JP2007115831A - 塗布、現像装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

【課題】疎水化処理を行う場合に、単位ブロックの搬送手段の負荷を軽減して、搬送のスループットを向上させる技術を提供すること。
【解決手段】処理ブロックＳ２に、塗布膜形成用の単位ブロックであるＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５と、現像処理用の単位ブロックであるＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とを互いに積層して設け、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡し部と、ウエハＷに対して疎水化処理を行なう疎水化ユニットとを、棚ユニットＵ２に積層して設ける。この受け渡し部と疎水化ユニットとの間でのウエハＷの受け渡しを受け渡しアームにより行なうようにすると、疎水化ユニットへのウエハＷの搬送はＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４により行なわなくてよいので、当該アームＡ４の負担が軽減し、搬送のスループットが向上する。
【選択図】図３

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。

このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。このような装置としては例えば特許文献１に示す構成が知られており、この装置では例えば図１６に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内の塗布ユニット１３Ａに搬送されて、レジスト液が塗布され、次いでインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。

露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像ユニット１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。図中１４（１４ａ〜１４ｃ）は、塗布ユニット１３Ａや現像ユニット１３Ｂの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行なうための加熱ユニット、冷却ユニットや、疎水化ユニット、受け渡しステージ等を備えた棚ユニットである。ここでウエハＷは処理ブロック１Ｂに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、塗布ユニット１３Ａと現像ユニット１３Ｂと棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送される。

ところで、目的とするレジスト膜の種類により、レジスト膜と反射防止膜とを積層する場合や、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合、またレジスト膜やレジスト液の塗布前に反射防止膜を形成する場合には、疎水化処理が必要である場合や必要ではない場合があるというように、塗布の態様が異なっており、これによってロットにより必要となる塗布ユニットや、疎水化ユニット等の塗布膜形成のためのモジュールが異なる場合がある。

この場合、塗布の態様に合わせて、塗布ユニットや現像ユニット、疎水化ユニット、加熱ユニット、冷却ユニット等の、目的とするレジスト膜の塗布処理に必要な全てのモジュールが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、１つの処理ブロックに組み込まれるモジュール数が多く、これらに対して共通の搬送系を用いてウエハＷを搬送すると、アクセスするモジュール数が多いため、高スループット化が困難である。

このため本発明者らは、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を低減して、搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを高めることを検討している。このように、塗布処理を行うエリアと、現像処理を行うエリアを夫々上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設ける構成は特許文献２に記載されている。

しかしながら、この特許文献２においても、塗布処理を行うエリアに、塗布ユニットや、反射防止膜を形成するためのユニット、疎水化ユニット等、塗布処理に必要なモジュールを全て設けるとすると、当該塗布処理を行うエリアに組み込まれるモジュール数が多くなるので、このエリアの搬送系の負担が大きく、高スループット化を図ることが難しい点については解決できない。

さらに、塗布処理を行なうエリアと現像処理を行なうエリアとを上下に積層する構成では、夫々のエリア自体をある程度薄型にする必要があるため、これらのエリアにモジュールを多段化して組み込む場合に、モジュールの積層数をそれ程多くできず、エリアに設けられるモジュール数が制限されてしまう。ところでレジストの塗布処理を行なうエリアでは、スループットを高めるためにレジスト液の塗布後の加熱処理を行う加熱ユニットの数を多くすることが要請されているが、この塗布処理を行なうエリアにはその他にも、疎水化ユニットや冷却ユニット、周縁露光装置等を組み込む必要があり、現実的には前記加熱ユニットの設置数を多くすることができないという問題もある。

特開２００４−１９３５９７号公報 特許第３３３７６７７号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、疎水化処理を行う場合に、単位ブロックの搬送手段の負荷を軽減して、搬送のスループットを向上させる技術を提供することにある。

このため本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
ｂ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
ｃ）前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ）前記各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう受け渡し部と、基板に対して疎水化処理を行なう疎水化ユニットと、を積層して構成された受け渡し部群と、この受け渡し部と疎水化ユニットとの間で基板の受け渡しを行なうための基板受け渡し手段と、を備えたことを特徴とする。

また本発明は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
ｂ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
ｃ）前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットとこれらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
ｄ）前記各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう受け渡し部と、基板に対して疎水化処理を行う疎水化ユニットを積層して構成された受け渡し部群と、この受け渡し部と疎水化ユニットとの間で基板の受け渡しを行なうための基板受け渡し手段と、を備えたことを特徴とする。

このような塗布、現像装置では、前記疎水化ユニットが設けられた受け渡し部群の中には、塗布膜が形成される前の基板を載置して、基板に対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行なう温度に調整するための温調ユニットを設けるようにしてもよい。この場合前記温調ユニットは、加熱ユニットにて加熱された基板を載置して基板の温度を第１の温度に粗調整する第１の温調プレートと、基板を載置して、さらに精密に温度調整する第２の温調プレートとを備えるものとすることができる。ここで前記第２の温調プレートは、所定の温度に調整された液体を通流させて温調され、前記第１の温調プレートは、前記液体の温度を前記第１の温調プレートに伝熱させるヒートパイプを有し、このヒートパイプは前記液体を通流させるパイプと接続されているものである。

このような塗布、現像装置では、前記受け渡し部群に設けられた疎水化ユニットにおいて疎水化処理された基板をレジスト液を塗布するための単位ブロックに搬送して、この基板に対してレジスト液を塗布する工程と、次いで前記レジスト液を塗布するための単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて、前記レジスト液が塗布され、露光された基板に対して現像処理を行なう工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法が実施される。

以上において本発明では、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう受け渡し部と、基板に対して疎水化処理を行なう疎水化ユニットとを積層して設けたので、前記疎水化ユニットに対しては基板受け渡し手段により基板を受け渡すことができる。このため基板に対して疎水化処理を行なう場合に、疎水化ユニットへの基板の搬送を単位ブロックの搬送手段により行なわなくて済むので、当該搬送手段の負荷が軽減され、搬送手段による搬送効率を高めることができて、その分高スループット化を図ることができる。

また、単位ブロックの内部に疎水化ユニットを設けなくてよいので、その分他のモジュールを組み込むことができ、装置を大型化させずにスループットの向上を図るためのモジュールを設けることができる。

さらにまた、疎水化ユニットと温調ユニットとを同じ受け渡し部群に設けることにより、疎水化ユニットと温調ユニットとの間の基板の搬送を基板受け渡し手段により行なうことができるので、疎水化処理とレジスト塗布との間に前記温調ユニットに基板を搬送する場合に、単位ブロックの搬送手段の負荷が軽減され、さらにスループットを高めることができる。

以下、本発明に係る塗布、現像装置の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１，Ｂ２の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当し、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は夫々区画されている。

続いて、第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための加熱ユニットや冷却ユニット等の各種のモジュール、前記液処理ユニットと各種のモジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。

これら単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、前記液処理ユニットと、加熱ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じになるように構成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心、つまり液処理ユニットにおける後述するスピンチャックの中心や、加熱ユニットにおける加熱プレートの中心が同じという意味である。

先ず、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成されているので、図１に示すＤＥＶ層Ｂ１を例にして説明する。このＤＥＶ層Ｂ１のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。

この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個の現像処理部を備えた現像ユニット３１が設けられている。各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、前記各種モジュールを例えば２段×４列に設けた棚ユニットＵ１が設けられており、この図では現像ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種モジュールが設けられている。こうして前記現像ユニット３１と棚ユニットＵ１とにより前記搬送領域Ｒ１は区画されており、例えばこの区画された搬送領域Ｒ１に清浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
上述の前処理及び後処理を行うための各種モジュールの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ１）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ１）や、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）等が含まれている。これら加熱ユニット（ＰＥＢ１、ＰＯＳＴ１）や冷却ユニット（ＣＯＬ１）等の各モジュールは、夫々処理容器４１内に収納されており、各処理容器４１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口４２が形成されている。

前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、当該ＤＥＶ層Ｂ１内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各モジュール、現像ユニット３１、後述する棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。

また、搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられると共に、この棚ユニットＵ２に対してウエハＷの受け渡しを行うための基板受け渡し手段をなす受け渡しアームＤを備えている。

前記棚ユニットＵ２は、図３及び図５に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は夫々１個以上の受け渡し部を備えており、これにより受け渡し部を多段に積層した受け渡し部群が構成されている。この受け渡し部は、キャリアブロックＳ１と処理部Ｓ２との間や、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間でウエハＷの受け渡しを行なう際に用いられるものであり、例えばＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２や、ＢＣＴ層Ｂ３，ＣＯＴ層Ｂ４，ＴＣＴ層Ｂ５に設けられた温調ユニットＣＰＬ３，ＣＰＬ４，ＣＰＬ５が相当する。

また、前記受け渡しアームＤは各受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２や温調ユニットＣＰＬ３〜ＣＰＬ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。さらに、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の前記受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でもウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成され、キャリアブロック用受け渡し部を成している。

さらにまた、搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２がアクセスできる位置に棚ユニットＵ３が設けられている。この棚ユニットＵ３は、図３及び図５に示すように、各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し部として、この例では各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、１個以上の温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２を備えている。

続いて、他の単位ブロックＢについて簡単に説明すると、ＤＥＶ層Ｂ２は、ＤＥＶ層Ｂ１と同様に構成され、つまり現像ユニット３１と、加熱ユニット（ＰＥＢ２、ＰＯＳＴ２）と、冷却ユニット（ＣＯＬ２）と、を備えていて、メインアームＡ２により、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ２と、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ２と、現像ユニット３１と、棚ユニットＵ１の各モジュールと、の夫々に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

また、前記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は、いずれも同様に構成されており、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間を接続する搬送領域を備えていない以外は、上述のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とほぼ同様に構成されている。具体的にＣＯＴ層Ｂ４を例にして図３，図５，図６を用いて簡単に説明すると、棚ユニットＵ２には、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための例えば２個の疎水化処理ユニットＡＤＨ１，ＡＤＨ２が設けられると共に、受け渡し部をなす温調ユニットＣＰＬ４が設けられている。

また液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ１には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニットＣＨＰ４や、周縁露光装置ＷＥＥを備えており、棚ユニットＵ３が設けられていない点以外はＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様に構成されている。そしてこのＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、棚ユニットＵ２の疎水化処理ユニットＡＤＨ１，ＡＤＨ２と、温調ユニットＣＰＬ４と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１の各モジュールと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

さらに、ＢＣＴ層Ｂ３は、棚ユニットＵ２には受け渡し部をなす温調ユニットＣＰＬ３と、疎水化処理ユニットＡＤＨ３が設けられ、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニットＣＨＰ３を備え、周縁露光装置（ＷＥＥ）を備えていない以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこのＢＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３と疎水化処理ユニットＡＤＨ３と、第１の反射防止膜形成ユニット３３と、棚ユニットＵ１の各モジュールと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

そして、ＴＣＴ層Ｂ５は、棚ユニットＵ２には受け渡し部をなす温調ユニットＣＰＬ５、液処理ユニットとしてはウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３４が夫々設けられ、棚ユニットＵ１に、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニットＣＨＰ５を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこのＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ５と、第２の反射防止膜形成ユニット３４と、棚ユニットＵ１の各モジュールと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。

なおこの例では、前記疎水化処理ユニットは、ＣＯＴ層Ｂ４とＢＣＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ２に設けるようにしたが、前記受け渡しアームＤによりアクセスできる位置であれば、他の単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ５の棚ユニットＵ２に設けるようにしてもよいし、設置数は自由に選択される。

また、図３及び図５はこれらモジュールのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けられるモジュールとしては、加熱ユニット（ＣＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ）、冷却ユニットＣＯＬ、周縁露光装置ＷＥＥに限らず、他のモジュールを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各モジュールの処理時間などを考慮してモジュールの設置数が決められる。

一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の棚ユニットＵ３の各部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢが設けられている。このインターフェイスアームＢは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、前記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。ここで前記温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２はインターフェイス用受け渡し部に相当するものである。

このように、本実施の形態では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、上下方向に隣接する単位ブロックと区画されており、前記棚ユニットＵ２に設けられた受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しを行なう第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２と、棚ユニットＵ３に設けられた受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しを行なう領域は、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２においてのみ搬送領域Ｒ１により接続されている。そして５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間では、上述の受け渡しアームＤにより前記棚ユニットＵ２の受け渡し部を介して自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができ、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２を介してキャリアブロックＳ１とインターフェイス部Ｓ３との間でウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。またこの例では前記棚ユニットＵ２に設けられた疎水化処理ユニットＡＤＨ１，ＡＤＨ２，ＡＤＨ３、温調ユニットＣＰＬ３，ＣＰＬ４，ＣＰＬ５、受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２が、受け渡し部群に含まれている。

続いて、液処理ユニット、疎水化処理ユニット、温調ユニット、メインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）、受け渡しアームＤ、インターフェイスアームＢ、の構成について簡単に説明する。先ず液処理ユニットとして塗布ユニット３２を例にして、図７を用いて簡単に説明する。この例では３個の塗布部３Ａ，３Ｂ，３Ｃが共通の処理容器３０の内部に収納され、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むように横方向（Ｙ軸方向）に配列した状態で共通のベース３５に設けられている。

これら塗布部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは同様に構成されているので、塗布部３Ａを例にして説明すると、図中３６は基板保持部をなすスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック３６は駆動部３６ａにより鉛直軸回りに回転でき、かつ昇降できるようになっている。またスピンチャック３６の周囲にはウエハＷからスピンチャック３６に跨る側方部分を囲うカップ３７が設けられ、当該カップ３７の底面には排気管やドレイン管などを含む排液部３８が設けられている。図中３９は、スピンチャック３６に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給するためのサイドリンス機構であり、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

また図中５１は、３個の塗布部３Ａ，３Ｂ，３Ｃに対して塗布液を供給するための共通の供給ノズル（薬液ノズル）であり、この供給ノズル５１は移動機構５２により、処理容器３０の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール５３に沿って、一端側の塗布部３Ａのカップ３７の外方側から他端側の塗布部３Ｃのカップ３７の外方側まで移動自在、かつ昇降自在に構成されている。これによりこの例では供給ノズル５１により、各塗布部３Ａ〜３Ｃのスピンチャック３６に保持されたウエハＷのほぼ中央領域にレジスト液を供給するようになっている。図中５４は、一端側の塗布部３Ａの外側に設けられた供給ノズル５１の待機領域であり、ここでダミーディスペンスやノズル洗浄が行なわれるようになっている。

図中５５は処理容器３０の天井部に取り付けられたフィルタユニット、５６は処理容器３０の底面に設けられた排気部であり、排気部５６から所定の排気量で排気すると共に、フィルタユニット５５から所定流量の、温度と湿度とが調整された清浄気体を供給することにより、処理容器３０内に清浄気体のダウンフローが形成され、メインアームＡ４の搬送領域Ｒ１よりも陽圧になるように設定されている。図中５７は、処理容器３０の搬送領域Ｒ１に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口であり、図示しない開閉シャッタが設けられている。

この塗布ユニット３２では、ウエハＷはメインアームＡ４により搬入出口５７を介して処理容器３０内に搬入され、予め決定された塗布部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのいずれかのスピンチャック３６に受け渡される。そして供給ノズル５１から当該ウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に、スピンチャック３６を回転させ、レジスト液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げ、ウエハＷ表面にレジストの液膜を形成させる。こうしてレジストの液膜が形成されたウエハＷは搬入出口５７を介してメインアームＡ４により塗布ユニット３２の外部に搬出される。

現像ユニット３１は、供給ノズル５１の長さ方向に亘って現像液の供給領域が形成されていて、ウエハＷの直径方向に現像液を供給するように構成され、洗浄液ノズルを備える点以外は、塗布ユニット３２とほぼ同様に構成されている。洗浄液ノズルは、供給ノズル５１と同様に構成され、移動機構により、前記ガイドレール５３に沿って移動自在、かつ昇降自在に構成されて、各塗布部（現像処理部）３Ａ〜３Ｃのスピンチャック３６に保持されたウエハＷに対して洗浄液を供給するようになっている。

このような現像ユニット３１では、供給ノズル５１から当該ウエハＷの中央部に現像液を供給すると共に、スピンチャック３６により例えばウエハＷを半回転させ、これにより現像液をウエハＷの全面に供給する。そして所定時間経過後、洗浄液ノズルからウエハＷに洗浄液を供給し、ウエハＷ表面の現像液を洗い流し、その後ウエハＷを回転させて乾燥させることにより現像処理を終了する。

また、この現像ユニット３１では、洗浄液ノズルを別個に設ける代わりに、塗布ユニット３２のサイドリンス機構３９と同様の構成の、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成された洗浄機構を設け、これにより、スピンチャック３６に保持されたウエハＷの中央部に洗浄液を供給するようにしてもよい。

前記第１の反射防止膜形成ユニット３３は、レジスト液を塗布する前にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのもの、第２の反射防止膜形成ユニット３４は、レジスト液を塗布した後にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであり、これらのユニット３３，３４は、供給ノズル５１から反射防止膜用の薬液を供給する以外は、夫々塗布ユニット３２と同様に構成される。

続いて、疎水化ユニットについて図８を用いて説明すると、図中６１は蓋体６１ａ及び下部容器６１ｂからなる密閉容器であり、蓋体６１ａにはガス供給部６２が設けられている。ガス供給部６２はガス供給管６３を介して図示しないガス供給源に接続されている。下部容器６１ｂ内にはウエハ載置台６４が設けられており、その周囲には排気路６５が形成され、この排気路６５には排気管６５ａが接続されている。前記密閉容器６１はカバー体６６により覆われており、カバー体６６にはシャッタ６７ａにより開閉されるウエハ搬送口６７が形成されると共に、排気管６８が接続されている。またウエハ載置台６４に対しては図示しない昇降自在に構成された支持ピンにより、ウエハＷの受け渡しが行なわれるようになっている。

この疎水化ユニットでは、蓋体６１ａが上昇し、ウエハＷは搬送口６７を介して載置台６４上に支持ピンにより載置される。そしてシャッタ６７ａが閉じると共に蓋体６１ａが閉じ、ガス供給部６２から吸湿性ガス例えばＨＭＤＳガス（ヘキサメチルジシラザンガス）がウエハＷ表面に供給されて当該表面の水分が除去される。このＨＭＤＳガスはアミン基を有しているため、外部に漏れないように密閉容器６１内を十分に排気してから蓋体６１ａが開かれ、またカバー体６６内も排気されるようになっている。

また、この例では常温で疎水化処理が行なわれているが、例えば載置台６４内部に５０℃程度の恒温水を循環供給させ、載置台６４を温度調整した状態で疎水化処理を行なうようにしてもよい。このように載置台６４を５０℃以下の温度に設定した状態で疎水化処理を行なうことにより、疎水化ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行なう搬送手段例えば受け渡しアームＤやＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４への蓄熱を抑えることができ、また次の工程を行なう、ウエハＷをレジスト液の塗布する処理を行う時の温度に調整するモジュールにおいてウエハＷの温度調整時間の短縮化を図ることができる。

続いて温調ユニットについて説明すると、この温調ユニットは、塗布膜が形成される前のウエハＷを載置して、当該ウエハＷに対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行うときの温度に調整するものであり、例えば図９に示すように、加熱ユニットにて加熱されたウエハＷを載置して第１の温度に粗調整する第１の温調プレート７１と、ウエハＷを載置して、当該ウエハＷに対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行うときの温度にさらに精密に温度調整する第２の温調プレート７２とを備えており、これらは共通の処理容器７内に互いに積層して設けられている。ここで前記塗布膜形成用の薬液を塗布する処理としては、ウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行う処理、ウエハＷに対して第１の反射防止膜を形成するときの処理、ウエハＷに対して第２の反射防止膜を形成するときの処理などが挙げられる。

処理容器７内は、処理容器７の底壁７Ｂから垂直に伸びる第１の支持部７３ａにて支持されたベースプレート７Ａにより、当該容器７内を上下方向に区画されている。このベースプレート７Ａの上には、銅又はアルミニウム等により構成された、例えば円柱状の載置部７４により、裏面側の中心部が支持される状態で第１の温調プレート７１が設けられている。

この例では、第１の温調プレート７１は、例えばアルミニウムにより略円形板状に形成され、ウエハＷと略同じ大きさの直径を有している。図中７１ａはウエハＷを温調プレート７１から０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度浮上させた状態で支持するための突起である。またこの温調プレート７１の周縁部の例えば４ヵ所には、図１０に示すように、当該温調プレート７１の中心部に向けて切り欠き部７１ｂが形成されている。

さらに、温調プレート７１の裏面側全体には、第１のヒートパイプ７５ａが張り巡らされるように設けられており、このヒートパイプ７５ａは、例えば温調プレート７１の裏面側に形成された図示しない溝部に埋め込まれるようにして設けられ、このヒートパイプ７５ａの一部は載置部７４に接続されている。またベースプレート７Ａには、載置部７４の下面と接触するように第２のヒートパイプ７５ｂが埋設されており、この第２のヒートパイプ７５ｂはベースプレート７Ａに沿ってベースプレート７Ａの一端側に向って伸張するように埋め込まれ、他端側はベースプレート７Ａから伸び出して上方側に屈曲し、この他端側の一部は例えば銅やアルミニウムにより構成された伝熱部材７６の表面に接続されている。

ここで、ヒートパイプ７５ａ，７５ｂについて説明すると、このヒートパイプは、蒸発、凝縮による潜熱の吸収、放出を利用した熱輸送を行う伝熱素子であり、例えばアルミニウムやステンレス、銅等からなる金属製の管体の内壁に多孔質体を貼設して構成されている。前記多孔質体は後述する毛細管現象を得るためのものであって、例えば金属細線を編んで作られた、金網や金属フェルト等よりなる。この管体は両端が塞がれており、内部が排気されて例えば真空状態に設定され、この中には、例えばナトリウムやナフタレンなどよりなる揮発性の液体（作動流体）が少量封入されている。

このようなヒートパイプでは、一端側（蒸発部）が加熱されると作動流体が蒸発し(蒸発潜熱による熱の吸収)、蒸気流となって僅かな圧力差で管体の内部を他端側の凝縮部（低温部）へ高速移動し、ここで前記蒸気流は管体の壁面に接触し冷却されて凝縮する。この際凝縮熱により熱を放出するので、凝縮部に熱が輸送される。そして凝縮液は多孔質体を通って毛細管現象により、蒸発部へ還流され、再び蒸発→移動→凝縮のサイクルを繰り返して、熱が連続的に輸送されるようになっているため、他端側を冷却するとヒートパイプの表面全体が均一に冷却されるようになっている。なおここでいうヒートパイプとは、必ずしも一般概念でいうパイプに限らず、幅広の空洞部を備えた扁平プレート内にて作動液を封入したものであってもよい。

また、前記第２の温調プレート７２は、例えばアルミニウムにより構成されており、例えば４ｍｍ程度の厚さを持った略円形板状に形成され、ウエハＷよりも大きい直径を有している。また内部に、例えば所定の温度に調整された温調液を流すための温調液流路７２ａを備えている。この第２の温調プレート７２は、裏面側の周縁領域近傍を処理容器７の底壁７Ｂから、第１の支持部７３ａの内側において垂直に伸びる第２の支持部７４ｂにより支持されており、その表面には、ウエハＷを温調プレート７２から０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度浮上させた状態で支持するための突起７２ｂが設けられている。また前記温調プレート７２には、外部の搬送機構との間でウエハＷの受け渡しを行うための、冷却プレート７２の表面からその先端部が突没自在に設けられた支持ピン７７が設けられ、前記第１の支持部７３ａの内部には、前記支持ピン７７の昇降機構７７ａが設けられている。

図中７８は温度調整された温調液を循環させる温調液循環路であり、例えばアルミニウム等の熱伝導性の良好な部材により形成された通流パイプより、処理容器７を上下方向に貫通するように設けられている。またこの温調液循環路７８は、前記伝熱部材７６の略中心を貫通するように設けられ、さらに温調液循環路７８は、温調液供給路７８ａにより第２の温調プレート７２の温調液流路７２ａに前記温調液を供給すると共に、温調液排出路７８ｂにより第２の温調プレート７２の温調液流路７２ａから温調液が排出され、温調液循環路７８に戻されるようになっている。図中７９は、処理容器７の外部に設けられた温調液の温調機構である。

こうして、温調液循環路７８に所定の温度例えば２３℃に調整された温調液を循環させると、第１のヒートパイプ７５ａは、載置部７４、第２のヒートパイプ７５ｂ、伝熱部材７６を介して温調液循環路７８の外面に熱的に接触しているので、温調液循環路７８の外面の熱が伝熱部材７６→第２のヒートパイプ７５ｂ→載置部７４→第１のヒートパイプ７５ａの経路で伝熱され、こうして第１のヒートパイプ７５ａは温調液循環路７８の外面の温度に温度調整される。これにより第１の温調プレート７１の表面は２３℃程度に温度調整される。また温調液は第２の温調プレート７２の温調液流路７２ａに循環供給されるので、これにより第２の温調プレート７２の表面温度は、常に２３℃の温度に正確に温度調整される。

さらに、この温調ユニットでは、第１の温調プレート７１を２枚以上に積層して設けるようにしてもよい。ここで第１の温調プレート７１では、後述するように外部の搬送機構が当該温調プレート７１の上方側から下方側に通り抜けてウエハＷを温調プレート７１に受け渡すように構成されているので、支持ピンを昇降させてウエハＷの受け渡しを行なう場合に比べて昇降機構が不要であるため、温調プレート７１が設けられる領域の上下方向の大きさを小さくすることができ、上下方向のスペースがそれ程大きくなくても容易に積層構造に対応することができる。

また、この温調ユニットでは、第２の温調プレート７２を２枚以上に積層して設けるようにしてもよく、この場合には、共通の温調液循環路７８から、温調プレート７２毎に設けられた温調液供給路７８ａにより、対応する温調プレート７２の温調液流路７２ａに前記温調液が供給され、温調プレート７２毎に設けられた温調液排出路７８ｂにより対応する温調プレート７２の温調液流路７２ａから温調液が排出され、共通の温調液循環路７８に夫々戻されるようになっている。

続いて、搬送機構について説明する。先ずメインアームＡについては、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の搬送アーム８１，８２を備えており、これら搬送アーム８１，８２は基台８３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台８３は回転機構８４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構８５により、棚ユニットＵ１を支持する台部８６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール８７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール８８に沿って昇降自在に構成されている。こうして搬送アーム８１，８２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１の各モジュールや、液処理ユニット、棚ユニットＵ２の受け渡し部や疎水化ユニット、またＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２においては棚ユニットＵ３の受け渡し部との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡは、後述する制御部１００からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。またアームの加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。

ここでアーム８１，８２の形状について、図１０により搬送アーム８１を例にして説明すると、温調ユニットに対してウエハＷの受け渡しを行なうことができるように、水平な馬蹄形状を有している。この搬送アーム８１の内周の大きさは、第１の温調プレート７１の直径よりも若干大きく形成され、この内周における下部には、内方へ向かう４つの突片８１ａが設けられ、図に示すように、これらの突片８１ａ上にウエハＷが保持されるようになっている。

搬送アーム８１は既述のように昇降自在、かつ進退自在に構成されているので、第１の温調プレート７１にウエハＷを受け渡す際には、ウエハＷを保持した搬送アーム８１が、処理容器７の搬送口（図示せず）を介して処理容器７内に進入する。ここで温調プレート７１の外周の切り欠き部７１ｂは、夫々搬送アーム８１の突片８１ａと対応する位置に設けられていることから、搬送アーム８１が温調プレート７１に対し上方側から覆い被さるように下降することで、搬送アーム８１が温調プレート７１の下方側に通過し、搬送アーム８１上のウエハＷが温調プレート７１に受け渡される。ウエハＷを受け渡した搬送アーム８１は、前方の切り欠き部８１ｂが載置部７４の外側を通り抜けるように手前側に後退して処理容器７内から退去するようになっている。このため載置部７４の直径は前記搬送アーム８１に形成された切り欠き部８１ｂよりも小さく設定される。

また、第２の温調プレート７２との間では、第２の温調プレート７２の上方側に支持ピン７７を突出させ、搬送アーム８１が支持ピン７７に対し上方側から覆い被さるように下降することで、搬送アーム８１上のウエハＷが支持ピン７７上に受け渡される。ウエハＷを受け渡した搬送アーム８１は、前方の切り欠き部８１ｂが支持ピン７７の外側を通り抜けるように手前側に後退して処理容器７内から退去し、次いで支持ピン７７が下降することにより、支持ピン７７から第２の温調プレート７２に対してウエハＷが受け渡されるようになっている。このため前記搬送アーム８１に形成された切り欠き部８１ｂが支持ピン７７の外側を通過できるように、支持ピン７７の位置が設定されるようになっている。

また、前記インターフェイスアームＢは、棚ユニットＵ３に設けられた温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうので、図１０に示す形状のアーム部材が進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２と露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。

前記受け渡しアームＤも、棚ユニットＵ２に設けられた温調ユニットＣＰＬ３〜ＣＰＬ５との間でウエハＷの受け渡しを行なうので、図１０に示す形状のアーム部材が進退自在、昇降自在に構成され、棚ユニットＵ２の各部との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このような受け渡しアームＤ、インターフェイスアームＢは、後述する制御部１００からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。

また、前記加熱ユニット（ＣＨＰ３〜５、ＰＯＳＴ１，２、ＰＥＢ１，２）としては、図１に示すように、加熱プレート４３と、搬送アームを兼用する冷却プレート４４とを備え、メインアームＡと加熱プレート４３との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート４４により行なう、つまり加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられ、冷却ユニットＣＯＬ１、ＣＯＬ２としては、例えば水冷方式の冷却プレートを備えた構成の装置が用いられる。

さらに、上述の塗布、現像装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ５、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、インターフェイスアームＢの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えており、この制御部１００にて、目的の塗布膜に応じて単位ブロックＢ１〜Ｂ５内の所定のモジュールに所定の順番で基板を搬送させ、処理が行われるようになっている。前記搬送フローのレシピ（搬送レシピ）は単位ブロック内のウエハＷの搬送経路（搬送の順番）を指定したものであり、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより複数個の搬送レシピが制御部１００に格納されている。

例えば塗布膜の種類としては、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５にウエハＷを搬送して、第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合や、ＣＯＴ層Ｂ４とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とにウエハＷを搬送してレジスト膜のみを備えた塗布膜を形成する場合、ＣＯＴ層Ｂ４とＢＣＴ層Ｂ３とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とにウエハＷを搬送して、第１の反射防止膜とレジスト膜とを備えた塗布膜を形成する場合、ＣＯＴ層Ｂ４とＴＣＴ層Ｂ５とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とにウエハＷを搬送して、レジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合や、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のみにウエハＷを搬送する場合があり、さらに夫々の塗布膜であっても、レジスト膜や第１の反射防止膜を形成する際に疎水化処理を行なう場合と、行なわない場合があるので、これらに対応して異なる搬送レシピが作成される。

このため処理を行なう場合には、制御部１００のレシピ選択手段により、形成しようとする塗布膜の種類に応じて搬送レシピを選択し、これによってウエハＷを搬送する単位ブロックと、使用されるモジュールと、このモジュールへの搬送順序を選択することにより、所定の単位ブロックにおいて各モジュールやアームの駆動が制御され、一連の処理が行われるようになっている。

続いて、このレジストパターン形成装置において、レジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合であって、レジスト液の塗布前に疎水化処理を行なう搬送レシピを選択したときのウエハＷの流れについて説明する。このレシピでは、ＣＯＴ層Ｂ４とＴＣＴ層Ｂ５とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とにウエハＷが搬送される。

先ず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣ→ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）の棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の疎水化処理ユニットＡＤＨ１（ＡＤＨ２）の経路で搬送され、ここで疎水化処理が行われる。

続いて、ウエハＷは受け渡しアームＤ→温調ユニットＣＰＬ４の第２の温調プレート７２→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→塗布ユニット３２→メインアームＡ４→加熱ユニットＣＨＰ４→メインアームＡ４→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４の第１の温調プレート７１の経路で搬送されて、レジスト膜が形成される。

なお、ウエハＷは塗布ユニット３２に搬送される前に、温調ユニットＣＰＬ４の第２の温調プレート７２にて（２３＋０．２）℃に温度調整される。またウエハＷは、加熱ユニットＣＨＰ４の次に温調ユニットＣＰＬ４の第１の温調プレート７１に搬送されるが、加熱ユニットＣＨＰ４ではウエハＷは既述のように加熱プレート４３にて加熱された後、冷却プレート４４により５０℃程度に粗熱取りされるので、このウエハＷを温調ユニットＣＰＬ４の第１の温調プレート７１の上に１２秒程度載置することにより、ウエハＷは５０℃から（２３＋１）℃まで冷却される。

続いて、ウエハＷは、受け渡しアームＤ→温調ユニットＣＰＬ５の第２の温調プレート７２→メインアームＡ５→第２の反射防止膜ユニット３４→加熱ユニットＣＨＰ５→周縁露光装置ＷＥＥ→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ５の第１の温調プレート７１の順序で搬送され、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。ここでもウエハＷは第２の反射防止膜ユニット３４に搬送される前に、温調ユニットＣＰＬ５の第２の温調プレート７２にて（２３＋０．２）℃に温度調整され、加熱ユニットＣＨＰ５において冷却プレート４４により５０℃程度に粗熱取りされたウエハＷは周縁露光装置ＷＥＥを介して、温調ユニットＣＰＬ５の第１の温調プレート７１に搬送されることにより、ここで（２３＋１）℃まで冷却される。

続いて、ウエハＷは、受け渡しアームＤ→受け渡しステージＴＲＳ１(ＴＲＳ２)→メインアームＡ１（Ａ２）→棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）の第２の温調プレート７２→インターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の経路で搬送されて、ここで所定の露光処理が行なわれる。なおインターフェイスアームＢに受け渡す前に、ウエハＷは温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）の第２の温調プレート７２にて（２３＋１）℃から（２３＋０．２）℃に冷却される。

露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＢ→棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）の第１の温調プレート７１→ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）のメインアームＡ１（Ａ２）→加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））→冷却ユニット（ＣＯＬ１（ＣＯＬ２））→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１（ＰＯＳＴ２））の経路で搬送され、所定の現像処理が行われる。 こうして、現像処理が行われたウエハＷは、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１(ＴＲＳ２)を介して、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。ここでインターフェイスアームＢからのウエハＷは棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）の第１の温調プレート７１にて（２３＋１）℃に冷却されてから加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））に搬送される。

続いて、このレジストパターン形成装置において、第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合であって、レジスト液の塗布前に疎水化処理を行なわない搬送レシピを選択したときのウエハＷの流れについて説明する。このレシピでは、ＢＣＴ層Ｂ３とＣＯＴ層Ｂ４とＴＣＴ層Ｂ５とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とにウエハＷが搬送される。

キャリアブロック２１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣ→ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）の棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３の第２の温調プレート７２（ウエハＷ温度を（２３＋０．２）℃に調整）→ＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３→第１の反射防止膜ユニット３３→メインアームＡ３→加熱ユニットＣＨＰ３→メインアームＡ３→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３の第１の温調プレート７１の順序で搬送され、既述のようにウエハＷは（２３＋１）℃まで冷却される。

こうして、第１の反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４の第２の温調プレート７２（ウエハＷ温度を（２３＋０．２）℃に調整）→メインアームＡ４→塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＨＰ４→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４の第１の温調プレート７１の経路で搬送され、既述のようにウエハＷは５０℃から（２３＋１）℃まで冷却される。

次いで、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤにより温調ユニットＣＰＬ５の第２の温調プレート７２（ウエハＷ温度を（２３＋１）℃から（２３＋０．２）℃に調整）→メインアームＡ５→第２の反射防止膜ユニット３４→加熱ユニットＣＨＰ５→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ５の第１の温調プレート７１の順序で搬送され、既述のように（２３＋１）℃まで冷却される。こうして下から第１の反射防止膜、レジスト膜、第２の反射防止膜が形成されたウエハＷは、既述のようにＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４に搬送され、露光処理後のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２にて所定の現像処理が行われる。

さらに、このレジストパターン形成装置において、第１の反射防止膜とレジスト膜とを備えた塗布膜を形成する場合であって、レジスト液の塗布前に疎水化処理を行なわない搬送レシピを選択したときのウエハＷの流れについて説明する。このレシピでは、ＢＣＴ層Ｂ３とＣＯＴ層Ｂ４とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とにウエハＷが搬送される。

キャリアブロック２１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣ→ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）の棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３の第２の温調プレート７２（ウエハＷ温度を（２３＋０．２）℃に調整）→ＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３→第１の反射防止膜ユニット３３→メインアームＡ３→加熱ユニットＣＨＰ３→メインアームＡ３→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３の第１の温調プレート７１の順序で搬送され、既述のようにウエハＷは、５０℃から（２３＋１）℃まで冷却される。

こうして第１の反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４の第２の温調プレート７２（ウエハＷ温度を（２３＋０．２）℃に調整）→メインアームＡ４→塗布ユニット３１→加熱ユニットＣＨＰ４→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４の第１の温調プレート７１の経路で搬送され、既述のようにウエハＷは５０℃から（２３＋１）℃まで冷却される。

次いで第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成されたウエハＷは、既述のようにＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４に搬送され、露光処理後のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２にて所定の現像処理が行われる。

さらに、このレジストパターン形成装置において、レジスト膜のみを備えた塗布膜を形成する場合であって、レジスト液の塗布前に疎水化処理を行なう搬送フローレシピを選択したときのウエハＷの流れについて説明する。このレシピでは、ＣＯＴ層Ｂ４とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とにウエハＷが搬送される。

キャリアブロック２１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣ→ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）の棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の疎水化ユニットＡＤＨ１（ＡＤＨ２）→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３の第２の温調プレート７２（ウエハＷ温度を（２３＋０．２）℃に調整）→メインアームＡ４→塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＨＰ４→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４の第１の温調プレート７１の経路で搬送され、既述のようにウエハＷは５０℃から（２３＋１）℃まで冷却される。次いで第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成されたウエハＷは、既述のようにＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４に搬送され、露光処理後のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２にて所定の現像処理が行われる。

なお、レジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合やレジスト膜のみを備えた塗布膜を形成する場合であっても、必ずしもレジスト液の塗布前に疎水化処理を行なう必要はなく、その場合には、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→受け渡しアームＤ→温調ユニットＣＰＬ４の第２の温調プレート７２→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４の経路でＣＯＴ層Ｂ４に搬送され、所定の処理が行われる。

また、第１の反射防止膜とレジスト膜とを備えた塗布膜を形成する場合や、第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合であっても、レジスト液の塗布前に疎水化処理を行なうようにしてもよく、その場合には、ＢＣＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３の第１の温調プレート７１→受け渡しアームＤ→疎水化ユニットＡＤＨ１（ＡＤＨ２）→温調ユニットＣＰＬ４の第２の温調プレート７２→ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４の経路でＣＯＴ層Ｂ４に搬送され、所定の処理が行われる。

このようなレジストパターン形成装置では、棚ユニットＵ２に疎水化ユニットを設け、この疎水化ユニットに対しては受け渡しアームＤによりウエハＷの搬送を行っているので、ウエハＷに対して疎水化処理を行なう場合に、疎水化ユニットへのウエハＷの搬送をＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４より行なわなくて済む。このため当該メインアームＡ４の負荷が軽減され、搬送効率を高めることができて、その分高スループット化を図ることができる。

また、ＣＯＴ層Ｂ４内においては、疎水化ユニットに対してのウエハＷの搬送が必要なく、当該単位ブロックＢ４内での搬送経路の簡易化を図ることができる。さらに疎水化ユニットをＣＯＴ層Ｂ４に対応するキャリアブロックＳ１側の棚ユニットＵ２に設けることにより、キャリアブロックＳ１やＢＣＴ層Ｂ３からＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを搬送する経路の途中において疎水化処理を行なった後、この疎水化処理後のウエハＷをＣＯＴ層Ｂ４へ搬送することになる。このためこの点からもウエハＷの搬送経路の簡易化を図ることができる。このように搬送経路の簡易化が図れるので、１台の塗布、現像装置にて異なる塗布膜を形成する場合においても搬送プログラムの煩雑化を抑え、ソフトウェアの簡易化を図ることができる。

さらにまた、例えばＣＯＴ層Ｂ４においては、疎水化処理を行なう場合には、疎水化ユニットＡＤＨ１（ＡＤＨ２）→温調ユニットＣＰＬ４→塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＨＰ４→温調ユニットＣＰＬ４の経路でウエハＷを搬送し、疎水化処理を行なわない場合には、温調ユニットＣＰＬ４→塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＨＰ４→温調ユニットＣＰＬ４の経路でウエハＷを搬送するが、疎水化ユニットを棚ユニットＵ２に設けることにより、疎水化処理を行う場合であっても、行わない場合であっても、当該単位ブロックＢ４ではウエハＷの搬送経路が同じとなる。このため疎水化処理を行なう場合、行なわない場合に対応しながらも搬送プログラムの簡易化を図ることができる。

さらに、疎水化ユニットと温調ユニットとを同じ棚ユニットＵ２に設けることにより、疎水化処理とレジスト塗布との間に前記温調ユニットにてウエハＷの温度を調整する際に、疎水化ユニットと温調ユニットとの間のウエハＷの搬送を受け渡しアームＤにより行なえばよく、これらへのウエハＷの搬送をＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４により行なわなくて済むので、メインアームＡ４の負荷が軽減され、さらにスループットを高めることができる。

また、キャリアブロックＳ１やＢＣＴ層Ｂ３からＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを搬送する間に疎水化処理と温調処理を行なうことができるので、キャリアブロックＳ１とＣＯＴ層Ｂ４との間や、ＢＣＴ層Ｂ３とＣＯＴ層Ｂ４との間のウエハＷの通り道にて前記疎水化処理と温調処理とを行うことができ、さらにウエハＷの搬送経路の簡易化を図ることができる。この際、疎水化ユニットと温調ユニットとを同じ棚ユニットＵ２に設けることにより、これらの間の搬送距離が短く、搬送時間の短縮化を図ることができる。さらに、当該ＣＯＴ層Ｂ４内においても疎水化ユニット、温調ユニットに対してのウエハＷの搬送が必要ないので、さらに搬送経路の簡易化を図ることができる。

ここで、仮に温調ユニットのみを棚ユニットＵ２に設け、疎水化ユニットをＣＯＴ層Ｂ４に設ける場合のウエハＷの搬送経路について考慮すると、疎水化処理を行なう場合には、受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→ＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ１の疎水化ユニット→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４の経路でウエハＷを搬送することになるので、棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ１との間でのウエハＷの搬送が多くなり、その分搬送距離が長くなって、搬送効率が悪化してしまう。

さらにまた、疎水化ユニットや温調ユニットを棚ユニットＵ２に設けることにより、その分ＣＯＴ層Ｂ４やＢＣＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ１に他のモジュールを組み込むことができる。ここでスループットを向上させるためには、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５に加熱ユニットＣＨＰ３〜ＣＨＰ５を４列設ける必要があるが、このような要請に対応することができるので、装置の大型化を抑えながら、トータルのスループットをさらに向上させることができる。

なお、上述の装置においては、トランスファーアームＣを棚ユニットＵ２の各部つまり受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２、温調ユニットＣＰＬ３〜５に対してアクセス可能に構成し、キャリアブロックＳ２から直接ＢＣＴ層Ｂ３やＣＯＴ層Ｂ４の受け渡し部に搬送するようにしてもよい。

以上において本発明では、図１１に示すように、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２と、複数の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し部群を棚ユニットＵ２に設けるかわりに棚ユニットＵ３に設け、受け渡しアームＤを棚ユニットＵ２側に設けずに、棚ユニットＵ３の各部にアクセスできる位置に設けるようにしてもよい。

この場合には、棚ユニットＵ２にはキャリアブロックＳ１とＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうためのキャリアブロック用受け渡し部として受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２が設けられ、棚ユニットＵ３にはインターフェイスブロックＳ３と現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうためのインターフェイスブロック用受け渡し部として温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２が設けられると共に、棚ユニットＵ３のＢＣＴ層Ｂ３に対応する位置には温調ユニットＣＰＬ３と疎水化ユニットＡＤＨ３、ＣＯＴ層Ｂ４に対応する位置には温調ユニットＣＰＬ４と疎水化ユニットＡＤＨ１，ＡＤＨ２、ＴＣＴ層Ｂ５に対応する位置には温調ユニットＣＰＬ５が夫々設けられる。

そして、キャリアブロックＳ１から棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）を介してＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）に搬入されたウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）のメインアームＡ１（Ａ２）により棚ユニットＵ３の受け渡し部ＣＰＬ１（ＣＰＬ２）に搬送され、ここから受け渡しアームＤにより選択された塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５に搬送される。塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５間においても棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ３〜ＣＰＬ５を介して受け渡しアームＤによりウエハＷの受け渡しが行われる。

こうして塗布膜が形成されたウエハＷは、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ３〜ＣＰＬ５を介して温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）に搬送され、ここからインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送される。露光後のウエハＷはインターフェイスアームＢにより棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）を介してＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）に搬送される。

この例においては、インターフェイスアームＢを棚ユニットＵ３の各部に対してアクセス可能に構成し、露光処理前の最後の塗布膜の薬液を塗布する塗布膜形成用の単位ブロックから、ウエハＷを当該単位ブロックの棚ユニットＵ３の受け渡し部を介して直接インターフェイスアームＢに受け渡すようにしてもよい。

以上において上述の実施の形態では、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間のウエハＷの搬送を現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２を介してのみ行なう例について説明したが、前記キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間のウエハＷの搬送を塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも一つを介してのみ行なうようにしてもよい。

具体的に、図１２を用いて、下方側からＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５、ＤＥＶ層Ｂ１、ＤＥＶ層Ｂ２の順番で単位ブロックが積層され、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の全てにおいてキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部が設けられ、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２には前記受け渡し部が設けられていない場合を例にして説明する。この際、例えば各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、例えばキャリアブロックＳ１に隣接する領域に受け渡し部群を備えており、受け渡しアームＤはこの受け渡し部群の各部に対してアクセスできるように構成されるものとする。そして例えばＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５は、棚ユニットＵ２にキャリアブロック用受け渡し部を兼ねる温調ユニットＣＰＬ３，ＣＰＬ４，ＣＰＬ５を夫々備えると共に、棚ユニットＵ３にインターフェイスブロック用受け渡し部を兼ねる温調ユニットＣＰＬ１３，ＣＰＬ１４，ＣＰＬ１５を夫々備えており、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は棚ユニットＵ２に受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を備えるように構成される。

この例では、キャリアブロックＳ１のウエハＷは、第１の反射防止膜を形成する場合にはＢＣＴ層Ｂ５の棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３に搬入され、また第１の反射防止膜を形成しない場合には例えばＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４に搬入される。そして次いで所定の塗布膜形成用の単位ブロックに搬送された後、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１３〜ＣＰＬ１５のいずれかを介してインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送される。

一方、露光後のウエハＷは、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１３〜ＣＰＬ１５のいずれかを介してこれら単位ブロックＢ３〜Ｂ５に搬入され、対応する単位ブロックＢ３〜Ｂ５のメインアームＡ３〜Ａ５→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３〜ＣＰＬ５→受け渡しアームＤ→受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）を介してＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）に搬送され、ここで現像処理が行われる。現像処理後のウエハＷは、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→受け渡しアームＤ→温調ユニットＣＰＬ３〜ＣＰＬ５のいずれかに搬送されて、ここからキャリアブロックＳ１に受け渡される。

この例では、インターフェイスブロック用受け渡し部は、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けるようにしてもよい。またキャリアブロック用受け渡し部とインターフェイスブロック用受け渡し部は、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも一つに設けられていればよく、これらは異なる塗布膜形成用の単位ブロックに設けられていてもよい。

また、この例においても、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間のウエハＷの受け渡しをインターフェイスブロックＳ３側に設けられた受け渡し部群と、これら受け渡し部群にアクセス可能な受け渡しアームＤとの組み合わせのみによって行なうようにしてもよい。この場合には、例えば図１３に示すように、例えば各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、例えばインターフェイスブロックＳ３に隣接する領域に受け渡し部群を備えており、受け渡しアームＤはこの受け渡し部群の各部に対してアクセスできるように構成されるものとする。そして例えばＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５は棚ユニットＵ２にキャリアブロック用受け渡し部を兼ねる温調ユニットＣＰＬ３，ＣＰＬ４，ＣＰＬ５、棚ユニットＵ３にインターフェイスブロック用受け渡し部を兼ねる温調ユニットＣＰＬ１３，ＣＰＬ１４，ＣＰＬ１５を備えており、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は棚ユニットＵ３に温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２を備えるように構成される。また棚ユニットＵ３にはＢＣＴ層Ｂ３に対応する位置に疎水化ユニットＡＤＨ３、ＣＯＴ層Ｂ４に対応する位置に疎水化ユニットＡＤＨ１，ＡＤＨ２を備えている。

この例では、キャリアブロックＳ１のウエハＷは、第１の反射防止膜を形成する場合にはＢＣＴ層Ｂ５の棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３を介して当該ＢＣＴ層Ｂ３に搬入され、また第１の反射防止膜を形成しない場合には例えばＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ４を介して当該ＣＯＴ層Ｂ４に搬入される。そして次いで所定の塗布膜形成用の単位ブロックに搬送された後、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１３〜ＣＰＬ１５のいずれかを介してインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送される。

一方、露光後のウエハＷは、温調ユニットＣＰＬ１３〜ＣＰＬ１５のいずれか→受け渡しアームＤ→温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）を介してＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）に搬送され、ここで現像処理が行われる。現像処理後のウエハＷは、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）→受け渡しアームＤ→温調ユニットＣＰＬ１３〜ＣＰＬ１５のいずれかの経路で搬送され、対応する単位ブロックＢ３〜Ｂ５を通過して棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３〜ＣＰＬ５のいずれかを介してキャリアブロックＳ１に戻される。

ここで、インターフェイスブロック用受け渡し部は、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けるようにしてもよい。またキャリアブロック用受け渡し部とインターフェイスブロック用受け渡し部は、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも一つに設けられていればよく、これらは異なる塗布膜形成用の単位ブロックに設けられていてもよい。

さらに本発明では、図１４及び図１５に示すように、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間のウエハＷの受け渡しをキャリアブロックＳ２側に設けられた第１の受け渡し部群とこの第１の受け渡し部群にアクセス可能な第１の受け渡しアームＤ１と、インターフェイスブロックＳ３側に設けられた第２の受け渡し部群とこの第２の受け渡し部群にアクセス可能な第２の受け渡しアームＤ２のいずれかによって行なうようにしてもよい。

この場合には、例えば各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、棚ユニットＵ２には、第１の受け渡し部群として、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に相当する位置に受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２、ＢＣＴ層Ｂ３に相当する位置に温調ユニットＣＰＬ３と疎水化ユニットＡＤＨ３、ＣＯＴ層Ｂ４に相当する位置に温調ユニットＣＰＬ４と疎水化ユニットＡＤＨ１，ＡＤＨ２、ＴＣＴ層Ｂ５に相当する位置に温調ユニットＣＰＬ５を夫々備えており、棚ユニットＵ３には、第２の受け渡し部群として、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に相当する位置に温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２、ＢＣＴ層Ｂ３に相当する位置に温調ユニットＣＰＬ１３、ＣＯＴ層Ｂ４に相当する位置に温調ユニットＣＰＬ１４、ＴＣＴ層Ｂ５に相当する位置に温調ユニットＣＰＬ１５を夫々備えるように構成される。この際、例えば棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２がキャリアブロック用受け渡し部、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１，ＣＰＬ２がインターフェイスブロック用受け渡し部に夫々相当する。なお疎水化ユニットＡＤＨ１〜ＡＤＨ３は棚ユニットＵ３に設けるようにしてもよい
そして、例えばキャリアブロックＳ１のウエハＷは、第１の反射防止膜を形成する場合には、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→ＢＣＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３の経路で当該ＢＣＴ層Ｂ３に搬入され、また第１の反射防止膜を形成しない場合には例えばＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→ＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ２の疎水化ユニットＡＤＨ１（ＡＤＨ２）に搬送される。そしてウエハＷは、棚ユニットＵ２の第１の受け渡し部群又は棚ユニットＵ３の第２の受け渡し部群のいずれかを介して所定の塗布膜形成用の単位ブロックに搬送された後、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）→インターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の経路で搬送される。

一方、露光後のウエハＷは、例えば温調ユニットＣＰＬ１（ＣＰＬ２）を介してＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）に搬送されて、ここで現像処理が行われ、その後ウエハＷは、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）を介してキャリアブロックＳ１に戻される。

以上において、本発明では、第１の反射防止膜を形成する際に疎水化処理を行なうようにしてもよい。また第１の反射防止膜を形成する際の疎水化処理を疎水化ユニットＡＤＨ１，ＡＤＨ２にて行うようにしてもよいし、レジスト膜を塗布する際の疎水化処理を疎水化ユニットＡＤＨ３にて行うようにしてもよい
さらに、本発明では、現像処理用の単位ブロックを１層としてもよいし、塗布膜形成用の単位ブロックを、下方側から上方側に向かって順番にＴＣＴ層、ＣＯＴ層、ＢＣＴ層となるように配列してもよい。また各単位ブロックに設けられる棚ユニットＵ２、Ｕ３の受け渡し部は１個以上であればよい。

また、温調ユニットはＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２に設けた冷却ユニットＣＯＬと同様の役割を果たすものであるので、棚ユニットＵ２，Ｕ３には温調ユニットの代わりに全て受け渡しステージを設け、各単位ブロックに冷却ユニットを設けるようにしてもよい。さらに棚ユニットＵ２，Ｕ３に温調ユニットを設け、対応する単位ブロックに冷却ユニットを設けるようにしてもよい。

さらにまた、本発明では、トランスファーアームＣにてアクセスできる棚ユニットＵ２の受け渡し部は、トランスファーアームＣと、単位ブロックの１つ以上の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しが行われるものであればよいし、インターフェイスアームＢにてアクセスできる棚ユニットＵ３の受け渡し部は、インターフェイスアームＢと、単位ブロックの１つ以上の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しが行われるものであればよい。

さらにまた、本発明では棚ユニットＵ２に疎水化ユニットが設けられている場合には、トランスファーアームＣと疎水化ユニットとの間で直接ウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。この場合には、トランスファーアームＣは、図１０に示す形状に構成される。

さらにＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２内のモジュールについてはメインアームＡ１だけで共用してウエハＷの搬送を行うようにしてもよいし、いずれかの単位ブロックＢ１（Ｂ２）のみに、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を設けるようにしてもよい。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。

本発明に係る塗布、現像装置の一実施の形態を示す平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。 前記塗布、現像装置における棚ユニットと単位ブロックと受け渡しアームとを示す側面図である。 前記塗布、現像装置におけるレジスト液の塗布処理を行う単位ブロックを示す平面図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットを示す平面図と縦断断面図である。 前記塗布、現像装置における疎水化ユニットを示す縦断断面図である。 前記塗布、現像装置における温調ユニットを示す縦断断面図である。 前記塗布、現像装置における搬送手段を示す平面図と斜視図である。 前記塗布、現像装置の他の例を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の例を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の例を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置のさらに他の例を示す平面図である。 図１４に示す塗布、現像装置を示す縦断断面図である。 従来の塗布、現像装置を示す平面図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ インターフェイスアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ 受け渡しアーム
３１ 現像ユニット
３２ 塗布ユニット
３３ 第１の反射防止膜形成ユニット
３４ 第２の反射防止膜形成ユニット
１００ 制御部

Claims (6)

1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
   ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
   ｂ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
   ｃ）前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
   ｄ）前記各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう受け渡し部と、基板に対して疎水化処理を行なう疎水化ユニットと、を積層して構成された受け渡し部群と、この受け渡し部と疎水化ユニットとの間で基板の受け渡しを行なうための基板受け渡し手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
2. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
   ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
   ｂ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
   ｃ）前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットとこれらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
   ｄ）前記各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう受け渡し部と、基板に対して疎水化処理を行う疎水化ユニットを積層して構成された受け渡し部群と、この受け渡し部と疎水化ユニットとの間で基板の受け渡しを行なうための基板受け渡し手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
3. 前記疎水化ユニットが設けられた受け渡し部群の中には、塗布膜が形成される前の基板を載置して、基板に対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行なう温度に調整するための温調ユニットが設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
4. 前記温調ユニットは、加熱ユニットにて加熱された基板を載置して基板の温度を第１の温度に粗調整する第１の温調プレートと、基板を載置して、さらに精密に温度調整する第２の温調プレートとを備えることを特徴とする請求項３記載の塗布、現像装置。
5. 前記第２の温調プレートは、所定の温度に調整された液体を通流させて温調され、前記第１の温調プレートは、前記液体の温度を前記第１の温調プレートに伝熱させるヒートパイプを有し、このヒートパイプは前記液体を通流させるパイプと接続されていることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
6. 請求項１記載の塗布、現像装置において行なわれる塗布、現像方法において、
   前記受け渡し部群に設けられた疎水化ユニットにおいて疎水化処理された基板をレジスト液を塗布するための単位ブロックに搬送して、この基板に対してレジスト液を塗布する工程と、
   次いで前記レジスト液を塗布するための単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて、前記レジスト液が塗布され、露光された基板に対して現像処理を行なう工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
   

Images