JP5541274B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
その内部に処理空間を形成する処理容器と、
前記処理空間に設けられ、前記基板を載置する処理用載置部と、
前記処理用載置部に載置された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための加熱部と、
前記基板の表面全体と対向するように前記処理空間に設けられ、前記基板との間の雰囲気を溶剤の飽和蒸気雰囲気として基板を処理するための溶剤の蒸発源となる蒸発源形成部材と、
前記処理空間において前記蒸発源形成部材が設けられる第1の領域と、処理容器の外部と前記処理用載置部との間で基板を受け渡すための第2の領域とを、夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が互いに開放される開放状態とを互いに切替える区画機構と、
前記処理容器に設けられ、前記区画状態の第2の領域に開閉自在な基板搬送口と、
前記区画状態の第2の領域を排気して、当該第2の領域の溶剤雰囲気を除去する排気口と、
を備えたことを特徴とする。
(a)前記区画機構は、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動自在に構成され、
前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられている。
(b)前記待機領域を囲む筐体と、当該筐体内を排気するための外側領域排気口と、が設けられる。
(c)前記待機領域と処理空間との間で移動自在、且つ前記区画機構に覆われるように構成され、前記加熱部により加熱された基板を載置して冷却するための冷却用載置部と、前記処理用載置部から前記冷却用載置部へ基板を移載するための移載機構と、が設けられ、
前記第2の領域は冷却用載置部と、区画機構との間に形成される。
(d)前記蒸発源形成部材から不要な溶剤を排出するための排出機構を備え、
前記区画機構は、前記溶剤を排液して除去するための液受け部を備える。
(e)前記排気口は、前記区画機構に設けられることを特徴とする。
(f)前記区画機構は、前記第2の領域の溶剤雰囲気を除去するためのパージガスを当該第2の領域に供給するパージガス供給口を備える。
(g)前記蒸発源形成部材は、基板に対向して設けられ、基板に向けて開口する溶剤供給用開口部を備える対向部により構成され、
溶剤が貯留される貯留部が設けられ、
前記貯留部から前記溶剤供給用開口部へ毛細管現象により溶剤が供給される。
(h)前記貯留部の液の残量を検出するためのセンサを備える。
1 基板処理装置
10 処理空間
11 処理容器
13 蓋体
14 搬送口
15 進退口
33 溶剤保持板
50 排気領域
51 冷却アーム
61 排気アーム
80 制御部
Claims (17)
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、
その内部に処理空間を形成する処理容器と、
前記処理空間に設けられ、前記基板を載置する処理用載置部と、
前記処理用載置部に載置された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための加熱部と、
前記基板の表面全体と対向するように前記処理空間に設けられ、前記基板との間の雰囲気を溶剤の飽和蒸気雰囲気として基板を処理するための溶剤の蒸発源となる蒸発源形成部材と、
前記処理空間において前記蒸発源形成部材が設けられる第1の領域と、処理容器の外部と前記処理用載置部との間で基板を受け渡すための第2の領域とを、夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が互いに開放される開放状態とを互いに切替える区画機構と、
前記処理容器に設けられ、前記区画状態の第2の領域に開閉自在な基板搬送口と、
前記区画状態の第2の領域を排気して、当該第2の領域の溶剤雰囲気を除去する排気口と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記区画機構は、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動自在に構成され、
前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記待機領域を囲む筐体と、当該筐体内を排気するための外側領域排気口と、が設けられることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記待機領域と処理空間との間で移動自在、且つ前記区画機構に覆われるように構成され、前記加熱部により加熱された基板を載置して冷却するための冷却用載置部と、
前記処理用載置部から前記冷却用載置部へ基板を移載するための移載機構と、
が設けられ、
前記第2の領域は冷却用載置部と、区画機構との間に形成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記蒸発源形成部材から不要な溶剤を排出するための排出機構を備え、
前記区画機構は、前記溶剤を排液して除去するための液受け部を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記排気口は、前記区画機構に設けられることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記区画機構は、前記第2の領域の溶剤雰囲気を前記排気口にパージして除去するためのパージガスを当該第2の領域に供給するパージガス供給口を備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記蒸発源形成部材は、基板に対向して設けられ、基板に向けて開口する溶剤供給用開口部を備える対向部により構成され、
溶剤が貯留される貯留部が設けられ、
前記貯留部から前記溶剤供給用開口部へ毛細管現象により溶剤が供給されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記貯留部の液の残量を検出するためのセンサを備えることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、
処理容器の内部に形成された処理空間に設けられる処理用載置部に前記基板を載置する工程と、
加熱部により前記処理用載置部に載置された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱する工程と、
前記基板の表面全体と対向するように前記処理空間に設けられる蒸発源形成部から溶剤を蒸発させ、前記基板との間の雰囲気を溶剤の飽和蒸気雰囲気とする工程と、
区画機構により、前記処理空間において前記蒸発源形成部材が設けられる第1の領域と、処理容器の外部と前記処理用載置部との間で基板を受け渡すための第2の領域とを、夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態とする工程と
前記区画機構により前記夫々の雰囲気が互いに開放される開放状態とする工程と、
前記区画状態の第2の領域に、前記処理容器に設けられる基板搬送口を開閉する工程と、
排気口により前記区画状態の第2の領域を排気して、当該第2の領域の溶剤雰囲気を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記区画機構を、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動させる工程と、
処理容器において、前記区画機構を移動させるための移動用開口部を開閉する工程と、
を備えることを特徴とする請求項10記載の基板処理方法。 - 前記待機領域を囲む筐体内を排気する工程を含むことを特徴とする請求項11記載の基板処理方法。
- 前記区画機構に覆われるように構成され、前記待機領域と処理空間との間で前記加熱部により加熱された基板を載置して冷却するための冷却用載置部を移動させる工程と、
移載機構により前記処理用載置部から前記冷却用載置部へ基板を移載する工程と、を備え、
前記第2の領域は冷却用載置部と、区画機構との間に形成されることを特徴とする請求項11または12に記載の基板処理方法。 - 排出機構により前記蒸発源形成部材から不要な溶剤を前記区画機構に排出する工程と、
前記区画機構に設けられる液受け部から、前記溶剤を排液して除去する工程と、を備えることを特徴とする請求項11ないし13のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記第2の領域の溶剤雰囲気を除去するために、前記第2の領域にパージガスを供給して前記溶剤雰囲気を前記排気口にパージする工程と、を備えることを特徴とする請求項11ないし14のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記蒸発源形成部材を構成し、前記基板に対向して形成された対向部にて、基板に向けて開口するように設けられた溶剤供給用開口部へ、溶剤が貯留される貯留部から毛細管現象により溶剤を供給する工程を含むこと特徴とする請求項11ないし15のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項11ないし16のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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