JPH11319732A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH11319732A
JPH11319732A JP10232300A JP23230098A JPH11319732A JP H11319732 A JPH11319732 A JP H11319732A JP 10232300 A JP10232300 A JP 10232300A JP 23230098 A JP23230098 A JP 23230098A JP H11319732 A JPH11319732 A JP H11319732A
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wafer
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    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の裏面全体に処理液を均一に供給でき，
均一な処理が行える処理装置を提供する。 【解決手段】 ウェハＷを回転自在に保持する回転テー
ブル２１と，回転テーブル２１に保持されたウェハＷの
裏面に処理液を供給する供給ノズル３０を備えた処理装
置６において，ウェハＷの回転に伴って基板の裏面全体
に処理液を均一に供給できるように，少なくともウェハ
Ｗの略中心から任意の周縁部までに至る間に，供給ノズ
ル３０の吐出口４１を分布させて配置した。供給ノズル
３０内部に処理液の液溜め室４２を形成し，この液溜め
室４２には処理液供給路４３を接続し，処理液供給路４
３の出口と吐出口４１との間に緩衝板４４を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えばＬＣＤ基板
や半導体ウェハのような基板の表面及び裏面を処理する
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の基板
の表面及び裏面を清浄な状態にすることが極めて重要で
ある。そのため，ウェハの表面及び裏面に付着したパー
ティクル，有機汚染物，金属不純物等のコンタミネーシ
ョンを除去するために洗浄処理システムが使用されてい
る。ウェハを洗浄する洗浄処理システムの一つとして，
枚葉型の処理装置を用いた洗浄処理システムが知られて
いる。
【０００３】枚葉式の洗浄処理システムには，例えばウ
ェハを収納するキャリアを載置できる載置部と，ウェハ
の表面や裏面の洗浄処理，乾燥処理を行う処理装置が備
えられた洗浄処理部と，載置部と洗浄処理部との間での
ウェハの授受や洗浄処理部の各処理装置にウェハを搬送
する搬送アームが設けられている。そして，載置部に載
置されたキャリアから搬送アームによって取り出された
ウェハは，洗浄処理部の各処理装置に順次搬送され，所
定の洗浄処理，乾燥処理が行われる。所定の処理後のウ
ェハは，搬送アームによって洗浄処理部から搬出され載
置部に載置しているキャリアに再び搬入される。
【０００４】ここで，図１７に示すように，ウェハＷの
裏面を洗浄する従来の処理装置１００には，ウェハＷを
回転自在に保持する回転テーブル１０１と，回転テーブ
ル１０１に保持されたウェハＷの裏面に処理液を供給す
る供給ノズル１０２とが備えられている。そして，ウェ
ハＷの裏面を洗浄処理する場合には，回転しているウェ
ハＷの裏面に，供給ノズル１０２から処理液を供給して
洗浄処理を行い，ウェハＷの裏面に付着したパーティク
ル等を除去する。その後，供給ノズル１０２から処理液
の供給が停止し，回転テーブル１０１を更に高速回転さ
せて，ウェハＷの裏面から処理液を振り切って乾燥処理
を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
処理装置１００において，ウェハＷの裏面に供給される
供給ノズル１０２からの処理液の勢いは，供給ノズル１
０２から離れていくに連れて弱まる。これにより，例え
ばウェハＷの裏面において，供給ノズル１０２に近い箇
所に比べて供給ノズル１０２から離れた箇所では洗浄効
果が劣ってしまう。さらに，ウェハＷの裏面における供
給ノズル１０２から離れた箇所においては，供給ノズル
１０２からの吐出された処理液がウェハＷの裏面に届く
前にその勢いを失い，供給されない場合もある。その結
果，ウェハＷの裏面において洗浄処理がされない箇所が
発生し，ウェハＷの裏面全体を十分に洗浄処理できな
い。
【０００６】また，例えば，フッ酸（ＨＦ）と純水（Ｈ
2Ｏ）とを混合した薬液であるＤＨＦ溶液をウェハの裏
面に供給して，ウェハの裏面に形成された酸化膜を除去
する場合，このＤＨＦ溶液がウェハの表面に回り込んで
しまうことがあった。ウェハの表面に半導体デバイス等
が形成されていると，この回り込んだＤＨＦ溶液によっ
て半導体デバイスが浸食され，デバイスの特性に悪影響
を与えるおそれがある。そこで，従来では裏面洗浄処理
前に，ウェハの表面にレジストを塗布し，裏面洗浄処理
中に，ウェハの表面をレジストで保護し，裏面洗浄処理
後に，ウェハの表面からレジスト除去を行っていた。し
かしながら，このようにレジストを用いる方法による
と，レジストの塗布工程や除去工程等が必要になるた
め，洗浄処理時間が長くなり，スループットが低下す
る。さらに，製造コストも高騰する。
【０００７】本発明の目的は，基板の裏面全体に処理液
を均一に供給でき，均一な処理が行える処理装置を提供
することにある。また，本発明の目的は，基板の裏面を
処理する際に，基板の表面を容易に保護できる処理装置
及び処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに，請求項１の発明は，基板を回転自在に保持する保
持手段と，保持手段に保持された基板の裏面に処理液を
供給する供給ノズルを備えた処理装置において，基板の
回転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給でき
るように，少なくとも基板の略中心部から任意の周縁部
までの間に，前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置
したことを特徴とする。
【０００９】この請求項１の処理装置によれば，先ず処
理をする場合，基板を保持手段により保持させ回転させ
る。そして，基板の略中心から任意の周縁部までに供給
ノズルの吐出口から均一に処理液を供給し，この基板の
回転により，基板の裏面全体を処理液を均一に供給す
る。従って，基板の裏面では未処理の箇所がなく，しか
も均一な処理を行うことができる。
【００１０】請求項１の処理装置において，請求項２に
記載したように，基板の任意の周縁部から略中心部を通
過し他の任意の周縁部までの間に，供給ノズルの吐出口
を分布させて配置するのが好ましい。かかる構成によれ
ば，回転している基板の裏面の例えば直径方向に沿って
処理液を均一に供給することができ，請求項１と同様に
基板の裏面では未処理の箇所がなく，しかも均一な処理
を行うことができる。
【００１１】請求項３の発明は，供給ノズル内部に処理
液の液溜め室を形成し，液溜め室に処理液を供給するた
めの処理液供給路を接続し，該処理液供給路の出口と前
記吐出口との間に緩衝板を設けるのが好ましい。かかる
構成によれば，処理液供給路から供給された処理液は，
緩衝板に当たりその周面に沿って流れる。そして，この
ように緩衝板を迂回した後，処理液は供給ノズルに分布
された吐出口全体に均等に分散して流れていく。従っ
て，供給ノズルの吐出口のいずれからも，均一な流速，
流圧等の処理液を供給することができる。
【００１２】この場合，前記供給ノズルの上面の形状
を，請求項４に記載したように，円形状に形成すること
や，請求項５に記載したように，略十字形状に形成する
のがよい。いずれの供給ノズルの上面の形状において
も，基板の裏面全体に対して効果的に処理液を供給する
ことができる。さらに，請求項６に記載したように，前
記供給ノズルの上面の形状を，略「８」の字形状に形成
し，請求項７に記載したように，供給ノズルをチューブ
により構成し，該チューブの上面に吐出口を分布させて
配置するのがよい。かかる構成によれば，供給ノズルの
表面積を最小限に抑えつつ基板の裏面全体に対して効果
的に処理液を供給することができる。そして，請求項８
に記載したように，チューブの両端に，チューブ内に処
理液を供給するための処理液供給路を接続するのがよ
い。これにより，両端からチューブ内に供給された処理
液同士が，チューブ中央付近において衝突し，吐出口か
ら処理液が均一に供給されることになる。
【００１３】請求項９に記載したように，前記供給ノズ
ルの上面の形状を，中心から周辺に次第に低くなるよう
に傾斜させてもよい。かかる構成によれば，供給ノズル
から吐出された処理液を，供給ノズル上面に溜めること
なく傾斜面に沿って流し落とすことができる。
【００１４】請求項１０に記載したように，前記保持手
段に保持された基板の表面に第２の処理液を供給する第
２の供給ノズルを設けることがことが好ましい。かかる
構成によれば，回転する基板の裏面に処理液を供給する
と同時に基板の表面に第２の処理液を供給する。基板の
表面は第２の処理液によって覆われ，基板の裏面に供給
された処理液が，基板の表面に回り込むことを防止でき
る。
【００１５】この場合，請求項１１に記載したように，
前記第２の処理液は純水であることが好ましい。かかる
構成によれば，回転する基板の裏面に例えば薬液を供給
すると同時に基板の裏面に純水を供給する。基板の表面
は純水によって覆われ，基板の裏面に供給された薬液
が，ウェハＷの表面に回り込むことを防止できる。この
ように，基板の表面に純水を供給するだけで，基板の表
面を薬液から容易に保護することができる。
【００１６】請求項１２の発明は，回転する基板の裏面
に処理液を供給して基板を処理する処理方法において，
前記回転する基板の裏面に処理液を供給すると同時に基
板の表面に前記処理液とは異なる第２の処理液を供給す
ることを特徴とする。
【００１７】請求項１３の発明は，回転する基板の裏面
に処理液を供給して基板を処理する処理方法において，
前記回転する基板の裏面に処理液を供給すると同時に基
板の表面に前記処理液とは異なる第２の処理液を供給す
る工程と，前記回転する基板の表面と裏面に前記第２の
処理液を供給する工程とを備えていることを特徴とす
る。
【００１８】これら請求項１２，１３の処理方法におい
て，請求項１４に記載したように，前記第２の処理液は
純水であるのがよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を，基板の一例としてウェハを回転させながら処理液
を供給することによりウェハの表面及び裏面を洗浄処理
し，回転によってウェハを乾燥させるように構成された
処理装置に基づいて説明する。図１は，本実施の形態に
かかる処理装置６〜１１を組み込んだ洗浄処理システム
１の斜視図である。
【００２０】この洗浄処理システム１は，ウェハＷを収
納するキャリアＣを載置させる載置部２と，載置部２に
載置されたキャリアＣから処理工程前の一枚ずつウェハ
Ｗを取り出すと共に，処理工程後のウェハＷをキャリア
Ｃ内に一枚ずつ収納する搬送アーム３と，ウェハＷに対
して所定の洗浄処理，乾燥処理を行う各処理装置６〜１
１を備えた洗浄処理部４とを備えている。
【００２１】載置部２は，ウェハを２５枚収納したキャ
リアＣを複数個載置できる構成になっている。搬送アー
ム３は，水平，昇降（Ｘ，Ｙ，Ｚ）方向に移動自在であ
ると共に，かつ鉛直軸を中心に回転（θ方向）できるよ
うに構成されている。洗浄処理部４には，処理装置６，
７，８が，所定の手順に従って処理を行えるように横並
びに配置され，これらの下方には，処理装置９，１０，
１１が，処理装置６〜８と同様に横並びに配置されてい
る。処理装置６〜８及び処理装置９〜１１では同時に処
理が進行できる構成になっている。
【００２２】なお以上の配列，これら処理装置の組合わ
せは，ウェハＷに対する洗浄処理の種類によって任意に
組み合わせることができる。例えば，ある処理装置を減
じたり，逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。
【００２３】次に処理装置６〜１１の構成について説明
する。各処理装置６〜１１は，いずれも同様の構成を有
しているので，図２〜５を参照に処理装置６を代表とし
て説明する。
【００２４】図２は処理装置６の要部を示す断面図，図
３はその平面図である。この処理装置６内には，上面が
開口した略円筒形状の容器２０を備えている。この容器
２０の上面の開口部を介して，前述した搬送アーム３に
よって処理装置６内に搬入されたウェハＷを，容器２０
内に収納するようになっている。
【００２５】この容器２０内には，回転，昇降自在な回
転テーブル２１が設けられている。この回転テーブル２
１の下面を支持している昇降回転軸２２の下方には昇降
回転機構２３が取り付けられている。従って，昇降回転
機構２３の稼働により，回転テーブル２１を回転，昇降
させることができる構成になっている。
【００２６】回転テーブル２１の上面にはメカニカルチ
ャックなどから成る保持部２４が配置されている。この
保持部２４は，回転テーブル２１の周囲に沿いながら平
面からみて１２０゜間隔で合計で３個配置されており，
ウェハＷを回転テーブル２１の上方に浮かせた状態で保
持できる構成になっている。なお，回転テーブル２１の
上面にはウェハＷの裏面を支持する図示しない支持ピン
が垂直に取り付けられている。
【００２７】また，ウェハＷの裏面に処理液を供給する
供給ノズル３０を，回転テーブル２１の上方から突き出
させている。この供給ノズル３０は，回転テーブル２１
とは一体となっては回転せず静止した状態でウェハＷの
裏面に処理液を供給するようになっている。
【００２８】ここで，図４に示すように供給ノズル３０
の上面４０の形状は，ほぼウェハＷの裏面全体を覆う表
面積を有した水平な円形状に形成されている。そして，
上面４０には吐出口４１を分布させて配置している。こ
の吐出口４１の分布は，上面４０のある特定の領域に偏
って集中しているものではなく，上面４０の全面に渡り
均一に配置している。これにより，ウェハＷの回転に伴
ってウェハＷの裏面全体に漏れなく処理液を供給できる
構成になっている。
【００２９】また，図５に示すように，供給ノズル３０
内部に処理液の液溜め室４２を形成し，この液溜め室４
２の下面には処理液供給路４３を接続し，この処理液供
給路４３を前述した昇降回転軸２２の内部を貫通させ液
溜め室４２に処理液を供給するようになっている。さら
に液溜め室４２内に，処理液供給路４３から液溜め室４
２に供給された処理液を吐出口４１に直接的に流さない
ように処理液供給路４３の出口と吐出口４１との間に緩
衝板４４を設けている。この緩衝板４４が無いと，処理
液供給路４３の出口に近い吐出口４１では，吐出される
処理液の勢いが強くなり，処理液供給路４３の出口から
離れた吐出口４１では，吐出される処理液の勢いが弱く
なってしまう。しかしながら，このように緩衝板４４を
設けることにより，処理液供給路４３から供給された処
理液は緩衝板４４を迂回した後に，上面４０に分布され
ている吐出口４１全体に流れ出るようになっている。従
って，処理液供給路４３の出口からの距離の差によって
生じる処理液の勢いの強弱は解消されることになり，処
理液を均一に供給できる構成になっている。
【００３０】その他，容器２０の上方には，容器２０内
に収納されたウェハＷの表面に薬液成分を主体とした処
理液を供給する供給ノズル４５を設けている。この供給
ノズル４５は容器２０上方を移動自在になるように構成
されている。さらに，ウェハＷの回転によりウェハＷの
裏面から振り切られた処理液は，容器２０の底部に設け
られた排液管４６を通じて排液され，容器２０内の雰囲
気は，容器２０の底部から，外部に設置されている真空
ポンプなどの排気手段（図示せず）によって排気され
る。
【００３１】なお，各処理装置７〜１１も処理装置６と
同様な構成を備えており，各処理装置７〜１１内でも各
種の処理液によってウェハＷを洗浄し乾燥するように構
成されている。
【００３２】次に，以上のように構成された本実施の形
態にかかる処理装置６で行われる作用について説明す
る。まず，前述の洗浄処理システム１における一連の処
理工程において，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄さ
れていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリ
アＣを洗浄処理システム１に搬送し載置部２に載置す
る。そして，この載置部２に載置されたキャリアＣから
ウェハＷが取り出され，搬送アーム３によってウェハＷ
は処理装置６，７，８に順次搬送される。そして，所定
の手順に従って一連の処理工程が行われる。
【００３３】ここで，処理装置６内の処理工程について
説明すると，図２に示したように，回転テーブル２１に
保持されたウェハＷを，昇降回転機構２３の駆動によっ
て例えば２０ｒｐｍ程度で回転させる。そして，ウェハ
Ｗの表面及び裏面に対して所定の洗浄処理が開始され
る。先ず，ウェハＷの表面を洗浄処理する場合には，供
給ノズル４５をウェハＷの上方に移動させ，ウェハＷの
表面に処理液として薬液を供給して洗浄処理を行った後
に，処理液として純水を供給してリンス洗浄を行う。
【００３４】一方，ウェハＷの裏面を洗浄処理する場
合，図５に示したように，処理液供給回路４３から供給
された処理液は，処理液供給路４３の出口から液溜め室
４２内に流れ込んで，緩衝板４４に当たりその周面に沿
って流れる。そして，このように緩衝板４４を迂回した
後，処理液は供給ノズル３０の上面４０に分布された吐
出口４１全体に均等に分散して流れていく。このような
液溜め室４２内での処理液の流れにより，供給ノズル３
０の吐出口４１のいずれからも，均一な流速，流圧等の
処理液が供給される。
【００３５】そして，供給ノズル３０は，回転している
ウェハＷの裏面の直径方向に沿って処理液を均一に供給
する。さらに，吐出口４１は上面４０全体に分布して配
置されているので，供給ノズル３０は，ウェハＷの裏面
全体に向かって供給ノズル３０の吐出口４１から均一に
処理液を供給する。従って，ウェハＷの裏面では未処理
の箇所がなく，しかも洗浄処理されるいずれの箇所にお
いても均一な洗浄処理が行われることになる。
【００３６】こうして，ウェハＷを回転させながら表面
及び裏面に処理液を供給し，ウェハＷの表面及び裏面を
洗浄する。洗浄処理の終了後，回転テーブルク２１の回
転速度を上げ，ウェハＷの表面及び裏面から処理液を振
り切り乾燥処理を行う。なお，ウェハＷの裏面洗浄に用
いる処理液は，薬液又は純水のどちらでもよい。
【００３７】処理工程が終了すると，昇降回転機構２３
の稼働が停止し，回転テーブル２１の回転も停止する。
そして，ウェハＷは，処理装置６内から搬出され引き続
き処理装置７，８に搬送される。洗浄処理部４での処理
工程が終了したウェハＷは再びキャリアＣに収納され，
続いて，残りの２４枚のウェハＷに対しても一枚ずつ同
様な処理が行われていく。こうして，２５枚のウェハＷ
の処理が終了すると，キャリアＣ単位で洗浄処理システ
ム１外に搬出される。
【００３８】かくして，本実施の形態にかかる処理装置
６によれば，供給ノズル３０は，ウェハＷの裏面全体に
向かって，分布された吐出口４１のいずれからも均一な
流速，流圧等の処理液を供給することができる。従っ
て，ウェハＷの裏面では未処理の箇所がなく，しかも均
一な洗浄処理を行うことができる。その結果，半導体デ
バイスの製造が円滑に行うことができ，その生産性を向
上することができるようになる。
【００３９】なお，本発明の実施の形態の一例について
説明したが，本発明はこの例に限定されず種々の様態を
採りうるものである。例えば，処理装置６において，本
実供給ノズルの形状を，中心から周辺に次第に低くなる
ように傾斜させた，曲面形状に形成するようにしてもよ
い。図６は，曲面形状に形成された供給ノズル５０の斜
視図であり，図７はその側面図である。図示の如く，ウ
ェハＷの回転に伴ってウェハＷの裏面全体に漏れなく処
理液を供給できるように，供給ノズル５０の上面５１の
全面に渡り吐出口４１を分布させて配置している。かか
る構成によれば，本実施の形態で説明した供給ノズル３
０と同様の作用，効果を得ることができる。さらに供給
ノズル５０から吐出された処理液を，供給ノズル５０の
上面５１に溜めることなく，上面５１の曲面に沿って落
と流すことができる。なお，図６及び図７で示した供給
ノズル５０は，上記の説明以外は，先に図２〜５で説明
した供給ノズル３０と同様の構成を有しているので，そ
の他構成要素についての説明は省略する。
【００４０】また，図８に示すように，供給ノズル５５
の形状を，略十字形状に形成してもよい。この場合，ウ
ェハＷの回転に伴ってウェハＷの裏面全体に処理液を均
一に供給できるように，少なくともウェハＷの任意の周
縁部から中心部を通過し他の任意の周縁部までに至る間
に，即ち，ウェハＷの直径方向に沿って密な状態で吐出
口４１を分布させて配置している。かかる構成によれ
ば，ウェハＷの裏面全体に対して効果的に処理液を供給
することができる。
【００４１】また，図９及び図１０に示すように，供給
ノズル６０の上面６１の形状を，略「８」の字形状に形
成できるように，供給ノズル６０をチューブ６２により
構成し，このチューブ６２の上面６１に吐出口４１を分
布させて配置するようにしてもよい。この場合，チュー
ブ６２を，中心から周辺に次第に低くなるように緩やか
に傾斜させた支持台６３の上面に，載置した状態で支持
する。かかる構成によれば，供給ノズル６０の表面積を
最小限に抑えつつウェハＷの裏面全体に対して効果的に
処理液を供給することができる。そして，図１１に示す
ように，チューブ６２において，一端の供給口６４ａと
他端の供給口６４ｂの両端に，チューブ６２内に処理液
を供給するための処理液供給路６５ａ，６５ｂをそれぞ
れ接続する。これにより，両端からチューブ６２内に供
給された処理液同士が，チューブ中央付近において衝突
し，吐出口４１から処理液が均一に供給されることにな
る。
【００４２】図１２に示すように，略十字形状に形成さ
れたチューブ７０の上面７１に吐出口４１を分布させた
供給ノズル７３を構成してもよい。図１３は，このよう
な供給ノズル７３が設けられた処理装置７４の断面図で
あるが，図１３に示すように，チューブ７０は，円柱形
状の支持台７５の上面によって支持され，この支持台７
５は，回転テーブル２１の上方に突き出る支柱７６によ
って支持されている。供給ノズル７３の底面中央に，昇
降回転軸２２，回転テーブル２１，支柱７６，支持台７
５の内部を貫通した上記処理液供給路４３が接続されて
おり，処理液供給路４３から供給された処理液は，チュ
ーブ７１内において中央から十字形状の四つの端部へ均
等に流れ，吐出口４１から均一に吐出される。これによ
り，供給ノズル７３の表面積を最小限に抑えつつウェハ
Ｗの裏面全体に対して効果的に処理液を供給することが
できる。なお，供給ノズル７３の底面中央に処理液供給
路４３を接続しないで，供給ノズル７３の四つの端部全
て又は中心を挟んで対向する二つの端部同士のいずれか
に処理液供給路４３を接続するようにしてもよい。
【００４３】この場合，容器２０の上方に，上記供給ノ
ズル４５以外に，不活性ガスとしてＮ2（窒素）ガスを
ウェハＷの表面に供給してスピン乾燥させるためのＮ2
供給ノズル７７を設ける。Ｎ2供給ノズル７７は，回転
テーブル２１の回転に伴い，表面から処理液を周囲に振
り切って回転しているウェハＷの表面にＮ2ガスを供給
して，乾燥を促進するものである。さらに，ウェハＷの
裏面に対しても乾燥処理が行えるように，図１２及び図
１３に示すように，Ｎ2供給路８０を，昇降回転軸２
２，回転テーブル２１，支柱７６，支持台７５の内部を
貫通させ，Ｎ2供給路８０の出口を支持台７５の上面に
設けられたＮ2供給ノズル８１に接続させる。そして，
Ｎ2供給ノズル８１から供給されたＮ2ガスは，回転して
いるウェハＷの裏面全体に行き渡るようになっている。
なお，Ｎ2供給ノズル８１を複数設けるようにしてもよ
い。この場合，各Ｎ2供給ノズル８１の向きを調整し
て，各Ｎ2供給ノズル８１から供給されるＮ2ガス同士を
衝突させないように工夫することにより，Ｎ2ガスの気
流が乱れないようにする。
【００４４】図１４に示すように，供給ノズル４５に接
続された処理液供給路８２と，供給ノズル７３に接続さ
れた処理液供給路４３に，純水供給源８３に通じている
分岐回路８４，８５がそれぞれ接続され，同様に処理液
供給路８２と処理液供給路４３に，薬液供給源８６に通
じている分岐回路８７，８８がそれぞれ接続されてい
る。また，ウェハＷの表面にＮ2ガスを供給するＮ2供給
ノズル７７に接続されたＮ2供給路８９と，ウェハＷの
裏面にＮ2ガスを供給するように支持台７５に接続され
たＮ2供給路９０に，Ｎ2ガス供給源９１に通じている分
岐回路９１，９２がそれぞれ接続されている。これら分
岐回路８４，８５，８７，８８，９１，９２の途中に
は，開閉弁９３，９４，９５，９６，９７，９８や図示
しないフィルタ等がそれぞれ介装されており，例えば，
これら開閉弁９３〜９８を適宜開閉させることにより，
薬液，純水，Ｎ2ガスを供給する時期を制御できるよう
になっている。
【００４５】以上のような供給ノズル７３が備えられた
処理装置７４では，薬液による薬液洗浄，純水によるリ
ンス洗浄，スピン乾燥の順番でウェハＷに対して処理が
行われる。具体的には，回転しているウェハＷの表面に
供給ノズル４５から薬液を供給し，ウェハＷの裏面に供
給ノズル７４から薬液を供給し，薬液洗浄の終了後に，
供給ノズル４５及び供給ノズル７４から純水を供給し，
ウェハＷから薬液を洗い流す。最後に，回転テーブル２
１を高速回転させて，ウェハＷから純水を振り払いなが
ら，供給ノズル４５及び供給ノズル７４からＮ2ガスを
供給し，ウェハＷを乾燥させる。こうして，ウェハＷに
対して良好な洗浄処理，乾燥処理が行われる。
【００４６】次に，ウェハの裏面に形成された酸化膜
を，ウェハの表面に形成された半導体デバイス等に影響
を与えずに除去できるような処理装置の構成，及びこの
処理装置で行われる洗浄処理の工程について説明する。
このような処理装置１１０の基本的な構成は，先に図２
において説明した処理装置６と概ね同様である。但し，
処理装置１１０に設けられた供給ノズル３０，４５の回
路系統は，図１５に示すように，供給ノズル４５に接続
された処理液供給路８２に，純水供給源８３に通じてい
る分岐回路８４のみが接続され，供給ノズル３０に接続
された処理液供給路４３に，純水供給源８４に通じてい
る分岐回路８５と，フッ酸（ＨＦ）と純水（Ｈ2Ｏ）と
を混合した薬液であるＤＨＦ溶液を供給するＤＨＦ供給
源１１１に通じている分岐回路１１２が接続されてい
る。分岐回路１１２の途中にも，開閉弁１１３や図示し
ないフィルタ等が介装され，先に説明した処理装置７４
と同様に，開閉弁９３，９４，１１３を適宜開閉させる
ことにより，ＤＨＦ溶液，純水を供給する時期を制御で
きるようになっている。
【００４７】以上のように構成された処理装置１１０で
行われる洗浄処理の工程について，図１６（ａ），
（ｂ）に基づいて説明すると，まず，図１６（ａ）に示
すように，ウェハＷの裏面に形成された酸化膜１１４を
除去するために，開閉弁９３，１１３を開かせ，ウェハ
Ｗの裏面に供給ノズル３０からＤＨＦ溶液を供給すると
同時にウェハＷの表面に供給ノズル４５から純水を供給
する。ウェハＷの表面は純水によって覆われ，ウェハＷ
の裏面に供給されたＤＨＦ溶液が，ウェハＷの表面には
回り込むことを防止できる。そして，図２に示したよう
に，回転テーブル２１からこぼれ落ちて，そのまま排液
管４６を通じて容器２０から排液される。所定の時間が
経過すると，ウェハＷの裏面から酸化膜１１４が完全に
除去され，開閉弁１１３を閉じさせて替わりに開閉弁９
４を開かせ，ウェハＷの裏面に供給ノズル３０から純水
を供給する（図１６（ｂ））。こうして，ウェハＷから
ＤＨＦ溶液を洗い流すと，開閉弁９３，９４を閉じさ
せ，回転テーブル２１を高速回転させて，乾燥処理を行
う。このように，ウェハＷの表面に純水を供給するだけ
で，ウェハＷの表面をＤＨＦ溶液から容易に保護するこ
とができる。これにより，従来のようなウェハＷの表面
を保護するための，レジストの塗布工程や除去工程等を
省くことができる。従って，ウェハＷの表面に半導体デ
バイス等が形成された場合でも，ウェハＷの裏面に形成
された酸化膜１１４を短時間で除去することが可能とな
る。また，製造コストを削減することが可能となる。
【００４８】なお，基板は上記した本実施の形態のよう
に半導体ウェハに限るものでなく，ＬＣＤ基板，ガラス
基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基板，セラミ
ック基板等でもあってもよい。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば，供給ノズルは，基板の
裏面全体に対して，分布された配置された吐出口のいず
れからも均一な流速，流圧等の処理液を供給することが
できる。従って，基板の裏面では未処理の箇所がなく，
しかも均一な処理を行うことができる。その結果，例え
ば半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ，その
生産性を向上することができるようになる。また，本発
明によれば，基板の表面に第２の処理液を供給すること
により，基板の裏面を処理する際に，基板の表面を容易
に保護できる。特に，例えば基板の裏面に形成された酸
化膜を除去する場合，従来のような基板の表面を保護す
るための，レジストの塗布工程や除去工程等を省くこと
ができる。従って，基板の裏面に形成された酸化膜を短
時間で除去することが可能となる。その結果，スループ
ットが向上するようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる処理装置を備えた洗浄処
理システムの斜視図である。
【図２】本実施の形態にかかる処理装置の断面図であ
る。
【図３】本実施の形態にかかる処理装置の平面図であ
る。
【図４】供給ノズルの斜視図である。
【図５】供給ノズルの断面図である。
【図６】他の供給ノズルの例として曲面形状に形成され
た供給ノズルの斜視図である。
【図７】他の供給ノズルの例として曲面形状に形成され
た供給ノズルの側面図である。
【図８】他の供給ノズルの例として略十字形状に形成さ
れた供給ノズルの斜視図である。
【図９】他の供給ノズルの例としてチューブにより構成
され略「８」字形状に形成された供給ノズルの平面図で
ある。
【図１０】他の供給ノズルの例としてチューブにより構
成され略「８」字形状に形成された供給ノズルの側面図
である。
【図１１】他の供給ノズルの例としてチューブにより構
成され略「８」字形状に形成された供給ノズルの斜視図
である。
【図１２】他の供給ノズルの例としてチューブにより構
成され略十字形状に形成された供給ノズルの平面図であ
る。
【図１３】チューブにより構成され略十字形状に形成さ
れた供給ノズルを備えた処理装置の断面図である。
【図１４】各供給ノズルにかかる回路図と，Ｎ2供給ノ
ズルと支持台にかかる回路図を合わせて示した図面であ
る。
【図１５】図２の処理装置に備えられた各供給ノズルに
かかる回路図である。
【図１６】ウェハの裏面から酸化膜を除去する際の工程
図である。
【図１７】従来の処理装置の要部の断面図である。
【符号の説明】
１ 洗浄処理システム ６ 処理装置 ２１ 回転テーブル ３７ 供給ノズル ４１ 吐出口 ４２ 液溜め室 ４３ 処理液供給路 ４４ 緩衝板 Ｗ ウェハ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を回転自在に保持する保持手段と，
    前記保持手段に保持された基板の裏面に処理液を供給す
    る供給ノズルを備えた処理装置において，前記基板の回
    転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給できる
    ように，少なくとも基板の略中心部から任意の周縁部ま
    での間に，前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置し
    たことを特徴とする，処理装置。
  2. 【請求項２】 前記基板の任意の周縁部から略中心部を
    通過し他の任意の周縁部までの間に，前記供給ノズルの
    吐出口を分布させて配置したことを特徴とする，請求項
    １に記載の処理装置。
  3. 【請求項３】 前記供給ノズル内部に処理液の液溜め室
    を形成し，該液溜め室に処理液を供給するための処理液
    供給路を接続し，該処理液供給路の出口と前記吐出口と
    の間に緩衝板を設けたことを特徴とする，請求項１又は
    ２に記載の処理装置。
  4. 【請求項４】 前記供給ノズルの上面の形状を，円形状
    に形成したことを特徴とする，請求項１，２又は３に記
    載の処理装置。
  5. 【請求項５】 前記供給ノズルの上面の形状を，略十字
    形状に形成したことを特徴とする，請求項１，２又は３
    に記載の処理装置。
  6. 【請求項６】 前記供給ノズルの上面の形状を，略
    「８」の字形状に形成したことを特徴とする，請求項
    １，２又は３に記載の処理装置。
  7. 【請求項７】 前記供給ノズルをチューブにより構成
    し，該チューブの上面に吐出口を分布させて配置したこ
    とを特徴とする，請求項４，５又は６に記載の処理装
    置。
  8. 【請求項８】 前記チューブの両端に，前記チューブ内
    に処理液を供給するための処理液供給路を接続したこと
    を特徴とする，請求項７に記載の処理装置。
  9. 【請求項９】 前記供給ノズルの上面の形状を，中心か
    ら周辺に次第に低くなるように傾斜させることを特徴と
    する，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８に記載
    の処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記保持手段に保持された基板の表面
    に第２の処理液を供給する第２の供給ノズルを設けたこ
    とを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８又は９に記載の処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記第２の処理液は純水であることを
    特徴とする，請求項１０に記載の処理装置。
  12. 【請求項１２】 回転する基板の裏面に処理液を供給し
    て基板を処理する処理方法において，前記回転する基板
    の裏面に処理液を供給すると同時に基板の表面に前記処
    理液とは異なる第２の処理液を供給することを特徴とす
    る，処理方法。
  13. 【請求項１３】 回転する基板の裏面に処理液を供給
    して基板を処理する処理方法において，前記回転する基
    板の裏面に処理液を供給すると同時に基板の表面に前記
    処理液とは異なる第２の処理液を供給する工程と，前記
    回転する基板の表面と裏面に前記第２の処理液を供給す
    る工程とを備えていることを特徴とする，処理方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２の処理液は純水であることを
    特徴とする，請求項１２又は１３に記載の処理方法。
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