JP2021077850A - 半導体の洗浄設備 - Google Patents
半導体の洗浄設備 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021077850A JP2021077850A JP2020055095A JP2020055095A JP2021077850A JP 2021077850 A JP2021077850 A JP 2021077850A JP 2020055095 A JP2020055095 A JP 2020055095A JP 2020055095 A JP2020055095 A JP 2020055095A JP 2021077850 A JP2021077850 A JP 2021077850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- space
- holding
- wall
- electromagnetic
- spring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
現段階の洗浄装置において、洗浄素材を利用して単結晶シリコンを擦ると単結晶シリコンの表面を傷つけやすく、超音波振動を使用するとまた単結晶シリコンの表面を傷けるため、単結晶シリコンの品質が下がり、後続の使用に不便をもたらす。
前記挟持空間の中には前記搬送ベルトにあるものを挟持することができる挟持機構が設置され、前記挟持機構は、前記挟持空間の中で昇降できる昇降板及び前記昇降板と前記挟持空間の上壁とを連結する二本の昇降ばねを含み、前記昇降ばねの中にはスライド溝が形成され、前記スライド溝の下壁が前記挟持空間に連通しており、前記スライド溝の後壁には前記スライド溝の後壁を貫通した移動空間が設置され、前記スライド溝の中には移動ブロックがスライド可能に連結され、前記移動ブロックの中には電磁空間が設置され、前記電磁空間の下壁が前記スライド溝に連通しており、前記電磁空間の前壁には電磁棒が固定され、前記電磁棒の後端が前記電磁空間の後壁と前記移動空間を貫通し且つ前記挟持空間の中に位置し、前記電磁空間の中には前記電磁棒と引き合うまたは反発し合うことができる二つの磁石ブロックが設置され、前記磁石ブロックの下端には挟持棒が固定され、前記挟持棒の下端が前記電磁空間の下壁と前記スライド溝の下壁とを貫通し且つ前記挟持空間の中に位置し、前記挟持空間の中には旋転歯車が設置され、前記旋転歯車の中には前記旋転歯車の上下端面を貫通した二つの伸縮空間が設置され、前記挟持棒の下端が前記伸縮空間を貫通しており、また、前記挟持棒には前記旋転歯車を支持する位置制限ブロックが固定され、前記伸縮空間において前記旋転歯車の中心に近接した壁には一端が前記挟持棒と固定的に連結された伸縮ばねが固定され、
前記挟持空間の下壁には単結晶シリコンウェーハを洗浄して乾燥できる洗浄機構が設置され、前記洗浄箱の中にはさらに駆動機構が設置され、前記駆動機構は前記昇降板の昇降及び前記旋転歯車の回転を駆動でき、前記挟持空間の後壁には前記移動ブロックの左右運動を制御できる移動機構が設置され、前記挟持機構の昇降及び前記駆動機構に駆動されて回転している前記旋転歯車により、前記挟持棒により挟持された単結晶シリコンウェーハは前記洗浄機構の中で昇降しながら回転することで、洗浄時に単結晶シリコンウェーハに対する損傷を抑えられる。
1、 初期状態において、スライドばね52、支持ばね20及び伸縮ばね42が引っ張り状態にあり、昇降ばね41が圧縮状態にあり、電磁ブロック49と電磁棒37との間の磁力がスライドばね52の弾力に等しく、電磁ブロック49が作動していなく、電磁棒37が作動して磁石ブロック35と反発し合い、搬送ベルト17により挟持空間50の中に洗浄待ちの単結晶シリコンウェーハを搬送し、三つの右側の第二電磁スイッチ27が作動し、左側の作動空間11の中一定量の液体を送ることで、左側の作動空間11の中にある混合液体を所要比率にし、加熱ブロック19が作動しているが、二つの断熱板18に妨害されているため、熱量が両側の作動空間11の中に伝えられない。
2、 駆動モータ30が作動して左側の伝動軸13を回転させることで、左側のスプロケット16が回転し、チェーン65の伝動により右側のスプロケット16と伝動軸13を回転させ、左側の伝動軸13が回転してリール31を回転させることで、鎖29を緩み、また、昇降ばね41が復帰して昇降板32を下降させることで、移動ブロック38が下降し、電磁棒37と挟持棒45とを下降させ、スライダ57が電磁棒37につれて下降して中間の位置制限空間53の中に至り、二本の挟持棒45が搬送ベルト17と接触するまで下降した時、駆動モータ30が作動を止め、ここで電磁棒37が作動して磁石ブロック35と引き合い、磁石ブロック35が電磁棒37に近づくことで、挟持棒45を互いに接近させ、そして挟持棒45が単結晶シリコンウェーハを挟持し、伸縮ばね42が復帰し、電磁棒37が作動して磁石ブロック35と引き合う時、電磁ブロック49も作動して電磁棒37の後端と引き合い、
3、 挟持棒45が単結晶シリコンウェーハを挟持した後、駆動モータ30が作動して左側の伝動軸13を逆回転させることで、リール31が逆回転して鎖29を巻き上げ、そして昇降板32が上昇し、昇降ばね41が圧縮され、移動ブロック38と電磁棒37とを上昇させ、スライダ57が電磁棒37につれて上昇して中間の位置制限空間53から離れ、また、電磁ブロック49が電磁棒37の後端と引き合っているため、電磁棒37が左方へ運動し、スライドばね52を引き続き引っ張ることで、電磁棒37が左方へ運動して移動ブロック38を左方へ運動させ、挟持棒45が連動して左方へ運動し、単結晶シリコンウェーハを左方へ運動させ、そして単結晶シリコンウェーハが左側の円形空間12の上側に位置し、スライダ57が左側の位置制限空間53の上側に位置し、この時に駆動モータ30が作動して左側の伝動軸13を回転させ、リール31を回転させることで、鎖29を緩め、そして昇降ばね41が再び復帰して昇降板32を下降させ、移動ブロック38が連動して下降し、挟持棒45と挟持された単結晶シリコンウェーハとを下降させ、昇降板32が最下まで下降したら、単結晶シリコンウェーハが左側の作動空間11にある混合液体の液面の下に入り、昇降板32が昇降する中で、旋転歯車40の左端が左側の伝動歯車14と噛み合ってから離れ、昇降板32が下降して電磁棒37を下降させ、そしてスライダ57を左側の位置制限空間53の中に下降させ、電磁棒37が引き続き下降して昇降空間46の中に入り、昇降板32が最下まで下降したらばねブロック47を下降させることで、ロープ25を緩め、圧縮ばね48が圧縮され、左側の支持ばね20が復帰して左側の断熱板18を下降させ、加熱空間64が左側の作動空間11と連通し、そして作動空間11の中の温度は上がって洗浄温度に達し、
4、 単結晶シリコンウェーハは混合液体に一定時間浸った後、駆動モータ30が再び作動して左側の伝動軸13を逆回転させることで、鎖29を巻き上げ、そして昇降板32が上昇し、単結晶シリコンウェーハを上昇させ、単結晶シリコンウェーハが液面から離れた時、単結晶シリコンウェーハの表面に洗浄剤が付き、旋転歯車40が上昇して再び左側の伝動歯車14と噛み合う時、左側の伝動軸13が回転して左側の伝動歯車14を回転させることで、旋転歯車40が回転し、挟持棒45を回転させ、そして単結晶シリコンウェーハが回転し、洗浄剤が単結晶シリコンウェーハの表面に流れることで、洗浄作業が行われ、
5、 洗浄が終わったら、リール31が作動して左側の伝動軸13を逆回転させ、そしてリール31が鎖29を巻き上げることで、昇降板32を上昇させて復帰させ、続いて電磁棒37と電磁ブロック49とが作動を止め、伸縮ばね42が復帰したため、二本の挟持棒45が依然として単結晶シリコンウェーハを挟持でき、電磁棒37が上昇してスライダ57を上昇させ、スライダ57がスライド空間51に戻り、電磁棒37と電磁ブロック49とが作動を止めたため、スライドばね52が復帰してスライダ57を右方へ運動させて復帰させ、電磁棒37が連動して右方へ運動し、スライドばね52が完全に復帰した後、単結晶シリコンウェーハが右側の円形空間12の上側に位置し、この時に駆動機構61が作動して昇降板32を駆動し、昇降板32が引き続き往復昇降し、右側のばねブロック47が昇降板32と電磁棒37の下降過程において下降し、右側のロープ25を緩め、右側の支持ばね20が復帰し、断熱板18が下降し、加熱空間64が右側の作動空間11と連通し、昇降板32の下降過程において、旋転歯車40が右側の伝動歯車14と噛み合う時、旋転歯車40が回転して単結晶シリコンウェーハを回転させ、そして単結晶シリコンウェーハは右側の作動空間11の中で回転しながら乾燥され、乾燥効率を上げられ、
6、 乾燥が終わったら、リール31が作動して左側の伝動軸13を逆回転させ、そしてリール31が鎖29を巻き上げることで、昇降板32が上昇して復帰し、続いて電磁ブロック49が作動して電磁棒37と引き合い、電磁棒37が左方へ運動してスライダ57を中間の位置制限空間53の上側まで運動させた時、電磁ブロック49が作動を止めると同時に、電磁棒37が作動して磁石ブロック35と反発し合い、ここでスライドばね52が引っ張られて復帰し、磁石ブロック35と電磁棒37とが反発し合うため、磁石ブロック35が復帰し、挟持棒45を復帰させ、昇降板32が引っ張られて復帰し、続いて単結晶シリコンウェーハが放されて搬送ベルト17に落下し、搬送ベルト17の作動により次の洗浄待ちの単結晶シリコンウェーハを搬送する。
現段階の洗浄装置において、洗浄素材を利用して単結晶シリコンを擦ると単結晶シリコンの表面を傷つけやすく、超音波振動を使用するとまた単結晶シリコンの表面を傷けるため、単結晶シリコンの品質が下がり、後続の使用に不便をもたらす。
前記挟持空間の中には前記搬送ベルトにあるものを挟持することができる挟持機構が設置され、前記挟持機構は、前記挟持空間の中で昇降できる昇降板及び前記昇降板と前記挟持空間の上壁とを連結する二本の昇降ばねを含み、前記昇降ばねの中にはスライド溝が形成され、前記スライド溝の下壁が前記挟持空間に連通しており、前記スライド溝の後壁には前記スライド溝の後壁を貫通した移動空間が設置され、前記スライド溝の中には移動ブロックがスライド可能に連結され、前記移動ブロックの中には電磁空間が設置され、前記電磁空間の下壁が前記スライド溝に連通しており、前記電磁空間の前壁には電磁棒が固定され、前記電磁棒の後端が前記電磁空間の後壁と前記移動空間を貫通し且つ前記挟持空間の中に位置し、前記電磁空間の中には前記電磁棒と引き合うまたは反発し合うことができる二つの磁石ブロックが設置され、前記磁石ブロックの下端には挟持棒が固定され、前記挟持棒の下端が前記電磁空間の下壁と前記スライド溝の下壁とを貫通し且つ前記挟持空間の中に位置し、前記挟持空間の中には旋転歯車が設置され、前記旋転歯車の中には前記旋転歯車の上下端面を貫通した二つの伸縮空間が設置され、前記挟持棒の下端が前記伸縮空間を貫通しており、また、前記挟持棒には前記旋転歯車を支持する位置制限ブロックが固定され、前記伸縮空間において前記旋転歯車の中心に近接した壁には一端が前記挟持棒と固定的に連結された伸縮ばねが固定され、
前記挟持空間の下壁には単結晶シリコンウェーハを洗浄して乾燥できる洗浄機構が設置され、前記洗浄箱の中にはさらに駆動機構が設置され、前記駆動機構は前記昇降板の昇降及び前記旋転歯車の回転を駆動でき、前記挟持空間の後壁には前記移動ブロックの左右運動を制御できる移動機構が設置され、前記挟持機構の昇降及び前記駆動機構に駆動されて回転している前記旋転歯車により、前記挟持棒により挟持された単結晶シリコンウェーハは前記洗浄機構の中で昇降しながら回転することで、洗浄時に単結晶シリコンウェーハに対する損傷を抑えられる。
1、初期状態において、スライドばね52、支持ばね20及び伸縮ばね42が引っ張り状態にあり、昇降ばね41が圧縮状態にあり、電磁ブロック49と電磁棒37との間の磁力がスライドばね52の弾力に等しく、電磁ブロック49が作動していなく、電磁棒37が作動して磁石ブロック35と反発し合い、搬送ベルト17により挟持空間50の中に洗浄待ちの単結晶シリコンウェーハを搬送し、三つの右側の第二電磁スイッチ27が作動し、左側の作動空間11の中一定量の液体を送ることで、左側の作動空間11の中にある混合液体を所要比率にし、加熱ブロック19が作動しているが、二つの断熱板18に妨害されているため、熱量が両側の作動空間11の中に伝えられない。
2、駆動モータ30が作動して左側の伝動軸13を回転させることで、左側のスプロケット16が回転し、チェーン65の伝動により右側のスプロケット16と伝動軸13を回転させ、左側の伝動軸13が回転してリール31を回転させることで、鎖29を緩み、また、昇降ばね41が復帰して昇降板32を下降させることで、移動ブロック38が下降し、電磁棒37と挟持棒45とを下降させ、スライダ57が電磁棒37につれて下降して中間の位置制限空間53の中に至り、二本の挟持棒45が搬送ベルト17と接触するまで下降した時、駆動モータ30が作動を止め、ここで電磁棒37が作動して磁石ブロック35と引き合い、磁石ブロック35が電磁棒37に近づくことで、挟持棒45を互いに接近させ、そして挟持棒45が単結晶シリコンウェーハを挟持し、伸縮ばね42が復帰し、電磁棒37が作動して磁石ブロック35と引き合う時、電磁ブロック49も作動して電磁棒37の後端と引き合い、
3、挟持棒45が単結晶シリコンウェーハを挟持した後、駆動モータ30が作動して左側の伝動軸13を逆回転させることで、リール31が逆回転して鎖29を巻き上げ、そして昇降板32が上昇し、昇降ばね41が圧縮され、移動ブロック38と電磁棒37とを上昇させ、スライダ57が電磁棒37につれて上昇して中間の位置制限空間53から離れ、また、電磁ブロック49が電磁棒37の後端と引き合っているため、電磁棒37が左方へ運動し、スライドばね52を引き続き引っ張ることで、電磁棒37が左方へ運動して移動ブロック38を左方へ運動させ、挟持棒45が連動して左方へ運動し、単結晶シリコンウェーハを左方へ運動させ、そして単結晶シリコンウェーハが左側の円形空間12の上側に位置し、スライダ57が左側の位置制限空間53の上側に位置し、この時に駆動モータ30が作動して左側の伝動軸13を回転させ、リール31を回転させることで、鎖29を緩め、そして昇降ばね41が再び復帰して昇降板32を下降させ、移動ブロック38が連動して下降し、挟持棒45と挟持された単結晶シリコンウェーハとを下降させ、昇降板32が最下まで下降したら、単結晶シリコンウェーハが左側の作動空間11にある混合液体の液面の下に入り、昇降板32が昇降する中で、旋転歯車40の左端が左側の伝動歯車14と噛み合ってから離れ、昇降板32が下降して電磁棒37を下降させ、そしてスライダ57を左側の位置制限空間53の中に下降させ、電磁棒37が引き続き下降して昇降空間46の中に入り、昇降板32が最下まで下降したらばねブロック47を下降させることで、ロープ25を緩め、圧縮ばね48が圧縮され、左側の支持ばね20が復帰して左側の断熱板18を下降させ、加熱空間64が左側の作動空間11と連通し、そして作動空間11の中の温度は上がって洗浄温度に達し、
4、単結晶シリコンウェーハは混合液体に一定時間浸った後、駆動モータ30が再び作動して左側の伝動軸13を逆回転させることで、鎖29を巻き上げ、そして昇降板32が上昇し、単結晶シリコンウェーハを上昇させ、単結晶シリコンウェーハが液面から離れた時、単結晶シリコンウェーハの表面に洗浄剤が付き、旋転歯車40が上昇して再び左側の伝動歯車14と噛み合う時、左側の伝動軸13が回転して左側の伝動歯車14を回転させることで、旋転歯車40が回転し、挟持棒45を回転させ、そして単結晶シリコンウェーハが回転し、洗浄剤が単結晶シリコンウェーハの表面に流れることで、洗浄作業が行われ、
5、洗浄が終わったら、リール31が作動して左側の伝動軸13を逆回転させ、そしてリール31が鎖29を巻き上げることで、昇降板32を上昇させて復帰させ、続いて電磁棒37と電磁ブロック49とが作動を止め、伸縮ばね42が復帰したため、二本の挟持棒45が依然として単結晶シリコンウェーハを挟持でき、電磁棒37が上昇してスライダ57を上昇させ、スライダ57がスライド空間51に戻り、電磁棒37と電磁ブロック49とが作動を止めたため、スライドばね52が復帰してスライダ57を右方へ運動させて復帰させ、電磁棒37が連動して右方へ運動し、スライドばね52が完全に復帰した後、単結晶シリコンウェーハが右側の円形空間12の上側に位置し、この時に駆動機構61が作動して昇降板32を駆動し、昇降板32が引き続き往復昇降し、右側のばねブロック47が昇降板32と電磁棒37の下降過程において下降し、右側のロープ25を緩め、右側の支持ばね20が復帰し、断熱板18が下降し、加熱空間64が右側の作動空間11と連通し、昇降板32の下降過程において、旋転歯車40が右側の伝動歯車14と噛み合う時、旋転歯車40が回転して単結晶シリコンウェーハを回転させ、そして単結晶シリコンウェーハは右側の作動空間11の中で回転しながら乾燥され、乾燥効率を上げられ、6、乾燥が終わったら、リール31が作動して左側の伝動軸13を逆回転させ、そしてリール31が鎖29を巻き上げることで、昇降板32が上昇して復帰し、続いて電磁ブロック49が作動して電磁棒37と引き合い、電磁棒37が左方へ運動してスライダ57を中間の位置制限空間53の上側まで運動させた時、電磁ブロック49が作動を止めると同時に、電磁棒37が作動して磁石ブロック35と反発し合い、ここでスライドばね52が引っ張られて復帰し、磁石ブロック35と電磁棒37とが反発し合うため、磁石ブロック35が復帰し、挟持棒45を復帰させ、昇降板32が引っ張られて復帰し、続いて単結晶シリコンウェーハが放されて搬送ベルト17に落下し、搬送ベルト17の作動により次の洗浄待ちの単結晶シリコンウェーハを搬送する。
Claims (5)
- 洗浄箱を含み、前記洗浄箱の中には単結晶シリコンウェーハを挟持または移動できる挟持空間が設置され、前記洗浄箱の中にはさらに前記挟持空間の前後壁を貫通した貫通空間が設置され、前記挟持空間の下壁には単結晶シリコンウェーハを搬送できる搬送ベルトが設置され、
前記挟持空間の中には前記搬送ベルトにあるものを挟持することができる挟持機構が設置され、前記挟持機構は、前記挟持空間の中で昇降できる昇降板及び前記昇降板と前記挟持空間の上壁とを連結する二本の昇降ばねを含み、前記昇降ばねの中にはスライド溝が形成され、前記スライド溝の下壁が前記挟持空間に連通しており、前記スライド溝の後壁には前記スライド溝の後壁を貫通した移動空間が設置され、前記スライド溝の中には移動ブロックがスライド可能に連結され、前記移動ブロックの中には電磁空間が設置され、前記電磁空間の下壁が前記スライド溝に連通しており、前記電磁空間の前壁には電磁棒が固定され、前記電磁棒の後端が前記電磁空間の後壁と前記移動空間を貫通し且つ前記挟持空間の中に位置し、前記電磁空間の中には前記電磁棒と引き合うまたは反発し合うことができる二つの磁石ブロックが設置され、前記磁石ブロックの下端には挟持棒が固定され、前記挟持棒の下端が前記電磁空間の下壁と前記スライド溝の下壁とを貫通し且つ前記挟持空間の中に位置し、前記挟持空間の中には旋転歯車が設置され、前記旋転歯車の中には前記旋転歯車の上下端面を貫通した二つの伸縮空間が設置され、前記挟持棒の下端が前記伸縮空間を貫通しており、また、前記挟持棒には前記旋転歯車を支持する位置制限ブロックが固定され、前記伸縮空間において前記旋転歯車の中心に近接した壁には一端が前記挟持棒と固定的に連結された伸縮ばねが固定され、
前記挟持空間の下壁には単結晶シリコンウェーハを洗浄して乾燥できる洗浄機構が設置され、前記洗浄箱の中にはさらに駆動機構が設置され、前記駆動機構は前記昇降板の昇降及び前記旋転歯車の回転を駆動でき、前記挟持空間の後壁には前記移動ブロックの左右運動を制御できる移動機構が設置され、前記挟持機構の昇降及び前記駆動機構に駆動されて回転している前記旋転歯車により、前記挟持棒により挟持された単結晶シリコンウェーハは前記洗浄機構の中で昇降しながら回転することで、洗浄時に単結晶シリコンウェーハに対する損傷を抑えられることを特徴とする半導体の洗浄設備。 - 前記洗浄機構は前記挟持空間の下壁に位置する二つの作動空間を含み、前記作動空間の上壁には前記作動空間と前記挟持空間とを連通する円形空間が設置され、二つの前記作動空間が加熱空間によって連通され、前記加熱空間の上下壁の間には加熱ブロックが固定され、前記加熱空間の下壁には上方に開口した二つの支持溝が形成され、前記支持溝の中には断熱板が設置され、前記断熱板は上端が前記加熱空間と前記作動空間の連通を遮断し、前記支持溝の下壁には上端が前記断熱板と固定的に連結された支持ばねが固定され、左側の前記作動空間の下壁には外部と連通した排出管路が設置され、前記排出管路の中には第一電磁スイッチが設置され、左側の前記作動空間の左壁には三つの貯液空間が設置され、三つの前記貯液空間はそれぞれ純水、過酸化水素、水酸化ナトリウム溶液を貯蔵でき、前記貯液空間の左右壁にはいずれも前記連通管路が設置され、左側の前記連通管路が外部と前記貯液空間とを連通し、右側の前記連通管路が左側の前記作動空間と前記貯液空間とを連通し、前記連通管路の中には第二電磁スイッチが設置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体の洗浄設備。
- 前記駆動機構は前記挟持空間の左右壁に位置する伝動空間を含み、前記伝動空間の下壁には伝動軸が回転可能に連結され、左側の前記伝動空間の上壁には左側の前記伝動軸の上端と伝動可能に連結された駆動モータが固定的に連結され、前記伝動空間には一端が前記挟持空間の中に位置する伝動歯車が固定的に連結され、前記伝動軸にはさらにスプロケットが固定的に連結され、左右の前記スプロケットがチェーンによって連結され、左側の前記伝動軸にはさらにリールが固定的に連結され、前記リールには鎖が巻かれており、前記鎖の左端は左側の前記伝動空間の左壁と前記挟持空間の上壁とを貫通し且つ前記昇降板と固定的に連結されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体の洗浄設備。
- 前記移動機構はスライド空間を含み、前記スライド空間は前方に開口し且つ前記挟持空間と連通しており、前記スライド空間の下壁には三つの位置制限空間が設置され、三つの前記位置制限空間は上方に開口し且つ前壁が前記挟持空間と連通しており、左右側の前記位置制限空間の下壁には昇降空間が設置され、前記昇降空間は前方に開口し且つ上壁が前記位置制限空間と連通しており、前記昇降空間の中にはばねブロック及び前記ばねブロックを支持する圧縮ばねが設置され、前記ばねブロックの下端にはロープが固定され、前記ロープの下端が前記昇降空間の下壁と前記加熱空間の上壁とを貫通し且つ前記断熱板と固定的に連結され、前記スライド空間の中にはさらにスライダがスライド可能に連結され、前記スライダの中には位置制限溝が形成され、前記位置制限溝は前方に開口し且つ下壁が前記位置制限空間と連通しており、前記電磁棒の後端が前記位置制限溝の前壁を貫通し且つ前記位置制限溝の中に位置し、前記位置制限溝の右壁には右壁が前記スライド空間と連通した制限空間が設置され、前記制限空間の中には昇降可能な制限ブロックが設置され、前記制限ブロックの右端にはスライドばねが固定され、前記スライドばねの右端が前記制限空間の右壁を貫通し且つ前記スライド空間の右壁と固定的に連結され、前記挟持空間の左壁にはさらに前記電磁棒と引き合うまたは反発し合うことができる電磁ブロックが固定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体の洗浄設備。
- 前記電磁棒と前記磁石ブロックとの間の磁力は前記伸縮ばねの弾力より強く、前記圧縮ばねの弾力は前記支持ばねの弾力より強く、前記昇降ばねの弾力は前記圧縮ばねの弾力より強く、前記伝動歯車の上下面の間の距離は前記旋転歯車の上下面の間の距離より長く、前記電磁ブロックが作動する時の前記電磁棒との間の磁力は前記スライドばねの弾力より強いことを特徴とする請求項4に記載の半導体の洗浄設備。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911096852.4A CN110665894B (zh) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 一种半导体生产清洗装置 |
CN201911096852.4 | 2019-11-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021077850A true JP2021077850A (ja) | 2021-05-20 |
Family
ID=69087211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020055095A Ceased JP2021077850A (ja) | 2019-11-11 | 2020-03-25 | 半導体の洗浄設備 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021077850A (ja) |
CN (1) | CN110665894B (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113857294A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-12-31 | 马鞍山方信环保科技有限公司 | 低温脱硝催化剂清洗装置 |
CN113894862A (zh) * | 2021-10-11 | 2022-01-07 | 重庆佳鑫一帆科技有限公司 | 一种自动化医疗外壳加工的开槽开孔一体化设备 |
CN114323776A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-12 | 自然资源部第二海洋研究所 | 一种电控时间序列颗粒物采集装置系统 |
CN115094517A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-23 | 陈统 | 一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备 |
CN115106827A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-27 | 湖北嘉皓精密智能制造有限公司 | 一种便于清理的数控铣床 |
CN115351003A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-11-18 | 聊城昊卓机械制造有限公司 | 一种曲轴自动清洗系统 |
CN115351000A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-18 | 平治军 | 一种眼镜生产用镜片清洗装置 |
CN115367782A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-22 | 吉水金诚新材料加工有限公司 | 一种制备低氯根碳酸稀土的方法 |
CN115463888A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-13 | 安徽富乐德科技发展股份有限公司 | 一种Open Mask清洗装置 |
CN115831831A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-03-21 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种紧凑型槽式机 |
CN116715005A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-09-08 | 四川九华光子通信技术有限公司 | 一种sfp光模块清洗用输送装置 |
CN116875993A (zh) * | 2023-09-05 | 2023-10-13 | 徐州奥星新型建材有限公司 | 一种金属装饰材料制造酸洗加工装置 |
CN117684253A (zh) * | 2023-12-07 | 2024-03-12 | 连城凯克斯科技有限公司 | 一种晶硅制造单晶炉投料设备 |
CN117904686A (zh) * | 2024-03-18 | 2024-04-19 | 新乡市日恒电气有限公司 | 氧化膜电磁绕组线覆层装置及覆层方法 |
CN113857294B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-06-04 | 马鞍山方信环保科技有限公司 | 低温脱硝催化剂清洗装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111261061B (zh) * | 2020-03-21 | 2020-12-25 | 浙江鼎兴企业管理有限公司 | 一种自我清洁的太阳能led广告灯牌装置 |
CN114887955A (zh) * | 2022-06-05 | 2022-08-12 | 响水星火传动件有限公司 | 一种造纸专用轴承座清洗设备及其使用方法 |
CN115338216B (zh) * | 2022-06-14 | 2023-09-01 | 武汉芯致半导体有限公司 | 一种显示面板的清洗设备及清洗方法 |
CN117317059B (zh) * | 2023-10-07 | 2024-04-05 | 安徽美达伦光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池片槽式碱抛光机台及生产线 |
CN117637548A (zh) * | 2023-12-06 | 2024-03-01 | 张家口众安鑫辰机电技术有限公司 | 一种半导体基底清洁装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6159850A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH07106292A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウエハの洗浄装置 |
JPH08279482A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2012199407A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2014038958A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Pre-Tech Co Ltd | 浸漬式の洗浄装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3117649B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2000-12-18 | 藤和産業株式会社 | 移送品の除塵装置 |
CN101540268B (zh) * | 2008-03-20 | 2012-12-05 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 用于清洗半导体晶片的方法和装置 |
CN205373360U (zh) * | 2015-12-25 | 2016-07-06 | 苏州普锐晶科技有限公司 | 一种晶片连续清洗烘干装置 |
CN108856046A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-23 | 郑州秉同立智电子科技有限公司 | 一种金属3d打印中逐层可选择性双模清洗装置 |
CN209049774U (zh) * | 2018-09-13 | 2019-07-02 | 南京元稀世特自动化设备有限公司 | 电池托盘清洗装置 |
-
2019
- 2019-11-11 CN CN201911096852.4A patent/CN110665894B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2020
- 2020-03-25 JP JP2020055095A patent/JP2021077850A/ja not_active Ceased
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6159850A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH07106292A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウエハの洗浄装置 |
JPH08279482A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP2012199407A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2014038958A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Pre-Tech Co Ltd | 浸漬式の洗浄装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113857294B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-06-04 | 马鞍山方信环保科技有限公司 | 低温脱硝催化剂清洗装置 |
CN113857294A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-12-31 | 马鞍山方信环保科技有限公司 | 低温脱硝催化剂清洗装置 |
CN113894862A (zh) * | 2021-10-11 | 2022-01-07 | 重庆佳鑫一帆科技有限公司 | 一种自动化医疗外壳加工的开槽开孔一体化设备 |
CN114323776A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-12 | 自然资源部第二海洋研究所 | 一种电控时间序列颗粒物采集装置系统 |
CN115094517B (zh) * | 2022-06-09 | 2023-09-29 | 广西中科蓝谷半导体科技有限公司 | 一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备 |
CN115094517A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-23 | 陈统 | 一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备 |
CN115106827A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-27 | 湖北嘉皓精密智能制造有限公司 | 一种便于清理的数控铣床 |
CN115351003A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-11-18 | 聊城昊卓机械制造有限公司 | 一种曲轴自动清洗系统 |
CN115351003B (zh) * | 2022-08-08 | 2024-01-16 | 聊城昊卓机械制造有限公司 | 一种曲轴自动清洗系统 |
CN115367782A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-22 | 吉水金诚新材料加工有限公司 | 一种制备低氯根碳酸稀土的方法 |
CN115367782B (zh) * | 2022-08-22 | 2023-08-18 | 吉水金诚新材料加工有限公司 | 一种制备低氯根碳酸稀土的方法 |
CN115351000A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-18 | 平治军 | 一种眼镜生产用镜片清洗装置 |
CN115463888B (zh) * | 2022-09-16 | 2023-07-04 | 安徽富乐德科技发展股份有限公司 | 一种Open Mask清洗装置 |
CN115463888A (zh) * | 2022-09-16 | 2022-12-13 | 安徽富乐德科技发展股份有限公司 | 一种Open Mask清洗装置 |
CN115831831A (zh) * | 2023-02-23 | 2023-03-21 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种紧凑型槽式机 |
CN116715005A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-09-08 | 四川九华光子通信技术有限公司 | 一种sfp光模块清洗用输送装置 |
CN116715005B (zh) * | 2023-08-10 | 2023-10-13 | 四川九华光子通信技术有限公司 | 一种sfp光模块清洗用输送装置 |
CN116875993A (zh) * | 2023-09-05 | 2023-10-13 | 徐州奥星新型建材有限公司 | 一种金属装饰材料制造酸洗加工装置 |
CN116875993B (zh) * | 2023-09-05 | 2023-11-21 | 徐州奥星新型建材有限公司 | 一种金属装饰材料制造酸洗加工装置 |
CN117684253A (zh) * | 2023-12-07 | 2024-03-12 | 连城凯克斯科技有限公司 | 一种晶硅制造单晶炉投料设备 |
CN117904686A (zh) * | 2024-03-18 | 2024-04-19 | 新乡市日恒电气有限公司 | 氧化膜电磁绕组线覆层装置及覆层方法 |
CN117904686B (zh) * | 2024-03-18 | 2024-05-17 | 新乡市日恒电气有限公司 | 氧化膜电磁绕组线覆层装置及覆层方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110665894B (zh) | 2020-09-01 |
CN110665894A (zh) | 2020-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021077850A (ja) | 半導体の洗浄設備 | |
JP5054218B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN205833738U (zh) | 一种太阳能电池硅片的超声波清洗装置 | |
CN103046097B (zh) | 晶圆处理装置 | |
WO2007145904A2 (en) | Methods and apparatus for supporting a substrate in a horizontal orientation during cleaning | |
CN103008301B (zh) | 晶圆片双面刷洗机 | |
JP2020109788A (ja) | 基板処理装置、キャリア搬送方法およびキャリアバッファ装置 | |
CN111029272A (zh) | 一种大角度翻转晶圆浸泡装置 | |
CN110707022B (zh) | 晶圆清洁装置 | |
CN101459100B (zh) | 紧凑式晶圆自动传输装置 | |
CN101465309A (zh) | 平移翻转式晶圆自动传输装置 | |
WO2014015602A1 (zh) | 转印版清洗设备 | |
US9093222B2 (en) | Dye adsorption apparatus and dye adsorption method | |
CN210092034U (zh) | 一种基板后处理装置 | |
CN110517975B (zh) | 一种cmp后清洗装置及其清洗方法 | |
KR102198788B1 (ko) | 청소용 드론 | |
KR101111492B1 (ko) | 태양전지 웨이퍼 세정기용 드라이 장치 | |
CN201374322Y (zh) | 平移翻转式晶圆自动传输装置 | |
CN220012064U (zh) | 一种提升机毛刷机构 | |
JP3961330B2 (ja) | 半導体ウエハの化学処理装置及び化学処理方法 | |
JP3728318B2 (ja) | 麺線収納装置及び油塗布装置 | |
CN214099588U (zh) | 晶圆表面干燥吹扫设备 | |
CN201374323Y (zh) | 紧凑式晶圆自动传输装置 | |
CN218596529U (zh) | 一种环保型钢带酸洗除锈机 | |
CN218160291U (zh) | 一种新型脱胶工艺水箱 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200808 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20200908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200909 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20201022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201020 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20210119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210126 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210416 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20210914 |