JP5803855B2

JP5803855B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

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Publication number: JP5803855B2
Application number: JP2012195204A
Authority: JP
Inventors: 小林　真二; 真二小林
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2012-09-05
Filing date: 2012-09-05
Publication date: 2015-11-04
Anticipated expiration: 2032-09-05
Also published as: JP2014053370A

Description

本発明は、パターンマスクの荒れを改善する基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板等の製造プロセスにおいては、基板例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」と呼称する）表面にレジスト液を塗布して露光した後、現像処理を行うことにより、ウエハ表面に所定のパターンマスクを形成することが行われている。この際、特許文献１に記載されているように、現像処理後のレジストパターンの表面には微細な凹凸が存在し、後の工程でエッチング処理を行うときに、この表面の凹凸がパターン線幅に悪影響を及ぼす場合があることが知られている。このため、レジストパターンのラフネス（ＬＥＲ：Line Edge Roughness）や、パターン線幅のばらつき（ＬＷＲ：Line Width Roughness）を改善するスムージング処理が提案されている。

このスムージング処理は、処理容器内にレジストを溶解する溶剤蒸気の雰囲気を形成し、この雰囲気中にレジストパターンを曝して、レジストパターンの表層部を膨潤させることにより行われる。これにより、前記表層部が溶剤に溶解して平滑化され、パターン表面の荒れが改善されてパターン形状が修正される。

さらに特許文献２中では、レジストパターン形状の修正に加え、レジストパターンの面内均一性の向上を目的としたスムージング処理が提案されている。具体的には、上部に溶剤吐出ノズルが設けられた溶剤供給装置内に、レジストパターンが形成された現像処理後のウエハを搬入し、前記溶剤吐出ノズルからウエハの表面上に溶剤蒸気を吐出する。

これらの開示された技術は、パターン幅のばらつき防止を目的としている点で本発明と類似しているが、本発明の原理及び手法はこれらとは観点が異なる。

特許第４３２８６６７号特許第４３４３０１８号

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板に形成されたパターンマスクの荒れを高い面内均一性を持って改善することができる技術を提供することにある。

本発明の基板処理装置は、
基板に形成され、溶剤に対して可溶なパターンマスクの荒れを改善する処理を行うための基板処理装置において、
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記パターンマスクが下面側になるように前記基板を保持するための基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の下面と対向するように設けられ、その上面が開口すると共に溶剤を収容する溶剤収容部と、
前記溶剤収容部の上面を塞ぐための蓋体と、
前記蓋体を前記溶剤収容部の上面を塞ぐ位置と、前記基板の下方領域から退避する位置との間で移動させる移動機構と、を備えたことを特徴とする。

本発明の基板処理方法は、
基板に形成され、溶剤に対して可溶なパターンマスクの荒れを改善する処理を行う基板処理方法において、
処理容器内に前記パターンマスクが下面側になるように前記基板を保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の下面と対向するように設けられ、その上面が開口した溶剤収容部に溶剤を収容する工程と、
蓋体により前記溶剤収容部の上面を塞ぐ工程と、
移動機構により前記蓋体を前記前記溶剤収容部の上面を塞ぐ位置と、前記基板の下方領域から退避する位置との間で移動させる工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の記憶媒体は、
基板に形成され、溶剤に対して可溶なパターンマスクの荒れを改善する処理を行うための基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。

本発明は、パターンマスクを下側に向けた基板に対向するように、その上面が開口する溶剤収容部を設けているので、溶剤の蒸発による上昇流により溶剤ガス(蒸気)がパターンマスクに供給される。このため基板の全面に亘ってパターンマスクは飽和蒸気雰囲気あるいはそれに近い濃度の溶剤ガス雰囲気に晒されるので、パターンマスクの荒れを高い面内均一性を持って改善することができる。

第１の実施形態におけるレジストパターン形成装置の概略を示す平面図である。第１の実施形態におけるレジストパターン形成装置の概略を示す斜視図である。第１の実施形態におけるレジストパターン形成装置の概略を示す側方断面図である。第１の実施形態における棚ユニットの斜視図である。第１の実施形態における搬送機構の概略を示す斜視図である。第１の実施形態における第６ブロックＢ６のモジュール構成の概略図である。第１の実施形態における反転モジュール内のウエハ反転機構の一例を示す斜視図である。第１の実施形態における基板処理装置の断面図である。第１の実施形態における基板処理装置へのウエハ搬入時のウエハ、吸着アーム、及びウエハ保持ピンの位置関係を示す概略図である。第１の実施形態における基板処理装置の横断平面図である。前記基板処理装置による処理を示す工程図である。前記基板処理装置による処理を示す工程図である。前記基板処理装置による処理を示す工程図である。前記基板処理装置による処理を示す工程図である。前記基板処理装置による処理を示す工程図である。前記基板処理装置による処理を示す工程図である。前記基板処理装置による処理を示す工程図である。レジストパターンの状態を示す模式図である。第２の実施形態における基板処理装置の断面図である。第２の実施形態における基板処理装置の横断平面図である。第２の実施形態における基板処理装置における開口部及びシャッタの構造の説明図である。第３の実施形態における搬送アーム機構の概略を示す説明図である。第３の実施形態における第６ブロックＢ６内のアームの動作の説明図である。第３の実施形態における第６ブロックＢ６内の現像モジュールにおけるアームの位置関係の説明図である。第３の実施形態における第６ブロックＢ６内のアームの動作の説明図である。

［第１の実施形態］
本発明の基板処理装置（後述のスムージングモジュール１０）を含む、塗布、現像装置８の全体構成について図１〜図３を参照しながら簡単に述べておく。塗布、現像装置８は、キャリアブロック８ａ、処理ブロック８ｂ、インターフェースブロック８ｃを備え、インターフェースブロック８ｃには露光装置８ｄが接続されている。キャリアブロック８ａは、載置部８０上に載置された密閉型のキャリアＣから第１受け渡しアーム８２がウエハＷを取り出して、当該ブロックに隣接配置された処理ブロック８ｂに受け渡すと共に、第１受け渡しアーム８２によって処理ブロック８ｂにて処理された処理済のウエハＷを受け取り、キャリアＣに戻すように構成されている。

また処理ブロック８ｂには、キャリアブロック８ａ側に第１棚ユニット８４が設けられ、第１棚ユニット８４の近傍には、昇降自在な第２受け渡しアーム８６が設けられている。一方インターフェースブロック８ｃには、第２棚ユニット８５ａ及び第３棚ユニット８５ｂが設けられ、第２棚ユニット８５ａ及び第３棚ユニット８５ｂの近傍には夫々、インターフェースアーム８７ａ及び８７ｂが設けられている。インターフェースアーム８７ａ及び８７ｂは、第２棚ユニット８５ａ及び第３棚ユニット８５ｂと露光装置８ｄとの間でウエハＷの受け渡しを行う。露光装置８ｄは、インターフェースアーム８７ａ及び８７ｂから搬送されたウエハＷに対して所定の露光処理を行う。ここで、前述した第１棚ユニット８４、第２棚ユニット８５ａ及び第３棚ユニット８５ｂには複数の受け渡しユニットが設けられている。

続いて処理ブロック８ｂについて図２及び図３を用いて説明する。処理ブロック８ｂには、レジスト膜の下層側に形成されるボトム反射防止膜の形成処理を行うための第１、第２ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ１及びＢ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３、第４ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３及びＢ４、及び現像処理を行うための第５、第６ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ５及びＢ６が設けられており、処理ブロック８ｂは下部から順に各ブロックを積層することにより構成されている。また各ブロックには、加熱部や冷却部等を積層することによって構成された棚ユニットＵが設けられている。

第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２は、ボトム反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布ユニットと、この塗布ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱、冷却系の熱系モジュール群と、塗布ユニットと熱系モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送機構Ａ１及びＡ２を備えている。

第３ブロックＢ３及び第４ブロックＢ４は、レジスト膜を形成するためのレジストをスピンコーティングにより塗布する塗布ユニットと、この塗布ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱、冷却系の熱系モジュール群と、塗布ユニットと熱系モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送機構Ａ３及びＡ４を備えている。

第５ブロックＢ５及び第６ブロックＢ６は、現像ユニット８８が例えば２段に積層されており、この２段の現像ユニット８８にウエハＷを搬送するための搬送機構Ａ５及びＡ６が設けられている。そして第６ブロックＢ６の棚ユニットＵの一部に本実施形態のスムージングモジュール１０が組み込まれ、Ｂ６の棚ユニットＵの他の部分には露光処理後のウエハＷに対して加熱処理を行うＰＥＢ１モジュール及び現像処理後のウエハＷに対して加熱処理を行うＰＯＳＴ１モジュールが組み込まれている。第６ユニットＢ６の棚ユニットＵの概略図を図４に示す。図４では便宜上モジュール８９は２段で描画しているが、例えば３段設けられていてもよい。

次に、第６ユニットＢ６の搬送機構Ａ６について図５を参照しながら説明する。搬送機構Ａ６は、Ｘ方向に沿って延びるガイド７４ｂに沿って移動自在なＸ移動部７４ａと、このＸ移動部７４ａに昇降自在に設けられた昇降台７５と、この昇降台７５に沿って鉛直軸周りに回転自在に設けられた回転台７１と、を備えている。回転台７１には、互いに独立して進退自在であり、ウエハＷ保持部分が馬蹄形の２本の搬送アーム７２と、これら搬送アーム７２の上方位置にて進退自在な吸着アーム７３とが設けられている。吸着アーム７３はアーム体７３ａと、後述の反転モジュール９０により、表面、裏面が逆になるように反転されたウエハＷの裏面を上方から例えば真空吸着する吸着パッド７３ｂと、を有している。

続いて、反転モジュール９０について概要を述べる。反転モジュール９０は図６に示すように、現像ブロックＢ６の棚ユニットの例えば上段最右端の２個分が反転モジュール９０一個分として構成される。反転モジュール９０は、例えば図７に示すような反転機構を備えている。この反転機構は、基台６１上に設けられた支柱６２に、モータ６３を介して反転用のアーム６４ａが設けられている。このアーム６４は、モータ６３により水平軸周りに回転できるように構成され、先端のウエハＷ保持部位であるＵ字部分は搬送機構Ａ６の搬送アーム７２の馬蹄形部分がその外側を上下に通過できる寸法に形成されており、またＵ字部分で囲まれる空間は、搬送機構Ａ６の吸着アーム７３が上下に通過できる寸法に設定されている。従って搬送アーム７２からアーム７４にウエハＷが受け渡され、次いでアーム７４が１８０度回転し、搬送機構Ａ６の吸着アーム７３が当該ウエハＷを受けとることができる。

続いて、スムージングモジュール１０について説明する。スムージングモジュール１０の配置については、図６に示すように、反転モジュール９０に隣接する例えば２個の棚モジュールをスムージングモジュール１０として構成することができる。
スムージングモジュール１０（基板処理装置）は図８に示すように外装体をなす処理容器２を備えており、図８の左右を前後と定義すると、処理容器２は前方側の処理室２０ａと後方側の待機室２０ｂとに分割されている。処理室２０ａ内には基板であるウエハＷを、被処理面（レジストパターンが形成されている面）が下向きの状態で保持する保持部材３１が設けられている。保持部材３１は、基板の下面の周縁部を各々保持する、周方向に互いに離れた４個の下端部３１ｃを備えている。各保持部材３１は垂直に延びる垂直部分３１ｂを備え、垂直部分３１ｂの上端側が処理容器２の天板を貫通して共通の昇降機構３１ａにより昇降できるように構成されている。昇降機構３１ａは便宜上図８では模式的に記載してあるが、例えば処理容器２に隣接して配置される。
各保持部材３１の垂直部分３１ｂの下端部３１ｃは、処理室２０ａの中央部側に向けてＬ字状に屈曲され、屈曲部分の先端部は、ウエハＷの周縁をいわば線接触で保持するために処理室２０ａの中央部側に向けて低くなる傾斜面として形成されている。４個の保持部材３１の下端部３１ｃは、図９に示すように、搬送機構Ａ６の吸着アーム７３の搬入時に吸着アーム７３と干渉しないように配置されている。

処理室２０ａの底部には、溶剤蒸発源２７が設けられており、溶剤蒸発源２７はその上面が開口すると共に、前記保持部材３１に保持されたウエハＷの下面と対向する溶剤収容部２６と、この溶剤収容部２６内に設けられ、溶剤が含浸された（毛細管現象により吸い上げられた）含浸部材２８とを備えている。溶剤収容部２６は例えば扁平な円筒体により構成され、内周面で囲まれる円形部分（上面開口）は、前記保持部材３１に保持されたウエハＷの有効領域（半導体集積回路の形成領域）と例えば同じ大きさかあるいはそれよりも広い大きさに設定されている。含浸部材２８としては金属メッシュ体や不織布などを用いることができ、ウエハＷの有効領域と例えば同じ大きさかあるいはそれよりも広い大きさに広げられており、含浸部材２８の上面が溶剤の蒸発面に相当する。

溶剤収容部２６の例えば底面には、溶剤供給路２５ａと溶剤排出路２５ｂとが接続されており、溶剤収容部２６内の溶剤が少なくなったときに溶剤供給源２４から溶剤供給路２５ａを介して溶剤収容部２６内に溶剤を補充供給することができ、また溶剤収容部２６内の溶剤を例えば吸引ポンプなどの溶剤排出機構２９により溶剤排出路２５ｂを介して排出できるようになっている。
処理容器２内には、溶剤収容部２６の上面開口を開閉するための蓋体５１が、待機室２０ｂ内に設けられた移動機構５４により待機室２０ｂ内と溶剤収容部２６の上面開口を塞ぐ位置との間で移動自在に設けられている。蓋体５１の上面には温調機構５６が備え付けられている。移動機構５４は蓋体５１の後端部を支持し、当該蓋体５１を昇降させるための昇降部５２と、この昇降部５２を、蓋体５１が待機室２０ｂ内にて待機している位置と処理室２０ａ内との間で移動できるように、前後方向にガイドするためのガイド機構５３と、を備えている。従って蓋体５１は移動機構５４により前後、上下に移動できることになる。図８では、蓋体５１が待機室２０ｂ内に待機され、溶剤収容部２６の上面が開口していてここから溶剤蒸気が保持部材３１上のウエハＷに供給されている状態を示している。

蓋体５１はこの例では溶剤収容部２６の上縁のフランジ部に面接触して溶剤収容部２６の上面部を塞ぎ、溶剤収容部２６から溶剤ガスが処理雰囲気に流出しないように構成されている。また処理室２０ａと待機室２０ｂとを区画する壁面４１にはシャッタ２３により開閉される搬送口４２が形成され、蓋体５１が待機室２０ｂ内にて待機しているときには搬送口４２が閉じられている。蓋体５１と溶剤収容部２６との位置関係を図示した平面図（Ａ−Ａ’面）を図１０に示す。

溶剤収容部２６の側面には、当該溶剤収容部２６内に不活性ガスを供給するガス供給路２６ａと、当該溶剤収容部内のガスを排出する排気路２６ｂと、が接続されている。ガス供給路２６ａ及び排気路２６ｂの接続のレイアウトとしては、例えば上面から見たときに溶剤収容部２６を構成する円筒体の前方側半円部分の複数箇所にガス供給路２６ａが接続されると共に、当該円筒体の後方側半円部分の複数箇所であって前記ガス供給路２６ａの接続部位に対して前後対称な複数箇所に排気路２６ｂが接続される構成が挙げられる。このように構成して溶剤蒸発源２７の上方にて不活性ガスの層流を形成することで、溶剤収容部２６が蓋体５１により閉じられているときに気密性が損なわれる場合があったとしても、溶剤ガスが処理室２０ａに流出することが抑えられる。

処理室２０ａの上部には、保持部材３１に保持されているウエハＷを加熱するための例えば抵抗発熱体を熱源とする、平面的に見たときにウエハＷよりも少しサイズが大きい加熱機構３３が設けられている。処理室２０ａの前面を形成する壁部４３には、基板搬送機構Ａ６の吸着アーム７３により、被処理面が下向きなウエハＷが搬入出されるための搬送口２１が形成され、この搬送口２１はシャッタ２２により開閉される。

さらに、処理容器２内の換気機構について説明する。処理容器２は蓋体５１が溶剤収容部２６の開口部を塞いだ状態で、Ｎ_２ガスまたは空気（ＤｒｙＡｉｒ）により処理室２０ａ及び待機室２０ｂをパージする機構を備えている。処理容器２の前方の壁面４３内には、基板搬送口２２より上側にＮ_２ガスまたは空気を供給するためのパージガス供給路３２ａ、下側にパージガス供給路３２ｂがそれぞれ形成されている。パージガス供給路３２ａ及び３２ｂの吐出口は基板搬送口２２の上下に設けられ、左右方向（図８の紙面手前から奥方向）に延びるスリット状の吐出口から処理室２０ａ内へとＮ_２ガスまたは空気を吐出する構造となっている。一方待機室２０ｂの後方下部には排気管５５ａが設けられており、排気管５５ａの吸入口はパージガス供給路３２ａ及び３２ｂと同様にスリット状となっており、図８の紙面手前から奥方向へと延びている。

ここでスムージングモジュール１０の配管系について簡単に説明すると、パージガスであるＮ_２ガスまたは空気はパージガス供給源３０から配管を通じ、パージガス供給路３２ａ、３２ｂ及びガス供給路２６ａへと夫々バルブＶ１、Ｖ２及びＶ３を介して供給されている。また、排気路２６ｂ及び排気管５５ａは夫々バルブＶ４及びＶ５を介して排気機構５５へと接続されている。
含浸部材２８の直下には、溶剤揮発を促進するために温調機構２８ａが設けられていてもよい。また溶剤収容部２６内には、溶剤の残量を検知し、含有溶剤量の不足を警告する液面センサが設けられていてもよい。更にまた、排気路２６ｂには、排出ガス中の溶剤濃度を監視し、溶剤排出の終了のタイミングを検出するためのセンサが取り付けられていてもよい。また溶剤蒸発源２７は、含浸部材２８を用いずに溶剤収容部２６内に溶剤が貯留されている構成としてもよい。

上述してきた塗布、現像装置８は、各搬送機構の動作、ウエハＷへの露光処理及び現像処理、ウエハＷへの薬液塗布、加熱及び冷却、保持部材３１の昇降の際の昇降機構３１ａの作動、蓋体５１を移動させる際の駆動機構５４の作動、パージガス供給源３０からのＮ_２ガスまたは空気の供給、その他塗布、現像装置８に関する動作を制御するコンピュータからなる制御部１００を備えている。そして制御部１００には、ウエハＷに目的の処理を行うために必要な制御について命令群が組まれたプログラムが、外部記憶媒体、例えばハードディスク、テープストレージ、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリーカードなどを介して読み込まれ、当該基板処理装置全体の制御を行う。

次に上記塗布、現像装置８におけるウエハＷの流れ全体について図１〜図５を参照しながら説明する。まずキャリアブロック８ａから（図３参照）、ウエハＷを第１受け渡しアーム８２によって第１棚ユニット８４の受け渡しユニットＴＲＳ１に順次搬送し、このウエハＷを第１ブロックＢ１に搬入し、ボトム反射防止膜の塗布をし、続いてプリベークを行う。プリベークが行われたウエハＷは第１受け渡しアーム８２により、例えば第３ブロックＢ３に対応する受け渡しユニットＴＲＳ３に搬送し、第３ブロックＢ３へと搬入し、レジストの塗布を行う。続いてレジストが塗布されたウエハＷに対して、加熱モジュールにおいて第１の加熱処理であるＰＡＢ(Post-application Bake)が行われる。その後ウエハＷは、搬送機構Ａ３により第１棚ユニット８４の受け渡しユニットＴＲＳ３’に受け渡される。

受け渡しユニットＴＲＳ３’に受け渡されたウエハＷは、インターフェースブロック８ｃのインターフェースアーム８７ａを介して露光装置８ｄへと搬送され、ここでウエハＷに露光処理が行われた後、インターフェースアーム８７ａによりウエハＷは第２棚ユニット８５内の第６ブロックＢ６の受け渡しユニットＴＲＳ６’へと受け渡される。そしてウエハＷは図３の搬送機構Ａ６へと載置され、ＰＥＢ１モジュールにおいてＰＥＢ(Post-exposure Bake)が行われた後、現像ユニット８８へと搬送される。現像ユニット８８でレジストパターンの現像が行われた後、ウエハＷは搬送機構Ａ６によって反転モジュール９０へと搬入される。

反転モジュール９０内に搬入されたウエハＷは、この時点においてはレジストパターン形成面が上面である。このウエハＷを、例えば本実施形態では上述した反転モジュール９０内の反転機構でレジストパターン形成面が下面となるように反転させる。
そして被処理面が下を向いているウエハＷの上面を、搬送機構Ａ６の吸着アーム７３により吸着保持して、スムージングモジュール１０に搬入する。スムージングモジュール１０にてウエハＷのレジストパターンに対して後述の処理を行った後、Ａ６の吸着アーム７３により反転モジュール９０に搬送し、ウエハＷを元の向きに戻す。その後ウエハＷは搬送機構Ａ６の搬送アーム７２により加熱や冷却のために別モジュールへと搬送される。

次に本発明の基板処理装置の実施形態に相当するスムージングモジュール１０における、ウエハＷのレジストパターンを溶剤で湿潤させる処理について、図８を用いて説明する。また、スムージングモジュール１０の各部の動作を示す図１１〜図１７を併せて参照しながら説明する。
先ず図１１に示すように吸着アーム７３により、被処理面が下に向いたウエハＷを搬送口２２を介して処理室２内に搬入する。このとき、保持部材３１の下端部３１ｃはウエハＷよりも低い位置（待機位置）にて待機している。またシャッタ２３が開放され、搬送口４２を通じて処理室２０ａと待機室２０ｂとが連通している。そして蓋体５１は図１１に示すように搬送口４２を跨いで溶剤収容部２６上に載置されており、例えば含浸体として金属メッシュで形成された含浸部材２８には、溶剤供給管２５ａから溶剤が供給される。供給された溶剤が毛細管現象で含浸部材２８の表面全体に拡散することにより、蓋体５１と溶剤収容部２６との内部空間には溶剤蒸気が充満するようになっている。また蓋体５１上の温調機構５６は、蓋体５１と溶剤収容部２６とから構成される内部空間の溶剤蒸気が蓋体５１表面で結露しないよう、含浸部材２８表面より高温に熱せられている。
一方処理容器２における処理容器２の外壁も、基板処理時に処理室２０ａ内に溶剤蒸気を放出する際に壁面で溶剤が結露しないよう、図示しない温調手段により、蓋体５１の温調機構５６と略等しい温度に熱せられている。また、処理室２０ａ上部の加熱機構３３は蓋体５１の温調機構５６よりもさらに高温に熱せられる。

ウエハＷを搬入する前に、搬送口４２を開口した上で、壁面４３内のパージガス供給路３２ａ及び３２ｂからパージガスとしてのＮ_２ガスまたは空気を導入し、処理室２０ａ内の吐出口からＮ_２ガスまたは空気を吐出する。処理室２０ａ内に供給されたＮ_２ガスまたは空気は後方側に流れ、待機室２０ｂを介して、排気管５５ａからガスを排出する。この状態で基板搬送口２２を開放して図１１に示すように吸着アーム７３を処理容器２内に搬入し、図１２に示すように保持部材３１を上昇させてウエハＷを保持部材３１の下端部３１ｃに保持させる。そして図１３に示すように吸着アーム７３の吸着を解除してウエハＷを保持部材３１に受け渡す。次いで吸着アーム７３を処理容器２内から搬出した後、図１４に示すように、基板搬送口２２を閉じる一方、保持部材３１を上昇させてウエハＷを加熱機構３３に接近させ、例えば６０℃まで加熱する。処理室２０ａ内の雰囲気を処理容器２外部に漏洩させないために、シャッタ２３は開放したまま、パージガス供給路３２ａ及び３２ｂからのＮ_２ガスまたは空気の吐出及び排気管５５ａからの排気はこの時点においても続行する。

そして駆動機構５４を駆動し、蓋体５１を溶剤収容部２６から上昇させ、処理室２０ａ内から待機室２０ｂへと素早く退避させ、シャッタ２３を閉じる。基板搬送口２２を閉じた後、パージガス供給路３２ａ及び３２ｂからのＮ_２ガスまたは空気の吐出及び排気管５５ａからの排気を停止し、処理容器２内のＮ_２ガスまたは空気の流れを停止させ、溶剤蒸発源２７表面から溶剤蒸気を処理室２０ａ内に充満させる。処理室２０ａ内が溶剤雰囲気となり、ウエハＷが目標温度に達したところで、ウエハＷを載置した保持部材３１を降下させ、レジストパターンを溶剤で膨潤させる手順に移る（図１５）。

蓋体５１が開いてウエハＷが図１５に示す処理位置まで下降した直後のウエハＷの温度は例えば５０℃に設定されており、時間の経過と共に降温するが、処理室２０ａ内は密閉されており、かつ上部に加熱部が配置されているので、ウエハＷの温度は、処理中は概ね５０℃前後に維持される。また、このときのウエハＷのレジストパターン形成面と溶剤蒸発源２７表面との距離が例えば１０ｍｍとなるように保持部材３１の高さ位置を設定し、ウエハＷと溶剤蒸発面表面との間における溶剤蒸気の対流を抑える。ウエハＷと溶剤蒸発面表面との間に溶剤蒸気の対流が起こると、対流による蒸気の流れによりレジストパターンに剪断応力が掛かり、レジストパターンの形状の崩壊などの現象が起こりやすくなるためである。このようにしてウエハＷのレジストパターンを溶剤で膨潤させる。

蓋体５１を開いた後、例えば３０秒間経過後に、保持部材３１を上昇させてウエハＷを溶剤蒸発面から離間させ、加熱機構３３で加熱する。また保持部材３１を上昇させると同時に、シャッタ２３を開口し、蓋体５１を処理室２０ａ内に進入させて溶剤収容部２６を密閉し、溶剤蒸気の処理室２０ａ内への蒸発を停止させる（図１６）。蓋体５１を閉じるタイミングは、レジストパターンの膨潤が進みすぎないように事前に実験により把握して決められる。

蓋体５１を溶剤収容部２６上に載置した後、シャッタ２３を開放したまま、パージガス供給路３２ａ及び３２ｂからＮ_２ガスまたは空気を処理容器２内に導入し、処理容器２内に残留している溶剤ガスを除去するため、Ｎ_２ガスまたは空気を処理容器２内へパージする。パージしたＮ_２ガスまたは空気は待機室２０ｂ後部の排気管５５ａから排出する。なお、Ｎ_２ガスまたは空気のパージの際は、ウエハＷと加熱機構３３との間の溶剤雰囲気を除去するために、保持部材３１ごとウエハＷを一旦降下させてもよい。
処理容器２内がＮ_２ガスまたは空気で置換された後、既述のウエハＷの搬入動作と逆の動作を行うことによりウエハＷを処理容器２内から搬出する（図１７）。

こうしてスムージングモジュール１０においてレジストパターン形成面に対する溶剤による処理が完了したウエハＷは、搬送機構Ａ６の吸着アーム７３により反転モジュール９０内に受け渡される。そして元の向きに戻されたウエハＷは搬送機構Ａ６の搬送アーム７２に受け渡され、後段のモジュールへ搬送される。

上述の実施形態のスムージングモジュール１０内の処理室２０ａにおいて、溶剤雰囲気下でのウエハＷ表面のレジストパターンに対する処理について、レジストパターン表面で起きている変化を図１８に示す。
処理室２０ａ内でのウエハＷ上のレジストパターン形成面に対する溶剤による処理時において、溶剤が溶剤蒸発源２７表面から蒸発することにより処理室２０ａ内へと充満し、処理室２０ａ内に溶剤の蒸気雰囲気が形成される。
このとき、ウエハＷは溶剤の露点温度よりも高く、溶剤の沸点よりも低い温度に調整されている。そのためレジストにより構成されたパターンマスク９の表面では、溶剤分子がレジストパターンに衝突し、図１８（ａ）で示すように、パターン表面が溶剤により膨潤する。そしてウエハＷの熱により、溶剤がパターン面から揮発していく現象が繰り返されている。この溶剤による膨潤と溶剤の揮発の繰り返しにより、図１８（ｂ）で示すように、パターンマスク９の表層部９ａのみが溶剤を吸収して膨潤する。表層部９ａにおいては溶剤によりレジスト膜を構成する分子が軟化、溶解して流動するが、内部に浸透する前に溶剤が揮発されるウエハ温度にしているためパターンマスク９内部への浸透は抑えられる。

そしてパターンマスク９の表層部９ａのみが適度に膨潤されたところで、保持部材３１を引き上げ、ウエハＷを溶剤蒸発源２７から離間させ、加熱機構３３でウエハＷを加熱する。それによって、ウエハＷへ供給される溶剤蒸気の量が減少し、適度に膨潤した表層部９ａに更に過剰な溶剤が供給されることが抑制されるので、パターンマスク９内部への溶剤の浸透がより抑えられる。このような処理の進行によって、図１８（ｃ）で示すように、パターンマスク９表面の凹凸の表面が平坦化され、ウエハＷの面内においてパターン線幅のばらつきが低減される。

なお、溶剤蒸発源２７から気化した溶剤が、ウエハＷ以外の箇所に付着し、結露することを防止するために、蓋体５１の温度は溶剤蒸発源２７の表面よりも高温であることが望ましい。また、蓋体５１と処理容器２の外壁の温度は等しいことが望ましく、さらに処理容器２の外壁と加熱機構３３の基板加熱面の温度は等しいか、あるいは加熱機構３３の基板加熱面がより高温であることが望ましい。
また、処理容器２内をＮ_２ガスまたは空気によりパージする際に、Ｎ_２ガスまたは空気の温度は、ウエハＷ表面での溶剤の結露を防止するためにウエハＷと同程度の温度であることが望ましい。

本実施形態で用いられる溶剤としては例えば、アセトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、γブチルラクトン、ピリジン、キシレン、Ｎメチル２ピロリジノン（ＮＭＰ）、乳酸エチル、２−ヘプタノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、アニソール、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ｍ−クレゾール、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、４−メチル−２−ペンタノン等であり、レジスト膜の溶解作用を有する。

上述の実施形態によれば、レジストパターンの表面を下側に向けたウエハＷに対向するように、その上面が開口している溶剤収容部２６を設けているので、溶剤の蒸発による上昇流により溶剤ガスがレジストパターンの表面に供給される。このためウエハＷの全面に亘ってレジストパターンの表面は飽和蒸気雰囲気あるいはそれに近い濃度のガス雰囲気に晒されるので、レジストパターンの表面の荒れを高い面内均一性を持って改善することができる。

ウエハＷの被処理面と溶剤蒸発面（上記の例では含浸部材２８の表面）との距離は１０ｍｍ以下であることが望ましい。実際に前記距離を１０ｍｍにして実験を行っているが高い面内均一性をもってスムージング処理を行うことができた。なお、前記距離が６ｍｍであるとより高い面内均一性が得られている。
さらに、面内均一性の高いスムージング処理を行うためには、溶剤蒸発源２７の表面全体に瞬時に溶剤を広げる必要がある。溶剤蒸発源２７における溶剤交換時の交換時間や、溶剤消費量の効率を考慮すると、できるだけ少量の薬液を含浸部材２８全体に短時間で展開できる構造となっていることが望ましい。
上述の実施形態では溶剤を含浸する含浸素材としてステンレスやチタン等、溶剤によって腐食されない素材の金属メッシュ体を用いることができる。当該金属メッシュ体の具体的な例としては、目の細かさが１ｍｍ程度のメッシュ体を挙げることができる。このメッシュ体に溶剤を供給することにより、毛細管現象により、溶剤はメッシュの空隙を伝って全体に拡散される。また、溶剤蒸発源２７としては例えば、凹凸のある気化プレート構造を用いてもよい。また、含浸素材を用いず、直接溶剤蒸発源２７内に溶剤を展開し、揮発した溶剤を処理室２０ａ内に充満させる構造としてもよい。

また、蓋体５１に関しては、溶剤収容部２６を覆う蓋を突き上げピン機構で上昇させて、処理室２０ａ内と待機室２０ｂ内を自在に移動する搬出プレートを処理室２０ａ内に進入させその上に蓋を載置し、待機室２０ｂに退避させる構造としてもよい。
また、レジストパターンの溶剤による膨潤と乾燥が可能であれば、加熱面３３または溶剤収容部２６が相対的に離接するようにどちらか、または双方が上下する構成であってもよい。もしくは加熱機構３３がない構成であってもよい。
さらに、スムージングモジュール１０は定期的に溶剤蒸発源２７の液面センサ（図示せず）で溶剤の量のチェックを行い、もし溶剤の量が不足している場合、溶剤供給管２５ａより溶剤の供給を行ってもよい。

［第２の実施形態］
上述の実施形態におけるスムージングモジュール１０の処理容器２においては、ウエハＷの載置及び昇降などの移動に昇降機構３１ａを利用した保持部材３１を用いている。本実施形態においてはこれらの昇降機能の代替として、ウエハＷとその保持部が処理容器内２ａ内においてスライドすることにより移動することを特徴としている。以下、図を用いながら順を追って説明する。なお、上述の実施形態および既出の図において説明済みの機構等については、同じ符号を振り説明を省略する。

図１９に本実施形態の処理容器２ａの縦断側面図を示す。処理容器２ａは、壁面４１により、搬送口２１からウエハＷが最初に搬入される待機室２０ｅと、待機室２０ｅからウエハＷが搬入され基板処理を行う処理室２０ａとに２分割されている。図２３の左方（搬入口２１側）を処理容器２ａの前方とすると、待機室２０ｅは前方に、処理室２０ａは後方に存在し、壁面４１には開口部４２が設けられている。また、処理室２０ａの天井部分は待機室２０ｅの天井部分より低くなるように形成されており、処理室２０ａの天井部分にはウエハＷを加熱する加熱機構３３が備え付けられている。

待機室２０ｅの底面にはガイドレール５３と駆動機構５４が設けられ、ガイドレール５３に沿って蓋体５１が開口部４３を通じて後方の処理室２０ａ内の溶剤収容部２６上の上方へと移動可能となるよう設けられている。処理室２０ａ内に進入した蓋体５１は溶剤収容部２６の全体を覆い、溶剤蒸発源２７を処理室２０ａの雰囲気と区画するために十分な大きさを有する。また蓋体５１上には温調機構５６が備え付けられている。

また、図１９の紙面を手前とすると、処理容器２ａの奥側の面には、待機室２０ｅから処理室２０ａに亘って開口部４３を通過するガイドレール３７が設けられ、駆動部３７ａを介してウエハ保持プレート３６が接続されている。ウエハ保持プレート３６は開口部４３を通じて溶剤収容部２６の鉛直上方に移動可能となるように設けられている。ウエハ保持プレート３６及びガイドレール３７等の位置関係を図示した平面図（Ｂ−Ｂ’面）を図２０に示す。図２０は、図１９のＢ−Ｂ’線に沿った横断平面図を示しているが、図の煩雑化を避けるために、蓋体５１に関連する部位は省略してある。

また、開口部４３、及び開口部４３のシャッタ２３ａの形状、並びに動作を図２１に示す。ガイドレール３７は開口部４３内を通過するため、開口部４３に用いるシャッタ２３ａには、ガイドレール３７の形状に合わせた切欠Ｇを形成している。そして開口部４３を開口させるときは、シャッタ２３ａを図２１（ａ）の状態から壁面４１に沿って水平方向に移動させた後、壁面４１に沿って図２１（ｂ）に示すように待機室２０ｅ底部へと降下させる。開口部４３を閉じるときは逆の手順を行う。

この処理容器２ａにおいても、処理室２０ａ内を密閉してレジストパターンに対する処理を行うとき以外は、開口部４３は開口されており、また、蓋体５１は，開口部４３を跨ぐ形で溶剤収容部２６上へと載置されている。そしてパージガス供給路３２ａ及び３２ｂからパージガスが供給され、開口部４３を通じて排気管５５ａから処理容器２ａ内の気体が排気機構５５へと排出され、処理容器２ａ内の雰囲気が外部に漏洩しないようになっている。

処理容器２ａでレジストパターンに対する処理を行うための手順について説明する。先ず上述の実施形態と同様に吸着アーム７３により基板搬送口２１からウエハＷが処理容器内に搬送される。予め基板受け取り位置に移動済のウエハ保持プレート３６が吸着アーム７３からウエハＷを受け取り、ウエハＷはウエハ保持プレート３６に例えば４箇所設けられている、保持部３６ａ上に載置される。保持部３６ａは、第１の実施形態における保持部材３１の下端部３１ｃと同様に、ウエハＷの周縁をいわば線接触で保持するように形成されている。ウエハ保持プレート３６はウエハＷを載置した状態で、駆動装置３７ａによりガイドレール３７に沿って処理室２０ａ内へと後退する。それと同時に、蓋体５１が駆動機構５４によりガイドレール５３に沿って待機室２０ｅへと前進する。ウエハＷは処理室２０ａ内へ搬入されると同時に、直上の加熱機構３３により加熱が開始される。

この状態でパージガス供給路３２ａ及び３２ｂからのＮ_２ガスまたは空気の供給及び排気管５５ａからの排気を停止し、シャッタ２３ａにより開口部４３を閉鎖する。第１の実施形態と比較すると、ウエハＷは処理室２０ａ内に搬入された直後から、直上の加熱機構３３で熱せられ、ウエハＷが目標温度に達した時点でウエハＷに対するレジストパターンの表面処理が開始される。
基板処理の際の基板温度の調節手段としては、加熱機構３３の出力を調整するようにしてもよい。ウエハ保持プレート３６が処理室２０ａ内で昇降可能なようにガイドレール３７に昇降を組み合わせ、ウエハＷと加熱機構３３との距離を調節可能にしてもよい。

基板処理が終了した後、開口部４２を開放し、ウエハＷを保持したウエハ保持プレート３６を待機室２０ｅへ前進させ、蓋体５１を処理室２０ａ内へ後退させ溶剤収容部２６上に載置することで溶剤の蒸発を停止させる。そしてパージガス供給路３２ａ及び３２ｂからのＮ_２ガスの通流を再開させ、処理容器２ａがＮ_２ガスまたは空気でパージされた時点で、既述のウエハＷの搬入動作と逆の動作を行うことによりウエハＷを処理容器２ａ内から搬出する。

この変形例の特徴としては、ウエハＷの搬入出及び昇降などを行うための機構として、ピン昇降による駆動系を用いず、プレート機構により処理容器２ａ内で移動させていることが挙げられる。よって、処理空間外からピンが貫通することによる貫通部からの内部雰囲気の漏洩のリスクが小さくなる。
また、処理室２０ａ内の加熱機構３３の位置を低くし、ウエハＷとの距離が小さい構造とできることも特徴の一つである。このためウエハＷを処理室２０ａ内に搬入してから、即座に基板の加熱を開始することができる。

本実施形態で用いられる溶剤についても、第１の実施形態と同様に、レジストに対する溶解作用を有する物質が選択される。

［第３の実施形態］
第１の実施形態ではウエハＷを反転させるために専用のウエハ反転モジュール９０を用いたが、スムージングモジュール１０へ現像モジュールからウエハＷを移動させる際、あるいはスムージングモジュール１０から異なるモジュールへウエハＷを移動させる際に、反転機能を有するアームにより反転を行っても同様の効果が得られる。

図２２に反転機能を有するアーム（以下、反転アームと呼称する）を有した搬送機構Ａ６の一例を図示する。当該搬送機構Ａ６は、２本の反転アーム７６、７７を有し、反転アーム７６（７７）は伸縮可能なアーム部７６ａ（７７ａ）、吸着部７６ｂ（７７ｂ）及び駆動機構７６ｃ（７７ｃ）からなる。そして一方の反転アームがモジュール内に未処理のウエハＷを搬入すると同時に、もう一方の反転アームが同一モジュール内から処理済のウエハＷを搬出する。

ここでは説明を簡単にするために、図２３に示すように反転アーム７６のみを有した搬送機構Ａ６を用いたウエハ反転の手順について説明する。
先ず搬送機構Ａ６は現像ユニット８８の現像モジュール内にウエハ搬送アーム７２を挿入し、現像モジュール内でウエハＷはウエハ搬送アーム７２上に通常の向きで載置される。そしてウエハ搬送アーム７２を後退させた後、図２４で示すように、ウエハＷ下部からウエハＷ外周部を保持する３本の持ち上げピン７８（図２２では図示していない）によってウエハＷをウエハ搬送アーム７２から上昇させ、持ち上げピン７８によりウエハＷとウエハ搬送アーム７２との間に生じた間隙に反転アーム７６を挿入する。ウエハＷの裏面は反転アーム７６の吸着部７６ｂに吸着され、この状態で搬送機構Ａ６全体は現像モジュールから退避し、図２３の位置に戻る。

搬送機構Ａ６が図２３の位置にあるときは、反転アーム７６を回転させることはできない。ウエハ搬送アーム７２などと衝突してしまうためである。そこでウエハＷを反転させるため、反転アーム７６がウエハＷを保持した状態で、搬送機構Ａ６を図２５のように棚ユニットＵの例えば端部（図２５では左端）へと移動させる。そして回転台７１を左に９０度回転させ、反転アーム７６が右方向へと延伸できるようにする。しかる後駆動機構７６ｃにより反転アーム７６だけを右方向へ移動し、他のアーム等と干渉しない位置で反転アーム７６を回転させ、ウエハＷの上下面を反転させる。

反転アーム７６がウエハＷを反転させた後、反転アーム７６を通常の位置に戻し、回転台７１を右へ９０度回転させて反転アーム７６がモジュールへウエハＷを受け渡せる状態とする。そして反転アーム７６からスムージングモジュール１０へ、反転したウエハＷの受け渡しを行う。スムージングモジュール１０における処理容器２内への反転したウエハＷの受け渡し手順は、第１の実施形態における吸着アーム７３と保持部材３１との間のウエハＷの受け渡しと同様である。

実際には図２２で示すとおり、搬送機構Ａ６は２本の反転アーム７６、７７を有し、反転アーム７６（７７）がスムージングモジュール１０内から処理済のウエハＷを搬出すると同時に反転アーム７７（７６）は別の処理前ウエハＷを同じモジュールに搬入する。
そして、第１の実施形態における処理容器２、あるいは第２の実施形態における処理容器２ａと同様の基板処理装置にて、ウエハＷのレジストパターンに対する処理が同様に行われる。
その後、スムージングモジュール１０内からの反転したウエハＷの搬出及び他モジュールへの搬入については、上述したウエハＷのスムージングモジュール１０内への搬入と逆の手順となる。
また、本実施形態のスムージングモジュール１０の位置としては、現像ブロックＢ６の棚ユニットの例えば最端部の２個をスムージングモジュール１０として構成することができる。

上述してきた各実施形態においては、溶剤蒸発源２７において複数の溶剤を入れ替えることも可能である。手順としては、先ず蓋体５１により溶剤蒸発源２７を処理室２０ａと区画した上で、溶剤排出管２５ｂを開成し、ガス供給路２６ａから不活性ガスを供給し、溶剤蒸発源２７を乾燥させる。乾燥状況は、溶剤排出管２５ｂに備え付けられたセンサによって検知できる。そして溶剤蒸発源２７表面が乾燥したことを確認した後、別の溶剤を溶剤供給管２５ａから導入する。あるいは、溶剤蒸発源２７は、溶剤の種類毎に専用の溶剤供給管及び溶剤排出管を備えるように構成されてもよい。

また、ウエハＷを反転させる位置として、反転モジュール９０及び反転アーム７６（７７）による方法を挙げたが、処理室２０ａ内の空間に余裕がある場合は処理室内２０ａでウエハＷを反転させてもよい。
また、加熱機構３３は処理容器２及び２ａの天井部分に配置されているが、レジストパターンの表面が溶剤蒸気に曝される前及び後にウエハＷが加熱される構成であれば、加熱機構はどのような構成であってもよい。例えば処理容器２内にＬＥＤ（発光ダイオード）を設けて、このＬＥＤからウエハＷに光エネルギーを照射して加熱を行ってもよい。また、Ｎ_２ガスまたは空気を処理容器内に供給し、処理容器内をパージする工程で、Ｎ_２ガスまたは空気に代えて、Ｎ_２ガス以外の不活性ガスを供給してもよい。

１０スムージングモジュール
２処理容器
２７溶剤蒸発源
２８含浸部材
３１基板保持部材
３３加熱機構
５１蓋体
Ｗウエハ

Claims

基板に形成され、溶剤に対して可溶なパターンマスクの荒れを改善する処理を行うための基板処理装置において、
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記パターンマスクが下面側になるように前記基板を保持するための基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の下面と対向するように設けられ、その上面が開口すると共に溶剤を収容する溶剤収容部と、
前記溶剤収容部の上面を塞ぐための蓋体と、
前記蓋体を溶剤収容部の上面を塞ぐ位置と、前記基板の下方領域から退避する位置との間で移動させる移動機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
前記パターンマスクが下面側になるように前記基板保持部に基板が保持された後、前記蓋体を退避させるように制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記基板保持部に保持された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための加熱部を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
前記溶剤収容部の溶剤蒸発面は、基板の有効領域と同じ広さかそれよりも広いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
基板の下面に溶剤を供給するときには、前記溶剤収容部の溶剤蒸発面と基板の下面との距離は１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記加熱部は、前記基板保持部により保持される基板よりも上方位置に設けられ、前記加熱部と前記基板保持部とは相対的に接離自在に設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記基板保持部は、昇降自在に設けられていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記基板保持部は、溶剤収容部と対向する位置と溶剤収容部の上方領域から外れた位置との間で横方向に移動自在に設けられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記溶剤収容部には、溶剤が含浸される含浸部材が設けられ、前記溶剤収容部の溶剤蒸発面は当該含浸部材の上面であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
基板に形成され、溶剤に対して可溶なパターンマスクの荒れを改善する処理を行う基板処理方法において、
処理容器内に前記パターンマスクが下面側になるように前記基板を保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の下面と対向するように設けられ、その上面が開口した溶剤収容部に溶剤を収容する工程と、
蓋体により前記溶剤収容部の上面を塞ぐ工程と、
移動機構により前記蓋体を前記前記溶剤収容部の上面を塞ぐ位置と、前記基板の下方領域から退避する位置との間で移動させる工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
前記パターンマスクが下面側になるように前記基板保持部に基板が保持された後、前記蓋体を退避させる工程と、
を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
前記基板保持部に保持された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱する工程を備えたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の基板処理方法。
前記溶剤収容部の溶剤蒸発面と基板の下面との距離を１０ｍｍ以下とし、前記基板の下面に溶剤を供給する工程を備えたことを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記加熱部が、前記基板保持部により保持される基板より上方を、前記基板と相対的に自在に接離する工程を備えたことを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記基板保持部が自在に昇降する工程を備えたことを特徴とする請求項１０ないし１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記基板保持部が溶剤収容部と対向する位置と溶剤収容部の上方領域から外れた位置との間で横方向に自在に移動する工程を備えたことを特徴とする請求項１０ないし１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記溶剤収容部に設けられた溶剤が含浸される含浸部材の上面から、溶剤を蒸発させる工程を備えたことを特徴とする請求項１０ないし１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
基板に形成され、溶剤に対して可溶なパターンマスクの荒れを改善する処理を行うための基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１０ないし１７のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。