JPH10335298A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
- Publication number
- JPH10335298A JPH10335298A JP15443597A JP15443597A JPH10335298A JP H10335298 A JPH10335298 A JP H10335298A JP 15443597 A JP15443597 A JP 15443597A JP 15443597 A JP15443597 A JP 15443597A JP H10335298 A JPH10335298 A JP H10335298A
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- processing
- wafer
- gas
- supply mechanism
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理液供給機構と処理気体供給機構の切り換
え時間を節約でき，しかもこれらに係る駆動手段を簡略
化できる基板の処理装置及び処理方法を提供する。 【解決手段】 ウェハＷを回転自在に保持するスピンチ
ャック１０と，スピンチャック１０に保持されたウェハ
Ｗの表面に１又は２以上の処理液と処理気体を供給する
供給手段３０を備えた処理装置７において，供給手段３
０を，処理液を吐出する薬液供給回路３３の吐出孔４０
や純水供給回路３４の吐出孔４１及び処理気体を吐出す
るＩＰＡ蒸気供給回路３５の吐出孔４２が何れも下面４
３に開口している集合体ノズル体３１と，これらをスピ
ンチャック１０に保持されたウェハＷの上方に同時に移
動させる回動アーム３２で構成したことを特徴とする。
え時間を節約でき，しかもこれらに係る駆動手段を簡略
化できる基板の処理装置及び処理方法を提供する。 【解決手段】 ウェハＷを回転自在に保持するスピンチ
ャック１０と，スピンチャック１０に保持されたウェハ
Ｗの表面に１又は２以上の処理液と処理気体を供給する
供給手段３０を備えた処理装置７において，供給手段３
０を，処理液を吐出する薬液供給回路３３の吐出孔４０
や純水供給回路３４の吐出孔４１及び処理気体を吐出す
るＩＰＡ蒸気供給回路３５の吐出孔４２が何れも下面４
３に開口している集合体ノズル体３１と，これらをスピ
ンチャック１０に保持されたウェハＷの上方に同時に移
動させる回動アーム３２で構成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，例えば半導体ウ
ェハやＬＣＤ用ガラス板等の基板を回転させながら所定
の処理を行う，処理装置及び処理方法に関するものであ
る。
ェハやＬＣＤ用ガラス板等の基板を回転させながら所定
の処理を行う，処理装置及び処理方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に，半導体デバイスの製造工程にお
いては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」とい
う）の基板の表面に付着したパーティクル有機汚染物，
金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗
浄処理システムが使用されている。ウェハを洗浄する洗
浄処理システムの１つとして，一般にスピン型の装置を
用いた枚葉式の洗浄処理システムが知られている。
いては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」とい
う）の基板の表面に付着したパーティクル有機汚染物，
金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗
浄処理システムが使用されている。ウェハを洗浄する洗
浄処理システムの１つとして，一般にスピン型の装置を
用いた枚葉式の洗浄処理システムが知られている。
【０００３】枚葉式の洗浄処理システムには，例えばウ
ェハを収納したキャリアを載置できる載置部と，載置部
に載置されたキャリアから洗浄前のウェハを取り出し，
また，洗浄後のウェハをキャリアに収納する取出搬入部
と，ウェハの洗浄及び乾燥を行う処理装置が備えられた
洗浄処理部と，これら取出搬入部と洗浄処理部との間で
ウェハの搬送を行う搬送アームが設けられている。そし
て，載置部に載置されたキャリアから取出搬入部によっ
て取り出されたウェハは，搬送アームによって洗浄処理
部に搬送される。そして，ウェハに所定の洗浄及び乾燥
処理が行われ，洗浄処理部での所定の処理工程が終了し
た後，搬送アームによって洗浄処理部から搬出され再び
取出搬入部を介してキャリアにウェハが搬入される。
ェハを収納したキャリアを載置できる載置部と，載置部
に載置されたキャリアから洗浄前のウェハを取り出し，
また，洗浄後のウェハをキャリアに収納する取出搬入部
と，ウェハの洗浄及び乾燥を行う処理装置が備えられた
洗浄処理部と，これら取出搬入部と洗浄処理部との間で
ウェハの搬送を行う搬送アームが設けられている。そし
て，載置部に載置されたキャリアから取出搬入部によっ
て取り出されたウェハは，搬送アームによって洗浄処理
部に搬送される。そして，ウェハに所定の洗浄及び乾燥
処理が行われ，洗浄処理部での所定の処理工程が終了し
た後，搬送アームによって洗浄処理部から搬出され再び
取出搬入部を介してキャリアにウェハが搬入される。
【０００４】この洗浄処理システムに備えられた処理装
置には，ウェハを回転自在に保持するスピンチャック
と，スピンチャックに保持されたウェハの表面に１又は
２以上の処理液を供給する処理液供給機構と，同様にス
ピンチャックに保持されたウェハの表面に処理気体を供
給する処理気体供給機構が設けられている。そして，ウ
ェハに所定の洗浄処理を行う際には，先ずスピンチャッ
クにウェハを保持させ，ウェハを回転させる。次に，回
転しているウェハの表面に，処理液供給機構によって例
えばフッ酸溶液等の処理液を供給して薬液処理を行い，
その後，同様に処理液供給機構から例えば純水等の処理
液を供給してリンス処理を行う。最後に，処理気体供給
機構から例えば不活性ガスとしてＮ2（窒素）ガス等を
ウェハの表面に供給してスピン乾燥させるようにしてい
る。このスピン乾燥においては，スピンチャックの回転
によって，ウェハの表面から純水を吹き飛ばすと共に，
Ｎ2ガスをウェハの表面に吹き付けて乾燥を促進させ
る。
置には，ウェハを回転自在に保持するスピンチャック
と，スピンチャックに保持されたウェハの表面に１又は
２以上の処理液を供給する処理液供給機構と，同様にス
ピンチャックに保持されたウェハの表面に処理気体を供
給する処理気体供給機構が設けられている。そして，ウ
ェハに所定の洗浄処理を行う際には，先ずスピンチャッ
クにウェハを保持させ，ウェハを回転させる。次に，回
転しているウェハの表面に，処理液供給機構によって例
えばフッ酸溶液等の処理液を供給して薬液処理を行い，
その後，同様に処理液供給機構から例えば純水等の処理
液を供給してリンス処理を行う。最後に，処理気体供給
機構から例えば不活性ガスとしてＮ2（窒素）ガス等を
ウェハの表面に供給してスピン乾燥させるようにしてい
る。このスピン乾燥においては，スピンチャックの回転
によって，ウェハの表面から純水を吹き飛ばすと共に，
Ｎ2ガスをウェハの表面に吹き付けて乾燥を促進させ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来の処理
装置においては，処理液供給機構を移動させる移動部材
と処理気体供給機構を移動させる移動部材が設けられて
いる。これら二つの移動部材によって，ウェハに対して
処理液及び処理気体を連続して供給できるように構成さ
れている。即ち，先ず処理液供給機構の移動部材によっ
て，処理液供給機構を回転しているウェハの上面に移動
させ，ウェハの表面に処理液を供給して洗浄処理を行
う。洗浄処理の終了後，処理液供給機構の移動部材によ
って，処理液供給機構をウェハの上面から退避させる。
処理液供給機構の退避後，処理気体供給機構の移動部材
によって，処理気体供給機構を回転しているウェハの上
面に移動させる。そして，ウェハの表面に処理気体を供
給しながら，ウェハＷを更に高速で回転させて乾燥処理
を行う。
装置においては，処理液供給機構を移動させる移動部材
と処理気体供給機構を移動させる移動部材が設けられて
いる。これら二つの移動部材によって，ウェハに対して
処理液及び処理気体を連続して供給できるように構成さ
れている。即ち，先ず処理液供給機構の移動部材によっ
て，処理液供給機構を回転しているウェハの上面に移動
させ，ウェハの表面に処理液を供給して洗浄処理を行
う。洗浄処理の終了後，処理液供給機構の移動部材によ
って，処理液供給機構をウェハの上面から退避させる。
処理液供給機構の退避後，処理気体供給機構の移動部材
によって，処理気体供給機構を回転しているウェハの上
面に移動させる。そして，ウェハの表面に処理気体を供
給しながら，ウェハＷを更に高速で回転させて乾燥処理
を行う。
【０００６】しかしながら，従来の処理装置によると，
洗浄処理が終了した後に乾燥処理を行う際には，少なく
とも処理液供給機構が退避し，その後に処理気体供給機
構をウェハの上面に移動させなくてはならない。これら
供給機構の切り換えの間に，ウェハの表面に残留してい
る純水が，ウェハの回転によって自然乾燥してしまう。
そして，例えば水と空気中の酸素とウェハＷの表面のシ
リコンとが反応してＨ2Ｓｉ０3が生成され，あるいは純
水中に含まれる極く微量の酸化シリコン（Ｓｉ０2）が
ウェハの表面に析出してウォーターマークが発生する。
こうして，処理気体を吹き付けて乾燥処理を行う前に，
ウェハの表面に発生したウォーターマークが，乾燥処理
後においてもそのまま残存する心配がある。
洗浄処理が終了した後に乾燥処理を行う際には，少なく
とも処理液供給機構が退避し，その後に処理気体供給機
構をウェハの上面に移動させなくてはならない。これら
供給機構の切り換えの間に，ウェハの表面に残留してい
る純水が，ウェハの回転によって自然乾燥してしまう。
そして，例えば水と空気中の酸素とウェハＷの表面のシ
リコンとが反応してＨ2Ｓｉ０3が生成され，あるいは純
水中に含まれる極く微量の酸化シリコン（Ｓｉ０2）が
ウェハの表面に析出してウォーターマークが発生する。
こうして，処理気体を吹き付けて乾燥処理を行う前に，
ウェハの表面に発生したウォーターマークが，乾燥処理
後においてもそのまま残存する心配がある。
【０００７】また，ウェハの処理ごとに，処理液供給機
構と処理気体供給機構の二つの供給機構を別々に移動さ
せるので，それににかかる時間が長くなる。このため，
ウェハの処理ごとに，これら供給機構を切り換える時間
が累積していき，その結果，洗浄処理システム全体のス
ループットが低下する心配がある。
構と処理気体供給機構の二つの供給機構を別々に移動さ
せるので，それににかかる時間が長くなる。このため，
ウェハの処理ごとに，これら供給機構を切り換える時間
が累積していき，その結果，洗浄処理システム全体のス
ループットが低下する心配がある。
【０００８】また，処理液供給機構と処理気体供給機構
の二つの供給機構を駆動するためには，少なくとも二つ
以上の駆動手段が必要になる。しかしながら，洗浄処理
装置においては，いっそうの構成の簡略化が望まれてい
る。
の二つの供給機構を駆動するためには，少なくとも二つ
以上の駆動手段が必要になる。しかしながら，洗浄処理
装置においては，いっそうの構成の簡略化が望まれてい
る。
【０００９】従って本発明の目的は，処理液供給機構と
処理気体供給機構の切り換え時間を節約でき，しかも，
これらに係る駆動手段を簡略化できる基板の処理装置及
び処理方法を提供することにある。
処理気体供給機構の切り換え時間を節約でき，しかも，
これらに係る駆動手段を簡略化できる基板の処理装置及
び処理方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに，請求項１の発明は，基板を回転自在に保持する保
持手段と，該保持手段に保持された基板の表面に１又は
２以上の処理液と処理気体を供給する供給手段を備えた
処理装置において，前記供給手段を，処理液を吐出する
処理液供給機構及び処理気体を吐出する処理気体供給機
構と，これら処理液供給機構及び処理気体供給機構を，
前記保持手段に保持された基板の上方に同時に移動させ
る移動部材で構成したことを特徴とする。
めに，請求項１の発明は，基板を回転自在に保持する保
持手段と，該保持手段に保持された基板の表面に１又は
２以上の処理液と処理気体を供給する供給手段を備えた
処理装置において，前記供給手段を，処理液を吐出する
処理液供給機構及び処理気体を吐出する処理気体供給機
構と，これら処理液供給機構及び処理気体供給機構を，
前記保持手段に保持された基板の上方に同時に移動させ
る移動部材で構成したことを特徴とする。
【００１１】この請求項１の処理装置によれば，処理装
置の保持手段に保持された基板に対して処理を行う際
に，先ず，供給手段の移動部材の移動に伴い，処理液の
処理液供給機構及び処理気体の処理気体供給機構を，基
板の上方に同時に移動させる。そして，保持手段によっ
て基板を回転させながら，処理液供給機構から処理液を
基板の表面に供給し，基板に対して所定の処理が行われ
る。処理液供給機構による処理が終了した後，直ぐに処
理気体供給機構から処理気体を基板の表面に供給し，基
板に対して所定の処理が行われる。
置の保持手段に保持された基板に対して処理を行う際
に，先ず，供給手段の移動部材の移動に伴い，処理液の
処理液供給機構及び処理気体の処理気体供給機構を，基
板の上方に同時に移動させる。そして，保持手段によっ
て基板を回転させながら，処理液供給機構から処理液を
基板の表面に供給し，基板に対して所定の処理が行われ
る。処理液供給機構による処理が終了した後，直ぐに処
理気体供給機構から処理気体を基板の表面に供給し，基
板に対して所定の処理が行われる。
【００１２】請求項１の処理装置において，請求項２に
記載したように，前記処理液供給機構の吐出口と前記処
理気体供給機構の吐出口が，前記移動部材に取り付けら
れた一つの集合ノズル体の下面にいずれも開口させるこ
とが好ましい。これにより，処理液供給機構の吐出口か
ら処理液を供給した後に，基板の処理を中断させずに直
ぐに，処理気体供給機構の吐出口から処理気体を供給で
きる。また，請求項３に記載したように，処理液供給機
構の吐出口と処理気体供給機構の吐出口が，集合ノズル
体の下面において同心円上に開口しているのも良い。こ
の場合も同様に，洗浄処理から乾燥処理への切り換えが
円滑に行われる。
記載したように，前記処理液供給機構の吐出口と前記処
理気体供給機構の吐出口が，前記移動部材に取り付けら
れた一つの集合ノズル体の下面にいずれも開口させるこ
とが好ましい。これにより，処理液供給機構の吐出口か
ら処理液を供給した後に，基板の処理を中断させずに直
ぐに，処理気体供給機構の吐出口から処理気体を供給で
きる。また，請求項３に記載したように，処理液供給機
構の吐出口と処理気体供給機構の吐出口が，集合ノズル
体の下面において同心円上に開口しているのも良い。こ
の場合も同様に，洗浄処理から乾燥処理への切り換えが
円滑に行われる。
【００１３】また，請求項４に記載したように，前記移
動部材が，水平面内で移動するアームであることが好ま
しい。この場合には，請求項５に記載したように，アー
ムが回動自在な回動アームであることが望ましい。こう
して移動部材が回動アームとして構成され，回動アーム
が基板の上方に回動するのに伴い，前記処理液供給機構
及び前記処理気体供給機構が基板の上方に円滑に移動す
ることができる。
動部材が，水平面内で移動するアームであることが好ま
しい。この場合には，請求項５に記載したように，アー
ムが回動自在な回動アームであることが望ましい。こう
して移動部材が回動アームとして構成され，回動アーム
が基板の上方に回動するのに伴い，前記処理液供給機構
及び前記処理気体供給機構が基板の上方に円滑に移動す
ることができる。
【００１４】また，請求項６の発明は，基板を回転させ
ながら処理液を供給して処理する工程と，基板を回転さ
せながら第１の処理気体を供給して処理する工程と，基
板を回転させながら第２の処理気体を供給して処理する
工程とを備えることを特徴とする。請求項６の処理方法
において，請求項７に記載したように第１の処理気体を
供給して処理する工程において，第１の処理気体と共に
第２の処理気体を供給するのが良い。こうして，基板に
対して効率の良い乾燥処理が行われる。
ながら処理液を供給して処理する工程と，基板を回転さ
せながら第１の処理気体を供給して処理する工程と，基
板を回転させながら第２の処理気体を供給して処理する
工程とを備えることを特徴とする。請求項６の処理方法
において，請求項７に記載したように第１の処理気体を
供給して処理する工程において，第１の処理気体と共に
第２の処理気体を供給するのが良い。こうして，基板に
対して効率の良い乾燥処理が行われる。
【００１５】また，請求項８に記載したように，前記第
１の処理気体は，前記処理液と混和性のある物質の蒸気
であることが好ましい。この場合には，請求項９に記載
したように，前記第２の処理気体が，前記第１の処理気
体としての前記処理液と混和性のある物質の蒸気の沸点
よりも高い温度であることが好ましい。これにより，基
板に該蒸気の成分が残留することを防止できる。
１の処理気体は，前記処理液と混和性のある物質の蒸気
であることが好ましい。この場合には，請求項９に記載
したように，前記第２の処理気体が，前記第１の処理気
体としての前記処理液と混和性のある物質の蒸気の沸点
よりも高い温度であることが好ましい。これにより，基
板に該蒸気の成分が残留することを防止できる。
【００１６】また，請求項１０に記載したように，基板
を処理する工程に際して，基板の両面に対して処理が行
われることが好ましい。このように，基板の表面を処理
する工程のみならず，基板の裏面を処理する工程を行う
ことができる。
を処理する工程に際して，基板の両面に対して処理が行
われることが好ましい。このように，基板の表面を処理
する工程のみならず，基板の裏面を処理する工程を行う
ことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明すると，本実施形態はキャリア単位でのウェハの
搬入，洗浄，乾燥，キャリア単位での搬出までを一貫し
て行うように構成された洗浄処理システムとして構成さ
れたものである。図１は，本発明の好ましい実施の形態
を説明するための洗浄処理システム１の平面図である。
て説明すると，本実施形態はキャリア単位でのウェハの
搬入，洗浄，乾燥，キャリア単位での搬出までを一貫し
て行うように構成された洗浄処理システムとして構成さ
れたものである。図１は，本発明の好ましい実施の形態
を説明するための洗浄処理システム１の平面図である。
【００１８】この洗浄処理システム１は，ウェハＷを収
納したキャリアＣを載置できる載置部２と，載置部２に
載置されたキャリアＣから洗浄前のウェハを取り出し，
また，洗浄後のウェハＷをキャリアＣに搬入する取出搬
入アーム３と，ウェハＷに対して所定の洗浄及び乾燥処
理を行う洗浄処理部４と，洗浄処理部４と取出搬入アー
ム３との間でウェハＷを搬送する搬送アーム５を備えて
いる。
納したキャリアＣを載置できる載置部２と，載置部２に
載置されたキャリアＣから洗浄前のウェハを取り出し，
また，洗浄後のウェハＷをキャリアＣに搬入する取出搬
入アーム３と，ウェハＷに対して所定の洗浄及び乾燥処
理を行う洗浄処理部４と，洗浄処理部４と取出搬入アー
ム３との間でウェハＷを搬送する搬送アーム５を備えて
いる。
【００１９】載置部２は，ウェハを２５枚収納したキャ
リアＣを４個分載置できる構成になっている。そして，
載置部２を介して，洗浄前のウェアＷをキャリアＣ単位
で洗浄処理システム１に搬入し，また，洗浄後のウェハ
ＷをキャリアＣ単位で洗浄処理システム１から搬出する
ように構成されている。
リアＣを４個分載置できる構成になっている。そして，
載置部２を介して，洗浄前のウェアＷをキャリアＣ単位
で洗浄処理システム１に搬入し，また，洗浄後のウェハ
ＷをキャリアＣ単位で洗浄処理システム１から搬出する
ように構成されている。
【００２０】取出搬入アーム３は，水平（Ｘ，Ｙ）方向
に移動すると共に，昇降自在であり，かつ鉛直軸を中心
に回転できるように構成されている そして，一枚ずつ
キャリアＣから洗浄前のウェハＷを一枚づつ取り出して
搬送アーム５に受け渡す操作を行うと共に，洗浄後のウ
ェハＷを搬送アーム５から受け取りキャリアＣに一枚ず
つ搬入する操作を行うことができるように構成されてい
る。
に移動すると共に，昇降自在であり，かつ鉛直軸を中心
に回転できるように構成されている そして，一枚ずつ
キャリアＣから洗浄前のウェハＷを一枚づつ取り出して
搬送アーム５に受け渡す操作を行うと共に，洗浄後のウ
ェハＷを搬送アーム５から受け取りキャリアＣに一枚ず
つ搬入する操作を行うことができるように構成されてい
る。
【００２１】洗浄処理部４には，搬送アーム５の搬送路
６の両側にウェハの洗浄及び乾燥処理を行う処理装置
７，８，９が順に配置され，両側で同時に処理が進行で
きるように構成されている。
６の両側にウェハの洗浄及び乾燥処理を行う処理装置
７，８，９が順に配置され，両側で同時に処理が進行で
きるように構成されている。
【００２２】搬送アーム５は，水平（Ｘ，Ｙ）方向に移
動すると共に，昇降自在であり，かつ鉛直軸を中心に回
転できるように構成されている。取出搬入アーム３との
間でウェハＷの授受ができるように構成されている。そ
して，取出搬入アーム３から受け取ったウェハＷを所定
の処理装置７，８，９にまで搬送する操作を行うと共
に，洗浄後のウェハＷを処理装置７，８，９から取り出
して洗浄処理部４から搬出し取出搬入アーム３に受け渡
す操作が行うことができる。
動すると共に，昇降自在であり，かつ鉛直軸を中心に回
転できるように構成されている。取出搬入アーム３との
間でウェハＷの授受ができるように構成されている。そ
して，取出搬入アーム３から受け取ったウェハＷを所定
の処理装置７，８，９にまで搬送する操作を行うと共
に，洗浄後のウェハＷを処理装置７，８，９から取り出
して洗浄処理部４から搬出し取出搬入アーム３に受け渡
す操作が行うことができる。
【００２３】上記のように構成される洗浄処理システム
１において，載置部２に載置されたカセットＣ内のウェ
ハＷは，取出搬入アーム３を介して搬送アーム５に受け
渡され，処理装置７，８，９に順次搬送される。すなわ
ち，ウェハＷは，まず処理装置７において，薬液成分を
主体にした処理液によって洗浄処理が行われ，その後に
純水によるリンス処理，スピンによる乾燥処理の順で処
理が行われる。処理装置７で処理されたウェハＷは続い
て，処理装置８において，処理装置７とは異なる薬液成
分を主体とした処理液によって同様に洗浄処理が行わ
れ，その後に純水によるリンス処理，スピンによる乾燥
処理の順で処理が行われる。そして，最後に処理装置９
において，純水によるリンス処理で最終洗浄され，スピ
ンによる乾燥処理が行われる。
１において，載置部２に載置されたカセットＣ内のウェ
ハＷは，取出搬入アーム３を介して搬送アーム５に受け
渡され，処理装置７，８，９に順次搬送される。すなわ
ち，ウェハＷは，まず処理装置７において，薬液成分を
主体にした処理液によって洗浄処理が行われ，その後に
純水によるリンス処理，スピンによる乾燥処理の順で処
理が行われる。処理装置７で処理されたウェハＷは続い
て，処理装置８において，処理装置７とは異なる薬液成
分を主体とした処理液によって同様に洗浄処理が行わ
れ，その後に純水によるリンス処理，スピンによる乾燥
処理の順で処理が行われる。そして，最後に処理装置９
において，純水によるリンス処理で最終洗浄され，スピ
ンによる乾燥処理が行われる。
【００２４】なお以上の配列，各処理装置の組合わせ
は，ウェハＷに対する洗浄の種類によって任意に組み合
わせることができる。例えば，ある処理装置を減じた
り，逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。
は，ウェハＷに対する洗浄の種類によって任意に組み合
わせることができる。例えば，ある処理装置を減じた
り，逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。
【００２５】次に，処理装置７，８，９の構成について
説明する。なお，本発明の実施の形態にかかる洗浄処理
システム１の処理装置７，８，９は何れも同様の構成を
備えているので，処理装置７を代表として説明する。
説明する。なお，本発明の実施の形態にかかる洗浄処理
システム１の処理装置７，８，９は何れも同様の構成を
備えているので，処理装置７を代表として説明する。
【００２６】図２は処理装置７の要部を示す断面図，図
３はその平面図である。この処理装置７のケーシング７
ａ内には，基板であるウェハＷを回転自在に保持する保
持手段としてのスピンチャック１０と，このスピンチャ
ック１０及びウェハＷの外周とそれら下方を包囲する処
理容器２０と，ウェハＷの表面に，処理液として薬液や
純水を供給すると共に，処理気体として，処理液と混和
性のある物質の蒸気としてのＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）蒸気やＮ2ガス（不活性ガス）を供給する供給
手段３０が備えられている。
３はその平面図である。この処理装置７のケーシング７
ａ内には，基板であるウェハＷを回転自在に保持する保
持手段としてのスピンチャック１０と，このスピンチャ
ック１０及びウェハＷの外周とそれら下方を包囲する処
理容器２０と，ウェハＷの表面に，処理液として薬液や
純水を供給すると共に，処理気体として，処理液と混和
性のある物質の蒸気としてのＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）蒸気やＮ2ガス（不活性ガス）を供給する供給
手段３０が備えられている。
【００２７】スピンチャック１０は，ケーシング７ａの
下方のモータ１１により回転する回転軸１２の上部に装
着される載置板１３と，この載置板１３の周縁部に垂設
された保持部１４とから構成されている。この保持部１
４は，ウェハＷを載置板１３から浮かせた状態でウェハ
Ｗの周縁部を保持するように構成されており，図３に示
すように，ウェハＷの受け渡しができるように周縁方向
の一部が切り欠かれている。
下方のモータ１１により回転する回転軸１２の上部に装
着される載置板１３と，この載置板１３の周縁部に垂設
された保持部１４とから構成されている。この保持部１
４は，ウェハＷを載置板１３から浮かせた状態でウェハ
Ｗの周縁部を保持するように構成されており，図３に示
すように，ウェハＷの受け渡しができるように周縁方向
の一部が切り欠かれている。
【００２８】また，処理容器２０内の雰囲気は、処理容
器２０の底部から、外部に設置されている真空ポンプな
どの排気手段（図示せず）によって排気される。さら
に，ウェハＷが回転する際に飛び散った処理液は，スピ
ンチャック１０の外方から，処理容器２０の底部に設け
られた排液管２１を通じて排出される。
器２０の底部から、外部に設置されている真空ポンプな
どの排気手段（図示せず）によって排気される。さら
に，ウェハＷが回転する際に飛び散った処理液は，スピ
ンチャック１０の外方から，処理容器２０の底部に設け
られた排液管２１を通じて排出される。
【００２９】供給手段３０は，集合ノズル体３１と，集
合ノズル体３１を先端に接続している移動部材としての
回動アーム３２から構成されている。
合ノズル体３１を先端に接続している移動部材としての
回動アーム３２から構成されている。
【００３０】図４に示すように，供給手段３０に備えら
れた一つの集合ノズル体３１には，薬液や純水等の処理
液を供給するための処理液供給機構として薬液供給回路
３３や純水供給回路３４が接続されている。また，第１
の処理気体としてのＩＰＡ蒸気（ＩＰＡ蒸気にＮ2ガス
を混合させた混合気体）を供給するために，第１の処理
気体供給機構としてＩＰＡ蒸気供給回路３５が接続され
ている。また，ＩＰＡ蒸気供給回路３５には，第２の処
理気体としてのＮ2ガス（不活性ガス）を供給するため
に，三方弁３６を備えたＮ2供給回路３７が接続されて
いる。また，ＩＰＡ蒸気供給回路３５の入口は，ＩＰＡ
液が貯留されているタンク３８の液面上方に開口されて
おり，このタンク３８の液面下方にはＮ2供給回路３９
が開口している。そして，ＩＰＡ蒸気の発生は，Ｎ2供
給回路３９から供給されたＮ2によりＩＰＡ液をバブリ
ングすることにより行われるようになっている。こうし
て，第１の処理気体としてのＩＰＡ蒸気と共に第２の処
理気体としてのＮ2ガスを供給することができるように
構成されている。
れた一つの集合ノズル体３１には，薬液や純水等の処理
液を供給するための処理液供給機構として薬液供給回路
３３や純水供給回路３４が接続されている。また，第１
の処理気体としてのＩＰＡ蒸気（ＩＰＡ蒸気にＮ2ガス
を混合させた混合気体）を供給するために，第１の処理
気体供給機構としてＩＰＡ蒸気供給回路３５が接続され
ている。また，ＩＰＡ蒸気供給回路３５には，第２の処
理気体としてのＮ2ガス（不活性ガス）を供給するため
に，三方弁３６を備えたＮ2供給回路３７が接続されて
いる。また，ＩＰＡ蒸気供給回路３５の入口は，ＩＰＡ
液が貯留されているタンク３８の液面上方に開口されて
おり，このタンク３８の液面下方にはＮ2供給回路３９
が開口している。そして，ＩＰＡ蒸気の発生は，Ｎ2供
給回路３９から供給されたＮ2によりＩＰＡ液をバブリ
ングすることにより行われるようになっている。こうし
て，第１の処理気体としてのＩＰＡ蒸気と共に第２の処
理気体としてのＮ2ガスを供給することができるように
構成されている。
【００３１】また，薬液を吐出する薬液供給回路３３の
吐出口４０や純水を吐出する純水供給回路３４の吐出口
４１及びＩＰＡ蒸気を吐出するＩＰＡ蒸気供給回路３５
の吐出口４２は，集合ノズル体３１の下面４３に何れも
開口するように構成されている。即ち，図５に示すよう
に，集合ノズル体３１の下面４３には，中央に円形の吐
出口４２が設けられており，吐出口４２からはＩＰＡ蒸
気供給回路３５により供給されたＩＰＡ蒸気が吐出され
るように構成されている。また，吐出口４２を囲むよう
な形で左右対称に吐出口４０，吐出口４１がそれぞれ設
けられており，吐出口４０からは薬液供給回路３４によ
り供給された薬液，吐出口４１からは純水供給回路３４
により供給された純水がそれぞれ吐出されるように構成
されている。本実施例では，第１の処理気体としてのＩ
ＰＡ蒸気の供給を図示したが，ＩＰＡ蒸気による乾燥処
理が必要でない場合には，タンク３８にＩＰＡ液を貯留
させずにＮ2ガスをそのままＩＰＡ蒸気供給回路３５に
流入させても良い。
吐出口４０や純水を吐出する純水供給回路３４の吐出口
４１及びＩＰＡ蒸気を吐出するＩＰＡ蒸気供給回路３５
の吐出口４２は，集合ノズル体３１の下面４３に何れも
開口するように構成されている。即ち，図５に示すよう
に，集合ノズル体３１の下面４３には，中央に円形の吐
出口４２が設けられており，吐出口４２からはＩＰＡ蒸
気供給回路３５により供給されたＩＰＡ蒸気が吐出され
るように構成されている。また，吐出口４２を囲むよう
な形で左右対称に吐出口４０，吐出口４１がそれぞれ設
けられており，吐出口４０からは薬液供給回路３４によ
り供給された薬液，吐出口４１からは純水供給回路３４
により供給された純水がそれぞれ吐出されるように構成
されている。本実施例では，第１の処理気体としてのＩ
ＰＡ蒸気の供給を図示したが，ＩＰＡ蒸気による乾燥処
理が必要でない場合には，タンク３８にＩＰＡ液を貯留
させずにＮ2ガスをそのままＩＰＡ蒸気供給回路３５に
流入させても良い。
【００３２】また，図２に示すように，回動アーム３２
は，処理容器２０の外側に鉛直に設けられた回転軸５０
の上部に水平姿勢で固定されおり，回転軸５０は回転機
構５１に接続されている。そして，図３で示すように，
回転機構５１の駆動によって，垂直軸回りに回動アーム
３２が水平面内で矢印（θ）方向に回動するように構成
されている。図３の実線で示した回動アーム３２は，回
転機構５１の駆動によって，ウェハＷの上方において，
ウェハＷの中心部付近に移動した状態を示している。一
方，図３で二点鎖線で示した回動アーム３２’は，回転
機構５１の駆動によって，処理容器２０よりも外側の待
機位置に移動した状態を示している。こうして，回動ア
ーム３２をこれらの間を移動させることにより，ウェハ
Ｗの処理を行う際には，集合ノズル体３１をウェハＷの
上方において図３中の実線で示した集合ノズル体３１の
位置まで移動させ，ウェハＷの処理の終了後には，集合
ノズル体３１をウェハＷの上方から図３中の二点鎖線で
示した集合ノズル体３１’の位置まで退避させるように
なっている。また，回動アーム３２がウェハＷの上方に
移動するのに伴い，集合ノズル体３１に接続された薬液
供給回路３３や純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸気供給回
路３５を，スピンチャック１０に保持されたウェハＷの
上方に同時に移動させることができるように構成されて
いる。
は，処理容器２０の外側に鉛直に設けられた回転軸５０
の上部に水平姿勢で固定されおり，回転軸５０は回転機
構５１に接続されている。そして，図３で示すように，
回転機構５１の駆動によって，垂直軸回りに回動アーム
３２が水平面内で矢印（θ）方向に回動するように構成
されている。図３の実線で示した回動アーム３２は，回
転機構５１の駆動によって，ウェハＷの上方において，
ウェハＷの中心部付近に移動した状態を示している。一
方，図３で二点鎖線で示した回動アーム３２’は，回転
機構５１の駆動によって，処理容器２０よりも外側の待
機位置に移動した状態を示している。こうして，回動ア
ーム３２をこれらの間を移動させることにより，ウェハ
Ｗの処理を行う際には，集合ノズル体３１をウェハＷの
上方において図３中の実線で示した集合ノズル体３１の
位置まで移動させ，ウェハＷの処理の終了後には，集合
ノズル体３１をウェハＷの上方から図３中の二点鎖線で
示した集合ノズル体３１’の位置まで退避させるように
なっている。また，回動アーム３２がウェハＷの上方に
移動するのに伴い，集合ノズル体３１に接続された薬液
供給回路３３や純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸気供給回
路３５を，スピンチャック１０に保持されたウェハＷの
上方に同時に移動させることができるように構成されて
いる。
【００３３】また，図３中の二点鎖線で示した回動アー
ム３２”は，回転機構５１の駆動によって，ウェハＷの
上方において，ウェハＷの周縁部付近に移動した状態を
示している。これに伴い，集合ノズル体３１も図３中の
二点鎖線で示した集合ノズル体３１”の位置まで移動
し，薬液供給回路３３や純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸
気供給回路３５も同時にウェハＷの周縁部付近に移動す
る。こうして，ウェハＷの処理中にウェハＷを回転させ
ながら，回動アーム３２によって，薬液供給回路３３や
純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸気供給回路３５をウェハ
Ｗの中心部付近から周縁部付近の間を往復移動させ，ウ
ェハＷの表面全体の隅々まで薬液や純水及びＩＰＡ蒸気
等の供給を行える構成になっている。
ム３２”は，回転機構５１の駆動によって，ウェハＷの
上方において，ウェハＷの周縁部付近に移動した状態を
示している。これに伴い，集合ノズル体３１も図３中の
二点鎖線で示した集合ノズル体３１”の位置まで移動
し，薬液供給回路３３や純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸
気供給回路３５も同時にウェハＷの周縁部付近に移動す
る。こうして，ウェハＷの処理中にウェハＷを回転させ
ながら，回動アーム３２によって，薬液供給回路３３や
純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸気供給回路３５をウェハ
Ｗの中心部付近から周縁部付近の間を往復移動させ，ウ
ェハＷの表面全体の隅々まで薬液や純水及びＩＰＡ蒸気
等の供給を行える構成になっている。
【００３４】なお，その他，処理装置８，９も処理装置
７と同様な構成を備えているので詳細な説明な省略す
る。
７と同様な構成を備えているので詳細な説明な省略す
る。
【００３５】次に，以上のように構成された洗浄処理シ
ステム１において行われるウェハＷの処理を説明する。
まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていない
ウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを載置
部２に載置する。そして，この載置部２に載置されたキ
ャリアＣからウェハＷが取り出され，取出搬入アーム３
を介して搬送アーム５に受け渡され，ウェハＷは処理装
置７，８，９に順次搬送される。こうして，ウェハＷの
表面に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純
物質を除去するための洗浄を行う。
ステム１において行われるウェハＷの処理を説明する。
まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていない
ウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを載置
部２に載置する。そして，この載置部２に載置されたキ
ャリアＣからウェハＷが取り出され，取出搬入アーム３
を介して搬送アーム５に受け渡され，ウェハＷは処理装
置７，８，９に順次搬送される。こうして，ウェハＷの
表面に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純
物質を除去するための洗浄を行う。
【００３６】ここで，代表して処理装置７での洗浄処理
を説明する。先に図２で説明したようにスピンチャック
１０の載置板１３上にウェハＷが載置され保持される。
そして，モータ１１の駆動によってスピンチャック１０
が所定の回転数で回転する。また，それと同時に，先に
図３で説明したように，回転機構５１の駆動によって，
回動アーム３２を回動させ，集合ノズル体３１を待機位
置からウェハＷの上方に移動させる。これに伴い，薬液
供給回路３３や純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸気供給回
路３５をスピンチャック１０に保持されたウェハＷの上
方に同時に移動させる。
を説明する。先に図２で説明したようにスピンチャック
１０の載置板１３上にウェハＷが載置され保持される。
そして，モータ１１の駆動によってスピンチャック１０
が所定の回転数で回転する。また，それと同時に，先に
図３で説明したように，回転機構５１の駆動によって，
回動アーム３２を回動させ，集合ノズル体３１を待機位
置からウェハＷの上方に移動させる。これに伴い，薬液
供給回路３３や純水供給回路３４及びＩＰＡ蒸気供給回
路３５をスピンチャック１０に保持されたウェハＷの上
方に同時に移動させる。
【００３７】続いて，ウェハＷに対して洗浄処理が開始
される。先ず，先に図５で説明したように，集合ノズル
体３１は，薬液供給回路３３により供給された薬液を吐
出口４０から吐出する。そして，ウェハＷを回転させな
がら薬液を供給して洗浄処理を行う。所定の時間が経過
した後，吐出口４０からの薬液の吐出が停止し，薬液に
よる洗浄処理が終了する。次に，集合ノズル体３１は，
純水供給回路３４により供給された純水を吐出口４１か
ら吐出する。そして，ウェハＷを回転させながら純水を
供給してリンス処理を行う。所定の時間が経過した後，
吐出口４１からの純水の吐出が停止し，純水によるリン
ス処理が終了する。
される。先ず，先に図５で説明したように，集合ノズル
体３１は，薬液供給回路３３により供給された薬液を吐
出口４０から吐出する。そして，ウェハＷを回転させな
がら薬液を供給して洗浄処理を行う。所定の時間が経過
した後，吐出口４０からの薬液の吐出が停止し，薬液に
よる洗浄処理が終了する。次に，集合ノズル体３１は，
純水供給回路３４により供給された純水を吐出口４１か
ら吐出する。そして，ウェハＷを回転させながら純水を
供給してリンス処理を行う。所定の時間が経過した後，
吐出口４１からの純水の吐出が停止し，純水によるリン
ス処理が終了する。
【００３８】次に，集合ノズル体３１はそのままウェハ
Ｗの上方に位置した状態で，ＩＰＡ蒸気供給回路３５に
より供給された第１の処理気体としてのＩＰＡ蒸気（Ｉ
ＰＡ蒸気にＮ2ガスを混合させた混合気体）を吐出口４
２から吐出する。そして，ウェハＷを回転させながらＩ
ＰＡ蒸気を供給してウェハＷの表面に残留した純水の乾
燥処理が行われる。ウェハＷの表面に供給されたＩＰＡ
蒸気は，マラゴニー効果を生じさせ，スピンチャック１
０の回転によってウェハＷの表面から効果的に純水が除
去される。所定の時間が経過した後，ＩＰＡ蒸気の供給
を中止させる。その後，三方弁３６を切換操作すること
によって集合ノズル体３１は，Ｎ2供給回路３７から供
給された第２の処理気体としてのＮ2ガスを吐出口４２
から吐出する。そして，ウェハＷを回転させながらＮ2
ガスのみを供給して乾燥処理が行われる。ＩＰＡ蒸気に
はカーボン等のパーティクル成分が含まれており，この
ように，ＩＰＡ蒸気にＮ2ガスを混合させた混合気体に
よる乾燥処理の後に，Ｎ2ガスのみによる乾燥処理の工
程を付加することにより，ウェハＷの表面に残留してい
るパーティクル成分をウェハＷの表面から除去できる。
この際には，Ｎ2ガスを高温とすると，もしもウェハＷ
の表面にＩＰＡ成分が残留していたとしても，Ｎ2ガス
の熱でＩＰＡの残留成分を蒸発させて除去できる。この
場合のＮ2ガスの温度としては，ＩＰＡ蒸気の沸点より
も高い温度で行うのが効果的である。
Ｗの上方に位置した状態で，ＩＰＡ蒸気供給回路３５に
より供給された第１の処理気体としてのＩＰＡ蒸気（Ｉ
ＰＡ蒸気にＮ2ガスを混合させた混合気体）を吐出口４
２から吐出する。そして，ウェハＷを回転させながらＩ
ＰＡ蒸気を供給してウェハＷの表面に残留した純水の乾
燥処理が行われる。ウェハＷの表面に供給されたＩＰＡ
蒸気は，マラゴニー効果を生じさせ，スピンチャック１
０の回転によってウェハＷの表面から効果的に純水が除
去される。所定の時間が経過した後，ＩＰＡ蒸気の供給
を中止させる。その後，三方弁３６を切換操作すること
によって集合ノズル体３１は，Ｎ2供給回路３７から供
給された第２の処理気体としてのＮ2ガスを吐出口４２
から吐出する。そして，ウェハＷを回転させながらＮ2
ガスのみを供給して乾燥処理が行われる。ＩＰＡ蒸気に
はカーボン等のパーティクル成分が含まれており，この
ように，ＩＰＡ蒸気にＮ2ガスを混合させた混合気体に
よる乾燥処理の後に，Ｎ2ガスのみによる乾燥処理の工
程を付加することにより，ウェハＷの表面に残留してい
るパーティクル成分をウェハＷの表面から除去できる。
この際には，Ｎ2ガスを高温とすると，もしもウェハＷ
の表面にＩＰＡ成分が残留していたとしても，Ｎ2ガス
の熱でＩＰＡの残留成分を蒸発させて除去できる。この
場合のＮ2ガスの温度としては，ＩＰＡ蒸気の沸点より
も高い温度で行うのが効果的である。
【００３９】その後，所定の処理工程が終了したウェハ
Ｗは処理装置７から搬出され，次の処理装置８へ搬送さ
れる。そして，処理装置８においても同様の洗浄処理が
行われ，最後にウェハＷは処理装置９において，純水で
最終洗浄され乾燥される。こうして，洗浄処理部４での
処理工程が終了したウェハＷは再びキャリアＣに収納さ
れ，続いて，残りの２４枚のウェハＷに対しても一枚づ
つ同様な処理が行われていく。こうして，２５枚のウェ
ハＷの処理が終了すると，キャリアＣ単位で洗浄処理シ
ステム１外に搬出される。
Ｗは処理装置７から搬出され，次の処理装置８へ搬送さ
れる。そして，処理装置８においても同様の洗浄処理が
行われ，最後にウェハＷは処理装置９において，純水で
最終洗浄され乾燥される。こうして，洗浄処理部４での
処理工程が終了したウェハＷは再びキャリアＣに収納さ
れ，続いて，残りの２４枚のウェハＷに対しても一枚づ
つ同様な処理が行われていく。こうして，２５枚のウェ
ハＷの処理が終了すると，キャリアＣ単位で洗浄処理シ
ステム１外に搬出される。
【００４０】かくして，本発明の実施の形態の処理装置
７，８，９によれば，洗浄処理と乾燥処理を一つの供給
手段３０で行えることができ，洗浄処理と乾燥処理の切
り換えに係る時間が節約でき，その間の自然乾燥による
ウェーターマークの発生を防止し，かつ，装置自体の簡
略化が可能となる。また，ＩＰＡ蒸気にＮ2ガスを混合
した混合気体を供給して乾燥処理をする工程の後に，Ｎ
2ガスのみを供給して乾燥処理をする工程を付加するこ
とにより，カーボン等のコンタミネーションがウェハＷ
に表面に残留することを防止できる。従って，乾燥不良
による製造の悪影響を排除することが可能となる。その
結果，半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ，
その生産性を向上することができるようになる。なお，
一例としてウェハＷを処理する処理装置７，８，９につ
いて主たる説明を行ったが，本発明は，ＬＣＤ基板の如
き他の基板を扱う処理装置などに適応させることも可能
である。
７，８，９によれば，洗浄処理と乾燥処理を一つの供給
手段３０で行えることができ，洗浄処理と乾燥処理の切
り換えに係る時間が節約でき，その間の自然乾燥による
ウェーターマークの発生を防止し，かつ，装置自体の簡
略化が可能となる。また，ＩＰＡ蒸気にＮ2ガスを混合
した混合気体を供給して乾燥処理をする工程の後に，Ｎ
2ガスのみを供給して乾燥処理をする工程を付加するこ
とにより，カーボン等のコンタミネーションがウェハＷ
に表面に残留することを防止できる。従って，乾燥不良
による製造の悪影響を排除することが可能となる。その
結果，半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ，
その生産性を向上することができるようになる。なお，
一例としてウェハＷを処理する処理装置７，８，９につ
いて主たる説明を行ったが，本発明は，ＬＣＤ基板の如
き他の基板を扱う処理装置などに適応させることも可能
である。
【００４１】なお，本発明の実施の形態においては，集
合ノズル体３１において，処理液を吐出する薬液供給回
路３３の吐出口４０や純水供給回路３４の吐出口４１及
び処理気体を吐出するＩＰＡ蒸気供給回路３５の吐出口
４２が，集合ノズル体３１の下面４３に何れも開口する
ように構成した場合について説明したが，これら吐出口
が集合ノズル４０の下面４３において同心円上に開口し
ても良い。図６に示す実施の形態では，集合ノズル体３
１の下面４３の中央の吐出口６０を中心に，外側へ吐出
口６１，６２が順に同心円状に設けられている。そし
て，吐出口６０からは処理液として薬液が吐出されるよ
うに構成されている。また，吐出口６０の外側を囲むよ
うに設けられた吐出口６１からは処理液として純水が吐
出するように構成されている。また，吐出口６１の外側
を囲むように設けられ吐出口６２からは処理気体として
ＩＰＡ蒸気とＮ2ガスが吐出するように構成されてい
る。このような構成においても，処理が途中で中断する
ことが無く，洗浄処理から乾燥処理への切り換えを円滑
に行うことができる。なお，図６で示す集合ノズル体３
１の下面４３では，それぞれ供給回路の吐出口を集合ノ
ズル体３１の下面４３に同心円上に設けた以外は，先に
図５で説明した集合ノズル体３１の下面４３と同様の構
成を有しているので，その他の構成要素については説明
を省略する。
合ノズル体３１において，処理液を吐出する薬液供給回
路３３の吐出口４０や純水供給回路３４の吐出口４１及
び処理気体を吐出するＩＰＡ蒸気供給回路３５の吐出口
４２が，集合ノズル体３１の下面４３に何れも開口する
ように構成した場合について説明したが，これら吐出口
が集合ノズル４０の下面４３において同心円上に開口し
ても良い。図６に示す実施の形態では，集合ノズル体３
１の下面４３の中央の吐出口６０を中心に，外側へ吐出
口６１，６２が順に同心円状に設けられている。そし
て，吐出口６０からは処理液として薬液が吐出されるよ
うに構成されている。また，吐出口６０の外側を囲むよ
うに設けられた吐出口６１からは処理液として純水が吐
出するように構成されている。また，吐出口６１の外側
を囲むように設けられ吐出口６２からは処理気体として
ＩＰＡ蒸気とＮ2ガスが吐出するように構成されてい
る。このような構成においても，処理が途中で中断する
ことが無く，洗浄処理から乾燥処理への切り換えを円滑
に行うことができる。なお，図６で示す集合ノズル体３
１の下面４３では，それぞれ供給回路の吐出口を集合ノ
ズル体３１の下面４３に同心円上に設けた以外は，先に
図５で説明した集合ノズル体３１の下面４３と同様の構
成を有しているので，その他の構成要素については説明
を省略する。
【００４２】また，集合ノズル体３１において，処理液
を吐出する薬液供給回路３３の吐出口４０や純水供給回
路３４の吐出口４１及び処理気体を吐出するＩＰＡ蒸気
供給回路３５の吐出口４２を別個に設けても良い。図７
に示す実施の形態では，薬液供給回路３３の吐出口６３
や純水供給回路３４の吐出口６５及びＩＰＡ蒸気供給回
路３５の吐出口６５を集合ノズル体３１の下方にそれぞ
れ別々に吐出させて設けるように構成されている。この
ような構成においても，処理が途中で中断することが無
く，洗浄処理から乾燥処理への切り換えが円滑に行うこ
とができる。
を吐出する薬液供給回路３３の吐出口４０や純水供給回
路３４の吐出口４１及び処理気体を吐出するＩＰＡ蒸気
供給回路３５の吐出口４２を別個に設けても良い。図７
に示す実施の形態では，薬液供給回路３３の吐出口６３
や純水供給回路３４の吐出口６５及びＩＰＡ蒸気供給回
路３５の吐出口６５を集合ノズル体３１の下方にそれぞ
れ別々に吐出させて設けるように構成されている。この
ような構成においても，処理が途中で中断することが無
く，洗浄処理から乾燥処理への切り換えが円滑に行うこ
とができる。
【００４３】また，集合ノズル体３１において，処理気
体供給機構としてのＮ2供給回路を新たにもう一つ設け
ても良い。図８に示す実施の形態では，ＩＰＡ蒸気を供
給する回路を接続していないＮ2供給回路６５を新たに
集合ノズル体３１に接続するように構成させる。また，
図９に示すように，集合ノズル体３１の下面４３には，
第１の処理気体としてのＩＰＡ蒸気（ＩＰＡ蒸気にＮ2
ガスを混合させた混合気体）を吐出する円形状の吐出口
６６と，第２の処理気体としてのＮ2ガスのみを吐出す
る吐出口６７と，これらの左側に薬液を吐出する吐出口
６８と，これらの右側に純水を吐出する吐出６９を設け
るように構成させる。そして，ウェハＷの処理を行う際
には，先ず，吐出口６８から薬液を吐出して，ウェハＷ
を回転させながら薬液を供給して洗浄処理をする工程が
行われ，次に，吐出口６９から純水を吐出して，ウェハ
Ｗを回転させながら純水を供給してリンス処理をする工
程が行われる。続いて，集合ノズル体３１がそのままウ
ェハＷの上方に位置した状態で，吐出口６６からＩＰＡ
蒸気を吐出して，ウェハＷを回転させながらＩＰＡ蒸気
を供給して乾燥処理をする工程が行われ，次に，Ｎ2供
給回路６５から流れ込んでくるＮ2ガスを吐出口６７か
ら吐出して，ウェハＷを回転させながらＮ2ガスのみを
供給して乾燥処理をする工程を付加することができる。
こうして，ＩＰＡ成分が回路内に残留し易いＩＰＡ蒸気
供給回路３５からＮ2ガスのみを供給して乾燥処理をす
る工程を，ＩＰＡ成分が回路内に全く存在しないＮ2供
給回路６５からＮ2ガスのみを供給して乾燥処理をする
工程に置き換えることにより，ウェハＷの表面に残留し
ているＩＰＡ成分をウェハＷの表面から効果的に除去で
きる。
体供給機構としてのＮ2供給回路を新たにもう一つ設け
ても良い。図８に示す実施の形態では，ＩＰＡ蒸気を供
給する回路を接続していないＮ2供給回路６５を新たに
集合ノズル体３１に接続するように構成させる。また，
図９に示すように，集合ノズル体３１の下面４３には，
第１の処理気体としてのＩＰＡ蒸気（ＩＰＡ蒸気にＮ2
ガスを混合させた混合気体）を吐出する円形状の吐出口
６６と，第２の処理気体としてのＮ2ガスのみを吐出す
る吐出口６７と，これらの左側に薬液を吐出する吐出口
６８と，これらの右側に純水を吐出する吐出６９を設け
るように構成させる。そして，ウェハＷの処理を行う際
には，先ず，吐出口６８から薬液を吐出して，ウェハＷ
を回転させながら薬液を供給して洗浄処理をする工程が
行われ，次に，吐出口６９から純水を吐出して，ウェハ
Ｗを回転させながら純水を供給してリンス処理をする工
程が行われる。続いて，集合ノズル体３１がそのままウ
ェハＷの上方に位置した状態で，吐出口６６からＩＰＡ
蒸気を吐出して，ウェハＷを回転させながらＩＰＡ蒸気
を供給して乾燥処理をする工程が行われ，次に，Ｎ2供
給回路６５から流れ込んでくるＮ2ガスを吐出口６７か
ら吐出して，ウェハＷを回転させながらＮ2ガスのみを
供給して乾燥処理をする工程を付加することができる。
こうして，ＩＰＡ成分が回路内に残留し易いＩＰＡ蒸気
供給回路３５からＮ2ガスのみを供給して乾燥処理をす
る工程を，ＩＰＡ成分が回路内に全く存在しないＮ2供
給回路６５からＮ2ガスのみを供給して乾燥処理をする
工程に置き換えることにより，ウェハＷの表面に残留し
ているＩＰＡ成分をウェハＷの表面から効果的に除去で
きる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば，処理液供給機構と処理
気体供給機構の切り換え時間を節約でき，しかも，これ
らに係る駆動手段を簡略化することにより，乾燥不良に
よる製造の悪影響の抑制及び処理の稼働効率の向上が可
能となり，かつ，処理装置自体の複雑化を抑制すること
が可能となる。従って，例えば半導体デバイスの製造に
おける生産性を向上することができるようになる。
気体供給機構の切り換え時間を節約でき，しかも，これ
らに係る駆動手段を簡略化することにより，乾燥不良に
よる製造の悪影響の抑制及び処理の稼働効率の向上が可
能となり，かつ，処理装置自体の複雑化を抑制すること
が可能となる。従って，例えば半導体デバイスの製造に
おける生産性を向上することができるようになる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理装置を備えた
洗浄処理システムの平面図である。
洗浄処理システムの平面図である。
【図２】洗浄処理装置の断面図である。
【図３】洗浄処理装置の平面図である。
【図４】集合ノズル体の斜視図である。
【図５】集合ノズル体の下面の底面図である。
【図６】集合ノズル体の下面に同心円状に薬液供給回路
の吐出口や純水供給回路の吐出口及び処理気体供給回路
の吐出口を設けた場合の底面図である。
の吐出口や純水供給回路の吐出口及び処理気体供給回路
の吐出口を設けた場合の底面図である。
【図７】集合ノズル体に薬液供給回路の吐出口や純水供
給回路の吐出口及び処理気体供給回路の吐出口を別々に
設けた場合の集合ノズル体の斜視図である。
給回路の吐出口及び処理気体供給回路の吐出口を別々に
設けた場合の集合ノズル体の斜視図である。
【図８】集合ノズル体にＮ2供給回路を新たに一つ付加
した場合の集合ノズル体の斜視図である。
した場合の集合ノズル体の斜視図である。
【図９】集合ノズル体にＮ2供給回路を新たに一つ付加
した場合の集合ノズル体の下面の底面図である。
した場合の集合ノズル体の下面の底面図である。
Ｗ ウェハ １ 洗浄処理システム ７，８，９ 処理装置 １０ スピンチャック ３０ 供給手段 ３１ 集合ノズル体 ３２ 回動アーム ３３ 薬液供給回路 ３４ 純水供給回路 ３５ Ｎ2供給回路 ３７ ＩＰＡ蒸気供給回路 ４０，４１，４２ 吐出口 ４３ 下面
Claims (10)
- 【請求項１】 基板を回転自在に保持する保持手段と，
該保持手段に保持された基板の表面に１又は２以上の処
理液と処理気体を供給する供給手段を備えた処理装置に
おいて，前記供給手段を，処理液を吐出する処理液供給
機構及び処理気体を吐出する処理気体供給機構と，これ
ら処理液供給機構及び処理気体供給機構を，前記保持手
段に保持された基板の上方に同時に移動させる移動部材
で構成したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 前記処理液供給機構の吐出口と前記処理
気体供給機構の吐出口が，前記移動部材に取り付けられ
た一つの集合ノズル体の下面にいずれも開口しているこ
とを特徴とする請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 前記処理液供給機構の吐出口と前記処理
気体供給機構の吐出口が，前記集合ノズル体の下面にお
いて同心円上に開口していることを特徴とする請求項２
に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記移動部材が，水平面内で移動するア
ームであることを特徴とする請求項１，２又は３のいず
れかに記載の処理装置。 - 【請求項５】 前記アームが，回動自在な回動アームで
あることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。 - 【請求項６】 基板を回転させながら処理液を供給して
処理する工程と，基板を回転させながら第１の処理気体
を供給して処理する工程と，基板を回転させながら第２
の処理気体を供給して処理する工程とを備えることを特
徴とする処理方法。 - 【請求項７】 前記第１の処理気体を供給して処理する
工程において，前記第１の処理気体と共に前記第２の処
理気体を供給することを特徴とする請求項６に記載の処
理方法。 - 【請求項８】 前記第１の処理気体は，前記処理液と混
和性のある物質の蒸気であることを特徴とする請求項６
又は７に記載の処理方法。 - 【請求項９】 前記第２の処理気体が，前記第１の処理
気体としての前記処理液と混和性のある物質の蒸気の沸
点よりも高い温度であることを特徴とする請求項８に記
載の処理方法。 - 【請求項１０】 基板を処理する工程に際して，基板の
両面に対して処理が行われることを特徴とする請求項
６，７，８又は９のいずれかに記載の処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15443597A JPH10335298A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 処理装置及び処理方法 |
| US09/084,319 US6247479B1 (en) | 1997-05-27 | 1998-05-26 | Washing/drying process apparatus and washing/drying process method |
| TW087108185A TW402737B (en) | 1997-05-27 | 1998-05-26 | Cleaning/drying device and method |
| KR1019980019186A KR100626959B1 (ko) | 1997-05-27 | 1998-05-27 | 세정건조처리장치및세정건조처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15443597A JPH10335298A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335298A true JPH10335298A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15584138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15443597A Pending JPH10335298A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335298A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008060104A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
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| JP2022018192A (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法およびノズル |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP15443597A patent/JPH10335298A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030311 |