JPH07106292A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPH07106292A JPH07106292A JP24278093A JP24278093A JPH07106292A JP H07106292 A JPH07106292 A JP H07106292A JP 24278093 A JP24278093 A JP 24278093A JP 24278093 A JP24278093 A JP 24278093A JP H07106292 A JPH07106292 A JP H07106292A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- wafer
- wafers
- semiconductor wafer
- circumference
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Abstract
(57)【要約】
【目的】超音波を用いて半導体ウエハの液相洗浄する
際、超音波の照射効率をよくして、高速、高能率しかも
高洗浄度を得ることを可能とする半導体ウエハの洗浄装
置である。 【構成】同心円周上に設けられウエハ３を１枚ずつ浸漬
して洗浄する複数（８槽）の円筒状の洗浄槽１と、その
円周の中心を旋回軸として旋回自在で、かつ旋回軸の同
心円周平面上に設けた複数（８枚）のウエハ３を保持す
るウエハ保持具２と、ウエハ保持具２を旋回させると共
に、ウエハ３を洗浄液４中に浸漬させるウエハ保持具２
の旋回・昇降装置（図示せず）と、各洗浄槽１の外底部
に設けた複数（４基）の超音波発振器５とから構成し
た。
際、超音波の照射効率をよくして、高速、高能率しかも
高洗浄度を得ることを可能とする半導体ウエハの洗浄装
置である。 【構成】同心円周上に設けられウエハ３を１枚ずつ浸漬
して洗浄する複数（８槽）の円筒状の洗浄槽１と、その
円周の中心を旋回軸として旋回自在で、かつ旋回軸の同
心円周平面上に設けた複数（８枚）のウエハ３を保持す
るウエハ保持具２と、ウエハ保持具２を旋回させると共
に、ウエハ３を洗浄液４中に浸漬させるウエハ保持具２
の旋回・昇降装置（図示せず）と、各洗浄槽１の外底部
に設けた複数（４基）の超音波発振器５とから構成し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超音波を用いた半導体ウ
エハの液相洗浄装置に関する。
エハの液相洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体ウエハの洗浄においては、
ウエハカセットに複数枚の半導体ウエハを収納し、カセ
ットと共に、半導体ウエハを洗浄液に浸して洗浄する装
置や、半導体ウエハを治具で半導体ウエハの周辺部を保
持し、その治具を回転させることによって半導体ウエハ
を回転させて、これに洗浄液を散布して洗浄する装置が
知られている。
ウエハカセットに複数枚の半導体ウエハを収納し、カセ
ットと共に、半導体ウエハを洗浄液に浸して洗浄する装
置や、半導体ウエハを治具で半導体ウエハの周辺部を保
持し、その治具を回転させることによって半導体ウエハ
を回転させて、これに洗浄液を散布して洗浄する装置が
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の洗浄技術のう
ち、カセットに半導体ウエハを収容して洗浄液にカセッ
トともに浸して洗浄する装置においては、ウエハを平行
に密接して並べて洗浄することから、汚染物質の隣接す
るウエハへの転写、ウエハ間での洗浄液の滞留や洗浄力
を向上させるための超音波照射効率の悪さといった課題
があった。一方、半導体ウエハを治具で保持し、回転さ
せながら、洗浄液を散布しながら洗浄を行う装置では上
記の問題は生じないが、洗浄がウエハ１枚毎に枚葉方式
で行われるために処置能力上の問題があった。
ち、カセットに半導体ウエハを収容して洗浄液にカセッ
トともに浸して洗浄する装置においては、ウエハを平行
に密接して並べて洗浄することから、汚染物質の隣接す
るウエハへの転写、ウエハ間での洗浄液の滞留や洗浄力
を向上させるための超音波照射効率の悪さといった課題
があった。一方、半導体ウエハを治具で保持し、回転さ
せながら、洗浄液を散布しながら洗浄を行う装置では上
記の問題は生じないが、洗浄がウエハ１枚毎に枚葉方式
で行われるために処置能力上の問題があった。
【０００４】また、特開昭５２−９５９６７号公報およ
び特開昭５８−５０７４２号公報にはウエハを整列治具
に多層化して収納し、治具を回転させながらウエハの洗
浄乾燥を行い処理能力の向上を図る装置が開示されてい
る。しかしこれらはいずれもウエハを多層化しているた
めに、超音波を使用すると洗浄効率が悪く、これらには
超音波洗浄は不適であるという問題があった。
び特開昭５８−５０７４２号公報にはウエハを整列治具
に多層化して収納し、治具を回転させながらウエハの洗
浄乾燥を行い処理能力の向上を図る装置が開示されてい
る。しかしこれらはいずれもウエハを多層化しているた
めに、超音波を使用すると洗浄効率が悪く、これらには
超音波洗浄は不適であるという問題があった。
【０００５】本発明は超音波を使用して、洗浄効率がよ
く、かつ洗浄処置能力の向上を可能とする半導体ウエハ
の洗浄装置を提供することを課題とするものである。
く、かつ洗浄処置能力の向上を可能とする半導体ウエハ
の洗浄装置を提供することを課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、超音波により
液相洗浄を行う半導体ウエハの洗浄装置に適用され、次
の技術手段を採った。すなわち、同心円周上に配設され
ウエハを１枚ずつ浸漬して洗浄する複数の洗浄槽と、該
円周の中心を旋回軸として旋回自在としかつ該軸の同心
円周上平面に配設された複数のウエハを保持するウエハ
保持具と、該ウエハ保持具を所定角度旋回させると共に
ウエハを洗浄液中に浸漬する該ウエハ保持具の旋回・昇
降装置と、該各洗浄槽の外底部に配設された超音波発振
器とからなることを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置
である。
液相洗浄を行う半導体ウエハの洗浄装置に適用され、次
の技術手段を採った。すなわち、同心円周上に配設され
ウエハを１枚ずつ浸漬して洗浄する複数の洗浄槽と、該
円周の中心を旋回軸として旋回自在としかつ該軸の同心
円周上平面に配設された複数のウエハを保持するウエハ
保持具と、該ウエハ保持具を所定角度旋回させると共に
ウエハを洗浄液中に浸漬する該ウエハ保持具の旋回・昇
降装置と、該各洗浄槽の外底部に配設された超音波発振
器とからなることを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置
である。
【０００７】
【作用】本発明は上述のように構成したので、被洗浄物
ウエハを保持具上に平面状に並べておき、保持具を所定
角度回転させて、ウエハを各洗浄槽の上部に位置させた
後、保持具を下降させてウエハを洗浄液中に浸漬して超
音波洗浄を行ない、次いで、保持具を上昇させてウエハ
を洗浄液から出し、保持具を所定角度回転させるという
工程を繰返すものである。そのため隣接ウエハからの汚
染物の転写を防止し、かつウエハ間での洗浄液滞留や超
音波照射効率の悪さに由来する洗浄不良を防止すること
ができる。また、洗浄槽を同一円周状に複数配設したの
で、保持具によって同心円状平面に保持された複数枚の
ウエハを同時に洗浄することが可能となり、洗浄装置の
処理能力を向上することができる。
ウエハを保持具上に平面状に並べておき、保持具を所定
角度回転させて、ウエハを各洗浄槽の上部に位置させた
後、保持具を下降させてウエハを洗浄液中に浸漬して超
音波洗浄を行ない、次いで、保持具を上昇させてウエハ
を洗浄液から出し、保持具を所定角度回転させるという
工程を繰返すものである。そのため隣接ウエハからの汚
染物の転写を防止し、かつウエハ間での洗浄液滞留や超
音波照射効率の悪さに由来する洗浄不良を防止すること
ができる。また、洗浄槽を同一円周状に複数配設したの
で、保持具によって同心円状平面に保持された複数枚の
ウエハを同時に洗浄することが可能となり、洗浄装置の
処理能力を向上することができる。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例を図１に示す。図１（ａ）
は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図
である。本実施例では同心円周上に円筒状の洗浄槽１を
８槽設け、それぞれ洗浄液４が満たされている。ウエハ
保持具２は、該同心円の中心を旋回軸として旋回自在で
かつ該軸の同心円周上平面に配設された８枚のウエハ３
を保持するよう構成されている。また、ウエハ保持具２
は、図示していないが旋回・昇降装置を備えており、ウ
エハ３を洗浄液４に浸漬する或はウエハ３を洗浄液４か
ら取出し可能となっている。本実施例では、Ｎｏ２、Ｎ
ｏ４、Ｎｏ６およびＮｏ８の各洗浄槽１の外底部にはそ
れぞれ超音波発振器５が配設されている。
は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図
である。本実施例では同心円周上に円筒状の洗浄槽１を
８槽設け、それぞれ洗浄液４が満たされている。ウエハ
保持具２は、該同心円の中心を旋回軸として旋回自在で
かつ該軸の同心円周上平面に配設された８枚のウエハ３
を保持するよう構成されている。また、ウエハ保持具２
は、図示していないが旋回・昇降装置を備えており、ウ
エハ３を洗浄液４に浸漬する或はウエハ３を洗浄液４か
ら取出し可能となっている。本実施例では、Ｎｏ２、Ｎ
ｏ４、Ｎｏ６およびＮｏ８の各洗浄槽１の外底部にはそ
れぞれ超音波発振器５が配設されている。
【０００９】本発明はこのように構成され、原料ウエハ
をＮｏ１槽に投入して洗浄する。Ｎｏ１槽で洗浄された
ウエハをＮｏ２槽にて洗浄し、順次Ｎｏ８槽まで洗浄を
繰り返して洗浄済みウエハを得る。その際、超音波発振
器５で超音波を発生させながら、ウエハ３を装着したウ
エハ保持具２を各洗浄槽１の洗浄液４の中に浸漬し、一
度に数枚の、本実施例では４枚のウエハ３のそれぞれに
対して超音波を効率よく照射することができ、また、隣
接ウエハからの汚染物の転写を防止することが可能とな
る。すなわち、超音波を用い、洗浄効率がよくかつ洗浄
処置能力を向上させることができる。
をＮｏ１槽に投入して洗浄する。Ｎｏ１槽で洗浄された
ウエハをＮｏ２槽にて洗浄し、順次Ｎｏ８槽まで洗浄を
繰り返して洗浄済みウエハを得る。その際、超音波発振
器５で超音波を発生させながら、ウエハ３を装着したウ
エハ保持具２を各洗浄槽１の洗浄液４の中に浸漬し、一
度に数枚の、本実施例では４枚のウエハ３のそれぞれに
対して超音波を効率よく照射することができ、また、隣
接ウエハからの汚染物の転写を防止することが可能とな
る。すなわち、超音波を用い、洗浄効率がよくかつ洗浄
処置能力を向上させることができる。
【００１０】図１には、洗浄槽１が８槽の例を述べた
が、４槽或は１２槽であってもよいことは勿論である。
さらに各槽の洗浄液は同じであっても異なっていてもよ
い。また一部の槽がリンス槽であってもよい。
が、４槽或は１２槽であってもよいことは勿論である。
さらに各槽の洗浄液は同じであっても異なっていてもよ
い。また一部の槽がリンス槽であってもよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明の装置は、高洗浄度の半導体ウエ
ハを効率よく高速洗浄処理できるので半導体ウエハの生
産性の向上を図ることができる。
ハを効率よく高速洗浄処理できるので半導体ウエハの生
産性の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の説明図であり、図１（ａ）
は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図
である。
は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図
である。
【符号の説明】 １ 洗浄槽 ２ ウエハ保持具 ３ 半導体ウエハ ４ 洗浄液 ５ 超音波発振器
Claims (1)
- 【請求項１】 超音波により液相洗浄を行う半導体ウエ
ハの洗浄装置において、同心円周上に配設されウエハを
１枚ずつ浸漬して洗浄する複数の洗浄槽と、該円周の中
心を旋回軸として旋回自在としかつ該軸の同心円周上平
面に配設された複数のウエハを保持するウエハ保持具
と、該ウエハ保持具を所定角度旋回させると共にウエハ
を洗浄液中に浸漬する該ウエハ保持具の旋回・昇降装置
と、該各洗浄槽の外底部に配設された超音波発振器とか
らなることを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24278093A JPH07106292A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24278093A JPH07106292A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106292A true JPH07106292A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17094178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24278093A Withdrawn JPH07106292A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106292A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| US6647641B1 (en) | 1997-02-17 | 2003-11-18 | Steag Microtech Gmbh | Device and method for the treatment of substrates in a fluid container |
| KR100856081B1 (ko) * | 2007-06-19 | 2008-09-02 | 한동희 | 세정장치 |
| WO2014027516A1 (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | 株式会社プレテック | 浸漬式の洗浄装置 |
| JP2021077850A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 饒梦華 | 半導体の洗浄設備 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24278093A patent/JPH07106292A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| US6647641B1 (en) | 1997-02-17 | 2003-11-18 | Steag Microtech Gmbh | Device and method for the treatment of substrates in a fluid container |
| KR100856081B1 (ko) * | 2007-06-19 | 2008-09-02 | 한동희 | 세정장치 |
| WO2014027516A1 (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | 株式会社プレテック | 浸漬式の洗浄装置 |
| JP2021077850A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 饒梦華 | 半導体の洗浄設備 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |