JPH0878387A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH0878387A
JPH0878387A JP20862194A JP20862194A JPH0878387A JP H0878387 A JPH0878387 A JP H0878387A JP 20862194 A JP20862194 A JP 20862194A JP 20862194 A JP20862194 A JP 20862194A JP H0878387 A JPH0878387 A JP H0878387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
tank
washing
chemical liquid
bath
Prior art date
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Pending
Application number
JP20862194A
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English (en)
Inventor
Nobuo Niwayama
信夫 庭山
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 薬液処理後の洗浄を完全に行う。 【構成】 1)薬液槽内と水洗槽内とで,被処理基板の
異なる部位で該被処理基板を保持する。 2)前記薬液槽内あるいは水洗槽内で前記被処理基板を
保持する槽内ガイドに,自動処理装置の搬送ロボットに
より直接該被処理基板を搬入あるいは搬出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おける基板の洗浄方法に関する。近年のデバイスの微細
化, 高集積化に伴い, 半導体基板の清浄な洗浄は極めて
重要である。そのため,基板を収納する基板キャリアか
らの汚染が問題になり,さらに耐薬品性を考慮してキャ
リアレス化の洗浄装置にする必要がある。
【0002】
【従来の技術】従来の洗浄装置は,キャリア収納タイプ
の洗浄装置であったが,処理時にキャリアを使用しない
洗浄装置が最近使用されるようになってきた。
【0003】この洗浄装置は,搬送用ロボットと槽内ガ
イドと呼ばれる基板受け部とを設けた自動洗浄装置であ
る。ところが,槽内ガイドが同一タイプであるため, 基
板を保持する部位が常に同じであり,その部分が洗浄さ
れにくいという問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では,薬液処
理の際, 特に粘性の高い薬液や高濃度の薬液ではその後
の水洗洗浄が完全にできなくなり,基板保持部に薬液が
残りやすいという問題があった。
【0005】本発明は薬液処理後の洗浄を完全に行うこ
とを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は, 1)薬液槽内と水洗槽内とで,被処理基板の異なる部位
で該被処理基板を保持する半導体装置の製造方法,ある
いは 2)前記薬液槽内あるいは水洗槽内で前記被処理基板を
保持する槽内ガイドに,自動処理装置の搬送ロボットに
より直接該被処理基板を搬入あるいは搬出する前記1記
載の半導体装置の製造方法により達成される。
【0007】
【作用】本発明では薬液槽内の基板保持部と水洗槽内の
基板保持部は基板の異なる部位で保持するようにするこ
とにより,例えば, 図1に示す3点支持の槽内ガイドと
4点支持の槽内ガイドを処理槽を経るごとに交互に使用
することにより,基板と槽内ガイドの接触部が固定され
ることなく対処できる。従って,薬液残等の洗浄不良に
よる障害が防止でき,清浄な薬液洗浄が可能となる。
【0008】
【実施例】図1(A),(B) は本発明の一実施例の説明図で
ある。図において, 1は槽内で基板を保持する槽内ガイ
ド, 2は基板である。
【0009】図1(A) は3点支持の槽内ガイド, 図1
(B) は4点支持の槽内ガイドを示し,例えば, 自動処理
装置の薬液槽には3点支持の槽内ガイドを用い, 水洗槽
には4点支持の槽内ガイドを用いる。あるいは, この逆
であってもよい。
【0010】図2は槽内ガイドの説明図である。槽内ガ
イドは石英またはテフロンコーティングされた石英で形
成され,搬送ロボットより基板を受け取り,基板を処理
液に浸漬し所定の処理を行った後,処理液より引き上げ
て次工程の洗浄槽に搬送する。
【0011】図は3点支持の槽内ガイドを示し,通常,
下側の基板受け溝1Aは基板の倒れ防止のためその断面が
Y字型に形成されており,側面の基板受け溝1Bは基板の
搬送を容易にするためV字型に形成されている。
【0012】次に,実施例の効果を示す具体例を従来例
と対比して説明する。上記のように,下側の基板受け溝
はY字型に形成されているため,この溝には薬液が残り
やすく,その後の水洗で同じ場所を保持すると,基板の
保持部より中心に向かって特異モードの薬液残渣が発生
することがあった。この薬液残渣はフッ酸処理等で除去
できるからステインではない。
【0013】特に, 粘度の高い薬液, 例えば, 硫酸と過
酸化水素水の混合液や燐酸等の処理を行った場合に顕著
に薬液残渣が発生する。これに対して,実施例では薬液
槽と水洗槽では基板の同じ場所を保持しないため,この
ような薬液残渣は見られなかった。
【0014】また,従来例ではパーティクルカウンタで
ウエハ全面の測定を行った際に,上記特異モードの薬液
残渣が見られることがあるが,実施例ではこれの発生を
低減することができる。
【0015】実施例では槽内ガイドの保持位置を変える
ために,3点支持と4点支持を交互に用いたが,その組
み合わせはこれに限らず,例えば,3点支持のみを用い
その支持部の位置を変えてもよいことは勿論である。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば,薬液槽内の基板保持部
と水洗槽内の基板保持部は基板の異なる部位で保持する
ため,基板保持部で薬液残が生じることはなく,洗浄が
清浄に行われ,デバイスの信頼性と製造歩留の向上に寄
与できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例の説明図
【図2】 槽内ガイドの説明図
【符号の説明】
1 槽内で基板を保持する槽内ガイド 1A 槽内ガイドの基板受け溝 (Y字型) 1B 槽内ガイの基板受け溝 (V字型) 2 基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薬液槽内と水洗槽内とで,被処理基板の
    異なる部位で該被処理基板を保持することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記薬液槽内あるいは水洗槽内で前記被
    処理基板を保持する槽内ガイドに,自動処理装置の搬送
    ロボットにより直接該被処理基板を搬入あるいは搬出す
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方
    法。
JP20862194A 1994-09-01 1994-09-01 半導体装置の製造方法 Pending JPH0878387A (ja)

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JP20862194A JPH0878387A (ja) 1994-09-01 1994-09-01 半導体装置の製造方法

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JPH0878387A true JPH0878387A (ja) 1996-03-22

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JP (1) JPH0878387A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337030B1 (en) 1997-02-04 2002-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
US6391067B2 (en) 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337030B1 (en) 1997-02-04 2002-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
US6391067B2 (en) 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus

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Effective date: 20021217