KR101429594B1 - 세정 방법 - Google Patents
세정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101429594B1 KR101429594B1 KR1020127018394A KR20127018394A KR101429594B1 KR 101429594 B1 KR101429594 B1 KR 101429594B1 KR 1020127018394 A KR1020127018394 A KR 1020127018394A KR 20127018394 A KR20127018394 A KR 20127018394A KR 101429594 B1 KR101429594 B1 KR 101429594B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cleaning
- ozone
- chuck member
- pure water
- cleaning liquid
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 340
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 174
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 109
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 63
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 101
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 89
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006385 ozonation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 14
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035404 Autolysis Diseases 0.000 description 1
- 206010057248 Cell death Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 230000028043 self proteolysis Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명의 과제는, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제하여, 오존 세정 능력의 저하를 억제할 수 있는 세정 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 세정 방법은, 척 부재에 의해, 미리 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지(浸漬)되어 있던 다른 피처리물을 유지시키는 데 앞서, 반송 아암의 일부 및 척 부재에 부착된 알칼리 성분을 세정 제거하여, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 세정 방법은, 척 부재에 의해, 미리 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지(浸漬)되어 있던 다른 피처리물을 유지시키는 데 앞서, 반송 아암의 일부 및 척 부재에 부착된 알칼리 성분을 세정 제거하여, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은, 예컨대 웨이퍼 등의 피처리물을 세정하는 방법에 관한 것이며, 특히, 1개의 반송 수단으로, 복수의 피처리물을, 오존 세정액을 충전한 오존 세정조 및 알칼리 성분 함유 용액을 충전한 알칼리 세정조에 반송하고, 순차 별개로 세정하는 방법에 관한 것이다.
최근에는, 반도체 디바이스의 집적도 향상에 따라, 반도체 제조 프로세스에 요구되는 청정도가 한층 더 엄격해지고 있다. 웨이퍼 표면상의 오염물질은 디바이스의 특성에 영향을 주므로, 일반적으로, 웨이퍼 표면상의 파티클은 설계 룰의 1/10의 입경에서 관리할 필요가 있다고 여겨지고 있으며, 또한, 금속불순물에 대해서는, 1010atoms/㎠ 이상에서 전기특성에 영향을 주는 것으로 알려져 있다.
효율적인 세정 프로세스를 구축하기 위해서는, 제거하고자 하는 대상물에 따른 최적의 세정 방법을 선택하고, 이것들을 효율적으로 조합시키는 것이 중요하다. 종래에는, 웨이퍼의 표면세정에 있어서는, 'RCA 세정법'이라 불리는, 수산화암모늄 및 과산화수소수의 혼합액을 이용하는 SC-1(standard cleaning-1) 및 염산 및 과산화수소수의 혼합액을 이용하는 SC-2(standard cleaning-2)를 이용한 세정 방법을 이용하는 것이 일반적이었다.
그러나, 이 방법은, 세정 공정수가 많아, 방대한 양의 세정액과 그 세정액을 씻어내기 위한 순수(純水)가 필요하여, 이러한 폐액을 처리하기 위한 비용이 높다는 등의 문제가 있었다.
이에 대해, 상기 문제를 해결하는 기술로서, 오존 세정법을 들 수 있다. 오존 세정법이란, 오존을 첨가한 초순수(超純水)인 오존 세정액을 이용하여 피처리물을 세정하는 방법이다. 상기 오존을 첨가한 초순수는, 실온에서 수 ppm의 오존이 초순수에 용해되어 있는 것일 뿐이지만, 종래의 SC-1보다 산화력이 강하며, 또한, 용존 오존이 자기분해(自己分解)되어 단순한 고순도의 물로 되돌아가므로, 세정도가 높고 폐수처리가 용이한 세정액으로서, 웨이퍼 표면에 부착된 유기물을 분해하거나, 웨이퍼 표면에 보호막으로서의 산화막을 형성하는 등의 목적으로, 널리 이용되고 있다. 특허문헌 1에는, 상술한 SC-1 세정법 이전에, 상기 오존 세정액을 이용하여 웨이퍼를 세정함으로써, 높은 청정도의 웨이퍼를 얻는 기술이 개시되어 있다.
그런데, 웨이퍼의 세정은, 일반적으로, 1장 또는 복수 장의 웨이퍼를 각각의 처리조에 충전된 세정액에 침지(浸漬)시켜 감으로써 행해진다. 이와 같은 웨이퍼의 세정 방법에는, 2가지의 방식이 알려져 있는데, 하나는 카세트 방식의 세정법이고, 다른 하나는 카세트리스 방식의 세정법이다.
카세트 방식 세정법이란, 예컨대 특허문헌 2에 나타낸 바와 같이, 카세트에 수납된 웨이퍼를, 카세트와 함께 세정조 내의 세정액에 침지시켜 세정을 행하는 것으로서, 구체적으로는, 복수 개(예컨대 25장)의 웨이퍼가 수납된 카세트를, 반송 수단의 한 쌍의 아암에 일체로 설치된 개폐가능한 한 쌍의 Ｕ자형 척 부재에 의해 매달듯이 지지함으로써 이동시켜서, 각 처리 프로세스에 따라 순차적으로 카세트와 함께 웨이퍼를 각 처리조 내의 세정액에 침지시켜 세정 처리한다.
한편, 카세트리스 방식 세정법에서는, 일례로서 도 1에 나타낸 바와 같이, 세정조(100) 내에 미리 웨이퍼(101)를 재치(載置) 및 고정시키는 고정 수단(102)을 설치해두고, 웨이퍼(101)를 반송 수단의 반송 아암(103)의 척 부재(104)에 의해 유지시킨 상태에서 세정조(100) 내의 고정 수단(102)으로 옮겨, 세정조(100) 내의 세정액(105)에 의해 세정한다. 종래에는, 웨이퍼(101)의 세정 중에, 반송 수단은 세정조(100) 밖에 대기시켜 두었다.
그러나, 이와 같이, 웨이퍼(101)의 세정이 끝날 때까지 상기 세정조(100) 밖에 반송 수단을 대기시켜 두는 방법의 경우에는, 1개의 세정조에 대응하여 1개의 반송 수단을 설치할 필요가 있어, 반송 수단의 개수가 증가되는 문제가 발생한다. 따라서, 세정조(100) 내에서 웨이퍼(101)를 세정하는 중에, 반송 수단은 세정조(100) 이외의 세정조로 웨이퍼를 반송하도록 하면, 반송 수단의 증가를 억제할 수 있다. 도 2는, 세정조의 배열 구성 및 상기 문제를 해결하기 위한 종래의 반송 수단의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식도이며, 본 예에서는, 1개의 반송 수단에 의해 복수의 피처리물을 순차 별개로 반송하는 방법이 이용된다. 본 예에 있어서의 세정조의 배열 구성은, 오존 세정액을 충전시킨 오존 세정조, 2개의 알칼리성분 함유 용액을 충전시킨 알칼리 세정조(제 1의 SC-1조 및 제 2의 SC-1조) 및 순수 세정조가 상기한 순서대로 설치되어 있다. SC-1 세정 효율을 향상시킬 목적으로 알칼리 세정조는 2개가 설치되어 있지만, 알칼리 세정조의 개수는 이에 한정되지 않으며, 1개이거나, 3개 이상이어도 좋다.
통상, 반송 수단(I)은 화살표를 따라 번호순으로 이동한다. 여기서 말하는 반송 수단(I)은, 오존 세정조 내에서 피처리물을 유지시키는 곳에서부터, 순수 세정조에 피처리물을 침지시키는 곳까지 이용되며, 오존 세정조 내로의 피처리물의 반송 및 순수 세정조로부터의 피처리물의 취출(取出)에는, 각각 다른 반송 수단(II, III)이 이용된다.
반송 수단(I)은, 예컨대, 미리 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 하나의 피처리물을 제 1의 SC-1조로 반송한다(화살표 1). 이때, 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재는, 제 1의 SC-1조 내에 피처리물과 함께 침지되기 때문에, 반송 아암의 일부 및 척 부재에는 알칼리 성분이 부착된다. 소정 시간이 경과된 후, 반송 수단(I)은, 제 1의 SC-1조 내의 하나의 피처리물을 제 2의 SC-1조 내로 반송한다(화살표 2). 이때에도 마찬가지로, 반송 수단(I)의 반송 아암의 일부 및 척 부재에는, 제 2의 SC-1조의 세정액의 알칼리 성분이 부착된 상태가 된다. 이어서, 상기 반송 수단(I)은, 다른 반송 수단(II)에 의해 오존 세정조 내의 오존 세정액에 미리 침지되어 있던 다른 피처리물을 제 1의 SC-1조로 반송한다(화살표 3).
이때, 즉, 기타의 피처리물을 꺼내기 위해 반송 아암 및 척 부재가 오존 세정조로 들어갔을 때, 반송 아암의 일부 및 척 부재에 부착되어 있던 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입된다. 이와 같이, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되었을 경우, 오존 세정액에 용해되어 있는 오존의 분해가 촉진되어 오존 세정액 중의 오존 농도가 저하됨에 따라, 오존 세정 능력이 저하된다. 그 결과, 웨이퍼 표면상에 유기물이 잔존하거나, 웨이퍼 표면상의 산화막의 두께가 불균일해지는 문제가 발생한다.
이후, 반송 수단(I)은, 제 2의 SC-1조 내의 하나의 피처리물을 순수 세정조로 반송하고(화살표 4), 이어서, 반송 수단(I)은, 제 1의 SC-1조 내의 다른 피처리물을 제 2의 SC-1조로 반송한다(화살표 5). 이때도 마찬가지로, 반송 수단(I)의 반송 아암의 일부 및 척 부재에는, 제 2의 SC-1조의 세정액의 알칼리 성분이 부착된 상태가 된다. 계속하여, 상기 반송 수단(I)은, 다른 반송 수단(II)에 의해 오존 세정조 내의 오존 세정액에 미리 침지되어 있던 또 다른 피처리물을 제 1의 SC-1조로 반송한다(화살표 6).
여기서, 상기 화살표 6에 의해 반송되는 피처리물에 대해서는, 충분한 오존 세정이 이루어지지 않는다. 이것은, 도 2의 화살표 3으로 나타낸 바와 같이, 반송 아암 및 척 부재가 오존 세정조로 들어갔을 때, 반송 아암의 일부 및 척 부재에 부착되어 있던 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입됨으로써 오존 세정액에 용해되어 있는 오존의 분해가 촉진되어 오존 농도가 저하되는 결과, 오존에 의한 세정 능력이 불충분해져 버렸기 때문이다.
특허문헌 3에는, 오존 세정액 중에 탄산 가스 또는 유기 화합물을 용해시킴으로써, 오존 세정액 중에 있어서의 오존 농도의 저하를 억제하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 오존 세정액 중에 탄산 가스를 용해시킨 경우는, 오존 세정액 중에 미량의 탄산 가스를 용해시킴으로써 오존의 자기분해를 억제할 수는 있지만, 오존 세정액 중에 용해되는 탄산 가스의 양에 상관없이, 오존 세정액 중에 알칼리 성분이 혼입되면, 오존의 자기분해가 촉진되어, 오존 세정액 중의 오존 농도가 저하되어 버린다. 한편, 오존 세정액 중에 액체상태의 유기 화합물을 용해시켰을 경우에는, 오존 세정 후의 웨이퍼의 표면에 유기물이 잔존하여 웨이퍼의 표면 품질이 저하되고, 이후의 디바이스 공정에 있어서 악영향을 끼칠 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 상술한 문제를 해결하여, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제함으로써, 오존 세정 능력의 저하를 억제할 수 있는 세정 방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 요지 구성은 다음과 같다.
(1) 오존 세정액을 충전시킨 오존 세정조 및 알칼리성분 함유 용액을 충전시킨 알칼리 세정조를 포함하는 복수의 세정조와, 상기 복수의 세정조 사이에서 이동가능하며, 반송 아암 및 상기 반송 아암에 설치된 척 부재를 가지는 반송 수단을 구비하는 세정 장치의 상기 척 부재에 의해, 복수의 피처리물 중 하나의 피처리물을 분리가능하게 유지시킨 상태에서, 상기 복수의 세정조 중 하나의 세정조 내의 세정액에, 적어도 상기 척 부재 및 상기 반송 아암의 일부와 함께 상기 하나의 피처리물을 침지시키고, 이후, 상기 하나의 세정조 내에 있어서의 상기 하나의 피처리물의 처리 중에, 상기 하나의 피처리물로부터 상기 척 부재를 분리하여 상기 반송 수단을 이동시키고, 상기 척 부재에 의해, 미리 다른 세정조 내의 세정액에 침지되어 있던 다른 피처리물을 분리가능하게 유지시키는 공정을 구비하는 복수의 피처리물의 세정 방법으로서, 상기 방법은, 상기 척 부재에 의해, 미리 상기 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지되어 있던 다른 피처리물을 유지시키는 데 앞서, 상기 반송 아암의 일부 및 상기 척 부재에 부착된 알칼리 성분을 세정 제거하여, 알칼리 성분이 상기 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
(2) 상기 세정 장치는, 상기 피처리물을 세정하기 위한, 순수를 충전시킨 피처리물용 순수 세정조를 더 구비하며, 상기 반송 아암 및 상기 척 부재는, 상기 피처리물용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후에 끌어올려짐으로써 세정되는 상기 (1)에 기재된 세정 방법.
(3) 상기 세정 장치는, 상기 반송 아암 및 상기 척 부재를 세정하기 위한, 순수를 충전시킨 척 부재용 순수 세정조를 더 구비하며, 상기 반송 아암 및 상기 척 부재는, 상기 척 부재용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후에 끌어올려지며, 또한, 상기 반송 아암 및 상기 척 부재는, 상기 끌어올려질 때에 순수를 분사함으로써 세정되는 상기 (1)에 기재된 세정 방법.
(4) 상기 반송 아암 및 상기 척 부재는, 상기 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후, 300mm/sec 이하의 속도로 끌어올려지는 상기 (2)에 기재된 세정 방법.
(5) 상기 알칼리 세정조 내의 상기 알칼리성분 함유 용액에, 적어도 1회 침지시킨 반송 아암 및 척 부재가 침지된 후의 상기 오존 세정액의 오존 농도는, 3ppm 이상인 상기 (1)에 기재된 세정 방법.
(6) 상기 피처리물은, 1장 혹은 복수 장의 웨이퍼 또는 수납 카세트에 수납된 복수 장의 웨이퍼인 상기 (1)에 기재된 세정 방법.
본 발명에 따르면, 척 부재에 의해, 미리 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지되어 있던 피처리물을 유지시키는 데 앞서, 반송 아암의 일부 및 척 부재에 부착된 알칼리 성분을 세정 제거함으로써, 알칼리 성분이 상기 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 오존 세정 능력의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은, 카세트리스 방식의 세정 장치를 나타낸 모식적인 단면도이다.
도 2는, 세정조의 배열 구성 및 종래의 반송 수단의 이동 순서의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 실시형태를 나타낸 모식도이다.
도 4는, 카세트리스 방식으로 복수의 웨이퍼를 세정조 내에 재치한 상태를 나타낸 모식도이다.
도 5는, 반송 수단의 반송 아암의 일부 및 척 부재를 나타낸 모식도이다.
도 6(a)는, 척 부재의 확대도이고, 도 6(b)는, 척 부재가 웨이퍼를 유지시킨 상태를 나타낸 모식도이다.
도 7은, 본 발명의 실시형태를 나타낸 모식도이다.
도 8은, 본 발명의 실시형태를 나타낸 모식도이다.
도 2는, 세정조의 배열 구성 및 종래의 반송 수단의 이동 순서의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 실시형태를 나타낸 모식도이다.
도 4는, 카세트리스 방식으로 복수의 웨이퍼를 세정조 내에 재치한 상태를 나타낸 모식도이다.
도 5는, 반송 수단의 반송 아암의 일부 및 척 부재를 나타낸 모식도이다.
도 6(a)는, 척 부재의 확대도이고, 도 6(b)는, 척 부재가 웨이퍼를 유지시킨 상태를 나타낸 모식도이다.
도 7은, 본 발명의 실시형태를 나타낸 모식도이다.
도 8은, 본 발명의 실시형태를 나타낸 모식도이다.
다음으로는, 본 발명의 세정 방법의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
본 발명에 따른 세정 방법은, 일례로서 도 3에 나타낸 바와 같이, 오존 세정액을 충전시킨 오존 세정조 및 알칼리성분 함유 용액을 충전시킨 알칼리 세정조를 포함하는 복수의 세정조와, 이러한 복수의 세정조 사이에서 이동가능하며, 반송 아암 및 상기 반송 아암에 설치된 척 부재를 가지는 반송 수단을 구비하는 세정 장치를 이용한다. 상기 반송 수단은, 일례로서 도 1에 나타낸 바와 같이, 세정조(100) 내에 미리 피처리물(101)을 재치 및 고정시키는 고정 수단(102)을 설치해두고, 피처리물(101)을 반송 수단의 반송 아암(103)의 척 부재(104)에 의해 유지시킨 상태로 세정조(100) 내의 고정 수단(102)으로 옮겨, 세정조(100) 내의 세정액(105)에 의해 세정하는 구성을 가진다.
피처리물(101)은, 1장 혹은 복수 장의 웨이퍼 또는 수납 카세트에 수납된 복수 장의 웨이퍼로 할 수 있다. 도 4는, 카세트리스 방식으로 복수의 웨이퍼(101)를 세정조 내의 고정 수단(102)에 재치시킨 상태를 나타낸 모식도이고, 도 5는, 이러한 웨이퍼를 반송하기 위한 반송 아암(103) 및 척 부재(104)를 나타낸 것이다. 척 부재(104)의 확대도 및 상기 척 부재(104)가 웨이퍼(101)를 유지시킨 상태는, 도 6(a) 및 도 6(b)에 각각 도시되어 있다. 여기서는, 1개의 반송 수단이 한번에 유지가능한 복수의 웨이퍼를 하나의 피처리물이라 하며, 복수의 피처리물이란, 이러한 웨이퍼의 그룹이 복수 개 존재하는 것을 의미한다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 반송 수단(I)은 화살표를 따라, 세정조에서 세정조로 번호 순으로 이동한다. 여기서 말하는 반송 수단(I)은, 오존 세정조 내에서 피처리물을 유지시키는 곳에서부터, 순수 세정조에 피처리물을 침지시키는 곳까지 이용되며, 오존 세정조 내에 충전된 오존 세정액으로의 피처리물의 침지 및 순수 세정조로부터의 피처리물의 취출에는, 각각 다른 반송 수단(II, III)을 이용한다. 참고로, 상기 순수 세정조는, 피처리물을 세정하기 위한, 순수를 충전시킨 피처리물용 순수 세정조이다.
반송 수단(I)은, 예컨대, 미리 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지되어 있던 하나의 피처리물을 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 1). 이때, 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재는, 알칼리 세정조 내에 피처리물과 함께 침지되기 때문에, 반송 아암의 일부 및 척 부재에는 알칼리 성분이 부착된다. 소정시간이 경과된 후, 반송 수단(I)은, 알칼리 세정조 내의 하나의 피처리물을 순수 세정조 내로 반송한다(화살표 2). 이때, 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재는, 피처리물을 순수 세정조 내에서 분리한 후, 순수로부터 끌어올림으로써 순수에 의해 세정된다. 이어서, 상기 반송 수단(I)은, 다른 반송 수단(II)에 의해 오존 세정조 내의 오존 세정액에 미리 침지되어 있던 다른 피처리물을 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 3).
따라서, 본 예에서는, 반송 아암 및 척 부재가 알칼리 세정조 내의 알칼리 세정액에 침지된 후, 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정되므로, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제할 수 있다.
도 7은, 본 발명에 따른 세정 방법의 다른 실시형태로서, 반송 수단(I)은, 예컨대, 미리 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지되어 있던 하나의 피처리물을 제 1 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 1). 이때, 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재는, 제 1 알칼리 세정조 내에 피처리물과 함께 침지되기 때문에, 반송 아암의 일부 및 척 부재에는 알칼리 성분이 부착된다. 소정시간이 경과된 후, 반송 수단(I)은, 제 1 알칼리 세정조 내의 하나의 피처리물을 제 2 알칼리 세정조 내로 반송한다(화살표 2). 이때도 마찬가지로, 반송 수단(I)의 반송 아암의 일부 및 척 부재에는, 제 2 알칼리 세정조의 세정액의 알칼리 성분이 부착된 상태가 된다. 따라서, 상기 반송 수단(I)의 반송 아암의 일부 및 척 부재를, 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정한다(화살표 3).
본 발명에 따른 세정 방법에서 이용되는 세정 장치는, 피처리물을 세정하기 위한, 순수를 충전시킨 피처리물용 순수 세정조(도면에서는 제 1 순수 세정조)를 더 구비하며, 반송 아암 및 척 부재는, 피처리물용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후에 끌어올림으로써 세정할 수 있다. 이 방법에 따르면, 추가의 설비가 불필요하므로 경제적이다.
반송 아암 및 척 부재는, 피처리물용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후, 300mm/sec이하의 속도로 끌어올려지는 것이 바람직하다. 끌어올리는 속도가 300mm/sec를 초과하면, 알칼리 성분의 제거가 불충분해질 우려가 있기 때문이다.
보다 바람직하게는, 본 발명에 따른 방법에서 이용되는 세정 장치는, 반송 아암 및 척 부재를 세정하기 위한, 순수를 충전시킨 척 부재용 순수 세정조(도면에서는 제 2 순수 세정조)를 더 구비하며, 반송 아암 및 척 부재는, 척 부재용 순수 세정조 내의 순수에 상기 반송 아암 및 척 부재를 침지시킨 후에 끌어올릴 때, 상기 반송 아암 및 척 부재에 대해 순수를 분사함으로써 세정한다.
이 경우, 예컨대, 도 7에 있어서의 척 부재용 순수 세정조의 상부 2곳에 설치된 순수 분사 노즐(106)을 통해, 척 부재용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후 끌어올리는 도중의 반송 아암 및 척 부재에 대해 순수(107)를 분사하는 방법을 채용할 수 있다. 이 방법에 따르면, 알칼리 성분이 잔류하기 쉬운 척 부재에 대해 순수를 분사함으로써, 척 부재에 잔류하는 알칼리 성분이 효율적으로 제거될 수 있기 때문에, 상술한 바와 같이, 반송 아암 및 척 부재를 피처리물용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후에 끌어올림으로써 세정하는 것 보다 큰 세정 효과를 얻을 수 있다.
반송 아암 및 척 부재에 대해 순수를 분사하는 방법은, 반송 아암 및 알칼리 성분이 잔류하기 쉬운 척 부재에 대해 순수를 직접 분사할 수 있는 방법이라면, 상기 이외의 방법도 적용이 가능하다. 또한, 순수 분사 노즐(106)의 설치 위치는, 척 부재용 순수 세정조의 상부에 한정되지 않으며, 피처리물용 순수 세정조의 상부에 설치하여, 반송 아암 및 척 부재를 피처리물용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후 끌어 올리는 도중에 반송 아암 및 척 부재에 대해 순수(107)를 분사하는 방법도 채용할 수 있다. 참고로, 순수 분사 노즐(106)의 설치 개수는, 피처리물의 크기, 세정조의 크기 등에 따라, 적절히 설정된다.
이어서, 상기 반송 수단(I)은, 다른 반송 수단(II)에 의해 오존 세정조 내의 오존 세정액에 미리 침지되어 있던 다른 피처리물을 제 1 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 4). 그런 다음, 반송 수단(I)은, 제 2 알칼리 세정조 내의 하나의 피처리물을 제 1 순수 세정조 내로 반송한다(화살표 5). 이때, 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재는, 피처리물을 피처리물용 순수 세정조 내에서 분리한 후, 순수로부터 끌어올림으로써 순수에 의해 세정된다. 이어서, 상기 반송 수단(I)은, 제 1 알칼리 세정조 내의 알칼리 세정액에 침지되어 있던 다른 피처리물을 제 2 알칼리 세정조로 반입한다(화살표 6). 이때, 반송 수단(I)의 반송 아암의 일부 및 척 부재에는, 제 2 알칼리 세정조 내의 알칼리 성분이 부착된 상태가 된다. 따라서, 상기 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재를, 다시 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정한다(화살표 7). 이어서, 상기 반송 수단(I)은, 다른 반송 수단(II)에 의해 오존 세정조 내의 오존 세정액에 미리 침지되어 있던 또 다른 피처리물을 제 1 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 8).
따라서, 본 예에서는, 반송 아암 및 척 부재가 알칼리 세정조 내의 알칼리 세정액에 침지된 후, 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정되기 때문에, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제할 수 있다.
도 8은, 본 발명에 따른 세정 방법의 다른 실시형태이며, 반송 수단(I)은, 예컨대, 미리 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지되어 있던 하나의 피처리물을 제 1 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 1). 이때, 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재는, 제 1 알칼리 세정조 내에 피처리물과 함께 침지되기 때문에, 반송 아암의 일부 및 척 부재에는 알칼리 성분이 부착된다. 소정시간이 경과된 후, 반송 수단(I)은, 제 1 알칼리 세정조 내의 하나의 피처리물을 제 2 알칼리 세정조 내로 반송한다(화살표 2). 이때도 마찬가지로, 반송 수단(I)의 반송 아암의 일부 및 척 부재에는, 제 2 알칼리 세정조의 세정액의 알칼리 성분이 부착된다. 따라서, 상기 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재를, 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정한다(화살표 3).
이어서, 상기 반송 수단(I)은, 다른 반송 수단(II)에 의해 오존 세정조 내의 오존 세정액에 미리 침지되어 있던 다른 피처리물을 제 1 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 4). 그런 다음, 반송 수단(I)은, 제 2 알칼리 세정조 내의 하나의 피처리물을 제 3 알칼리 세정조 내로 반송한다(화살표 5). 이후, 반송 수단(I)은, 제 1 알칼리 세정조 내의 다른 피처리물을 제 2 알칼리 세정조 내로 반송한다(화살표 6). 이때도 마찬가지로, 반송 수단(I)의 반송 아암의 일부 및 척 부재에는, 제 2 알칼리 세정조의 세정액의 알칼리 성분이 부착된다. 따라서, 상기 반송 수단(I)의 반송 아암 및 척 부재를, 다시 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정한다(화살표 7). 이어서, 상기 반송 수단(I)은, 다른 반송 수단(II)에 의해 오존 세정조 내의 오존 세정액에 미리 침지되어 있던 또 다른 피처리물을 제 1 알칼리 세정조로 반송한다(화살표 8).
따라서, 본 예에서는, 반송 아암 및 척 부재가 알칼리 세정조 내의 알칼리 세정액에 침지된 후, 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정되기 때문에, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제할 수 있다.
알칼리 세정조 내의 알칼리성분 함유 용액에 적어도 1회 침지시킨 반송 아암 및 척 부재가 침지된 후의 오존 세정액의 오존 농도는, 3ppm 이상인 것이 바람직하다. 오존 농도가 3ppm 미만인 경우는, 오존 세정 능력이 불충분해질 우려가 있기 때문이다.
참고로, 척 부재용 순수 세정조의 설치 위치는, 복수의 세정조의 열(列) 내이든 외이든 상관없다. 그러나, 웨이퍼 반송 수단이 각 세정액조 사이를 이동하는 것을 고려하면, 복수의 세정조의 열 내에 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 실시형태에서는, 반송 수단이 1개인 경우의 실시형태를 나타내었지만, 동시에 복수의 반송 수단을 이용할 수도 있다.
한편, 상술한 내용은, 본 발명의 대표적인 실시형태의 예를 나타낸 것이며, 본 발명은 이러한 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 특히, 상기 실시형태에서는, 복수의 피처리물을 간격을 두지 않고 반송하는 예를 나타내었지만, 목적하는 바에 따라, 세정조 1개분 만큼 간격을 두고 반송하거나, 세정조 2개분 만큼 간격을 두고 반송하거나 할 수 있다. 이 경우에도, 반송 아암 및 척 부재가 알칼리 세정조 내의 알칼리 세정액에 침지된 후, 순수 세정조 내의 순수에 의해 세정됨으로써, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제할 수 있다.
실시예
(실시예 1)
도 7에 나타낸 세정조의 배열 및 반송 수단의 이동 순서를 이용하여, 50장의 웨이퍼를 1세트로 한 것을 피처리물로 하여, 복수의 피처리물에 대해 세정을 행하였다. 본 실시예에서는, 웨이퍼를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킴으로써 웨이퍼 표면에 발생하는 흐려짐을 관찰할 목적으로, 불산 세정을 행한 발수(撥水)표면을 가지는 웨이퍼를 세정하였다. 또한, 오존 세정조 내의 오존 세정액에 대한 침지시간이 짧으면, 웨이퍼 표면상에 발생하는 흐려짐을 제거할 수 없고, 반대로 침지시간이 길면, 흐려짐은 소멸되지만 생산성 저하로 이어지기 때문에, 침지시간은 5분으로 하였다. 반송 수단의 반송 아암 및 척 부재의 세정은, 피처리물용 순수 세정조(제 1 순수 세정조) 내의 순수에 반송 아암 및 척 부재를 침지시킨 후에 끌어올림으로써 행하였다. 이때, 피처리물용 순수 세정조로부터 반송 아암을 끌어올리는 인상(引上)속도는 300mm/sec로 하였다. 오존 세정수는, 오존 가스를 초순수에 용해시킨 20ppm의 오존수를 10L/min의 공급속도로 오존 세정조에 연속적으로 공급하였다. 반송 아암 및 척 부재를 침지시키기 전의 오존 세정조 내에 있어서의 오존 농도(이하에서는, 「초기 오존 농도」라 함)는, 10ppm이었다.
화살표 4의, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도를 측정한 바, 초기 오존 농도인 10ppm으로부터 3ppm으로 저하되었다. 피처리물용 순수 세정조로부터의 반송 아암의 인상속도가 300mm/sec인 경우에는, 반송 아암 및 척 부재에 부착되어 있던 알칼리 성분이 완전하게는 제거되지 않고, 반송 아암 및 척 부재에 잔존하던 극미량의 알칼리 성분이 오존 세정액 내로 혼입되었기 때문에 오존의 분해가 촉진되어, 오존 세정조 내의 오존 세정액의 오존 농도가 저하된 것으로 생각된다.
상기 오존 세정액으로 세정된 웨이퍼에 대해, 웨이퍼의 상부, 중심부, 하부의 접촉각을 측정한 바, 각각 20도, 10도, 10도였다. 접촉각의 측정은, 50장의 웨이퍼 중에서 추출한 5∼6장의 웨이퍼에 대해 실시하였다. 여기서, 웨이퍼의 추출은, 예컨대, 50장의 웨이퍼 중에서 1장째, 11장째, 21장째, 31장째, 41장째 및 50장째를 추출하는 방법으로 행하였다. 또한, 집광등 하에서 50장의 웨이퍼 전체의 표면을 육안으로 검사한 바, 웨이퍼 표면 상의 흐려짐은 거의 관찰되지 않았다. 또한, 레이저 면 검사기(面檢機)(SP-1, KLA-Tencor사 제조)에 의해 50장의 웨이퍼 전체의 Haze(표면 거칠기의 지표) 맵을 측정한 바, 웨이퍼 최상부에 근소하게 패턴이 보일 뿐이었으나, 매우 소수이기 때문에, 디바이스 제조 상 문제가 되지는 않는다. 참고로, 상기 웨이퍼 표면의 육안에 의한 검사 및 Haze 맵의 측정은, 웨이퍼를 오존 세정한 후에 추가로 SC-1 세정한 상태에서 실시하였다.
실시예 1의 결과를 통해, 오존 세정조 내의 오존 세정액의 오존 농도가 3ppm까지 저하된 경우라도 오존 세정 능력의 저하가 억제되며, 그 결과, 표면품질이 양호한 웨이퍼가 얻어짐을 알 수 있었다.
(실시예 2)
반송 수단의 반송 아암 및 척 부재의 세정을, 척 부재용 순수 세정조(제 2 순수 세정조) 내의 순수에 반송 아암 및 척 부재를 침지시킨 후 끌어올릴 때, 반송 아암 및 척 부재에 대해 순수를 분사함으로써 행한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 웨이퍼를 반송하였다. 척 부재용 순수 세정조로부터의 반송 아암의 인상속도는, 300mm/sec로 하였다. 또한, 반송 아암 및 척 부재에 대한 순수의 분사는, 도 7에 있어서의 척 부재용 순수 세정조의 상부 2곳에 설치된 순수 분사 노즐(106)로부터, 인상 중인 반송 아암 및 척 부재에 대해 순수(107)를 분사함으로써 행하였다.
화살표 4의, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도를 측정한 바, 10ppm으로, 초기 오존 농도가 유지되어 있었다. 척 부재용 순수 세정조로부터 반송 아암을 끌어올릴 때, 반송 아암 및 척 부재에 대해 순수를 분사함으로써, 반송 아암 및 척 부재에 부착되어 있던 알칼리 성분이 완전히 제거되었기 때문으로 생각된다.
상기 오존 세정액으로 세정된 웨이퍼에 대해, 웨이퍼의 상부, 중심부, 하부의 접촉각을 측정한 바, 각각 10도, 10도, 10도였다. 또한, 집광등 하에서 50장의 웨이퍼의 표면을 육안으로 검사한 바, 웨이퍼 표면상의 흐려짐은 관찰되지 않았다. 또한, 레이저 면 검사기에 의해 50장의 웨이퍼의 Haze(표면 거칠기의 지표) 맵을 측정한 바, 이상(異常)은 발견되지 않았다.
실시예 2의 결과를 통해, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도가 저하되지 않고, 이에 따라, 오존 세정 능력의 저하가 억제되며, 그 결과, 표면품질이 양호한 웨이퍼가 얻어짐을 알 수 있었다.
(실시예 3)
피처리물용 순수 세정조로부터의 반송 아암의 인상속도를 100mm/sec로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 웨이퍼를 반송하였다.
화살표 4의, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도를 측정한 바, 10ppm으로, 초기 오존 농도가 유지되어 있었다. 피처리물용 순수 세정조로부터의 반송 아암의 인상속도를 100mm/sec의 저속으로 함으로써, 반송 아암 및 척 부재에 부착되어 있던 알칼리 성분이 완전히 제거되었기 때문으로 생각된다.
상기 오존 세정액으로 세정된 웨이퍼에 대해, 웨이퍼의 상부, 중심부, 하부의 접촉각을 측정한 바, 각각 10도, 10도, 10도였다. 또한, 집광등 하에서 50매의 웨이퍼의 표면을 육안으로 검사한 바, 웨이퍼 표면상의 흐려짐은 관찰되지 않았다. 또한, 레이저 면 검사기에 의해 50장의 웨이퍼의 Haze(표면 거칠기의 지표) 맵을 측정한 바, 이상은 발견되지 않았다.
실시예 3의 결과를 통해, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도가 저하되지 않고, 이에 따라, 오존 세정 능력의 저하가 억제되며, 그 결과, 표면품질이 양호한 웨이퍼가 얻어짐을 알 수 있었다.
(실시예 4)
척 부재용 순수 세정조로부터의 반송 아암의 인상속도를 100mm/sec로 한 것 이외에는, 실시예 2와 동일한 방법에 의해 웨이퍼를 반송하였다.
화살표 4의, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도를 측정한 바, 10ppm으로, 초기 오존 농도가 유지되어 있었다. 알칼리 성분이 잔류되기 쉬운 척 부재(104)에 대해 순수를 분사하고, 또한 척 부재용 순수 세정조로부터의 반송 아암의 인상속도를 100mm/sec의 저속으로 함으로써, 반송 아암 및 척 부재에 부착되어 있던 알칼리 성분이 완전히 제거되었기 때문으로 생각된다.
상기 오존 세정액으로 세정된 웨이퍼에 대해, 웨이퍼의 상부, 중심부, 하부의 접촉각을 측정한 바, 각각 10도, 10도, 10도였다. 또한, 집광등 하에서 50장의 웨이퍼의 표면을 육안으로 검사한 바, 웨이퍼 표면상의 흐려짐은 관찰되지 않았다. 또한, 레이저 면 검사기에 의해 50장의 웨이퍼의 Haze(표면 거칠기의 지표) 맵을 측정한 바, 이상은 발견되지 않았다.
실시예 4의 결과를 통해, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도가 저하되지 않고, 이에 따라, 오존 세정 능력의 저하가 억제되며, 그 결과, 표면품질이 양호한 웨이퍼가 얻어짐을 알 수 있었다.
(비교예 1)
SC-1 세정 후, 반송 수단의 반송 아암 및 척 부재의 순수에 의한 세정을 행하지 않는 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 웨이퍼를 반송하였다.
화살표 4의, 반송 아암 및 척 부재를 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킨 직후의 오존 세정액의 오존 농도를 측정한 바, 0ppm으로, 오존 세정액 중의 오존이 분해되어 소멸되었다. 반송 아암의 일부 및 척 부재에 부착되어 있던 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입됨으로써, 오존 세정액 중의 오존의 분해가 촉진되어 세정액 중의 오존이 소멸되었기 때문이다.
상기 오존 세정액으로 세정된 웨이퍼에 대해, 웨이퍼의 상부, 중심부, 하부의 접촉각을 측정한 바, 각각 60도, 20도, 10도였다. 또한, 집광등 하에서 50장의 웨이퍼의 표면을 육안으로 검사한 바, 50장의 웨이퍼 전부에 있어서 표면의 일부에 흐려짐이 발생되어 있었다.
비교예에서는, 세정액 중에 오존이 존재하지 않는 상태(즉, 순수)에서 세정을 하였기 때문에 오존 세정 능력이 사라져, 웨이퍼의 세정 효과가 불충분해짐을 알 수 있었다.
실시예 1∼4 및 비교예 1의 결과로부터, 본 발명에 따른 세정 방법은, 비교예에 비해, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제할 수 있고, 이에 따라, 오존 세정 능력의 저하를 억제할 수 있으며, 그 결과, 표면품질이 양호한 웨이퍼가 얻어짐을 알 수 있다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명에 따르면, 피처리물을 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지시킴에 앞서, 반송 수단의 반송 아암의 일부 및 척 부재에 부착된 알칼리 성분을 세정 제거함으로써, 알칼리 성분이 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 오존 세정 능력의 저하를 억제할 수 있다.
100 : 세정조
101 : 피처리물
102 : 고정 수단
103 : 반송 아암
104 : 척 부재
105 : 세정액
106 : 순수 분사 노즐
107 : 순수
101 : 피처리물
102 : 고정 수단
103 : 반송 아암
104 : 척 부재
105 : 세정액
106 : 순수 분사 노즐
107 : 순수
Claims (6)
- 오존 세정액을 충전시킨 오존 세정조 및 알칼리성분 함유 용액을 충전시킨 알칼리 세정조를 포함하는 복수의 세정조와, 상기 복수의 세정조 사이에서 이동가능하며, 반송 아암 및 상기 반송 아암에 설치된 척 부재를 가지는 반송 수단을 구비하는 세정 장치의 상기 척 부재에 의해,
복수의 피처리물 중 하나의 피처리물을 분리가능하게 보유시킨 상태에서, 상기 복수의 세정조 중 하나의 세정조 내의 세정액에, 적어도 상기 척 부재 및 상기 반송 아암의 일부와 함께 상기 하나의 피처리물을 침지시키고,
이후, 상기 하나의 세정조 내에 있어서의 상기 하나의 피처리물의 처리 중에, 상기 하나의 피처리물로부터 상기 척 부재를 분리하여 상기 반송 수단을 이동시키고, 상기 척 부재에 의해, 미리 다른 세정조 내의 세정액에 침지되어 있던 다른 피처리물을 분리가능하게 보유시키는 공정을 구비하는 복수의 피처리물의 세정 방법으로서,
상기 방법은, 상기 척 부재에 의해, 미리 상기 오존 세정조 내의 오존 세정액에 침지되어 있던 다른 피처리물을 보유시키는 데 앞서, 상기 반송 아암의 일부 및 상기 척 부재에 부착된 알칼리 성분을 세정 제거하여, 알칼리 성분이 상기 오존 세정액에 혼입되는 것을 억제하는 것을 특징으로 하고,
상기 세정 장치는, 상기 반송 아암 및 상기 척 부재를 세정하기 위한, 순수를 충전시킨 척 부재용 순수 세정조를 더 구비하며, 상기 반송 아암 및 상기 척 부재는, 상기 척 부재용 순수 세정조 내의 순수에 침지시킨 후에 300mm/sec 이하의 속도로 끌어올려지며, 또한, 상기 반송 아암 및 상기 척 부재는, 상기 끌어올려질 때에 순수를 분사함으로써 세정되는 세정 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 알칼리 세정조 내의 상기 알칼리성분 함유 용액에, 적어도 1회 침지시킨 반송 아암 및 척 부재가 침지된 후의 상기 오존 세정액의 오존 농도는, 3ppm 이상인 세정 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 피처리물은, 1장 혹은 복수 장의 웨이퍼 또는 수납 카세트에 수납된 복수 장의 웨이퍼인 세정 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2009-283011 | 2009-12-14 | ||
| JP2009283011A JP5458857B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 洗浄方法 |
| PCT/JP2010/005868 WO2011074160A1 (ja) | 2009-12-14 | 2010-09-29 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120092713A KR20120092713A (ko) | 2012-08-21 |
| KR101429594B1 true KR101429594B1 (ko) | 2014-08-12 |
Family
ID=44166935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127018394A KR101429594B1 (ko) | 2009-12-14 | 2010-09-29 | 세정 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9553004B2 (ko) |
| JP (1) | JP5458857B2 (ko) |
| KR (1) | KR101429594B1 (ko) |
| DE (1) | DE112010004793B4 (ko) |
| WO (1) | WO2011074160A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA3085086C (en) | 2011-12-06 | 2023-08-08 | Delta Faucet Company | Ozone distribution in a faucet |
| WO2014082212A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
| US11458214B2 (en) | 2015-12-21 | 2022-10-04 | Delta Faucet Company | Fluid delivery system including a disinfectant device |
| CN116387238B (zh) * | 2023-06-05 | 2023-08-11 | 盛奕半导体科技(无锡)有限公司 | 一种臭氧清洗设备以及在半导体湿法清洗工艺中的应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209110A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| KR19990066684A (ko) * | 1993-01-23 | 1999-08-16 | 다카시마 히로시 | 반송척의 세정장치 및 세정방법 |
| JP2002329691A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| JP2007048918A (ja) | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Sumco Corp | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917763A (ja) | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nkk Corp | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JP2000037695A (ja) | 1998-07-24 | 2000-02-08 | Kurita Water Ind Ltd | オゾン水供給装置 |
| US6745783B2 (en) * | 2000-08-01 | 2004-06-08 | Tokyo Electron Limited | Cleaning processing method and cleaning processing apparatus |
| JP2005109423A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-04-21 | Ricoh Co Ltd | フォトレジスト除去装置、光ディスク用原盤とその製造方法、光ディスク用スタンパとその製造方法、及び光ディスク基板 |
| KR20060076813A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 전송장비의 그리퍼 세척장치 |
| JP4979412B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2012-07-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
| JP2009017763A (ja) | 2007-07-01 | 2009-01-22 | Tsutomu Tanaka | 回転式電池電力貯蔵装置 |
-
2009
- 2009-12-14 JP JP2009283011A patent/JP5458857B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-29 US US13/512,735 patent/US9553004B2/en active Active
- 2010-09-29 WO PCT/JP2010/005868 patent/WO2011074160A1/ja active Application Filing
- 2010-09-29 DE DE112010004793.6T patent/DE112010004793B4/de active Active
- 2010-09-29 KR KR1020127018394A patent/KR101429594B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990066684A (ko) * | 1993-01-23 | 1999-08-16 | 다카시마 히로시 | 반송척의 세정장치 및 세정방법 |
| JPH10209110A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2002329691A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| JP2007048918A (ja) | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Sumco Corp | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120092713A (ko) | 2012-08-21 |
| US20120234358A1 (en) | 2012-09-20 |
| WO2011074160A1 (ja) | 2011-06-23 |
| JP2011124498A (ja) | 2011-06-23 |
| US9553004B2 (en) | 2017-01-24 |
| DE112010004793T5 (de) | 2012-11-15 |
| DE112010004793B4 (de) | 2016-12-08 |
| JP5458857B2 (ja) | 2014-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100208868B1 (ko) | 열처리전의 세정방법 | |
| JP2004335838A (ja) | 洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法 | |
| KR101429594B1 (ko) | 세정 방법 | |
| US20200203193A1 (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers | |
| US20110079250A1 (en) | Post-texturing cleaning method for photovoltaic silicon substrates | |
| US20060042654A1 (en) | Semiconductor wafer treatment method and apparatus therefor | |
| CN110718448B (zh) | 半导体晶片的洗涤方法、及使用该洗涤方法的半导体晶片的制造方法 | |
| US20150053239A1 (en) | Wafer carrier cleaning method | |
| KR100920323B1 (ko) | 습식세정장치 및 기판처리방법 | |
| JP2006269960A (ja) | 半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法 | |
| TWI790869B (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
| KR100637401B1 (ko) | 로봇 척 세정조 겸용 기판 린스조, 이를 포함하는 습식세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
| JPH09266194A (ja) | 半導体ウエーハのエッチング方法 | |
| KR102466269B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정방법 | |
| JP2010034211A (ja) | 半導体ウェーハ並びにその洗浄装置及びその洗浄方法 | |
| KR101574645B1 (ko) | 연속 세정 장치 | |
| KR102648258B1 (ko) | 오존을 사용한 유리 캐리어 세정 | |
| DE102007058876A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Waferoberflächen | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 | |
| KR20100005758A (ko) | 반도체 기판의 습식세정장치 | |
| KR100843188B1 (ko) | 웨이퍼 정렬장치 | |
| KR20080088705A (ko) | 웨이퍼 가이드 및 그를 구비한 웨이퍼 세정장치 | |
| JP2005314762A (ja) | 電気メッキ装置 | |
| JP2004319783A (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
| KR20120107208A (ko) | 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 로딩 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170728 Year of fee payment: 4 |