JPH11319732A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH11319732A JPH11319732A JP10232300A JP23230098A JPH11319732A JP H11319732 A JPH11319732 A JP H11319732A JP 10232300 A JP10232300 A JP 10232300A JP 23230098 A JP23230098 A JP 23230098A JP H11319732 A JPH11319732 A JP H11319732A
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Abstract
均一な処理が行える処理装置を提供する。 【解決手段】 ウェハWを回転自在に保持する回転テー
ブル21と,回転テーブル21に保持されたウェハWの
裏面に処理液を供給する供給ノズル30を備えた処理装
置6において,ウェハWの回転に伴って基板の裏面全体
に処理液を均一に供給できるように,少なくともウェハ
Wの略中心から任意の周縁部までに至る間に,供給ノズ
ル30の吐出口41を分布させて配置した。供給ノズル
30内部に処理液の液溜め室42を形成し,この液溜め
室42には処理液供給路43を接続し,処理液供給路4
3の出口と吐出口41との間に緩衝板44を設けた。
Description
や半導体ウェハのような基板の表面及び裏面を処理する
処理装置に関する。
例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」という)の基板
の表面及び裏面を清浄な状態にすることが極めて重要で
ある。そのため,ウェハの表面及び裏面に付着したパー
ティクル,有機汚染物,金属不純物等のコンタミネーシ
ョンを除去するために洗浄処理システムが使用されてい
る。ウェハを洗浄する洗浄処理システムの一つとして,
枚葉型の処理装置を用いた洗浄処理システムが知られて
いる。
ェハを収納するキャリアを載置できる載置部と,ウェハ
の表面や裏面の洗浄処理,乾燥処理を行う処理装置が備
えられた洗浄処理部と,載置部と洗浄処理部との間での
ウェハの授受や洗浄処理部の各処理装置にウェハを搬送
する搬送アームが設けられている。そして,載置部に載
置されたキャリアから搬送アームによって取り出された
ウェハは,洗浄処理部の各処理装置に順次搬送され,所
定の洗浄処理,乾燥処理が行われる。所定の処理後のウ
ェハは,搬送アームによって洗浄処理部から搬出され載
置部に載置しているキャリアに再び搬入される。
裏面を洗浄する従来の処理装置100には,ウェハWを
回転自在に保持する回転テーブル101と,回転テーブ
ル101に保持されたウェハWの裏面に処理液を供給す
る供給ノズル102とが備えられている。そして,ウェ
ハWの裏面を洗浄処理する場合には,回転しているウェ
ハWの裏面に,供給ノズル102から処理液を供給して
洗浄処理を行い,ウェハWの裏面に付着したパーティク
ル等を除去する。その後,供給ノズル102から処理液
の供給が停止し,回転テーブル101を更に高速回転さ
せて,ウェハWの裏面から処理液を振り切って乾燥処理
を行う。
処理装置100において,ウェハWの裏面に供給される
供給ノズル102からの処理液の勢いは,供給ノズル1
02から離れていくに連れて弱まる。これにより,例え
ばウェハWの裏面において,供給ノズル102に近い箇
所に比べて供給ノズル102から離れた箇所では洗浄効
果が劣ってしまう。さらに,ウェハWの裏面における供
給ノズル102から離れた箇所においては,供給ノズル
102からの吐出された処理液がウェハWの裏面に届く
前にその勢いを失い,供給されない場合もある。その結
果,ウェハWの裏面において洗浄処理がされない箇所が
発生し,ウェハWの裏面全体を十分に洗浄処理できな
い。
2O)とを混合した薬液であるDHF溶液をウェハの裏
面に供給して,ウェハの裏面に形成された酸化膜を除去
する場合,このDHF溶液がウェハの表面に回り込んで
しまうことがあった。ウェハの表面に半導体デバイス等
が形成されていると,この回り込んだDHF溶液によっ
て半導体デバイスが浸食され,デバイスの特性に悪影響
を与えるおそれがある。そこで,従来では裏面洗浄処理
前に,ウェハの表面にレジストを塗布し,裏面洗浄処理
中に,ウェハの表面をレジストで保護し,裏面洗浄処理
後に,ウェハの表面からレジスト除去を行っていた。し
かしながら,このようにレジストを用いる方法による
と,レジストの塗布工程や除去工程等が必要になるた
め,洗浄処理時間が長くなり,スループットが低下す
る。さらに,製造コストも高騰する。
を均一に供給でき,均一な処理が行える処理装置を提供
することにある。また,本発明の目的は,基板の裏面を
処理する際に,基板の表面を容易に保護できる処理装置
及び処理方法を提供することにある。
めに,請求項1の発明は,基板を回転自在に保持する保
持手段と,保持手段に保持された基板の裏面に処理液を
供給する供給ノズルを備えた処理装置において,基板の
回転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給でき
るように,少なくとも基板の略中心部から任意の周縁部
までの間に,前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置
したことを特徴とする。
理をする場合,基板を保持手段により保持させ回転させ
る。そして,基板の略中心から任意の周縁部までに供給
ノズルの吐出口から均一に処理液を供給し,この基板の
回転により,基板の裏面全体を処理液を均一に供給す
る。従って,基板の裏面では未処理の箇所がなく,しか
も均一な処理を行うことができる。
記載したように,基板の任意の周縁部から略中心部を通
過し他の任意の周縁部までの間に,供給ノズルの吐出口
を分布させて配置するのが好ましい。かかる構成によれ
ば,回転している基板の裏面の例えば直径方向に沿って
処理液を均一に供給することができ,請求項1と同様に
基板の裏面では未処理の箇所がなく,しかも均一な処理
を行うことができる。
液の液溜め室を形成し,液溜め室に処理液を供給するた
めの処理液供給路を接続し,該処理液供給路の出口と前
記吐出口との間に緩衝板を設けるのが好ましい。かかる
構成によれば,処理液供給路から供給された処理液は,
緩衝板に当たりその周面に沿って流れる。そして,この
ように緩衝板を迂回した後,処理液は供給ノズルに分布
された吐出口全体に均等に分散して流れていく。従っ
て,供給ノズルの吐出口のいずれからも,均一な流速,
流圧等の処理液を供給することができる。
を,請求項4に記載したように,円形状に形成すること
や,請求項5に記載したように,略十字形状に形成する
のがよい。いずれの供給ノズルの上面の形状において
も,基板の裏面全体に対して効果的に処理液を供給する
ことができる。さらに,請求項6に記載したように,前
記供給ノズルの上面の形状を,略「8」の字形状に形成
し,請求項7に記載したように,供給ノズルをチューブ
により構成し,該チューブの上面に吐出口を分布させて
配置するのがよい。かかる構成によれば,供給ノズルの
表面積を最小限に抑えつつ基板の裏面全体に対して効果
的に処理液を供給することができる。そして,請求項8
に記載したように,チューブの両端に,チューブ内に処
理液を供給するための処理液供給路を接続するのがよ
い。これにより,両端からチューブ内に供給された処理
液同士が,チューブ中央付近において衝突し,吐出口か
ら処理液が均一に供給されることになる。
ルの上面の形状を,中心から周辺に次第に低くなるよう
に傾斜させてもよい。かかる構成によれば,供給ノズル
から吐出された処理液を,供給ノズル上面に溜めること
なく傾斜面に沿って流し落とすことができる。
段に保持された基板の表面に第2の処理液を供給する第
2の供給ノズルを設けることがことが好ましい。かかる
構成によれば,回転する基板の裏面に処理液を供給する
と同時に基板の表面に第2の処理液を供給する。基板の
表面は第2の処理液によって覆われ,基板の裏面に供給
された処理液が,基板の表面に回り込むことを防止でき
る。
前記第2の処理液は純水であることが好ましい。かかる
構成によれば,回転する基板の裏面に例えば薬液を供給
すると同時に基板の裏面に純水を供給する。基板の表面
は純水によって覆われ,基板の裏面に供給された薬液
が,ウェハWの表面に回り込むことを防止できる。この
ように,基板の表面に純水を供給するだけで,基板の表
面を薬液から容易に保護することができる。
に処理液を供給して基板を処理する処理方法において,
前記回転する基板の裏面に処理液を供給すると同時に基
板の表面に前記処理液とは異なる第2の処理液を供給す
ることを特徴とする。
に処理液を供給して基板を処理する処理方法において,
前記回転する基板の裏面に処理液を供給すると同時に基
板の表面に前記処理液とは異なる第2の処理液を供給す
る工程と,前記回転する基板の表面と裏面に前記第2の
処理液を供給する工程とを備えていることを特徴とす
る。
て,請求項14に記載したように,前記第2の処理液は
純水であるのがよい。
態を,基板の一例としてウェハを回転させながら処理液
を供給することによりウェハの表面及び裏面を洗浄処理
し,回転によってウェハを乾燥させるように構成された
処理装置に基づいて説明する。図1は,本実施の形態に
かかる処理装置6〜11を組み込んだ洗浄処理システム
1の斜視図である。
納するキャリアCを載置させる載置部2と,載置部2に
載置されたキャリアCから処理工程前の一枚ずつウェハ
Wを取り出すと共に,処理工程後のウェハWをキャリア
C内に一枚ずつ収納する搬送アーム3と,ウェハWに対
して所定の洗浄処理,乾燥処理を行う各処理装置6〜1
1を備えた洗浄処理部4とを備えている。
リアCを複数個載置できる構成になっている。搬送アー
ム3は,水平,昇降(X,Y,Z)方向に移動自在であ
ると共に,かつ鉛直軸を中心に回転(θ方向)できるよ
うに構成されている。洗浄処理部4には,処理装置6,
7,8が,所定の手順に従って処理を行えるように横並
びに配置され,これらの下方には,処理装置9,10,
11が,処理装置6〜8と同様に横並びに配置されてい
る。処理装置6〜8及び処理装置9〜11では同時に処
理が進行できる構成になっている。
せは,ウェハWに対する洗浄処理の種類によって任意に
組み合わせることができる。例えば,ある処理装置を減
じたり,逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。
する。各処理装置6〜11は,いずれも同様の構成を有
しているので,図2〜5を参照に処理装置6を代表とし
て説明する。
3はその平面図である。この処理装置6内には,上面が
開口した略円筒形状の容器20を備えている。この容器
20の上面の開口部を介して,前述した搬送アーム3に
よって処理装置6内に搬入されたウェハWを,容器20
内に収納するようになっている。
転テーブル21が設けられている。この回転テーブル2
1の下面を支持している昇降回転軸22の下方には昇降
回転機構23が取り付けられている。従って,昇降回転
機構23の稼働により,回転テーブル21を回転,昇降
させることができる構成になっている。
ャックなどから成る保持部24が配置されている。この
保持部24は,回転テーブル21の周囲に沿いながら平
面からみて120゜間隔で合計で3個配置されており,
ウェハWを回転テーブル21の上方に浮かせた状態で保
持できる構成になっている。なお,回転テーブル21の
上面にはウェハWの裏面を支持する図示しない支持ピン
が垂直に取り付けられている。
供給ノズル30を,回転テーブル21の上方から突き出
させている。この供給ノズル30は,回転テーブル21
とは一体となっては回転せず静止した状態でウェハWの
裏面に処理液を供給するようになっている。
の上面40の形状は,ほぼウェハWの裏面全体を覆う表
面積を有した水平な円形状に形成されている。そして,
上面40には吐出口41を分布させて配置している。こ
の吐出口41の分布は,上面40のある特定の領域に偏
って集中しているものではなく,上面40の全面に渡り
均一に配置している。これにより,ウェハWの回転に伴
ってウェハWの裏面全体に漏れなく処理液を供給できる
構成になっている。
内部に処理液の液溜め室42を形成し,この液溜め室4
2の下面には処理液供給路43を接続し,この処理液供
給路43を前述した昇降回転軸22の内部を貫通させ液
溜め室42に処理液を供給するようになっている。さら
に液溜め室42内に,処理液供給路43から液溜め室4
2に供給された処理液を吐出口41に直接的に流さない
ように処理液供給路43の出口と吐出口41との間に緩
衝板44を設けている。この緩衝板44が無いと,処理
液供給路43の出口に近い吐出口41では,吐出される
処理液の勢いが強くなり,処理液供給路43の出口から
離れた吐出口41では,吐出される処理液の勢いが弱く
なってしまう。しかしながら,このように緩衝板44を
設けることにより,処理液供給路43から供給された処
理液は緩衝板44を迂回した後に,上面40に分布され
ている吐出口41全体に流れ出るようになっている。従
って,処理液供給路43の出口からの距離の差によって
生じる処理液の勢いの強弱は解消されることになり,処
理液を均一に供給できる構成になっている。
に収納されたウェハWの表面に薬液成分を主体とした処
理液を供給する供給ノズル45を設けている。この供給
ノズル45は容器20上方を移動自在になるように構成
されている。さらに,ウェハWの回転によりウェハWの
裏面から振り切られた処理液は,容器20の底部に設け
られた排液管46を通じて排液され,容器20内の雰囲
気は,容器20の底部から,外部に設置されている真空
ポンプなどの排気手段(図示せず)によって排気され
る。
同様な構成を備えており,各処理装置7〜11内でも各
種の処理液によってウェハWを洗浄し乾燥するように構
成されている。
態にかかる処理装置6で行われる作用について説明す
る。まず,前述の洗浄処理システム1における一連の処
理工程において,図示しない搬送ロボットが未だ洗浄さ
れていないウェハWを例えば25枚ずつ収納したキャリ
アCを洗浄処理システム1に搬送し載置部2に載置す
る。そして,この載置部2に載置されたキャリアCから
ウェハWが取り出され,搬送アーム3によってウェハW
は処理装置6,7,8に順次搬送される。そして,所定
の手順に従って一連の処理工程が行われる。
説明すると,図2に示したように,回転テーブル21に
保持されたウェハWを,昇降回転機構23の駆動によっ
て例えば20rpm程度で回転させる。そして,ウェハ
Wの表面及び裏面に対して所定の洗浄処理が開始され
る。先ず,ウェハWの表面を洗浄処理する場合には,供
給ノズル45をウェハWの上方に移動させ,ウェハWの
表面に処理液として薬液を供給して洗浄処理を行った後
に,処理液として純水を供給してリンス洗浄を行う。
合,図5に示したように,処理液供給回路43から供給
された処理液は,処理液供給路43の出口から液溜め室
42内に流れ込んで,緩衝板44に当たりその周面に沿
って流れる。そして,このように緩衝板44を迂回した
後,処理液は供給ノズル30の上面40に分布された吐
出口41全体に均等に分散して流れていく。このような
液溜め室42内での処理液の流れにより,供給ノズル3
0の吐出口41のいずれからも,均一な流速,流圧等の
処理液が供給される。
ウェハWの裏面の直径方向に沿って処理液を均一に供給
する。さらに,吐出口41は上面40全体に分布して配
置されているので,供給ノズル30は,ウェハWの裏面
全体に向かって供給ノズル30の吐出口41から均一に
処理液を供給する。従って,ウェハWの裏面では未処理
の箇所がなく,しかも洗浄処理されるいずれの箇所にお
いても均一な洗浄処理が行われることになる。
及び裏面に処理液を供給し,ウェハWの表面及び裏面を
洗浄する。洗浄処理の終了後,回転テーブルク21の回
転速度を上げ,ウェハWの表面及び裏面から処理液を振
り切り乾燥処理を行う。なお,ウェハWの裏面洗浄に用
いる処理液は,薬液又は純水のどちらでもよい。
の稼働が停止し,回転テーブル21の回転も停止する。
そして,ウェハWは,処理装置6内から搬出され引き続
き処理装置7,8に搬送される。洗浄処理部4での処理
工程が終了したウェハWは再びキャリアCに収納され,
続いて,残りの24枚のウェハWに対しても一枚ずつ同
様な処理が行われていく。こうして,25枚のウェハW
の処理が終了すると,キャリアC単位で洗浄処理システ
ム1外に搬出される。
6によれば,供給ノズル30は,ウェハWの裏面全体に
向かって,分布された吐出口41のいずれからも均一な
流速,流圧等の処理液を供給することができる。従っ
て,ウェハWの裏面では未処理の箇所がなく,しかも均
一な洗浄処理を行うことができる。その結果,半導体デ
バイスの製造が円滑に行うことができ,その生産性を向
上することができるようになる。
説明したが,本発明はこの例に限定されず種々の様態を
採りうるものである。例えば,処理装置6において,本
実供給ノズルの形状を,中心から周辺に次第に低くなる
ように傾斜させた,曲面形状に形成するようにしてもよ
い。図6は,曲面形状に形成された供給ノズル50の斜
視図であり,図7はその側面図である。図示の如く,ウ
ェハWの回転に伴ってウェハWの裏面全体に漏れなく処
理液を供給できるように,供給ノズル50の上面51の
全面に渡り吐出口41を分布させて配置している。かか
る構成によれば,本実施の形態で説明した供給ノズル3
0と同様の作用,効果を得ることができる。さらに供給
ノズル50から吐出された処理液を,供給ノズル50の
上面51に溜めることなく,上面51の曲面に沿って落
と流すことができる。なお,図6及び図7で示した供給
ノズル50は,上記の説明以外は,先に図2〜5で説明
した供給ノズル30と同様の構成を有しているので,そ
の他構成要素についての説明は省略する。
の形状を,略十字形状に形成してもよい。この場合,ウ
ェハWの回転に伴ってウェハWの裏面全体に処理液を均
一に供給できるように,少なくともウェハWの任意の周
縁部から中心部を通過し他の任意の周縁部までに至る間
に,即ち,ウェハWの直径方向に沿って密な状態で吐出
口41を分布させて配置している。かかる構成によれ
ば,ウェハWの裏面全体に対して効果的に処理液を供給
することができる。
ノズル60の上面61の形状を,略「8」の字形状に形
成できるように,供給ノズル60をチューブ62により
構成し,このチューブ62の上面61に吐出口41を分
布させて配置するようにしてもよい。この場合,チュー
ブ62を,中心から周辺に次第に低くなるように緩やか
に傾斜させた支持台63の上面に,載置した状態で支持
する。かかる構成によれば,供給ノズル60の表面積を
最小限に抑えつつウェハWの裏面全体に対して効果的に
処理液を供給することができる。そして,図11に示す
ように,チューブ62において,一端の供給口64aと
他端の供給口64bの両端に,チューブ62内に処理液
を供給するための処理液供給路65a,65bをそれぞ
れ接続する。これにより,両端からチューブ62内に供
給された処理液同士が,チューブ中央付近において衝突
し,吐出口41から処理液が均一に供給されることにな
る。
れたチューブ70の上面71に吐出口41を分布させた
供給ノズル73を構成してもよい。図13は,このよう
な供給ノズル73が設けられた処理装置74の断面図で
あるが,図13に示すように,チューブ70は,円柱形
状の支持台75の上面によって支持され,この支持台7
5は,回転テーブル21の上方に突き出る支柱76によ
って支持されている。供給ノズル73の底面中央に,昇
降回転軸22,回転テーブル21,支柱76,支持台7
5の内部を貫通した上記処理液供給路43が接続されて
おり,処理液供給路43から供給された処理液は,チュ
ーブ71内において中央から十字形状の四つの端部へ均
等に流れ,吐出口41から均一に吐出される。これによ
り,供給ノズル73の表面積を最小限に抑えつつウェハ
Wの裏面全体に対して効果的に処理液を供給することが
できる。なお,供給ノズル73の底面中央に処理液供給
路43を接続しないで,供給ノズル73の四つの端部全
て又は中心を挟んで対向する二つの端部同士のいずれか
に処理液供給路43を接続するようにしてもよい。
ズル45以外に,不活性ガスとしてN2(窒素)ガスを
ウェハWの表面に供給してスピン乾燥させるためのN2
供給ノズル77を設ける。N2供給ノズル77は,回転
テーブル21の回転に伴い,表面から処理液を周囲に振
り切って回転しているウェハWの表面にN2ガスを供給
して,乾燥を促進するものである。さらに,ウェハWの
裏面に対しても乾燥処理が行えるように,図12及び図
13に示すように,N2供給路80を,昇降回転軸2
2,回転テーブル21,支柱76,支持台75の内部を
貫通させ,N2供給路80の出口を支持台75の上面に
設けられたN2供給ノズル81に接続させる。そして,
N2供給ノズル81から供給されたN2ガスは,回転して
いるウェハWの裏面全体に行き渡るようになっている。
なお,N2供給ノズル81を複数設けるようにしてもよ
い。この場合,各N2供給ノズル81の向きを調整し
て,各N2供給ノズル81から供給されるN2ガス同士を
衝突させないように工夫することにより,N2ガスの気
流が乱れないようにする。
続された処理液供給路82と,供給ノズル73に接続さ
れた処理液供給路43に,純水供給源83に通じている
分岐回路84,85がそれぞれ接続され,同様に処理液
供給路82と処理液供給路43に,薬液供給源86に通
じている分岐回路87,88がそれぞれ接続されてい
る。また,ウェハWの表面にN2ガスを供給するN2供給
ノズル77に接続されたN2供給路89と,ウェハWの
裏面にN2ガスを供給するように支持台75に接続され
たN2供給路90に,N2ガス供給源91に通じている分
岐回路91,92がそれぞれ接続されている。これら分
岐回路84,85,87,88,91,92の途中に
は,開閉弁93,94,95,96,97,98や図示
しないフィルタ等がそれぞれ介装されており,例えば,
これら開閉弁93〜98を適宜開閉させることにより,
薬液,純水,N2ガスを供給する時期を制御できるよう
になっている。
処理装置74では,薬液による薬液洗浄,純水によるリ
ンス洗浄,スピン乾燥の順番でウェハWに対して処理が
行われる。具体的には,回転しているウェハWの表面に
供給ノズル45から薬液を供給し,ウェハWの裏面に供
給ノズル74から薬液を供給し,薬液洗浄の終了後に,
供給ノズル45及び供給ノズル74から純水を供給し,
ウェハWから薬液を洗い流す。最後に,回転テーブル2
1を高速回転させて,ウェハWから純水を振り払いなが
ら,供給ノズル45及び供給ノズル74からN2ガスを
供給し,ウェハWを乾燥させる。こうして,ウェハWに
対して良好な洗浄処理,乾燥処理が行われる。
を,ウェハの表面に形成された半導体デバイス等に影響
を与えずに除去できるような処理装置の構成,及びこの
処理装置で行われる洗浄処理の工程について説明する。
このような処理装置110の基本的な構成は,先に図2
において説明した処理装置6と概ね同様である。但し,
処理装置110に設けられた供給ノズル30,45の回
路系統は,図15に示すように,供給ノズル45に接続
された処理液供給路82に,純水供給源83に通じてい
る分岐回路84のみが接続され,供給ノズル30に接続
された処理液供給路43に,純水供給源84に通じてい
る分岐回路85と,フッ酸(HF)と純水(H2O)と
を混合した薬液であるDHF溶液を供給するDHF供給
源111に通じている分岐回路112が接続されてい
る。分岐回路112の途中にも,開閉弁113や図示し
ないフィルタ等が介装され,先に説明した処理装置74
と同様に,開閉弁93,94,113を適宜開閉させる
ことにより,DHF溶液,純水を供給する時期を制御で
きるようになっている。
行われる洗浄処理の工程について,図16(a),
(b)に基づいて説明すると,まず,図16(a)に示
すように,ウェハWの裏面に形成された酸化膜114を
除去するために,開閉弁93,113を開かせ,ウェハ
Wの裏面に供給ノズル30からDHF溶液を供給すると
同時にウェハWの表面に供給ノズル45から純水を供給
する。ウェハWの表面は純水によって覆われ,ウェハW
の裏面に供給されたDHF溶液が,ウェハWの表面には
回り込むことを防止できる。そして,図2に示したよう
に,回転テーブル21からこぼれ落ちて,そのまま排液
管46を通じて容器20から排液される。所定の時間が
経過すると,ウェハWの裏面から酸化膜114が完全に
除去され,開閉弁113を閉じさせて替わりに開閉弁9
4を開かせ,ウェハWの裏面に供給ノズル30から純水
を供給する(図16(b))。こうして,ウェハWから
DHF溶液を洗い流すと,開閉弁93,94を閉じさ
せ,回転テーブル21を高速回転させて,乾燥処理を行
う。このように,ウェハWの表面に純水を供給するだけ
で,ウェハWの表面をDHF溶液から容易に保護するこ
とができる。これにより,従来のようなウェハWの表面
を保護するための,レジストの塗布工程や除去工程等を
省くことができる。従って,ウェハWの表面に半導体デ
バイス等が形成された場合でも,ウェハWの裏面に形成
された酸化膜114を短時間で除去することが可能とな
る。また,製造コストを削減することが可能となる。
に半導体ウェハに限るものでなく,LCD基板,ガラス
基板,CD基板,フォトマスク,プリント基板,セラミ
ック基板等でもあってもよい。
裏面全体に対して,分布された配置された吐出口のいず
れからも均一な流速,流圧等の処理液を供給することが
できる。従って,基板の裏面では未処理の箇所がなく,
しかも均一な処理を行うことができる。その結果,例え
ば半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ,その
生産性を向上することができるようになる。また,本発
明によれば,基板の表面に第2の処理液を供給すること
により,基板の裏面を処理する際に,基板の表面を容易
に保護できる。特に,例えば基板の裏面に形成された酸
化膜を除去する場合,従来のような基板の表面を保護す
るための,レジストの塗布工程や除去工程等を省くこと
ができる。従って,基板の裏面に形成された酸化膜を短
時間で除去することが可能となる。その結果,スループ
ットが向上するようになる。
理システムの斜視図である。
る。
る。
た供給ノズルの斜視図である。
た供給ノズルの側面図である。
れた供給ノズルの斜視図である。
され略「8」字形状に形成された供給ノズルの平面図で
ある。
成され略「8」字形状に形成された供給ノズルの側面図
である。
成され略「8」字形状に形成された供給ノズルの斜視図
である。
成され略十字形状に形成された供給ノズルの平面図であ
る。
れた供給ノズルを備えた処理装置の断面図である。
ズルと支持台にかかる回路図を合わせて示した図面であ
る。
かかる回路図である。
図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 基板を回転自在に保持する保持手段と,
前記保持手段に保持された基板の裏面に処理液を供給す
る供給ノズルを備えた処理装置において,前記基板の回
転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給できる
ように,少なくとも基板の略中心部から任意の周縁部ま
での間に,前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置し
たことを特徴とする,処理装置。 - 【請求項2】 前記基板の任意の周縁部から略中心部を
通過し他の任意の周縁部までの間に,前記供給ノズルの
吐出口を分布させて配置したことを特徴とする,請求項
1に記載の処理装置。 - 【請求項3】 前記供給ノズル内部に処理液の液溜め室
を形成し,該液溜め室に処理液を供給するための処理液
供給路を接続し,該処理液供給路の出口と前記吐出口と
の間に緩衝板を設けたことを特徴とする,請求項1又は
2に記載の処理装置。 - 【請求項4】 前記供給ノズルの上面の形状を,円形状
に形成したことを特徴とする,請求項1,2又は3に記
載の処理装置。 - 【請求項5】 前記供給ノズルの上面の形状を,略十字
形状に形成したことを特徴とする,請求項1,2又は3
に記載の処理装置。 - 【請求項6】 前記供給ノズルの上面の形状を,略
「8」の字形状に形成したことを特徴とする,請求項
1,2又は3に記載の処理装置。 - 【請求項7】 前記供給ノズルをチューブにより構成
し,該チューブの上面に吐出口を分布させて配置したこ
とを特徴とする,請求項4,5又は6に記載の処理装
置。 - 【請求項8】 前記チューブの両端に,前記チューブ内
に処理液を供給するための処理液供給路を接続したこと
を特徴とする,請求項7に記載の処理装置。 - 【請求項9】 前記供給ノズルの上面の形状を,中心か
ら周辺に次第に低くなるように傾斜させることを特徴と
する,請求項1,2,3,4,5,6,7又は8に記載
の処理装置。 - 【請求項10】 前記保持手段に保持された基板の表面
に第2の処理液を供給する第2の供給ノズルを設けたこ
とを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,
8又は9に記載の処理装置。 - 【請求項11】 前記第2の処理液は純水であることを
特徴とする,請求項10に記載の処理装置。 - 【請求項12】 回転する基板の裏面に処理液を供給し
て基板を処理する処理方法において,前記回転する基板
の裏面に処理液を供給すると同時に基板の表面に前記処
理液とは異なる第2の処理液を供給することを特徴とす
る,処理方法。 - 【請求項13】 回転する基板の裏面に処理液を供給
して基板を処理する処理方法において,前記回転する基
板の裏面に処理液を供給すると同時に基板の表面に前記
処理液とは異なる第2の処理液を供給する工程と,前記
回転する基板の表面と裏面に前記第2の処理液を供給す
る工程とを備えていることを特徴とする,処理方法。 - 【請求項14】 前記第2の処理液は純水であることを
特徴とする,請求項12又は13に記載の処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23230098A JP3563605B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-08-04 | 処理装置 |
US09/267,770 US6357457B1 (en) | 1998-03-16 | 1999-03-15 | Substrate cleaning apparatus and method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-84920 | 1998-03-16 | ||
JP8492098 | 1998-03-16 | ||
JP23230098A JP3563605B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-08-04 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH11319732A true JPH11319732A (ja) | 1999-11-24 |
JP3563605B2 JP3563605B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=26425885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23230098A Expired - Fee Related JP3563605B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-08-04 | 処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6357457B1 (ja) |
JP (1) | JP3563605B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |