JPS63110732A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPS63110732A JPS63110732A JP25891486A JP25891486A JPS63110732A JP S63110732 A JPS63110732 A JP S63110732A JP 25891486 A JP25891486 A JP 25891486A JP 25891486 A JP25891486 A JP 25891486A JP S63110732 A JPS63110732 A JP S63110732A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の洗浄方法に関する。
従来の半導体基板の洗浄方法は、半導体基板を洗浄液の
中に浸漬し処理を行なうディップ式と呼ばれる洗浄方法
が主流となっていた。
中に浸漬し処理を行なうディップ式と呼ばれる洗浄方法
が主流となっていた。
しかしながら、従来のディップ式洗浄方法では、半導体
基板を直接洗浄液に浸漬するために、洗浄液中に微粒子
が存在すると、この微粒子が半導体基板表面に付着する
という問題がある。そのため、処理槽中の洗浄液の濾過
によって洗浄液中の微粒子を除去する方法が採用されて
いるが、この方法も微粒子の付着を完全に防ぐことはで
きず、連続処理を行なうと、処理槽内に微粒子が蓄積さ
れる。
基板を直接洗浄液に浸漬するために、洗浄液中に微粒子
が存在すると、この微粒子が半導体基板表面に付着する
という問題がある。そのため、処理槽中の洗浄液の濾過
によって洗浄液中の微粒子を除去する方法が採用されて
いるが、この方法も微粒子の付着を完全に防ぐことはで
きず、連続処理を行なうと、処理槽内に微粒子が蓄積さ
れる。
また、況＃液が何らかの原因によって汚染された場合、
汚染された洗浄液の欣交換を行なう前にその洗浄液で処
理された半導体基板が全て汚染される。一般に半導体基
板の洗浄プロセスの最終工程は、塩酸と過酸化水素水と
の混合溶液を洗浄液として用い、この工程で半導体基板
上の無機汚染物質を除去すると同時に、半導体基板に安
定な保護膜を形成する。しかしながら、この洗浄液が微
粒子、不純物等で汚染されていると、これら汚染物質は
半導体基板上に残留し、洗浄プロセスに続く半導体装ｆ
！を製造工程、即ち拡散、酸化、リングラフィ等の各工
程において悪影響を及ぼす。例えば、拡散、酸化工程に
おいては異常拡散の原因となったり、結晶欠陥を肪起す
る原因となったりする。
汚染された洗浄液の欣交換を行なう前にその洗浄液で処
理された半導体基板が全て汚染される。一般に半導体基
板の洗浄プロセスの最終工程は、塩酸と過酸化水素水と
の混合溶液を洗浄液として用い、この工程で半導体基板
上の無機汚染物質を除去すると同時に、半導体基板に安
定な保護膜を形成する。しかしながら、この洗浄液が微
粒子、不純物等で汚染されていると、これら汚染物質は
半導体基板上に残留し、洗浄プロセスに続く半導体装ｆ
！を製造工程、即ち拡散、酸化、リングラフィ等の各工
程において悪影響を及ぼす。例えば、拡散、酸化工程に
おいては異常拡散の原因となったり、結晶欠陥を肪起す
る原因となったりする。
またリングラフィ工程では正常なパターンができない原
因となったシする。このために半導体累子の特性を劣化
させ、歩留りの低下２品質の低下を招くという問題があ
る。
因となったシする。このために半導体累子の特性を劣化
させ、歩留りの低下２品質の低下を招くという問題があ
る。
さらに、従来のディンプ式洗浄方法では、洗浄液中の過
酸化水素の分解によって洗浄液の劣化が進み、？５Ｉ１
．＃能力も長時間持続しないという問題がある。また、
過酸化水素の分解によって生ずる気泡のため、洗浄液が
細部にまで行き渡らないという問題もある。
酸化水素の分解によって洗浄液の劣化が進み、？５Ｉ１
．＃能力も長時間持続しないという問題がある。また、
過酸化水素の分解によって生ずる気泡のため、洗浄液が
細部にまで行き渡らないという問題もある。
上記問題点に対し本発明では、オゾンを含む塩酸蒸気中
で洗浄処理を行う。すなわち、塩酸を蒸気として用いる
ことにより、従来方法で問題となっている微粒子の付着
や不純物による汚染が防止できると共に、塩酸蒸気が細
部まで行き渡るために、均一かつ効果的な洗浄を行うこ
とができ、さらに過酸化水素水の代わりにオゾンを含ま
せているので、洗浄液の劣化が防止できる。
で洗浄処理を行う。すなわち、塩酸を蒸気として用いる
ことにより、従来方法で問題となっている微粒子の付着
や不純物による汚染が防止できると共に、塩酸蒸気が細
部まで行き渡るために、均一かつ効果的な洗浄を行うこ
とができ、さらに過酸化水素水の代わりにオゾンを含ま
せているので、洗浄液の劣化が防止できる。
〔実施例〕
つざに本発明を実施例により説明する。
本発明においては、処理容器内にオゾンを含む塩酸蒸気
を流しておいて、この蒸気に洗浄すべき半導体基板を、
例えば１０分間さらして、基板面の汚染物に化学変化を
およぼして基板面より離散し易い状態に変え、さらに、
純水により、例えば１０分間リンスを行って、基板面か
ら汚染物を除去する。
を流しておいて、この蒸気に洗浄すべき半導体基板を、
例えば１０分間さらして、基板面の汚染物に化学変化を
およぼして基板面より離散し易い状態に変え、さらに、
純水により、例えば１０分間リンスを行って、基板面か
ら汚染物を除去する。
第１図は本発明方法を実施した半導体基板表面での付着
微粒子数の測定結果と処理枚数との関係を示すグラフで
ある。図において、横軸は処理枚数、縦軸はレーザ式微
粒子計測装置を用いて測定した洗浄後の半導体基板表面
に残留付着している微粒子の数であり、図中黒丸は本発
明方法、白丸は従来方法の結果を示す。従来法の場合、
洗浄液供給直後において半導体基板表面に付着する微粒
子数は１枚当たり約３０個である。付着微粒子数は処理
枚数が増加するに従って増加し、２５０枚処理後には付
着微粒子数は約３００個になっており、洗浄液中に微粒
子が蓄積しているのが分かる。
微粒子数の測定結果と処理枚数との関係を示すグラフで
ある。図において、横軸は処理枚数、縦軸はレーザ式微
粒子計測装置を用いて測定した洗浄後の半導体基板表面
に残留付着している微粒子の数であり、図中黒丸は本発
明方法、白丸は従来方法の結果を示す。従来法の場合、
洗浄液供給直後において半導体基板表面に付着する微粒
子数は１枚当たり約３０個である。付着微粒子数は処理
枚数が増加するに従って増加し、２５０枚処理後には付
着微粒子数は約３００個になっており、洗浄液中に微粒
子が蓄積しているのが分かる。
これに対して、本発明の場合、洗浄液供給直後での微粒
子数は約２個であり、その後処理枚数を増加しても付着
微粒子数はほとんど変化しない。このように本発明によ
る洗浄方法を用いれば、従来の洗浄方法と比較して、半
導体基板に付着する微粒子を極めて少なくできる。
子数は約２個であり、その後処理枚数を増加しても付着
微粒子数はほとんど変化しない。このように本発明によ
る洗浄方法を用いれば、従来の洗浄方法と比較して、半
導体基板に付着する微粒子を極めて少なくできる。
第２図は本発明をＭＯ８型ダイオードに応用した場合の
キャリア・ライフタイムの測定結果を示すグラフである
。図において横軸は洗浄液供給後。
キャリア・ライフタイムの測定結果を示すグラフである
。図において横軸は洗浄液供給後。
処理を行なうまでの経過時間である。白丸で結果を示す
従来法の場合、供給直後に処理を行なった時のキャリア
書ライフタイムは約１０ｍ５ｅｃであり、経過時間が長
くなるに従ってキャリア・ライフタイムは次第に短かく
なり、供給後２時間経過した洗浄液で処理を行なった時
は約２ ｍ ｓ ｅ ｃとなった。
従来法の場合、供給直後に処理を行なった時のキャリア
書ライフタイムは約１０ｍ５ｅｃであり、経過時間が長
くなるに従ってキャリア・ライフタイムは次第に短かく
なり、供給後２時間経過した洗浄液で処理を行なった時
は約２ ｍ ｓ ｅ ｃとなった。
ＭＯ８型ダイオードにおけるキャリア書ライフタイムは
ゲート酸化膜形成時の半導体基板上の重金属、アルカリ
金属等の無機汚染物質の影＃全受けやすく、洗浄効果が
小さく、基板表面が汚染されている場合には、キャリア
・ライフタイムは低下する。即ち、従来法の場合、洗浄
液供給直後には、無機汚染物質に対して強い洗浄効果を
持つが、時間が経過し、過ば化水素の分解が進むにつれ
て凭浄効果が低下している。これに対して、黒丸で測定
結果を示す本発明の場合、キ、 ＩＪア・ライフタイム
は時間の経過による変化が見られないことから、洗浄効
果の低下が起こっていないことが分る。
ゲート酸化膜形成時の半導体基板上の重金属、アルカリ
金属等の無機汚染物質の影＃全受けやすく、洗浄効果が
小さく、基板表面が汚染されている場合には、キャリア
・ライフタイムは低下する。即ち、従来法の場合、洗浄
液供給直後には、無機汚染物質に対して強い洗浄効果を
持つが、時間が経過し、過ば化水素の分解が進むにつれ
て凭浄効果が低下している。これに対して、黒丸で測定
結果を示す本発明の場合、キ、 ＩＪア・ライフタイム
は時間の経過による変化が見られないことから、洗浄効
果の低下が起こっていないことが分る。
また洗ｌ！＃液供給直後に処理を行なった場合、本発明
による方法の方が従来方法よりもキャリア・ライフタイ
ムがやや長い。これはもともと洗浄液中にごく微量含ま
れている不純物が、従来方法では半導体基板を逆に汚染
している可能性があるのに対して、本発明による方法で
は全く不純物を含まない塩酸蒸気中で処理を行なってい
るために、洗浄液からの汚染も全くないためである。こ
のように、本発明による洗浄方法を用いれば洗浄液の劣
化による洗浄効果の低下もなく、洗浄液からの不純物の
汚染もない。
による方法の方が従来方法よりもキャリア・ライフタイ
ムがやや長い。これはもともと洗浄液中にごく微量含ま
れている不純物が、従来方法では半導体基板を逆に汚染
している可能性があるのに対して、本発明による方法で
は全く不純物を含まない塩酸蒸気中で処理を行なってい
るために、洗浄液からの汚染も全くないためである。こ
のように、本発明による洗浄方法を用いれば洗浄液の劣
化による洗浄効果の低下もなく、洗浄液からの不純物の
汚染もない。
第１図は、本発明及び従来法についての付着微粒子数と
処理枚数との関係を示すグラフ、第２図は本発明及び従
来法についてのＭＯ８型ダイオードでのキャリア・ライ
フタイムと洗浄液供給後処理を行なう゛までの経過時間
との関係を示すグラフである。
処理枚数との関係を示すグラフ、第２図は本発明及び従
来法についてのＭＯ８型ダイオードでのキャリア・ライ
フタイムと洗浄液供給後処理を行なう゛までの経過時間
との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 洗浄すべき半導体基板を、オゾンを含む塩酸蒸気にさら
す工程を含むことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25891486A JPS63110732A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25891486A JPS63110732A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110732A true JPS63110732A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17326784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25891486A Pending JPS63110732A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63110732A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0479325A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の表面処理方法および装置 |
| JPH04222677A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Tec:Kk | 洗浄機 |
| US6601594B2 (en) * | 1997-05-09 | 2003-08-05 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for delivering a treatment liquid and ozone to treat the surface of a workpiece |
| US6830628B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US7264680B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| WO2019080069A1 (zh) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 艾默莱科技（北京）有限公司 | 带蠕动泵的酸蒸清洗器 |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP25891486A patent/JPS63110732A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0479325A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の表面処理方法および装置 |
| JPH04222677A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Tec:Kk | 洗浄機 |
| US6601594B2 (en) * | 1997-05-09 | 2003-08-05 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for delivering a treatment liquid and ozone to treat the surface of a workpiece |
| US6701941B1 (en) | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US6830628B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6843857B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-18 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
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| WO2019080069A1 (zh) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 艾默莱科技（北京）有限公司 | 带蠕动泵的酸蒸清洗器 |
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