JPH06204201A

JPH06204201A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH06204201A
Application number: JP21512893A
Authority: JP
Inventors: Yusuke Muraoka; 祐介村岡
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1992-09-25
Filing date: 1993-08-06
Publication date: 1994-07-22
Anticipated expiration: 2013-04-15
Also published as: JP2739419B2

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体基板などの表面処理を行う基板処理装
置のスループットを向上し、装置全体の設置スペースを
小さくする。【構成】オーバーフロー型の基板処理槽１を複数個並
設し、処理液貯留容器６から導出した処理液導入管１０
を分岐し、その分岐先端部を処理液導入弁８を介して各
基板洗浄槽の処理液供給管７に夫々接続する。【効果】複数個の基板処理槽１で多数の基板を並行処
理するので、スループットが向上する。貯留容器６は複
数個の基板処理槽１に対して各処理液毎に１セット設け
れば良いので、処理装置全体を省スペース化できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体基板や液
晶用ガラス基板等の薄板状の被処理基板（以下単に基板
と称する）を表面処理するのに用いられる浸漬型の基板
処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置としては、従来よ
り例えば特開平４−４２５３１号公報に開示されたもの
が知られている。この従来技術は、図１１に示すよう
に、単一の基板処理槽１０１内に複数種の処理液１０２
を順次供給して基板Ｗの表面処理を行うようにしたもの
である。

【０００３】即ち、処理液１０２中に複数の基板Ｗを浸
漬して基板Ｗの表面処理をなすオーバーフロー型の基板
処理槽１０１と、基板処理槽１０１の下部より複数種の
処理液１０２を供給する処理液供給部１４０とを具備し
て成り、上記処理液供給部１４０は、基板処理槽１０１
の下部に連結した処理液供給管１０３と、処理液供給管
１０３にそれぞれ処理液導入弁１０８_A〜１０８_C及び流
量調節器１０７_A〜１０７_Cを介して連通した複数個の処
理液貯留容器１０６_A〜１０６_Cと、純水導入弁１０８_D
及び流量調節器１０７_Dを介して連通した純水供給源１
０６_Dを備え、各導入弁１０８_A〜１０８_Dを選択的に開
閉制御して所定の処理液１０２を基板処理槽１０１へ供
給するように構成されている。

【０００４】上記処理液貯留容器１０６_A〜１０６_Cの
中、例えば処理液貯留容器１０６_Aには過酸化水素Ｑ_A、
１０６_Bには塩酸Ｑ_B、１０６_Cにはフッ化水素のような
エッチング剤Ｑ_Cなどが貯溜されている。そして、基板
処理槽１０１はこれら複数種の表面処理毎に処理液１０
２の置換が可能なオーバーフロー型の処理槽として構成
され、オーバーフローした処理液はドレン(図示省略)へ
排出される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、基
板処理槽１０１が一つであるため、処理能力（スループ
ット）が低下する。そこで、スループットを向上させる
ために、この種の基板処理装置（いわゆる基板処理ユニ
ット）を単に複数台併設することも考えられるが、これ
に合わせると複数セットの処理液貯溜容器１０６_A〜１
０６_Cが必要になり、全体として設置スペースが大きく
なる。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもの
で、スループットを向上させ、処理装置全体の設置スペ
ースを小さくすることを技術的課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は前記従来技術を以下のように改良した。即
ち、本発明は、処理液中に基板を浸漬して基板の表面処
理をなすオーバーフロー型の基板処理槽と、基板処理槽
の下部より複数種の処理液を供給する処理液供給部と、
基板処理槽よりオーバーフローした処理液を排出する処
理液排出部とを具備して成り、上記処理液供給部は、基
板処理槽の下部に連結した処理液供給管と、処理液供給
管にそれぞれ処理液導入弁を介して連通した複数個の処
理液貯留容器とを備え、各処理液導入弁を選択的に開閉
制御して所定の処理液を処理液供給管へ導入するように
構成した基板処理装置において、上記基板処理槽を複数
個並設し、各基板処理槽の下部の処理液供給管にそれぞ
れ処理液導入弁を接続し、上記処理液貯留容器から導出
した処理液導入管を分岐し、各分岐した処理液導入管を
それぞれ前記処理液導入弁を介して各基板処理槽の下部
の処理液供給管に接続し、各基板処理槽へ複数種の処理
液を供給するように構成したことを特徴とする基板処理
装置である。上記基板処理槽は、基板を一括処理するも
の、間欠的に逐次処理するものの両方を含む。

【０００７】

【作用】各基板処理槽の下部には、各処理液貯留容器
から分岐導出した処理液導入管が処理液導入弁を介して
接続されており、複数種の処理液が各基板処理槽へ順次
供給される。つまり、処理液貯留容器は並設した複数個
の基板処理槽に対して各処理液毎に１つ設ければよく、
複数の基板処理槽毎に複数個設ける必要はない。また、
本発明では、並設した複数個の基板処理槽により、多数
の基板の表面処理が並行して行われる。これによりスル
ープットが向上する。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて述べ
る。図１は実施例１を示す浸漬型基板洗浄装置の洗浄処
理部の概略系統図、図２は導入弁連結管周辺の一部切欠
概略背面図、図３は図２の薬液導入弁のＩ−Ｉ線縦断面
図、図４はＮ₂ガスによる洗浄液圧送形態を示す貯留容
器周辺の要部系統図である。また、図８は浸漬型基板洗
浄装置の概略斜視図、図９は同洗浄装置の概略平面図、
図１０は同洗浄装置の概略縦断面図である。本基板洗浄
装置５０は、洗浄液供給部の余分な重複配置をやめて、
基板洗浄槽１を複数個設け、各基板洗浄槽１・１…内で
複数種の一連の表面処理を成し、装置全体をコンパクト
化したものである。

【０００９】即ち、図８〜図１０に示すように、上記基
板洗浄装置５０は、基板収容カセットＣの搬入搬出部５
１と、カセットＣから基板Ｗを取り出し又はカセットＣ
内へ基板Ｗを装填する基板移載部６０と、カセットＣの
搬入搬出部５１と基板移載部６０との間でカセットＣを
移載するカセット移載ロボット５５と、複数の基板を一
括して洗浄する浸漬型基板洗浄処理部６５と、基板Ｗの
液切り基板乾燥部７０と、基板移載部６０でカセットＣ
から取り出した複数の基板Ｗを一括保持して上記洗浄処
理部６５及び基板乾燥部７０に搬送する基板搬送ロボッ
ト７５とから構成される。

【００１０】上記カセット移載ロボット５５は、図８に
示すように、昇降及び回転自在で、矢印Ａ方向に移動可
能に構成され、搬入搬出部５１に搬入されてきたカセッ
トＣを基板移載部６０のテーブル６１上に移載し、ま
た、洗浄済み基板を収容したカセットＣを当該テーブル
６１から搬入搬出部５１へ移載するように構成される。
上記基板搬送ロボット７５は、図８〜図１０に示すよう
に、矢印Ｂ方向に移動可能に設けられ、上記基板移載部
６０のリフター６４から受け取った複数の基板Ｗを基板
搬送ロボット７５の基板挟持アーム７６で保持し、移動
部７７に沿って洗浄処理部６５内及び基板乾燥部７０内
へ順次搬送するように構成される。

【００１１】上記浸漬型の洗浄処理部６５は、図８〜図
１０に示すように、オーバーフロー型の基板洗浄槽１を
３個並設して成り、各基板洗浄槽１に昇降可能に設けた
基板保持具６６により、前記基板搬送ロボット７５から
受け取った複数の基板Ｗを当該基板洗浄槽１内に浸漬可
能に構成される。

【００１２】上記基板乾燥部７０は、例えば本出願人の
提案に係る特開平１−２５５２２７号公報に開示したよ
うに、基板Ｗの主平面の中心近傍を回転中心として、回
転遠心力で液切り乾燥する乾燥処理槽７１で構成され
る。尚、この基板乾燥部７０は、当該遠心式のものに替
えて、有機溶剤等を使用した乾燥方式、又はこれに加え
て加熱蒸気や減圧による乾燥方式により乾燥を促進する
ようにしても差し支えない。

【００１３】上記基板洗浄装置５０のレイアウトとして
は、図８〜図１０に示すように、クリーンルーム作業域
３０に臨む前方から保全用作業域３１に臨む後方に向か
って前記カセットＣの搬入搬出部５１、基板移載部６
０、基板乾燥部７０及び洗浄処理部６５を順番に配置す
る。また、図８及び図１０に示すように、上記洗浄処理
部６５の３つの基板洗浄槽１の下部に洗浄液の給排用配
管室２０を、また、この給排用配管室２０の下部に洗浄
用処理液貯留容器６を上下３段に配置する。さらに、図
８及び図９に示すように、上記基板移載部６０・基板乾
燥部７０・洗浄処理部６５の右側に基板搬送ロボット７
５の移動部７７を前後方向に形成し、これらの左側の空
間で、前記基板移載部６０よりも後方の空間をメンテナ
ンス・スペース９０として形成する。尚、メンテナンス・
スペース９０の床部には複数の配管、バルブ等が敷設さ
れる。

【００１４】即ち、本基板洗浄装置５０では、洗浄処理
部６５の基板洗浄槽１と、給排用配管室２０と、洗浄用
処理液貯留容器６とを上下３段に積み上げる(即ち、縦方
向にレイアウトする)ので、これらの積み上げ部の左側
に臨んだエリアにメンテナンス・スペース９０を確保で
きる。換言すると、図９に示すように、洗浄処理部６５
や基板移載部６０などの各種作業ブロックを平面視でＬ
字状にまとめることにより、基板洗浄装置５０内の余剰
空間をメンテナンス・スぺース９０に設定できる。ま
た、主に洗浄処理部６５を縦向きに積み上げることによ
り、基板洗浄装置５０の全体をコンパクトにまとめてク
リーンルーム全体の省スペース化を効率良く図れるう
え、当該装置の設置数が増えるほど、クリーンルームに
おけるスペースの有効利用率を一層高められる。

【００１５】また、当該洗浄処理部６５の基板洗浄槽１
及び基板乾燥部７０のレイアウトでは、図８〜図１０に
示すように、保全用作業域３１に臨む奥側からクリーン
ルーム作業域３０に臨む前側に向かって、３つのオーバ
ーフロー型の基板洗浄槽１と、乾燥処理部７０と前記基
板移載部６０とが順番に配列する。

【００１６】即ち、上記基板乾燥部７０は洗浄処理部６
５と基板移載部６０の間に配置されるので、洗浄処理さ
れた基板Ｗを可能な限り速く乾燥させ、カセットＣに戻
して搬入搬出部５１から効率良く搬出できる。その反
面、この基板乾燥工程はカセットＣへの戻しに対する時
間的制約を強くは受けず、乾燥処理の完了から基板移載
部６０への戻しの間に待機時間を取れるので、作業工程
の面で隣接状の基板移載部６０に対して乾燥処理部７０
にバッファ的な役割を担わせることができる。

【００１７】また、通常、酸洗浄処理には昇温した酸を
使用するので、酸の蒸気やミストが発生し易いが、例え
ば、クリーンルーム作業域３０から最も遠い奥側の基板
洗浄槽１でこの酸洗浄処理を実施する場合には、クリー
ンルーム作業域３０への悪影響を防止して作業の安全性
を確保できる。

【００１８】上記オーバーフロー型の洗浄処理部６５
は、図１(Ａ)に示すように、洗浄液中に複数の基板Ｗを
一括して浸漬して基板Ｗの表面洗浄を成す３つの基板洗
浄槽１と、各基板洗浄槽１の下部より複数種の洗浄液を
供給する洗浄液供給部４と、各基板洗浄槽１よりオーバ
ーフローした洗浄液を排出する洗浄液排出部４０とを具
備して成る。

【００１９】上記基板洗浄槽１は、図１(Ａ)に示すよう
に、石英ガラス製で側面視略Ｖ字状・平面視略矩形状に
形成され、その下部に洗浄液供給管７を連結して成り、
基板洗浄槽１内に洗浄液の均一な上昇流を形成して基板
Ｗを表面処理するとともに、洗浄液を複数種の洗浄処理
毎に、迅速に置換し得るオーバーフロー槽として構成さ
れる。

【００２０】当該基板洗浄槽１は石英ガラス製に限ら
ず、例えば、石英ガラスを腐食させてしまうＨＦ等を洗
浄液に用いる場合には、耐食性を有する四フッ化エチレ
ン樹脂等の樹脂製材料で形成したものでも良い。但し、
洗浄処理部６５は４つ以上のオーバーフロー型基板洗浄
槽１を並設しても差し支えない。

【００２１】前記洗浄液排出部４０は、図１(Ａ)に示す
ように、上記基板洗浄槽１の上側部に付設したオーバー
フロー液回収部４１と、オーバーフローした洗浄液を排
液管４２を介して廃棄する排液ドレン４３とから構成さ
れる。

【００２２】上記洗浄液供給部４は、図１(Ａ)に示すよ
うに、基板洗浄槽１の下部に連結した洗浄液供給管７
と、当該洗浄液供給管７に夫々洗浄液導入弁８を介して
連結した複数の洗浄液貯留容器６とを具備して成り、各
洗浄液導入弁８を選択的に開閉制御して所定の洗浄液を
圧送手段２５により洗浄液供給管７へ導入可能に構成さ
れる。各洗浄液供給管７には給排液切換弁１３とスタテ
ィックミキサー１４と導入弁連結管１６が流通上手側に
順次設けられ、導入弁連結管１６に複数個の上記洗浄液
導入弁８を連結する（即ち、各基板洗浄槽１の下部の洗
浄液供給管７にそれぞれ洗浄液導入弁８を接続する）と
ともに、開閉弁２７を介して純水供給管３を連結して、
基板洗浄槽１に当該連結管１６を経て純水Ｄ_Wを供給可
能に構成する。

【００２３】図１(Ａ)に示すように、上記洗浄液貯留容
器６から導出した洗浄液導入管１０の下流側を分岐し、
各分岐した洗浄液導入管１０をそれぞれ前記洗浄液導入
弁８を介して各基板洗浄槽１の下部の洗浄液供給管７に
接続し、１セットの貯留容器６の各種の洗浄液を３個の
基板洗浄槽１に夫々分岐供給可能に構成する。即ち、後
述する圧送ポンプ１５の吐出側を３本の洗浄液供給管７
_Aに分岐し、分岐した各洗浄液供給管７_A・７_A・７_Aの下流
部を夫々前記洗浄液導入弁８_Aを介して上記３個の基板
洗浄槽１・１・１に接続し、各基板洗浄槽１に複数種の洗
浄液を供給するように構成するのである。尚、図１(Ａ)
では、洗浄液導入弁８_Aより導入される一種類の洗浄液
Ｑ_Aの送給について説明したが、他の種類の洗浄液Ｑ_B、
Ｑ_C、Ｑ_D、Ｑ_Eの送給についても同様に構成される。

【００２４】上記純水供給管３は常温の又は所定温度に
加熱した純水Ｄ_Wを供給する純水の主要通路と成るが、
純水Ｄ_Wは基板の表面酸化を防ぐうえで、脱酸素処理を
施したものを用いるのが好ましい。上記給排液切換弁１
３は常時純水Ｄ_Wや洗浄液を基板洗浄槽１へ供給し、必
要に応じて基板洗浄槽１内の洗浄液を排液管４２を介し
て排液ドレン４３の側へ排出するものである。

【００２５】本実施例１では、図１(Ａ)に示すように、各基板洗浄槽１の下部には、各洗浄液貯留容器６から
分岐導出した洗浄液導入管１０が洗浄液導入弁８を介し
て接続されており、複数種の洗浄液Ｑ_A〜Ｑ_Eが各貯留容
器６から各基板洗浄槽１へ順次供給される。オーバーフローした洗浄液Ｑ_A〜Ｑ_Eは、排液管４２か
ら排液ドレン４３に排出される。この結果、基板洗浄槽１内で複数種の洗浄処理を行うに
は、３個の基板洗浄槽１・１・１に対して複数種の洗浄液
貯溜容器６を１セット配置すれば足り、複数セットを重
複配置する必要はなくなる。また、並設した３個の基板
洗浄槽１により、多数の基板表面を並行処理できるの
で、スループットが向上する。

【００２６】しかも、上記オーバーフロー型の洗浄処理
部６５では、一般的に、洗浄液を基板洗浄槽１の上部か
らオーバーフローさせるので、基板洗浄槽１内の洗浄液
を全部排出せずとも複数種の洗浄処理毎に洗浄液の置換
が可能であり、一連の洗浄処理が完了するまで基板Ｗは
空気に触れない。このため、基板表面に酸化皮膜が形成
されたり、空気中の不純物が付着したりする虞れはな
い。また、基板洗浄槽１内の洗浄液を全部排出せずとも
基板Ｗの装填や取り出しができる。

【００２７】一方、前記スタティックミキサー１４は、
図２に示すように、ミキサー管路１４ａ内に孔あきねじ
り板１４ｂを固定し、純水Ｄ_Wと洗浄液Ｑ_A〜Ｑ_Eとを均
一に混合するように構成される。尚、このスタティック
ミキサーに代えて他の混合器を用いても良く、管路が充
分に長ければかかる混合器を省くことも出来る。前記導
入弁連結管１６は、図１及び図２に示すように、洗浄液
供給部４の複数の洗浄液導入弁８_A〜８_Eを連結したもの
であり、詳細については後述する。

【００２８】上記洗浄液導入弁８_A〜８_Eは、図１(Ｂ)に
示すように、スタティックミキサー１４の上流側に配置
した導入弁連結管１６に固定され、この導入弁連結管１
６を介して純水給液管３に連通連結される。この洗浄液
導入弁８は、本出願人が実願平３―９３６３４号で提案
したものであり、図３に示すように、内部に洗浄液導
入室８１を区画形成した弁本体８０と、洗浄液導入室
８１内に弁軸８３を介して挿通され、図示しない開閉駆
動手段により開閉自在に設けられた弁体８４と、上記
弁連結管１６の管壁に形成され、上記弁体８４を受け止
める弁座８４ｂと、前記基板処理槽１に接続された純
水通路３ａの一部を構成し、弁本体８０に接続された上
記弁連結管１６とを具備して成り、洗浄液Ｑを洗浄液導
入室８１を介して弁連結管１６内の純水通路３ａに導入
するように構成される。

【００２９】上記弁本体８０内には洗浄液導入室８１と
弁駆動室８２とが区画形成され、洗浄液導入室８１と弁
駆動室８２に亘り弁軸８３を貫通し、洗浄液導入室８１
の洗浄液入口８1ａに洗浄液供給管７_Aが接続され、洗浄
液導入室８１内では弁軸８３の先端部に弁体８４が固定
される。上記弁駆動室８２内では弁軸８３にエアピスト
ン８５が固定され、圧縮バネ８６でエアピストン８５を
閉弁側(即ち、本実施例では図３において下方側)に付勢
するとともに、圧縮エアＡでエアピストン８５を開弁操
作し、洗浄液Ｑ_Aを所定量だけ純水通路３ａ内へ圧送する
ように構成される。尚、図３中の符号８２ａは圧縮エア
Ａの出入り口、８２ｂはエアピストン８５の作動に伴い
弁駆動室８２内のエアを逃がすためのバネ側連通口、８
７は洗浄液封止用ベローズ管である。

【００３０】また、上記導入弁連結管１６は、図１(Ｂ)
及び図３に示すように、その管壁に上記洗浄液導入室８
１の洗浄液出口８１ｂと弁座８４ｂが形成され、弁体８
４を弁座８４ｂで受け止め、弁体８４の先端凸部８４ａ
を洗浄液出口８１ｂ内に延出して、弁座８４ｂから純水
通路３ａまでの間の空間を先端凸部８４ａで埋めるよう
に構成される。このため、実質的に閉弁時に弁座周辺に
死水域の発生がなく、洗浄液供給後に洗浄液が停留する
などの問題を解消できる。

【００３１】さらに、上記導入弁連結管１６と導入弁８
の連結機構では、洗浄液導入室８１の洗浄液出口８１ｂ
と弁座８４ｂとを導入弁連結管１６の管壁に形成し、そ
の弁座８４ａを弁連結管１６内の純水通路３ａに近接配
置したので（又は、純水通路内に臨ませても良い）、洗
浄液供給後に引き続き純水を供給する際に、純水の純度
の低下の問題が無くなり、基板の表面処理の品質が向上
する。しかも、洗浄液Ｑ_Aの液切れが良くなるので、後
述するように、圧送ポンプ１５による各洗浄液の吐出圧
力の制御と併せて、純水Ｄ_Wの供給量に対する洗浄液Ｑ_A
の供給量を精確に制御して所定の洗浄液濃度に調合する
ことができる。しかも、純水が停留してバクテリヤが発
生することもなくなる。但し、洗浄液導入弁８_A〜８_Eは
圧縮エアで作動するものに限らず、適宜電磁開閉弁等で
代替することもできる。

【００３２】一方、前記オーバーフロー型洗浄処理部６
５の洗浄液供給部４における各洗浄液の圧送手段２５
は、図１(Ａ)に示すように、各洗浄液貯留容器６(具体
的には６_A)から導出した洗浄液導入管１０_Aに設けた１
個の圧送ポンプ１５と、圧送ポンプ１５を駆動するモー
タ１９と、圧送ポンプ１５の吐出側に設けた圧力検出器
２６(具体的には、圧力計)と、圧力検出器２６からの検
出信号に基づいて圧送ポンプ１５の回転数を増減制御す
る制御手段１２とから構成される。当該圧送手段２５で
は、設定圧に対する過不足を圧力検出器２６で検出し、
当該制御手段１２が圧送ポンプ１５の駆動モータ１９を
駆動制御して、複数の各基板洗浄槽１に所定の設定圧力
で洗浄液が圧送される。

【００３３】尚、図１(Ａ)で示した実施例では、洗浄液
導入弁８_Aより導入される一種類の洗浄液Ｑ_Aに係る洗浄
液圧送手段２５について説明したが、他の種類の洗浄液
Ｑ_B、Ｑ_C、Ｑ_D、Ｑ_Eに係る洗浄液圧送手段についても同
様に構成される。

【００３４】図４は上述した制御手段１２や圧送ポンプ
１５等を使用した圧送手段２５に替えてＮ₂ガスの圧力
を利用した洗浄液の圧送手段２５を示し、図４(Ａ)は、
Ｎ₂ガスを１段で調圧弁２８を介して貯留容器６に圧入
し、洗浄液を洗浄液供給管７に送給するものである。符
号２９ａは圧力逃がし弁で、洗浄液の送給を停止する場
合に使用する。符号２９ｂは防爆弁で貯留容器６の内圧
が異常上昇した場合に緊急に作動する。図４(Ｂ)は、調
圧弁２８のパイロット逃がし用にもＮ₂ガスを使用し
て、２段でＮ₂ガスを貯留容器６に圧入するように構成
したものである。図４(Ｃ)は、貯留容器６内の洗浄液の
圧送用と調圧弁２８のパイロット逃がし用に別系統のＮ
₂ガスを使用したものである。図４(Ａ)乃至(Ｃ)に図示
した圧送手段２５によっても、所定の設定圧力で洗浄液
を圧送することができる。

【００３５】一方、図５〜図７は本発明の実施例２を示
し、上記実施例１が基板洗浄槽１でオーバーフローした
洗浄液を排液ドレン４３に廃棄するように構成したのに
対して、本実施例２は貯留容器６に循環して再利用可能
にした点を特徴とする。図５に示すように、３種類の洗
浄液Ｑ_A・Ｑ_B・Ｑ_Cの各貯留容器６から洗浄液導入管１０
を夫々導出し、各導入管１０から分岐した３本の洗浄液
供給管７を導入弁８を介して基板洗浄槽１に連結する。
図６(Ａ)はこの洗浄液の供給側において、各洗浄液を供
・断する導入弁８_A・８_B・８_C及び純水開閉弁２７が集合し
た弁連結管１６を示し、弁連結管１６の一端１６ａには
純水供給管３が接続し、その他端１６ｂには洗浄液供給
管７が延出される。尚、上記貯留容器６には、洗浄液Ｑ
_A・Ｑ_B・Ｑ_Cが夫々自動的に補充可能になっている。

【００３６】各基板洗浄槽１の洗浄液排出部４０の下流
側を夫々４本に分岐し、これらの分岐管を上記３種類の
洗浄液Ｑ_A・Ｑ_B・Ｑ_Cの貯留容器６と排液ドレン４３に対
して夫々接続し、オーバーフローした各種の洗浄液を貯
留容器６に回収するとともに、必要に応じて排液ドレン
４３に廃棄できるように構成する。図６(Ｂ)はこの洗浄
液の排出側において、各洗浄液を供・断する洗浄液回収
弁４４_A・４４_B・４４_C及び排液弁４７の集合した排液管
４２の要部を示し、排液管４２の下流側の最奥部４２ａ
には純水用の上記排液弁４７が設けられる。

【００３７】純水によるリンス処理では、基板洗浄槽１
からオーバーフローしたリンス液を排液弁４７を介して
排液ドレン４３に廃棄する。その際、リンス液は排液管
４２の最奥部４２ａから排出されるので、排液管４２の
内壁に残留する洗浄液は有効に洗い流される。また、基
板洗浄槽１の底部の排出口４５及び給排液切換弁１３は
クイックドレン可能に構成され、急速排出によりスルー
プットを高めている。

【００３８】図７は基板処理のフローチャートである。
図７(Ａ)は基板に一般的処理を施す場合の流れを示す。
この場合においては、まず洗浄液Ｑ_Aを基板洗浄槽１に
循環させてオーバーフローさせ、基板Ｗを処理した後、
洗浄液Ｑ_Aを洗浄液排出部４０を介して貯留容器６に回
収する。そして、空になった基板洗浄槽１に純水を供給
し、オーバーフローさせながら基板Ｗをリンスした後、
純水を排出する。次に、洗浄液Ｑ_B、Ｑ_Cについても、洗
浄液Ｑ_Aの場合と同様に、順次循環させて基板Ｗを処理
した後、基板Ｗを引き上げる。図７(Ｂ)は、ＨＦ処理が
含まれる場合の流れを示す。この場合においては、ＨＦ
処理した後に基板Ｗを空気に接触させると、ＨＦ、Ｏ₂
とＳiとが反応し、基板Ｗの表面に不純化合物が生じて
パーティクルとなる。このため、ＨＦを基板洗浄槽１に
供給して循環した後、ＨＦの供給を停止し、続いて、基
板洗浄槽１にＨＦを入れた状態で純水を供給し、オーバ
ーフローさせることによりＨＦを純水に置き換えてい
く。これにより、基板Ｗは常に液中にとどまり、純水リ
ンスの連続供給で、ＨＦ成分はパーティクルを発生する
ことなく除去される。

【００３９】図７の洗浄処理において、ＨＦ液以外の洗
浄液を回収する場合、基板Ｗが空気に触れてもよいとき
には、基板洗浄槽１の底部から洗浄液を抜いてから純水
を供給するが、弊害がある場合には、やはり、洗浄液を
純水で交換しながら基板Ｗが空気に触れないようにす
る。尚、上記純水による最終リンス処理では、純水の比
抵抗値を検出したり、一定時間の経過により、リンス処
理が完了するように構成される。また、最終リンスが完
了した後に洗浄槽１から基板Ｗを引き上げる場合には、
浮遊したパーティクルが基板Ｗに付着するのを防止する
ため、純水をオーバーフローさせながら行う。

【００４０】上記基板処理において、例えば、ＳＣ₁処
理を行う場合には、所定濃度に調製したＮＨ₄ＯＨとＨ₂
Ｏ₂の混合液を使用し、ＨＦ処理では所定濃度に調製し
たＨＦを使用し、ＳＣ₂処理では所定濃度に調製したＨ
ＣｌとＨ₂Ｏ₂の混合液を使用する。上記基板処理の類型
としては、例えば下記の(1)〜(4)を初め、種々の類型が
可能である。 (1)ＳＣ₁処理→ＨＦ処理→ＳＣ₂処理 (2)ＨＦ処理→ＳＣ₁処理→ＳＣ₂処理 (3)ＳＣ₁処理→ＳＣ₂処理 (4)その他、ＨＦ処理のみ、又はＳＣ₁処理のみ。

【００４１】

【発明の効果】(1)１個の基板処理槽で基板を処理する
冒述の従来技術とは異なり、並設した複数個の基板処理
槽で多数の基板表面を並行処理できるので、スループッ
トが向上する。 (2)各基板処理槽に各処理液貯留容器から分岐導出した
処理液導入管を処理液導入弁を介して接続するので、複
数個の基板処理槽に対して複数種の処理液貯留容器を１
セットだけ設ければ良い。このため、複数個の基板処理
槽毎に貯留容器を複数セット設ける必要はなく、処理液
供給部の余分な重複配置を回避して装置全体を省スペー
ス化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１を示す浸漬型基板洗浄装置の洗浄処理
部の概略系統図である。

【図２】導入弁連結管周辺の一部切欠概略背面図であ
る。

【図３】図２の薬液導入弁のＩ−Ｉ線縦断面図である。

【図４】Ｎ₂ガスによる処理液圧送形態を示す貯留容器
周辺の要部系統図である。

【図５】実施例２を示す図１の相当図である。

【図６】同実施例２を示す洗浄処理部の要部縦断面図で
あり、図６(Ａ)は図５のＡ部を、図６(Ｂ)は図５のＢ部
を夫々示す液通路の要部縦断面図である。

【図７】同実施例２の基板処理のフローチャートであ
る。

【図８】浸漬型基板洗浄装置の概略斜視図である。

【図９】同洗浄装置の概略平面図である。

【図１０】同洗浄装置の概略縦断面図である。

【図１１】従来技術を示す浸漬型基板処理装置の基板処
理部の概略説明図である。

【符号の説明】

１…基板処理槽、３…純水供給管、４…処理液供給部、
６…処理液貯留容器、７…処理液供給管、８…処理液導
入弁、１０…処理液導入管、１６…導入弁連結管、２５
…処理液圧送手段、４０…処理液排出部、Ｄ_W…純水、
Ｑ_A〜Ｑ_E…処理液、Ｗ…基板、Ｃ…カセット。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液中に基板を浸漬して基板の表面処
理をなすオーバーフロー型の基板処理槽と、基板処理槽
の下部より複数種の処理液を供給する処理液供給部と、
基板処理槽よりオーバーフローした処理液を排出する処
理液排出部とを具備して成り、上記処理液供給部は、基板処理槽の下部に連結した処理
液供給管と、処理液供給管にそれぞれ処理液導入弁を介
して連通した複数個の処理液貯留容器とを備え、各処理
液導入弁を選択的に開閉制御して所定の処理液を処理液
供給管へ導入するように構成した基板処理装置におい
て、上記基板処理槽を複数個並設し、各基板処理槽の下部の
処理液供給管にそれぞれ処理液導入弁を接続し、上記処
理液貯留容器から導出した処理液導入管を分岐し、各分
岐した処理液導入管をそれぞれ前記処理液導入弁を介し
て各基板処理槽の下部の処理液供給管に接続し、各基板
処理槽へ複数種の処理液を供給するように構成したこと
を特徴とする基板処理装置。