WO2011074160A1 - 洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)オゾン洗浄液を充填したオゾン洗浄槽およびアルカリ成分含有溶液を充填したアルカリ洗浄槽を含む複数の洗浄槽と、該複数の洗浄槽間で移動可能であり、搬送アームおよび該搬送アームに設けられたチャック部材を有する搬送手段とを具える洗浄装置の前記チャック部材で、複数の被処理物のうち一つの被処理物を分離可能に保持した状態で、前記複数の洗浄槽のうち一つの洗浄槽内の洗浄液に、少なくとも前記チャック部材および前記搬送アームの一部とともに前記一つの被処理物を浸漬させ、その後、前記一つの洗浄槽内における前記一つの被処理物の処理中に、前記一つの被処理物から前記チャック部材を分離して前記搬送手段を移動させ、前記チャック部材で、予め他の洗浄槽内の洗浄液に浸漬していた他の被処理物を分離可能に保持する工程を具える複数の被処理物の洗浄方法であって、該方法は、前記チャック部材で、予め前記オゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、前記搬送アームの一部および前記チャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分が前記オゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。
本発明に従う洗浄方法は、一例として図3に示すように、オゾン洗浄液を充填したオゾン洗浄槽およびアルカリ成分含有溶液を充填したアルカリ洗浄槽を含む複数の洗浄槽と、これら複数の洗浄槽間で移動可能であり、搬送アームおよびこの搬送アームに設けられたチャック部材を有する搬送手段とを具える洗浄装置を用いる。この搬送手段は、一例として図1に示すように、洗浄槽100内に予め被処理物101を載置および固定する固定手段102を設けておき、被処理物101を搬送手段の搬送アーム103のチャック部材104で保持した状態で洗浄槽100内の固定手段102に移し変えて、洗浄槽100内の洗浄液105により洗浄する構成を有する。
図7に示す洗浄槽配列および搬送手段の移動順を用い、50枚のウェーハを1セットとしたものを被処理物として、複数の被処理物に対して洗浄を行った。本実施例においては、ウェーハをオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬することによってウェーハ表面に発生するクモリを観察する目的で、フッ酸洗浄を行った撥水表面を有するウェーハを洗浄した。また、オゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液への浸漬時間が短いとウェーハ表面上に発生するクモリが除去できなく、逆に浸漬時間が長いとクモリは消滅するものの生産性低下につながるため、浸漬時間は5分とした。搬送手段の搬送アームおよびチャック部材の洗浄は、被処理物用純水洗浄槽(第1純水洗浄槽)の中の純水に搬送アームおよびチャック部材を浸漬させた後に引き上げることで行った。このとき、被処理物用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度は300mm/secとした。オゾン洗浄水は、オゾンガスを超純水に溶解させた20ppmのオゾン水を10L/minの供給速度でオゾン洗浄槽に連続的に供給した。搬送アームおよびチャック部材を浸漬させる前のオゾン洗浄槽内におけるオゾン濃度(以下「初期オゾン濃度」という)は、10ppmであった。
搬送手段の搬送アームおよびチャック部材の洗浄を、チャック部材用純水洗浄槽(第2純水洗浄槽)中の純水に搬送アームおよびチャック部材を浸漬させた後に引き上げる際に、搬送アームおよびチャック部材に対して純水を噴射することによって行ったこと以外は、実施例1と同様の方法によりウェーハを搬送した。チャック部材用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度は、300mm/secとした。また、搬送アームおよびチャック部材に対する純水の噴射は、図7におけるチャック部材用純水洗浄槽の上部に2ヵ所設置された純水噴射ノズル106から、引き上げ中の搬送アームおよびチャック部材に対して純水107を噴射することによって行った。
被処理物用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度を100mm/secとしたこと以外は、実施例1と同様の方法によりウェーハを搬送した。
チャック部材用純水洗浄槽からの搬送アームの引き上げ速度を100mm/secとしたこと以外は、実施例2と同様の方法によりウェーハを搬送した。
SC-1洗浄後、搬送手段の搬送アームおよびチャック部材の純水による洗浄を行わないこと以外は、実施例1と同様の方法によりウェーハを搬送した。
101 被処理物
102 固定手段
103 搬送アーム
104 チャック部材
105 洗浄液
106 純水噴射ノズル
107 純水
Claims (6)
- オゾン洗浄液を充填したオゾン洗浄槽およびアルカリ成分含有溶液を充填したアルカリ洗浄槽を含む複数の洗浄槽と、該複数の洗浄槽間で移動可能であり、搬送アームおよび該搬送アームに設けられたチャック部材を有する搬送手段とを具える洗浄装置の前記チャック部材で、
複数の被処理物のうち一つの被処理物を分離可能に保持した状態で、前記複数の洗浄槽のうち一つの洗浄槽内の洗浄液に、少なくとも前記チャック部材および前記搬送アームの一部とともに前記一つの被処理物を浸漬させ、
その後、前記一つの洗浄槽内における前記一つの被処理物の処理中に、前記一つの被処理物から前記チャック部材を分離して前記搬送手段を移動させ、前記チャック部材で、予め他の洗浄槽内の洗浄液に浸漬していた他の被処理物を分離可能に保持する工程を具える複数の被処理物の洗浄方法であって、
該方法は、前記チャック部材で、予め前記オゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、前記搬送アームの一部および前記チャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分が前記オゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 - 前記洗浄装置は、前記被処理物を洗浄するための、純水を充填した被処理物用純水洗浄槽をさらに具え、前記搬送アームおよび前記チャック部材は、前記被処理物用純水洗浄槽内の純水に浸漬させた後に引き上げられることによって洗浄される請求項1に記載の洗浄方法。
- 前記洗浄装置は、前記搬送アームおよび前記チャック部材を洗浄するための、純水を充填したチャック部材用純水洗浄槽をさらに具え、前記搬送アームおよび前記チャック部材は、前記チャック部材用純水洗浄槽内の純水に浸漬させた後に引き上げられ、かつ、前記搬送アームおよび前記チャック部材は、前記引き上げの際に純水を噴射することにより洗浄される請求項1に記載の洗浄方法。
- 前記搬送アームおよび前記チャック部材は、前記純水洗浄槽内の純水に浸漬した後、速度300mm/sec以下で引き上げられる請求項2に記載の洗浄方法。
- 前記アルカリ洗浄槽内の前記アルカリ成分含有溶液に、少なくとも1回浸漬した搬送アームおよびチャック部材が浸漬した後の前記オゾン洗浄液のオゾン濃度は、3ppm以上である請求項1に記載の洗浄方法。
- 前記被処理物は、1枚もしくは複数枚のウェーハまたは収納カセットに収納された複数枚のウェーハである請求項1に記載の洗浄方法。
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CN116387238B (zh) * | 2023-06-05 | 2023-08-11 | 盛奕半导体科技(无锡)有限公司 | 一种臭氧清洗设备以及在半导体湿法清洗工艺中的应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209110A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2005109423A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-04-21 | Ricoh Co Ltd | フォトレジスト除去装置、光ディスク用原盤とその製造方法、光ディスク用スタンパとその製造方法、及び光ディスク基板 |
JP2008210956A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5379784A (en) * | 1993-01-23 | 1995-01-10 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning conveyor chuck |
JPH0917763A (ja) | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nkk Corp | 半導体ウエハの洗浄方法 |
JP2000037695A (ja) | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Kurita Water Ind Ltd | オゾン水供給装置 |
US6745783B2 (en) * | 2000-08-01 | 2004-06-08 | Tokyo Electron Limited | Cleaning processing method and cleaning processing apparatus |
JP2002329691A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハの洗浄方法 |
KR20060076813A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 전송장비의 그리퍼 세척장치 |
JP4613744B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-01-19 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの洗浄方法 |
JP2009017763A (ja) | 2007-07-01 | 2009-01-22 | Tsutomu Tanaka | 回転式電池電力貯蔵装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209110A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2005109423A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-04-21 | Ricoh Co Ltd | フォトレジスト除去装置、光ディスク用原盤とその製造方法、光ディスク用スタンパとその製造方法、及び光ディスク基板 |
JP2008210956A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
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