JP4787038B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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そこで、この発明の目的は、蒸気による基板処理および処理液による基板処理を同一処理チャンバ(処理ユニット)内で行うことができるようにして、基板処理のスループットを高めたり、可能な処理の種類を増やしたりすることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
そして、処理液によって基板を処理した後には、基板保持回転機構によって基板を所定の乾燥回転速度で回転させることにより、基板表面の液成分を振り切ることができる。
前記処理液ノズルは、遮断部材とともに保持されていてもよく、遮断部材とは別に保持されていてもよい。また、処理液ノズルの種類は、処理液を連続的に吐出するストレートノズルであってもよいし、処理液と気体とを混合して液滴噴流を形成し、この液滴噴流を基板に向けて供給する二流体スプレーノズルであってもよい。また、処理液ノズルは、基板に処理液を供給している期間中、処理液の基板上における着液位置が固定される固定ノズルであってもよいし、着液位置が基板上で変化する移動ノズルであってもよい。
請求項2記載の発明は、前記遮断部材位置変更機構に取り付けられており、前記遮断部材の側方および上方を覆う密閉部材(80)をさらに含む、請求項1記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ホットプレートによって基板を加熱(室温以上の温度に加熱)することができるので、基板の温度を蒸気による処理や処理液による処理に適した温度に制御することができる。これにより、基板処理を良好な温度条件下で進行させることができる。
この構成によれば、遠心力によって回転半径外方側に振り切られる処理液が飛散防止部材によって受け止められるので、基板処理装置内(処理チャンバ内)の各部が処理液で汚染されることを抑制または防止できる。また、処理液が飛散防止部材(包囲部材)に受け止められて流下した際に、包囲部材の内壁に付着している蒸気成分を洗い流すことができる。
この構成によれば、基板から流下したり飛散したりした処理液を包囲部材外に排液することができるので、清浄な環境中で基板を処理できる。排液された処理液は、回収して再利用するようにしてもよいし、廃棄することとしてもよい。
請求項8記載の発明は、基板保持回転機構(21)によって基板(W)を保持して回転させる基板保持回転工程と、前記基板保持回転機構に保持された基板の表面に対向する基板対向面(36)を有する遮断部材(30)を、前記基板に接近した所定の処理位置に配置し、前記基板保持回転機構を取り囲む包囲部材(69)とともに、当該基板を取り囲む実質的な閉空間を形成する工程と、前記基板保持回転工程と並行して、前記閉空間が形成された状態で、前記遮断部材の前記基板対向面に形成された複数の蒸気吹き出し孔(37)から前記基板の表面に向けて蒸気を吹き出させる蒸気吹き出し工程と、前記蒸気吹き出し工程と並行して、前記基板保持回転機構に保持された基板の表面にほぼ直交する回転軸線まわりに前記遮断部材を回転させる工程と、前記蒸気吹き出し工程と並行して、前記閉空間を排気する排気工程と、前記基板保持回転機構に保持された基板に処理液を供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法である。この方法により、請求項1の発明に関連して説明した効果を奏することができる。むろん、この方法の発明に関しても、基板処理装置の発明の場合と同様の変形を施すことができる。
たとえば、請求項9に記載されているように、前記閉空間を形成する工程は、前記遮断部材を前記基板保持回転機構に保持された基板に対して相対的に接近/離反させる遮断部材位置変更機構に取り付けられた密閉部材によって前記遮断部材の側方および上方を覆う工程を含む工程であってもよい。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板に代表される基板Wに対して蒸気や処理液などによる処理を施すための枚葉式の装置である。
この基板処理装置は、基板Wに対して処理を施す基板処理部1と、この基板処理部1に結合されたインデクサ部2と、処理流体(液体または気体)の供給/排出のための構成を収容した処理流体ボックス3,4とを備えている。
基板搬送ロボット10は、インデクサロボット7から未処理の基板Wを受け取ることができ、かつ処理済の基板Wをインデクサロボット7に受け渡すことができる。また、基板搬送ロボット10は、処理ユニット11〜14にアクセスすることができ、これらとの間で相互に基板Wの受け渡しを行うことができるようになっている。
図2は処理ユニット11の図解的な断面図である。処理ユニット11は、基板Wを水平に保持するとともに基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるための基板保持回転機構としてのスピンチャック21を備えている。スピンチャック21は、チャック回転駆動機構(この実施形態では中空型モータ)24によって回転される回転軸25の上端に円盤状のスピンベース22を固定して構成されている。このスピンベース22上に、基板Wが、吸着方式または挟持部材による挟持方式によって保持されるようになっている。スピンベース22の内部には、加熱手段としてのヒータ23が埋設されている。このヒータ23に通電することによって、スピンベース22は、その上面に保持された基板Wを加熱するためのホットプレートとして機能する。
このスプラッシュガード70には、ボールねじ機構等で構成されたスプラッシュガード昇降駆動機構74が接続されている。スプラッシュガード昇降駆動機構74は、スプラッシュガード70を、回収液案内部72がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置(図示せず)と、排液案内溝71がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する排液位置(図2に示す位置)との間で上下動させる。
インデクサロボット7は、メイン制御部90によって制御されることにより、未処理の1枚の基板WをカセットCから搬出して基板搬送ロボット10に受け渡すとともに、処理済みの基板Wを基板搬送ロボット10から受け取ってカセットCに搬入するように動作する。基板搬送ロボット10は、メイン制御部90によって制御されることにより、インデクサロボット7から受け取った未処理の基板Wを処理ユニット11〜14に搬入するとともに、処理済みの基板Wを処理ユニット11〜14から受け取ってインデクサロボット7に受け渡すように動作する。メイン制御部90は、処理ユニット11〜14のローカル制御部91との通信を介して、各処理ユニット11〜14における基板処理状況を監視する。そして、メイン制御部90は、未処理の新たな基板Wを処理可能な状態にあるいずれかの処理ユニット11〜14を特定し、その処理ユニットに対して未処理基板Wが搬入されるように、基板搬送ロボット10の動作を制御し、処理ユニット11〜14における基板待機時間を最短化して、最大効率での基板処理を図る。
こうして、所定時間に渡ってふっ酸蒸気による基板Wの処理が行われると(ステップS7)、次に、ローカル制御部91は、窒素ガスバルブ49,51および蒸気バルブ45を閉じて、蒸気の供給を停止する(ステップS8)。さらに、ローカル制御部91は、遮断板回転駆動機構32を制御して遮断板30の回転を停止させ、遮断板昇降駆動機構31を制御して、遮断板30を基板Wから上方に離隔した退避位置へと退避させる(ステップS9)。これにより、遮断板30および密閉部材80が上昇し、遮断板30と基板Wとの間に、処理液ノズル75が入り込むことができる空間が確保される。
さらに、ローカル制御部91は、処理液バルブ39を開いて、遮断板30に挿通された処理液供給管35から、基板W上面の回転中心にむけてリンス液(脱イオン水)を供給させる(ステップS13)。また、ローカル制御部91は、遮断板昇降駆動機構31を制御して遮断板30を基板W上面に接近した処理位置に導くとともに、遮断板回転駆動機構32を制御して、遮断板30を基板Wと同方向または逆方向に回転させる(ステップS14)。また、ローカル制御部91は、窒素ガスバルブ49を開くことにより、遮断板30の蒸気吹き出し孔37から、基板Wの上面に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを吹き出させる(ステップS15)。こうして、窒素ガス雰囲気中で、基板W表面のリンス処理が行われる。
以上のように、この実施形態によれば、処理容器69内に配置されたスピンチャック21の上方に上下動可能に設けられた遮断板30から蒸気を供給する構成により、遮断板30を基板Wに接近させて蒸気による基板処理を行うことができるとともに、遮断板30を基板Wの上面から上方に離隔した位置に退避させて、処理液ノズル75からの処理液によって基板Wを処理できる。こうして、1つの処理ユニットで、蒸気による処理、処理液による処理およびスピンチャック21の高速回転による振り切り乾燥処理を行うことができる。これにより、図1に示すように、蒸気処理を行う処理ユニット11〜14のほかに、水洗・乾燥処理のための別の処理ユニットを設ける必要がなくなる。その結果、処理ユニット間での基板Wの搬送回数を少なくできるから、複数枚の基板Wを効率よく処理することができ、生産性を高めることができる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも可能である。たとえば、前述の実施形態では、ふっ酸蒸気の供給に二流体スプレーノズルによる物理洗浄を併用して基板W上のポリマーを除去する処理を例にとったが、二流体スプレーノズルによる物理洗浄の併用は必ずしも必要ではない。この場合、ローカル制御部91は、遮断板30からふっ酸蒸気を吹き出させる工程の後、遮断板30を処理位置に保持し、ふっ酸蒸気の供給を停止するとともに、窒素ガスを蒸気通路34から基板Wに向けて供給させる。この状態で、ローカル制御部91は、処理液バルブ39を開いて、処理液供給管35からリンス液を基板W上面の回転中心付近に向けて供給させてリンス工程を行い、その後に、リンス液の供給を停止させるとともにスピンチャック21の回転速度を乾燥回転速度まで加速して乾燥工程を行う。
また、基板W(たとえばシリコン基板)の表面に酸化膜を形成し、この酸化膜をエッチングすることにより基板表面の異物を除去する洗浄処理にも、この発明を適用することができる。
酸化膜形成工程は、オゾン蒸気の供給の代わりに、オゾン水の供給によって行うこともできる。この場合、オゾン水の供給は、たとえば、図2に示すように、オゾン水供給源からのオゾン水をオゾン水バルブ96を介して処理液供給管35に供給できるようにし、オゾン水バルブ96の開閉をローカル制御部91によって制御するようにすればよい。むろん、オゾン水の供給は、処理液ノズル75から行うようにしてもよい。この場合、処理液ノズル75は、通常のストレートノズルの形態のものであってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 インデクサ部
3,4 処理流体ボックス
6 カセット保持部
7 インデクサロボット
10 基板搬送ロボット
11〜14 処理ユニット
21 スピンチャック
22 スピンベース
23 ヒータ
24 チャック回転駆動機構
25 回転軸
28 アーム
29 支持軸
30 遮断板
31 遮断板昇降駆動機構
32 遮断板回転駆動機構
33 蒸気室
34 蒸気通路
35 処理液供給管
36 基板対向面
37 蒸気吹き出し孔
38 下板部
39 処理液バルブ
40 蒸気供給源
41 薬液蒸気発生容器
42 薬液
43 空間
44 窒素ガス供給配管
45 蒸気バルブ
46 蒸気供給配管
47 窒素ガス供給源
48 流量コントローラ
49 窒素ガスバルブ
50 流量コントローラ
51 窒素ガスバルブ
55 処理カップ
56 仕切壁
57 排液・排気空間
58 回収液空間
60 気液分離ボックス
61 排液管
62 排気管
63 回収管
64 排液管
65 排気管
66 排気源
69 処理容器
70 スプラッシュガード
70a 上面
70b 開口部
71 排液案内溝
72 回収液案内部
73 仕切壁収納溝
74 スプラッシュガード昇降駆動機構
75 処理液ノズル
77 ノズル移動機構
78 処理液バルブ
79 気体バルブ
80 密閉部材
80a 上端縁
80b 下縁部
81 シール部材
90 メイン制御部
91 ローカル制御部
93 隙間
95 蒸気供給源
96 オゾン水バルブ
C カセット
W 基板
Claims (9)
- 基板を保持して回転させる基板保持回転機構と、
この基板保持回転機構に保持された基板の表面に対向するとともに、複数の蒸気吹き出し孔が形成された基板対向面を有する遮断部材と、
この遮断部材を前記基板保持回転機構に保持された基板に対して、相対的に接近/離反させる遮断部材位置変更機構と、
前記遮断部材を前記基板保持回転機構に保持された基板の表面にほぼ直交する回転軸線まわりに回転させる遮断部材回転機構と、
前記遮断部材に対して蒸気を供給し、前記蒸気吹き出し孔から吹き出させる蒸気供給機構と、
前記基板保持回転機構に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記遮断部材が前記基板保持回転機構による基板保持位置の近傍の所定の処理位置にあるときに、この遮断部材とともに当該基板を取り囲む実質的な閉空間を形成する包囲部材と、
この包囲部材によって囲まれた空間を排気する排気手段とを含む、基板処理装置。 - 前記遮断部材位置変更機構に取り付けられており、前記遮断部材の側方および上方を覆う密閉部材をさらに含む、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記蒸気供給機構は、ふっ酸、イソプロピルアルコールまたはオゾンを含む蒸気を前記遮断部材に供給するものである、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記基板保持回転機構は、この基板保持回転機構に保持される基板の前記遮断部材とは反対側の表面に対向し、当該基板を加熱するホットプレートを含むものである、請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記包囲部材は、前記基板保持回転機構に保持された基板から、その回転に伴って外方へ飛び出す処理液を受け止める飛散防止部材を含むものである、請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板保持回転機構に保持された基板から流下する処理液を排液する排液機構をさらに含む、請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材回転機構によって前記遮断部材を回転させた状態で、前記蒸気供給機構によって前記蒸気吹き出し口から蒸気を吹き出させる制御手段をさらに含む、請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板保持回転機構によって基板を保持して回転させる基板保持回転工程と、
前記基板保持回転機構に保持された基板の表面に対向する基板対向面を有する遮断部材を、前記基板に接近した所定の処理位置に配置し、前記基板保持回転機構を取り囲む包囲部材とともに、当該基板を取り囲む実質的な閉空間を形成する工程と、
前記基板保持回転工程と並行して、前記閉空間が形成された状態で、前記遮断部材の前記基板対向面に形成された複数の蒸気吹き出し孔から前記基板の表面に向けて蒸気を吹き出させる蒸気吹き出し工程と、
前記蒸気吹き出し工程と並行して、前記基板保持回転機構に保持された基板の表面にほぼ直交する回転軸線まわりに前記遮断部材を回転させる工程と、
前記蒸気吹き出し工程と並行して、前記閉空間を排気する排気工程と、
前記基板保持回転機構に保持された基板に処理液を供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法。 - 前記閉空間を形成する工程は、前記遮断部材を前記基板保持回転機構に保持された基板に対して相対的に接近/離反させる遮断部材位置変更機構に取り付けられた密閉部材によって前記遮断部材の側方および上方を覆う工程を含む、請求項8記載の基板処理方法。
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