JP2000126703A - 水系洗浄方法 - Google Patents
水系洗浄方法Info
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- JP2000126703A JP2000126703A JP10302063A JP30206398A JP2000126703A JP 2000126703 A JP2000126703 A JP 2000126703A JP 10302063 A JP10302063 A JP 10302063A JP 30206398 A JP30206398 A JP 30206398A JP 2000126703 A JP2000126703 A JP 2000126703A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラスチック製容器、ガラス基板および半導体
用シリコンウエハーを純水、超純水で洗浄している方法
では、洗浄後のダストレベルが低減しない問題がありこ
れらの問題点を解消できる洗浄方法を提供する。 【解決手段】プラスチック製容器、ガラス基板および半
導体用シリコンウエハーの洗浄液である水系洗浄液の電
気抵抗値を下げることにより洗浄効果を格段に向上させ
る方法。
用シリコンウエハーを純水、超純水で洗浄している方法
では、洗浄後のダストレベルが低減しない問題がありこ
れらの問題点を解消できる洗浄方法を提供する。 【解決手段】プラスチック製容器、ガラス基板および半
導体用シリコンウエハーの洗浄液である水系洗浄液の電
気抵抗値を下げることにより洗浄効果を格段に向上させ
る方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック製容
器、ガラス基板等、及び半導体用基板の洗浄方法に関す
るものである。
器、ガラス基板等、及び半導体用基板の洗浄方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体集積回路の製作を中心とする
エレクトロニクス業界ではデバイスの高集積化、高密度
化、高速化などを達成するために，構成素子、素子間の
配線等はますます微細化する傾向にある。このためリソ
グラフィー加工での製品欠陥を防ぐ必要性から半導体基
板上および電子材料用薬液を充填する容器等のダスト量
の低減が渇望されている。
エレクトロニクス業界ではデバイスの高集積化、高密度
化、高速化などを達成するために，構成素子、素子間の
配線等はますます微細化する傾向にある。このためリソ
グラフィー加工での製品欠陥を防ぐ必要性から半導体基
板上および電子材料用薬液を充填する容器等のダスト量
の低減が渇望されている。
【０００３】従来、半導体基板、電子材料用薬液用プラ
スチック、ガラス基板等の洗浄方法としては、水、なか
でも超純水による高圧液体噴射洗浄、水流および超音波
洗浄が一般的に用いられている。
スチック、ガラス基板等の洗浄方法としては、水、なか
でも超純水による高圧液体噴射洗浄、水流および超音波
洗浄が一般的に用いられている。
【０００４】しかしながら超純水はその性質上、通常の
水とは異なり導電性が非常に低く、洗浄時の摩擦により
被洗浄物が帯電しやすい。このため被洗浄物は洗浄中ま
たは洗浄後に雰囲気中のダストを静電気により引きつ
け、洗浄効果を低減させ、かえってダスト混入による製
品欠陥を増大させる危険性を含んでいた。
水とは異なり導電性が非常に低く、洗浄時の摩擦により
被洗浄物が帯電しやすい。このため被洗浄物は洗浄中ま
たは洗浄後に雰囲気中のダストを静電気により引きつ
け、洗浄効果を低減させ、かえってダスト混入による製
品欠陥を増大させる危険性を含んでいた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するために、洗浄時の摩擦帯電を防ぎ高い洗浄効
果が得られる洗浄方法を提供するものである。
を解決するために、洗浄時の摩擦帯電を防ぎ高い洗浄効
果が得られる洗浄方法を提供するものである。
【０００６】したがって本発明は洗浄容器の物理化学的
付着（つまり粒子と洗浄表面間に分子間力すなわちファ
ンデルワールス力による付着及び粒子と洗浄表面間の毛
管に凝縮した水による毛管力防止）と物理的付着（粒子
と洗浄表面間に生成した静電気よる付着、表面の凹部に
絡まり合う、くさび効果）を比抵抗値を小さくした水系
洗浄液を用いることにより防止し、被洗浄物質表面での
静電気の発生を防止する。この結果、洗浄効果を上げ、
また洗浄後のダストバラツキを小さくすることを目的と
する。
付着（つまり粒子と洗浄表面間に分子間力すなわちファ
ンデルワールス力による付着及び粒子と洗浄表面間の毛
管に凝縮した水による毛管力防止）と物理的付着（粒子
と洗浄表面間に生成した静電気よる付着、表面の凹部に
絡まり合う、くさび効果）を比抵抗値を小さくした水系
洗浄液を用いることにより防止し、被洗浄物質表面での
静電気の発生を防止する。この結果、洗浄効果を上げ、
また洗浄後のダストバラツキを小さくすることを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は水を使用する洗
浄において、該水に導電性を付与することを特徴とする
水系洗浄方法である。
浄において、該水に導電性を付与することを特徴とする
水系洗浄方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における洗浄水とは、イオ
ン交換処理および０．５μｍ以下の孔径のフィルターで
の濾過処理を行なったもので、本発明における洗浄水の
好ましい比抵抗値αは０ＭΩ・ｃｍ＜α＜１５ＭΩ・ｃ
ｍが好ましく、より好ましくは０ＭΩ・ｃｍ＜α＜１３
ＭΩ・ｃｍである。本発明のおける比抵抗値の測定はＡ
ＱＵＡ ＭＥＤＩＡ製の水質監視計で比抵抗測定法に準
拠し測定した。
ン交換処理および０．５μｍ以下の孔径のフィルターで
の濾過処理を行なったもので、本発明における洗浄水の
好ましい比抵抗値αは０ＭΩ・ｃｍ＜α＜１５ＭΩ・ｃ
ｍが好ましく、より好ましくは０ＭΩ・ｃｍ＜α＜１３
ＭΩ・ｃｍである。本発明のおける比抵抗値の測定はＡ
ＱＵＡ ＭＥＤＩＡ製の水質監視計で比抵抗測定法に準
拠し測定した。
【０００９】本発明において、導電性を付与した洗浄水
により洗浄される被洗浄物としては例えばプラスチック
容器、ガラス製容器、半導体基板、ガラス基板、セラミ
ック基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム、
プラスチックファイバー等があげられる。プラスチック
としては例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン等のポリオレ
フィン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレ
ンテレフタレートのポリエステル樹脂、ポリメチルメタ
クリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート等のアクリル樹脂、６−ナイロン、６，６−
ナイロン等のポリアミド樹脂、ポリテトラフルオロエチ
レン等のフッ素樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂等があげられるがこ
れらに限定されない。またこれらの樹脂の共重合物ある
いは溶融混合物であってもかまわない。
により洗浄される被洗浄物としては例えばプラスチック
容器、ガラス製容器、半導体基板、ガラス基板、セラミ
ック基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム、
プラスチックファイバー等があげられる。プラスチック
としては例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン等のポリオレ
フィン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレ
ンテレフタレートのポリエステル樹脂、ポリメチルメタ
クリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート等のアクリル樹脂、６−ナイロン、６，６−
ナイロン等のポリアミド樹脂、ポリテトラフルオロエチ
レン等のフッ素樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂等があげられるがこ
れらに限定されない。またこれらの樹脂の共重合物ある
いは溶融混合物であってもかまわない。
【００１０】半導体基板としては例えばシリコン基板、
ガリウム砒素基板およびこれらの加工工程における中間
製品等があげられるがこれらに限定されない。ガラス材
質としてはナトリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、石英
ガラス等があげられるがこれらに限定されない。
ガリウム砒素基板およびこれらの加工工程における中間
製品等があげられるがこれらに限定されない。ガラス材
質としてはナトリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、石英
ガラス等があげられるがこれらに限定されない。
【００１１】電子工業用コーティング剤とは例えば、Ｄ
ＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリー等の半導体デバ
イス、光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスク等の
記録媒体、ハードディスク等の読取りに用いる磁気抵抗
素子（ＭＡＧＮＥＴＯＲＥＳＩＴＩＶＥ素子）、カラー
フィルター、プラズマディスプレイ等のガラス基板など
の製作に使用できる高分子溶液をいう。本発明における
高分子としては、例えば、ノボラック樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリブテンスルホン、含フッ素メタクリレート樹
脂等があげられるがこれらに限定されない。
ＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリー等の半導体デバ
イス、光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスク等の
記録媒体、ハードディスク等の読取りに用いる磁気抵抗
素子（ＭＡＧＮＥＴＯＲＥＳＩＴＩＶＥ素子）、カラー
フィルター、プラズマディスプレイ等のガラス基板など
の製作に使用できる高分子溶液をいう。本発明における
高分子としては、例えば、ノボラック樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリブテンスルホン、含フッ素メタクリレート樹
脂等があげられるがこれらに限定されない。
【００１２】本発明において洗浄水、特に超純水と接触
させて導電性を付与するための気体としては、洗浄後、
被洗浄物に残存しないものであればよく、例えばＣ
Ｏ2、Ｏ3、Ｃｌ2、ＮＨ3、Ｈ2Ｓｅ、ＡｓＨ3、ＨＯＣ
Ｎ、ＨＮＣＯ、ＮＯ、ＮＯ2、ＳＯ2、ＰＨ3、（Ｃ
Ｎ）2、ＨＣＮ、ＮＨ4Ｆ、ＮＯＦ、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、Ｃ
ＮＣｌ等があげられるがこれらに限定されない。
させて導電性を付与するための気体としては、洗浄後、
被洗浄物に残存しないものであればよく、例えばＣ
Ｏ2、Ｏ3、Ｃｌ2、ＮＨ3、Ｈ2Ｓｅ、ＡｓＨ3、ＨＯＣ
Ｎ、ＨＮＣＯ、ＮＯ、ＮＯ2、ＳＯ2、ＰＨ3、（Ｃ
Ｎ）2、ＨＣＮ、ＮＨ4Ｆ、ＮＯＦ、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、Ｃ
ＮＣｌ等があげられるがこれらに限定されない。
【００１３】本発明において前記洗浄水に導電性を付与
するための気体の溶解量は、好ましくは超純水１００ｇ
の中に０．００１ｇ〜１０ｇ、より好ましくは０．０１
ｇ〜１ｇである。溶解量があまりにも少ないと導電性が
不足し、洗浄時に静電気を発生を発生する。また溶解量
があまりに多いと発泡が生じ洗浄ムラを引き起こす恐れ
がある。超純水に上記気体を溶解させる方法としては、
例えばバブリング、加圧溶解、浸透等があるがこれらに
限定されない。
するための気体の溶解量は、好ましくは超純水１００ｇ
の中に０．００１ｇ〜１０ｇ、より好ましくは０．０１
ｇ〜１ｇである。溶解量があまりにも少ないと導電性が
不足し、洗浄時に静電気を発生を発生する。また溶解量
があまりに多いと発泡が生じ洗浄ムラを引き起こす恐れ
がある。超純水に上記気体を溶解させる方法としては、
例えばバブリング、加圧溶解、浸透等があるがこれらに
限定されない。
【００１４】
【実施例】本発明を詳細に説明するために、実施例を用
いて説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されな
い。実施例中、洗浄後のプラスチック製容器、ガラス基
板及び半導体用シリコンウエハーのダストは以下の方法
により評価した。
いて説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されな
い。実施例中、洗浄後のプラスチック製容器、ガラス基
板及び半導体用シリコンウエハーのダストは以下の方法
により評価した。
【００１５】プラスチック製容器評価方法プラスチック
製容器を比抵抗値を小さくした水系洗浄液で洗浄後、容
器内のダストを測定するために電子工業用アセトンで容
器内を置換した。置換した液のダストをハイアックロイ
コ社製の自動微粒子測定装置（３４６ＢＣＬ型）で測定
した。
製容器を比抵抗値を小さくした水系洗浄液で洗浄後、容
器内のダストを測定するために電子工業用アセトンで容
器内を置換した。置換した液のダストをハイアックロイ
コ社製の自動微粒子測定装置（３４６ＢＣＬ型）で測定
した。
【００１６】ガラス基板評価方法ガラス基板を比抵抗値
を小さくした水系洗浄液で洗浄後、ガラス表面上のダス
トを日立電子エンジニアリング製の表面異物測定装置
（ＬＳ−５０００）で測定した。
を小さくした水系洗浄液で洗浄後、ガラス表面上のダス
トを日立電子エンジニアリング製の表面異物測定装置
（ＬＳ−５０００）で測定した。
【００１７】半導体用シリコンウエハーの評価方法 半導体用シリコンウエハーを比抵抗値を小さくした水系
洗浄液で洗浄後、ウエハー上のダストを日立電子エンジ
ニアリング製の表面異物測定装置（ＬＳ−５０００）で
測定した。
洗浄液で洗浄後、ウエハー上のダストを日立電子エンジ
ニアリング製の表面異物測定装置（ＬＳ−５０００）で
測定した。
【００１８】実施例１〜２、比較例１ ＣＯ2ガスと超純水を接触させ、比抵抗値を小さくした
各抵抗値の水系洗浄液でプラスチック製容器をノズル洗
浄した。その時のノズル洗浄圧力は３ｋｇ／ｃｍ2とし
た。プラスチック製容器は１Ｌを採用し、洗浄後のプラ
スチック製容器のダストを測定した。その結果を表１に
示す。
各抵抗値の水系洗浄液でプラスチック製容器をノズル洗
浄した。その時のノズル洗浄圧力は３ｋｇ／ｃｍ2とし
た。プラスチック製容器は１Ｌを採用し、洗浄後のプラ
スチック製容器のダストを測定した。その結果を表１に
示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】実施例３〜４、比較例２ ＣＯ2ガスと超純水を接触させ、電気抵抗値小さくした
各抵抗値の水系洗浄液でガラス基板をノズル洗浄した。
その時のノズル洗浄圧力は３ｋｇ／ｃｍ2とした。ガラ
ス基板は１０ｃｍ2□を採用し、洗浄後のガラス基板の
ダストを測定した。その結果を表２に示す
各抵抗値の水系洗浄液でガラス基板をノズル洗浄した。
その時のノズル洗浄圧力は３ｋｇ／ｃｍ2とした。ガラ
ス基板は１０ｃｍ2□を採用し、洗浄後のガラス基板の
ダストを測定した。その結果を表２に示す
【表２】
【００２１】実施例５〜６、比較例３ ガラス基板を半導体用シリコンウエハーに換えた他は、
実施例３〜４、比較例２と同様に行った。半導体用シリ
コンウエハーは４インチを採用し、洗浄後の半導体用シ
リコンウエハーのダストを測定した。その結果を表３に
示す
実施例３〜４、比較例２と同様に行った。半導体用シリ
コンウエハーは４インチを採用し、洗浄後の半導体用シ
リコンウエハーのダストを測定した。その結果を表３に
示す
【表３】
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、洗浄効果が高くかつ設
備化も電気抵抗値を下げるガスを接触させるだけでよ
い。また洗浄物に不純物として残存しないため、特別な
リンス作業の必要はない。
備化も電気抵抗値を下げるガスを接触させるだけでよ
い。また洗浄物に不純物として残存しないため、特別な
リンス作業の必要はない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｃ１１Ｄ 17/08
Claims (6)
- 【請求項１】水を使用する洗浄であって、該水に導電性
を付与することを特徴とする水系洗浄方法。 - 【請求項２】水に可溶な気体と接触させることにより導
電性を付与することを特徴とする請求項１記載の水系洗
浄方法。 - 【請求項３】水に可溶な気体が二酸化炭素であることを
特徴とする請求項２記載の水系洗浄方法。 - 【請求項４】被洗浄物がプラスチック製容器もしくはガ
ラス製容器であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れか記載の水系洗浄方法。 - 【請求項５】被洗浄物が半導体基板もしくはガラス基板
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の
水系洗浄方法。 - 【請求項６】容器に充填されるものが電子工業用コーテ
ィング剤であることを特徴とする請求項４記載の水系洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302063A JP2000126703A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 水系洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302063A JP2000126703A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 水系洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000126703A true JP2000126703A (ja) | 2000-05-09 |
Family
ID=17904478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10302063A Pending JP2000126703A (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 水系洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000126703A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007021477A (ja) * | 2005-06-16 | 2007-02-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス浄化装置及び排ガス処理方法 |
| JP2012203937A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| WO2022103486A1 (en) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | Applied Materials, Inc. | Glass carrier cleaning using ozone |
-
1998
- 1998-10-23 JP JP10302063A patent/JP2000126703A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007021477A (ja) * | 2005-06-16 | 2007-02-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス浄化装置及び排ガス処理方法 |
| JP2012203937A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| WO2022103486A1 (en) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | Applied Materials, Inc. | Glass carrier cleaning using ozone |
| TWI795010B (zh) * | 2020-11-11 | 2023-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 半導體製造方法及用以處理半導體晶圓的方法 |
| US11673830B2 (en) | 2020-11-11 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Glass carrier cleaning using ozone |
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