JPH08279482A - 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法および洗浄装置Info
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- JPH08279482A JPH08279482A JP8029795A JP8029795A JPH08279482A JP H08279482 A JPH08279482 A JP H08279482A JP 8029795 A JP8029795 A JP 8029795A JP 8029795 A JP8029795 A JP 8029795A JP H08279482 A JPH08279482 A JP H08279482A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スループットが大きく、半導体基板の両面洗
浄が可能であり、装置が小型であり、かつ、薬液使用量
が少ない洗浄方法および洗浄装置を提供する。 【構成】 半導体基板１０５の上部裏面を基板保持装置
１０４でほぼ水平に保持した状態で半導体基板１０５を
洗浄薬液槽１０３の内部の洗浄薬液１０６に中に入れて
回転させる。次に、半導体基板１０５の上部裏面をほぼ
水平に保持した状態で半導体基板１０５を洗浄水槽１１
８の内部の洗浄水１１９の中に入れて回転させる。次
に、半導体基板１０５を洗浄水槽１１８の内部の洗浄水
１１９から空気中に出して回転させる。
浄が可能であり、装置が小型であり、かつ、薬液使用量
が少ない洗浄方法および洗浄装置を提供する。 【構成】 半導体基板１０５の上部裏面を基板保持装置
１０４でほぼ水平に保持した状態で半導体基板１０５を
洗浄薬液槽１０３の内部の洗浄薬液１０６に中に入れて
回転させる。次に、半導体基板１０５の上部裏面をほぼ
水平に保持した状態で半導体基板１０５を洗浄水槽１１
８の内部の洗浄水１１９の中に入れて回転させる。次
に、半導体基板１０５を洗浄水槽１１８の内部の洗浄水
１１９から空気中に出して回転させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を製造する半
導体装置製造工程において、半導体基板表面に付着する
パーティクルおよび金属不純物を除去するための洗浄方
法および洗浄装置に関する。
導体装置製造工程において、半導体基板表面に付着する
パーティクルおよび金属不純物を除去するための洗浄方
法および洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する工程において、半
導体基板の表面にはパーティクル、金属不純物、自然酸
化膜、有機物等の様々な不純物が付着する。このような
半導体基板の表面に付着する不純物のうち、特に、パー
ティクルおよび金属不純物が最も忌避される。その理由
は、パーティクルは半導体装置の内部のパターン欠陥、
配線の断線等を引き起こし、製品の製造歩留りを低下さ
せるからであり、また、金属不純物は半導体装置の内部
のｐｎ接合部分でリーク電流を発生させたり、半導体基
板の内部に結晶欠陥等を引き起こし、結果的には製品の
品質・信頼性を低下させるためである。半導体装置の製
造に際しては、信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで
製造する必要があるため、半導体基板の表面に付着した
パーティクルおよび金属不純物を除去することに多大の
努力が払われてきた。
導体基板の表面にはパーティクル、金属不純物、自然酸
化膜、有機物等の様々な不純物が付着する。このような
半導体基板の表面に付着する不純物のうち、特に、パー
ティクルおよび金属不純物が最も忌避される。その理由
は、パーティクルは半導体装置の内部のパターン欠陥、
配線の断線等を引き起こし、製品の製造歩留りを低下さ
せるからであり、また、金属不純物は半導体装置の内部
のｐｎ接合部分でリーク電流を発生させたり、半導体基
板の内部に結晶欠陥等を引き起こし、結果的には製品の
品質・信頼性を低下させるためである。半導体装置の製
造に際しては、信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで
製造する必要があるため、半導体基板の表面に付着した
パーティクルおよび金属不純物を除去することに多大の
努力が払われてきた。
【０００３】従来、半導体基板表面に付着したパーティ
クルおよび金属不純物を除去する方法として、酸性の薬
液（ＨＣｌまたはＨ2 ＳＯ4 またはＨＮＯ3 およびＨ2
Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 等）またはアルカリ性の薬液（ＮＨ4 ＯＨ
およびＨ2 Ｏ2 等）を用いたバッチ式の洗浄装置が広く
一般的に用いられている。酸性の薬液を使用するのは半
導体基板の表面に付着した金属不純物を溶解除去できる
からである。アルカリ性の薬液を使用するのは半導体基
板の表面に付着したパーティクルを除去できるからであ
る。洗浄工程でバッチ式の洗浄装置を用いるのは、１回
の洗浄で多数の半導体基板を洗浄できるからである。
クルおよび金属不純物を除去する方法として、酸性の薬
液（ＨＣｌまたはＨ2 ＳＯ4 またはＨＮＯ3 およびＨ2
Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 等）またはアルカリ性の薬液（ＮＨ4 ＯＨ
およびＨ2 Ｏ2 等）を用いたバッチ式の洗浄装置が広く
一般的に用いられている。酸性の薬液を使用するのは半
導体基板の表面に付着した金属不純物を溶解除去できる
からである。アルカリ性の薬液を使用するのは半導体基
板の表面に付着したパーティクルを除去できるからであ
る。洗浄工程でバッチ式の洗浄装置を用いるのは、１回
の洗浄で多数の半導体基板を洗浄できるからである。
【０００４】図４に一般的なバッチ式の洗浄装置を示
す。このバッチ式の洗浄装置は、洗浄薬液槽４０１と、
キャリア４０２と、洗浄薬液４０４と、配管４０５と、
バルブ４０６と、ドレイン槽４０７と、配管４０８と、
ポンプ４０９、薬液槽４１０と、洗浄水槽４１１と、洗
浄水４１４と、配管４１５と、バルブ４１６と、ドレイ
ン槽４１７と、配管４１８と、ポンプ４１９と、水槽４
２０とを有する。
す。このバッチ式の洗浄装置は、洗浄薬液槽４０１と、
キャリア４０２と、洗浄薬液４０４と、配管４０５と、
バルブ４０６と、ドレイン槽４０７と、配管４０８と、
ポンプ４０９、薬液槽４１０と、洗浄水槽４１１と、洗
浄水４１４と、配管４１５と、バルブ４１６と、ドレイ
ン槽４１７と、配管４１８と、ポンプ４１９と、水槽４
２０とを有する。
【０００５】次に、図４のバッチ式の洗浄装置の動作に
ついて説明する。薬液槽４１０内の薬液は、ポンプ４０
９で吸引され配管４０８を通して洗浄槽４０１へ洗浄薬
液４０４として供給される。薬液槽４１０内の薬液とし
て、金属不純物を除去するためには酸性の薬液（ＨＣｌ
またはＨ2 ＳＯ4 またはＨＮＯ3 およびＨ2 Ｏ、Ｈ2Ｏ
2 等の液）が使用され、また、パーティクルを除去する
ためにはアルカリ性の薬液（ＮＨ4 ＯＨおよびＨ2 Ｏ2
等の液）が使用される。洗浄薬液４０４は、通常洗浄効
率を上げるために昇温される。
ついて説明する。薬液槽４１０内の薬液は、ポンプ４０
９で吸引され配管４０８を通して洗浄槽４０１へ洗浄薬
液４０４として供給される。薬液槽４１０内の薬液とし
て、金属不純物を除去するためには酸性の薬液（ＨＣｌ
またはＨ2 ＳＯ4 またはＨＮＯ3 およびＨ2 Ｏ、Ｈ2Ｏ
2 等の液）が使用され、また、パーティクルを除去する
ためにはアルカリ性の薬液（ＮＨ4 ＯＨおよびＨ2 Ｏ2
等の液）が使用される。洗浄薬液４０４は、通常洗浄効
率を上げるために昇温される。
【０００６】次に、洗浄薬液４０４が満たされた洗浄薬
液槽４０１へ半導体基板４０３が設置されたキャリア４
０２が浸漬され、所定の時間だけ半導体基板４０３の洗
浄が行われる。洗浄が終了すると、半導体基板４０３が
設置されたキャリア４０２は洗浄薬液槽４０１から出さ
れて隣接した洗浄水槽４１１へ移動される。洗浄水槽４
１１では、水槽４２０内の水がポンプ４１９で吸引され
配管４１８を通して洗浄水槽４１１へ洗浄水４１４とし
て供給される。洗浄水４１４は、通常水洗効率を上げる
ために昇温される。
液槽４０１へ半導体基板４０３が設置されたキャリア４
０２が浸漬され、所定の時間だけ半導体基板４０３の洗
浄が行われる。洗浄が終了すると、半導体基板４０３が
設置されたキャリア４０２は洗浄薬液槽４０１から出さ
れて隣接した洗浄水槽４１１へ移動される。洗浄水槽４
１１では、水槽４２０内の水がポンプ４１９で吸引され
配管４１８を通して洗浄水槽４１１へ洗浄水４１４とし
て供給される。洗浄水４１４は、通常水洗効率を上げる
ために昇温される。
【０００７】洗浄が終了したキャリア４０２は洗浄水４
１４が満たされた洗浄水槽４１１へ浸漬され所定の時間
だけ半導体基板４０３の水洗が行われる。水洗が終了し
た半導体基板４０３は、洗浄水槽４１１から出されて乾
燥工程へ移動されて乾燥される。洗浄および水洗が終了
すると、洗浄薬液４０４は、配管４０５およびバルブ４
０６を通ってドレイン槽４０７に集められる。また、洗
浄水４１４は、配管４１５およびバルブ４１６を通って
ドレイン槽４１７に集められる。
１４が満たされた洗浄水槽４１１へ浸漬され所定の時間
だけ半導体基板４０３の水洗が行われる。水洗が終了し
た半導体基板４０３は、洗浄水槽４１１から出されて乾
燥工程へ移動されて乾燥される。洗浄および水洗が終了
すると、洗浄薬液４０４は、配管４０５およびバルブ４
０６を通ってドレイン槽４０７に集められる。また、洗
浄水４１４は、配管４１５およびバルブ４１６を通って
ドレイン槽４１７に集められる。
【０００８】半導体装置の製造工程では製造コストを低
減するためにより大口径の半導体基板が使用されてい
る。具体的には、半導体基板の大きさが４インチから、
５、６および８インチへと大口径化している。使用され
る半導体基板の大口径化は、必然的に半導体製造装置の
大型化を引き起こし、それに伴って洗浄装置も大きくな
っている。洗浄装置の大型化は洗浄に使用する薬液量の
増大という問題をも引き起こしている。
減するためにより大口径の半導体基板が使用されてい
る。具体的には、半導体基板の大きさが４インチから、
５、６および８インチへと大口径化している。使用され
る半導体基板の大口径化は、必然的に半導体製造装置の
大型化を引き起こし、それに伴って洗浄装置も大きくな
っている。洗浄装置の大型化は洗浄に使用する薬液量の
増大という問題をも引き起こしている。
【０００９】ところで、上述したようなバッチ式の洗浄
装置の問題、すなわち、装置の大型化と使用薬液量の増
大であるが、これを解決する装置として枚葉式の洗浄装
置が検討されている。この枚葉式の洗浄装置の長所は、
洗浄槽が小さいので装置が小型になることと、薬液使用
量が少ないことである。
装置の問題、すなわち、装置の大型化と使用薬液量の増
大であるが、これを解決する装置として枚葉式の洗浄装
置が検討されている。この枚葉式の洗浄装置の長所は、
洗浄槽が小さいので装置が小型になることと、薬液使用
量が少ないことである。
【００１０】図５に一般的な枚葉式の洗浄装置を示す。
この枚葉式の洗浄装置は、洗浄薬液槽５０１と、チャッ
ク５０３と、回転軸５０４と、回転駆動装置５０５と、
配管５０６と、ポンプ５０７と、薬液槽５０８と、配管
５０９と、ドレイン槽５１０と、配管５１１と、ポンプ
５１２と、水槽５１３とを有している。
この枚葉式の洗浄装置は、洗浄薬液槽５０１と、チャッ
ク５０３と、回転軸５０４と、回転駆動装置５０５と、
配管５０６と、ポンプ５０７と、薬液槽５０８と、配管
５０９と、ドレイン槽５１０と、配管５１１と、ポンプ
５１２と、水槽５１３とを有している。
【００１１】次に、図５の枚葉式の洗浄装置の動作につ
いて説明する。洗浄薬槽５０１内でチャック５０３上に
半導体基板５０２を吸引装置により設置する。チャック
５０３は、回転駆動装置５０５と回転軸５０４を介して
接続されており、回転駆動装置５０５が回転することに
より半導体基板５０２は回転される。半導体基板５０２
が回転している状態で、薬液槽５０８内の薬液はポンプ
５０７で吸引され配管５０６を通して半導体基板５０２
の表面へ塗布される。薬液の塗布が終了すると、次に、
水槽５１３内の水がポンプ５１２で吸引され配管５１１
を通して半導体基板５０２の表面へ落とされて水洗が行
われる。水洗後、半導体基板５０２は高速回転されるこ
とにより水分が遠心力で除去され乾燥が行われる。洗浄
薬槽５０１内の洗浄液および水は配管５０９を通して随
時ドレイン槽５１０に集められる。
いて説明する。洗浄薬槽５０１内でチャック５０３上に
半導体基板５０２を吸引装置により設置する。チャック
５０３は、回転駆動装置５０５と回転軸５０４を介して
接続されており、回転駆動装置５０５が回転することに
より半導体基板５０２は回転される。半導体基板５０２
が回転している状態で、薬液槽５０８内の薬液はポンプ
５０７で吸引され配管５０６を通して半導体基板５０２
の表面へ塗布される。薬液の塗布が終了すると、次に、
水槽５１３内の水がポンプ５１２で吸引され配管５１１
を通して半導体基板５０２の表面へ落とされて水洗が行
われる。水洗後、半導体基板５０２は高速回転されるこ
とにより水分が遠心力で除去され乾燥が行われる。洗浄
薬槽５０１内の洗浄液および水は配管５０９を通して随
時ドレイン槽５１０に集められる。
【００１２】半導体基板を液に浸しながら回転すること
ができるバッチ式の洗浄装置として、特開昭５６−１０
５６３９号公報のものを挙げることができる。このバッ
チ式の洗浄装置を図６に示す。このバッチ式の洗浄装置
は、図６に示すように、回転筒６１６と、支持体６１７
と、傾斜軸６２２と、半導体基板６２７を保持するホル
ダ６２８と、堰６２９と、液を供給する供給管６３３と
を有している。
ができるバッチ式の洗浄装置として、特開昭５６−１０
５６３９号公報のものを挙げることができる。このバッ
チ式の洗浄装置を図６に示す。このバッチ式の洗浄装置
は、図６に示すように、回転筒６１６と、支持体６１７
と、傾斜軸６２２と、半導体基板６２７を保持するホル
ダ６２８と、堰６２９と、液を供給する供給管６３３と
を有している。
【００１３】この装置は、回転機構を有するという特徴
はあるものの、多数枚の半導体基板６２７を同時に処理
できるエッチング装置である。洗浄装置かエッチング装
置かという違いはあるものの、同時に多数枚の半導体基
板を処理できるという特徴をもつがゆえに、後述するよ
うなバッチ式洗浄（処理）装置としての問題を有してい
る。
はあるものの、多数枚の半導体基板６２７を同時に処理
できるエッチング装置である。洗浄装置かエッチング装
置かという違いはあるものの、同時に多数枚の半導体基
板を処理できるという特徴をもつがゆえに、後述するよ
うなバッチ式洗浄（処理）装置としての問題を有してい
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のバッチ
式の洗浄装置においては、半導体基板の大口径化に伴い
洗浄装置が大型化するという問題があり、また、薬液使
用量が多量になるという問題がある。
式の洗浄装置においては、半導体基板の大口径化に伴い
洗浄装置が大型化するという問題があり、また、薬液使
用量が多量になるという問題がある。
【００１５】また、枚葉式の洗浄装置においては、スル
ープット（１回あたりの洗浄処理枚数）が小さいという
問題があり、また、半導体基板の両面洗浄が不可能であ
るという問題がある。
ープット（１回あたりの洗浄処理枚数）が小さいという
問題があり、また、半導体基板の両面洗浄が不可能であ
るという問題がある。
【００１６】そこで、本発明の目的は、スループットが
大きく、半導体基板の両面洗浄が可能であり、装置が小
型であり、かつ、薬液使用量が少ない洗浄方法および洗
浄装置を提供することにある。
大きく、半導体基板の両面洗浄が可能であり、装置が小
型であり、かつ、薬液使用量が少ない洗浄方法および洗
浄装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、半導体基板の上部裏面を基板保持装置で
ほぼ水平に保持した状態で前記半導体基板を洗浄薬液槽
の内部の洗浄薬液に中に入れる第１の工程と、前記基板
保持装置でほぼ水平に保持した状態で前記基板保持装置
を所定時間だけ回転させて前記半導体基板を洗浄薬液槽
の内部の洗浄薬液の中でほぼ水平方向に回転させる第２
の工程と、前記半導体基板の上部裏面を前記基板保持装
置でほぼ水平に保持した状態で前記半導体基板を洗浄水
槽の内部の洗浄水の中に入れる第３の工程と、前記基板
保持装置で前記半導体基板をほぼ水平に保持した状態で
前記基板保持装置を所定時間だけ回転させて前記半導体
基板を前記洗浄水槽の内部の洗浄水の中でほぼ水平方向
に回転させる第４の工程と、前記基板保持装置で前記半
導体基板を保持した状態で前記基板保持装置を上昇させ
て前記半導体基板を洗浄水槽の内部の洗浄水から空気中
に出す第４の工程と、前記基板保持装置を所定時間だけ
回転させて前記洗浄水から出した前記半導体基板を空気
中で回転させる第４の工程とを有することを特徴とす
る。
決するために、半導体基板の上部裏面を基板保持装置で
ほぼ水平に保持した状態で前記半導体基板を洗浄薬液槽
の内部の洗浄薬液に中に入れる第１の工程と、前記基板
保持装置でほぼ水平に保持した状態で前記基板保持装置
を所定時間だけ回転させて前記半導体基板を洗浄薬液槽
の内部の洗浄薬液の中でほぼ水平方向に回転させる第２
の工程と、前記半導体基板の上部裏面を前記基板保持装
置でほぼ水平に保持した状態で前記半導体基板を洗浄水
槽の内部の洗浄水の中に入れる第３の工程と、前記基板
保持装置で前記半導体基板をほぼ水平に保持した状態で
前記基板保持装置を所定時間だけ回転させて前記半導体
基板を前記洗浄水槽の内部の洗浄水の中でほぼ水平方向
に回転させる第４の工程と、前記基板保持装置で前記半
導体基板を保持した状態で前記基板保持装置を上昇させ
て前記半導体基板を洗浄水槽の内部の洗浄水から空気中
に出す第４の工程と、前記基板保持装置を所定時間だけ
回転させて前記洗浄水から出した前記半導体基板を空気
中で回転させる第４の工程とを有することを特徴とす
る。
【００１８】また、本発明は、内部に洗浄薬液を収容す
るための洗浄薬液槽と、この洗浄薬液槽に前記洗浄薬液
を供給する薬液供給装置と、前記洗浄薬液槽の前記洗浄
薬液を排出する薬液排出装置と、内部に洗浄水を収容す
るための洗浄水槽と、この洗浄水槽に洗浄水を供給する
水供給装置と、前記洗浄水槽の前記洗浄水を排出する水
排出装置と、半導体基板の上部裏面を保持する基板保持
装置と、この基板保持装置を昇降させる昇降装置と、前
記基板保持装置をほぼ水平方向に移動させる水平移動装
置と、前記基板保持装置をほぼ水平方向に回転させる回
転駆動装置と、前記基板保持装置と前記昇降装置と前記
水平移動装置と前記回転駆動装置とを制御する制御装置
とを具備し、前記制御装置は、前記半導体基板の上部裏
面を基板保持装置でほぼ水平に保持した状態で前記半導
体基板を前記洗浄薬液槽の内部の洗浄薬液に中に入れて
から前記基板保持装置を所定時間だけ回転させて前記半
導体基板を前記洗浄薬液槽の内部の洗浄薬液の中でほぼ
水平方向に回転させ、次に前記半導体基板を前記洗浄薬
液槽の内部の洗浄薬液の中から移動して前記半導体基板
の上部裏面を前記基板保持装置でほぼ水平に保持した状
態で前記半導体基板を前記洗浄水槽の内部の水の中に入
れた後に、前記基板保持装置でほぼ水平に保持した状態
で前記基板保持装置を所定時間だけ回転させて前記半導
体基板を前記洗浄水槽の内部の洗浄水の中でほぼ水平方
向に回転させ、次に前記半導体基板を前記洗浄水槽の内
部の前記洗浄水から空気中に出した後に前記基板保持装
置を所定時間だけ回転させて前記半導体基板を空気中で
回転させることを特徴とする。
るための洗浄薬液槽と、この洗浄薬液槽に前記洗浄薬液
を供給する薬液供給装置と、前記洗浄薬液槽の前記洗浄
薬液を排出する薬液排出装置と、内部に洗浄水を収容す
るための洗浄水槽と、この洗浄水槽に洗浄水を供給する
水供給装置と、前記洗浄水槽の前記洗浄水を排出する水
排出装置と、半導体基板の上部裏面を保持する基板保持
装置と、この基板保持装置を昇降させる昇降装置と、前
記基板保持装置をほぼ水平方向に移動させる水平移動装
置と、前記基板保持装置をほぼ水平方向に回転させる回
転駆動装置と、前記基板保持装置と前記昇降装置と前記
水平移動装置と前記回転駆動装置とを制御する制御装置
とを具備し、前記制御装置は、前記半導体基板の上部裏
面を基板保持装置でほぼ水平に保持した状態で前記半導
体基板を前記洗浄薬液槽の内部の洗浄薬液に中に入れて
から前記基板保持装置を所定時間だけ回転させて前記半
導体基板を前記洗浄薬液槽の内部の洗浄薬液の中でほぼ
水平方向に回転させ、次に前記半導体基板を前記洗浄薬
液槽の内部の洗浄薬液の中から移動して前記半導体基板
の上部裏面を前記基板保持装置でほぼ水平に保持した状
態で前記半導体基板を前記洗浄水槽の内部の水の中に入
れた後に、前記基板保持装置でほぼ水平に保持した状態
で前記基板保持装置を所定時間だけ回転させて前記半導
体基板を前記洗浄水槽の内部の洗浄水の中でほぼ水平方
向に回転させ、次に前記半導体基板を前記洗浄水槽の内
部の前記洗浄水から空気中に出した後に前記基板保持装
置を所定時間だけ回転させて前記半導体基板を空気中で
回転させることを特徴とする。
【００１９】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基いて詳細に
説明する。
説明する。
【００２０】（第１の実施例）先ず、本発明の第１の実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００２１】図１に本発明の洗浄装置を示す。この洗浄
装置は、回転駆動装置１０１と、回転軸１０２と、洗浄
薬液槽１０３と、半導体基板１０５を保持するチャック
１０４と、洗浄薬液１０６と、配管１０７，１０８と、
ポンプ１０９と、バルブ１１０，１１１、１１２と、薬
液槽１１３と、ドレイン槽１１４と、１１５は配管１１
５，１１６，１１７と、洗浄水槽１１８と、洗浄水１１
９と、配管１２０と、バルブ１２１と、ドレイン槽１２
２と、配管１２３と、ポンプ１２４と、水槽１２５と、
チャック１０４を昇降させる昇降装置１２６と、チャッ
ク１０４をほぼ水平方向へ移動させる水平移動装置１２
７と、チャック１０４と回転駆動装置１０１と昇降装置
１２６および水平移動装置１２７を制御する制御装置１
２８とを有している。
装置は、回転駆動装置１０１と、回転軸１０２と、洗浄
薬液槽１０３と、半導体基板１０５を保持するチャック
１０４と、洗浄薬液１０６と、配管１０７，１０８と、
ポンプ１０９と、バルブ１１０，１１１、１１２と、薬
液槽１１３と、ドレイン槽１１４と、１１５は配管１１
５，１１６，１１７と、洗浄水槽１１８と、洗浄水１１
９と、配管１２０と、バルブ１２１と、ドレイン槽１２
２と、配管１２３と、ポンプ１２４と、水槽１２５と、
チャック１０４を昇降させる昇降装置１２６と、チャッ
ク１０４をほぼ水平方向へ移動させる水平移動装置１２
７と、チャック１０４と回転駆動装置１０１と昇降装置
１２６および水平移動装置１２７を制御する制御装置１
２８とを有している。
【００２２】薬液槽１１３と、ポンプ１０９と、バルブ
１１２と、配管１１６，１１７，１０８とは、洗浄薬液
槽１０３へ洗浄液１０６を供給する薬液供給装置を構成
している。配管１０７，１１５と、バルブ１１１と、ド
レイン槽１１４とは、洗浄薬液槽１０３の洗浄液１０６
を排出する薬液排出装置を構成している。配管１２３
と、ポンプ１２４と、水槽１２５とは、洗浄水槽１１８
に洗浄水１１９を供給する水供給装置を構成している。
配管１２０と、バルブ１２１と、ドレイン槽１２２と
は、洗浄水槽１１８の洗浄水１１９を排出する水排出装
置を構成している。チャック１０４は、半導体基板１０
５を保持する基板保持装置を構成している。
１１２と、配管１１６，１１７，１０８とは、洗浄薬液
槽１０３へ洗浄液１０６を供給する薬液供給装置を構成
している。配管１０７，１１５と、バルブ１１１と、ド
レイン槽１１４とは、洗浄薬液槽１０３の洗浄液１０６
を排出する薬液排出装置を構成している。配管１２３
と、ポンプ１２４と、水槽１２５とは、洗浄水槽１１８
に洗浄水１１９を供給する水供給装置を構成している。
配管１２０と、バルブ１２１と、ドレイン槽１２２と
は、洗浄水槽１１８の洗浄水１１９を排出する水排出装
置を構成している。チャック１０４は、半導体基板１０
５を保持する基板保持装置を構成している。
【００２３】次に、図１に示された本発明の洗浄装置の
動作について説明する。薬液槽１１３内の薬液は、ポン
プ１０９よりバルブ１１２と配管１１６，１１７，１０
８を通って洗浄薬液槽１０３へ洗浄液１０６として供給
される。この時、バルブ１１０，１１１は閉である。洗
浄薬液槽１０３へ洗浄薬液１０６が供給されると、バル
ブ１１２は閉になり、バルブ１１０が開となる。これに
より洗浄薬液１０６は巡回し、これにより急激な洗浄力
の低下や洗浄液の汚染は防止できる。また、洗浄力を向
上させるために洗浄薬液１０６を昇温させることも有効
である。
動作について説明する。薬液槽１１３内の薬液は、ポン
プ１０９よりバルブ１１２と配管１１６，１１７，１０
８を通って洗浄薬液槽１０３へ洗浄液１０６として供給
される。この時、バルブ１１０，１１１は閉である。洗
浄薬液槽１０３へ洗浄薬液１０６が供給されると、バル
ブ１１２は閉になり、バルブ１１０が開となる。これに
より洗浄薬液１０６は巡回し、これにより急激な洗浄力
の低下や洗浄液の汚染は防止できる。また、洗浄力を向
上させるために洗浄薬液１０６を昇温させることも有効
である。
【００２４】一方、半導体基板１０５の上部裏面を真空
チャック１０４が吸着して半導体基板１０５をほぼ水平
に保持する。そして洗浄薬液１０６で満たされた洗浄薬
液槽１０３へ半導体基板１０５をほぼ水平に浸漬させ
る。半導体基板１０５は回転軸１０２を介して回転駆動
装置１０１に接続されている。半導体基板１０５は、回
転駆動装置１０１により所定時間だけ所定の回転数で回
転される。このように洗浄薬液１０６中で半導体基板１
０５を回転させると、回転させない場合に比較して洗浄
効率が飛躍的に向上する。そのため、半導体基板１０５
の１枚当たりの洗浄時間が短く、従来技術の枚葉式洗浄
装置の欠点であったスループット低下を克服できる。所
定時間の半導体基板１０５の洗浄が終了した後に、洗浄
薬液槽１０３中の洗浄薬液１０６は、配管１０７，１１
５と、バルブ１１１とを通ってドレイン槽１１４に集め
られる。この時、バルブ１１０，１１２は閉である。
チャック１０４が吸着して半導体基板１０５をほぼ水平
に保持する。そして洗浄薬液１０６で満たされた洗浄薬
液槽１０３へ半導体基板１０５をほぼ水平に浸漬させ
る。半導体基板１０５は回転軸１０２を介して回転駆動
装置１０１に接続されている。半導体基板１０５は、回
転駆動装置１０１により所定時間だけ所定の回転数で回
転される。このように洗浄薬液１０６中で半導体基板１
０５を回転させると、回転させない場合に比較して洗浄
効率が飛躍的に向上する。そのため、半導体基板１０５
の１枚当たりの洗浄時間が短く、従来技術の枚葉式洗浄
装置の欠点であったスループット低下を克服できる。所
定時間の半導体基板１０５の洗浄が終了した後に、洗浄
薬液槽１０３中の洗浄薬液１０６は、配管１０７，１１
５と、バルブ１１１とを通ってドレイン槽１１４に集め
られる。この時、バルブ１１０，１１２は閉である。
【００２５】所定時間の半導体基板１０５の洗浄が終了
した後に、半導体基板１０５は洗浄薬液槽１０３から引
き上げられ洗浄水槽１１８へ移動される。純水槽１２５
内の水がポンプ１２４により吸引され配管１２３を通っ
て洗浄水槽１１８へ洗浄水１１９として供給される。こ
の時、バルブ１２１は閉である。この洗浄水１１９が満
たされた洗浄水槽１１８の中へ洗浄薬液１０６による洗
浄後の半導体基板１０５はほぼ水平に浸漬される。
した後に、半導体基板１０５は洗浄薬液槽１０３から引
き上げられ洗浄水槽１１８へ移動される。純水槽１２５
内の水がポンプ１２４により吸引され配管１２３を通っ
て洗浄水槽１１８へ洗浄水１１９として供給される。こ
の時、バルブ１２１は閉である。この洗浄水１１９が満
たされた洗浄水槽１１８の中へ洗浄薬液１０６による洗
浄後の半導体基板１０５はほぼ水平に浸漬される。
【００２６】洗浄水槽１１８の洗浄水１１９の中で半導
体基板１０５は、ほぼ水平の状態で回転駆動装置１０１
により所定時間だけ所定の回転数で回転される。半導体
基板１０５は、回転されながら水洗されるので水洗時間
が短くとも効率良く水洗できる。所定時間だけ半導体基
板１０５が水洗された後に、洗浄水槽１１８中の洗浄水
１１９は、配管１２０とバルブ１２１とを通ってドレイ
ン槽１２２へ集められる。洗浄水槽１１８の洗浄水１１
９がなくなった後、洗浄水槽１１８中で半導体基板１０
５は、回転駆動装置１０１により所定時間だけ所定の回
転数で回転される。この時、半導体基板１０５は、高速
で回転され水分が遠心力で除去され乾燥される。
体基板１０５は、ほぼ水平の状態で回転駆動装置１０１
により所定時間だけ所定の回転数で回転される。半導体
基板１０５は、回転されながら水洗されるので水洗時間
が短くとも効率良く水洗できる。所定時間だけ半導体基
板１０５が水洗された後に、洗浄水槽１１８中の洗浄水
１１９は、配管１２０とバルブ１２１とを通ってドレイ
ン槽１２２へ集められる。洗浄水槽１１８の洗浄水１１
９がなくなった後、洗浄水槽１１８中で半導体基板１０
５は、回転駆動装置１０１により所定時間だけ所定の回
転数で回転される。この時、半導体基板１０５は、高速
で回転され水分が遠心力で除去され乾燥される。
【００２７】従来技術のバッチ式の洗浄装置では通常、
洗浄１０分間、水洗１０分間を行っている。半導体基板
の移し替えの時間を考慮しないと１ロット（通常２５
枚）の洗浄に約２０分を要する。一方、従来技術の枚葉
式の洗浄装置では１枚当たり、洗浄３分間、水洗３分間
とすると、半導体基板の移し替えの時間を考慮しない場
合、１ロットの洗浄に約１５０分を要する。しかし、本
発明の洗浄装置では、図２に示すように洗浄・水洗時に
半導体基板が回転することで洗浄・水洗効率が３倍に向
上しているため１枚当たりの洗浄・水洗に要する時間は
１分間である。したがって、１ロットの洗浄に要する時
間は約２５分であり、従来技術のバッチ式の洗浄装置と
ほぼ同等である。図２に、本発明の洗浄装置および従来
技術の枚葉式の洗浄装置における半導体基板表面の不純
物濃度と洗浄時間との関係が示されている。
洗浄１０分間、水洗１０分間を行っている。半導体基板
の移し替えの時間を考慮しないと１ロット（通常２５
枚）の洗浄に約２０分を要する。一方、従来技術の枚葉
式の洗浄装置では１枚当たり、洗浄３分間、水洗３分間
とすると、半導体基板の移し替えの時間を考慮しない場
合、１ロットの洗浄に約１５０分を要する。しかし、本
発明の洗浄装置では、図２に示すように洗浄・水洗時に
半導体基板が回転することで洗浄・水洗効率が３倍に向
上しているため１枚当たりの洗浄・水洗に要する時間は
１分間である。したがって、１ロットの洗浄に要する時
間は約２５分であり、従来技術のバッチ式の洗浄装置と
ほぼ同等である。図２に、本発明の洗浄装置および従来
技術の枚葉式の洗浄装置における半導体基板表面の不純
物濃度と洗浄時間との関係が示されている。
【００２８】また、本発明の洗浄装置は、半導体基板の
裏面の一部を吸着し、薬液中に浸漬させるので半導体基
板の両面洗浄が可能である。さらに、本発明の洗浄装置
は、１枚毎処理するため洗浄薬液槽をはじめとして全て
の部分を小型化できるから、従来のバッチ式の洗浄装置
と比較して大きさはほぼ１／２である。
裏面の一部を吸着し、薬液中に浸漬させるので半導体基
板の両面洗浄が可能である。さらに、本発明の洗浄装置
は、１枚毎処理するため洗浄薬液槽をはじめとして全て
の部分を小型化できるから、従来のバッチ式の洗浄装置
と比較して大きさはほぼ１／２である。
【００２９】また、従来のバッチ式の洗浄装置は１ロッ
トの洗浄につき、６インチ半導体基板の場合、約２０リ
ットルの薬液を使用する。また、従来の枚葉式の洗浄装
置は１ロットの洗浄につき、６インチの場合約５リット
ルの薬液を使用する。本発明の洗浄装置では、６インチ
の場合最大５リットルである。その理由は、洗浄薬液槽
１０３内の洗浄薬液１０６の深さを変えることにより薬
液使用量を調節できるためである。本発明の洗浄装置に
おいては、半導体基板１０５は、ほぼ水平に保持されて
いるので洗浄薬液１０６の深さは１ｃｍでも洗浄可能で
ある。
トの洗浄につき、６インチ半導体基板の場合、約２０リ
ットルの薬液を使用する。また、従来の枚葉式の洗浄装
置は１ロットの洗浄につき、６インチの場合約５リット
ルの薬液を使用する。本発明の洗浄装置では、６インチ
の場合最大５リットルである。その理由は、洗浄薬液槽
１０３内の洗浄薬液１０６の深さを変えることにより薬
液使用量を調節できるためである。本発明の洗浄装置に
おいては、半導体基板１０５は、ほぼ水平に保持されて
いるので洗浄薬液１０６の深さは１ｃｍでも洗浄可能で
ある。
【００３０】（第２の実施例）次に、本発明の第２の実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００３１】図３は、本発明の第２の実施例を示したも
のである。この第２の実施例としての洗浄装置は、回転
駆動装置３０１と、回転軸３０２と、半導体基板３０５
の上部裏面を吸着するチャック３０３と、処理槽３０４
と、処理液３０６と、配管３０７、ポンプ３０８と、配
管３０９と、薬液槽３１０と、３１１はバルブ３１１，
３１２と、配管３１３，３１４，３１５と、バルブ３１
６と、ドレイン槽３１７と、配管３１８と、ポンプ３１
９と、水槽３２０とを有している。
のである。この第２の実施例としての洗浄装置は、回転
駆動装置３０１と、回転軸３０２と、半導体基板３０５
の上部裏面を吸着するチャック３０３と、処理槽３０４
と、処理液３０６と、配管３０７、ポンプ３０８と、配
管３０９と、薬液槽３１０と、３１１はバルブ３１１，
３１２と、配管３１３，３１４，３１５と、バルブ３１
６と、ドレイン槽３１７と、配管３１８と、ポンプ３１
９と、水槽３２０とを有している。
【００３２】次に、図３の洗浄装置の動作について説明
する。
する。
【００３３】まず、バルブ３１１、３１６は閉であり、
バルブ３１２は開である状態で、薬液槽３１０内の薬液
はポンプ３０８により吸引され配管３０９，３０７を通
して処理槽３０４中へ処理液３０６として導入される。
次に、半導体基板３０５は、その裏面を真空チャック３
０３で吸着されほぼ水平に保持された状態で、処理槽３
０４の処理液３０６中へ浸漬される。半導体基板３０５
は、回転軸３０２を介して回転駆動装置３０１と接続さ
れている。処理槽３０４の処理液３０６の中で半導体基
板３１０５は、ほぼ水平の状態で回転駆動装置３０１に
より所定時間だけ所定の回転数で回転される。所定の時
間だけ半導体基板３０５は洗浄された後、バルブ３１
１，３１２は閉となり、バルブ３１６は開となって、処
理液３０６はドレイン槽３１７に集められる。処理槽３
０４中の処理液３０６が無くなると、バルブ３１１，３
１２，３１６は閉になる。
バルブ３１２は開である状態で、薬液槽３１０内の薬液
はポンプ３０８により吸引され配管３０９，３０７を通
して処理槽３０４中へ処理液３０６として導入される。
次に、半導体基板３０５は、その裏面を真空チャック３
０３で吸着されほぼ水平に保持された状態で、処理槽３
０４の処理液３０６中へ浸漬される。半導体基板３０５
は、回転軸３０２を介して回転駆動装置３０１と接続さ
れている。処理槽３０４の処理液３０６の中で半導体基
板３１０５は、ほぼ水平の状態で回転駆動装置３０１に
より所定時間だけ所定の回転数で回転される。所定の時
間だけ半導体基板３０５は洗浄された後、バルブ３１
１，３１２は閉となり、バルブ３１６は開となって、処
理液３０６はドレイン槽３１７に集められる。処理槽３
０４中の処理液３０６が無くなると、バルブ３１１，３
１２，３１６は閉になる。
【００３４】次に、水槽３２０中の水はポンプ３１９に
より吸引され配管３１８を通して処理槽３０４中へ処理
液３０６として導入される。この時、水が処理液３０６
となる。処理槽３０４の処理液３０６の中で半導体基板
３１０５は、ほぼ水平の状態で回転駆動装置３０１によ
り所定時間だけ所定の回転数で回転されて水洗される。
水洗が終了すると、バルブ３１９は開になり処理液３０
６はドレイン槽３２０に集められる。処理槽３０４中の
処理液３０６が無くなると半導体基板３０５は、回転駆
動装置３０１により所定時間だけ高速に回転され水分が
除去・乾燥される。この実施例の場合、洗浄薬液槽と洗
浄水槽が同一の槽であるので装置の大きさがさらに１／
２になるという利点がある。
より吸引され配管３１８を通して処理槽３０４中へ処理
液３０６として導入される。この時、水が処理液３０６
となる。処理槽３０４の処理液３０６の中で半導体基板
３１０５は、ほぼ水平の状態で回転駆動装置３０１によ
り所定時間だけ所定の回転数で回転されて水洗される。
水洗が終了すると、バルブ３１９は開になり処理液３０
６はドレイン槽３２０に集められる。処理槽３０４中の
処理液３０６が無くなると半導体基板３０５は、回転駆
動装置３０１により所定時間だけ高速に回転され水分が
除去・乾燥される。この実施例の場合、洗浄薬液槽と洗
浄水槽が同一の槽であるので装置の大きさがさらに１／
２になるという利点がある。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、スループットが大き
く、半導体基板の両面洗浄が可能であり、装置が小型で
あり、かつ、薬液使用量が少ない洗浄方法および洗浄装
置を得ることができる。
く、半導体基板の両面洗浄が可能であり、装置が小型で
あり、かつ、薬液使用量が少ない洗浄方法および洗浄装
置を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の作用効果を説明するための図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す概略図である。
【図４】従来のバッチ式の洗浄装置を示す概略図であ
る。
る。
【図５】従来の枚葉式の洗浄装置の１例を示す概略図で
ある。
ある。
【図６】従来の枚葉式の洗浄装置の他の例を示す概略図
である。
である。
１０１ 回転駆動装置 １０２ 回転軸 １０３ 洗浄薬液槽 １０４ チャック １０５ 半導体基板 １０６ 洗浄薬液 １０７、１０８、１１５、１１６、１１７、１２０、１
２３ 配管 １０９、１２４ ポンプ １１０、１１１、１１２、１２１ バルブ １１３ 薬液槽 １１４、１２２ ドレイン槽 １１８ 洗浄水槽 １１９ 洗浄水 １２５ 水槽
２３ 配管 １０９、１２４ ポンプ １１０、１１１、１１２、１２１ バルブ １１３ 薬液槽 １１４、１２２ ドレイン槽 １１８ 洗浄水槽 １１９ 洗浄水 １２５ 水槽
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の上部裏面を基板保持装置で
ほぼ水平に保持した状態で前記半導体基板を洗浄薬液槽
の内部の洗浄薬液に中に入れる第１の工程と、前記基板
保持装置でほぼ水平に保持した状態で前記基板保持装置
を所定時間だけ回転させて前記半導体基板を洗浄薬液槽
の内部の洗浄薬液の中でほぼ水平方向に回転させる第２
の工程と、前記半導体基板の上部裏面を前記基板保持装
置でほぼ水平に保持した状態で前記半導体基板を洗浄水
槽の内部の洗浄水の中に入れる第３の工程と、前記基板
保持装置で前記半導体基板をほぼ水平に保持した状態で
前記基板保持装置を所定時間だけ回転させて前記半導体
基板を前記洗浄水槽の内部の洗浄水の中でほぼ水平方向
に回転させる第４の工程と、前記基板保持装置で前記半
導体基板を保持した状態で前記基板保持装置を上昇させ
て前記半導体基板を洗浄水槽の内部の洗浄水から空気中
に出す第４の工程と、前記基板保持装置を所定時間だけ
回転させて前記洗浄水から出した前記半導体基板を空気
中で回転させる第４の工程とを有することを特徴とする
半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 内部に洗浄薬液を収容するための洗浄薬
液槽と、この洗浄薬液槽に前記洗浄薬液を供給する薬液
供給装置と、前記洗浄薬液槽の前記洗浄薬液を排出する
薬液排出装置と、内部に洗浄水を収容するための洗浄水
槽と、この洗浄水槽に洗浄水を供給する水供給装置と、
前記洗浄水槽の前記洗浄水を排出する水排出装置と、半
導体基板の上部裏面を保持する基板保持装置と、この基
板保持装置を昇降させる昇降装置と、前記基板保持装置
をほぼ水平方向に移動させる水平移動装置と、前記基板
保持装置をほぼ水平方向に回転させる回転駆動装置と、
前記基板保持装置と前記昇降装置と前記水平移動装置と
前記回転駆動装置とを制御する制御装置とを具備し、前
記制御装置は、前記半導体基板の上部裏面を基板保持装
置でほぼ水平に保持した状態で前記半導体基板を前記洗
浄薬液槽の内部の洗浄薬液に中に入れてから前記基板保
持装置を所定時間だけ回転させて前記半導体基板を前記
洗浄薬液槽の内部の洗浄薬液の中でほぼ水平方向に回転
させ、次に前記半導体基板を前記洗浄薬液槽の内部の洗
浄薬液の中から移動して前記半導体基板の上部裏面を前
記基板保持装置でほぼ水平に保持した状態で前記半導体
基板を前記洗浄水槽の内部の水の中に入れた後に、前記
基板保持装置でほぼ水平に保持した状態で前記基板保持
装置を所定時間だけ回転させて前記半導体基板を前記洗
浄水槽の内部の洗浄水の中でほぼ水平方向に回転させ、
次に前記半導体基板を前記洗浄水槽の内部の前記洗浄水
から空気中に出した後に前記基板保持装置を所定時間だ
け回転させて前記半導体基板を空気中で回転させること
を特徴とする半導体基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8029795A JPH08279482A (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8029795A JPH08279482A (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279482A true JPH08279482A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13714347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8029795A Pending JPH08279482A (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279482A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422911B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2004-03-12 | 아남반도체 주식회사 | 회전식 습식 세정장치 |
| JP2021077850A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 饒梦華 | 半導体の洗浄設備 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111961A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-17 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | スピンコ−ト方法及びスピンコ−タ |
| JPH0456121A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Nippondenso Co Ltd | レジスト現像装置 |
| JPH04127517A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Fujitsu Ltd | レジストの現像方法とその装置 |
| JPH04168719A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
-
1995
- 1995-04-05 JP JP8029795A patent/JPH08279482A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111961A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-17 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | スピンコ−ト方法及びスピンコ−タ |
| JPH0456121A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Nippondenso Co Ltd | レジスト現像装置 |
| JPH04127517A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Fujitsu Ltd | レジストの現像方法とその装置 |
| JPH04168719A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422911B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2004-03-12 | 아남반도체 주식회사 | 회전식 습식 세정장치 |
| JP2021077850A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 饒梦華 | 半導体の洗浄設備 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971007 |