JP2002151453A - 精密基板の洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents

精密基板の洗浄方法及び洗浄装置

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JP2002151453A
JP2002151453A JP2000344007A JP2000344007A JP2002151453A JP 2002151453 A JP2002151453 A JP 2002151453A JP 2000344007 A JP2000344007 A JP 2000344007A JP 2000344007 A JP2000344007 A JP 2000344007A JP 2002151453 A JP2002151453 A JP 2002151453A
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JP
Japan
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substrate
cleaning
sulfuric acid
ozone water
precision
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Application number
JP2000344007A
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English (en)
Inventor
Masayuki Suzuki
雅之 鈴木
Masayuki Nakatsu
正幸 中津
Atsushi Tajika
篤 田鹿
Masataka Watanabe
政孝 渡辺
Satoshi Okazaki
智 岡崎
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 サブストレート、マスクブランク、フォトマ
スク等の精密基板の洗浄において、装置の大型化や薬液
の過度の高温化を必要とせず、洗浄効果を十分発揮して
精密基板を安定して洗浄することができる洗浄技術を提
供する。 【解決手段】 洗浄処理槽内14に配置された基板支持
台22上に精密基板30を保持し、硫酸とオゾン水をそ
れぞれ別個の供給口26,27から基板上に同時に供給
して枚葉式に洗浄する。好ましくは、基板を水平に静止
または回転させた状態で、熱濃硫酸(濃度90wt%以
上、温度70℃〜120℃)と低温保持されたオゾン水
(オゾン濃度10ppm以上、温度10℃〜30℃)を
少量ずつ供給してパドル洗浄を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、精密基板の洗浄技
術に関し、特に、フォトマスク用ガラス基板(サブスト
レート)、マスクブランク、フォトマスクなどの精密基
板の製造工程において基板表面に付着した微粒子、シ
ミ、汚れ等の異物を除去する洗浄技術に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路の形成に使用されるフォトマス
クの製造では、研磨した石英ガラス基板に蒸着やスパッ
タリングにてクロム等の金属膜を成膜してマスクブラン
クとし、これにレジスト塗布、露光、現像、エッチング
といった様々な工程を施してパターン像を形成したフォ
トマスクが製造される。近年、超LSIの寸法微細化に
伴い、露光基板として使用されるフォトマスクの清浄化
への要求が益々高くなっているが、清浄なフォトマスク
を得るには、石英ガラス基板やマスクブランクの段階か
ら清浄化したものとすることが要求される。
【0003】石英ガラス基板やマスクブランクに対する
従来のウエット洗浄方法の一つである浸漬型のインライ
ン洗浄は、SPMと呼ばれる硫酸と過酸化水素水の混合
薬液(混合比率1:4程度)を槽に溜め置いた状態で1
00℃〜130℃程度に保ち、この薬液に複数枚の基板
を一緒に浸漬させることでバッチ洗浄が行われる。な
お、一度調製した混合薬液は数時間にわたって使用し続
けるのが一般的である。
【0004】しかしながら、SPMを用いた浸漬型のイ
ンライン洗浄を行う場合、薬液が上記のように高温に保
持されているために液中の過酸化水素は急速に自己分解
し、最終的には過酸化水素水の効果が消滅してしまう。
その結果、硫酸の効果のみに頼る洗浄となってしまい、
安定した洗浄効果を得ることは極めて難しいという問題
がある。
【0005】また、槽内に溜められた薬液は、バッチ洗
浄を繰り返す毎に基板に付着していた微粒子等により汚
染される。薬液に混入した汚れは、薬液中に浸漬した基
板を次のリンス槽へ搬送する際に基板に再付着してしま
う。このように再付着した微粒子等の汚れを除去するた
めには、さらに、石英ガラス等に対して比較的エッチン
グ性の強いアルカリ系薬液(例えばAPMと呼ばれるア
ンモニアと過酸化水素の混合薬液)に基板を浸漬し、微
粒子除去に重点をおいた工程を設ける必要がある。
【0006】しかしながら、APMの使用においても前
記したSPMと同様、温度コントロールが必要であり、
また、過酸化水素水を用いているため、経時的に薬液の
劣化が進行してしまうという問題もある。
【0007】これらの理由により、安定した洗浄効果を
得るためには、SPM洗浄やAPM洗浄では頻繁に薬液
交換を行わなければならず、多量の薬液が必要となる
上、その廃液処理も多大な費用と労力が必要であった。
【0008】また、インライン型の洗浄ラインは多槽で
構成されており、一般的なインライン型の洗浄装置にお
いては、槽が10槽以上で構成され、装置の全長が10
m以上に及ぶケースも少なくない。このため、設置面積
及びそれに伴う設置コストが増大する上、超純水等のユ
ーティリティ使用量が極めて多くなるという問題点があ
る。
【0009】一方、枚葉式の洗浄方法としてパドル洗浄
がある。パドル洗浄とは、基板を回転させずにあるいは
低速回転しながら基板上に薬液などを供給し、薬液の表
面張力を利用して基板上にその薬液を保持することで洗
浄を行うものである。パドル洗浄では常に新しい薬液が
供給されるため、汚れの再付着という問題がない。しか
しながら、薬液としてSPM等を用いてパドル洗浄を行
う場合、薬液タンク内で薬液を高温に加熱していても、
薬液を基板上に吐出するまでの間、あるいは基板上に薬
液を保持している間に薬液の熱が熱容量の大きい石英ガ
ラス基板に奪われてしまい、充分な有機物除去効果を得
られないという問題がある。
【0010】このような問題に対し、吐出前の薬液の温
度を更に上げておくことも考えられる。しかしながら、
薬液の供給に用いられる一般的なフッ素樹脂系の配管の
耐熱温度は120℃からせいぜい150℃であり、その
温度を超えると配管の継ぎ手部分に熱負荷がかかり、継
ぎ手部分に緩みを発生させる。このような継ぎ手部分の
緩みはさらに外れにつながり、ひいては薬液漏洩の危険
を伴うこととなる。このように薬液の高温化は安全上に
問題があるので現実的でなく、問題解決には至らない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みなされたもので、サブストレート、マス
クブランク、フォトマスク等の精密基板の洗浄におい
て、装置の大型化や薬液の過度な高温化を必要とせず、
洗浄効果を十分発揮して精密基板を安定して洗浄するこ
とができる洗浄技術を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため鋭意検討を重ねた結果、フォトマスク製
造工程におけるサブストレート、マスクブランク、フォ
トマスク等の精密基板の洗浄において、硫酸とオゾン水
とを別々に基板上に供給することにより硫酸とオゾン水
とが基板上で混合して高い洗浄効果を発揮し、基板表面
の異物、汚れ等を除去できるとともに、工程の負荷が軽
減できることを見出し、本発明をなすに至った。
【0013】すなわち、本発明では、精密基板に洗浄液
を供給して該基板を枚葉式に洗浄する方法であって、前
記洗浄液として硫酸とオゾン水をそれぞれ別個の供給口
から基板上に同時に供給することを特徴とする精密基板
の洗浄方法が提供される(請求項1)。
【0014】このように硫酸とオゾン水を別々のノズル
等を通じて基板上に供給することで硫酸とオゾン水が基
板上で混合され、硫酸とオゾン水のそれぞれの酸化力が
特に有効に機能する。また、枚葉式に洗浄するため、基
板1枚毎に新鮮な薬液が供給され、汚れの再付着が起こ
ることもない。そのため、非常に高い洗浄効果を発揮す
ることができ、常に安定した極めて高い洗浄効果を発揮
させることができる。
【0015】硫酸等の具体的な供給方法としては、精密
基板を水平に静止または回転させた状態で、硫酸とオゾ
ン水の供給を行うことができる(請求項2)。このよう
に基板を水平に静止または回転させた状態で硫酸とオゾ
ン水の供給を行うことで、いわゆるパドル洗浄とするこ
とができる。このような枚葉式のパドル洗浄では、各々
の薬液が絶えず少量ずつ新しい薬液の状態で供給される
こととなるので、薬液中に取り込まれた汚れが他の基板
に影響を及ぼすことがない上、少量の薬液で非常に高い
洗浄効果を得ることができる。
【0016】基板に供給する硫酸の濃度は90wt%以
上であることが好ましく(請求項3)、また、温度は7
0℃〜120℃の範囲にあることが好ましい(請求項
4)。このような熱濃硫酸を用いれば、特に有機物汚れ
をより効果的に除去することができ、また、装置の耐熱
性を必要以上に増大させる必要が無いので設備コストの
上昇を防ぐことができる。
【0017】また、供給するオゾン水に関しては、オゾ
ン水中のオゾン濃度が10ppm以上であることが好ま
しく(請求項5)、その温度は10℃〜30℃の範囲に
あることが好ましい(請求項6)。オゾン濃度が10p
pm以上であれば、オゾンの酸化力を十分発揮して有機
物を容易に分解することができる。また、供給前に上記
温度範囲内で低温保持すれば自己分解を防ぎ、オゾンの
洗浄効果を十分発揮させることができる。
【0018】硫酸とオゾン水は、80:20から10:
90の範囲の流量比で供給することが好ましい(請求項
7)。このような流量比で硫酸とオゾン水を供給すれ
ば、混合溶液の温度が上昇して熱硫酸による洗浄効果を
確実に発揮させることができる上、洗浄後のリンスも容
易となる。
【0019】前記のように硫酸とオゾン水を供給して精
密基板の洗浄を行った後は、続けて該基板に純水を供給
してリンスを行うことが好ましい(請求項8)。このよ
うに硫酸とオゾン水による洗浄に続けてそのまま基板に
純水を供給してリンスを行えば、洗浄工程全体の処理時
間を一層短縮させることができる。
【0020】本発明で洗浄する精密基板は、フォトマス
ク用ガラス基板、マスクブランク、またはフォトマスク
であることことが好ましい(請求項9)。このような、
例えば合成石英からなる精密基板の洗浄に本発明を適用
することで非常に清浄な基板とすることができ、ひいて
はフォトマスク製造における歩留りを大幅に向上させる
ことができる。
【0021】さらに本発明では、精密基板用の枚葉式洗
浄装置であって、洗浄処理槽と、該処理槽内に配置され
た基板支持台と、該支持台上に保持された精密基板上に
硫酸を供給する硫酸供給口と、前記精密基板上にオゾン
水を供給するオゾン水供給口とを備えていることを特徴
とする精密基板用洗浄装置が提供される(請求項1
0)。このような洗浄装置を用いれば、前記本発明に係
る洗浄方法を容易に実施することができる。
【0022】上記洗浄装置は、好ましくは基板支持台上
に保持された精密基板上にさらにリンス液を供給するリ
ンス供給口を備えていることが好ましい(請求項1
1)。このような洗浄装置を用いれば、硫酸とオゾン水
との洗浄後、そのまま同じ槽内で純水等によるリンス処
理ができ、洗浄工程全体の処理時間の短縮や搬送ロボッ
トを介しての再汚染の防止をはかることができる。
【0023】さらに前記基板支持台は回転できるもので
あることが好ましい(請求項12)。このように回転可
能な支持台を採用すれば、硫酸とオゾン水を基板上に供
給する際に支持台を回転させることで、その混合液を基
板上全体にムラなく供給することができる。また、洗浄
後、そのままリンスを行う際にも支持台の回転により基
板を回転させることでリンスの効率化をはかることがで
き、さらに、リンス後そのままスピン乾燥を行って洗浄
工程全体の処理時間を一層短縮させることもできる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
【0025】本発明は精密基板の洗浄に適用できるもの
であり、洗浄液が基板自体に悪影響を及ぼさない限り洗
浄される精密基板は特に限定されないが、以下、好まし
い適用としてフォトマスク用石英基板を洗浄する場合に
ついて説明する。なお、本発明で言う「フォトマスク用
石英基板」とは、フォトマスク製造工程における最初の
石英ガラス基板そのもの(いわゆるサブストレート)の
ほか、該ガラス基板上に遮光用薄膜が形成されたマスク
ブランク、さらに該マスクブランク上にパターン像が形
成されたフォトマスクなど、フォトマスク製造工程にお
けるいずれの形態の基板を含むものであり、「石英基
板」あるいは単に「基板」と言う場合もある。
【0026】本発明は、精密基板に洗浄液を供給して該
基板を枚葉式に洗浄する際、洗浄液として硫酸とオゾン
水をそれぞれ別個の供給口から基板上に同時に供給する
ことを最大の特徴としている。
【0027】図1は、本発明に係る洗浄装置の一例の概
略を示している。この洗浄装置21は、洗浄処理槽14
と、該処理槽内に配置された基板支持台22とを備え、
さらに、支持台22上に保持された精密基板30上への
硫酸の供給口として硫酸供給用ノズル26を、また、オ
ゾン水の供給口としてオゾン水供給用ノズル27をそれ
ぞれ別個に備えている。
【0028】各ノズル26,27は支持台22の上方に
隣接して位置し、それぞれ硫酸タンク24とオゾン水製
造装置28に接続されている。硫酸タンク24とオゾン
水製造装置28からの硫酸とオゾン水の供給は、それぞ
れ制御ボックス31a,31bからの信号によって制御
され、洗浄条件をプログラムして実行することで、硫酸
とオゾン水とが所定の流量比で各ノズル26,27から
供給される。なお、1つの制御ボックスで硫酸とオゾン
水の各供給量を制御させてもよい。
【0029】硫酸の供給は、常にポンプ29が稼動して
薬液を循環ライン25を通じて循環させておき、必要な
場合にのみ、各弁23a,23bがプロセス側に開いて
硫酸供給用ノズル26から硫酸を吐出させることができ
るようになっている。なお、循環ライン25を設けず
に、必要な場合のみポンプ29を稼動して硫酸を吐出さ
せてもよい。循環ライン25には加熱器32が設けられ
ており、硫酸を所定の温度に保つことができる。必要に
応じてライン途中にフィルターを設けておくこともでき
る。
【0030】また、オゾン水製造装置28により製造さ
れたオゾン水は、制御ボックス31bからの信号によっ
て各弁23c,23dが制御され、必要に応じて開閉さ
れることで、オゾン水供給用ノズル27からオゾン水が
吐出される。
【0031】このような洗浄装置21によりフォトマス
ク用石英基板の洗浄を行う際には、基板30を支持台2
2上に吸引チャック等によって水平に保持し、静止また
は回転させた状態とする。ノズル26,27近辺を拡大
した図2に示されるように、例えば、水平に静止させた
基板30に対し、硫酸とオゾン水を各ノズル26,27
から所定の流量比で少量ずつ供給し、硫酸とオゾン水と
の混合薬液33を表面張力を利用して基板上に保持する
ことで基板30表面をパドル洗浄することができる。な
お、回転可能な支持台を採用し、硫酸とオゾン水を基板
上に供給する際に支持台を回転(例えば10rpm程
度)させることで、その混合薬液を基板上全体にムラな
く供給し、より確実に均一な洗浄を行うことができる。
【0032】このように、枚葉パドル洗浄方式を採用す
ることで、熱濃硫酸及びオゾン水の酸化力が特に有効に
機能し、基板ごとの洗浄効果のバラツキが無く、安定し
た高品質の洗浄が可能となる。
【0033】基板上に供給する硫酸は、硫酸濃度が90
wt%以上であることが好ましく、より好ましくは95
wt%である。硫酸濃度が90wt%未満となると、基
板の汚れがひどい場合に十分な洗浄効果を得られないお
それがある。また、供給する硫酸の温度は、70℃〜1
20℃であることが好ましく、より好ましくは90℃〜
120℃である。温度が70℃未満では有機物等の汚れ
の除去効果が充分得られないおそれがある。一方、12
0℃を超えると、装置に非常に高い耐熱性が求められ、
コストの上昇を招くおそれがあるし、安全上も120℃
以下とするのが望ましい。
【0034】オゾン水に関しては、純水あるいは超純水
にオゾンを溶解させたものを供給するが、オゾン濃度が
10ppm以上であることが好ましく、より好ましくは
20ppm以上である。オゾン濃度が10ppm未満で
は酸化力が充分発揮されずに有機物の分解が不十分とな
るおそれがある。また、供給するオゾン水の温度は、比
較的低温であることが望ましく、10℃〜30℃の範囲
にあることが好ましい。30℃を超えるとオゾンの自己
分解が急速に進み有効成分(オゾン)が減少して洗浄効
果が低下するおそれがある。
【0035】硫酸とオゾン水の流量比は、その混合液と
しての流量を100とした場合、80:20〜10:9
0が好ましく、より好ましくは80:20〜50:50
である。硫酸の流量割合が80を超えると、薬液供給後
の硫酸のリンス性が悪いため、リンス時間の延長を招い
たり、微粒子除去が困難になってしまうおそれがある。
一方、硫酸の流量割合が10未満となると、混合液の温
度が十分に上がらず、熱硫酸による洗浄効果が充分に機
能しなくなるおそれがある。その場合、オゾン水による
分解効果にのみ頼ることとなり、基板表面の汚れを十分
除去できないおそれがある。
【0036】本発明では、前記したように好ましくはパ
ドル洗浄を採用し、熱濃硫酸とオゾン水をそれぞれ別個
の供給口26,27から基板30上に同時に供給して混
合させることで少量の薬液で非常に高い洗浄効果を達成
することができる。すなわち、従来のように基板に供給
する前に硫酸とオゾン水を混合させてしまうと、硫酸の
解離熱による温度保持の効果を生かすことが出来ず、結
果的に多量の薬液の使用を余儀なくされる。また、加熱
の過程でオゾン水中のオゾンは急速に分解されてしまう
ので、結局希釈された熱硫酸が供給されることとなり、
洗浄効果が著しく低下してしまう。
【0037】これに対し本発明では、硫酸とオゾン水を
別個の供給口から基板上に同時に供給して基板上で混合
させているため、硫酸の解離による発熱反応を利用する
ことができる。このような発熱反応の利用により、基板
上での硫酸とオゾン水との混合液を有機物系微粒子や汚
れ等の異物を除去するのに有効な温度条件に維持するこ
とができ、結果的に硫酸及びオゾン水の供給量を最小限
に抑えることができる。なお、硫酸とオゾン水は、それ
ぞれの供給口から吐出されて基板表面に達するまでに混
合させてもよいし、基板表面まで別々に達し、基板上で
混合されるように供給してもよい。
【0038】また、本発明では、パドル洗浄を行うこと
で基板は常に新しい洗浄液により洗浄されることにな
り、洗浄液によって基板が再汚染されることがないとい
う利点がある。さらに、従来の多槽インライン型の基板
洗浄では、1槽1役に制限されるのに対し、パドル洗浄
は1つの槽で2種類以上の機能を持たせることができる
点でも有利である。
【0039】例えば、図1の装置で、硫酸とオゾン水を
それぞれ供給する2つのノズル26,27のほかに、リ
ンス液を供給するさらに別のリンス供給口(リンスノズ
ル)を備えたものとすれば、硫酸とオゾン水とを基板上
に供給して洗浄を行った後、タイムラグ無くリンス工程
に移行することが出来る。この場合、同じ槽内でリンス
処理が出来るため、汚れの再付着や搬送ロボットを介し
ての再汚染等を防止できる。なお、リンスを行う際にも
支持台により基板を回転させることでリンスの効率化や
リンス時間を短縮させることができる。
【0040】さらに、リンス後、そのまま支持台を高速
回転させることでスピン乾燥を行い、洗浄工程全体の処
理時間を一層短縮させることもできる。このように、洗
浄後、基板を支持台上に保持したままリンス、さらにス
ピン乾燥を行うことで、パドル洗浄の特性を十分に発揮
し、洗浄工程全体の処理時間を短縮させることができ
る。
【0041】図3は、前記図1の洗浄装置21が組み込
まれ、洗浄する基板の搬送から、洗浄、リンス、乾燥、
搬出からなる一連の工程を自動的に行うフォトマスク用
石英基板用自動洗浄装置の一例の構成を示している。
【0042】この自動洗浄装置1によりフォトマスク用
石英基板を洗浄する場合、まず、ローダー3に置かれた
カセット(図示せず)から搬送ロボット2によって石英
基板が取り出され、表面スクラブ槽4に送られる。表面
スクラブ槽4では水あるいは適当な洗浄液をかけながら
回転するブラシ材等で基板表面が擦られ(スクラブ)、
付着物が除去される。このようなスクラブ洗浄は、研磨
後の基板に付着している比較的大きな研磨材粒子等を除
去する場合に特に有効である。
【0043】スクラブ洗浄された石英基板は薬液処理槽
(洗浄処理槽)5に搬送され、支持台上に保持される。
そして図1及び図2に示したように、硫酸とオゾン水が
それぞれ別個の供給口26,27から基板30上に同時
に供給されてパドル洗浄が行われる。
【0044】洗浄後、基板は超純水リンス槽6に送ら
れ、リンスされる。なお、図3の自動洗浄装置1には、
搬送ロボット2のアームを洗浄するためのアーム洗浄装
置8が設けられており、必要に応じて搬送ロボット2の
アームが洗浄される。例えば、洗浄処理槽5でパドル洗
浄された基板をリンス槽6に搬送する前にアームの洗浄
が行われ、搬送する際のアームによる基板汚染が防止さ
れる。
【0045】超純水等でリンスされた基板は、次にスピ
ン乾燥され、乾燥後アンローダー7に置かれて一連の洗
浄工程が終了する。なお、乾燥に関しては、超純水リン
ス槽6の次に乾燥槽を設け、例えばイソプロピルアルコ
ール蒸気乾燥等を行うこともできる。このように図3の
自動洗浄装置1では、基板が各槽へ順次搬送されて上記
一連の工程が自動的に進み、安全かつ容易に洗浄処理す
ることができ、外からの汚染を防ぐこともできる。
【0046】なお、各槽の構成はこれに限定されるもの
ではなく、例えば、スクラブ槽4を設けずに、実質的な
汚れの除去を薬液処理槽5だけで行ってもよい。また、
搬送ロボット2に関しても1台に限定されない。
【0047】図4は、本発明に係る自動洗浄装置の他の
構成例を示している。この自動洗浄装置11では、ま
ず、搬送ロボット12によりローダー13のカセットか
ら石英基板が取り出され、薬液処理槽14内に搬送され
る。次いで処理槽14内で、薬液供給ノズル15の別個
の供給口から硫酸とオゾン水がそれぞれ基板上に同時に
供給されてパドル洗浄が行われる。パドル洗浄後、基板
は支持台に保持されたままリンスノズル(リンス供給
口)16から純水が供給されて基板表面がリンスされ
る。なお、洗浄及びリンス中は基板を低速で回転させる
ことによってより均一な洗浄をすることができる。ま
た、基板の表裏両面を洗浄するために、基板の反転機構
を具備するようにしてもよい。
【0048】上記のような方法で洗浄後リンスされた基
板は、搬送ロボット12によって超純水リンス槽20へ
と搬送され、回転可能な支持台上に保持される。超純水
リンス槽20ではリンスノズル19から非常に純度の高
い純水が基板表面にかけられ、混合薬液を完全に除去す
るためのさらなるリンスが行われる。このように超純水
リンスされた基板は、そのままスピン乾燥により乾燥さ
れ、別の搬送ロボット17によってアンローダー18へ
と搬送される。
【0049】なお、図4の自動洗浄装置11では搬送ロ
ボットは2台設けられているが1台で兼ねても良く、ま
た、ローダー13とアンローダー18を1つにして使用
することもできる。さらに、薬液処理槽14、超純水リ
ンス槽20をそれぞれ2つ以上設けることもできる。
【0050】以上のように本発明によれば、フォトマス
ク用石英基板の洗浄において高い洗浄能力を発揮し、有
機物、金属等の汚染物質を除去し、十分清浄化されたフ
ォトマスク基板を得ることができる。特に、加熱された
硫酸と低温に保持されたオゾン水を別々に供給して基板
上で混合し、枚葉式にフォトマスク用石英基板をパドル
洗浄すれば、微粒子、汚れなどの異物を非常に効果的に
除去する事ができる。また、浸漬型のインライン洗浄の
様に繰り返して薬液を使用し続けることがないため、薬
液から基板への再汚染、異物等の再付着を防止できる。
【0051】すなわち、本発明によれば、精密基板に対
して優れた洗浄効果を常に安定して発揮することが可能
となるため、洗浄時間の短縮といった効果にもつなが
り、スループットが改善される。従って、本発明はフォ
トマスクの製造において極めて有効に作用し、半導体集
積回路の微細化、高集積化に十分対応することができ
る。
【0052】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
【0053】(汚染基板の準備)6インチ角の合成石英
製基板を、大気中に存在する異物の数が0.3μm以上
で28.3dm当たり1000個以下の環境にて4週
間放置した。その結果、平均3500個/基板面程度に
汚染されたものを得た。さらに、有機系皮膜状汚れ用の
基板として、ポリエチレン製の容器に納めて4週間放置
し、接触角が平均35度のものを得た。
【0054】(実施例1)図4に示されるような自動洗
浄装置11を用い、第1槽(洗浄処理槽)内の基板支持
台に上記汚染基板を保持し、熱濃硫酸(硫酸濃度:98
wt%、温度:80℃)及びオゾン水(オゾン濃度:2
0ppm、温度:25℃)をそれぞれ別々のノズルから
基板上に供給した。この際、硫酸の供給量は200ml
/min、オゾン水の供給量は50ml/minとし
た。このように基板上で混合させた薬液を基板上に滞留
(酸保持)させた後、さらに別のノズルから純水を供給
してリンスを行った。続いて基板を第2槽(リンス槽)
に移送し、超純水(25℃)によるリンス、さらにスピ
ン乾燥を行った。この一連の洗浄工程で汚染基板を10
0枚洗浄した。
【0055】1枚目と100枚目の基板の接触角を接触
角計にて測定し、0.2μm以上の異物と0.1〜0.
2μmの異物をレーザーテック社製欠陥検査装置MAG
ICSで測定した。その結果を表1に示した。
【0056】(実施例2)熱濃硫酸の供給量を125m
L/min、オゾン水の供給量を125mL/minと
した以外は、実施例1と同じ条件で洗浄を行った。洗浄
後、実施例1と同様に接触角測定及び異物測定を行い、
結果を表1にまとめて併記した。
【0057】(実施例3)熱濃硫酸の温度を120℃、
混合比を20:80とした以外は実施例1と同じ条件で
洗浄を行った。洗浄後、実施例1と同様に接触角測定及
び異物測定を行い、結果を表1にまとめて併記した。
【0058】(比較例1)硫酸とオゾン水を4:1の割
合で予め混合調製した後、100℃に加熱して基板上に
供給した。それ以外は実施例1と同じ条件で洗浄を行っ
た。洗浄後、実施例1と同様に接触角測定及び異物測定
を行い、結果を表1にまとめて併記した。
【0059】
【表1】
【0060】表1の結果から、実施例1〜実施例3の1
枚目と100枚目の基板の接触角は、いずれも5度以下
であるのに対し、比較例1では1枚目が5度以下であっ
たものの100枚目では6.5度となり、洗浄効果が低
下したことがうかがえる。また、異物に関しては、実施
例1〜実施例3の1枚目と100枚目の基板では0.2
μm以上のものは観察されず、0.1〜0.2μmのも
のはいずれも3個以下であった。一方、比較例1では1
枚目の基板上の異物数は実施例のものとほぼ同レベルで
あったが、100枚目の基板では0.1〜0.2μmの
ものは11個観察され、さらに0.2μm以上のものも
5個観察され、洗浄効果の低下が見られた。
【0061】このように、硫酸とオゾン水を別々のノズ
ルから供給して基板上で混合する本発明に係る洗浄方法
(実施例1〜実施例3)は、比較例1の予め硫酸とオゾ
ン水を混合調製したものを基板上に供給する洗浄方法に
比べ、安定した洗浄効果が維持でき、有機物、異物等を
効果的に洗浄除去できることが分かる。
【0062】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本
発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的
に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、
いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含され
る。
【0063】
【発明の効果】以上のように、本発明は、フォトマスク
の製造工程における石英基板等の精密基板の有機物系汚
れや異物を除去する洗浄において、硫酸とオゾン水を各
々個別に供給して基板上で混合させるものである。この
ような供給方法を採用したことで、オゾンの分解が実質
的に基板表面で起こり、オゾンの酸化力と硫酸のそれと
を充分に洗浄に行かすことができ、安定した高品質の洗
浄が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るフォトマスク用石英基板の洗浄装
置の一例を示す構成図である。
【図2】図1の洗浄装置のノズル近辺の拡大図である。
【図3】図1の洗浄装置を組み入れた本発明に係るフォ
トマスク用石英基板の自動洗浄装置の一例を示す構成図
である。
【図4】本発明に係るフォトマスク用石英基板の自動洗
浄装置の他の例を示す構成図である。
【符号の説明】
1…自動洗浄装置、 2…搬送ロボット、 3…ローダ
ー、 4…表面スクラブ槽、 5…洗浄処理槽(薬液処
理槽)、 6…リンス槽、 7…アンローダー、 8…
搬送ロボットアーム洗浄装置、 11…自動洗浄装置、
12…搬送ロボット、 13…ローダー、 14…洗
浄処理槽(薬液処理槽)、 15…薬液供給ノズル、
16…リンスノズル(リンス供給口)、 17…搬送ロ
ボット、18…アンローダー、 19…リンスノズル、
20…超純水リンス槽、 21…自動洗浄装置、 2
2…支持台、 23a,23b,23c,24d…弁、
24…硫酸タンク、 25…循環ライン、 26…硫酸
供給用ノズル、 27…オゾン水供給用ノズル、 28
…オゾン水製造装置、 29…ポンプ、 30…石英基
板、 31a,31b…制御ボックス、 32…加熱
器、 33…混合薬液。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C11D 7/08 C11D 7/08 7/18 7/18 17/08 17/08 (72)発明者 田鹿 篤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社精密機能材料研 究所内 (72)発明者 渡辺 政孝 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社精密機能材料研 究所内 (72)発明者 岡崎 智 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社精密機能材料研 究所内 Fターム(参考) 3B201 AA01 AB01 AB34 BB22 BB82 BB89 BB92 BB93 BB96 BB98 CB11 CC01 CC13 CC21 4H003 BA12 DA15 EA03 EA31 ED02 FA21

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 精密基板に洗浄液を供給して該基板を枚
    葉式に洗浄する方法であって、前記洗浄液として硫酸と
    オゾン水をそれぞれ別個の供給口から基板上に同時に供
    給することを特徴とする精密基板の洗浄方法。
  2. 【請求項2】 前記精密基板を水平に静止または回転さ
    せた状態で、前記硫酸とオゾン水の供給を行うことを特
    徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
  3. 【請求項3】 前記硫酸の濃度が、90wt%以上であ
    ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の洗
    浄方法。
  4. 【請求項4】 前記硫酸の温度が、70℃〜120℃の
    範囲にあることを特徴する請求項1ないし請求項3のい
    ずれか1項に記載の洗浄方法。
  5. 【請求項5】 前記オゾン水中のオゾン濃度が、10p
    pm以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項
    4のいずれか1項に記載の洗浄方法。
  6. 【請求項6】 前記オゾン水の温度が、10℃〜30℃
    の範囲にあることを特徴とする請求項1ないし請求項5
    のいずれか1項に記載の洗浄方法。
  7. 【請求項7】 前記硫酸とオゾン水を、80:20から
    10:90の範囲の流量比で供給することを特徴とする
    請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の洗浄方
    法。
  8. 【請求項8】 前記精密基板の洗浄を行った後、続けて
    該基板に純水を供給してリンスを行うことを特徴とする
    請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の洗浄方
    法。
  9. 【請求項9】 前記洗浄する精密基板が、フォトマスク
    用ガラス基板、マスクブランク、またはフォトマスクで
    あることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれ
    か1項に記載の洗浄方法。
  10. 【請求項10】 精密基板用の枚葉式洗浄装置であっ
    て、洗浄処理槽と、該処理槽内に配置された基板支持台
    と、該支持台上に保持された精密基板上に硫酸を供給す
    る硫酸供給口と、前記精密基板上にオゾン水を供給する
    オゾン水供給口とを備えていることを特徴とする精密基
    板用洗浄装置。
  11. 【請求項11】 前記基板支持台上に保持された精密基
    板上にさらにリンス液を供給するリンス供給口を備えて
    いることを特徴とする請求項10に記載の洗浄装置。
  12. 【請求項12】 前記基板支持台が回転できるものであ
    ることを特徴とする請求項10または請求項11に記載
    の洗浄装置。
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