JP5458857B2 - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5458857B2 JP5458857B2 JP2009283011A JP2009283011A JP5458857B2 JP 5458857 B2 JP5458857 B2 JP 5458857B2 JP 2009283011 A JP2009283011 A JP 2009283011A JP 2009283011 A JP2009283011 A JP 2009283011A JP 5458857 B2 JP5458857 B2 JP 5458857B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- chuck member
- ozone
- pure water
- cleaning tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 354
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 174
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 113
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 106
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 97
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 86
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 77
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
(1)オゾン洗浄液を充填したオゾン洗浄槽およびアルカリ成分含有溶液を充填したアルカリ洗浄槽を含む複数の洗浄槽と、該複数の洗浄槽間で移動可能であり、搬送アームおよび該搬送アームに設けられたチャック部材を有する搬送手段とを具える洗浄装置の前記チャック部材で、複数の被処理物のうち一つの被処理物を分離可能に保持した状態で、前記複数の洗浄槽のうち一つの洗浄槽内の洗浄液に、少なくとも前記チャック部材および前記搬送アームの一部とともに前記一つの被処理物を浸漬させ、その後、前記一つの洗浄槽内における前記一つの被処理物の処理中に、前記一つの被処理物から前記チャック部材を分離して前記搬送手段を移動させ、前記チャック部材で、予め他の洗浄槽内の洗浄液に浸漬していた他の被処理物を分離可能に保持する工程を具える複数の被処理物の洗浄方法であって、該方法は、前記チャック部材で、予め前記オゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、前記搬送アームの一部および前記チャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分が前記オゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。
本発明に従う洗浄方法は、一例として図3に示すように、オゾン洗浄液を充填したオゾン洗浄槽およびアルカリ成分含有溶液を充填したアルカリ洗浄槽を含む複数の洗浄槽と、これら複数の洗浄槽間で移動可能であり、搬送アームおよびこの搬送アームに設けられたチャック部材を有する搬送手段とを具える洗浄装置を用いる。この搬送手段は、一例として図1に示すように、洗浄槽100内に予め被処理物101を載置および固定する固定手段102を設けておき、被処理物101を搬送手段の搬送アーム103のチャック部材104で保持した状態で洗浄槽100内の固定手段102に移し変えて、洗浄槽100内の洗浄液105により洗浄する構成を有する。
図7に示す洗浄槽配列および搬送手段の移動順を用い、50枚のウェーハを1セットとしたものを被処理物として、複数の被処理物に対して洗浄を行った。本参考例においては、ウェーハをオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬することによってウェーハ表面に発生するクモリを観察する目的で、フッ酸洗浄を行った撥水表面を有するウェーハを洗浄した。また、オゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液への浸漬時間が短いとウェーハ表面上に発生するクモリが除去できなく、逆に浸漬時間が長いとクモリは消滅するものの生産性低下につながるため、浸漬時間は5分とした。
搬送手段の搬送アームおよびチャック部材の洗浄は、被処理物用純水洗浄槽(第1純水洗浄槽)の中の純水に搬送アームおよびチャック部材を浸漬させた後に引き上げることで行った。このとき、被処理物用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度は300mm/secとした。
オゾン洗浄水は、オゾンガスを超純水に溶解させた20ppmのオゾン水を10L/minの供給速度でオゾン洗浄槽に連続的に供給した。搬送アームおよびチャック部材を浸漬させる前のオゾン洗浄槽内におけるオゾン濃度(以下「初期オゾン濃度」という)は、10ppmであった。
また、集光灯下において50枚のウェーハ全ての表面を目視検査したところ、ウェーハ表面上のクモリは殆ど観察されなかった。
さらに、レーザー面検機(SP−1、KLA−Tencor社製)によって50枚のウェーハ全てのHaze(表面粗さの指標)マップを測定したところ、ウェーハ最上部にわずかにパターンが見られるだけであったが、ごく少数であるため、デバイス製造上は問題とはならない。なお、上記のウェーハ表面の目視検査およびHazeマップの測定は、ウェーハをオゾン洗浄した後さらにSC−1洗浄した状態で実施した。
搬送手段の搬送アームおよびチャック部材の洗浄を、チャック部材用純水洗浄槽(第2純水洗浄槽)中の純水に搬送アームおよびチャック部材を浸漬させた後に引き上げる際に、搬送アームおよびチャック部材に対して純水を噴射することによって行ったこと以外は、参考例1と同様の方法によりウェーハを搬送した。チャック部材用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度は、300mm/secとした。また、搬送アームおよびチャック部材に対する純水の噴射は、図7におけるチャック部材用純水洗浄槽の上部に2ヵ所設置された純水噴射ノズル106から、引き上げ中の搬送アームおよびチャック部材に対して純水107を噴射することによって行った。
また、集光灯下において50枚のウェーハの表面を目視検査したところ、ウェーハ表面上のクモリは観察されなかった。
さらに、レーザー面検機によって50枚のウェーハのHaze(表面粗さの指標)マップを測定したところ、異常は見られなかった。
被処理物用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度を100mm/secとしたこと以外は、参考例1と同様の方法によりウェーハを搬送した。
また、集光灯下において50枚のウェーハの表面を目視検査したところ、ウェーハ表面上のクモリは観察されなかった。
さらに、レーザー面検機によって50枚のウェーハのHaze(表面粗さの指標)マップを測定したところ、異常は見られなかった。
チャック部材用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度を100mm/secとしたこと以外は、実施例2と同様の方法によりウェーハを搬送した。
また、集光灯下において50枚のウェーハの表面を目視検査したところ、ウェーハ表面上のクモリは観察されなかった。
さらに、レーザー面検機によって50枚のウェーハのHaze(表面粗さの指標)マップを測定したところ、異常は見られなかった。
SC−1洗浄後、搬送手段の搬送アームおよびチャック部材の純水による洗浄を行わないこと以外は、参考例1と同様の方法によりウェーハを搬送した。
また、集光灯下において50枚のウェーハの表面を目視検査したところ、50枚のウェーハ全てにおいて表面の一部にクモリが発生していた。
101 被処理物
102 固定手段
103 搬送アーム
104 チャック部材
105 洗浄液
106 純水噴射ノズル
107 純水
Claims (5)
- オゾン洗浄液を充填したオゾン洗浄槽およびアルカリ成分含有溶液を充填したアルカリ洗浄槽を含む複数の洗浄槽と、該複数の洗浄槽間で移動可能であり、搬送アームおよび該搬送アームに設けられたチャック部材を有する搬送手段とを具える洗浄装置の前記チャック部材で、
複数の被処理物のうち一つの被処理物を分離可能に保持した状態で、前記複数の洗浄槽のうち一つの洗浄槽内の洗浄液に、少なくとも前記チャック部材および前記搬送アームの一部とともに前記一つの被処理物を浸漬させ、
その後、前記一つの洗浄槽内における前記一つの被処理物の処理中に、前記一つの被処理物から前記チャック部材を分離して前記搬送手段を移動させ、前記チャック部材で、予め他の洗浄槽内の洗浄液に浸漬していた他の被処理物を分離可能に保持する工程を具える複数の被処理物の洗浄方法であって、
該方法は、前記チャック部材で、予め前記オゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、被処理物を保持していない状態で、前記搬送アームの一部および前記チャック部材に付着したアルカリ成分を純水によって洗浄除去して、アルカリ成分が前記オゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 - 前記洗浄装置は、前記搬送アームおよび前記チャック部材を洗浄するための、純水を充填したチャック部材用純水洗浄槽をさらに具え、前記搬送アームおよび前記チャック部材は、前記チャック部材用純水洗浄槽内の純水に浸漬させた後に引き上げられ、かつ、前記搬送アームおよび前記チャック部材は、前記引き上げの際に純水を噴射することにより洗浄される請求項1に記載の洗浄方法。
- 前記搬送アームおよび前記チャック部材は、前記純水洗浄槽内の純水に浸漬した後、速度300mm/sec以下で引き上げられる請求項2に記載の洗浄方法。
- 前記アルカリ洗浄槽内の前記アルカリ成分含有溶液に、少なくとも1回浸漬した搬送アームおよびチャック部材が浸漬した後の前記オゾン洗浄液のオゾン濃度は、3ppm以上である請求項1〜3のいずれか一項に記載の洗浄方法。
- 前記被処理物は、1枚もしくは複数枚のウェーハまたは収納カセットに収納された複数枚のウェーハである請求項1〜4のいずれか一項に記載の洗浄方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283011A JP5458857B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 洗浄方法 |
DE112010004793.6T DE112010004793B4 (de) | 2009-12-14 | 2010-09-29 | Reinigungsverfahren |
KR1020127018394A KR101429594B1 (ko) | 2009-12-14 | 2010-09-29 | 세정 방법 |
PCT/JP2010/005868 WO2011074160A1 (ja) | 2009-12-14 | 2010-09-29 | 洗浄方法 |
US13/512,735 US9553004B2 (en) | 2009-12-14 | 2010-09-29 | Cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283011A JP5458857B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011124498A JP2011124498A (ja) | 2011-06-23 |
JP5458857B2 true JP5458857B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=44166935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009283011A Active JP5458857B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 洗浄方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9553004B2 (ja) |
JP (1) | JP5458857B2 (ja) |
KR (1) | KR101429594B1 (ja) |
DE (1) | DE112010004793B4 (ja) |
WO (1) | WO2011074160A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA3085086C (en) | 2011-12-06 | 2023-08-08 | Delta Faucet Company | Ozone distribution in a faucet |
WO2014082212A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
US11458214B2 (en) | 2015-12-21 | 2022-10-04 | Delta Faucet Company | Fluid delivery system including a disinfectant device |
CN116387238B (zh) * | 2023-06-05 | 2023-08-11 | 盛奕半导体科技(无锡)有限公司 | 一种臭氧清洗设备以及在半导体湿法清洗工艺中的应用 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5379784A (en) * | 1993-01-23 | 1995-01-10 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning conveyor chuck |
JPH0917763A (ja) | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nkk Corp | 半導体ウエハの洗浄方法 |
JP3171807B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2000037695A (ja) | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Kurita Water Ind Ltd | オゾン水供給装置 |
US6745783B2 (en) * | 2000-08-01 | 2004-06-08 | Tokyo Electron Limited | Cleaning processing method and cleaning processing apparatus |
JP2002329691A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハの洗浄方法 |
JP2005109423A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-04-21 | Ricoh Co Ltd | フォトレジスト除去装置、光ディスク用原盤とその製造方法、光ディスク用スタンパとその製造方法、及び光ディスク基板 |
KR20060076813A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 전송장비의 그리퍼 세척장치 |
JP4613744B2 (ja) | 2005-08-10 | 2011-01-19 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの洗浄方法 |
JP4979412B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2012-07-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
JP2009017763A (ja) | 2007-07-01 | 2009-01-22 | Tsutomu Tanaka | 回転式電池電力貯蔵装置 |
-
2009
- 2009-12-14 JP JP2009283011A patent/JP5458857B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-29 US US13/512,735 patent/US9553004B2/en active Active
- 2010-09-29 WO PCT/JP2010/005868 patent/WO2011074160A1/ja active Application Filing
- 2010-09-29 DE DE112010004793.6T patent/DE112010004793B4/de active Active
- 2010-09-29 KR KR1020127018394A patent/KR101429594B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120092713A (ko) | 2012-08-21 |
US20120234358A1 (en) | 2012-09-20 |
KR101429594B1 (ko) | 2014-08-12 |
WO2011074160A1 (ja) | 2011-06-23 |
JP2011124498A (ja) | 2011-06-23 |
US9553004B2 (en) | 2017-01-24 |
DE112010004793T5 (de) | 2012-11-15 |
DE112010004793B4 (de) | 2016-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101463997B1 (ko) | 기판의 세정 방법 및 세정 장치 | |
JP2007165935A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
US11342204B2 (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers | |
JP5458857B2 (ja) | 洗浄方法 | |
US20110079250A1 (en) | Post-texturing cleaning method for photovoltaic silicon substrates | |
JP2008091498A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US11114317B2 (en) | Method for cleaning semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor wafer using the method for cleaning | |
US20150053239A1 (en) | Wafer carrier cleaning method | |
KR100920323B1 (ko) | 습식세정장치 및 기판처리방법 | |
JP2006269960A (ja) | 半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法 | |
US20090217950A1 (en) | Method and apparatus for foam-assisted wafer cleaning | |
KR20220094152A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR100637401B1 (ko) | 로봇 척 세정조 겸용 기판 린스조, 이를 포함하는 습식세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
JP2011060895A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2010034211A (ja) | 半導体ウェーハ並びにその洗浄装置及びその洗浄方法 | |
JP2005244130A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP2008060102A (ja) | 基板の洗浄乾燥方法 | |
JP6473353B2 (ja) | 基板処理装置及びそのチャック洗浄方法 | |
KR102648258B1 (ko) | 오존을 사용한 유리 캐리어 세정 | |
JP4620714B2 (ja) | 洗浄乾燥装置 | |
WO2023120229A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20100005758A (ko) | 반도체 기판의 습식세정장치 | |
JP2010219138A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
KR20080088705A (ko) | 웨이퍼 가이드 및 그를 구비한 웨이퍼 세정장치 | |
JP2000040682A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131230 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5458857 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |