KR102648258B1 - 오존을 사용한 유리 캐리어 세정 - Google Patents
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Abstract
반도체 제조 프로세스에서 유리 캐리어로부터 유기 접착제를 제거하기 위한 방법에 있어서, 유리 캐리어는 프로세스 챔버 내에 배치된다. 유리 캐리어가 회전되고, 가열된 황산이 유리 캐리어 상에 도포되거나 분무된다. 오존이 프로세스 챔버 내로 도입된다. 오존은 황산을 통해 유리 캐리어 표면 상의 유기 접착제로 확산된다. 황산 및 오존은 유기 접착제와 화학적으로 반응하여 유기 접착제를 유리 캐리어로부터 제거한다.
Description
본 발명의 분야는 반도체 패키징(semiconductor packaging)에 사용되는 유리 캐리어(glass carrier)들로부터 유기 접착제 막들 및 잔류 금속들을 제거하는 것이다.
본 출원의 종래 기술로서, 발명의 명칭이 "FACILITATED PROCESSING FOR CONTROLLING BONDING BETWEEN SHEET AND CARRIER"인 US 2015/0306847 A1, 발명의 명칭이 "CLEANING METHOD AND APPARATUS FOR PRECISION SUBSTRATE"인 JP 2002-151453 A1이 있다.
반도체 디바이스들의 제조에서, 제조 기술들이 발전함에 따라 패키징 및 팬아웃 레벨 프로세싱(fan-out level processing)이 더욱 중요해지고 있다. 패키징 기술은 더 이상 수동적이지 않다. 이제, 패키징 기술은 디바이스 성능에서 능동적인 역할을 한다. 일부 패키징 프로세스들에서, 때로는 유리 웨이퍼(glass wafer)로도 불리는 유리 캐리어에 박화된 반도체 웨이퍼(thinned semiconductor wafer)를 부착할 필요가 있다. 유리 캐리어는 균일한 표면 품질, 두께 및 높은 에지 강도를 갖는 매우 편평한(untra-flat) 특수 유리 구성요소이다. 유리 캐리어는 추가 프로세싱 동안에 반도체 웨이퍼를 지지하고, 다음에 특정 프로세싱이 완료된 후에 반도체 웨이퍼 또는 다이(die)로부터 분리된다. 반도체 웨이퍼가 공칭 700 미크론 두께로부터 박화되는 경우에 유리 캐리어들이 종종 사용된다. 반도체 웨이퍼가 다이싱(dicing)된 경우에도 유리 캐리어들이 사용될 수 있다. 반도체 웨이퍼가 다이싱된 경우, 개별 다이 또는 디바이스들은 서로 분리되거나, 반도체 웨이퍼의 매우 얇은 섹션에 의해서만 연결된다. 다이싱된 반도체 웨이퍼가 유리 캐리어에 접착된 상태에서는, 반도체 웨이퍼는 다이싱되지 않고 여전히 모놀리식(monolithic) 반도체 웨이퍼인 것처럼 추가로 프로세싱될 수 있다.
반도체 디바이스들의 제조에서, 제조 기술들이 발전함에 따라 패키징 및 팬아웃 레벨 프로세싱(fan-out level processing)이 더욱 중요해지고 있다. 패키징 기술은 더 이상 수동적이지 않다. 이제, 패키징 기술은 디바이스 성능에서 능동적인 역할을 한다. 일부 패키징 프로세스들에서, 때로는 유리 웨이퍼(glass wafer)로도 불리는 유리 캐리어에 박화된 반도체 웨이퍼(thinned semiconductor wafer)를 부착할 필요가 있다. 유리 캐리어는 균일한 표면 품질, 두께 및 높은 에지 강도를 갖는 매우 편평한(untra-flat) 특수 유리 구성요소이다. 유리 캐리어는 추가 프로세싱 동안에 반도체 웨이퍼를 지지하고, 다음에 특정 프로세싱이 완료된 후에 반도체 웨이퍼 또는 다이(die)로부터 분리된다. 반도체 웨이퍼가 공칭 700 미크론 두께로부터 박화되는 경우에 유리 캐리어들이 종종 사용된다. 반도체 웨이퍼가 다이싱(dicing)된 경우에도 유리 캐리어들이 사용될 수 있다. 반도체 웨이퍼가 다이싱된 경우, 개별 다이 또는 디바이스들은 서로 분리되거나, 반도체 웨이퍼의 매우 얇은 섹션에 의해서만 연결된다. 다이싱된 반도체 웨이퍼가 유리 캐리어에 접착된 상태에서는, 반도체 웨이퍼는 다이싱되지 않고 여전히 모놀리식(monolithic) 반도체 웨이퍼인 것처럼 추가로 프로세싱될 수 있다.
유리 캐리어들은 필연적으로 매우 높은 품질 표준들에 따라 제조되고, 오염 및 평탄도(flatness)와 같은 파라미터(parameter)들에 대한 중요 사양들을 충족해야 한다. 따라서, 유리 캐리어들은 제조 프로세스에서 고비용 요소이다. 유리 캐리어들을 재사용할 수 있는 것은 전체 제조 비용들을 절감해주고 자원들을 보존한다. 유리 캐리어를 재사용하기 위해서는, 금속들, 이동성 이온들, 입자들, 및 반도체 웨이퍼를 유리 캐리어에 접착하는 데 사용된 유기 접착제 막과 같은 오염물질들이 유리 캐리어에서 먼저 세정될 필요가 있다. 세정 후에는, 유리 캐리어를 재사용할 때 자외선 또는 적외선 기반 디본딩 프로세스(debonding process)들 및 레이저 마크 직렬화(laser mark serialization)가 수행될 수 있게 하도록 유리가 광학적으로 투명한 상태로 유지되어야 한다.
과거에는, "피라냐(piranha)"로도 알려진 황산과 과산화수소 혼합물(SPM)들과 같은 화학물질들을 사용하여 유기 접착제 막들이 반도체 웨이퍼들로부터 제거되었다. 이것은 전형적으로 황산(~96 중량%)과 과산화수소(~30 중량%)의 혼합물이고, 1:1 내지 10:1 범위의 체적비(volumetric ratio)들을 사용하여 50 ℃ 내지 130 ℃ 범위의 온도들 ― 90 ℃ 내지 120 ℃ 범위의 온도들이 가장 일반적임 ― 에서 사용될 수 있다. 황산과 과산화수소의 조합이 반응하여 매우 강력한 산화제들을 형성할 것이다:
이러한 강한 산화제들은 평형 상태에서 제한된 양들로만 생성되며, 상대적으로 불안정하고 수명이 짧다. 그러나, 이들은 유기 막들을 제거하는 데 효과적일 수 있다.
일부 제조 프로세스들에서는 미크론 미만 크기의 입자들이 요인이 될 수 있지만, 반도체 디바이스의 패키징 사양들에서는 일반적으로 1 미크론 초과 범위들의 청정도가 요구된다. 수산화암모늄(~30% NH3)과 과산화수소(~30%) 혼합물들(APM)이 반도체 웨이퍼들로부터의 입자 제거에 사용되고 있으며, 이는 높은 pH 화학물질들이 이러한 목적에 효과적인 것으로 알려져 있기 때문이다. H2O:NH4OH:H2O2의 전형적인 체적비들은 5:1:1 내지 50:1:1 범위이며, 20:4:1이 상당히 일반적이고, 작동 온도들은 50 ℃ 내지 70 ℃ 범위이다.
과산화수소는 암모니아의 존재 시에 실리콘 피팅(silicon pitting)을 최소화하기 위해 실리콘 기판들을 세정하는 데 중요한 것으로 간주된다. 과산화수소는 실리콘 상에 보호 산화막을 유지하는 것을 돕는다. 그러나, 과산화수소는 많은 금속 이온들의 존재 시에 그리고 산들 또는 염기들의 존재 시에, 특히 고온들에서, 상대적으로 불안정하다. 과산화수소는 분자 산소를 방출하면서 분해되어 물을 형성할 것이다. 과산화수소를 세정 화학물질 내로 투여(dose)하거나 세정 화학물질을 교체해야 할 필요성이 주요 비용 요인이 될 수 있다. 과산화수소의 분해가 물을 형성하기 때문에, 희석을 고려하여 제한된 배스 투여(limited bath dosing)가 수행될 수 있다.
금속들의 제거는 종종 다양한 산 혼합물들로 수행된다. 이러한 혼합물들은 HCl:H2O2:H2O, HCl, HCl:HNO3 등을 포함할 수 있다. 세정 혼합물의 선택은 제거될 금속들에 따라 달라진다. 이러한 금속들은 Cu, Ni, Sn, Ag, Co, Au 등을 포함할 수 있다.
유리 세정은, 일련의 세정 화학물질들을 유리 캐리어에 전달함으로써 또는, 유리 캐리어가 세정 화학물질들에 노출되는 일련의 탱크들을 통하게 유리 캐리어를 이동시킴으로써 － 통상적으로 각각의 화학적 단계 사이에 헹굼이 있음 － 그리고, 스핀 건조, 2-프로판올(IPA) 보조 건조 또는 N2/가열 N2 건조와 같은 건조 단계로 마무리함으로써 달성되었다. 전형적인 유기 접착제 제거 시퀀스는 하기와 같을 수 있다:
SPM > DI 수 헹굼 > 금속들 제거 화학물질 > DI 수 헹굼 > APM을 사용한 입자 제거 > 헹굼 > 건조
그러나, 이러한 알려진 유리 세정 프로세스는 상기에서 논의된 바와 같이 과산화수소를 사용하는 단점들을 수반한다. 또한, 금속들을 제거하기 위해 산 혼합물을 사용하거나 그리고/또는 입자들을 제거하기 위해 수산화암모늄을 사용할 필요가 있으므로, 프로세스의 비용, 복잡성, 시간 요구사항들 및 환경적 영향이 추가될 수 있다. 따라서, 유리 캐리어들을 세정하기 위한 개선된 프로세스들에 대한 요구가 존재한다.
알려진 유리 캐리어 세정 기술들에 비해 더 적은 비용 및 더 적은 환경 영향으로 유리 캐리어들을 효과적으로 세정하기 위해 오존이 사용된다. 화학물질 비용들 및 폐기 비용들이 절감된다. 본 오존 프로세스들은 과산화수소 사용을 회피할 수 있으며, 이에 의해 배스 수명을 연장시키고 비용을 절감할 수 있다. 본 오존 프로세스들은 추가 세정 단계들에 대한 필요성 없이 금속 잔류물들을 제거할 수 있다.
일 양상에 있어서, 반도체 제조 프로세스에서, 반도체 웨이퍼는 접착제에 의해 유리 캐리어에 일시적으로 접착되거나 본딩된다. 접착된 반도체 웨이퍼는 하나 이상의 후속 프로세싱 단계들에서 프로세싱된다. 다음에, 접착된 반도체 웨이퍼는 추가적인 개별 프로세싱 및/또는 패키징을 위해 유리 캐리어로부터 제거된다. 유리 캐리어는 재사용을 위해 프로세스 챔버 내에 유리 캐리어를 배치함으로써 세정된다. 황산은 반도체 웨이퍼에 이전에 본딩된 유리 캐리어의 표면에 도포된다. 오존 가스가 프로세스 챔버 내로 제공된다. 오존은 황산을 통해 표면으로 확산된다. 황산 및 오존은 유리 캐리어의 표면으로부터 접착제를 제거한다. 유리 캐리어는 예를 들어 100 내지 2000 rpm으로 회전될 수 있다. 황산은 예를 들어 70 내지 130 ℃로 가열되고 유리 캐리어 상에 분무될 수 있다.
다른 이점들은 하기의 상세한 설명으로부터 당업자에게 명백해질 것이다.
도면들에서, 동일한 요소 번호는 도면들 각각에서 동일한 요소를 나타낸다.
도 1은 제1 포지션에 있는 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2는 제2 포지션에 있는 도 1의 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 3은 제2 포지션에 있는 도 1 및 도 2의 프로세스 챔버의 사시도이다.
도 1은 제1 포지션에 있는 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2는 제2 포지션에 있는 도 1의 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 3은 제2 포지션에 있는 도 1 및 도 2의 프로세스 챔버의 사시도이다.
반도체 재료 웨이퍼가 유리 캐리어에 접착된다. 반도체 웨이퍼는 박화(즉, 두께가 700 미크론 미만이고 전형적으로 10 내지 150 미크론으로 박화됨) 또는 다이싱된 반도체 웨이퍼일 수 있다. 반도체 웨이퍼를 유리 캐리어에 일시적으로 부착하기 위해 유기 접착제가 사용될 수 있다. 일반적으로, 반도체 웨이퍼 및 유리 캐리어는 원형이다. 유리 캐리어의 직경은 반도체 웨이퍼와 동일하거나, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 공칭 300 ㎜ 직경보다 1 내지 4 ㎜ 더 클 수 있거나, 또는 SEMI 3D2와 같은 산업 표준들에 의해 설정될 수 있다. 다음에, 유리 캐리어에 본딩(bonding)된 반도체 웨이퍼는 후속 단계들에서 프로세싱된다. 이러한 후속 프로세싱 동안에, 유기 접착제는 레이저 광에 대한 노출 또는 다른 작용으로 인해 변환되거나 애싱(ashing)될 수 있다. 다음에, 반도체 웨이퍼는 유리 캐리어로부터 제거되어야 하고, 유리 캐리어는 재사용을 위해 세정되어야 한다. 세정 프로세스는 후술하는 바와 같이 수행될 수 있다.
접착제는 황산과 오존의 (벌크) 액체 혼합물(SOM - 황산 오존 액체 혼합물)을 사용하여 유리 캐리어로부터 제거된다. SOM 액체 혼합물은 전형적으로 70 내지 130 ℃, 80 내지 100 ℃, 또는 85 내지 95 ℃ 범위의 고온에서 유리 캐리어에 도포될 수 있다. 구체적으로, 황산은 프로세싱 챔버 내로 제공되기 전에 가열될 수 있다. 유리 캐리어는 또한 챔버를 가열함으로써, 또는 챔버 내의 하나 이상의 히터들을 통해 예열될 수 있다. 유리 기판은 또한 선택적으로 챔버 외부에서 개별적으로 가열된 후에, 프로세싱을 위해 챔버 내로 이동될 수 있다. 반도체 응용들을 위해 제조업체에 의해 제공된 표준 농도 및 순도의 황산이 사용될 수 있다.
모든 가스들과 마찬가지로 오존의 용해도는 온도들이 증가함에 따라 감소한다. 그러나, 화학 반응들의 속도는 온도들이 증가함에 따라 증가한다. 따라서, 오존 농도가 감소함에 따라 반응 속도에도 악영향을 미치기 때문에 오존 농도 최대화와 열역학적 반응 속도들 사이에 균형이 이루어져야 한다. 세정될 반도체 웨이퍼에 SOM을 도포하는 가장 일반적인 수단은 온도 제어된 황산의 탱크 내로 오존을 버블링(bubbling)하거나 주입하는 것이지만, 오존 용해도 제한은 보통 오존의 산화 효과를 감소시킬 것이다. 본 프로세스에서, 오존 용해도 제한은 세정될 유리 캐리어(들)를 수용하는 프로세스 챔버 내로 오존 가스를 직접 주입함으로써 감소되거나 극복될 수 있다. 일 실시예에서, 유기 접착제 제거 단계 동안, 황산(상업적으로 공급됨) 및 오존만이 임의의 다른 화학물질 없이 사용된다.
도 1 내지 도 3은 본 프로세스들을 수행하는 데 사용될 수 있는 프로세서(processor)(10)를 도시한다. 헤드(head)(12)는 리프트/회전 메커니즘(lift/rotate mechanism)(14)의 헤드 아암(head arm)(16) 상에 지지된다. 로터(rotor)(18)는 유리 캐리어(25)의 에지들을 유지하기 위한 핑거(finger)들(20)을 갖는다. 헤드(12)의 모터(22)는 로터(18)를 회전시킨다. 리프트/회전 메커니즘(14)은 도 1에 도시된 페이스 다운(face down) 또는 제1 포지션으로부터 도 2 및 도 3에 도시된 페이스 업(face up) 또는 제2 포지션으로 헤드(12)를 뒤집거나 회전시킬 수 있다. 제1 포지션에서, 유리 캐리어(25)는 프로세서(10)의 보울(bowl) 또는 프로세스 챔버(24)에 있다. 노즐(nozzle)들 또는 출구들(26)은 프로세스 챔버(24) 내로 오존 가스를 도입하거나 분무하도록 포지셔닝된다. 프로세서(10)는 또한 유리 캐리어(25)의 하향 표면 상에 SOM을 분무하기 위한 하나 이상의 노즐들을 갖는 프로세스 스윙 아암(process swing arm)을 포함할 수 있다. 프로세서(10)는 프로세스 챔버의 특정 프로세스 및 위치에 따라 프로세싱 동안에 폐쇄 및 밀봉될 수 있거나 실질적으로만 폐쇄될 수 있다. 핑거들(20)은 프로세스 액체들이 유리 캐리어(25)의 모든 영역들과 보다 양호하게 접촉할 수 있게 하도록 유리 캐리어(25)가 프로세싱 동안에 약간 시프트(shift)될 수 있게 하는 롤러(roller), 볼(ball) 또는 다른 결합 디바이스를 포함할 수 있다.
온도 제어된 황산은, 예를 들어 노즐(30)을 통해, 유리 캐리어(25) 상에 분무될 수 있는 동시에, 오존은 출구들 또는 노즐들(26)을 통해 프로세스 챔버(24) 내로 전달된다. 대안적으로, 유리 캐리어가 오존 함유 환경에 노출되면서, 유리 캐리어 표면은 황산으로 코팅된다.
모터(motor)(22)는 로터(18) 및 유리 캐리어(25)를 100 내지 2000 rpm, 300 내지 1500 rpm, 또는 300 내지 1000 rpm으로 회전시키도록 제어된다. 이러한 회전은 황산을 분산시키고 SOM 액체의 경계 층을 박화시키는 것을 도우며, 이를 통해 오존 가스가 유리 캐리어 표면 상의 유기 재료들 및 금속들과 반응하도록 확산할 수 있다. 이것은 용해도를 통해 유리 캐리어 표면의 오존에 온도가 가해지는 제약조건을 극복하는데, 이는 확산이 용해와는 완전히 다른 메커니즘이고 온도 상승에 의해 억제되는 것이 아니라 향상되기 때문이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 유리 캐리어(25)는 페이스 업이 되도록 뒤집어질 수 있고, 또한 제2 포지션으로 수직 상방으로 들어올려질 수 있다. 유리 캐리어(25)는, 제2 포지션에서, 탈이온수로 헹궈질 수 있고, 헹굼 아암(36) 상의 노즐(들)(38)을 통해 유리 캐리어의 상향 표면으로 전달되는 혼합물을 함유하는 수산화암모늄에 노출될 수 있다. 수산화암모늄은 단독으로 중요하고 적합한 유리 세정제인 반면, 과산화수소 또는 오존 형태의 산화제와 함께 결합될 때 세정력이 향상될 수 있다. 어느 경우에도, 산화제는 존재할 수 있는 임의의 유기 잔류물들뿐만 아니라 일부 금속들을 추가로 제거할 수 있다. 높은 pH는 입자 제거를 향상시키고 유리를 완전히 세정된 상태로 유지한다. 헹굼 후에, 유리 캐리어는 선택적으로 회전 및/또는 가열된 공기 또는 가스들을 사용하여 건조될 수 있다. 드레인 링(drain ring)들(40)이 제공되어 사용되는 경우, 리프트/회전 메커니즘은 로터(18)를 수직으로 이동시켜서 회전하는 유리 캐리어(25)에서 떨어져 나온 액체를 선택된 드레인 링 내로 수집한다.
실험들은 다양한 금속들의 예기치않은 상당한 제거를 보여주었다. 이러한 제거 중 일부는 접착제 층이 제거될 때 언더커팅(undercutting)에 의해 달성되었을 수 있다. 그러나, 세정은 예상보다 효율적이거나 전형적인 SPM 세정에서 관찰된 것보다 효율적이었다. 특히 SOM 세정이 수산화암모늄 기반 단계와 함께 사용된 경우에, 테스트 샘플들에서 달성 및 관찰된 금속 제거에서는 별도의 금속 제거 화학물질 및 세정 단계에 대한 필요성이 없어졌다. 접착제 막 및 금속들의 제거 후의 입자 레벨들은, 텐코 표면 입자 카운터(Tencor surface particle counter)에서 행해진 측정들에 대하여, 제조업체로부터 제공된 순수 유리 범위이거나 그보다 낮았다. 금속들 및 이동성 이온 오염 레벨들도 또한 유리 캐리어들을 재사용할 목적으로 허용 가능하였다.
전술한 프로세스를 통해 세정된 샘플들은 유리 캐리어들로서 추가로 사용하기에 그것들을 부적합하게 하는 열화, 균열, 크레이징(crazing) 또는 불완전성을 나타내지 않았다. 유리 품질에 악영향을 미치는 세정 사이클들의 횟수에 대한 표시가 없다.
오존이 분해됨에 따라, 오존은 단순히 산소를 형성하며, 따라서 배스 희석이 일어나지 않는다. 따라서, 시간 단위로 과산화수소를 투여하고 몇 시간마다 배스를 교체해야 할 수 있는 SPM 배스는 그로 인해 적어도 하루 종일, 잠재적으로는 며칠 동안 연장될 수 있다.
본 방법들은 접착제 제거 단계에서 과산화수소의 사용을 회피할 수 있게 한다. 따라서, 배스 수명이 연장될 수 있다. 배스 투여가 또한 회피될 수 있으며, 이는 시간 경과에 따른 배스 조성의 변동들을 회피하는 것을 돕는다. 본 방법들은 또한 별도의 금속 제거 세정 단계에 대한 필요성 없이 접착제 제거 프로세스 동안에 금속들을 효과적으로 제거할 수 있게 한다. 이러한 요인들의 결과로서, 본 방법들은 유리 캐리어들의 개선되고 보다 비용 효율적인 세정을 제공한다.
반도체 웨이퍼들을 세정하는 데 사용되는 알려진 오존 프로세스들과 달리, 본 프로세스들은 유리 캐리어 표면 상에 극도로 얇은 액체 경계 층을 달성할 필요가 없다. 예를 들어, SOM의 액체 경계 층은 1 내지 3 ㎜ 일 수 있다. 유리 캐리어가 높은 rpm 속도로 회전되는 경우, SOM의 경계 층은 일부 응용들에서 1 ㎜ 미만, 예를 들어 0.1 내지 1 ㎜ 또는 0.1 내지 5 ㎜일 수 있다. 알려진 오존 프로세스들과 달리, 액체는 수용액이 아니라 SOM이다. 또한, 유리 캐리어 상의 유기 접착제는 그것을 완전히 에칭하거나 산화하는 것이 아니라, 그것을 언더커팅하는 화학물질을 통해 주로 리프트 오프(lift off) 또는 박리 프로세스될 수 있다. 유리 캐리어 상의 유기 접착제는 또한, 다양한 프로세스 단계들을 거친 후에 애싱 잔류물이 되기 때문에 반도체 웨이퍼들 상의 유기 접착제와는 상이하다. 이것은 반도체 웨이퍼들 상의 유기 접착제 층들과 비교하여 제거하기가 더 어렵게 한다. 잔류물 및 다른 오염물질은 또한 주로 유리 캐리어의 에지들 주위에 있는 반면, 반도체 웨이퍼들의 에지들에는 일반적으로 어떠한 유기 오염물질 층도 없다.
일반적으로, 유리 캐리어들은 각각의 세정 사이클 동안에 프로세스 챔버에서 하나의 유리 캐리어를 사용하여 개별적으로 프로세싱될 수 있다. 대안적으로, 프로세스 챔버는 다수의 유리 캐리어들을 배치(batch)식으로 프로세싱하도록 설계될 수 있다. 유리 캐리어들은 전형적으로 수평 포지션, 즉 페이스 업 또는 페이스 다운 포지션에 있는 동안에 프로세싱될 수 있으며, 중력이 유리 캐리어 상의 프로세스 액체의 균일한 층을 유지하는 것을 돕는다. 그러나, 유리 캐리어들은 또한 프로세스 챔버의 설계에 따라 비-수평 포지션 또는 수직 포지션에서 프로세싱될 수도 있다.
Claims (21)
- 반도체 제조 방법으로서,
유기 접착제(organic adhesive)에 의해 유리 캐리어(glass carrier)에 반도체 웨이퍼를 접착하는 단계;
상기 접착된 반도체 웨이퍼를 하나 이상의 후속 프로세싱 단계들에서 프로세싱하는 단계;
상기 접착된 반도체 웨이퍼를 상기 유리 캐리어로부터 제거하는 단계;
상기 유리 캐리어를 하향 포지션으로 하여, 상기 유리 캐리어를 프로세스 챔버 내의 로터(rotor) 상에 배치하는 단계 － 상기 로터는, 상기 유리 캐리어가 상기 로터에 대해 이동할 수 있게 하면서 상기 유리 캐리어를 상기 로터 상에 유지시키는 복수의 핑거들을 가짐 －;
황산을 70 내지 130 ℃로 가열하는 단계;
상기 유리 캐리어의 표면에 상기 가열된 황산을 도포하는 단계;
상기 유리 캐리어를 100 내지 2000 rpm으로 회전시키고 상기 유리 캐리어 상에 상기 가열된 황산을 분무하는 단계 － 상기 황산은 1 내지 3 ㎜의 두께를 갖는 액체 경계 층을 형성함 －; 및
상기 프로세스 챔버 내에 오존 가스를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 유리 캐리어의 표면으로부터 상기 유기 접착제 및 금속 오염물질들을 제거하기 위해 상기 오존이 상기 황산을 통해 상기 표면으로 확산되고,
상기 유기 접착제 및 금속 오염물질들은 상기 황산 및 상기 오존의 혼합물에 의해 상기 유리 캐리어의 표면으로부터 제거되는,
반도체 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 오존은 건조 가스로서 상기 프로세스 챔버 내에 제공되는,
반도체 제조 방법. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 표면이 상향(up-facing)으로 있는 포지션으로 상기 유리 캐리어를 뒤집는 단계;
상기 표면 상에 과산화수소를 도포하는 단계;
상기 표면을 탈이온수로 헹구는 단계; 및
상기 유리 캐리어를 건조시키는 단계를 더 포함하는,
반도체 제조 방법. - 제8 항에 있어서,
상기 표면 상에 상기 과산화수소와 조합하여 수산화암모늄을 제공하는 단계를 더 포함하는,
반도체 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
과산화수소가 사용되지 않는,
반도체 제조 방법. - 삭제
- 제6 항에 있어서,
상기 오존은 상기 황산을 통해 상기 유리 캐리어의 표면으로 확산되고, 상기 황산 및 상기 오존은 상기 유기 접착제와 화학적으로 반응하여 상기 유리 캐리어로부터 상기 유기 접착제를 제거하며;
상기 방법은,
제2 반도체 웨이퍼를 상기 유리 캐리어에 부착함으로써 상기 유리 캐리어를 재사용하는 단계를 더 포함하는,
반도체 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 유기 접착제는 상기 하나 이상의 후속 프로세싱 단계들에서 애싱(ash)되는,
반도체 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 유기 접착제는 상기 유리 캐리어의 하향 표면 상에 있고, 상기 황산은 상기 하향 표면 상에 적어도 부분적으로 수직 상향으로 분무되는,
반도체 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 유리 캐리어를 뒤집는 단계;
상기 유리 캐리어 상에 과산화수소를 도포하는 단계;
상기 유리 캐리어를 탈이온수로 헹구는 단계; 및
상기 유리 캐리어를 건조시키는 단계를 더 포함하는,
반도체 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 유리 캐리어 상에 과산화수소와 조합하여 수산화암모늄을 제공하는 단계를 더 포함하는,
반도체 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 반도체 제조 방법으로서,
박화된(thinned) 및/또는 다이싱된(diced) 반도체 웨이퍼를 유기 접착제에 의해 유리 캐리어에 접착하는 단계;
상기 접착된 박화된 및/또는 다이싱된 반도체 웨이퍼를 하나 이상의 후속 프로세싱 단계들에서 프로세싱하는 단계;
상기 접착된 박화된 및/또는 다이싱된 반도체 웨이퍼를 상기 유리 캐리어로부터 제거하는 단계;
상기 유리 캐리어를 하향 포지션으로 하여, 상기 유리 캐리어를 프로세스 챔버 내의 로터 상에 배치하는 단계 － 상기 로터는, 상기 유리 캐리어가 상기 로터에 대해 이동할 수 있게 하면서 상기 유리 캐리어를 상기 로터 상에 유지시키는 복수의 핑거들을 가짐 ―;
황산을 70 내지 130 ℃로 가열하는 단계;
상기 유리 캐리어를 100 내지 2000 rpm으로 회전시키고 상기 유리 캐리어의 하향 표면 상에 상기 가열된 황산을 분무하는 단계 ― 상기 황산은 1 내지 3 ㎜의 두께를 갖는 액체 경계 층을 형성함 ―;
상기 프로세스 챔버 내에 건조 가스로서 오존 가스를 제공하는 단계 ― 상기 오존은 상기 황산을 통해 상기 표면으로 확산되어 상기 유리 캐리어의 표면으로부터 유기 접착제 및 금속 오염물질을 제거함 ―;
상기 표면이 상향으로 있는 포지션으로 상기 유리 캐리어를 뒤집고, 상기 표면 상에 과산화수소 및 수산화암모늄을 도포하고, 상기 표면을 탈이온수로 헹구고, 상기 유리 캐리어를 건조시키는 단계; 및
상기 유리 캐리어에 제2 박화된 및/또는 다이싱된 반도체 웨이퍼를 접착함으로써 상기 유리 캐리어를 재사용하는 단계를 포함하는,
반도체 제조 방법.
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