JPH01187931A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01187931A JPH01187931A JP1307488A JP1307488A JPH01187931A JP H01187931 A JPH01187931 A JP H01187931A JP 1307488 A JP1307488 A JP 1307488A JP 1307488 A JP1307488 A JP 1307488A JP H01187931 A JPH01187931 A JP H01187931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- time
- chemical
- semiconductor wafers
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 39
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 14
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェ
ーハ表面の薬液処理の方法に関する。
ーハ表面の薬液処理の方法に関する。
第3図(a)〜(c)は従来の半導体ウェーハの薬液に
よる表面処理工程図で、まず第3図(a)に示すように
、半導体ウェーハ1を収納した半導体ウェーハ収納用治
具(以下キャリアという)3を薬液9の入った槽内に入
れ、設定された時間が経過すると、つぎの第3図(b)
、(c)のようにキャリア3を薬液槽よりそのまま取り
出し、薬液9を洗い落とすため洗浄槽(図示しない)へ
移すという手法がとられている。ここで、2および8は
半導体ウェーハ1のオリエンテーション・フラットおよ
び半導体ウェーハ収納用治具3のハンガーをそれぞれ示
す。
よる表面処理工程図で、まず第3図(a)に示すように
、半導体ウェーハ1を収納した半導体ウェーハ収納用治
具(以下キャリアという)3を薬液9の入った槽内に入
れ、設定された時間が経過すると、つぎの第3図(b)
、(c)のようにキャリア3を薬液槽よりそのまま取り
出し、薬液9を洗い落とすため洗浄槽(図示しない)へ
移すという手法がとられている。ここで、2および8は
半導体ウェーハ1のオリエンテーション・フラットおよ
び半導体ウェーハ収納用治具3のハンガーをそれぞれ示
す。
しかしながら、上述した従来の薬液による表面処理方法
では、半導体ウェーハの表面処理(例えば、エツチング
処理)を行なうため、半導体つ工−ハを収納したキャリ
アを薬液槽(例えばバッフアートフッ酸溶液槽)に入れ
る最初の工程について見ると、第3図(a)から明かな
ように、当然キャリア3の下方部が先に入り、最後に上
方部が薬液9内に入ることになる。従って、キャリア3
の上方部と下方部ではこのキャリアの出し入れにより、
半導体ウェーハ面内で表面処理量(時間)の差(例えば
エツチング量の差)が生じるので、半導体ウェーハ面内
を均一に制御することが難しいという問題点がある。特
に、自動搬送機構を使用する場合では搬送系の上下運動
くキャリアの取り入れ)が手動に比べて遅いため、この
現象がより一層生じやすい。特にバッフアートフッ酸溶
液を用いてリンを多く含んだCVD膜(PSG膜)をエ
ツチング処理する時には、エツチングレートが非常に速
いためこの現象による不都合さはきわめて顕著となる。
では、半導体ウェーハの表面処理(例えば、エツチング
処理)を行なうため、半導体つ工−ハを収納したキャリ
アを薬液槽(例えばバッフアートフッ酸溶液槽)に入れ
る最初の工程について見ると、第3図(a)から明かな
ように、当然キャリア3の下方部が先に入り、最後に上
方部が薬液9内に入ることになる。従って、キャリア3
の上方部と下方部ではこのキャリアの出し入れにより、
半導体ウェーハ面内で表面処理量(時間)の差(例えば
エツチング量の差)が生じるので、半導体ウェーハ面内
を均一に制御することが難しいという問題点がある。特
に、自動搬送機構を使用する場合では搬送系の上下運動
くキャリアの取り入れ)が手動に比べて遅いため、この
現象がより一層生じやすい。特にバッフアートフッ酸溶
液を用いてリンを多く含んだCVD膜(PSG膜)をエ
ツチング処理する時には、エツチングレートが非常に速
いためこの現象による不都合さはきわめて顕著となる。
本発明の目的は、上記の状況に鑑み、表面処理の時間差
を均一に制御し得る半導体ウェーハ表面の薬液処理工程
を備えた半導体装置の製造方法を提供することである。
を均一に制御し得る半導体ウェーハ表面の薬液処理工程
を備えた半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、半導体ウェ
ーハを半導体ウェーハ収納用治具に収納して薬液槽内に
設定時間の1/2が経過するまで浸漬する工程と、前記
半導体ウェーハを薬液槽内で180度回転させ前記設定
時間の残り時間の終了まで浸漬する工程とを含んで構成
される。
ーハを半導体ウェーハ収納用治具に収納して薬液槽内に
設定時間の1/2が経過するまで浸漬する工程と、前記
半導体ウェーハを薬液槽内で180度回転させ前記設定
時間の残り時間の終了まで浸漬する工程とを含んで構成
される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図(a)〜(c)は本発明の一実施例を示す半導体
ウェーハの薬液による表面処理工程図である。本実施例
によれば、半導体ウェーハ1はそのオリエンテーション
・フラット2を上方に向けてキャリア3にセットされ、
ついで薬液槽内におろされる〔第1図(a)参照〕。こ
こで、5は薬液槽の底部6に設けたキャリア位置決め台
座である。つぎに半導体ウェーハ1の表面処理が進行し
薬液処理時間の半分が経過した時点で、薬液槽の底部6
に設けた円柱4(オリエンテーション・フラット・アラ
イナ−)を矢印の如く自転させる〔第1図(b)参照〕
。この円柱4の回転により半導体ウェーハを回転させ、
オリエンテーション・フラット2を下向に向けさせた後
、残る半分の薬液時間を経過させる〔第1図(c)参照
〕。
ウェーハの薬液による表面処理工程図である。本実施例
によれば、半導体ウェーハ1はそのオリエンテーション
・フラット2を上方に向けてキャリア3にセットされ、
ついで薬液槽内におろされる〔第1図(a)参照〕。こ
こで、5は薬液槽の底部6に設けたキャリア位置決め台
座である。つぎに半導体ウェーハ1の表面処理が進行し
薬液処理時間の半分が経過した時点で、薬液槽の底部6
に設けた円柱4(オリエンテーション・フラット・アラ
イナ−)を矢印の如く自転させる〔第1図(b)参照〕
。この円柱4の回転により半導体ウェーハを回転させ、
オリエンテーション・フラット2を下向に向けさせた後
、残る半分の薬液時間を経過させる〔第1図(c)参照
〕。
このようにして設定された薬液処理時間が終了した時点
でキャリア3を取り出せば、キャリア3の上方部と下方
部における薬液処理時間の差が互いに相殺されているの
で、面全体が均一に薬液処理された半導体ウェーハを得
ることができる。
でキャリア3を取り出せば、キャリア3の上方部と下方
部における薬液処理時間の差が互いに相殺されているの
で、面全体が均一に薬液処理された半導体ウェーハを得
ることができる。
第2図(a)〜(C)は本発明の他の実施例を示す半導
体ウェーハの薬液による表面処理工程図である。本実施
例によれば、半導体ウェーハ1は上下に固定板7を設け
たキャリア3ごと一緒に薬液槽(図示しない)内で18
0度回転される。この手法による場合でも前実施例と同
様に従来法のキャリア3の出し入れ時に生じるキャリア
3上方部と下方部における薬液処理時間の差を相殺させ
ることができる。
体ウェーハの薬液による表面処理工程図である。本実施
例によれば、半導体ウェーハ1は上下に固定板7を設け
たキャリア3ごと一緒に薬液槽(図示しない)内で18
0度回転される。この手法による場合でも前実施例と同
様に従来法のキャリア3の出し入れ時に生じるキャリア
3上方部と下方部における薬液処理時間の差を相殺させ
ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、薬液槽にキャリ
アを出し入れする際に、従来生じていた半導体ウェーハ
の上方部と下方部の時間処理差問題を解決することがで
きるので、半導体ウェーハ全体の表面処理を均一に精度
よく行い得る効果を有する。
アを出し入れする際に、従来生じていた半導体ウェーハ
の上方部と下方部の時間処理差問題を解決することがで
きるので、半導体ウェーハ全体の表面処理を均一に精度
よく行い得る効果を有する。
第1図(a)〜(c)は本発明の一実施例を示す半導体
ウェーハの薬液による表面処理工程図、第2図(a)〜
(c)は本発明の他の実施例を示゛す半導体ウェーハの
薬液による表面処理工程図、第3図は従来の半導体ウェ
ーハの薬液による表面処理工程図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・半導体ウェーハのオ
リエンテーション・フラット、3・・・半導体ウェーハ
用収納治具、4・・・円柱(オリエンテーション・フラ
ット・アライナ−)、5・・・半導体ウェーハ用収納治
具位置決め台座、6・・・薬液槽底部、7・・・半導体
ウェーハおよび半導体ウェーハ用収納治具の固定板、8
・・・半導体ウェーハ用収納治具ハンガー、9・・・薬
液。
ウェーハの薬液による表面処理工程図、第2図(a)〜
(c)は本発明の他の実施例を示゛す半導体ウェーハの
薬液による表面処理工程図、第3図は従来の半導体ウェ
ーハの薬液による表面処理工程図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・半導体ウェーハのオ
リエンテーション・フラット、3・・・半導体ウェーハ
用収納治具、4・・・円柱(オリエンテーション・フラ
ット・アライナ−)、5・・・半導体ウェーハ用収納治
具位置決め台座、6・・・薬液槽底部、7・・・半導体
ウェーハおよび半導体ウェーハ用収納治具の固定板、8
・・・半導体ウェーハ用収納治具ハンガー、9・・・薬
液。
Claims (1)
- 半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用治具に収納し
て薬液槽内に設定時間の1/2が経過するまで浸漬する
工程と、前記半導体ウェーハを薬液槽内で180度回転
させ前記設定時間の残り時間の終了まで浸漬する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1307488A JPH01187931A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1307488A JPH01187931A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01187931A true JPH01187931A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11823005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1307488A Pending JPH01187931A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01187931A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5839460A (en) * | 1997-11-13 | 1998-11-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
US6199563B1 (en) * | 1997-02-21 | 2001-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method |
US6767840B1 (en) | 1997-02-21 | 2004-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1307488A patent/JPH01187931A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6199563B1 (en) * | 1997-02-21 | 2001-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method |
US6767840B1 (en) | 1997-02-21 | 2004-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method |
US5839460A (en) * | 1997-11-13 | 1998-11-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102223763B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
JPH01187931A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0714811A (ja) | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 | |
JP3194592B2 (ja) | 枚葉式ウェハー洗浄装置 | |
EP0887710B1 (en) | Resist development process | |
JPH03124028A (ja) | 洗浄装置 | |
JPH0737845A (ja) | 基板ウェット処理方法および処理システム | |
JPH0155573B2 (ja) | ||
JPH1022191A (ja) | ウエハの薬液処理装置およびその方法 | |
JPH02142129A (ja) | ウエハの前処理方法 | |
JPH042117A (ja) | 薬液処理装置 | |
JPH10163158A (ja) | 板状体洗浄装置 | |
JP3210133B2 (ja) | 基板ウェット処理装置 | |
JP2809754B2 (ja) | 現像装置 | |
JP2001015482A (ja) | エッチング処理装置及びエッチング処理方法 | |
JPS6342131A (ja) | 半導体ウエ−ハの処理装置 | |
KR100927730B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치의 버퍼 시스템 및 이를 이용한 기판이송 방법 | |
JPH03124030A (ja) | 洗浄・乾燥方法及び洗浄装置 | |
JP2023123996A (ja) | 基板処理液、基板処理方法および基板処理装置 | |
JPH0974078A (ja) | 洗浄処理装置 | |
JPH05129267A (ja) | 洗浄装置 | |
KR20220054110A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JPH05315237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05243143A (ja) | 現像処理装置 | |
JPH0878387A (ja) | 半導体装置の製造方法 |