａ〜１４ｃが操作され、濃
度の低下した処理液成分の新しい処理液が処理液供給槽
１１ａ〜１１ｃから処理液供給管路１２を介して循環管
路６に流れ、処理槽１内に補充される。したがって、処
理槽１内の処理液Ｌの濃度は常時一定に維持され、最適
状態でウエハＷの洗浄処理を行うことができる。
【００２４】なお、図３に示す処理装置において、その
他の部分は図１に示す処理装置と同じであるので、同一
部分には同一符号を付してその説明は省略する。
【００２５】図４はこの発明における処理液供給手段、
濃度検出手段及び汚れ検出手段を具備する処理装置の一
例を示す概略断面図である。図４に示す処理装置は、処
理液の濃度の維持の他に処理液の汚れを検出して処理液
の排出を制御するようにした場合である。
【００２６】すなわち、図４に示す処理装置は、処理槽
１の処理槽本体１ａの底部に処理液供給口４ａとは別に
処理液排出口４ｃを設け、この処理液排出口４ｃに接続
される処理液排出管路１８に排出流量制御機構を構成す
る、例えば排出流量制御弁１９を介設し、また、循環管
路６の処理液循環ポンプ７の吐出側と吸入側とに第２の
バイパス管路１６ａを接続すると共に、この第２のバイ
パス管路１６ａに処理液の汚れ検出手段である汚れ検出
用分光器１７ａを介設してなる。したがって、汚れ検出
用分光器１７ａは、循環管路６におけるフィルタ１０の
上流側と下流側に分岐される第２のバイパス管路１６ａ
に介設される。そして、汚れ検出用分光器１７ａによっ
て検出された汚れ信号をＣＰＵ１５に伝達し、ＣＰＵ１
５からの出力信号によって排出流量制御弁１９を操作す
るようにした構造となっている。また、汚れ信号を受け
たＣＰＵ１５からの信号は供給流量制御弁１４ａ〜１４
ｃにも伝達されるようになっている。なお、上記汚れ検
出用分光器１７ａは上記濃度検出用分光器１７と同様の
原理によって処理液中の汚れすなわちパーティクルの量
を検出することができる。また、図４に示す処理装置に
おいて、その他の部分は図３に示す処理装置と同じであ
るので、同一部分には同一符号を付してその説明は省略
する。
【００２７】上記のように構成される処理装置におい
て、循環管路６を介して第２のバイパス管路１６ａに流
れるサンプリング用の処理液の汚れが汚れ検出用分光器
１７ａによって検出される。そして、この汚れ検出用分
光器１７ａにより検出された汚れ信号がＣＰＵ１５に送
られ、ＣＰＵ１５にて所定の情報と比較演算された出力
信号に基いて排出流量制御弁１９が操作され、汚れの度
合いに応じて処理槽１内の処理液Ｌが処理液排出管路１
８を介して外部に排出される。この場合、排出される処
理液の量が判るので、その排出量に相当する量の処理液
は、ＣＰＵ１５からの出力信号に基いて供給流量制御弁
１４ａ〜１４ｃを操作することによって補充することが
できる。
【００２８】なお、上記説明では処理液排出口４ｃに接
続する処理液排出管路１８に排出流量制御機構である排
出流量制御弁１９を設けた場合について説明したが、必
ずしも排出流量制御弁１９を処理液排出管路１８に設け
る必要はなく、例えば図４に想像線で示すように、オー
バーフロー槽１ｂの処理液回収口４ｂに接続する処理液
排出管路１８ａに排出流量制御弁１９を設けてもよい。
このように形成することにより、処理槽１内の処理液中
のパーティクル等がオーバーフロー槽１ｂに浮き上がる
ので、パーティクル等をオーバーフロー槽１ｂから有効
に排出することができる。
【００２９】上記のように構成される処理装置は具体的
には、洗浄処理装置に組込まれて使用される。この洗浄
処理装置は、例えば図５に示すように、３つの洗浄処理
ユニット２１，２２，２３にて構成されており、搬入側
の洗浄処理ユニット２１にはローダ２４が接続され、搬
出側の洗浄処理ユニット２３にはアンローダ２５が接続
されており、更に洗浄処理ユニット２１，２２間及び洗
浄処理ユニット２２，２３間に、３ユニットのいずれか
に含まれている処理室の一部を構成する水中ローダ２６
が配設されている。
【００３０】搬入側の洗浄処理ユニット２１は、中心位
置に搬送アーム３５を配設する容器３６が位置し、その
周囲で容器３６の左隣及びローダ２４の正面にそれぞれ
アンモニア処理室２７及び水洗処理室２８が配設されて
いる。中央の洗浄処理ユニット２２は、中心位置に搬送
アーム３５を配設する容器３６が位置し、その周囲の左
右両側に水中ローダ２６を配設し、その間の前後位置に
フッ酸処理室２９、水洗オーバーフロー処理室３０を配
設してなる。また、搬出側の洗浄処理ユニット２３は、
中心位置に搬送アーム３５を配設した容器３６が位置
し、この容器３６の周囲でアンローダ２５の正面側には
水洗ファイナルリンス処理室３１を配設し、容器３６の
右隣に乾燥処理室３２を配設してなる。
【００３１】上記のように構成される洗浄処理装置にお
いて、ローダ２４に２５枚ずつウエハＷが載置されたキ
ャリア３３が２つ搬送されてくると、オリフラ合せ機構
３４が動作して、キャリア３３内のウエハＷを整列させ
る。次いで、突き上げ棒（図示せず）が上方に作動し
て、キャリア３３をそのままに、ウエハＷのみを上方に
取り出した後、突き上げ棒が互いに寄合って５０枚のウ
エハＷを等間隔で位置させる。次に、搬送アーム３５が
作動して水平回転し、かつローダ２４方向に伸びて先端
のフォーク３７を突き上げ棒の下側に位置させる。そし
て、突き上げ棒が下降し、フォーク３７上にウエハＷが
載置位置決めされる。次いで、フォーク３７上にウエハ
Ｗが載置された状態で、搬送アーム３５が水平回転し、
かつ伸縮してアンモニア処理室２７の開口部からウエハ
Ｗをアンモニア処理室２７の処理槽１内の処理液に浸漬
して洗浄処理する。この洗浄処理中において、上述した
ように処理液の濃度が一定に維持される。
【００３２】アンモニア処理室２７内での洗浄が終了し
た後、ウエハＷは次の水洗処理室２８内へ搬入されて水
洗処理される。そして、洗浄が終了したウエハＷは搬入
側の洗浄処理ユニット２１と中央の洗浄処理ユニット２
２との間の水中ローダ２６によって中央の洗浄処理ユニ
ット２２に搬送され、中央の洗浄処理ユニット２２の容
器３６内に配設された搬送アーム３５によって上述と同
様に搬送される。そして、ウエハＷは、順次フッ酸処理
室２９内での洗浄処理、オーバーフロー処理室３０内で
の水洗オーバーフロー処理が行われる。上記フッ酸処理
室２９内の洗浄処理においても上述と同様に処理液の濃
度が一定に維持される。
【００３３】中央の洗浄処理ユニット２２での洗浄処理
が行われたウエハＷは、中央の洗浄処理ユニット２２と
搬出側の洗浄処理ユニット２３との間の水中ローダ２６
にて搬出側の洗浄処理ユニット２３に搬送される。そし
て、搬出側の洗浄処理ユニット２３の搬送アーム３５に
よって上述と同様に搬送されて、ファイナルリンスが行
われた後、乾燥処理が行われる。このようにして、搬出
側の洗浄処理ユニット２３にて洗浄処理されたウエハＷ
はアンローダ２５に搬送され、このアンローダ２５にて
ウエハＷの２５枚ずつの分割、オリフラ合せが行われ、
そして、２つのキャリアに載置されて搬出される。
【００３４】なお、上記実施例の洗浄処理装置では、３
つの洗浄処理ユニット２１，２２及び２３を有するタイ
プの場合について説明したが、このタイプの洗浄処理装
置の他に複数の洗浄処理室を直線状に配置したタイプの
洗浄処理装置においてもこの発明の処理装置を適用する
ことができる。
【００３５】また、上記実施例ではこの発明の処理装置
がウエハＷの洗浄処理装置について説明したが、必ずし
もウエハＷの洗浄処理装置に限定するものではなく、そ
の他の例えばＬＣＤガラス基板等の洗浄処理装置や洗浄
以外の処理液を用いて処理する処理装置にも適用できる
ことは勿論である。
【００３６】また、上記実施例では、供給流量制御機構
について、供給流量制御弁を用いて説明したが、必ずし
もこれに限られるものではなく、マスフローコントロー
ラ等の流量を制御できるものであればよいし、マスフロ
ーコントローラに制御用ＣＰＵを搭載した方式であって
もよいことは、いうまでもないことである。
【００３７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置は上記のように構成されているので、以下のような
効果が得られる。
【００３８】１）処理槽内に処理液を供給する処理液供
給手段の処理液供給側に、処理液の供給量を調整する流
量調整手段と、この流量調整手段を制御する制御部とか
らなる供給流量制御機構を設け、この供給流量制御機構
を処理槽内の処理液中の含有成分の濃度に応じて連続的
に制御することにより、処理槽内の処理液の濃度を常に
一定にして被処理体の処理を行うことができる。したが
って、処理精度を高めることができると共に、処理能力
の向上を図ることができる。
【００３９】２）処理槽内に処理液を供給する処理液供
給手段の処理液供給側に供給流量制御機構を設け、この
供給流量制御機構を処理槽内の処理液中の含有成分の濃
度に応じて連続的に制御し、処理槽に接続する処理液排
出路に、上記制御部により制御可能な排出流量制御機構
を設け、この排出流量制御機構を、処理に供される処理
液の汚れを検出する汚れ検出手段からの検出信号に基い
て連続的に制御すると共に、排出流量制御機構により排
出された処理液の量に応じて供給流量制御機構を制御す
ることにより、処理液の濃度の維持の他に処理液の汚れ
に応じて処理液を交換（排出及び補充）することができ
る。したがって、処理槽内の処理液を濃度及び汚れの２
点を監視して常に最適状態で処理に供することができ、
上記１）に加えて処理液の有効利用を図ることができ
る。
【００４０】３）処理に供される処理液の濃度を濃度検
出手段にて検出し、その検出信号に基いて供給流量制御
機構を連続的に制御することにより、処理液の濃度を更
に正確に検出することができ、処理液の濃度を更に確実
に一定に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明における処理液供給手段と供給流量制
御機構を具備する処理装置の一例を示す概略断面図であ
る。
【図２】上記処理装置の別の構造を示す概略断面図であ
る。
【図３】上記処理装置の別の例を示す概略断面図であ
る。
【図４】この発明における処理液供給手段、濃度検出手
段及び汚れ検出手段を具備する処理装置の一例を示す概
略断面図である。
【図５】この発明の処理装置を有する洗浄処理装置の全
体を示す断面図である。
【図６】処理液として使用されるアンモニアと過酸化水
素の温度、濃度及び時間の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｌ 処理液 １ 処理槽 ２ 循環系 ３ 処理液供給手段 ６ 時間管路 ７ ポンプ １０ フィルタ １１ａ〜１１ｃ 処理液供給槽 １２ 処理液供給管路 １４ａ〜１４ｃ 供給流量制御弁（供給流量制御機構） １５ ＣＰＵ（制御部）（供給流量制御機構） １６ バイパス管路 １６ａ 第２のバイパス管路 １７ 濃度検出用分光器（濃度検出手段） １７ａ 汚れ検出用分光器（汚れ検出手段） １８，１８ａ 処理液排出管路 １９ 排出流量制御弁（排出流量制御機構）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を浸漬して処理を施すための所
    定の成分を含有する処理液を収容する処理槽と、 上記処理槽に上記処理液を供給する処理液供給手段と、 上記処理槽から上記処理液の一部を取り出し再び処理槽
    に戻す循環管路と、 上記処理液供給手段から上記処理槽に供給される処理液
    の供給量を調整する流量調整手段と、この流量調整手段
    を制御する制御部とからなる供給流量制御機構と、 上記処理槽に接続する処理液排出路に設けられると共
    に、上記制御部により制御可能な排出流量制御機構と、処理に供される処理液の汚れを検出する汚れ検出手段
    と、 を具備し、 上記処理槽内の処理液中の含有成分の濃度に応じて上記
    供給流量制御機構を連続的に制御し、上記汚れ検出手段
    からの検出信号に基いて上記排出流量制御機構を連続的
    に制御すると共に、排出流量制御機構により排出された
    処理液の量に応じて供給流量制御機構を制御可能に形成
    する、ことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 循環管路の途中に設けられるフィルタの
    上流側から分岐し再び上記循環管路に合流するバイパス
    管路を設け、 上記バイパス管路の途中に、汚れ検出手段を設ける、こ
    とを特徴とする請求項１記載の処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理体を浸漬して処理を施すための所
    定の成分を含有する処理液を収容する処理槽と、 上記処理槽に上記処理液を供給する処理液供給手段と、 上記処理槽から上記処理液の一部を取り出し再び処理槽
    に戻す循環管路と、 上記循環管路の途中に設けられるフィルタと、 上記処理液供給手段から上記処理槽に供給される処理液
    の供給量を調整する流量調整手段と、この流量調整手段
    を制御する制御部とからなる供給流量制御機構と、 上記循環管路の上記フィルタの上流側から分岐し再び上
    記循環管路に合流するバイパス管路と、 上記バイパス管路の途中に設けられて上記処理液中の含
    有成分の濃度を検出する濃度検出手段と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項４】 処理に供される処理液中の含有成分の濃
    度を濃度検出手段にて検出し、その検出信号に基いて供
    給流量制御機構を連続的に制御可能に形成することを特
    徴とする請求項１又は３記載の処理装置。
  5. 【請求項５】 供給流量制御機構の制御部が、濃度検出
    手段で検出された検出信号に基いて流量調整手段を連続
    的に制御し、処理液中の含有成分の濃度の変化に応じた
    含有成分の濃度の変化に対応した含有成分の濃度を所定
    値に維持可能に形成される、ことを特徴とする請求項３
    記載の処理装置。
  6. 【請求項６】 処理液中の含有成分の濃度が予め定めら
    れた処理に適当な値よりも低くなった場合には、制御部
    が濃度検出手段の検出信号に基いて上記成分を供給する
    ように流量調整手段を制御可能に形成する、ことを特徴
    とする請求項１又は３記載の処理装置。
  7. 【請求項７】 供給流量制御機構の制御部が、予め記憶
    された処理液中の含有成分の所定のデータと、濃度検出
    手段からの検出信号に基いて、比較演算された出力信号
    に従って、上記処理液中の含有成分の供給量を決定可能
    に形成する、ことを特徴とする請求項１又は３記載の処
    理装置。
  8. 【請求項８】 処理液供給手段から循環管路を介して処
    理槽に処理液を供給することを特徴とする請求項１又は
    ３記載の処理装置。
  9. 【請求項９】 処理液供給手段から処理液供給管路を介
    して処理槽の上部に処理液を供給することを特徴とする
    請求項１又は３記載の処理装置。
  10. 【請求項１０】 バイパス管路が、循環管路に設けられ
    たポンプの吐出側と吸入側に接続されてなる、ことを特
    徴とする請求項２又は３記載の処理装置。
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