JPH03159123A - 半導体ウエーハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエーハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH03159123A JPH03159123A JP29853289A JP29853289A JPH03159123A JP H03159123 A JPH03159123 A JP H03159123A JP 29853289 A JP29853289 A JP 29853289A JP 29853289 A JP29853289 A JP 29853289A JP H03159123 A JPH03159123 A JP H03159123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical
- cleaning
- cleaning tank
- final
- chemical solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 120
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 63
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 32
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は半導体ウェーハの洗浄方法に係わり、特に、
薬液（アンモニア水と、過酸化水素水と、水とを混合し
てな・る薬液）洗浄におけるウェーハ表面へのパーティ
クルの残存を防止することができるものに関する。
薬液（アンモニア水と、過酸化水素水と、水とを混合し
てな・る薬液）洗浄におけるウェーハ表面へのパーティ
クルの残存を防止することができるものに関する。
「従来の技術」
一般に、最終研磨後の半導体ウェーハの洗浄は、ウェー
ハ表面に付着したパーティクルを除去するために、ウェ
ーハを各種洗浄槽を通過させることにより行ういわゆる
ウェット洗浄法により行われている。
ハ表面に付着したパーティクルを除去するために、ウェ
ーハを各種洗浄槽を通過させることにより行ういわゆる
ウェット洗浄法により行われている。
このウェット洗浄法の一工程として、不純物およびパー
ティクルの除去を目的として、アンモニア水と過酸化水
素水と水とを混合してなる薬液を用いてウェーハを洗浄
する工程がある。
ティクルの除去を目的として、アンモニア水と過酸化水
素水と水とを混合してなる薬液を用いてウェーハを洗浄
する工程がある。
従来、上記の薬液を用いた洗浄は、例えば、薬液が充填
された薬液洗浄槽を２〜４漕用い、これら薬液洗浄槽内
においてバスケットに入れられたウェーハを順次洗浄す
るとともに、各薬液洗浄槽をオーバーフローさせながら
、また部分的に循環濾過をさせながら行っている。ある
いは、バッチ式で１０〜６０分洗浄しては、液を入れか
えている。なお、薬液の温度は９０℃に維持されている
。
された薬液洗浄槽を２〜４漕用い、これら薬液洗浄槽内
においてバスケットに入れられたウェーハを順次洗浄す
るとともに、各薬液洗浄槽をオーバーフローさせながら
、また部分的に循環濾過をさせながら行っている。ある
いは、バッチ式で１０〜６０分洗浄しては、液を入れか
えている。なお、薬液の温度は９０℃に維持されている
。
「発明が解決しようとする課題」
ところが、上記薬液による洗浄においては、次々に送ら
れてくるウェーハを順次各薬液洗浄槽で洗浄しているた
めに、薬液のオーバーフローをしたり、部分的な循環濾
過をしても、薬液中にはウェーハの表面から除去された
パーティクルが徐々に残留してしまい、このパーティク
ルがウエーノ＼の表面に付着してしまう。薬液中の残留
粒子の濃度は、２〜４槽の薬液洗浄槽において後段側の
最終薬液洗浄槽はど小さくなるが、最終薬液洗浄槽で洗
浄した後、純水が充填された洗浄槽ですすぎ洗浄を行っ
ても、ウェーハ表面に付着している不純物粒子を完全に
除去することができなかった。
れてくるウェーハを順次各薬液洗浄槽で洗浄しているた
めに、薬液のオーバーフローをしたり、部分的な循環濾
過をしても、薬液中にはウェーハの表面から除去された
パーティクルが徐々に残留してしまい、このパーティク
ルがウエーノ＼の表面に付着してしまう。薬液中の残留
粒子の濃度は、２〜４槽の薬液洗浄槽において後段側の
最終薬液洗浄槽はど小さくなるが、最終薬液洗浄槽で洗
浄した後、純水が充填された洗浄槽ですすぎ洗浄を行っ
ても、ウェーハ表面に付着している不純物粒子を完全に
除去することができなかった。
また、バッチ処理ではオーバーフローよりも夜中に残留
するパーティクルは多くなる。バッチ処理で残留するパ
ーティクルを少なくするために、１回の洗浄の度に液を
入れかえると、薬液のコストが非常に高くなる。
するパーティクルは多くなる。バッチ処理で残留するパ
ーティクルを少なくするために、１回の洗浄の度に液を
入れかえると、薬液のコストが非常に高くなる。
「発明の目的」
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、薬
液洗浄におけるウェーハ表面へのパーティクルの付着を
防止することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供
することを目的としている。
液洗浄におけるウェーハ表面へのパーティクルの付着を
防止することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供
することを目的としている。
「課題を解決するための手段」
上記目的を達成するために、この発明の半導体ウェーハ
の洗浄方法は、半導体ウェーハを、アンモニア水と過酸
化水素水と水とを混合してなる薬液で洗浄する複数の薬
液洗浄槽のうち、最ら後段側の最終洗浄槽内の薬液を、
半導体ウェー７１を所定枚数洗浄した後、全て抜き出し
て、この薬液を循環濾過して再び該最終薬液洗浄槽内に
戻し、この最終薬液洗浄槽内で次の半導体を所定枚数洗
浄する工程を操り返して行うことを特徴としている。
の洗浄方法は、半導体ウェーハを、アンモニア水と過酸
化水素水と水とを混合してなる薬液で洗浄する複数の薬
液洗浄槽のうち、最ら後段側の最終洗浄槽内の薬液を、
半導体ウェー７１を所定枚数洗浄した後、全て抜き出し
て、この薬液を循環濾過して再び該最終薬液洗浄槽内に
戻し、この最終薬液洗浄槽内で次の半導体を所定枚数洗
浄する工程を操り返して行うことを特徴としている。
また、上記薬液は、アンモニア水を塩酸に代えたもので
もよい。
もよい。
さらに、最終薬液洗浄槽におけるウェーハの洗浄は、薬
液の温度を常温にして行う。これにより薬液組成の変動
を低減し、かつ循環濾過した薬液を薬液洗浄槽に戻す際
に予熱する必要がなくなる。
液の温度を常温にして行う。これにより薬液組成の変動
を低減し、かつ循環濾過した薬液を薬液洗浄槽に戻す際
に予熱する必要がなくなる。
「作用」
この発明の半導体ウェーハの洗浄方法にあっては、最終
薬液洗浄槽において、半導体ウェーハを薬液により所定
枚数洗浄した後、この薬液を全て抜き出し、循環濾過し
てパーティクルを除去した薬液を再び最終薬液洗浄槽に
戻し、この薬液で次の半導体ウェーハを洗浄するので、
最終薬液洗浄槽内の薬液には常に残留パーティクルがほ
とんど存在しない。したがって、薬液洗浄において、半
導体ウェーハの表面へ粒子がほとんど付着することがな
く、その後の純水でのすすぎ洗浄により、薬液およびご
く少量付着した粒子を除去することができる。
薬液洗浄槽において、半導体ウェーハを薬液により所定
枚数洗浄した後、この薬液を全て抜き出し、循環濾過し
てパーティクルを除去した薬液を再び最終薬液洗浄槽に
戻し、この薬液で次の半導体ウェーハを洗浄するので、
最終薬液洗浄槽内の薬液には常に残留パーティクルがほ
とんど存在しない。したがって、薬液洗浄において、半
導体ウェーハの表面へ粒子がほとんど付着することがな
く、その後の純水でのすすぎ洗浄により、薬液およびご
く少量付着した粒子を除去することができる。
「実施例」
以下、第１図を参照して、この発明の半導体ウェーハの
洗浄方法の一実施例を説明する。
洗浄方法の一実施例を説明する。
第１図はこの発明の洗浄方法を実施するための装置の該
略構成を示すものであり、図中符号ｌ。
略構成を示すものであり、図中符号ｌ。
２は、それぞれアンモニア水と、過酸化水素水と、水と
を混合（混合比１ ：１ ：５）してなる薬液を用いて
ウェーハを洗浄する２つの薬液洗浄槽を示す。
を混合（混合比１ ：１ ：５）してなる薬液を用いて
ウェーハを洗浄する２つの薬液洗浄槽を示す。
なお、薬液のアンモニア水を塩酸に代えてもよい。
これら薬液洗浄槽１．２の前段側には、ウェーハを薬液
で洗浄する前に、前工程から送られてきたウェーハを純
水で洗浄する２つの洗浄槽３．４が設けられ、さらに、
上記薬液洗浄槽１．２の後段側には、薬液洗浄［１，２
で洗浄されたウェーハの表面に付着している薬液および
ごく少量のパーティクルを純水ですすぎ洗浄して除去す
る洗浄槽５．６が設けられている。上記純水の洗浄槽３
．４および５．６は、いずれも純水がオーバーフローす
るように注入されろようになっており、純水の温度は常
温に設定されている。
で洗浄する前に、前工程から送られてきたウェーハを純
水で洗浄する２つの洗浄槽３．４が設けられ、さらに、
上記薬液洗浄槽１．２の後段側には、薬液洗浄［１，２
で洗浄されたウェーハの表面に付着している薬液および
ごく少量のパーティクルを純水ですすぎ洗浄して除去す
る洗浄槽５．６が設けられている。上記純水の洗浄槽３
．４および５．６は、いずれも純水がオーバーフローす
るように注入されろようになっており、純水の温度は常
温に設定されている。
また、上記薬液洗浄槽１．２のうち、洗浄槽ｌは、薬液
がオーバーフローするように注入されるようになってお
り、薬液の温度は７０〜８５℃に設定されている。さら
に、後段側の最終薬液洗浄槽２は、その底部が開閉自在
になっており、底部か開放されると内部の薬液が流出し
、この流出した薬液が、図示しない濾過装置により薬液
中に混入しているパーティクルが除去されて循環し、再
び最終薬液洗浄槽２に戻されるように構成され、同時に
薬液がオーバーフローするように注入されるようになっ
ており、これにより薬液中に溶存する不純物の濃縮を防
止するようになっている。なお、薬液の温度は、ウェー
ハの表面に形成される酸化膜の厚さが７０〜８５℃の場
合と変わらなかったため、常温に設定し、薬液組成の変
動を低減し、かつ循環濾過した薬液の予熱の手間を省い
た。
がオーバーフローするように注入されるようになってお
り、薬液の温度は７０〜８５℃に設定されている。さら
に、後段側の最終薬液洗浄槽２は、その底部が開閉自在
になっており、底部か開放されると内部の薬液が流出し
、この流出した薬液が、図示しない濾過装置により薬液
中に混入しているパーティクルが除去されて循環し、再
び最終薬液洗浄槽２に戻されるように構成され、同時に
薬液がオーバーフローするように注入されるようになっ
ており、これにより薬液中に溶存する不純物の濃縮を防
止するようになっている。なお、薬液の温度は、ウェー
ハの表面に形成される酸化膜の厚さが７０〜８５℃の場
合と変わらなかったため、常温に設定し、薬液組成の変
動を低減し、かつ循環濾過した薬液の予熱の手間を省い
た。
そして、上記構成の洗浄装置を用いてウェーハを洗浄す
るには、所定枚数のウェーハが入れられた多数のバスケ
ットを上記洗浄槽３，４の純水中に順次浸漬することに
よりウェーハを洗浄し、次いで、これらバスケットを薬
液洗浄槽ｌに浸漬してウェーハを上記薬液により洗浄し
、さらに最終薬液洗浄槽２に浸漬してウェーハを洗浄す
る。この薬品の洗浄によりウェーハ表面の不純物および
パーティクルが除去されるとともに、ウェーハの表面に
酸化膜が形成される。
るには、所定枚数のウェーハが入れられた多数のバスケ
ットを上記洗浄槽３，４の純水中に順次浸漬することに
よりウェーハを洗浄し、次いで、これらバスケットを薬
液洗浄槽ｌに浸漬してウェーハを上記薬液により洗浄し
、さらに最終薬液洗浄槽２に浸漬してウェーハを洗浄す
る。この薬品の洗浄によりウェーハ表面の不純物および
パーティクルが除去されるとともに、ウェーハの表面に
酸化膜が形成される。
そして先頭のバスケットを最終薬液洗浄槽２から取り出
して純水の洗浄槽５．６に順次浸漬するとともに、最終
薬液洗浄槽２内の薬液を底部を開放して抜き出し、薬液
中に混入している粒子を濾過装置により除去して循環し
、再び最終薬液洗浄槽２に戻した後、次のバスケットを
最終薬液洗浄槽２に浸漬する。さらに、このバスケット
を最終薬液洗浄槽２から取り出して洗浄槽５，６に順次
浸漬するとともに、最終薬液洗浄槽２から薬液を抜き出
してこれを循環濾過して再び最終薬液洗浄槽２に戻して
次のバスケットを浸漬する工程を繰り返して行うことに
より、バスケットに入れられたウェーハを次々に洗浄す
る。この時、最終薬液洗浄槽２には、オーバーフローす
るように、常に薬液が注入されている。これにより槽内
の不純物の濃縮を防止する。
して純水の洗浄槽５．６に順次浸漬するとともに、最終
薬液洗浄槽２内の薬液を底部を開放して抜き出し、薬液
中に混入している粒子を濾過装置により除去して循環し
、再び最終薬液洗浄槽２に戻した後、次のバスケットを
最終薬液洗浄槽２に浸漬する。さらに、このバスケット
を最終薬液洗浄槽２から取り出して洗浄槽５，６に順次
浸漬するとともに、最終薬液洗浄槽２から薬液を抜き出
してこれを循環濾過して再び最終薬液洗浄槽２に戻して
次のバスケットを浸漬する工程を繰り返して行うことに
より、バスケットに入れられたウェーハを次々に洗浄す
る。この時、最終薬液洗浄槽２には、オーバーフローす
るように、常に薬液が注入されている。これにより槽内
の不純物の濃縮を防止する。
しかして、上記ウェーへの製造方法によれば、最終薬液
洗浄槽２においてｌバスケット毎に、すなわち所定枚数
のウェーハを洗浄する毎に、薬液を抜き出して、これを
循環濾過してパーティクルを除去して再び最終薬液洗浄
槽に戻し、この薬液で次の半導体ウェーハを洗浄するの
で、最終薬液洗浄槽内の薬液には常に残留パーティクル
がほとんど存在しない。したがって、薬液洗浄において
、ウェーハの表面へパーティクルがほとんど付着するこ
とがなく、その後の洗浄槽５．６での純水でのすすぎ洗
浄により、薬液およびごく少量付着したパーティクルを
除去することができる。
洗浄槽２においてｌバスケット毎に、すなわち所定枚数
のウェーハを洗浄する毎に、薬液を抜き出して、これを
循環濾過してパーティクルを除去して再び最終薬液洗浄
槽に戻し、この薬液で次の半導体ウェーハを洗浄するの
で、最終薬液洗浄槽内の薬液には常に残留パーティクル
がほとんど存在しない。したがって、薬液洗浄において
、ウェーハの表面へパーティクルがほとんど付着するこ
とがなく、その後の洗浄槽５．６での純水でのすすぎ洗
浄により、薬液およびごく少量付着したパーティクルを
除去することができる。
ちなみに、上記実施例の条件で、５″φのシリコンウェ
ーハ２５枚をバスケットに入れ、従来法と本願発明法で
洗浄を行い、ウェーハ表面の粒径が０．２μ１以上の不
純物粒子の個数を調べたところ、ウェーハ１枚あたり従
来法では１０個であったのに対し本願発明法では４個と
半分以下に減少したのが確認できた。
ーハ２５枚をバスケットに入れ、従来法と本願発明法で
洗浄を行い、ウェーハ表面の粒径が０．２μ１以上の不
純物粒子の個数を調べたところ、ウェーハ１枚あたり従
来法では１０個であったのに対し本願発明法では４個と
半分以下に減少したのが確認できた。
また、最終薬液洗浄槽の薬液の温度を常温にしたので、
予熱が必要なく、しかも循環濾過装置等にも加熱手段を
設ける必要がないので、薬液の抜き出し、循環濾過を容
易に行うことができる。
予熱が必要なく、しかも循環濾過装置等にも加熱手段を
設ける必要がないので、薬液の抜き出し、循環濾過を容
易に行うことができる。
さらに、薬液を循環濾過するので、薬液の供給量を従来
のオーバフローのものと同量に抑えることができる。
のオーバフローのものと同量に抑えることができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の半導体ウェーハの洗浄
方法によれば、最終薬液洗浄槽において、半導体ウェー
ハを所定枚数洗浄した後、この薬液を全て抜き取り、循
環濾過してパーティクルを除去して再び最終薬液洗浄槽
に戻し、この薬液で次の半導体ウェーハを洗浄するので
、最終薬液洗浄槽内の薬液には常に残留粒子がほとんど
存在せず、よって、薬液洗浄において、半導体ウェーハ
の表面へパーティクルがほとんど付着することがなく、
その後の純水でのすすぎ洗浄により、薬液およびごく少
量付着したパーティクルを除去することができる。
方法によれば、最終薬液洗浄槽において、半導体ウェー
ハを所定枚数洗浄した後、この薬液を全て抜き取り、循
環濾過してパーティクルを除去して再び最終薬液洗浄槽
に戻し、この薬液で次の半導体ウェーハを洗浄するので
、最終薬液洗浄槽内の薬液には常に残留粒子がほとんど
存在せず、よって、薬液洗浄において、半導体ウェーハ
の表面へパーティクルがほとんど付着することがなく、
その後の純水でのすすぎ洗浄により、薬液およびごく少
量付着したパーティクルを除去することができる。
第１図はこの発明の半導体ウェーハの洗浄方法を実施す
るための装置の該略図である。 ！ ・・・・・・洗浄槽、 ２・・・・・・最終洗浄槽。
るための装置の該略図である。 ！ ・・・・・・洗浄槽、 ２・・・・・・最終洗浄槽。
Claims (2)
- （１）半導体ウェーハを純水で洗浄する工程と、この工
程の後、半導体ウェーハをアンモニア水と、過酸化水素
水と、水とを混合してなる薬液で洗浄する工程と、この
工程の後、半導体ウェーハを純水で洗浄する工程とを有
する半導体ウェーハの洗浄方法において、 上記半導体ウェーハを上記薬液で洗浄する複数の薬液洗
浄槽のうち、最も後段側の最終薬液洗浄槽内の薬液を常
温とし、半導体ウェーハを所定枚数洗浄した後、全て抜
き出して、この薬液を循環濾過して再び該最終洗浄槽内
に戻し、この最終薬液洗浄槽内で次の半導体を所定枚数
洗浄する工程を繰り返して行うことを特徴とする半導体
ウェーハの洗浄方法。 - （２）請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄方法におい
て、薬液のアンモニア水に代えて塩酸を使用することを
特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29853289A JPH03159123A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29853289A JPH03159123A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159123A true JPH03159123A (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=17860949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29853289A Pending JPH03159123A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03159123A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03240229A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-25 | Sharp Corp | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH06204201A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278826A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理方法およびその装置 |
| JPS62156659A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-11 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 洗浄方法及び装置 |
| JPS63110640A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 基板洗浄装置 |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP29853289A patent/JPH03159123A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278826A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理方法およびその装置 |
| JPS62156659A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-11 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 洗浄方法及び装置 |
| JPS63110640A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 基板洗浄装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03240229A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-25 | Sharp Corp | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH06204201A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-07-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3154814B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP3338134B2 (ja) | 半導体ウエハ処理方法 | |
| JPH09275084A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH07183264A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH03159123A (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| JP3419758B2 (ja) | 基板の処理法 | |
| JPS63110732A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| US7172975B2 (en) | Process for the wet chemical treatment of semiconductor wafers | |
| US6451124B1 (en) | Process for the chemical treatment of semiconductor wafers | |
| WO2021220590A1 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| JP3473662B2 (ja) | ウェット式洗浄装置 | |
| JPH0536661A (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH05166776A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
| JPH07153728A (ja) | 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法 | |
| JP3099907B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH05102121A (ja) | 枚葉式洗浄方法及び装置 | |
| JPH06124934A (ja) | ウエット洗浄装置 | |
| JP3000997B1 (ja) | 半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 | |
| JPH07183268A (ja) | 半導体ウェハの洗浄装置 | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 | |
| JPH04207031A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPS6292445A (ja) | 半導体装置の処理装置 | |
| JPH0919661A (ja) | 電子部品等の洗浄方法及び装置 | |
| KR100567128B1 (ko) | 웨이퍼 세정 설비 및 이를 이용한 금속 잔유물 제거방법 | |
| JPH05217988A (ja) | 洗浄装置 |