JP3631775B2 - 自動洗浄の方法およびシステム - Google Patents
自動洗浄の方法およびシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP3631775B2 JP3631775B2 JP3618394A JP3618394A JP3631775B2 JP 3631775 B2 JP3631775 B2 JP 3631775B2 JP 3618394 A JP3618394 A JP 3618394A JP 3618394 A JP3618394 A JP 3618394A JP 3631775 B2 JP3631775 B2 JP 3631775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- spraying
- pure water
- surfactant
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は一般に自動洗浄の方法およびシステムに関し、特に半導体ウェーハカセットおよびキャリアを洗浄する方法およびシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトリソグラフィック処理(photolithographic processing)を行うためシリコンウェーハを保持し輸送するのに使用するカセットおよびキャリアはレジストフレーク(resist flakes)で汚染される。これらのレジストフレークをカセットおよびキャリアから除去することに失敗すると、これらのレジストフレークがその後の処理オペレーションの際にウェーハに移ることになる。これらの移ったレジストフレークは非含有型欠陥(defect without inclusion)と呼ばれるフォトリソグラフィック欠陥の主な原因である。
【0003】
現在市販されている利用可能なシステムには二つの基本的な設計形態がある:一つは高温の脱イオン水(deionized water)および界面活性剤のスプレーシステムで、これは通常の粒子の除去には効果があるがカセットからレジストフレークを除去することができない。もう一つは溶媒ベースのシステムで、これは粒子の除去およびレジストフレークの除去の双方に有効である。上記第一のシステムは粒子しか除去できないという欠点がある。汚染された部品からレジストフレークを除去することは浸潜(immersion)によりおよびまたは手でレジスト除去溶媒を使って擦ることにより行われる。上記第二のシステムは特別の取り扱いとレジスト溶媒の廃棄とが必要であるという欠点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
それゆえ本発明の課題は自動化された洗浄(以下、「自動洗浄」と言う)システムを与えることである。
【0005】
本発明の別の課題は半導体ウェーハカセットおよびキャリアの自動洗浄システムを与えることである。
【0006】
本発明のさらに別の課題は自動洗浄プロセスを与えることである。
【0007】
本発明のさらに別の課題は半導体ウェーハカセットおよびキャリアの自動洗浄プロセスを与えることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のシステムおよび方法は特に溶媒の使用に伴う危険および廃棄問題に向けられており、カセットおよびキャリア上に通常蓄積する粒子を処理装置から除去することのできるシステムを与える。かかるシステムはさらに溶媒を使用することなくレジストフレークを除去することができるものである。
【0009】
本システムは静的除去(static elimination)を行うため、化学薬品スプレー給配(chemical spray delivery)、高温の超純粋水スプレー水洗(hot ultra−pure water spray rinsing)、およびイオン化空気システム(ionization air system)を使った高温超低粒子空気(hot ultra−low particulate air)による濾過済み空気乾燥(filtered air drying)を含む。またあらゆるレジスト汚染を完全に露光するため紫外線光源のみならず、高ノマリティーユニヴァーサリティーレジスト現像液も用いられる。これらの特徴により特別の廃棄処理を必要としない化学物質を使って完全且つ急速なレジスト汚染除去ができる。本システムはウェーハ製造で使用される任意のレジスト汚染部品の清浄化に効果がある。
【0010】
本発明の別の利点および特長は添付の図面、好ましい実施例に関する以下の説明および前記特許請求の範囲から当業者に明瞭となろう。
【0011】
【実施例】
図1には半導体ウェーハ用カセットおよびキャリアのような洗浄対象物を洗浄するためのシステムの略線図が示されている。半導体チップの製造においてはチップが製造されるウェーハはいろいろの処理工程を行うためのカセット内に固定される。さらに、複数のカセットが、処理をうけるとともにステーションからステーションへ移動するため、キャリア内に保持することができる。半導体チップ製造の際に非常に高度の清浄性が必要であるというよく知られた条件のために、カセットおよびキャリアは再使用の前に清浄化しなければならない。本清浄化システムはそのような清浄のための手段を提供する。
【0012】
カセットおよびキャリアの清浄はプロセスチャンバ10内で行われる。このチャンバ10内にはカセット16およびキャリア18を保持するためのバスケット12、14を配置することができる。チャンバ10は、紫外線光源22からくる紫外線をチャンバ10の内部に印加することができる窓20を含んでいる。プロセスチャンバ10の内周の少なくとも一部には複数のスプレーノズル24が配置されている。これらのスプレーノズルはスプレー兼乾燥ノズルマニホルド26に接続される。いろいろの気体および液体の流体を輸送するための多数のラインがマニホルド26に接続される。プロセスチャンバ10から汚染された空気を廃棄するため、チャンバ排気管28が設けられており、プロセスチャンバ10から汚染された液体を除去するため、排液ライン30が設けられている。
【0013】
マニホルド26に接続された第一ライン32は、中を通る流体の運動を制御するための弁を含み、加熱され、イオン化された超低粒子空気をチャンバ中に導入するために利用される。室の空気は入り口36にあるライン32を通して、かつこのライン中に引き込まれ、プレフィルター38を通る運動により大きな粒子を除去するための予備的濾過を行い、ブロワー40によりライン32を通して引き込まれ、電気的ストリップヒーター42で加熱され、超低粒子空気フィルター44により濾過され、弁34およびマニホルド26を通過してノズル24からブロワー40の圧力を受けてチャンバ10中に配給される前にイオン化源46によりイオン化される。
【0014】
空気はその乾燥能力を改善するために加熱され、チャンバ10中に不純物を導入する可能性を最小限にするために濾過され、その運動により空気により拾われる電荷を最小限に留めるためにイオン化されることを理解されたい。これはひいては静電荷を有する清浄済み部品が空気から粒子を引きつける可能性を最小限に抑える。
【0015】
マニホルド26に接続された第二ライン48には第一制御弁50が設けられる。ライン48は二つの枝ライン52および54に接続される。これらのラインにはそれぞれ制御弁56および58が設けられる。さらにライン54には二つのライン52、54からライン48に入る流体の相対的比率を制御することができるようにするための混合弁60が設けられる。ライン48に入るためのライン52のべん56を通過する前に、製造施設内の中央源62から送られる超純粋水、すなわち「ハウス」水がフィルター64により濾過される、ヒーター66により加熱される。適当な界面活性剤が界面活性剤貯留槽内に収容されており、弁58を通してライン54に供給される。ライン48中に導入される超純粋水に対する界面活性剤の比率は混合弁60により制御される。この界面活性剤は実際上、粒子および粒子が付着する表面との間の表面張力を破るために使用する石鹸である。任意の適当な非イオン性界面活性剤を使用することができる。そのような界面活性剤は「トリトンX−100(TRITON X−100)」という名前で市販されている。界面活性剤貯留槽68はライン72によって弁70を通して施設の排液管74に接続される。弁70は通常、閉じられており、修理あるいは再充填の目的で貯留槽68を空にしたいときのみ開かれる。
【0016】
マニホルド26に接続された第三ライン76には制御弁78が設けられている。ライン76はレジスト現像液貯留槽80に接続される。この貯留槽からレジスト現像液がマニホルド26に供給され、このマニホルドからスプレーノズル24を通してプロセスプロセスチャンバ10内に供給される。任意の適当な「ユニヴァーサル 高ノーマリティー」レジスト現像液を使うことができる。「ユニヴァーサル」と言う用語は当該レジスト現像液が種々のフォトレジストに作用することを意味するのに使われ、「高ノーマリティー」と言う用語は非常に高効率のすなわち比較的に強い、除去性能を有するレジスト現像液を指すのに使われる。貯留槽80はライン82により弁84を介して施設の排液管74に接続される。弁84は通常は閉じており、修理または再充填の目的で貯留槽80を空にするときのみ開く。
【0017】
プロセスチャンバ10から来る排液ライン30は三方弁86を介して施設の排液管74およびライン88に接続される。ライン88はポンプ90およびフィルター92を介してレジスト現像液貯留槽80まで延びる。この構成を使うことにより、チャンバ10から施設排液管74に使用済み液体を廃棄しあるいは汚染物を除去するため、ポンプでその液体をフィルター92を通して送り、その後の再使用のためレジスト現像液貯留槽80に返還することにより、その液体をリサイクルすることが可能である。
【0018】
中央源から来る窒素は弁96を通してマニホルド26に供給することができる。「ハウス」窒素はある特別の時間のみ弁96を通して供給され、マニホルド26およびスプレーノズル24を浄化するためにチャンバ10に液体を送った後、乾燥オペレーションで使用される。
【0019】
紫外線光源22、ブロワー40、ストリップヒーター42、イオン化源46、水ヒーター66、ポンプ90、および混合弁60、三方弁86を含むいろいろの弁はすべて、適当な制御システムで制御される。これは適切なシーケンスの事象が確実に起きるようにし、ヒーター、イオン化源、ブロワーあるいはポンプの予定パラメータの範囲内で動作が行われるようにするためである。そのような制御システムはデータ処理システム98を含むことができる。システム98は適当なプログラム99で動作され、図3に線図で示すように制御システムが制御するいろいろの要素に接続されている。
【0020】
図2に示すのは図1にシステムを使って行われる洗浄プロセスを例示する一般的な流れ図である。ブロック100に表すように、汚染されたカセットおよびキャリアをプロセスチャンバ10内に配置し処理するために所定位置に保持すべく設計された特注フレームもしくはバスケットを充填するとこのプロセスが開始される。紫外線光源は次いで電力投入され(ブロック102)、任意のレジストフレークの完全な露光を確実に行い、その後停止される(ブロック104)。次いでブロック106に表すようにユニヴァーサルレジスト現像液が貯留槽80からマニホルド26およびスプレーノズル24を通してポンプ注入される。これらのスプレーノズル24は現像液の濃厚なスプレーもしくは霧を発生し、それが完全にカセット16およびキャリア18を浸す。その結果任意の汚染を溶解する。現像液溶液は三方廃液弁86を通して流され、貯留槽80に戻される前にポンプ90によりフィルター92を介して汲み出される。この現像サイクルが完了すると、マニホルド26に付けられた現像液弁78が閉じられ(ブロック108)、ポンプ90が停止される。次に超純粋水弁が開かれ(ブロック110)、残留現像液を流し、三方弁86が施設排出位置に移動する。簡単な超純粋水洗の終了後、界面活性剤混合弁60が開かれ、生じた界面活性剤/超純粋水溶液がチャンバ10中にスプレーされて、ブロック112に表すようにすべての粒状物を洗い流す。この界面活性剤弁が閉じられ(ブロック114)、プロセス中の部品およびプロセスチャンバ10を水洗するため、高温の超純粋水スプレーが使われる(ブロック116)。この水洗が完了すると、ブロック118に表すように、加熱し濾過したイオン化済み超低粒子空気がプロセスチャンバ10中に吹き込んで処理中の部品を乾燥させる。これで本プロセスが終了する。
【0021】
上述のプロセスに関して次のコメントを付記しておく。紫外線光源22は使用するフォトレジストの感度に合致するように調製することができる。使用する現像液は当該製造プロセスで使用するフォトレジストのいずれのタイプにも適合するものとすべきである。この現像液の使用は浸潜によっても達成できる。その効果は超音波エネルギーを加えることによっても増強できる。
【0022】
【効果】
本発明は溶媒を使用することなくレジストフレークを除去することができるものである。すなわち本発明はあらゆるレジスト汚染を完全に露光するため紫外線光源のみならず、高ノーマリティーユニヴァーサリティーレジスト現像液を用いたレジスト現像液溶液スプレー、高温の超純粋水のスプレー、イオン化した高温超低粒子空気による空気乾燥を利用する。これらの特徴により特別の廃棄処理を必要としない化学物質を使って完全且つ急速なレジスト汚染の除去ができる。従って本システムはウェーハ製造で使用される任意のレジスト汚染部品の清浄化に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】自動化したカセットおよびキャリア洗浄システムの線図である。
【図2】図1のシステムを使ってカセットおよびキャリアを洗浄するプロセスを示す流れ図である。
【図3】本自動洗浄システムのための制御システムを示すブロック線図である。
【符号の説明】
10 プロセスチャンバ
12、14 バスケット
16 カセット
18 キャリア
20 窓
24 スプレーノズル
30 排液ライン
Claims (2)
- レジストフレークが付着したシリコンウェーハ用カセット又はキャリア(以下、「対象物」という)を洗浄するための自動洗浄システムであって、
前記対象物をその内部に保持するチャンバと、
前記チャンバ内の前記対象物に対して紫外線を照射する手段と、
前記チャンバ内の前記対象物に対してレジスト現像液と加熱された純水とを混合して複数のスプレーノズルからスプレー掛けする手段と、
前記チャンバ内の前記対象物に対して界面活性剤と前記加熱された純水とを混合して前記スプレーノズルからスプレー掛けする手段と、
前記レジスト現像液のスプレー掛けと前記界面活性剤のスプレー掛けの後に、前記チャンバ内の前記対象物を前記加熱された純水を前記スプレーノズルからスプレー掛けすることにより水洗する手段と、
前記対象物を乾燥させるために、前記チャンバ中において濾過され加熱されてイオン化された低粒子空気を前記スプレーノズルから吹き付けて前記対象物を乾燥させる手段と、の各手段を備え、
前記レジスト現像液と加熱された純水とを混合して複数のスプレーノズルからスプレー掛けする手段と、前記界面活性剤と前記加熱された純水とを混合して前記スプレーノズルからスプレー掛けする手段は、それぞれ、前記複数のスプレーノズルに対してパイプ接続されバルブによって制御されたレジスト現像液貯留槽と界面活性剤貯留槽と、を備えることを特徴とする自動洗浄システム。 - レジストフレークが付着したシリコンウェーハ用カセット又はキャリア(以下、「対象物」という)を洗浄するための自動洗浄方法であって、
(a)前記対象物をその内部に載置するステップと、
(b)前記チャンバ内の前記対象物に対して紫外線を照射するステップと、
(c)前記チャンバ内の前記対象物に対してレジスト現像液と加熱された純水とを混合して複数のスプレーノズルからスプレー掛けするステップと、
(d)前記チャンバ内の前記対象物を前記加熱された純水を前記スプレーノズルからスプレー掛けすることにより水洗するステップと、
(e)前記チャンバ内の前記対象物に対して界面活性剤と前記加熱された純水とを混合して前記スプレーノズルからスプレー掛けするステップと、
(f)前記チャンバ内の前記対象物を前記加熱された純水を前記スプレーノズルからスプレー掛けすることにより水洗するステップと、
(g)前記チャンバ中において、濾過され加熱されてイオン化された低粒子空気を前記スプレーノズルから吹き付けて前記対象物を乾燥させるステップと、
の各ステップにより構成され、
前記ステップ(c)のレジスト現像液と加熱された純水とを混合して複数のスプレーノズルからスプレー掛けするステップと、前記ステップ(e)の界面活性剤と前記加熱された純水とを混合して前記スプレーノズルからスプレー掛けするステップとにおいては、前記複数のスプレーノズルに対してパイプ接続されバルブによって制御されたレジスト現像液貯留槽又は界面活性剤貯留槽とから、それぞれ前記レジスト現像液又は前記界面活性剤とが供給されることを特徴とする自動洗浄方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/026,669 | 1993-03-05 | ||
US08/026,669 US6017397A (en) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | Automated washing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758075A JPH0758075A (ja) | 1995-03-03 |
JP3631775B2 true JP3631775B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=21833166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3618394A Expired - Lifetime JP3631775B2 (ja) | 1993-03-05 | 1994-03-07 | 自動洗浄の方法およびシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6017397A (ja) |
EP (1) | EP0614213B1 (ja) |
JP (1) | JP3631775B2 (ja) |
DE (1) | DE69409422T2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19503718A1 (de) * | 1995-02-04 | 1996-08-08 | Leybold Ag | UV-Strahler |
JPH11274282A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 基板収納容器、基板収納容器清浄化装置、基板収納容器清浄化方法および基板処理装置 |
KR100635836B1 (ko) * | 1998-03-25 | 2006-10-18 | 다이낑 고오교 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치용 불소고무계 성형품의 세정방법 및세정된 성형품 |
DE19830438A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-13 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur Dekontamination von Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
US6904920B2 (en) * | 1998-07-10 | 2005-06-14 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for cleaning containers |
US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
US6343425B1 (en) * | 1999-05-06 | 2002-02-05 | Intecon Systems, Inc. | Measurement and cleaning of elastomeric articles having particulate adhered thereto |
US6412502B1 (en) * | 1999-07-28 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Wafer container cleaning system |
JP4007766B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2007-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
US6725868B2 (en) * | 2000-11-14 | 2004-04-27 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
US20030063271A1 (en) * | 2001-08-17 | 2003-04-03 | Nicholes Mary Kristin | Sampling and measurement system with multiple slurry chemical manifold |
JP4753596B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2011-08-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20060201541A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Cleaning-drying apparatus and cleaning-drying method |
US8776391B1 (en) | 2007-04-13 | 2014-07-15 | Align Technology, Inc. | System for post-processing orthodontic appliance molds |
US9514972B2 (en) * | 2008-05-28 | 2016-12-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Fixture drying apparatus and method |
CN102139270B (zh) * | 2010-12-23 | 2013-01-23 | 西安隆基硅材料股份有限公司 | 硅片清洗烘干器及多线切割中的断线硅片清洗烘干方法 |
CN104368547B (zh) * | 2013-08-13 | 2017-06-30 | 安徽宝辉清洗设备制造有限公司 | 步进式全方位阀体清洗机 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4028135A (en) * | 1976-04-22 | 1977-06-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of cleaning surfaces by irradiation with ultraviolet light |
JPS5865433A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | アルカリ型感光性フイルムの現像又ははく離方法および現像又ははく離装置 |
US4560417A (en) * | 1981-12-30 | 1985-12-24 | Technomex Development, Ltd. | Decontamination method for semiconductor wafer handling equipment |
US4569695A (en) * | 1983-04-21 | 1986-02-11 | Nec Corporation | Method of cleaning a photo-mask |
US4728389A (en) * | 1985-05-20 | 1988-03-01 | Applied Materials, Inc. | Particulate-free epitaxial process |
JPH0533006Y2 (ja) * | 1985-10-28 | 1993-08-23 | ||
JPS6314434A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理方法および装置 |
US4760014A (en) * | 1986-08-01 | 1988-07-26 | Great Lakes Chemical Corporation | Method for treating mixtures containing photopolymeric resin and compositions therefor |
US4832753A (en) * | 1987-05-21 | 1989-05-23 | Tempress Measurement & Control Corporation | High-purity cleaning system, method, and apparatus |
US5024968A (en) * | 1988-07-08 | 1991-06-18 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
US5068040A (en) * | 1989-04-03 | 1991-11-26 | Hughes Aircraft Company | Dense phase gas photochemical process for substrate treatment |
JPH069195B2 (ja) * | 1989-05-06 | 1994-02-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法 |
US5151135A (en) * | 1989-09-15 | 1992-09-29 | Amoco Corporation | Method for cleaning surfaces using UV lasers |
US5039349A (en) * | 1990-05-18 | 1991-08-13 | Veriflo Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces to absolute or near-absolute cleanliness |
US5301700A (en) * | 1992-03-05 | 1994-04-12 | Tokyo Electron Limited | Washing system |
KR0144949B1 (ko) * | 1994-07-26 | 1998-08-17 | 김광호 | 웨이퍼 카세트 및 이를 사용한 세정장치 |
US5749975A (en) * | 1995-12-28 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Process for dry cleaning wafer surfaces using a surface diffusion layer |
-
1993
- 1993-03-05 US US08/026,669 patent/US6017397A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-25 EP EP94301361A patent/EP0614213B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-25 DE DE69409422T patent/DE69409422T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-07 JP JP3618394A patent/JP3631775B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-09-02 US US09/388,333 patent/US6039057A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69409422T2 (de) | 1998-12-10 |
DE69409422D1 (de) | 1998-05-14 |
JPH0758075A (ja) | 1995-03-03 |
EP0614213A1 (en) | 1994-09-07 |
US6017397A (en) | 2000-01-25 |
EP0614213B1 (en) | 1998-04-08 |
US6039057A (en) | 2000-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3631775B2 (ja) | 自動洗浄の方法およびシステム | |
TW406330B (en) | Apparatus for and method of cleaning object to be processed | |
TWI829726B (zh) | 基板處理裝置之微粒去除方法及基板處理裝置 | |
US20160161867A1 (en) | Liquid treatment apparatus and method and non-transitory storage medium | |
CN110571165A (zh) | 清洗装置、清洗方法、半导体加工机台及晶圆加工方法 | |
JP3171822B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
TWI592988B (zh) | 半導體乾燥設備和用於該設備之半導體乾燥用處理液體的循環與過濾方法 | |
JP3243708B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JPH09270412A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP3937508B2 (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
KR20110133280A (ko) | 반도체 기판의 세정 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 세정 방법 | |
US6869486B2 (en) | Methods for removing metallic contamination from wafer containers | |
JP2000340632A (ja) | 基板の化学的処理装置および基板の化学的処理方法 | |
CN107644822B (zh) | 半导体干燥设备和半导体干燥用处理液体循环与过滤方法 | |
JP2002131889A (ja) | フォトマスク用石英基板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
JPH10163158A (ja) | 板状体洗浄装置 | |
US20030051743A1 (en) | Apparatus and methods for removing metallic contamination from wafer containers | |
JP2005166847A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP3000997B1 (ja) | 半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 | |
KR950007964B1 (ko) | 일조식 웨이퍼 세정장치 | |
JP4011176B2 (ja) | 完全密閉型気液洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP6347875B2 (ja) | 基板処理システムおよび配管洗浄方法 | |
JP3648096B2 (ja) | 処理装置 | |
JP2596212B2 (ja) | 半導体装置の湿式処理装置 | |
JPH10189523A (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040525 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040922 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20041006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20041227 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20050413 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071224 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071224 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |