JP3473662B2 - ウェット式洗浄装置 - Google Patents
ウェット式洗浄装置Info
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- JP3473662B2 JP3473662B2 JP28737296A JP28737296A JP3473662B2 JP 3473662 B2 JP3473662 B2 JP 3473662B2 JP 28737296 A JP28737296 A JP 28737296A JP 28737296 A JP28737296 A JP 28737296A JP 3473662 B2 JP3473662 B2 JP 3473662B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はウェット式洗浄装
置、例えばシリコンウェーハをバッチ処理可能なウェッ
ト式洗浄装置に関する。
置、例えばシリコンウェーハをバッチ処理可能なウェッ
ト式洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコンウェーハのウェット式洗
浄装置においては、複数の薬液槽、リンス槽を有して構
成されていた。この洗浄装置では、各薬液槽の洗浄薬液
を循環フィルタリングして使用していた。そして、複数
のシリコンウェーハがこの薬液槽に浸されバッチ処理さ
れていた。したがって、薬液槽の薬液量が減った場合
は、新液を薬液槽に注ぎ足すように構成されていた。
浄装置においては、複数の薬液槽、リンス槽を有して構
成されていた。この洗浄装置では、各薬液槽の洗浄薬液
を循環フィルタリングして使用していた。そして、複数
のシリコンウェーハがこの薬液槽に浸されバッチ処理さ
れていた。したがって、薬液槽の薬液量が減った場合
は、新液を薬液槽に注ぎ足すように構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のウェット式洗浄装置にあっては、薬液槽の薬
液はただ単に循環されて使用されていたに過ぎなかっ
た。この場合、薬液量が減ると、同一組成の新液（例え
ばＳＣ１液：ＳｔａｎｄａｒｄＣｌｅａｎｉｎｇ１）を
薬液槽に所定量だけ追加するものであった。この結果、
多くのシリコンウェーハを洗浄すると、徐々に薬液が変
成していた。すなわち、薬液槽内での薬液の濃度が変化
し、洗浄能力（パーティクル除去等の能力）が低下して
いた。よって、洗浄能力を保とうとすると、オーバフロ
ー液は再使用することができなかった。
うな従来のウェット式洗浄装置にあっては、薬液槽の薬
液はただ単に循環されて使用されていたに過ぎなかっ
た。この場合、薬液量が減ると、同一組成の新液（例え
ばＳＣ１液：ＳｔａｎｄａｒｄＣｌｅａｎｉｎｇ１）を
薬液槽に所定量だけ追加するものであった。この結果、
多くのシリコンウェーハを洗浄すると、徐々に薬液が変
成していた。すなわち、薬液槽内での薬液の濃度が変化
し、洗浄能力（パーティクル除去等の能力）が低下して
いた。よって、洗浄能力を保とうとすると、オーバフロ
ー液は再使用することができなかった。
【０００４】
【発明の目的】この発明の目的は、薬液の濃度を常に一
定範囲に保ったウェット式洗浄装置を提供することであ
る。この発明の目的は、オーバフローした薬液を再利用
可能としたウェット式洗浄装置を提供することである。
定範囲に保ったウェット式洗浄装置を提供することであ
る。この発明の目的は、オーバフローした薬液を再利用
可能としたウェット式洗浄装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、複数の組成液を混合してなる薬液が注入され、この
注入された薬液中に洗浄対象物が浸漬されるとともに、
オーバフローした薬液が循環して再使用される第１の薬
液槽と、第１の薬液槽で注入される薬液と同じ組成液を
混合してなる薬液が注入され、この薬液中に第１の薬液
槽に浸漬された後の上記洗浄対象物が浸漬されるととも
に、オーバフローした薬液が循環して再使用される第２
の薬液槽と、第１および第２の薬液槽の各薬液の濃度を
それぞれ連続的にモニタし、モニタした濃度に応じて上
記各組成液の上記各薬液槽への供給量をそれぞれ制御す
ることにより、これらの薬液槽内の薬液の濃度を一定範
囲に保持する保持手段とを備えたウェット式洗浄装置で
あって、上記第２の薬液槽からオーバーフローした薬液
の一部を上記第１の薬液槽に供給するようにしたウェッ
ト式洗浄装置である。
は、複数の組成液を混合してなる薬液が注入され、この
注入された薬液中に洗浄対象物が浸漬されるとともに、
オーバフローした薬液が循環して再使用される第１の薬
液槽と、第１の薬液槽で注入される薬液と同じ組成液を
混合してなる薬液が注入され、この薬液中に第１の薬液
槽に浸漬された後の上記洗浄対象物が浸漬されるととも
に、オーバフローした薬液が循環して再使用される第２
の薬液槽と、第１および第２の薬液槽の各薬液の濃度を
それぞれ連続的にモニタし、モニタした濃度に応じて上
記各組成液の上記各薬液槽への供給量をそれぞれ制御す
ることにより、これらの薬液槽内の薬液の濃度を一定範
囲に保持する保持手段とを備えたウェット式洗浄装置で
あって、上記第２の薬液槽からオーバーフローした薬液
の一部を上記第１の薬液槽に供給するようにしたウェッ
ト式洗浄装置である。
【０００６】請求項２に記載の発明は、上記第２の薬液
槽でオーバフローした薬液を保持するバッファ槽を有
し、このバッファ槽からの薬液が上記第１の薬液槽に供
給される請求項１に記載のウェット式洗浄装置である。
槽でオーバフローした薬液を保持するバッファ槽を有
し、このバッファ槽からの薬液が上記第１の薬液槽に供
給される請求項１に記載のウェット式洗浄装置である。
【０００７】請求項３に記載の発明は、上記薬液はＳＣ
１液であって、上記バッファ槽にはＨＦ液のラインが接
続されている請求項２に記載のウェット式洗浄装置ウェ
ット式洗浄装置である。
１液であって、上記バッファ槽にはＨＦ液のラインが接
続されている請求項２に記載のウェット式洗浄装置ウェ
ット式洗浄装置である。
【０００８】請求項４に記載の発明は、上記洗浄対象物
はシリコンウェーハである請求項１〜請求項３のいずれ
か１項に記載のウェット式洗浄装置である。
はシリコンウェーハである請求項１〜請求項３のいずれ
か１項に記載のウェット式洗浄装置である。
【０００９】
【作用】請求項１〜請求項４に記載の発明では、薬液槽
内の薬液の濃度を常に一定範囲に保持しているため、例
えばシリコンウェーハの洗浄能力を一定に保つことがで
きる。例えばＳＣ１液でのパーティクル除去能力を低下
させることがない。所望の濃度にこのＳＣ１液を保持す
るからである。
内の薬液の濃度を常に一定範囲に保持しているため、例
えばシリコンウェーハの洗浄能力を一定に保つことがで
きる。例えばＳＣ１液でのパーティクル除去能力を低下
させることがない。所望の濃度にこのＳＣ１液を保持す
るからである。
【００１０】また、薬液槽内の薬液を循環させて使用す
る。そして、この循環させる薬液の濃度を一定範囲に保
持する。よって、オーバフローした薬液を再使用するこ
とができる。この再使用によっても薬液槽の薬液の洗浄
能力が低下することがない。
る。そして、この循環させる薬液の濃度を一定範囲に保
持する。よって、オーバフローした薬液を再使用するこ
とができる。この再使用によっても薬液槽の薬液の洗浄
能力が低下することがない。
【００１１】また、複数の薬液槽間において、薬液を循
環させて使用することができる。この場合、循環させる
薬液をバッファ槽でいったん保持することができる。そ
して、このバッファ槽を介して循環する薬液の濃度を一
定範囲に保持するものとする。よって、適切なタイミン
グで、適切な量の薬液を別の（または自身の）薬液槽に
供給することができる。
環させて使用することができる。この場合、循環させる
薬液をバッファ槽でいったん保持することができる。そ
して、このバッファ槽を介して循環する薬液の濃度を一
定範囲に保持するものとする。よって、適切なタイミン
グで、適切な量の薬液を別の（または自身の）薬液槽に
供給することができる。
【００１２】さらに、薬液の濃度を一定範囲とするため
に、まず、薬液槽の薬液の濃度を検出する。そして、こ
の検出値に基づいて薬液槽に供給する薬液量を制御す
る。例えば２液が混合された薬液であれば、検出値に応
じて各液の供給割合を適宜変更するものとする。
に、まず、薬液槽の薬液の濃度を検出する。そして、こ
の検出値に基づいて薬液槽に供給する薬液量を制御す
る。例えば２液が混合された薬液であれば、検出値に応
じて各液の供給割合を適宜変更するものとする。
【００１３】なお、これらのウェット式洗浄装置に使用
される薬液としては、純水、過酸化水素水、アンモニア
水、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等である。例え
ば、シリコンウェーハの洗浄用の薬液としては、アンモ
ニア水と過酸化水素水とを含むＳＣ１液（ＡＰＭ＝ＮＨ
４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ
２Ｏ２）、ＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、ＤＨ
Ｆ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）、ＢＨＦ（ＮＨ４Ｆ／ＨＦ／Ｈ
２Ｏ）などである。また、これらの洗浄用の薬液、すな
わちアンモニア水と過酸化水素水；水酸化ナトリウムま
たは水酸化カリウムと過酸化水素水については、その洗
浄の結果が０．２μｍ以上の粒子の数を１０個／ウェー
ハ以下に抑えたものとする。
される薬液としては、純水、過酸化水素水、アンモニア
水、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等である。例え
ば、シリコンウェーハの洗浄用の薬液としては、アンモ
ニア水と過酸化水素水とを含むＳＣ１液（ＡＰＭ＝ＮＨ
４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ
２Ｏ２）、ＨＰＭ（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、ＤＨ
Ｆ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）、ＢＨＦ（ＮＨ４Ｆ／ＨＦ／Ｈ
２Ｏ）などである。また、これらの洗浄用の薬液、すな
わちアンモニア水と過酸化水素水；水酸化ナトリウムま
たは水酸化カリウムと過酸化水素水については、その洗
浄の結果が０．２μｍ以上の粒子の数を１０個／ウェー
ハ以下に抑えたものとする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を図面
を参照して説明する。図１はこの発明に係るウェット式
洗浄装置の一実施例を説明するための図である。この図
に示すように、この洗浄装置は、オーバフロー型の循環
式薬液槽を２槽１１，１２有している。これらの薬液槽
１１，１２には、所定の洗浄用の薬液が注入されてい
る。具体的には、この薬液の組成液であるＡ液とＢ液と
が、バルブ１３，１５およびフィルタ１４，１６を介し
てそれぞれ供給、注入されている。
を参照して説明する。図１はこの発明に係るウェット式
洗浄装置の一実施例を説明するための図である。この図
に示すように、この洗浄装置は、オーバフロー型の循環
式薬液槽を２槽１１，１２有している。これらの薬液槽
１１，１２には、所定の洗浄用の薬液が注入されてい
る。具体的には、この薬液の組成液であるＡ液とＢ液と
が、バルブ１３，１５およびフィルタ１４，１６を介し
てそれぞれ供給、注入されている。
【００１５】これらの薬液槽１１，１２ではオーバフロ
ーさせた薬液は、ポンプ１７、フィルタ１８、さらに、
ケミカルフィルタ１９を介して薬液槽底壁から循環され
ている。ケミカルフィルタ１９は、例えばフッ酸処理に
より酸化膜を除去したシリコンウェーハで構成され、こ
のシリコンウェーハにより洗浄薬液中の金属不純物（ア
ルミニウム、鉄、亜鉛などの金属イオン）を吸着するこ
とにより除去するものである。なお、フィルタ１８は通
常の薬液中のごみ・パーティクルなどを除去するための
ものである。
ーさせた薬液は、ポンプ１７、フィルタ１８、さらに、
ケミカルフィルタ１９を介して薬液槽底壁から循環され
ている。ケミカルフィルタ１９は、例えばフッ酸処理に
より酸化膜を除去したシリコンウェーハで構成され、こ
のシリコンウェーハにより洗浄薬液中の金属不純物（ア
ルミニウム、鉄、亜鉛などの金属イオン）を吸着するこ
とにより除去するものである。なお、フィルタ１８は通
常の薬液中のごみ・パーティクルなどを除去するための
ものである。
【００１６】ここで、この薬液槽１１，１２でオーバフ
ローした薬液は、濃度測定器２１に供給され、この濃度
測定器２１においてその濃度が測定されている。濃度測
定器２１では各洗浄槽１１，１２の薬液の濃度を検出
し、この検出値に基づいて上記新液供給ラインのバルブ
１３，１５を開閉制御して、所望の薬液濃度を達成する
ようにフィードバック制御している。さらに、この洗浄
装置にあっては、洗浄槽１１の循環液が洗浄槽１２に供
給されている。薬液の有効使用とともに、上流側の洗浄
槽に送ることで薬液の変成を防止するものである。な
お、シリコンウェーハは薬液槽１１，１２でバッチ処理
（洗浄）され、各薬液槽１１，１２を順番に経てリンス
されるものである。また、上記濃度測定器２１は、所定
のＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏなどを有して構成さ
れているものとする。
ローした薬液は、濃度測定器２１に供給され、この濃度
測定器２１においてその濃度が測定されている。濃度測
定器２１では各洗浄槽１１，１２の薬液の濃度を検出
し、この検出値に基づいて上記新液供給ラインのバルブ
１３，１５を開閉制御して、所望の薬液濃度を達成する
ようにフィードバック制御している。さらに、この洗浄
装置にあっては、洗浄槽１１の循環液が洗浄槽１２に供
給されている。薬液の有効使用とともに、上流側の洗浄
槽に送ることで薬液の変成を防止するものである。な
お、シリコンウェーハは薬液槽１１，１２でバッチ処理
（洗浄）され、各薬液槽１１，１２を順番に経てリンス
されるものである。また、上記濃度測定器２１は、所定
のＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏなどを有して構成さ
れているものとする。
【００１７】以上の構成に係る洗浄装置では、洗浄槽１
１，１２ではオーバフローした薬液はポンプ１７により
循環されて使用される。その際、フィルタ１８でごみ・
パーティクルが除去される。ここで、薬液槽１１，１２
の薬液濃度は、濃度測定器２１でモニタされており、濃
度変化が生じた場合、バルブ１３，１５を所定の時間だ
け開閉して薬液濃度を一定値に保持するものである。こ
の結果、常に一定範囲に薬液濃度をコントロールするこ
とができる。そして、このように濃度が制御された薬液
は、下流側の洗浄槽１１から上流側の洗浄槽１２に供給
することができる。なお、洗浄されるシリコンウェーハ
は洗浄槽１２から洗浄槽１１の順に浸されることとな
る。
１，１２ではオーバフローした薬液はポンプ１７により
循環されて使用される。その際、フィルタ１８でごみ・
パーティクルが除去される。ここで、薬液槽１１，１２
の薬液濃度は、濃度測定器２１でモニタされており、濃
度変化が生じた場合、バルブ１３，１５を所定の時間だ
け開閉して薬液濃度を一定値に保持するものである。こ
の結果、常に一定範囲に薬液濃度をコントロールするこ
とができる。そして、このように濃度が制御された薬液
は、下流側の洗浄槽１１から上流側の洗浄槽１２に供給
することができる。なお、洗浄されるシリコンウェーハ
は洗浄槽１２から洗浄槽１１の順に浸されることとな
る。
【００１８】図２には、別工程の洗浄槽に対して薬液を
送る場合の装置構成を示している。この実施例では、前
工程での薬液の濃度を濃度測定器３１でつねに一定範囲
にコントロールしておく。すなわち、洗浄槽３２の薬液
を濃度測定器３１でモニタしておき、Ａ液供給ラインの
バルブ３３，Ｂ液供給ラインのバルブ３４の開閉をそれ
ぞれ制御するものである。
送る場合の装置構成を示している。この実施例では、前
工程での薬液の濃度を濃度測定器３１でつねに一定範囲
にコントロールしておく。すなわち、洗浄槽３２の薬液
を濃度測定器３１でモニタしておき、Ａ液供給ラインの
バルブ３３，Ｂ液供給ラインのバルブ３４の開閉をそれ
ぞれ制御するものである。
【００１９】後工程の洗浄槽３５からの薬液は、いった
んバッファタンク３６に溜められており、適切なタイミ
ング、適切な供給量でバルブ３７，フィルタ３８を介し
て前工程の洗浄槽３２に供給される。なお、バッファタ
ンク３６の薬液は、バルブ４１、ポンプ４２、フィルタ
４３、ケミカルフィルタ４４，４５を介して循環されて
いる。
んバッファタンク３６に溜められており、適切なタイミ
ング、適切な供給量でバルブ３７，フィルタ３８を介し
て前工程の洗浄槽３２に供給される。なお、バッファタ
ンク３６の薬液は、バルブ４１、ポンプ４２、フィルタ
４３、ケミカルフィルタ４４，４５を介して循環されて
いる。
【００２０】以上の構成に係る洗浄装置にあっては、薬
液槽３２にはバッファタンク３６から適宜薬液が供給さ
れており、この薬液の濃度が一定範囲となるように濃度
測定器３１で常にモニタされている。すなわち、この薬
液濃度が一定値からずれてくると、これを一定範囲に保
持するよう、バルブ３３または３４を開閉制御する（Ａ
液，Ｂ液の供給量をコントロールする）。その結果、薬
液槽３２内の薬液の濃度は一定範囲に保持されることと
なる。
液槽３２にはバッファタンク３６から適宜薬液が供給さ
れており、この薬液の濃度が一定範囲となるように濃度
測定器３１で常にモニタされている。すなわち、この薬
液濃度が一定値からずれてくると、これを一定範囲に保
持するよう、バルブ３３または３４を開閉制御する（Ａ
液，Ｂ液の供給量をコントロールする）。その結果、薬
液槽３２内の薬液の濃度は一定範囲に保持されることと
なる。
【００２１】図３にはこの発明の他の実施例を示してい
る。この実施例では、薬液槽５１内の薬液をいったんバ
ッファタンク５２に溜めた後、これを元の薬液槽５１に
循環して戻す場合の装置構成を示している。バッファタ
ンク５２の薬液はポンプ５３、フィルタ５４、ケミカル
フィルタ５５で清浄化されている。５６，５７はバルブ
である。この場合も図示していないが薬液濃度をモニタ
リングして一定範囲にコントロールするものとする。
る。この実施例では、薬液槽５１内の薬液をいったんバ
ッファタンク５２に溜めた後、これを元の薬液槽５１に
循環して戻す場合の装置構成を示している。バッファタ
ンク５２の薬液はポンプ５３、フィルタ５４、ケミカル
フィルタ５５で清浄化されている。５６，５７はバルブ
である。この場合も図示していないが薬液濃度をモニタ
リングして一定範囲にコントロールするものとする。
【００２２】図４には上記各実施例でバッファタンク６
１を用いた場合のメリットを示す図である。すなわち、
ＳＣ１液の場合でバッファタンク６１の循環フィルタリ
ングラインに三方弁６２，６３を介してＨＦラインを接
続すると、バッファタンク６１内のＳＣ１液の金属不純
物汚染を効果的に除去することができる。
１を用いた場合のメリットを示す図である。すなわち、
ＳＣ１液の場合でバッファタンク６１の循環フィルタリ
ングラインに三方弁６２，６３を介してＨＦラインを接
続すると、バッファタンク６１内のＳＣ１液の金属不純
物汚染を効果的に除去することができる。
【００２３】図５には、図１に示す装置を用いて薬液
（ＳＣ１液）を再利用した実験結果を示している。Ｒｅ
ｆ（新液供給）に比較してシリコンウェーハの表面清浄
度にはほとんど差が生じていないことがわかる。すなわ
ち、この装置により薬液濃度を一定にコントロールした
結果、ＡＡＳ（原子吸光分析）測定でのウェーハ表面に
付着した金属不純物量はほぼ一定となっていた。また、
図６にはその場合のパーティクルカウンタ（ＷＩＳ−９
００）によるパーティクルの測定結果を示している。図
５の結果と同様に、新液のみによる洗浄結果と比較して
同等のまたはこれより良好な実験結果が得られた。これ
は０．２μｍ以上の大きさのパーティクル数の測定値で
示している。
（ＳＣ１液）を再利用した実験結果を示している。Ｒｅ
ｆ（新液供給）に比較してシリコンウェーハの表面清浄
度にはほとんど差が生じていないことがわかる。すなわ
ち、この装置により薬液濃度を一定にコントロールした
結果、ＡＡＳ（原子吸光分析）測定でのウェーハ表面に
付着した金属不純物量はほぼ一定となっていた。また、
図６にはその場合のパーティクルカウンタ（ＷＩＳ−９
００）によるパーティクルの測定結果を示している。図
５の結果と同様に、新液のみによる洗浄結果と比較して
同等のまたはこれより良好な実験結果が得られた。これ
は０．２μｍ以上の大きさのパーティクル数の測定値で
示している。
【００２４】
【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
れば、洗浄装置での薬液の変成を回避することができ
る。したがって、常に一定の洗浄効果を得ることができ
る。また、薬液を再使用することができる。
れば、洗浄装置での薬液の変成を回避することができ
る。したがって、常に一定の洗浄効果を得ることができ
る。また、薬液を再使用することができる。
【図１】この発明の一実施例に係る洗浄装置を示す模式
的な回路図である。
的な回路図である。
【図２】この発明の他の実施例に係る洗浄装置を示す模
式的な回路図である。
式的な回路図である。
【図３】この発明のさらに他の実施例に係る洗浄装置を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図４】この発明の実施例に係るバッファタンクへの接
続を示す回路図である。
続を示す回路図である。
【図５】この発明の一実施例に係る洗浄装置での実験結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
【図６】この発明の一実施例に係る洗浄装置での実験結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
１１，１２ 薬液槽、
１３，１５ バルブ（保持手段）、
２１ 濃度測定器（保持手段）、
３６ バッファタンク。
フロントページの続き
(72)発明者 堀 憲治
東京都千代田区大手町１丁目５番１号
三菱マテリアルシリコン株式会社内
(72)発明者 遠藤 光弘
東京都千代田区大手町１丁目５番１号
三菱マテリアルシリコン株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−252122（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−15858（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−328573（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304 642
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の組成液を混合してなる薬液が注入
され、この注入された薬液中に洗浄対象物が浸漬される
とともに、オーバフローした薬液が循環して再使用され
る第１の薬液槽と、 第１の薬液槽で注入される薬液と同じ組成液を混合して
なる薬液が注入され、この薬液中に第１の薬液槽に浸漬
された後の上記洗浄対象物が浸漬されるとともに、オー
バフローした薬液が循環して再使用される第２の薬液槽
と、 第１および第２の薬液槽の各薬液の濃度をそれぞれ連続
的にモニタし、モニタした濃度に応じて上記各組成液の
上記各薬液槽への供給量をそれぞれ制御することによ
り、これらの薬液槽内の薬液の濃度を一定範囲に保持す
る保持手段とを備えたウェット式洗浄装置であって、 上記第２の薬液槽からオーバーフローした薬液の一部を
上記第１の薬液槽に供給するようにしたウェット式洗浄
装置。 - 【請求項２】 上記第２の薬液槽でオーバフローした薬
液を保持するバッファ槽を有し、このバッファ槽からの
薬液が上記第１の薬液槽に供給される請求項１に記載の
ウェット式洗浄装置。 - 【請求項３】 上記薬液はＳＣ１液であって、上記バッ
ファ槽にはＨＦ液のラインが接続されている請求項２に
記載のウェット式洗浄装置。 - 【請求項４】 上記洗浄対象物はシリコンウェーハであ
る請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のウェット
式洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28737296A JP3473662B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | ウェット式洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28737296A JP3473662B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | ウェット式洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116811A JPH10116811A (ja) | 1998-05-06 |
| JP3473662B2 true JP3473662B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=17716518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28737296A Expired - Fee Related JP3473662B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | ウェット式洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473662B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014141580A1 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | 信越半導体株式会社 | 洗浄槽の処理方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4526374B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-08-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
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