JP5569514B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5569514B2 JP5569514B2 JP2011289824A JP2011289824A JP5569514B2 JP 5569514 B2 JP5569514 B2 JP 5569514B2 JP 2011289824 A JP2011289824 A JP 2011289824A JP 2011289824 A JP2011289824 A JP 2011289824A JP 5569514 B2 JP5569514 B2 JP 5569514B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- atmosphere
- region
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 189
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 90
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 82
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 51
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 45
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 42
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 24
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 9
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 82
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 10
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- -1 γ-butyllactone Chemical compound 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
前記基板が収容され、密閉された処理空間を形成する処理容器と、
前記処理空間において処理容器の外部との間で基板を搬送するための搬送領域と、前記搬送領域に隣接する隣接領域とを夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が開放される開放状態とを互いに切り替える区画機構と、
前記処理容器の外部から搬送領域に搬送された基板が受け渡される処理用載置部と、
前記開放状態の処理空間に溶剤雰囲気を供給して、前記処理用載置部に載置された基板のパターンマスクを膨潤させるための溶剤雰囲気供給部と、
膨潤した前記パターンマスクを乾燥させるための乾燥機構と、
前記乾燥機構により乾燥された基板を前記溶剤雰囲気を供給した後に区画状態にされた前記搬送領域から外部に取り出すと共に、処理を行う基板を外部から前記搬送領域に搬送するために前記処理容器に形成された、開閉自在な基板搬送口と、
前記区画状態の搬送領域の溶剤雰囲気を排気して除去するために、当該搬送領域に開口する排気口と、
を備え、
前記基板搬送口が開かれるときに当該基板搬送口は、前記区画状態にされた隣接領域から区画されることを特徴とする。
(a)前記区画機構は、処理容器の外部と前記処理空間との間で移動自在に構成され、
前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられている。
(b)前記移動用開口部には処理空間内の雰囲気と処理空間外の雰囲気とを遮断するためのガス流形成部が設けられる。
(c)前記乾燥手段は、前記処理用載置部に載置された基板を加熱する加熱手段により構成され、
前記区画機構は、前記加熱手段により加熱された基板を冷却するために載置する冷却用載置部を備え、
前記処理用載置部は、前記冷却用載置部に基板を移載する移載機構を備える。
(d)前記区画機構は、前記冷却用載置部と、前記搬送領域を形成するために当該冷却用載置部の表面を覆うカバーと、を備え、
前記排気口はこの区画機構に設けられ、カバーと冷却用載置部とに囲まれる搬送領域を排気する。
(e)前記区画機構は、前記搬送領域にガスを供給して溶剤雰囲気を前記排気口へパージするためのパージガス供給部を備える。
本発明の実施の形態に係る基板処理装置1について、縦断側面図、横断平面図である図1、図2を参照しながら説明する。この基板処理装置1は処理容器11と、処理容器11への進入及び処理容器11からの退出が自在な排気領域形成部51とを備えている。
1 溶剤供給装置
10 処理空間
11 処理容器
13 搬送口
21 進退口
51 排気領域形成部
52 箱状部
53 排気領域
54 冷却板
60 制御部
Claims (12)
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、
前記基板が収容され、密閉された処理空間を形成する処理容器と、
前記処理空間において処理容器の外部との間で基板を搬送するための搬送領域と、前記搬送領域に隣接する隣接領域とを夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が開放される開放状態とを互いに切り替える区画機構と、
前記処理容器の外部から搬送領域に搬送された基板が受け渡される処理用載置部と、
前記開放状態の処理空間に溶剤雰囲気を供給して、前記処理用載置部に載置された基板のパターンマスクを膨潤させるための溶剤雰囲気供給部と、
膨潤した前記パターンマスクを乾燥させるための乾燥機構と、
前記乾燥機構により乾燥された基板を前記溶剤雰囲気を供給した後に区画状態にされた前記搬送領域から外部に取り出すと共に、処理を行う基板を外部から前記搬送領域に搬送するために前記処理容器に形成された、開閉自在な基板搬送口と、
前記区画状態の搬送領域の溶剤雰囲気を排気して除去するために、当該搬送領域に開口する排気口と、
を備え、
前記基板搬送口が開かれるときに当該基板搬送口は、前記区画状態にされた隣接領域から区画されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記区画機構は、処理容器の外部と前記処理空間との間で移動自在に構成され、
前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記移動用開口部には処理空間内の雰囲気と処理空間外の雰囲気とを遮断するためのガス流形成部が設けられることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記乾燥手段は、前記処理用載置部に載置された基板を加熱する加熱手段により構成され、
前記区画機構は、前記加熱手段により加熱された基板を冷却するために載置する冷却用載置部を備え、
前記処理用載置部は、前記冷却用載置部に基板を移載する移載機構を備えることを特徴とする請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記区画機構は、前記冷却用載置部と、前記搬送領域を形成するために当該冷却用載置部の表面を覆うカバーと、を備え、
前記排気口はこの区画機構に設けられ、カバーと冷却用載置部とに囲まれる搬送領域を排気することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記区画機構は、前記搬送領域にガスを供給して溶剤雰囲気を前記排気口へパージするためのパージガス供給部を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、
密閉された処理空間を形成する処理容器に基板を収容する工程と、
区画機構により前記処理空間において処理容器の外部との間で基板を搬送するための搬送領域と、前記搬送領域に隣接する隣接領域とを互いの雰囲気が遮断されるように区画する区画状態を形成する工程と、
前記区画機構により前記搬送領域の雰囲気と、前記隣接領域の雰囲気とを互いに開放する工程と、
前記処理容器の外部から搬送領域に搬送された基板を処理用載置部に受け渡す工程と、
前記処理用載置部に載置された基板のパターンマスクを膨潤させるために溶剤雰囲気供給部により前記開放状態の処理空間に溶剤雰囲気を供給する工程と、
乾燥機構により膨潤した前記パターンマスクを乾燥させる工程と、
前記溶剤雰囲気を供給した後に前記乾燥機構により乾燥された基板を搬送領域から外部に取り出すと共に処理を行う基板を外部から前記搬送領域に搬送するために、前記区画状態を形成する工程と、
前記区画状態の搬送領域に開口する排気口から溶剤雰囲気を排気して除去する工程と、 前記処理容器に形成された基板搬送口を、前記区画状態の隣接領域から区画されるように開く工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記区画機構を、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動させる工程と、
処理容器において、前記区画機構を移動させるための移動用開口部を開閉する工程と、
を備えることを特徴とする請求項7記載の基板処理方法。 - 前記移動用開口部において、処理空間内の雰囲気と処理空間外の雰囲気とを遮断するためにガス流形成部によりガス流を形成する工程を含むことを特徴とする請求項8記載の基板処理方法。
- 前記パターンマスクを乾燥させる工程は、前記処理用載置部に載置された基板を加熱手段により加熱する工程を含み、
前記区画機構に設けられる冷却用載置部に、移載機構により前記加熱された基板を移載する工程と、
冷却用載置部にて前記基板を冷却する工程と、
を含むことを特徴とする請求項8または9記載の基板処理方法。 - 前記区画機構に設けられるパージガス供給部により、前記搬送領域にガスを供給して当該搬送領域の溶剤雰囲気を前記排気口へパージする工程を含むことを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし11のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011289824A JP5569514B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR1020120154323A KR101865971B1 (ko) | 2011-12-28 | 2012-12-27 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011289824A JP5569514B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013140836A JP2013140836A (ja) | 2013-07-18 |
JP5569514B2 true JP5569514B2 (ja) | 2014-08-13 |
Family
ID=48990234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011289824A Active JP5569514B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5569514B2 (ja) |
KR (1) | KR101865971B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6446881B2 (ja) | 2014-07-17 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びバルブ装置 |
KR102200759B1 (ko) * | 2019-06-24 | 2021-01-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102245560B1 (ko) * | 2019-06-26 | 2021-04-27 | 세메스 주식회사 | 기판 베이킹 장치 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3143702B2 (ja) * | 1994-10-05 | 2001-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4328667B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置 |
JP4787038B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2011-10-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20080094994A (ko) * | 2007-04-23 | 2008-10-28 | 박종근 | 석재 절삭방법 |
JP4466966B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2010-05-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5193121B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布現像方法 |
JP4967004B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法 |
JP5412261B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-02-12 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
2011
- 2011-12-28 JP JP2011289824A patent/JP5569514B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-27 KR KR1020120154323A patent/KR101865971B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013140836A (ja) | 2013-07-18 |
KR20130076751A (ko) | 2013-07-08 |
KR101865971B1 (ko) | 2018-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102640367B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 열처리 장치 | |
KR102407706B1 (ko) | 기판 가열 장치, 기판 가열 방법, 기억 매체 | |
JP4450784B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法 | |
TWI797328B (zh) | 基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置 | |
JP5003773B2 (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
KR101685961B1 (ko) | 도포 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체 | |
KR101853141B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
US8842257B2 (en) | Substrate treatment method, substrate treatment apparatus, and non-transitory computer storage medium | |
JP5569514B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2008192844A (ja) | 基板処理方法及び塗布現像処理装置 | |
US10435781B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory storage medium | |
JP2016201399A (ja) | 加熱装置及び加熱方法並びに記憶媒体 | |
JP5415881B2 (ja) | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5655895B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
WO2023276723A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
WO2023032214A1 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 | |
JP6320956B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR20240048484A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP5803855B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
TW202410147A (zh) | 基板處理方法、程式及基板處理裝置 | |
JP2023084770A (ja) | 溶剤蒸気供給装置及び溶剤蒸気供給方法 | |
JP2023177658A (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 | |
JP5939118B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2024073500A (ja) | 熱処理方法、プログラム及び熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140609 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5569514 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |