JPH10163158A - 板状体洗浄装置 - Google Patents

板状体洗浄装置

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JPH10163158A
JPH10163158A JP32262396A JP32262396A JPH10163158A JP H10163158 A JPH10163158 A JP H10163158A JP 32262396 A JP32262396 A JP 32262396A JP 32262396 A JP32262396 A JP 32262396A JP H10163158 A JPH10163158 A JP H10163158A
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JP
Japan
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cleaning
plate
tank
pure water
semiconductor wafer
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Application number
JP32262396A
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English (en)
Inventor
Yutaka Hiratsuka
豊 平塚
Nobuyuki Fujikawa
伸之 藤川
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DAN KAGAKU KK
Original Assignee
DAN KAGAKU KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 占有面積を小さくし、かつ純水の使用量を少
なくする。 【解決手段】 1槽の洗浄槽1の槽本体31の内部に整
流板32を設け、整流板32の上面に半導体ウェハ71
を保持するためのウェハ受台33を設け、槽本体31の
整流板32より下部に排液管34を接続し、槽本体31
の下部に振動板35を設け、振動板35にメガソニック
振動子36を取り付け、槽本体31の上部に槽本体31
の径よりも大きい径を有する上部筒体39を取り付け、
上部筒体39の底部に供給管40を接続し、上部筒体3
9の上部にスライド開閉可能な蓋41を設け、上部筒体
39の洗浄液42より上方にガス供給管43、洗浄薬液
供給管44、45を設け、排液管34と供給管40との
間に循環濾過装置(図示せず)を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ等の板
状体を洗浄する板状体洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体ウェハを洗浄する板状洗浄
装置としては、薬液洗浄槽と純水すすぎ槽とを組とする
ものを使用する洗浄薬液の種類の数だけ一列に並べたも
のが主流である。たとえば、半導体ウェハの洗浄でよく
行なわれるRCA洗浄の板状洗浄装置においては、通常
3種類の洗浄薬液を使用するので、一列に並べられた6
個の槽を有する。さらにその後にスピン乾燥器または蒸
気乾燥器が配置される。そして、半導体ウェハを収納し
たカセットを各槽間に搬送する搬送ロボットが設けられ
ており、搬送ロボットはカセットをチャックするチャッ
ク部を槽の並べられた方向に移動する手段とチャック部
を昇降する昇降手段とを有する。また、装置の入口部に
は洗浄前の待機しているカセットを置いておくローダ部
が設けられ、装置の出口部には洗浄後の搬送待ちのカセ
ットを置いておくアンローダ部が設けられている。
【0003】この板状体洗浄装置においては、半導体ウ
ェハを収納したカセットを薬液洗浄槽、純水すすぎ槽へ
と順次浸漬していき、最終の純水すすぎ槽を出たところ
で半導体ウェハを収納したカセットを乾燥装置に入れ、
半導体ウェハを乾燥して、アンローダ部へ搬送する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような板
状体洗浄装置においては、複数の槽が一列に並べられて
いるから、占有面積が大きくなる。そして、板状体洗浄
装置が設置されるクリーンルームは建設単価が高いの
で、板状体洗浄装置の占有面積が大きくなると、工場建
設投資額が増大する。とくに、最近は半導体ウェハの直
径が次第に大きくなっている。たとえば、数年前には半
導体ウェハの直径は150mmであったが、現在では半
導体ウェハの直径は200mmであり、3年後には半導
体ウェハの直径は300mmとなる見込である。そし
て、半導体ウェハの直径が大きくなると、収容する洗浄
槽が大きくなり、板状体洗浄装置の占有面積がそれだけ
大きくなる。たとえば、現在の板状体洗浄装置の占有面
積が10〜12m2であると、将来には板状体洗浄装置
の占有面積が13〜16m2になる。
【0005】これに対して、洗浄槽を1槽とし、洗浄、
すすぎ、そして乾燥を行なうことにすれば、板状体洗浄
装置の占有面積を著しく小さくすることができる。
【0006】この場合、仮に洗浄薬液を洗浄槽から完全
に排出したのちに、純水の供給を開始すると、洗浄薬液
や純水の使用量は少なくできるが、洗浄薬液の排出時と
純水の供給開始時とに気液界面が半導体ウェハの面を横
切るから、高清浄面を保持することができない難点があ
る。この対策として、洗浄薬液を純水で連続的に置換し
たとき、すなわち洗浄薬液の排出を始めると同時に純水
の供給を開始したときには、気液界面が半導体ウェハの
面を横切ることがないから、高清浄面を保持することが
できる。
【0007】しかし、洗浄槽に洗浄薬液、純水を下方か
ら供給し、上部で洗浄薬液、純水をオーバーフローさせ
るオーバーフロー方式を採用したときには、洗浄薬液を
純水で連続的に置換すると、洗浄薬液と純水との撹拌混
合が起こるから、純水によるすすぎが終了するまでの時
間、すなわち純水中に洗浄薬液が含まれなくなるまでの
時間が長くなり、純水の使用量が多くなる。
【0008】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、占有面積が小さく、かつ純水の使用量が少
ない板状体洗浄装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、板状体を洗浄する板状体洗浄装
置において、洗浄液を上から下に強制的に整流状態にし
て流す1槽の洗浄槽を設ける。
【0010】この場合、上記板状体を直接保持可能なチ
ャック部を旋回する旋回手段および上記チャック部を昇
降する昇降手段とを有しかつ下降整流式の上記洗浄槽に
板状体をカセットレスで搬送する旋回式の搬送ロボット
を設ける。
【0011】また、下降整流式の上記洗浄槽から排出さ
れた上記洗浄薬液を濾過して上記洗浄槽に供給する循環
濾過装置を設ける。
【0012】また、下降整流式の上記洗浄槽の底部にメ
ガソニック振動装置を設ける。
【0013】また、下降整流式の上記洗浄槽の上部に蓋
を設け、上記洗浄槽の上部に不活性ガスを供給する不活
性ガス供給装置を設ける。
【0014】
【発明の実施の形態】図2は本発明に係る板状体洗浄装
置を示す概略図、図1は図2に示した板状体洗浄装置の
洗浄槽を示す概略図、図3は図2に示した洗浄槽の配管
を示す図、図4は図2に示した板状体洗浄装置の搬送ロ
ボットを示す概略正面図、図5は図4に示した搬送ロボ
ットを示す概略平面図、図6は図5の拡大A矢視図であ
る。
【0015】図に示すように、1槽の下降整流式の洗浄
槽1が設けられ、洗浄槽1で洗浄すべき半導体ウェハ7
1を収納したカセット72を載置するためのカセット載
置部2が設けられ、半導体ウェハ71をカセット載置部
2から洗浄槽1にカセットレスで搬送するための旋回式
の搬送ロボット4が設けられ、搬送ロボット4のチャッ
ク部(説明後述)を洗浄するためのチャック部水洗槽3
が設けられている。
【0016】また、洗浄槽1の槽本体31の内部に整流
板32が設けられ、整流板32には多数の細孔(図示せ
ず)が設けられ、細孔の中心線は垂直である。また、整
流板32の上面に半導体ウェハ71を保持するためのウ
ェハ受台33が設けられ、槽本体31の整流板32より
下部に排液管34が接続され、槽本体31の下部に振動
板35が設けられ、振動板35にメガソニック振動子3
6が取り付けられ、振動板35の下部にカバー38が取
り付けられ、振動板35、メガソニック振動子36によ
りメガソニック振動装置37が構成されている。また、
槽本体31の上部に槽本体31の径よりも大きい径を有
する上部筒体39が取り付けられ、上部筒体39の底部
に供給管40が接続され、上部筒体39の上部にスライ
ド開閉可能な蓋41が設けられ、上部筒体39の洗浄液
42より上方にガス供給管43、洗浄薬液供給管44、
45が設けられ、上部筒体39の外側にドレン排出部4
6が設けられ、ドレン排出部46の底部にドレン排出管
47が接続されている。
【0017】また、洗浄薬液供給管44、45にそれぞ
れ第1、第2の洗浄薬液の原液を供給するための洗浄薬
液供給源51、52が接続され、洗浄薬液供給源51、
52と洗浄薬液供給管44、45との間に開閉弁53、
54が設けられている。また、排液管34と供給管40
とを接続する循環管55が設けられ、循環管55に開閉
弁56、ポンプ57、濾過装置58が設けられ、ポンプ
57、濾過装置58等により排液管34から排出された
洗浄液42を濾過して供給管40に供給する循環濾過装
置69が構成されている。また、循環管55に三方弁6
0を介して純水供給源59が接続されており、三方弁6
0は循環時には排液管34と供給管40と接続してお
り、純水供給時には純水供給源59と供給管40とを接
続する。また、循環管55に三方弁61を介して廃液タ
ンク62が接続されており、三方弁61は循環時には排
液管34と供給管40と接続しており、純水供給時には
排液管34と廃液タンク62とを接続する。また、三方
弁61と廃液タンク62との間には三方弁63を介して
純水供給源59が接続され、三方弁61と三方弁63と
の間には比抵抗計64が設けられ、比抵抗計64はその
測定値が所定値に達していないときには比抵抗計64と
廃液タンク62とを接続するように三方弁63を制御
し、その測定値が所定値以上になったときには比抵抗計
64と純水供給源59とを接続するように三方弁63を
制御する。また、三方弁63と純水供給源59との間に
は液から洗浄薬液成分を除去精製する処理を行なう処理
装置65が設けられている。また、ガス供給管43にN
2ガス供給源66が接続され、N2ガス供給源66とガス
供給管43との間に開閉弁67および濾過装置68が設
けられ、さらに図示していないがN2ガス供給源66に
は乾燥段階にのみ水溶性有機溶媒蒸気を混入できるよう
になっている。すなわち、ガス供給管43、N2ガス供
給源66により乾燥段階にのみ水溶性有機溶媒蒸気が混
入されたN2ガスを供給するN2ガス供給装置が構成され
ている。
【0018】また、搬送ロボット4の支持台5に旋回可
能に旋回体6が支持され、サーボモータ7の出力軸が旋
回体6に取り付けられ、旋回体6にガイドロッド8が取
り付けられ、ガイドロッド8に昇降体9が昇降可能に取
り付けられ、旋回体6に雄ネジ10が回転可能に取り付
けられ、昇降体9に雌ネジ11が取り付けられ、雄ネジ
10が雌ネジ11に螺合している。また、旋回体6にサ
ーボモータ12が取り付けられ、サーボモータ12の出
力軸にベルト車13が取り付けられ、雄ネジ10にベル
ト車14が取り付けられ、ベルト車13、14にベルト
15が掛けられている。また、昇降体9にアーム16が
取り付けられ、アーム16に支持板17が取り付けら
れ、昇降体9および支持板17に2本の回転軸18が回
転可能に支持され、昇降体9にモータ19が取り付けら
れ、モータ19の出力軸と回転軸18とがロッド20に
よって連結されている。また、回転軸18に回動体21
が取り付けられ、回動体21に半導体ウェハ71を保持
するための保持ロッド22、23が取り付けられ、保持
ロッド22、23には半導体ウェハ71を保持するため
の複数の溝が設けられ、回動体21、保持ロッド22、
23等によりチャック部24が構成され、旋回体6、サ
ーボモータ7等により半導体ウェハ71を直接保持可能
なチャック部24を旋回する旋回手段が構成され、昇降
体9、雄ネジ10、雌ネジ11、サーボモータ12等に
よりチャック部24を昇降する昇降手段が構成されてい
る。
【0019】つぎに、この板状体洗浄装置の動作につい
て説明する。まず、ポンプ57を停止した状態で、三方
弁60を操作して純水供給源59から洗浄槽1内に純水
を供給する。つぎに、開閉弁53を開にして洗浄薬液供
給源51から第1の洗浄薬液の原液を洗浄槽1内に供給
し、第1の洗浄薬液とする。つぎに、ポンプ57を作動
して、第1の洗浄薬液を循環することにより、第1の洗
浄薬液の濃度を均一にする。
【0020】つぎに、複数の半導体ウェハ71が収納さ
れたカセット72をカセット載置部2上に載置し、搬送
ロボット4によりカセット72から半導体ウェハ71を
取り出し、半導体ウェハ71を洗浄槽1まで搬送し、半
導体ウェハ71をウェハ受台33上に載置する。すなわ
ち、まず半導体ウェハ71が収納されたカセット72を
カセット載置部2上に載置した状態で、サーボモータ7
を作動して旋回体6を旋回して、チャック部24をカセ
ット72の上方に位置させる。つぎに、サーボモータ1
2を作動して雄ネジ10を回転し、昇降板9を下降させ
ることによりチャック部24を下降させる。このとき、
チャック部24の回動体21は図6の二点鎖線で示す状
態となっており、保持ロッド22が半導体ウェハ71の
中心よりも下方にきたとき昇降体9、チャック部24の
下降を停止し、モータ19を作動して回動体21を図6
の実線で示す状態まで回動したのち、サーボモータ12
により昇降体9、チャック部24を上昇すると、チャッ
ク部24に半導体ウェハ71が保持される。つぎに、サ
ーボモータ7により旋回体6を旋回して、チャック部2
4を蓋41が開いた洗浄槽1の上方に位置させたのち、
サーボモータ12により昇降体9、チャック部24を下
降し、半導体ウェハ71がウェハ受け33に載置された
のち、モータ19により回動体21を図6の二点鎖線で
示す状態まで回動する。つぎに、サーボモータ12によ
り昇降体9、チャック部24を上昇し、蓋41を閉じ、
サーボモータ7により旋回体6を旋回して、チャック部
24をチャック部水洗槽3の上方に位置させたのち、サ
ーボモータ12により昇降体9、チャック部24を下降
し、チャック部24をチャック部水洗槽3内に浸漬し、
チャック部24を水洗する。
【0021】そして、洗浄槽1内に半導体ウェハ71が
搬送されると、循環濾過装置69により循環、濾過され
た第1の洗浄薬液により半導体ウェハ71が洗浄され
る。この場合、開閉弁67を開にしてN2ガス供給源6
6からガス供給管43を介してN2ガスを供給すると、
2ガスは上部筒体43と蓋41との隙間からリークし
て、上部筒体43内のN2ガスはほぼ1気圧に保持され
る。また、メガソニック振動子36により振動板35を
周波数850〜1000kHzで振動させる。
【0022】このようにして、第1の洗浄薬液による半
導体ウェハ71の洗浄が終了したとき、三方弁60と三
方弁61とを同時に切り換え、純水供給源59から純水
を洗浄槽1に供給するとともに、洗浄槽1内の第1の洗
浄薬液を廃液タンク62に排出すると、第1の洗浄薬液
が純水で連続的に置換され、この状態を継続すると、純
水による半導体ウェハ71のすすぎが行なわれる。この
とき、三方弁60、61の切換当初は比抵抗計64の測
定値が所定値より著しく低値を示しているから、比抵抗
計64と廃液タンク62とが接続されているが、次第に
比抵抗計64の測定値が上昇し、比抵抗計64の測定値
が所定値以上になると、三方弁63が切り換わって、洗
浄槽1からの液が処理装置65を介して純水供給源59
に戻る。
【0023】そして、半導体ウェハ71のすすぎが終了
したのち、三方弁60、61を同時に切り換えて、純水
の供給を停止し、洗浄槽1内の純水を循環させた状態
で、開閉弁54を開にして洗浄薬液供給源52から第2
の洗浄薬液の原液を洗浄槽1内に供給して、第2の洗浄
薬液とし、第2の洗浄薬液による半導体ウェハ71の洗
浄を行なう。
【0024】この第2の洗浄薬液による半導体ウェハ7
1の洗浄が終了したとき、三方弁60と三方弁61とを
同時に切り換え、純水供給源59から純水を洗浄槽1に
供給するとともに、洗浄槽1内の第2の洗浄薬液を廃液
タンク62に排出すると、第2の洗浄薬液が純水で連続
的に置換され、この状態を継続すると、純水による半導
体ウェハ71のすすぎが行なわれる。
【0025】そして、半導体ウェハ71のすすぎが終了
したのち、洗浄槽1内への純水の供給を停止すると、純
水の液面が低下していくが、この段階でN2ガス供給源
66から水溶性有機溶媒蒸気を混合したN2ガスを供給
すると、半導体ウェハ71が完全に液面上に出たところ
で、乾燥が完了するから、純水の排出を停止し、蓋41
を開き、搬送ロボット4により半導体ウェハ71を洗浄
槽1の外へ取り出し、半導体ウェハ71をカセット載置
台2上のカセット72に戻す。この場合、搬送ロボット
3は半導体ウェハ72を洗浄槽1内に搬送する動作と反
対の動作を行なう。
【0026】このような板状体洗浄装置においては、洗
浄槽1が1つであるから、装置が小型化して占有面積を
減らすことができ、工場建設投資額を削減することがで
きる。しかも、洗浄液すなわち第1、第2の洗浄薬液、
純水を上から下に強制的に整流状態にして流すダウンフ
ロー方式を採用しているから、次の利点も得られる。す
なわち、第1、第2の洗浄薬液を純水で連続的に置換す
るときに、洗浄槽1内の第1、第2の洗浄薬液はほとん
ど撹拌、混合されず、上部から入ってくる純水によって
押し出されるように排出されるので、オーバーフロー方
式に比較して置換効率が良好となり、すすぎに要する純
水の使用量が約半分となる。また、ダウンフロー方式を
採用しているから、洗浄液の流れが重力沈降方向と一致
するので、汚れ粒子が洗浄槽1内で舞い上がらず、汚れ
粒子の迅速な排出が可能となり、オーバーフロー方式に
比較して汚れ粒子の減少速度が約2倍速くなる。すなわ
ち、洗浄時間を短縮することができる。また、オーバー
フロー方式の場合には、半導体ウェハ間の流速が流量か
ら予想される値に比べて著しく小さくなり、また半導体
ウェハの中央部の流れと両側部の流れとで速度の相違が
生ずる。これに対して、ダウンフロー方式の場合には、
槽本体31の内部に細孔を有する整流板32が設けら
れ、下方よりポンプ57で強制排出しているから、整流
板32の細孔部で縮流が生じ、洗浄槽1内の流れは層流
状態となるので、洗浄作用の均一性が得られる。また、
旋回式の搬送ロボット4を設けているから、ロボットを
横行させるためのスペースが不要であるので、板状体洗
浄装置の占有面積をさらに小さくすることに役立ってい
る。また、循環、濾過しながら第1、第2の洗浄薬液を
供給しているから、一過性で使う方式より第1、第2の
洗浄薬液の使用量を少なくすることができる。また、メ
ガソニック振動子36により振動板35を周波数850
〜1000kHzで振動させているから、洗浄薬液の粒
子除去作用を促進させることができ、すすぎ時に形成さ
れる半導体ウェハ71面の境界層内の汚れの除去を促進
させることができるので、洗浄時間を大幅に短縮するこ
とができる。しかも、振動板35のエロージョンにより
塵が発生し、または振動板35と槽本体31、カバー3
8との間に設けられたパッキン(図示せず)部の隙間か
ら汚れが出ても、ダウンフロー方式であるから、塵、汚
れが半導体ウェハ71の方に行くことなく排出されるか
ら、洗浄に悪影響を与えることがない。また、N2ガス
供給装置が設けられているから、洗浄槽1内の純水への
CO2やO2の溶解を防ぐことができ、また洗浄槽1内へ
の純水の供給を停止して半導体ウェハ71が完全に液面
上に出た場合に、半導体ウェハ71の周囲を非酸化雰囲
気にすることができるので、水膜により半導体ウェハ7
1の表面が酸化されるのを抑制することができるため、
ウォータマークが生ずるのを防止することができる。ま
た、乾燥時にN2ガスに水溶性有機溶媒蒸気を混入させ
ることができるから、半導体ウェハ71の表面に付着す
る水膜の表面張力が低下し、液面の純水の凝縮力によっ
て半導体ウェハ71の表面に付着した水膜が引張られる
ため、半導体ウェハ71の表面に水膜が付着しにくくな
って乾燥面が得られ、しかもウォータマークが生ずるの
を有効に防止することができる。
【0027】そして、図1等に示した板状体洗浄装置
は、Purexプロセスのようにアンモニア過酸化水素
洗浄薬液にキレート剤を添加し、洗浄後のすすぎには純
水にHFを50ppm程度添加したものを使用する洗
浄、IMECプロセスのようにあらかじめ半導体ウェハ
71をたとえば硫酸過酸化水素液処理や紫外線照射処理
などにより酸化処理しておき、それをHFにIPAおよ
びトリクロロ酢酸を各々0.1%添加した液で処理し、
つぎに純水で処理する洗浄等を行なう場合に適してい
る。
【0028】また、半導体装置生産プロセスの中でも高
スループット洗浄を必要とする長時間の熱酸化プロセス
の前処理には多槽式の板状体洗浄装置が適しているが、
それ以外の枚葉化したドライプロセスの前洗浄や後洗浄
のような必ずしも高スループットを必要としない洗浄に
図1等に示した板状体洗浄装置を使用すると効果的であ
る。また、DRAMの生産のように大量生産する品種で
はなく、ASICS、CPU、メモリ回路とロジック回
路とを一体化した新半導体素子などの少量多品種の生産
工場において図1等に示した板状体洗浄装置を使用する
と効果的である。
【0029】なお、上述実施の形態においては、板状体
が半導体ウェハ71の場合について説明したが、他の板
状体の場合にもこの発明を適用することができる。ま
た、上述実施の形態においては、第1、第2の2種の洗
浄薬液を用いて洗浄する場合について説明したが、3種
以上の洗浄薬液を用いて洗浄してもよい。また、上述実
施の形態においては、不活性ガスとしてN2ガスを用い
たが、他の不活性ガスを用いてもよい。
【0030】
【発明の効果】本発明に係る板状体洗浄装置において
は、洗浄槽1が1つであるから、占有面積が小さくなる
とともに、洗浄液を上から下に強制的に整流状態にして
流すダウンフロー方式を採用しているから、洗浄薬液を
純水で連続的に置換するときに、洗浄槽内の洗浄薬液は
ほとんど撹拌されず純水と混合しないので、置換効率が
良好であるため、純水の使用量が約半分となる。
【0031】また、板状体を直接保持可能なチャック部
を旋回する旋回手段およびチャック部を昇降する昇降手
段とを有しかつ下降整流式の洗浄槽に板状体をカセット
レスで搬送する旋回式の搬送ロボットを設けたときに
は、ロボットを横行させるためのスペースが不要である
から、板状体洗浄装置の占有面積をさらに小さくするこ
とができる。
【0032】また、下降整流式の洗浄槽から排出された
洗浄薬液を濾過して洗浄槽に供給する循環濾過装置を設
けたときには、洗浄薬液の使用量を一過性使用方式に比
べ少なくすることができる。
【0033】また、下降整流式の洗浄槽の底部にメガソ
ニック振動装置を設けたときには、洗浄薬液の粒子除去
作用を促進させることができ、すすぎ時に形成される板
状体面の境界層内の汚れの除去を促進させることができ
るから、洗浄時間を大幅に短縮することができる。
【0034】また、下降整流式の洗浄槽の上部に蓋を設
け、洗浄槽の上部に不活性ガスを供給する不活性ガス供
給装置を設けたときには、洗浄槽内の純水へのCO2
2の溶解を防ぎ、洗浄槽内への純水の供給を停止して
板状体が完全に液面上に出た場合に、板状体の周囲を非
酸化雰囲気にすることができるから、水膜による板状体
の表面が酸化されるのを抑制することができるので、ウ
ォータマークが生ずるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図2に示した板状体洗浄装置の洗浄槽を示す概
略図である。
【図2】本発明に係る板状体洗浄装置を示す概略図であ
る。
【図3】図2に示した洗浄槽の配管を示す図である。
【図4】図2に示した板状体洗浄装置の搬送ロボットを
示す概略正面図である。
【図5】図4に示した搬送ロボットを示す概略平面図で
ある。
【図6】図5の拡大A矢視図である。
【符号の説明】
1…洗浄槽 4…搬送ロボット 24…チャック部 37…メガソニック振動装置 41…蓋 69…循環濾過装置 70…N2ガス供給装置 71…半導体ウェハ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】板状体を洗浄する板状体洗浄装置におい
    て、洗浄液を上から下に強制的に整流状態にして流す1
    槽の洗浄槽を設けたことを特徴とする板状体洗浄装置。
  2. 【請求項2】上記板状体を直接保持可能なチャック部を
    旋回する旋回手段および上記チャック部を昇降する昇降
    手段とを有しかつ下降整流式の上記洗浄槽に板状体をカ
    セットレスで搬送する旋回式の搬送ロボットを設けたこ
    とを特徴とする請求項1に記載の板状体洗浄装置。
  3. 【請求項3】下降整流式の上記洗浄槽から排出された上
    記洗浄薬液を濾過して上記洗浄槽に供給する循環濾過装
    置を設けたことを特徴とする請求項1に記載の板状体洗
    浄装置。
  4. 【請求項4】下降整流式の上記洗浄槽の底部にメガソニ
    ック振動装置を設けたことを特徴とする請求項1に記載
    の板状体洗浄装置。
  5. 【請求項5】下降整流式の上記洗浄槽の上部に蓋を設
    け、上記洗浄槽の上部に不活性ガスを供給する不活性ガ
    ス供給装置を設けたことを特徴とする請求項1に記載の
    板状体洗浄装置。
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