JPH0917763A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPH0917763A JPH0917763A JP16617195A JP16617195A JPH0917763A JP H0917763 A JPH0917763 A JP H0917763A JP 16617195 A JP16617195 A JP 16617195A JP 16617195 A JP16617195 A JP 16617195A JP H0917763 A JPH0917763 A JP H0917763A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】カセットレス式ウエハ洗浄装置を用いた洗浄処
理において、ウエハＷの破損が生じるのを防止できる半
導体ウエハの洗浄方法に関する。 【構成】半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段のチャ
ック２２で保持し、このた状態で第１薬液槽１２に収容
した硫酸過水３１中に浸漬する。半導体ウエハＷをチャ
ック２２で保持した状態で６０秒間半導体ウエハＷに対
して硫酸過水３１を作用させる。その後半導体ウエハＷ
をチャック２２からウエハガイド３２，３３へ移し替
え、さらに５４０秒間半導体ウエハＷに対して硫酸過水
３１を作用させる。半導体ウエハｗをウエハガイド３
２，３３からチャック２２へ移載し、半導体ウエハＷを
硫酸過水３１から取り出す。
理において、ウエハＷの破損が生じるのを防止できる半
導体ウエハの洗浄方法に関する。 【構成】半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段のチャ
ック２２で保持し、このた状態で第１薬液槽１２に収容
した硫酸過水３１中に浸漬する。半導体ウエハＷをチャ
ック２２で保持した状態で６０秒間半導体ウエハＷに対
して硫酸過水３１を作用させる。その後半導体ウエハＷ
をチャック２２からウエハガイド３２，３３へ移し替
え、さらに５４０秒間半導体ウエハＷに対して硫酸過水
３１を作用させる。半導体ウエハｗをウエハガイド３
２，３３からチャック２２へ移載し、半導体ウエハＷを
硫酸過水３１から取り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】半導体装置の製造工程において、
半導体ウエハを洗浄処理するための半導体ウエハの洗浄
方法に関する。
半導体ウエハを洗浄処理するための半導体ウエハの洗浄
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体ウ
エハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄装置
（所謂ウエット洗浄）工程がある。従来の洗浄処理方法
には２通りの方式が知られている。一つはカセット方
式、他方はカセットレス方式である。
エハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄装置
（所謂ウエット洗浄）工程がある。従来の洗浄処理方法
には２通りの方式が知られている。一つはカセット方
式、他方はカセットレス方式である。
【０００３】カセット方式は、カセットに収納された半
導体ウエハをカセットと一緒に処理槽に挿入し、洗浄を
行うというものである。具体的には、複数枚の半導体ウ
エハが収納されたカセットを搬送手段の１対のアームに
一体に設けられた開閉可能な一対のＵ字状チャック部材
により吊り下げるように保持し、搬送手段でカセットを
移動させて各種処理プロセスに沿って順次カセットと一
緒に半導体ウエハを各処理槽に挿入して洗浄処理する。
導体ウエハをカセットと一緒に処理槽に挿入し、洗浄を
行うというものである。具体的には、複数枚の半導体ウ
エハが収納されたカセットを搬送手段の１対のアームに
一体に設けられた開閉可能な一対のＵ字状チャック部材
により吊り下げるように保持し、搬送手段でカセットを
移動させて各種処理プロセスに沿って順次カセットと一
緒に半導体ウエハを各処理槽に挿入して洗浄処理する。
【０００４】一方、カセットレス方式では、処理槽内に
予め半導体ウエハを載置および固定する固定手段を設
け、半導体ウエハを搬送手段のチャック部材にて保持し
た状態で処理槽内の固定手段に移し替えて洗浄する。半
導体ウエハの洗浄中、チャック部材は槽外で待機させて
いる。
予め半導体ウエハを載置および固定する固定手段を設
け、半導体ウエハを搬送手段のチャック部材にて保持し
た状態で処理槽内の固定手段に移し替えて洗浄する。半
導体ウエハの洗浄中、チャック部材は槽外で待機させて
いる。
【０００５】カセットレス方式は、処理槽を小型化で
き、かつ、カセットに付着した微細なごみの持ち込みを
防ぐことができ、さらに、カセットが大量の薬液や純水
等の処理液を持ち込み及び持ち出することを防止できる
点で、カセット方式よりも優れている。
き、かつ、カセットに付着した微細なごみの持ち込みを
防ぐことができ、さらに、カセットが大量の薬液や純水
等の処理液を持ち込み及び持ち出することを防止できる
点で、カセット方式よりも優れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のカセットレス方
式では、半導体ウエハの洗浄処理は、半導体ウエハを固
定手段で保持した状態で行われている。より具体的に
は、図４に示すように、複数枚の半導体ウエハＷを、処
理槽（図示せず）の内部にほぼ水平に配置された２本の
ウエハガイド４１，４２の上に載置および固定する。ウ
エハガイド４１，４２には、図５に示すように、ウエハ
Ｗを間隔をおいて配列し、かつ、固定できるように、固
定溝４３が形成されている。
式では、半導体ウエハの洗浄処理は、半導体ウエハを固
定手段で保持した状態で行われている。より具体的に
は、図４に示すように、複数枚の半導体ウエハＷを、処
理槽（図示せず）の内部にほぼ水平に配置された２本の
ウエハガイド４１，４２の上に載置および固定する。ウ
エハガイド４１，４２には、図５に示すように、ウエハ
Ｗを間隔をおいて配列し、かつ、固定できるように、固
定溝４３が形成されている。
【０００７】ウエハＷは、上述のようにウエハガイド４
１，４２に載置および固定された状態で薬液に浸漬され
て洗浄処理を受ける。薬液の中にはウエハＷまたはウエ
ハＷの表面上に形成された薄膜と激しく反応を起こすも
のもある。例えば、レジストの除去に用いられる硫酸お
よび過酸化水素水の混合液（以下、硫酸過水という）
は、レジストと反応して発泡を引き起こすことがある。
このため、上述のようにウエハガイド４１，４２に載置
および固定された状態で硫酸過水に浸漬させてレジスト
を除去する際に、発泡によりウエハＷが若干回転するこ
とによりウエハ位置がずれ、搬送時に破損を起こすこと
がある。
１，４２に載置および固定された状態で薬液に浸漬され
て洗浄処理を受ける。薬液の中にはウエハＷまたはウエ
ハＷの表面上に形成された薄膜と激しく反応を起こすも
のもある。例えば、レジストの除去に用いられる硫酸お
よび過酸化水素水の混合液（以下、硫酸過水という）
は、レジストと反応して発泡を引き起こすことがある。
このため、上述のようにウエハガイド４１，４２に載置
および固定された状態で硫酸過水に浸漬させてレジスト
を除去する際に、発泡によりウエハＷが若干回転するこ
とによりウエハ位置がずれ、搬送時に破損を起こすこと
がある。
【０００８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、カセットレス式ウエハ洗浄装置を用いた洗浄処
理において、ウエハＷの破損が生じるのを防止できる半
導体ウエハの洗浄方法に関する。
であり、カセットレス式ウエハ洗浄装置を用いた洗浄処
理において、ウエハＷの破損が生じるのを防止できる半
導体ウエハの洗浄方法に関する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
つの処理槽と、複数枚の半導体ウエハを直接保持する保
持手段と、前記保持手段を前記処理槽に搬送する搬送手
段と、前記処理槽内に設けられた前記半導体ウエハを固
定する固定手段とを有し、前記半導体ウエハを前記固定
手段に保持した状態で洗浄処埋する半導体洗浄装置を用
いて前記半導体ウエハの洗浄を行う半導体ウエハ洗浄方
法であって、前記半導体ウエハを前記保持手段で保持す
る工程と、前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した
状態で前記処理槽に収容した薬液中に浸漬する工程と、
前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した状態で所定
時間前記半導体ウエハに対して前記薬液を作用させる工
程と、その後前記半導体ウエハを前記保持手段から前記
固定手段へ移載し、さらに所定時間前記半導体ウエハに
対して前記薬液を作用させる工程と、前記半導体ウエハ
を前記固定手段から前記保持手段へ移載し、前記半導体
ウエハを前記薬液から取り出す工程とを具備することを
特徴とする半導体ウエハの洗浄方法を提供する。
つの処理槽と、複数枚の半導体ウエハを直接保持する保
持手段と、前記保持手段を前記処理槽に搬送する搬送手
段と、前記処理槽内に設けられた前記半導体ウエハを固
定する固定手段とを有し、前記半導体ウエハを前記固定
手段に保持した状態で洗浄処埋する半導体洗浄装置を用
いて前記半導体ウエハの洗浄を行う半導体ウエハ洗浄方
法であって、前記半導体ウエハを前記保持手段で保持す
る工程と、前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した
状態で前記処理槽に収容した薬液中に浸漬する工程と、
前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した状態で所定
時間前記半導体ウエハに対して前記薬液を作用させる工
程と、その後前記半導体ウエハを前記保持手段から前記
固定手段へ移載し、さらに所定時間前記半導体ウエハに
対して前記薬液を作用させる工程と、前記半導体ウエハ
を前記固定手段から前記保持手段へ移載し、前記半導体
ウエハを前記薬液から取り出す工程とを具備することを
特徴とする半導体ウエハの洗浄方法を提供する。
【００１０】
【作用】本発明の半導体ウエハの洗浄方法は、半導体ウ
エハを保持手段で保持した状態で所定時間半導体ウエハ
に対して薬液を作用させる。これにより、薬液と半導体
ウエハまたは半導体ウエハの表面に形成された薄膜が激
しく反応しても、半導体ウエハは保持手段により保持さ
れているので、激しい反応により半導体ウエハが動くの
が阻止される。薬液と半導体ウエハまたは薄膜の反応は
浸漬当初は激しく行われるが、一定時間が経過すると緩
やかになる。この後半導体ウエハを保持手段から固定手
段へ移載し、さらに所定時間半導体ウエハに対して薬液
を作用させて、処理を完了させる。
エハを保持手段で保持した状態で所定時間半導体ウエハ
に対して薬液を作用させる。これにより、薬液と半導体
ウエハまたは半導体ウエハの表面に形成された薄膜が激
しく反応しても、半導体ウエハは保持手段により保持さ
れているので、激しい反応により半導体ウエハが動くの
が阻止される。薬液と半導体ウエハまたは薄膜の反応は
浸漬当初は激しく行われるが、一定時間が経過すると緩
やかになる。この後半導体ウエハを保持手段から固定手
段へ移載し、さらに所定時間半導体ウエハに対して薬液
を作用させて、処理を完了させる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面参照して詳細に
説明する。図１は、本発明の半導体ウエハの洗浄方法の
一例に用いられるカセットレス式のウエハ洗浄装置を示
す概略図である。図中１１は、他の処理工程から運ばれ
てきた複数枚の半導体ウエハＷを収容したカセットが搬
入されるローディング部である。ローディング部１１の
後段には、第１薬液槽１２、第２薬液層１３、ＱＤＲ槽
１４、ＲＲ槽１５およびスピンドライ部１６が順次設け
られている。スピンドライ部１６の後段には、処理済の
半導体ウエハＷを収容したカセットが搬出されるアンロ
ーディング部１７が設けられている。
説明する。図１は、本発明の半導体ウエハの洗浄方法の
一例に用いられるカセットレス式のウエハ洗浄装置を示
す概略図である。図中１１は、他の処理工程から運ばれ
てきた複数枚の半導体ウエハＷを収容したカセットが搬
入されるローディング部である。ローディング部１１の
後段には、第１薬液槽１２、第２薬液層１３、ＱＤＲ槽
１４、ＲＲ槽１５およびスピンドライ部１６が順次設け
られている。スピンドライ部１６の後段には、処理済の
半導体ウエハＷを収容したカセットが搬出されるアンロ
ーディング部１７が設けられている。
【００１２】ローディング部１１からＯＦＲ槽１５の側
面部には、ローディング部１１ないしＯＦＲ槽１５の間
で複数枚の半導体ウエハＷを保持しかつ運搬する第１ロ
ボット１８が設けられている。また、ＯＦＲ槽１５およ
びスピンドライ部１６の間には、ＯＦＲ槽１５およびス
ピンドライ部１６の間で複数枚の半導体ウエハＷを保持
しかつ運搬する第２ロボット１９が設けられている。さ
らに、スピンドライ部１６およびアンローダー部１７の
間で複数枚の半導体ウエハＷを保持しかつ運搬する第３
ロボット２０が設けられている。
面部には、ローディング部１１ないしＯＦＲ槽１５の間
で複数枚の半導体ウエハＷを保持しかつ運搬する第１ロ
ボット１８が設けられている。また、ＯＦＲ槽１５およ
びスピンドライ部１６の間には、ＯＦＲ槽１５およびス
ピンドライ部１６の間で複数枚の半導体ウエハＷを保持
しかつ運搬する第２ロボット１９が設けられている。さ
らに、スピンドライ部１６およびアンローダー部１７の
間で複数枚の半導体ウエハＷを保持しかつ運搬する第３
ロボット２０が設けられている。
【００１３】図２は、図１に示す半導体装置１０の第１
薬液槽１２〜ＯＦＲ槽１５の部分を示す斜視図である。
図２に示すように、第１薬液槽１２、第２薬液槽１３、
ＱＤＲ槽１６およびＯＦＲ槽１５が順次配列されてい
る。第１薬液槽１２〜ＯＦＲ槽１５に沿って搬送用の第
１ロボット１８が設けられている。第１ロボット１８
は、半導体ウエハ保持手段２１を昇降自在に支持してい
る。半導体ウエハ保持手段２１の先端部には、複数の半
導体ウエハＷを一体として保持するチャック２２が開閉
自在に取り付けられている。
薬液槽１２〜ＯＦＲ槽１５の部分を示す斜視図である。
図２に示すように、第１薬液槽１２、第２薬液槽１３、
ＱＤＲ槽１６およびＯＦＲ槽１５が順次配列されてい
る。第１薬液槽１２〜ＯＦＲ槽１５に沿って搬送用の第
１ロボット１８が設けられている。第１ロボット１８
は、半導体ウエハ保持手段２１を昇降自在に支持してい
る。半導体ウエハ保持手段２１の先端部には、複数の半
導体ウエハＷを一体として保持するチャック２２が開閉
自在に取り付けられている。
【００１４】以下、上述のような半導体ウエハ洗浄装置
１０を用いて、半導体ウエハＷの表面に形成されたレジ
ストを除去する場合について説明する。第１に、第１ロ
ボット１８は、ローディング部１１へ移動する。次に、
半導体ウエハ保持手段２１を下降させ、半導体ウエハ保
持手段２１の先端部に取り付けられたチャック２２を閉
じて、複数枚の半導体ウエハＷを一体として保持する。
この後、半導体ウエハ保持手段２１を上昇させる。
１０を用いて、半導体ウエハＷの表面に形成されたレジ
ストを除去する場合について説明する。第１に、第１ロ
ボット１８は、ローディング部１１へ移動する。次に、
半導体ウエハ保持手段２１を下降させ、半導体ウエハ保
持手段２１の先端部に取り付けられたチャック２２を閉
じて、複数枚の半導体ウエハＷを一体として保持する。
この後、半導体ウエハ保持手段２１を上昇させる。
【００１５】第２に、半導体ウエハＷを保持した第１ロ
ボット１８は、図３（Ａ）に示すように、第１薬液槽１
２の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段２
１を下降させて、図３（Ｂ）に示すように、半導体ウエ
ハＷを第１薬液槽１２に収容された硫酸過水３１に侵入
させる。半導体ウエハＷをチャック２２を閉じて保持し
たままの状態で６０秒間維持して、半導体ウエハＷに硫
酸過水３１を作用させる。
ボット１８は、図３（Ａ）に示すように、第１薬液槽１
２の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段２
１を下降させて、図３（Ｂ）に示すように、半導体ウエ
ハＷを第１薬液槽１２に収容された硫酸過水３１に侵入
させる。半導体ウエハＷをチャック２２を閉じて保持し
たままの状態で６０秒間維持して、半導体ウエハＷに硫
酸過水３１を作用させる。
【００１６】６０秒間経過後、図３（Ｃ）に示すよう
に、チャック２２を開き、半導体ウエハＷを第１薬液槽
１２の内部にほぼ水平に設けられた１対のウエハガイド
３２，３３の上に載置する。この状態でさらに５４０秒
間維持して、半導体ウエハＷに硫酸過水を作用させる。
この結果、半導体ウエハＷの表面上に形成されたレジス
トの大半が除去される。
に、チャック２２を開き、半導体ウエハＷを第１薬液槽
１２の内部にほぼ水平に設けられた１対のウエハガイド
３２，３３の上に載置する。この状態でさらに５４０秒
間維持して、半導体ウエハＷに硫酸過水を作用させる。
この結果、半導体ウエハＷの表面上に形成されたレジス
トの大半が除去される。
【００１７】半導体ウエハＷをウエハガイド３２，３３
に移し替えた後の半導体ウエハ保持手段２１は、図３
（Ｄ）に示すように、硫酸過水３１から引き上げられ、
第１薬液槽１２の上方で待機させるか、他の第２薬液槽
１３〜１５での処理を行なわせる。
に移し替えた後の半導体ウエハ保持手段２１は、図３
（Ｄ）に示すように、硫酸過水３１から引き上げられ、
第１薬液槽１２の上方で待機させるか、他の第２薬液槽
１３〜１５での処理を行なわせる。
【００１８】５４０秒経過後、半導体ウエハ保持手段２
１のチャック２２を、図３（Ｅ）に示すように、再び硫
酸過水３１中に下降させる。次に、図３（Ｆ）に示すよ
うに、チャック２２を閉じて半導体ウエハＷを保持す
る。この後、図３（Ｇ）に示すように、半導体ウエハ保
持手段２１を上昇させて、チャック２２により保持され
た半導体ウエハＷを硫酸過水３１から引き上げる。
１のチャック２２を、図３（Ｅ）に示すように、再び硫
酸過水３１中に下降させる。次に、図３（Ｆ）に示すよ
うに、チャック２２を閉じて半導体ウエハＷを保持す
る。この後、図３（Ｇ）に示すように、半導体ウエハ保
持手段２１を上昇させて、チャック２２により保持され
た半導体ウエハＷを硫酸過水３１から引き上げる。
【００１９】第３に、第２薬液槽１３において、硫酸過
水による２回目の洗浄処理を行う。この処理では、半導
体ウエハＷの表面には、レジストが若干残っている程度
であるため、硫酸過水３１とレジストとの反応は穏やか
であり、半導体ウエハＷが動いて破損を生じるおそれは
少ない。従って、この第２薬液槽１３での洗浄処理は、
通常のプロセスに従って行うことができる。具体的に
は、半導体ウエハＷを保持した第１ロボット１８は、第
２薬液槽１３の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ
保持手段２１を下降させて、半導体ウエハＷを第２薬液
槽１３に収容された硫酸過水３１に挿入する。直ちに、
半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段２１から第２薬
液槽１３の中に設けられた１対のウエハガイドに移し替
える。この状態で６００秒間維持して、半導体ウエハＷ
に硫酸過水を作用させる。この結果、半導体ウエハＷの
表面上に形成されたレジストが実質的に全て除去され
る。
水による２回目の洗浄処理を行う。この処理では、半導
体ウエハＷの表面には、レジストが若干残っている程度
であるため、硫酸過水３１とレジストとの反応は穏やか
であり、半導体ウエハＷが動いて破損を生じるおそれは
少ない。従って、この第２薬液槽１３での洗浄処理は、
通常のプロセスに従って行うことができる。具体的に
は、半導体ウエハＷを保持した第１ロボット１８は、第
２薬液槽１３の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ
保持手段２１を下降させて、半導体ウエハＷを第２薬液
槽１３に収容された硫酸過水３１に挿入する。直ちに、
半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段２１から第２薬
液槽１３の中に設けられた１対のウエハガイドに移し替
える。この状態で６００秒間維持して、半導体ウエハＷ
に硫酸過水を作用させる。この結果、半導体ウエハＷの
表面上に形成されたレジストが実質的に全て除去され
る。
【００２０】６００秒経過後、半導体ウエハ保持手段２
１のチャック２２を閉じて半導体ウエハＷを保持する。
この後、半導体ウエハ保持手段２１を上昇させて、半導
体ウエハＷを硫酸過水から引き上げる。
１のチャック２２を閉じて半導体ウエハＷを保持する。
この後、半導体ウエハ保持手段２１を上昇させて、半導
体ウエハＷを硫酸過水から引き上げる。
【００２１】第４に、第１ロボット１８は、ＱＤＲ槽１
４の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段２
１を下降させて、半導体ウエハＷをＱＤＲ槽１４に挿入
する。ここでは、常法に従って、クイックダンプリンス
（ＱＤＲ）を行う。ＱＤＲ処理終了後、半導体ウエハ保
持手段２１を上昇させて、半導体ウエハＷをＱＤＲ槽１
４から引き上げる。
４の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段２
１を下降させて、半導体ウエハＷをＱＤＲ槽１４に挿入
する。ここでは、常法に従って、クイックダンプリンス
（ＱＤＲ）を行う。ＱＤＲ処理終了後、半導体ウエハ保
持手段２１を上昇させて、半導体ウエハＷをＱＤＲ槽１
４から引き上げる。
【００２２】第５に、第１ロボット１８は、ＯＦＲ槽１
５の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段２
１を下降させて、半導体ウエハＷをＯＦＲ槽１５に挿入
する。ここでは、常法に従って、オーバーフローリンス
（ＯＦＲ）を行う。ＱＤＲおよびＯＦＲ処理により、半
導体ウエハＷの表面に残留した硫酸過水およびレジスト
の残渣等が取り除かれる。ＯＦＲ処理終了後、第２ロボ
ット１９は、ＯＦＲ槽１５の位置まで移動する。第２ロ
ボット１９の半導体ウエハ保持手段を下降させて、半導
体ウエハ保持手段のチャックにより半導体ウエハＷを保
持し、ＯＦＲ槽１５から引き上げる。
５の位置まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段２
１を下降させて、半導体ウエハＷをＯＦＲ槽１５に挿入
する。ここでは、常法に従って、オーバーフローリンス
（ＯＦＲ）を行う。ＱＤＲおよびＯＦＲ処理により、半
導体ウエハＷの表面に残留した硫酸過水およびレジスト
の残渣等が取り除かれる。ＯＦＲ処理終了後、第２ロボ
ット１９は、ＯＦＲ槽１５の位置まで移動する。第２ロ
ボット１９の半導体ウエハ保持手段を下降させて、半導
体ウエハ保持手段のチャックにより半導体ウエハＷを保
持し、ＯＦＲ槽１５から引き上げる。
【００２３】第６に、第２ロボット１９は、スピンドラ
イ部１６まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段を
下降させて、半導体ウエハＷをスピンドライ部１６の半
導体ウエハ固定機構に固定し、半導体ウエハＷを回転さ
せることにより、半導体ウエハＷを乾燥させる。
イ部１６まで移動する。次に、半導体ウエハ保持手段を
下降させて、半導体ウエハＷをスピンドライ部１６の半
導体ウエハ固定機構に固定し、半導体ウエハＷを回転さ
せることにより、半導体ウエハＷを乾燥させる。
【００２４】乾燥終了後、第３ロボット２０は、スピン
ドライ部１６の位置まで移動する。第３ロボット２０の
半導体ウエハ保持手段を下降させて、スピンドライ部１
６の半導体ウエハ固定機構から半導体ウエハＷを移し取
り、スピンドライ部１６から半導体ウエハＷを引き上げ
る。
ドライ部１６の位置まで移動する。第３ロボット２０の
半導体ウエハ保持手段を下降させて、スピンドライ部１
６の半導体ウエハ固定機構から半導体ウエハＷを移し取
り、スピンドライ部１６から半導体ウエハＷを引き上げ
る。
【００２５】第７に、第３ロボット２０は、アンローデ
ィング部１７まで移動する。第３ロボット２０は、保持
した半導体ウエハＷをカセットに挿入し、移載する。こ
の後、複数枚の半導体ウエハＷを収容したカセットは他
の処理工程へ搬出される。
ィング部１７まで移動する。第３ロボット２０は、保持
した半導体ウエハＷをカセットに挿入し、移載する。こ
の後、複数枚の半導体ウエハＷを収容したカセットは他
の処理工程へ搬出される。
【００２６】以上説明した半導体ウエハＷの洗浄方法に
よれば、第１薬液槽１２におけるレジストの除去工程に
おいて、半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段２１の
チャック２２で保持した状態で所定時間（６０秒間）半
導体ウエハＷに対して硫酸過水３１を作用させている。
これにより、硫酸過水３１と半導体ウエハＷの表面に形
成されたレジストが激しく反応して発泡を起こすが、半
導体ウエハＷは半導体ウエハ保持手段２１により強固に
保持されているので、半導体ウエハＷが動くのを防止で
きる。半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段２１のチ
ャック２２で保持した状態ででの処理時間は、特に限定
されるものではなく、薬液と半導体ウエハＷまたは半導
体ウエハＷの表面に形成された薄膜との反応が穏やかに
なるのに必要な時間よりも長い時間であればよい。従っ
て、この処理時間は、薬液と半導体ウエハＷまたは薄膜
との反応性に依存して延長または短縮される。
よれば、第１薬液槽１２におけるレジストの除去工程に
おいて、半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段２１の
チャック２２で保持した状態で所定時間（６０秒間）半
導体ウエハＷに対して硫酸過水３１を作用させている。
これにより、硫酸過水３１と半導体ウエハＷの表面に形
成されたレジストが激しく反応して発泡を起こすが、半
導体ウエハＷは半導体ウエハ保持手段２１により強固に
保持されているので、半導体ウエハＷが動くのを防止で
きる。半導体ウエハＷを半導体ウエハ保持手段２１のチ
ャック２２で保持した状態ででの処理時間は、特に限定
されるものではなく、薬液と半導体ウエハＷまたは半導
体ウエハＷの表面に形成された薄膜との反応が穏やかに
なるのに必要な時間よりも長い時間であればよい。従っ
て、この処理時間は、薬液と半導体ウエハＷまたは薄膜
との反応性に依存して延長または短縮される。
【００２７】この後、半導体ウエハＷを半導体ウエハ保
持手段２１から、第１薬液槽１２内に設けられたウエハ
ガイド３２，３３へ移載し、さらに所定時間、すなわち
従来の第１薬液槽１２における洗浄処理に必要な時間
（本実施例では６００秒）の残りの時間（本実施例では
５４０秒）半導体ウエハＷに対して硫酸過水３１を作用
させて処理を完了させる。硫酸過水３１と半導体ウエハ
または薄膜の反応は浸漬当初は激しく行われるが、一定
時間（本実施例では６０秒）が経過すると緩やかにな
る。このため、半導体ウエハＷをウエハガイド３２、３
３に移し替えて残りの処理を行っても、半導体ウエハＷ
の破損を生じることなく、半導体ウエハＷの洗浄を行う
ことができる。また、この方法によれば、既存のウエハ
洗浄装置においてウエハ洗浄プロセスのレシピ（または
プログラム）を変更するだけで、半導体ウエハＷの破損
を防止できる。
持手段２１から、第１薬液槽１２内に設けられたウエハ
ガイド３２，３３へ移載し、さらに所定時間、すなわち
従来の第１薬液槽１２における洗浄処理に必要な時間
（本実施例では６００秒）の残りの時間（本実施例では
５４０秒）半導体ウエハＷに対して硫酸過水３１を作用
させて処理を完了させる。硫酸過水３１と半導体ウエハ
または薄膜の反応は浸漬当初は激しく行われるが、一定
時間（本実施例では６０秒）が経過すると緩やかにな
る。このため、半導体ウエハＷをウエハガイド３２、３
３に移し替えて残りの処理を行っても、半導体ウエハＷ
の破損を生じることなく、半導体ウエハＷの洗浄を行う
ことができる。また、この方法によれば、既存のウエハ
洗浄装置においてウエハ洗浄プロセスのレシピ（または
プログラム）を変更するだけで、半導体ウエハＷの破損
を防止できる。
【００２８】本発明の効果を確認するために、上述の洗
浄方法に従って、５０００枚（１００ラン）の半導体ウ
エハＷに対してレジストの除去を行ったが、発泡の発生
はあるものの半導体ウエハＷは動くことはなく、搬送完
了後も半導体ウエハＷの破損は全く生じなかった。
浄方法に従って、５０００枚（１００ラン）の半導体ウ
エハＷに対してレジストの除去を行ったが、発泡の発生
はあるものの半導体ウエハＷは動くことはなく、搬送完
了後も半導体ウエハＷの破損は全く生じなかった。
【００２９】以上説明した実施例では、硫酸過水により
レジストを除去する場合について説明したが、有機溶剤
系による反応生成物、レジストを除去する場合にも、半
導体ウエハＷの破損を防止することができる。
レジストを除去する場合について説明したが、有機溶剤
系による反応生成物、レジストを除去する場合にも、半
導体ウエハＷの破損を防止することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
エハの洗浄方法は、半導体ウエハを保持手段で保持した
状態で所定時間半導体ウエハに対して薬液を作用させ
る。これにより、薬液と半導体ウエハまたは半導体ウエ
ハの表面に形成された薄膜が激しく反応しても、半導体
ウエハは保持手段により保持されているので、激しい反
応により半導体ウエハが動くのを防止できる。この結
果、半導体ウエハの洗浄工程において半導体ウエハの破
損を防止できる。
エハの洗浄方法は、半導体ウエハを保持手段で保持した
状態で所定時間半導体ウエハに対して薬液を作用させ
る。これにより、薬液と半導体ウエハまたは半導体ウエ
ハの表面に形成された薄膜が激しく反応しても、半導体
ウエハは保持手段により保持されているので、激しい反
応により半導体ウエハが動くのを防止できる。この結
果、半導体ウエハの洗浄工程において半導体ウエハの破
損を防止できる。
【図１】本発明の半導体ウエハの洗浄方法の一例に用い
られるウエハ洗浄装置を示す概略図。
られるウエハ洗浄装置を示す概略図。
【図２】図１に示すウエハ洗浄装置の要部を示す斜視
図。
図。
【図３】（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の半導体ウエハの洗
浄方法における第１薬液槽での処理工程を夫々示す概略
図。
浄方法における第１薬液槽での処理工程を夫々示す概略
図。
【図４】従来のカセットレス式ウエハ洗浄装置における
薬液中でウエハを固定した状態を示す斜視図。
薬液中でウエハを固定した状態を示す斜視図。
【図５】図４に示すカセットレス式ウエハ洗浄装置のウ
エハガイドの要部を示す斜視図。
エハガイドの要部を示す斜視図。
１０…ウエハ洗浄装置、１１…ローディング部、１２…
第１薬液槽、１３…第２薬液槽、１４…ＱＤＲ槽、１５
…ＯＦＲ槽、１６…スピンドライ部、１７…アンローデ
ィング部、１８…第１ロボット、１９…第２ロボット、
２０…第３ロボット、２１…半導体ウエハ保持手段、２
２…チャック、３１…硫酸過水、３２，３３…ウエハガ
イド。
第１薬液槽、１３…第２薬液槽、１４…ＱＤＲ槽、１５
…ＯＦＲ槽、１６…スピンドライ部、１７…アンローデ
ィング部、１８…第１ロボット、１９…第２ロボット、
２０…第３ロボット、２１…半導体ウエハ保持手段、２
２…チャック、３１…硫酸過水、３２，３３…ウエハガ
イド。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも一つの処理槽と、複数枚の半
導体ウエハを直接保持する保持手段と、前記保持手段を
前記処理槽に搬送する搬送手段と、前記処理槽内に設け
られた前記半導体ウエハを固定する固定手段とを有し、
前記半導体ウエハを前記固定手段に保持した状態で洗浄
処埋する半導体洗浄装置を用いて前記半導体ウエハの洗
浄を行う半導体ウエハ洗浄方法であって、 前記半導体ウエハを前記保持手段で保持する工程と、 前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した状態で前記
処理槽に収容した薬液中に浸漬する工程と、 前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した状態で所定
時間前記半導体ウエハに対して前記薬液を作用させる工
程と、 その後前記半導体ウエハを前記保持手段から前記固定手
段へ移載し、さらに所定時間前記半導体ウエハに対して
前記薬液を作用させる工程と、 前記半導体ウエハを前記固定手段から前記保持手段へ移
載し、前記半導体ウエハを前記薬液から取り出す工程と
を具備することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。 - 【請求項２】 薬液が半導体ウエハに作用して発泡を生
じるものである請求項１記載の半導体ウエハの洗浄方
法。 - 【請求項３】 薬液が硫酸および過酸化水素水の混合液
である請求項１または２に記載の半導体ウエハの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16617195A JPH0917763A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16617195A JPH0917763A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917763A true JPH0917763A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15826396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16617195A Pending JPH0917763A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917763A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112010004793T5 (de) | 2009-12-14 | 2012-11-15 | Sumco Corp. | Reinigungsverfahren |
| CN107818935A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-03-20 | 常州市科沛达超声工程设备有限公司 | 晶圆片去胶机 |
| WO2021144982A1 (ja) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | 東邦化成株式会社 | 薬液処理装置 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP16617195A patent/JPH0917763A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112010004793T5 (de) | 2009-12-14 | 2012-11-15 | Sumco Corp. | Reinigungsverfahren |
| DE112010004793B4 (de) * | 2009-12-14 | 2016-12-08 | Sumco Corp. | Reinigungsverfahren |
| US9553004B2 (en) | 2009-12-14 | 2017-01-24 | Sumco Corporation | Cleaning method |
| CN107818935A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-03-20 | 常州市科沛达超声工程设备有限公司 | 晶圆片去胶机 |
| WO2021144982A1 (ja) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | 東邦化成株式会社 | 薬液処理装置 |
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