JPH04293236A - 枚葉式ウェハー洗浄装置 - Google Patents

枚葉式ウェハー洗浄装置

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JPH04293236A
JPH04293236A JP8185991A JP8185991A JPH04293236A JP H04293236 A JPH04293236 A JP H04293236A JP 8185991 A JP8185991 A JP 8185991A JP 8185991 A JP8185991 A JP 8185991A JP H04293236 A JPH04293236 A JP H04293236A
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wafer
chemical
cleaning
chemical liquid
processing section
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Keiji Shinohara
啓二 篠原
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、枚葉式ウェハー洗浄
装置に関する。さらに詳しくは、この発明は、ウェハー
を1枚ずつ洗浄処理するにあたり、スループットを向上
させた枚葉式ウェハー洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】VLSIの微細化と共にウェハーの大口
径化が進行しており、ウェハーの口径は現在主流の6’
’φから8’’φへと推移しつつある。このようなウェ
ハーの大口径化に伴い、VLSIの製造工程の個々のプ
ロセスにおいては、複数枚のウェハーを一度に処理する
バッチ式から1枚ずつ処理する枚葉式が主流になってき
ている。ウェハーの洗浄工程においても、従来はバッチ
式によりなされていたが、1枚ずつ洗浄処理する枚葉式
とすることによりウェハー間のクロスコンタミネーショ
ンを防止でき、プロセスのクリーン化を向上させること
ができるので、バッチ式から枚葉式へ切り替える試みが
なされている。
【0003】ところでウェハーの洗浄工程には、一般に
、ウェハー表面に付着している有機物その他の汚染物質
を除去するために、硫酸、硝酸、フッ酸、塩酸、過酸化
水素、アンモニア等の薬液中にウェハーを浸漬する薬液
処理と、その後ウェハー表面に付着している水溶性の薬
品等を除去するためにウェハーを純水の流れの中におき
、次いで乾燥させる洗浄処理が含まれている。
【0004】このため、従来のバッチ式のウェハー洗浄
装置は、通常、一度に複数枚のウェハーを薬液に浸漬し
、その位置で所定の薬液処理時間が経過するまでウェハ
ーを保持する薬液処理部と、薬液処理した複数枚のウェ
ハーを同時に純水で洗浄し、乾燥する洗浄処理部と、こ
のような薬液処理部から洗浄処理部へウェハーを搬送す
る搬送手段を有するものとなっていた。そして、このよ
うな従来の洗浄装置でウェハーを枚葉に洗浄する場合に
は、第1のウェハーを薬液処理部で薬液中に浸漬し、そ
の位置で薬液処理時間が経過するまで保持し、次いで、
洗浄処理部へ搬送して洗浄処理をすると共に第2のウェ
ハーを薬液処理部に搬入して薬液処理を開始するという
工程が繰り返されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような枚葉式のウェハーの洗浄では、第1のウェハーが
薬液処理部で薬液中に浸漬、保持されている薬液処理時
間中は、第2のウェハーに対して薬液処理を始めること
ができない。そのため、枚葉式のウェハーの洗浄におい
ては、バッチ式の洗浄を行う場合に比べて著しくスルー
プットが低下することが問題となっていた。たとえば、
1度に25枚のウェハーをバッチ式により洗浄する場合
に薬液処理時間として10分間かけていたときのスルー
プットに対し、同じ25枚のウェハーを枚葉式で洗浄す
る場合に同様の薬液処理時間をかけるときには、その2
5枚の洗浄処理に250分をも要することとなり、極端
なスループットの低下が生じる。ここでスループットを
向上させるためには1枚当たりの薬液処理時間を短くす
ることが考えられるが、1枚当たりの薬液処理時間を僅
か1分としても、25枚の洗浄処理をするには25分か
かることとなる。このため、薬液処理時間の短縮化では
スループットの低下を十分に阻止することはできない。 また、薬液処理時間を短縮化すると洗浄効果が低減する
という新たな問題も生じる。
【0006】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、ウェハーを1枚ずつ枚葉
式に洗浄しても、スループットを向上させることのでき
る枚葉式ウェハー洗浄装置を提供することを目的として
いる。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明は、ウェハー面に枚葉で薬液を適用する薬
液処理部と、薬液を適用したウェハーを洗浄処理する洗
浄処理部を含んでなる枚葉式ウェハー洗浄装置において
、薬液処理部で第1のウェハーに薬液を適用した後、洗
浄処理部に搬送するまでの間に、少なくとも第2のウェ
ハーにも薬液処理部で薬液を適用できるようにするウェ
ハーの搬送手段を有することを特徴とする枚葉式ウェハ
ー洗浄装置を提供する。
【0008】この発明のウェハーの搬送手段は、第1の
ウェハーに薬液処理部で薬液を適用後、洗浄処理部で洗
浄処理するまでの間、その位置にウェハーを保持するこ
となく、ウェハーを他の場所に移動させて所定の薬液処
理時間を経過させるものであり、これにより第1のウェ
ハーを洗浄処理部に搬送するまでの間に、少なくとも第
2のウェハーも薬液処理部で薬液を適用できるようにす
るものである。このような搬送手段の態様としては、第
1のウェハーに薬液を適用後、第1のウェハーの薬液処
理時間が経過するのを待つことなく第2のウェハーにも
薬液を適用できるようするものであれば特に制限はなく
、たとえば、薬液処理を行う薬液処理室内に薬液を適用
したウェハーを複数保持することのできるステージを別
途設けたり、あるいは薬液処理部から洗浄処理部に至る
までウェハーが薬液処理時間に応じた時間をかけて搬送
路上を移動するようにしたものとすることができる。
【0009】この発明において、薬液処理部でウェハー
に硫酸、硝酸等の薬液を適用する手段や洗浄処理部でウ
ェハーを洗浄する手段などは従来例と同様に構成するこ
とができるが、薬液の適用手段としては、表面張力で保
持される量の薬液をウェハー表面に適用し、かつその場
合のウェハーの搬送手段としては、薬液がウェハー表面
に表面張力により保持された状態でウェハーを搬送する
ものとすることが好ましい。これにより薬液処理部で使
用する薬液の量を著しく節減することが可能となる。こ
のような薬液の適用手段としては、たとえば、ディスペ
ンサーを適宜調整してウェハー表面に表面張力により保
持される量の薬液が滴下するように設定すればよい。
【0010】
【作用】この発明の枚葉式ウェハー洗浄装置においては
、ウェハーの搬送手段が、第1のウェハーに薬液処理部
で薬液を適用後、その位置にウェハーを保持することな
く、他の場所に移動させるので、第1のウェハーが洗浄
処理部に搬送されるまでの間に、少なくとも第2のウェ
ハーにも薬液処理部で薬液を適用することが可能となり
、ウェハー洗浄のスループットが向上する。
【0011】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。
【0012】図1は、この発明の枚葉式ウェハー洗浄装
置の概略説明図である。この洗浄装置は、ウェハー1を
枚葉毎に収納すると共にウェハー1の取り出し時にはウ
ェハーの収納位置を上下方向(図中、矢印方向)に動か
してウェハー1を所定の位置に載置するキャリア2、ゲ
ートバルブ3を介してウェハー1をキャリア2から薬液
処理部5へ搬送するアーム4、アーム4により搬入され
たウェハー1に発煙硝酸等の薬液5aを適用する薬液処
理部5、ゲートバルブ6を介して薬液処理したウェハー
1を洗浄処理部8へ搬送するアーム7、アーム7により
搬入されたウェハー1を純水の流水で洗浄し、その後ウ
ェハー1を回転させて乾燥する洗浄処理部8、洗浄処理
したウェハー1をゲートバルブ9を介して洗浄済ウェハ
ー収納用のキャリア11に搬送するアーム10、アーム
10により搬入されたウェハー1を収納するキャリア1
1からなっている。
【0013】この洗浄装置の薬液処理部5におけるウェ
ハーの搬送手段は、図2に示したように複数(例えば4
つ)のウェハーを同心円状に水平に載置し、図1中矢印
方向に回転する円形のステージ5bと、アーム4により
搬入されたウェハー1をステージ5bの所定の位置に載
置するプッシャー5cと薬液5aを適用された後ステー
ジ5bで所定の薬液処理時間が経過したウェハー1をス
テージ5bからアーム7により搬出できるようにするプ
ッシャー5dからなっている。
【0014】また、この薬液処理部5において、薬液5
aは、ディスペンサーによりウェハー1上に表面張力で
保持される量が滴下されるように設定されている。
【0015】この枚葉式ウェハー洗浄装置においては、
アーム4により薬液処理部5に搬入された第1のウェハ
ー1は、まずステージ5bの位置Aに載置され、次いで
その第1のウェハー1上に薬液5aが表面張力で保持さ
れる量滴下され、薬液がウェハー1上に残留した状態と
なる。その後、ステージ5bはウェハー1上の薬液5a
が保持されるような速度で図中矢印方向に1/4回転し
、第1のウェハー1は位置Bで載置されるようになる。 このとき、第1のウェハー1が移動したあとの位置Aに
は第2のウェハー1がアーム4により搬入され、同様に
薬液5aが表面張力で保持される量滴下される。以下同
様にしてステージ5bが1/4ずつ回転する。そして第
1のウェハー1は、位置Dで載置された後、そこからア
ーム7により洗浄処理部8へ搬出される。従って第1の
ウェハーは、図2の矢印で示したように移動する。
【0016】したがって、この例のようにステージ5b
が1分毎に1/4回転するようにすれば、薬液5aがウ
ェハー1上に保持される薬液処理時間は4分となる。ま
たこの場合、ウェハー1は薬液処理部5に1分毎に供給
されるので、薬液処理部5におけるスループットは60
枚/時間になる。従来例で薬液処理時間を4分とした場
合のスループットは15枚/時間であるから、この発明
によれば従来例の4倍にもスループットが向上すること
がわかる。
【0017】なお、上述の例においては、ステージ5b
として、4つのウェハー1を載置できるようにした円形
のステージを採用した場合について説明したが、この発
明の枚葉式ウェハー洗浄装置の態様としてはこれに限ら
れることなく、種々の形状のステージを用いることがで
き、また、そこに載置できるようにするウェハーの数に
も特に制限がないことはいうまでもない。
【0018】
【発明の効果】この発明の枚葉式ウェハー洗浄装置によ
れば、ウェハーを1枚ずつ枚葉式に洗浄するにあたり、
十分な薬液処理時間を確保しつつスループットを向上さ
せるが可能となる。特に、薬液をウェハー上に表面張力
で保持される量だけ適用することにより、薬液の使用量
も大巾に節減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の枚葉式ウェハー洗浄装置の概
略説明図である。
【図2】図2は図1の枚葉式ウェハー洗浄装置のステー
ジの平面図である。
【符号の説明】 1  ウェハー 5  薬液処理部 5a  薬液 5b  ステージ 5c  プッシャー 8  洗浄処理部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ウェハー面に枚葉で薬液を適用する薬
    液処理部と、薬液を適用したウェハーを洗浄処理する洗
    浄処理部を含んでなる枚葉式ウェハー洗浄装置において
    、薬液処理部で第1のウェハーに薬液を適用した後、洗
    浄処理部に搬送するまでの間に、少なくとも第2のウェ
    ハーにも薬液処理部で薬液を適用できるようにするウェ
    ハーの搬送手段を有することを特徴とする枚葉式ウェハ
    ー洗浄装置。
  2. 【請求項2】  薬液処理部が、表面張力で保持される
    量の薬液をウェハー表面に適用する薬液適用手段を有し
    、ウェハーの搬送手段が、薬液がウェハー表面に表面張
    力により保持された状態でウェハーを搬送する請求項1
    記載の枚葉式ウェハー洗浄装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6527031B1 (en) 1998-11-06 2003-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
US6629539B1 (en) * 1998-11-06 2003-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
US6672358B2 (en) 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
US6833312B2 (en) 2001-05-25 2004-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Plate member separating apparatus and method
US6867110B2 (en) 2001-05-25 2005-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Separating apparatus and processing method for plate member

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6527031B1 (en) 1998-11-06 2003-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
US6629539B1 (en) * 1998-11-06 2003-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
US6672358B2 (en) 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
US6971432B2 (en) 1998-11-06 2005-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
US7579257B2 (en) 1998-11-06 2009-08-25 Canon Kabuhsiki Kaisha Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
US6833312B2 (en) 2001-05-25 2004-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Plate member separating apparatus and method
US6867110B2 (en) 2001-05-25 2005-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Separating apparatus and processing method for plate member
US6946052B2 (en) 2001-05-25 2005-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Separating apparatus and processing method for plate member

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