JPH01187931A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01187931A
JPH01187931A JP1307488A JP1307488A JPH01187931A JP H01187931 A JPH01187931 A JP H01187931A JP 1307488 A JP1307488 A JP 1307488A JP 1307488 A JP1307488 A JP 1307488A JP H01187931 A JPH01187931 A JP H01187931A
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
time
chemical
semiconductor wafers
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP1307488A
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English (en)
Inventor
Takashi Hirose
隆 広瀬
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェ
ーハ表面の薬液処理の方法に関する。
〔従来の技術〕
第3図(a)〜(c)は従来の半導体ウェーハの薬液に
よる表面処理工程図で、まず第3図(a)に示すように
、半導体ウェーハ1を収納した半導体ウェーハ収納用治
具(以下キャリアという)3を薬液9の入った槽内に入
れ、設定された時間が経過すると、つぎの第3図(b)
、(c)のようにキャリア3を薬液槽よりそのまま取り
出し、薬液9を洗い落とすため洗浄槽(図示しない)へ
移すという手法がとられている。ここで、2および8は
半導体ウェーハ1のオリエンテーション・フラットおよ
び半導体ウェーハ収納用治具3のハンガーをそれぞれ示
す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述した従来の薬液による表面処理方法
では、半導体ウェーハの表面処理(例えば、エツチング
処理)を行なうため、半導体つ工−ハを収納したキャリ
アを薬液槽(例えばバッフアートフッ酸溶液槽)に入れ
る最初の工程について見ると、第3図(a)から明かな
ように、当然キャリア3の下方部が先に入り、最後に上
方部が薬液9内に入ることになる。従って、キャリア3
の上方部と下方部ではこのキャリアの出し入れにより、
半導体ウェーハ面内で表面処理量(時間)の差(例えば
エツチング量の差)が生じるので、半導体ウェーハ面内
を均一に制御することが難しいという問題点がある。特
に、自動搬送機構を使用する場合では搬送系の上下運動
くキャリアの取り入れ)が手動に比べて遅いため、この
現象がより一層生じやすい。特にバッフアートフッ酸溶
液を用いてリンを多く含んだCVD膜(PSG膜)をエ
ツチング処理する時には、エツチングレートが非常に速
いためこの現象による不都合さはきわめて顕著となる。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、表面処理の時間差
を均一に制御し得る半導体ウェーハ表面の薬液処理工程
を備えた半導体装置の製造方法を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、半導体ウェ
ーハを半導体ウェーハ収納用治具に収納して薬液槽内に
設定時間の1/2が経過するまで浸漬する工程と、前記
半導体ウェーハを薬液槽内で180度回転させ前記設定
時間の残り時間の終了まで浸漬する工程とを含んで構成
される。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図(a)〜(c)は本発明の一実施例を示す半導体
ウェーハの薬液による表面処理工程図である。本実施例
によれば、半導体ウェーハ1はそのオリエンテーション
・フラット2を上方に向けてキャリア3にセットされ、
ついで薬液槽内におろされる〔第1図(a)参照〕。こ
こで、5は薬液槽の底部6に設けたキャリア位置決め台
座である。つぎに半導体ウェーハ1の表面処理が進行し
薬液処理時間の半分が経過した時点で、薬液槽の底部6
に設けた円柱4(オリエンテーション・フラット・アラ
イナ−)を矢印の如く自転させる〔第1図(b)参照〕
。この円柱4の回転により半導体ウェーハを回転させ、
オリエンテーション・フラット2を下向に向けさせた後
、残る半分の薬液時間を経過させる〔第1図(c)参照
〕。
このようにして設定された薬液処理時間が終了した時点
でキャリア3を取り出せば、キャリア3の上方部と下方
部における薬液処理時間の差が互いに相殺されているの
で、面全体が均一に薬液処理された半導体ウェーハを得
ることができる。
第2図(a)〜(C)は本発明の他の実施例を示す半導
体ウェーハの薬液による表面処理工程図である。本実施
例によれば、半導体ウェーハ1は上下に固定板7を設け
たキャリア3ごと一緒に薬液槽(図示しない)内で18
0度回転される。この手法による場合でも前実施例と同
様に従来法のキャリア3の出し入れ時に生じるキャリア
3上方部と下方部における薬液処理時間の差を相殺させ
ることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、薬液槽にキャリ
アを出し入れする際に、従来生じていた半導体ウェーハ
の上方部と下方部の時間処理差問題を解決することがで
きるので、半導体ウェーハ全体の表面処理を均一に精度
よく行い得る効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(c)は本発明の一実施例を示す半導体
ウェーハの薬液による表面処理工程図、第2図(a)〜
(c)は本発明の他の実施例を示゛す半導体ウェーハの
薬液による表面処理工程図、第3図は従来の半導体ウェ
ーハの薬液による表面処理工程図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・半導体ウェーハのオ
リエンテーション・フラット、3・・・半導体ウェーハ
用収納治具、4・・・円柱(オリエンテーション・フラ
ット・アライナ−)、5・・・半導体ウェーハ用収納治
具位置決め台座、6・・・薬液槽底部、7・・・半導体
ウェーハおよび半導体ウェーハ用収納治具の固定板、8
・・・半導体ウェーハ用収納治具ハンガー、9・・・薬
液。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用治具に収納し
    て薬液槽内に設定時間の1/2が経過するまで浸漬する
    工程と、前記半導体ウェーハを薬液槽内で180度回転
    させ前記設定時間の残り時間の終了まで浸漬する工程と
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP1307488A 1988-01-22 1988-01-22 半導体装置の製造方法 Pending JPH01187931A (ja)

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JPH01187931A true JPH01187931A (ja) 1989-07-27

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5839460A (en) * 1997-11-13 1998-11-24 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US6199563B1 (en) * 1997-02-21 2001-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method
US6767840B1 (en) 1997-02-21 2004-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method

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