JP2013069917A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置において占有床面積を小さくすることができる技術を提供すること。
【解決手段】キャリアブロックの背面側に設けられ、基板の処理の順番が前後する複数の階層部分を積層した構造を備えると共に各階層ごとに基板搬送機構及び基板を処理する処理モジュールが設けられた処理ブロックと、各々対応する階層の前記基板搬送機構により基板の受け渡しが行われる基板載置部を積層したタワー部と、キャリア載置部上のキャリアと前記タワー部の基板載置部との間、及び前記タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行う基板移載機構と、を備え、基板移載機構は、キャリアと基板載置部との間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第１の基板保持部材と、タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第２の基板保持部材と、を備えるように構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、キャリアから基板を取り出して処理を行う基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程は、複数枚の半導体ウエハ（以下ウエハと記載する）を格納したキャリアを搬入するためのキャリアブロックと、キャリアブロックから受け渡されたウエハを処理する処理ブロックとを備えた基板処理装置により行われる。

前記処理ブロックは、レジストなどの各種の薬液の塗布処理を行う塗布処理用の単位ブロック、現像処理を行う現像処理用の単位ブロックのうちの複数個を上下に積層して構成される場合がある。この場合、キャリアブロックに設けられたウエハの移載機構の移動路の背面側（処理ブロック側）に各単位ブロックにウエハを受け渡すための積層されたステージ群が設けられる。例えば、特許文献１には塗布、現像装置として構成された、そのような基板処理装置について記載されている。

ところで、前記基板処理装置については上記のように単位ブロックを積層することにより、基板処理装置が設置されるクリーンルームの床面積に対して、当該基板処理装置が占める床面積の割合を小さくすることが図られているが、この割合をさらに小さくすることが求められている。また、この基板処理装置においては、スループットを高くすることが検討されている他、前記キャリアブロックのウエハの移載機構にトラブルが発生した場合においてもスループットの低下を防ぐことが求められている。

なお、特許文献２には２つの移載機構が設けられたキャリアブロックと、積層された２つの単位ブロックからなる処理ブロックとを備えた基板処理装置について記載されている。移載機構は、各単位ブロックの入り口に設けられるステージに各々アクセスして、当該ステージを介してウエハがキャリアブロックと単位ブロックとの間で搬送されるが、１つの移載機構のアクセスするステージは、１つの単位ブロックのステージに限られており、上記の問題を解決できるものではない。

特開２００９−２７８０２７ 特開２００９−２６００８７８（図１２及び段落００８５〜段落００８７）

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板処理装置の占有床面積を小さくすることができる技術を提供することである。

本発明の基板処理装置は、複数の基板を収納する搬送容器であるキャリアが載置されるキャリア載置部を上下方向に複数備えたキャリアブロックと、
基板を処理するために前記キャリアブロックの背面側に設けられ、基板の処理の順番が前後する複数の階層部分を積層した構造を備えると共に各階層ごとに基板搬送機構及び基板を処理する処理モジュールが設けられた処理ブロックと、
各々対応する階層の前記基板搬送機構により基板の受け渡しが行われる高さ位置に配置された複数の基板載置部を積層したタワー部と、
前記各キャリア載置部上のキャリアと前記タワー部の基板載置部との間、及び前記タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行う進退、昇降自在な基板移載機構と、を備え、
前記基板移載機構は、キャリアと基板載置部との間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第１の基板保持部材と、タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第２の基板保持部材と、を備えたことを特徴とする。

本発明の具体的な態様としては例えば下記の通りである。
（１）前記第１の基板保持部材は、基板の下面の周縁部よりも中央寄りの部位を保持するように構成され、
前記第２の基板保持部材は、基板の周囲を囲むように設けられた支持部と、この支持部の内周縁に設けられ、基板の下面の周縁部を保持する保持爪と、を備え、
前記第２の基板保持部材により基板の受け渡しが行われる基板載置部は、基板を載置するための載置プレートと、この載置プレートの外周に形成され、前記保持爪が通過できる切り欠き部と、を備える。
（２）前記第１の基板保持部材により基板の受け渡しが行われる基板載置部は、当該基板保持部材と平面的に干渉しない位置にて、基板載置部と基板保持部材との間で基板の移し替えができるように、基板を昇降させるための昇降部材が設けられている。

本発明によれば、キャリア載置部上のキャリアと処理ブロックの各階層に対応して設けられた基板載置部を備えるタワー部との間で基板を移載する基板移載機構を設け、前記基板移載機構は、キャリアと基板載置部との間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第１の基板保持部材と、タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第２の基板保持部材と、を備える。従って、基板移載機構の小型化を図ることができ、それによって基板移載機構の配置のレイアウトの自由度が高くなる。また、基板載置部の構成の自由度も高くなる。従って、装置の占有床面積を抑えることができる。

本発明の基板処理装置に係る塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置のキャリアブロックに設けられるウエハ移載機構の斜視図である。 前記キャリアブロックに設けられる受け渡しモジュールの斜視図である。 前記受け渡しモジュールによるウエハの受け渡しを説明するための説明図である。 前記受け渡しモジュールによるウエハの受け渡しを説明するための説明図である。 前記キャリアブロックを構成する基板移載機構ブロックを引き出した状態のキャリアブロックの正面図である。 前記キャリアブロックの平面図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 第２の実施形態のキャリアブロックを示す正面図である。 前記キャリアブロックに設けられるキャリア移動機構を示す平面図である。 前記キャリアブロックに設けられるキャリア移動機構を示す平面図である。 前記キャリアブロックに設けられるキャリア移動機構を示す平面図である。 第３の実施形態のキャリアブロックの正面図である。 前記キャリアブロックの横断平面図である。 第４の実施形態のキャリアブロックの正面図である。 前記キャリアブロックの横断平面図である。 ウエハ移載機構の他の構成を示す正面図である。 第５の実施形態の塗布装置の概略側面図である。 前記塗布装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 第６の実施形態の塗布、現像装置の概略側面図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 第７の実施形態の塗布、現像装置の概略側面図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路の概略図である。 第８の実施形態の塗布、現像装置の概略側面図である。

（第１の実施形態）
本発明の基板処理装置の第１の実施形態である塗布、現像装置１に露光装置を接続したレジストパターン形成システムについて説明する。図１は、前記レジストパターン形成システムの平面図、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。塗布、現像装置１は、キャリアブロックＡ１と、処理ブロックＡ２と、インターフェイスブロックＡ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＡ３にはさらに処理ブロックＡ２の反対側に露光装置Ａ４が接続されている。この例では露光装置Ａ４は、露光用のレンズと基板であるウエハＷとの間が気相の状態で当該ウエハＷに露光を行う。塗布、現像装置１はこのような露光装置Ａ４に対応した処理モジュールを備えている。なお、ウエハＷの載置される場所をモジュールと記載し、ウエハＷに液処理や加熱処理などの各種の処理を行うモジュールを処理モジュールとする。

以降の説明ではブロックＡ１〜Ａ４の配列方向を前後方向とし、キャリアブロックＡ１側を前面側、露光装置Ａ４側を背面側とする。先ず、処理ブロックＡ２の概略を説明する。処理ブロックＡ２は積層された６つの単位ブロックＢ１〜Ｂ６が番号順に下から積層されており、図３に示すように各単位ブロックＢ１〜Ｂ６には、単位ブロック用の基板搬送機構である主ウエハ搬送機構５１〜５６が各々設けられている。主ウエハ搬送機構５１〜５６は、互いに独立且つ並行して各単位ブロックに設けられている処理モジュール間においてウエハＷを搬送できるように構成されている。

単位ブロックＢ１及びＢ２ではウエハＷに反射防止膜形成処理及びレジスト膜の形成処理行われる。単位ブロックＢ３、Ｂ４では前記レジスト膜の上層に積層される反射防止膜の形成処理が行われる。単位ブロックＢ５、Ｂ６では露光装置Ａ４で露光後のウエハＷの現像処理が行われる。

続いて、キャリアブロックＡ１について説明する。キャリアブロックＡ１は複数枚のウエハＷが格納されたＦＯＵＰと呼ばれる搬送容器であるキャリアＣを、図２に示す天井搬送機構２１との間で受け渡す。また、キャリアブロックＡ１は、キャリアＣと処理ブロックＡ２との間でウエハＷを受け渡す役割と、異なる単位ブロックＢ間でウエハＷを受け渡すことができるようにウエハＷを昇降搬送する役割とを有する。

キャリアブロックＡ１は角型の筐体１１を備え、筐体１１の前面には筐体１１内に連通する４つのウエハＷの搬送口１２Ａ〜１２Ｄが形成されている。搬送口１２Ａ、１２Ｂは筐体１１の下段側に、左右に間隔をおいて同じ高さに形成されており、搬送口１２Ｃ、１２Ｄは夫々搬送口１２Ａ、１２Ｂの上方に同じ高さに形成されている。これらの搬送口１２Ａ〜１２Ｄは、開閉部１３により塞がれている。開閉部１３はキャリアＣの前面に設けられる蓋体Ｃ１を取り外し、取り外した蓋体Ｃ１を保持した状態で図３に示すように搬送口１２Ａ〜１２Ｄからの後退及び下降動作を行い、キャリアＣ内と筐体１１内との間でウエハＷを搬送可能にする。

筐体１１の前面において搬送口１２Ａ、１２Ｂの下方は、前方側に突出する支持台１４として形成されており、それによって筐体１１は側面視Ｌ字に構成されている。この支持台１４の上面にはキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂが左右に互いに離れて設けられている。これらのキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂは、各々搬送口１２Ａ、１２Ｂの前方側に設けられ、支持台１４の手前側におけるキャリアＣの受け渡しを行うためのアンロード位置と、支持台１４の奥側において、載置されたキャリアＣからウエハＷの払い出しを行うためのロード位置と、の間で前後方向に移動する。図中１６は各キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂから上方に突出するピンであり、キャリアＣの底面に切られた溝Ｃ３（この実施形態では図示を省略している）に嵌合する。それによって、キャリアＣのキャリア載置部１５に対する位置が規制される。

支持台１４上面のキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂ間は、キャリア仮置き部１７Ａ、１７Ｂとして構成されている。各キャリア仮置き部１７Ａ、１７Ｂは、天井搬送機構２１とキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂとの間でキャリアＣを受け渡すために、当該キャリアＣが一時的に載置される領域であり、キャリア仮置き部１７Ａはキャリア載置部１５Ａ側に、キャリア仮置き部１７Ｂはキャリア載置部１５Ｂ側に設けられている。

ここで天井搬送機構２１について簡単に説明すると、図２中２２はガイドレールであり、塗布、現像装置１が設置されるクリーンルーム内の天井を引き回されている。２３はガイドレール２２に沿って移動する駆動機構である。２４は駆動機構２３に接続される接続部であり、駆動機構２３により下方に伸長自在に構成されている。２５は把持部であり、接続部２４の下端に設けられ、キャリアＣの上部に設けられる被把持部Ｃ２を把持する。

支持台１４の左右には夫々キャリア移動機構２６Ａ、２６Ｂが設けられており、各キャリア仮置き部１７Ａ、１７Ｂと、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂとの間で夫々キャリアＣを受け渡す。なお、図２では、図を見やすくするためキャリア移動機構２６Ｂを省略している。図２を参照しながらキャリア移動機構２６Ａについて説明すると、キャリア移動機構２６Ａは、把持部２７、把持部２７から横方向に伸びるロッド２８及びロッド２８を横方向に移動させるロッド移動機構２９、ロッド移動機構２９を昇降させる昇降機構３０を備えている。前記把持部２７は、その間隔を変更自在な爪部２７ａ、２７ａを備えており、キャリアＣの被把持部Ｃ２の把持及び開放を自在に行うことができる。キャリア移動機構２６Ｂについては、キャリア移動機構２６Ａと同様に構成されているため詳細な説明を省略する。

搬送口１２Ｃ、１２Ｄの下方且つ搬送口１２Ａ、１２Ｂの上方には、筐体１１から前方へ突出するように上方支持台３１Ｃ、３１Ｄが夫々設けられており、上方支持台３１Ｃ、３１Ｄの上面にはキャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄが夫々設けられている。このキャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄは、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂと同様に構成される。これらのキャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄと天井搬送機構２１との間では、上記の仮置き部１７Ａ、１７Ｂを介さずに直接キャリアＣの受け渡しが行われる。上方支持台３１Ｃ、３１Ｄは互いに間隔をおいて形成されており、この間隔を利用して、既述のキャリア仮置き部１７Ａ、１７Ｂと天井搬送機構２１との間でキャリアＣの受け渡しが行われる。つまり、上方支持台３１Ｃ、３１Ｄはキャリア仮置き部１７Ａ、１７Ｂに重ならないように配置されている。

図１に示すように筐体１１内の左右の中央部には上下に延びるタワー部３１が設けられており、このタワー部３１には各単位ブロックＢへのウエハＷの搬入及び各単位ブロックＢからのウエハＷの搬出を行うために、ウエハＷが一旦載置される受け渡しモジュールが複数積層されて設けられている。筐体１１内において、このタワー部３１を左右から挟むように第１のウエハ移載ユニット４１及び第２のウエハ移載ユニット４２が設けられている。第１のウエハ移載ユニット４１は、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに臨む位置に設けられ、これらキャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに各々載置されたキャリアＣとタワー部３１に設けられたモジュールとの間でウエハＷを搬送する。第２のウエハ移載ユニット４２は、キャリア載置部１５Ｂ、１５Ｄに臨む位置に設けられ、これらキャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに各々載置されたキャリアＣとタワー部３１に設けられたモジュールとの間でウエハＷを搬送する。キャリア載置部に臨む位置とは、ウエハ移載ユニットに設けられる後述の移載部本体４０がこのキャリア載置部に載置されたキャリアＣに対してウエハＷの受け渡しを行うことができる位置である。

図４も参照しながら第１のウエハ移載ユニット４１について説明すると、第１のウエハ移載ユニット４１は、ガイドレール４３と、支持枠４４と、移載部本体４０とを備えている。ガイドレール４３は、筐体１１の底部に左右方向に向かって敷設されており、支持枠４４は上下方向に伸びるように形成され、ガイドレール４３に沿って移動自在に構成される。移載部本体４０は、昇降基台４５、回転台４６、第１の保持アーム４７及び第２の保持アーム４８により構成される。昇降基台４５は支持枠４４内を昇降自在に構成される。回転台４６は昇降基台４５上に設けられ、鉛直軸回りに回転自在に構成される。

基板保持部材である第１の保持アーム４７は、基部４７ａと、当該基部４７ａから二股に分かれて水平に延び出した先端部４７ｂ、４７ｂとを有する細長且つ平型のフォーク形状に構成されており、その長さ方向に沿って回転台４６上を進退自在に構成されている。この第１の保持アーム４７の伸長方向を前後方向とした場合、第１の保持アーム４７はこのように構成されることで、ウエハＷの下面の左右の周縁部よりも中央よりの部位を保持する。そして、蓋体Ｃ１が開かれたキャリアＣ内に進入自在に構成され、キャリアＣとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

基板保持部材である第２の保持アーム４８は回転台４６上にて、第１の保持アーム４７の下方に当該第１の保持アーム４７に重なるように設けられ、第１の保持アーム４７と同じ方向に進退自在に構成されている。この進退動作は第１の保持アーム４７とは独立して行うことができる。第２の保持アーム４８は、基部４８ａと、基部４８ａから第２の保持アーム４８の前進方向へ向けてウエハＷの側周を囲むように２股に分かれて延び出した支持部４８ｂ、４８ｂと、各支持部４８ｂ、４８ｂの下方の内周縁に設けられた３つの保持爪４８ｃとを備えている。一方の先端部４８ｂは他方の支持部４８ｂよりも長く、基部４８ａ及び先端部４８ｂ、４８ｂは平面で見て概ねＣ字状に構成されている。保持爪４８ｃは間隔をおいて配置され、ウエハＷの裏面周縁部を保持する。

続いてタワー部３１に設けられる基板載置部である受け渡しモジュールＣＰＬと受け渡しモジュールＳＣＰＬとについて、図５を参照しながら説明する。受け渡しモジュールＣＰＬは複数枚例えば４枚の互いに間隔をおいて積層された円板形状のウエハ載置部３２を備えており、各々の載置部３２にウエハを載置することができる。ウエハ載置部３２の裏面には市水の流路が形成され、ウエハ載置部３２に載置されたウエハＷが前記水の温度に調整される。

ウエハ載置部３２の円周の一部は外側に引き出され、ウエハ載置部３２を支持するための支持部３３を構成している。また、載置部３２の周囲には内側に向かう複数の切り欠き３４が形成されている。各ウエハ移載ユニット４１、４２の第２の保持アーム４８がウエハ載置部３２に対して上下に移動するときに載置部３２の外周を通過することができる。このときに、図６に示すように保持アーム４８の保持爪４８ｃが切り欠き３４を通過する。それによって載置部３２と各保持アーム４８との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

ここで処理ブロックＡ２の主ウエハ搬送機構５１〜５６について説明する。主ウエハ搬送機構５１〜５６は互いに同様に構成され、第２の保持アーム４８と略同様に構成された保持アーム５７を備えている。保持アーム５７における保持アーム４８との差異点としては２つの先端部４８ｂ、４８ｂが同じ長さに形成されていること及び保持爪４８ｃが４つ設けられることである。保持アーム５７がウエハ載置部３２の上下に移動するとき、第２の保持アーム４８と同様に保持アーム５７はウエハ載置部３２の外周を通過することができ、このときに保持アーム５７の保持爪４８ｃは切り欠き３４を通過する。それによって受け渡しモジュールＣＰＬと保持アーム５７との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

図５に戻って、受け渡しモジュールＳＣＰＬについて説明する。受け渡しモジュールＳＣＰＬは、扁平な円形のウエハＷの載置部３５を備えている。このウエハ載置部３５の内部には図示しない冷却水の流路が形成されており、ウエハ載置部３５に載置されたウエハＷの温度が、前記冷却水の温度に調整される。この冷却水はチラーにより温度調整された水であり、従って受け渡しモジュールＳＣＰＬは、受け渡しモジュールＣＰＬよりも載置されたウエハＷを所定の温度に精度高く調整することができる。なお、このように冷却水を供給する代わりに、ウエハ載置部３５の表面の温度を制御できる例えばペルチェ素子などにより構成されるサーモユニットをウエハ載置部３５に組み込んでもよい。

ウエハ載置部３５は３本の昇降部材である昇降ピン３６を備えている。昇降ピン３６はウエハ載置部３５の表面に開口した３つの孔３７を介して当該表面において突没自在に構成されている。図７に示すようにこの昇降ピン３６は、ウエハ載置部３５上に移動した第１の保持アーム４７、第２の保持アーム４８、主ウエハ搬送機構の保持アーム５７の股部を通過できるように配置され、それによって、これらの保持アーム４７、４８、５８と載置部３５との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。従って、受け渡しモジュールＳＣＰＬ、ＣＰＬを介して第１のウエハ移載ユニット４１と、第２のウエハ移載ユニット４２と、当該受け渡しモジュールＣＰＬ、ＳＣＰＬが位置する高さの単位ブロックに設けられる主搬送機構との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

図３に示すようにタワー部３１において、単位ブロックＢ１〜Ｂ４の主ウエハ搬送機構５１〜５４がアクセスできる各高さ位置に受け渡しモジュールＣＰＬ及びＳＣＰＬが設けられており、夫々ＣＰＬ１〜ＣＰＬ４及びＳＣＰＬ１〜ＳＣＰＬ４として示している。また、単位ブロックＢ５及びＢ６の各主ウエハ搬送機構５５、５６がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールＳＣＰＬが設けられており、各々ＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６として示している。

さらに、タワー部３１において主ウエハ搬送機構５５、５６がアクセスできる高さ位置にはバッファモジュールＢＵ１、ＢＵ２が設けられている。これらバッファモジュールＢＵ１、ＢＵ２は、受け渡しモジュールＣＰＬと略同様に構成され、複数枚のウエハＷを上下に載置して滞留させることができる。キャリアＣにウエハＷを戻せない場合にウエハＷはこれらバッファモジュールＢＵ１、ＢＵ２に搬送される。例えばバッファモジュールＢＵ１、ＢＵ２で、合計１５枚のウエハＷを滞留させることができるように構成されている。

キャリアブロックＡ１の筐体１１は分割されており、複数の分割部により構成されている。第１のウエハ移載ユニット４１が移動する領域を構成する底面部、天井面部及びタワー部３１と対向する側面部により一つの分割部が構成され、この分割部と第１のウエハ移載ユニット４１をウエハ移載ユニットブロック６１Ａとする。また、第２のウエハ移載ユニット４２が移動する領域を構成する底面部、天井面部及びタワー部３１と対向する側面部により一つの分割部が構成され、この分割部と第２のウエハ移載ユニット４２をウエハ移載ユニットブロック６１Ｂとする。キャリアブロックＡ１を正面から見て、ウエハ移載ユニットブロック６１Ａ、６１Ｂは、タワー部３１から離れるように夫々左方向、右方向へと引き出すことができる。図８、図９はウエハ移載ユニットブロック６１Ａを引き出した状態を示している。

図８中６２は左右方向に向かって形成されたガイドレールである。図８中６３はウエハ移載ユニットブロック６１Ａ、６１Ｂの外側に各々設けられた接続部である。接続部６３はガイドレール６２に沿ってスライド自在に構成され、それによって上記のようにウエハ移載ユニットブロック６１Ａ、６１Ｂを引き出すことができる。このような構成とすることで、ウエハ移載ユニット４１、４２のメンテナンスを容易に行うことができる。またウエハ移載ユニット４１、４２のうちいずれか一方が動作中であっても他方をメンテナンスすることができ、それによってスループットの低下を防ぐことができる。なお、図２ではガイドレール６２及び接続部６３の図示を省略している。

続いて処理ブロックＡ２の各単位ブロックについて、図１に示す第１の単位ブロックＢ１を代表して説明する。処理ブロックＡ２を手前側から背面側へ向かって見ると、左右の中央部にはタワー部３１からインターフェイスブロックＡ３へ向かう搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１は主ウエハ搬送機構５１の移動路であり、主ウエハ搬送機構５１はこの搬送領域Ｒ１を移動して、第１の単位ブロックＢ１に設けられる各モジュールと、既述のタワー部３１及び後述のインターフェイスタワー部７５にて第１の単位ブロックＢ１と同じ高さに配置されるモジュールとにアクセスすることができる。搬送領域Ｒ１の左側には棚ユニットＵ１〜Ｕ６が前後方向に配置され、搬送領域Ｒ１の右側には棚ユニットＵ１〜Ｕ６に対向して液処理ユニット７１が配置されている。

液処理ユニット７１には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、レジスト膜形成モジュールＣＯＴとが前後方向に設けられている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴは夫々ウエハＷを処理するための２つのカップ７２と、カップ７２内でウエハＷの裏面を支持すると共にウエハＷを鉛直軸回りに回転させるスピンチャック７３と、２つのカップ７２で共用の薬液供給ノズル７４とを備え、スピンコーティングにより反射防止膜形成用の薬液をウエハＷに塗布する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴは、前記薬液がレジストである他は反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様に構成されている。棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば２段に積層されて構成されている。棚ユニットＵ６は、例えば互いに積層された２基の周縁露光モジュールにより構成される。

他の単位ブロックＢ２〜Ｂ６について説明する。単位ブロックＢ２は単位ブロックＢ１と同様に構成される。単位ブロックＢ３、Ｂ４は周縁露光モジュールの代わりに加熱モジュールが設けられることと、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりにこれらのモジュールとは供給する薬液が異なるモジュールＴＣＴを備えることを除けば、単位ブロックＢ１、Ｂ２と同様の構成である。前記モジュールＴＣＴがウエハＷに供給する薬液は、この例ではレジスト膜の上層に反射防止膜もしくは後述のレジスト保護膜を形成するための薬液である。単位ブロックＢ５、Ｂ６は、液処理ユニット７１のモジュールが現像液を供給する現像モジュールＤＥＶとして構成されることを除き、単位ブロックＢ３、Ｂ４と同様に構成される。

続いて、インターフェイスブロックＡ３について説明する。インターフェイスブロックＡ３の左右の中心部には上下方向に伸びるインターフェイスタワー部７５が設けられている。インターフェイスタワー部７５の単位ブロックＢ３〜Ｂ６に対応する位置には受け渡しモジュールＴＲＳが設けられており、図３中ＴＲＳ１３〜ＴＲＳ１６として示している。各ＴＲＳと符号を付した受け渡しモジュールは、冷却水が通流されない他は上記のＣＰＬと同様である。また、単位ブロックＢ５、Ｂ６に対応する位置には各々受け渡しモジュールＳＣＰＬ及びバッファモジュールＢＵが設けられている。各受け渡しモジュールＳＣＰＬは、ＳＣＰＬ１５、ＳＣＰＬ１６として示しており、バッファモジュールＢＵは、ＢＵ１１、ＢＵ１２として示している。

また、バッファモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２の下方にもバッファモジュールＢＵ１３、ＢＵ１４が設けられている。このインターフェイスブロックＡ３の各バッファモジュールＢＵは、露光前、露光後にウエハＷを一時的に滞留させる役割を有しており、バッファモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２は、それに加えて上記のタワー部３１のバッファモジュールＢＵ１、ＢＵ２と同様に、キャリアＣにウエハＷを戻せない場合にウエハＷを滞留させる役割も有している。例えばバッファモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２には、夫々２５枚のウエハＷを滞留させることができる。その他にインターフェイスタワー部７５には、その下方側に受け渡しモジュールＳＣＰＬ１０、ＴＲＳ１０が設けられている。

また、インターフェイスブロックＡ３にはインターフェイスアーム７６、７７が、インターフェイスタワー部７５を左右から挟むように設けられており、インターフェイスタワー部７５の各モジュール間でウエハＷを搬送する。インターフェイスアーム７６の下方にはインターフェイスアーム７８が設けられ、露光装置Ａ４と受け渡しモジュールＳＣＰＬ１０、ＴＲＳ１０間でウエハＷの搬送を行う。

塗布、現像装置１には例えばコンピュータからなる制御部７０が設けられている。制御部７０はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部７０から塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、後述のウエハＷの搬送及び処理モジュールでの各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。また、例えばメモリには処理温度、処理時間、各薬液の供給量または電力値などの処理パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、ＣＰＵがプログラムの各命令を実行する際これらの処理パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこの塗布、現像装置１の各部位に送られることになる。このプログラム（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部７０にインストールされる。

このレジストパターン形成システムのキャリアＣの受け渡し及びキャリアＣから払い出されたウエハＷの搬送経路について説明する。天井搬送機構２１からキャリアＣが、アンロード位置にあるキャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄ及びキャリア仮置き部１７Ａ、１７Ｂに順次受け渡される。キャリア仮置き部１７Ａ、１７Ｂに搬送されたキャリアＣは、キャリア移動機構２６Ａ、２６Ｂにより夫々キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに受け渡される。キャリアＣが載置されたキャリア載置部１５Ａ〜１５Ｄはロード位置へ前進し、キャリアＣの前面がキャリアブロックＡ１の筐体１１の前面に押し付けられ、開閉部１３がキャリアＣの蓋体Ｃ１を取り外すと共に搬送口１２Ａ〜１２Ｄが開放される。

図１０、１１はこのシステムにおいて、第１のウエハ移載ユニット４１及び第２のウエハ移載ユニット４２が使用可能な通常時におけるウエハＷの搬送経路を概略的に示している。また、図１０、図１１ではこの搬送経路において、ウエハ移載ユニット４１、４２が使用する保持アームを示している。図１０に示すように、この例ではキャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに載置されたキャリアＣから払い出されたウエハＷは、単位ブロックＢ１→Ｂ３→露光装置Ａ４→単位ブロックＢ５を通過して処理される。そして、キャリア載置部１５Ｂ、１５Ｄに載置されたキャリアＣから払い出されたウエハＷは、単位ブロックＢ２→Ｂ４→露光装置Ａ４→単位ブロックＢ６を通過して処理される。そして、図１１に示すように単位ブロックＢ５、Ｂ６で処理された各ウエハＷは、当該ウエハＷが払い出されたキャリアＣに戻される。これらキャリア載置部１５Ａ、１５ＣのキャリアＣから払い出されるウエハＷの搬送と、キャリア載置部１５Ｂ、１５ＤのキャリアＣから払い出されるウエハＷの搬送とは互いに並行して独立して行われる。

キャリアブロックＡ１の第１のウエハ移載ユニット４１は第１の保持アーム４７により、キャリア載置部１５Ａ、１５ＣのキャリアＣのうち、先に蓋体Ｃ１が開放されたキャリアＣからウエハＷを順次、受け渡しモジュールＳＣＰＬ１へ搬送する。そして、当該キャリアＣのウエハＷをすべて払い出した後、後続のキャリアＣのウエハＷを同様に第１の保持アーム４７により順次、受け渡しモジュールＳＣＰＬ１に払い出す。

受け渡しモジュールＳＣＰＬ１で温度調整されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構５１により第１の単位ブロックＢ１に取り込まれ、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュール→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュール→周縁露光モジュールの順で搬送され、ウエハＷの表面に反射防止膜、レジスト膜が順に形成されて積層された後、キャリアブロックＡ１に戻され、受け渡しモジュールＣＰＬ１に搬入される。

第１のウエハ移載ユニット４１は、受け渡しモジュールＣＰＬ１のウエハＷを第２の保持アーム４８により受け取り、受け渡しモジュールＳＣＰＬ３に受け渡す。受け渡しモジュールＳＣＰＬ３で温度調整されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構５３により第３の単位ブロックＢ３に取り込まれ、主ウエハ搬送機構５３により、上層側反射防止膜形成モジュールＴＣＴ→加熱モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳ１３の順に搬送される。これによってレジスト膜の上層に反射防止膜が形成され、ウエハＷがインターフェイスブロックＡ３へと搬入される。

前記ウエハＷは、インターフェイスアーム７６→受け渡しモジュールＢＵ１１〜ＢＵ１４→インターフェイスアーム７７→受け渡しモジュールＳＣＰＬ１０→インターフェイスアーム７８→露光装置Ｓ４の順で搬送され、露光処理を受ける。露光済みのウエハＷは、インターフェイスアーム７８→受け渡しモジュールＴＲＳ１０→インターフェイスアーム７７→バッファモジュールＢＵ１１〜ＢＵ１４→インターフェイスアーム７６→受け渡しモジュールＴＲＳ１５の順に搬送される。

前記ウエハＷは、主ウエハ搬送機構５５により第５の単位ブロックＢ５に取り込まれ、加熱モジュール→受け渡しモジュールＳＣＰＬ１５→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュール→受け渡しモジュールＳＣＰＬ５の順で搬送され、レジスト膜が現像されてキャリアブロックＡ１に戻される。受け渡しモジュールＳＣＰＬ５のウエハＷは、第１のウエハ移載ユニット４１の第１の保持アーム４７により当該ウエハＷが格納されていたキャリアＣに戻される。

キャリア載置部１５Ｂ、１５ＤのキャリアＣから払い出されるウエハＷは、通過する単位ブロックが異なること、当該単位ブロックに対応する高さの受け渡しモジュールＣＰＬ、ＳＣＰＬに搬送されること及び第１のウエハ移載ユニット４１の代わりに第２のウエハ移載ユニット４２により搬送されることを除いて、キャリア載置部１５Ａ、１５ＣのキャリアＣから払い出されるウエハＷと同様に搬送されて処理される。簡単に説明すると、第２のウエハ移載ユニット４２の第１の保持アーム４７によりキャリア載置部１５Ｂ、１５ＤのキャリアＣのウエハＷは、受け渡しモジュールＳＣＰＬ２に搬送された後、第２の単位ブロックＢ２の主ウエハ搬送機構５２により反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュール→レジスト塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュール→周縁露光モジュール→受け渡しモジュールＣＰＬ２の順で搬送される。

然る後、第２のウエハ移載ユニット４２の第２の保持アーム４８により、前記ウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ２から受け渡しモジュールＳＣＰＬ４に搬送され、第４の単位ブロックＢ４の主ウエハ搬送機構５４により上層側反射防止膜形成モジュールＴＣＴ→加熱モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳ１４の順に搬送される。このウエハＷは、インターフェイスアーム７６〜７８により、キャリア載置部１５Ａ、１５ＣのキャリアＣから払い出されたウエハＷと同様に搬送され、露光処理後、バッファモジュールＢＵを介して受け渡しモジュールＴＲＳ１６に搬送される。続いてウエハＷは、第６の単位ブロックＢ６の主ウエハ搬送機構５６により、加熱モジュール→受け渡しモジュールＳＣＰＬ１６→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュール→受け渡しモジュールＳＣＰＬ６の順で搬送された後、第２のウエハ移載ユニット４２の第１の保持アーム４７により、当該ウエハＷが格納されていたキャリアＣに戻される。

すべてのウエハＷが戻されたキャリアＣは、開閉部１３によりその蓋体Ｃ１が閉じられ、当該キャリアＣが面する搬送口１２が閉じられる。当該キャリアＣが載置されるキャリア載置部１５はアンロード位置へ後退する。キャリア載置部１５Ｃ，１５Ｄに載置されたキャリアＣは直接、天井搬送機構２１に受け渡され、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに載置されたキャリアＣは、キャリア移動機構２６Ａ、２６Ｂにより一旦仮置き部１７Ａ、１７Ｂに移載された後、天井搬送機構２１に受け渡される。そのようにキャリアＣを天井搬送機構２１に受け渡したキャリア載置部１５には、天井搬送機構２１から後続のキャリアＣが受け渡される。このようにして、レジストパターン形成システムにて、連続してウエハＷの処理が行われる。

続いて、ウエハＷの搬送中に第１のウエハ移載ユニット４１が使用不可になった場合のウエハＷの搬送経路について説明する。図１２、図１３はこのときのウエハＷの搬送経路を示す概略図である。キャリア載置部１５Ｂ、１５Ｄに載置されたキャリアＣのウエハＷの搬送は通常時と同様に行われる。図１２に示すようにキャリア載置部１５Ａ及び１５ＣのキャリアＣからのウエハＷの搬出及び前記キャリアＣへのウエハＷの搬入は停止する。

単位ブロックＢ１、Ｂ３、Ｂ５では既に各々の単位ブロックに搬入されているウエハＷについては単位ブロックＢ５の各処理モジュールでの処理を終えるまで通常時とほぼ同様に搬送される。通常時の搬送との差異点としては、第１の単位ブロックＢ１で処理されて、受け渡しモジュールＣＰＬ１に払い出されたウエハＷが、図１２に示すように第２のウエハ移載ユニット４２の第２の保持アーム４８により受け渡しモジュールＳＣＰＬ３に搬送され、第３の単位ブロックＢ３に取り込まれることが挙げられる。そして、単位ブロックＢ５での各処理が行われたウエハＷは、主ウエハ搬送機構５５によって、図１３に示すようにキャリアブロックＡ１のバッファモジュールＢＵ１、ＢＵ２またはインターフェイスブロックＡ３のバッファモジュールＢＵ１１、ＢＵ１２に搬送されて、滞留される。

第２のウエハ移載ユニット４２が使用不可になった場合においては、第１のウエハ移載ユニット４１が使用不可になった場合と同様に、単位ブロックＢ６で処理を終えたウエハＷについては、バッファモジュールＢＵに滞留される。そして、第２の単位ブロックＢ２で処理されて、受け渡しモジュールＣＰＬ２に払い出されたウエハＷの受け渡しモジュールＳＣＰＬ４への搬送は、第１のウエハ移載ユニット４１の第２の保持アーム４８により行われて、当該ウエハＷが第４の単位ブロックＢ４へ搬入される。そして、このウエハＷに通常時と同様の処理が行われる。バッファモジュールＢＵ１１、１２のウエハＷについては、装置の稼働を停止させた後でユーザが回収してもよいし、使用不可のウエハ移載ユニット４１、４２が使用可能になった後に、当該ウエハ移載ユニット４１、４２によりキャリアＣに戻してもよい。

また、この塗布、現像装置１ではウエハ移載ユニット４１、４２が使用可能な通常時において、キャリア載置部１５Ａ〜１５Ｄのうちいずれかのキャリア載置部１５のキャリアＣから払い出された処理前のウエハＷを、処理後に他のキャリア載置部１５に置かれたキャリアＣに搬送するように搬送モードを切り替えることができる。以降、このようにウエハＷを搬送する場合、処理前のウエハＷを格納するキャリアＣをセンダーキャリアＳＣ、処理後のウエハＷを格納するキャリアＣをレシーバキャリアＲＣと記載する。

図１４、図１５を用いて、このセンダーキャリアＳＣ及びレシーバキャリアＲＣ間の搬送を説明する。ここでは塗布、現像装置１内のウエハＷがすべて払い出された状態で、キャリア載置部１５Ａ、１５ＣにセンダーキャリアＳＣが載置され、キャリア載置部１５Ｂ、１５ＤにレシーバキャリアＲＣが載置されるものとする。

キャリア載置部１５ＡのセンダーキャリアＳＣ、キャリア載置部１５ＣのセンダーキャリアＳＣの各ウエハＷは、第１のウエハ移載ユニット４１により、受け渡しモジュールＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２へ夫々搬入され、図１４に示すように第１の単位ブロックＢ１、第２の単位ブロックＢ２に取り込まれる。このように単位ブロックＢ１、Ｂ２に夫々搬送されたウエハＷは、図１５に示すように既述の通常時の搬送と同様に搬送され、単位ブロックＢ５、Ｂ６で処理されて受け渡しモジュールＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６に搬送される。

受け渡しモジュールＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６に搬送されたウエハＷは、第２のウエハ移載ユニット４２の第１の保持アーム４７によりキャリア載置部１５Ｂ、１５ＤのレシーバキャリアＲＣに戻される。つまり、キャリア載置部１５ＡのセンダーキャリアＳＣから払い出されたウエハＷは単位ブロックＢ１、Ｂ３、Ｂ５で処理されてキャリア載置部１５ＢのレシーバキャリアＲＣに搬送され、キャリア載置部１５ＣのセンダーキャリアＳＣから払い出されたウエハＷは単位ブロックＢ２、Ｂ４、Ｂ６で処理されてキャリア載置部１５ＤのレシーバキャリアＲＣに搬送される。

このような搬送が行われるときのウエハ移載ユニット４１、４２の動作を図１６、図１７を用いて詳しく説明する。図１６は、上記の搬送においてセンダーキャリアＳＣから払い出された先頭のウエハＷが受け渡しモジュールＳＣＰＬ５またはＳＣＰＬ６に搬送されるまでのウエハＷの搬送経路と、経路中で使用されるウエハ移載ユニット４１、４２とを概略的に示している。第１のウエハ移載ユニット４１が第１の保持アーム４７によりセンダーキャリアＳＣからのウエハＷの払い出しを行う一方で、受け渡しモジュールＣＰＬ１，ＣＰＬ２から受け渡しモジュールＳＣＰＬ３、ＳＣＰＬ４へのウエハＷの搬送は、第２のウエハ移載ユニット４２が単独で行う。

前記先頭のウエハＷが受け渡しモジュールＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６に搬送されると、第２のウエハ移載ユニット４２の保持アーム４７により、これらＳＣＰＬ５及びＳＣＰＬ６からレシーバキャリアＲＣへの搬送が開始される。そして、図１７に示すように例えば受け渡しモジュールＣＰＬ１からＳＣＰＬ３への搬送は第１のウエハ移載ユニット４１の保持アーム４８により行われるようになる。つまり、第１のウエハ移載ユニット４１は、センダーキャリアＳＣから受け渡しモジュールＳＣＰＬ１、ＳＣＰＬ２への搬送を引き続き担当し、それに加えて受け渡しモジュールＣＰＬ１からＳＣＰＬ３への搬送を担当するようになる。第２のウエハ移載ユニット４２は、受け渡しモジュールＣＰＬ２から受け渡しモジュールＳＣＰＬ４への搬送を引き続き担当し、それに加えて受け渡しモジュールＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６からレシーバキャリアＲＣへの搬送を担当するようになる。

この塗布、現像装置１によれば、キャリア載置部１５Ａ及び１５Ｃに載置されたキャリアＣにウエハＷを受け渡し可能な第１のウエハ移載ユニット４１と、キャリア載置部１５Ｂ及び１５Ｄに載置されたキャリアＣにウエハＷを受け渡し可能な第２のウエハ移載ユニット４２と、が各単位ブロックに対応する高さに設けられた受け渡しモジュールを多数備えるタワー部を左右に挟んで設けられている。従って塗布、現像装置１の占有床面積を抑えることができると共に、各ウエハ移載ユニット４１、４２により複数のキャリアＣに対して並行してウエハＷを受け渡すことができるため、スループットを高くすることができる。

そして、ウエハ移載ユニット４１、４２は、各々キャリアＣと受け渡しモジュールとの間でウエハＷを移載するときに専用に用いられる第１の保持アーム４７と、異なる高さの受け渡しモジュール間でウエハＷを受け渡すために専用に用いられる第２の保持アーム４８とを備えているので、これら保持アームのうちの一つを備えた搬送機構を複数設ける場合に比べて塗布、現像装置１の規模を抑えることができる。また、後に他の実施形態として示すように、ウエハ移載ユニット４１、４２の構成、配置のレイアウトの自由度を高くすることができる。また、タワー部３１の受け渡しモジュールについても、例えばすべての受け渡しモジュールに昇降ピンを備えるように構成するような必要が無く、即ち受け渡しモジュールの構成の自由度を高くすることができるので、例えば横に受け渡しモジュールを並べて配置する必要もないため、従って、前記占有床面積を抑え、装置の大型化を抑えることができる。

また、上記のように第１のウエハ移載ユニット４１及び第２のウエハ移載ユニット４２のうちの一方のウエハ移載ユニットが使用不可になった場合に、他方のウエハ移載ユニットが、通常時に一方のウエハ移載ユニットが行う受け渡しモジュールＣＰＬ１、ＣＰＬ２から受け渡しモジュールＳＣＰＬ３、ＳＣＰＬ４への搬送を代行する。従って、スループットの低下をより確実に抑えることができる。

また、上記したようにセンダーキャリアＳＣとレシーバキャリアＲＣとの間でウエハＷを搬送する場合、受け渡しモジュールＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６からレシーバキャリアＲＣへのウエハＷの搬送を行う必要が無く、第２のウエハ移載ユニット４２の負荷が少ない間、第１のウエハ移載ユニット４１をセンダーキャリアＳＣからのウエハＷの払い出し専用とし、第２のウエハ移載ユニット４２を受け渡しモジュール間の受け渡し専用とすることで、前記払い出しと受け渡しモジュール間の搬送を速やかに行うことができる。そして、受け渡しモジュールＳＣＰＬ５、ＳＣＰＬ６にウエハＷが搬入された後は、第１のウエハ移載ユニット４１が第２のウエハ移載ユニット４２により行われていた受け渡しモジュール間の搬送の一部を行うことにより、ウエハ移載ユニット４１、４２の負荷の偏りを抑えることができる。従って、スループットの向上を図ることができる。

上記の同一に構成した単位ブロックにおいて、互いに異なる処理条件でウエハＷに処理を行うように設定してもよい。つまり、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに載置されたキャリアＣのウエハＷと、キャリア載置部１５Ｂ、１５Ｄに載置されたキャリアＣのウエハＷとについて夫々各モジュールでの薬液の供給量や加熱温度などの設定を変えて処理を行い、各膜の膜厚が互いに異なるように処理を行うことができる。また、例えば同一に構成した単位ブロックＢを互いに同じ処理条件でウエハＷに処理を行うように設定し、同じキャリアＣのウエハＷを交互に単位ブロックＢ１、Ｂ３、Ｂ５を通過する経路と、単位ブロックＢ２、Ｂ４、Ｂ６を通過する経路とに振り分けて搬送することもできる。

また、上記の搬送で単位ブロックＢ１、Ｂ２へウエハＷを搬入するための受け渡しモジュールと、単位ブロックＢ１、Ｂ２から搬出されたウエハＷを受け渡す受け渡しモジュールとは同一であってもよい。具体的には、例えば受け渡しモジュールＳＣＰＬ１によりウエハＷを単位ブロックＢ１に搬入して、単位ブロックＢ１からウエハＷを搬出するときには、前記受け渡しモジュールＳＣＰＬ１にウエハＷを搬送し、以降ウエハ移載ユニット４１の第１の保持アーム４７または第２の保持アーム４８により受け渡しモジュールＳＣＰＬ３へウエハＷを搬送してもよい。

上記の搬送でセンダーキャリアＳＣ及びレシーバキャリアＲＣの配置は上記の例に限られず、例えば上側のキャリア載置部１５Ｃ及び１５Ｄ、下側のキャリア載置部１５Ａ及び１５Ｂの一方側にセンダーキャリアＳＣを配置し、他方側にレシーバキャリアＲＣを配置してもよい。

上記の露光装置Ａ４が、露光レンズとウエハＷとの間を液相にして露光を行う液浸露光を行う場合にも上記の塗布、現像装置１を適用することができる。その場合、例えば単位ブロックＢ１、Ｂ２の各棚ユニットＵ１に設けられる２基の加熱モジュールを２基の疎水化処理モジュールとして構成し、ウエハＷに疎水化処理用のガスを供給して疎水化処理を行うことが有効である。その場合、例えばタワー部３１に、この疎水化処理後にウエハＷを温調するための受け渡しモジュールＳＣＰＬを追加して配置し、受け渡しモジュールＳＣＰＬ１、２→疎水化処理モジュール→受け渡しモジュールＳＣＰＬ→反射防止膜形成モジュールＢＣＴに搬送して処理を行う。

また、例えば液処理モジュールＴＣＴを撥水性の保護膜形成用の薬液を塗布するモジュールとして構成し、レジスト膜の上層に反射防止膜を形成する代わりに前記保護膜を形成して液浸露光時に使用する液がレジスト膜へ浸透することを防いでも良い。また、インターフェイスアーム７６、７７がアクセスできる範囲に露光前に単位ブロックＢ３、Ｂ４で処理後のウエハＷの裏面をブラシにより洗浄する裏面洗浄モジュール、露光後単位ブロックＢ５、Ｂ６への搬入前にウエハＷの表面を洗浄する露光後洗浄モジュールを設けてもよい。

（第２の実施形態）
これ以降、第１の実施形態との差異点を中心に他の実施形態について説明する。図１８は、第２の実施形態のキャリアブロックＡ５の正面図である。このキャリアブロックＡ５は、キャリア移動機構２６Ａ、２６Ｂの代わりにキャリア移動機構８１Ａ、８１Ｂを備えている。支持台１４には、上記の仮置き部１７Ａ、１７Ｂに相当する箇所から夫々キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに向かう溝部８２、８２が形成されており、この溝部８２、８２に各々キャリア移動機構８１Ａ、８１Ｂを構成するキャリア底面支持部８３が設けられている。

キャリア移動機構８１Ａ、８１Ｂは互いに同様に構成されているので、ここでは代表してキャリア移動機構８１Ａについて、その平面を示した図１９も参照しながら説明する。キャリア底面支持部８３は溝部８２に沿って左右方向に移動自在に構成されると共に溝部８２内と溝部８２の上方とを昇降自在に構成されている。図中８４は駆動機構であり、そのようにキャリア底面支持部８３を昇降させると共に左右方向に移動させる。図中８５は駆動機構８４を左右方向にガイドするためのガイドレールである。図中８４ａは、駆動機構８４とキャリア底面支持部８３とを接続する接続部８５が通過するためのスリットである。キャリア底面支持部８３には上方へ向かうピン８３ａが設けられている。図１９に示すように、各ピン８３ａはキャリアＣの底面に設けられた３つの溝Ｃ３に嵌合し、その位置を規制する。

この例ではキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂは、平面視コ字型に形成されており、図２０に示すようにキャリア底面支持部８３はこのコ字型に囲まれる領域内に進入することで、搬送口１２Ａの手前に位置することができる。図１８中８６は、キャリア載置部１５Ａを前後方向に移動させる駆動機構であり、図１９中８６ａはスリットであり、駆動機構８８とキャリア載置部１５Ａとを接続する接続部８７が通過する。

キャリア移動機構８１ＡによるキャリアＣの受け渡しについて説明する。図１８及び図１９に示すように上方支持台３１Ｃに重ならない待機位置に移動したキャリア底面支持部８３に天井搬送機構２１からキャリアＣが受け渡され、キャリアＣの溝Ｃ３にピン８３ａが嵌合する。このときキャリアＣの底面の位置が、キャリア載置部１５Ａのピン１６よりも高くなるように溝部８２の上方でキャリア底面支持部８３はキャリアＣを受け取る。そして、キャリア底面支持部８３は搬送口１２Ａの手前に移動した後、下降し、溝Ｃ３にキャリア載置部１５Ａのピン１６が進入して嵌合し、キャリアＣがキャリア載置部１５Ａに載置されると共にその位置が固定される。キャリア底面支持部８３は更に溝部８２内を下降してピン８３ａが溝Ｃ３から出され、キャリア底面支持部８３と溝部８２との嵌合が解除される。そして、キャリア底面支持部８３は水平に移動した後に上昇して前記待機位置に戻る。

そして、図２１に示すようにキャリアＣを受け取ったキャリア載置部１５Ａは前進した後、既述のようにウエハＷが払い出される。天井搬送機構２１にキャリアＣを受け渡すときにはキャリア載置部１５Ａ及びキャリア底面支持部８３は逆の動作を行い、キャリア底面支持部８３にキャリアＣが受け渡され、キャリア底面支持部８３から天井搬送機構２１が当該キャリアＣを受け取る。

（第３の実施形態）
図２２、図２３は、第３の実施形態であるキャリアブロックＡ６の正面図、縦断平面図である。キャリアブロックＡ１との差異点を説明すると、このキャリアブロックＡ６には、上方支持台３１Ｃ、３１Ｄが設けられておらず、支持台１４はキャリアブロックＡ６の前面側から側面側に跨って形成されている。このキャリアブロックＡ６の両側面にウエハＷの搬送口１２Ｃ、１２Ｄが形成されており、搬送口１２Ａ〜１２Ｄは例えば同じ高さに設けられている。搬送口１２Ｃ、１２Ｄに対応してキャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄが設けられており、キャリアブロックＡ６を正面から見て、アンロード位置とロード位置との間で左右に移動できるように構成されている。そして、この例では支持台１４の各角部が仮置き部１７Ａ、１７Ｂとして構成されている。

天井搬送機構２１から仮置き部１７Ａ、１７Ｂ、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに対して蓋体Ｃ１が装置の背面側（後方側）を向くようにキャリアＣが受け渡される。仮置き部１７Ａ、１７Ｂに載置されたキャリアＣは、キャリア移動機構９１Ａ、９１Ｂにより蓋体Ｃ１が搬送口１２Ｃ、１２Ｄを向くように向きを変えられて、キャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄに載置される。キャリア移動機構９１Ａ、９１Ｂは第１の実施形態のキャリア移動機構２６Ａ、２６Ｂと略同様に構成されており、差異点としてはロッド２８の先端側には回動部９３を介して把持部２７が設けられていること、ロッド２８の基端側が前後移動機構９４を介して昇降機構に接続されていることが挙げられる。回動部９３により把持部２７がキャリアＣの被把持部Ｃ２を把持した状態で鉛直軸回りに回動自在に構成され、前後移動機構９４により把持部２７を前後方向に移動させることができる。

また、このキャリアブロックＡ６では、ガイドレール４３が設けられず、第１のウエハ移載ユニット４１及び第２のウエハ移載ユニット４２の支持枠４４が左右方向に移動しない。第１のウエハ移載ユニット４１の移載部本体４０は、昇降、回転及び第１の保持アーム４７の進退動作によってキャリア載置部１５Ａ及び１５Ｃの各キャリアＣとタワー部３１との間でウエハＷを受け渡し、同様に第２のウエハ移載ユニット４２の移載部本体４０は、昇降、回転及び第１の保持アーム４７の進退動作によってキャリア載置部１５Ｂ及び１５Ｄの各キャリアＣとタワー部３１との間でウエハＷを受け渡す。このようなキャリアブロックＡ６を用いて装置を構成しても第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、このキャリアブロックＡ６のレイアウトではウエハ移載ユニット４１、４２が左右方向に移動する必要が無いので、キャリアＣとタワー部３１との間でより速やかにウエハＷを搬送することができる。従って、より確実にスループットの向上を図ることができる。また、ウエハ移載ユニット４１、４２が左右方向に移動しないため、装置の占有床面積のより一層の縮小化を図ることができる。

ところで、第１のウエハ移載ユニット４１及び第２のウエハ移載ユニット４２が各々キャリアＣにアクセスすることができれば、各キャリア載置部１５は既述したレイアウトに限られることはなく、例えば横方向に一列に配置してもよいし、すべて異なる高さには位置してもよい。また、配置数も４つに限られず例えば２つだけ配置してもよいし、上下２段に配置することにも限られず、３段以上の段数に構成してもよい。

（第４の実施形態）
図２４、図２５は、第４の実施形態であるキャリアブロックＡ７の正面図、縦断平面図である。このキャリアブロックＡ７ではキャリアブロックＡ６同様にガイドレール４３が設けられず、ウエハ移載ユニット４１、４２の支持枠４４が左右方向に移動しない。このキャリアブロックＡ７の筐体１１の前面側において、第１のウエハ移載ユニット４１、第２のウエハ移載ユニット４２に向かい合う部分が前方側へ突き出ており、この筐体１１の前面側は図２５に示すように平面で見て２つの山が並んだ形状となっている。そして、そのように平面視山型に形成された筐体１１の前記山の各斜面に各々搬送口１２Ａ〜１２Ｄが形成されており、図２４に示すように、１つの山の各傾斜面に形成された搬送口１２の各高さ位置は互いに異なっている。

キャリアブロックＡ１と同様に搬送口１２Ａ、１５Ｂは下方側に、搬送口１２Ｃ、１５Ｄは上方側に形成されている。各キャリア載置部１５Ａ〜１５Ｄは各搬送口１２の開口方向に進退し、各キャリア載置部１５へのキャリアＣの受け渡し及びキャリアＣからウエハＷの払い出しが行えるように構成されている。第１の実施形態同様に第１のウエハ移載ユニット４１は搬送口１２Ａ、１２Ｃを介してウエハＷを搬送し、第２のウエハ移載ユニット４２は搬送口１２Ｂ、１２Ｄを介してウエハＷを搬送する。

このキャリアブロックＡ７にはキャリア交換機構１０１が設けられている。このキャリア交換機構１０１は、昇降軸１０２と昇降軸１０２に沿って昇降自在に構成されると共に左右方向に伸びる水平軸１０３と、その基端側が水平軸１０３に沿って水平移動自在な多間接アーム１０４とを備えている。多間接アーム１０４の先端側には把持部１０５が設けられ、キャリアＣの被把持部Ｃ２を把持することができる。このように構成されることで、キャリア交換機構１０１は、キャリア載置部１５Ａ〜１５Ｄ間でキャリアＣの移載を自在に行うことができる。

天井搬送機構２１とキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｄとの間では直接キャリアＣが受け渡される。キャリア載置部１５Ｃの上方にキャリア載置部１５Ｂが位置しているため、キャリア載置部１５ＢにキャリアＣを受け渡す場合には、天井搬送機構２１はキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｄのうちいずれかに一旦キャリアＣを載置し、キャリア交換機構１０１が当該キャリアＣをキャリア載置部１５Ｂへ搬送する。キャリア載置部１５Ｂから天井搬送機構２１にキャリアＣを受け渡す場合にはこれと逆の動作が行われる。このようにキャリアブロックを構成しても第３の実施形態と同様の効果が得られる。

ところで、このキャリア交換機構１０１は他の各実施形態に設けてもよい。例えばキャリアブロックＡ１にキャリア交換機構１０１を設けることができる。このように構成されたキャリアブロックＡ１において、上記の１５Ａ〜１５Ｄの他にキャリアの載置部を複数設けておき、上記のように第１のウエハ移載ユニット４１を使用しない場合に、キャリア交換機構１０１の把持部１０５により、この載置部とキャリア載置部１５Ａ〜１５Ｄとの間でキャリアＣを入れ替えてもよい。前記１５Ａ〜１５Ｄ以外にキャリアブロックに設けられるキャリアの載置部は、キャリア交換機構１０１がアクセスできる範囲に設けられ、例えば複数段の棚状に構成されている。即ち、棚の各段にキャリアＣを載置することができる。

この場合のキャリアブロックＡ１のキャリアＣの搬送について一例を具体的に説明すると、キャリア載置部１５Ｂ、１５Ｄが空くまで、前記キャリア載置部１５Ａ、１５ＣでウエハＷを払い出したキャリアＣをキャリア交換機構１０１により前記棚に移して待機させ、キャリア載置部１５Ｂ、１５Ｄが空くと、棚のキャリアＣをキャリア載置部１５Ｂ、１５Ｄに移載する。そして、第２のウエハ移載ユニット４２により、バッファモジュールＢＵに溜められたウエハＷを前記キャリアＣに受け渡して回収する。つまり、ウエハＷは当該ウエハＷを払い出さしたキャリアＣに戻される。載置されていたキャリアＣが棚に移された後のキャリア載置部１５Ａ、１５Ｃには後続のキャリアＣを移載し、ウエハＷを払い出す。同様に第２のウエハ移載ユニット４２を使用しない場合、キャリア載置部１５Ｂ、１５ＤでウエハＷを払い出したキャリアＣをキャリア交換機構１０１により、前記棚に移して待機させた後に、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに移載する。そして、第１のウエハ移載ユニット４１により、ウエハＷをキャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに移載した前記キャリアＣに回収する。これによって、バッファモジュールＢＵからユーザがウエハＷを回収する手間を省くことができる。

キャリア交換機構１０１を使ってこのように左右のキャリア載置部１５の間でキャリアＣを搬送する他に、上下のキャリア載置部１５間でキャリアＣを受け渡してもよい。例えば第１の実施形態にキャリア交換機構１０１及び前記棚を設けた装置において、下段側のキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに載置されたキャリアＣからウエハＷを払い出す。前記各キャリアＣはキャリア交換機構１０１により、前記棚を介してキャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄに移載される。そして、ウエハ移載ユニット４１、４２により処理済みの前記ウエハＷは例えば当該ウエハＷを払い出したキャリアＣに戻される。キャリアＣが棚に移された後のキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂには後続のキャリアＣが搬送され、ウエハＷの装置内への搬入が続けられる。これとは逆に、キャリア載置部１５Ｃ、１５ＤのキャリアＣからウエハＷを払い出し、払い出したキャリアＣをキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに夫々移載して、ウエハＷを払い出したキャリアＣに処理済みのウエハＷを戻してもよい。

キャリアブロックＡ１、Ａ５、Ａ７のようにキャリア載置部１５が上下方向に配置されている場合、図２６に示すように一つの支持枠４４に移載部本体４０を上下に配置してもよい。上側の移載部本体は上側のキャリア載置部１５に載置されたキャリアＣにアクセスし、下側の移載部本体は下側のキャリア載置部１５に載置されたキャリアＣにアクセスする。つまり、機能的に見て、基板移載機構であるウエハ移載ユニット４１、４２を夫々上下に分割した構成とする。第１のウエハ移載ユニット４１において、上側の移載部本体を４０Ｃ、下側の移載部本体を４０Ａとする。第２のウエハ移載ユニット４２において、上側の移載部本体を４０Ｄ、下側の移載部本体を４０Ｂとする。

このように移載部本体４０Ａ、４０Ｃを備えた第１のウエハ移載ユニット４１の構成について簡単に説明する。図２６中、１１１、１１１はガイドレールであり、支持枠４４の上下に伸びる二本の柱部分に夫々設けられ、移載部本体４０Ａ、４０Ｃを夫々上下にガイドする。図中１１２、１１２はプーリである。図中１１３、１１３はベルトであり、移載部本体４０Ａ、４０Ｃの各昇降基台４５が夫々係止されている。図中１１４、１１４はモータであり、プーリ１１２、１１２に対応して夫々設けられている。モータ１１４、１１４によりベルト１１３、１１３が各々独立して駆動され、各昇降基台４５がガイドレール１１１、１１１に沿って互いに独立して昇降する。第２のウエハ移載ユニット４２については第１のウエハ移載ユニット４１と同様の構成であるため、説明を省略する。

（第５の実施形態）
移載部本体４０Ａ〜４０Ｄを備えるように構成したキャリアブロックＳ７が適用される装置の構成例と前記装置におけるウエハＷの搬送例とについて説明する。図２７はこのキャリアブロックＡ８と処理ブロックＡ９とを接続した塗布装置１２１を示している。キャリアブロックＡ８は、そのように移載部本体４０Ａ〜４０Ｄが設けられること、タワー部３１の受け渡しモジュールが処理ブロック９に対応した配置になっていることを除いてキャリアブロックＡ７と同様に構成される。なお、図２７では便宜上タワー部３１とウエハ移載ユニット４１、４２を前後にずらして示している。

処理ブロックＡ９は上記の単位ブロックＢ１〜Ｂ６により構成されるが、液処理ユニット７１に設けられる液処理モジュールは第１の実施形態と異なっており、単位ブロックＢ１、Ｂ４には反射防止膜形成モジュールＢＣＴが搭載され、単位ブロックＢ２、Ｂ５にはレジスト塗布モジュールＣＯＴが搭載され、単位ブロックＢ３、Ｂ６には上層側反射防止膜形成モジュールＴＣＴが搭載されている。キャリアブロックのタワー部３１には各単位ブロックＢ１〜Ｂ６への搬入用の受け渡しモジュールとしてＳＣＰＬ２１〜２６が夫々設けられている。また、単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ４、Ｂ５からの搬出用受け渡しモジュールとしてＣＰＬ２１、ＣＰＬ２２、ＣＰＬ２４、ＣＰＬ２５が夫々設けられ、単位ブロックＢ３、Ｂ６からの搬出用受け渡しモジュールとしてＳＣＰＬ２７、ＳＣＰＬ２８が設けられている。

図２８、２９は塗布装置１２１におけるウエハＷの搬送経路を示しており、この例ではウエハＷを搬出したキャリアＣに当該ウエハＷを戻す。キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに載置されたキャリアＣと単位ブロックＢ１〜Ｂ３との間でウエハＷが搬送され、キャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄに載置されたキャリアＣと単位ブロックＢ４〜Ｂ６との間でウエハＷが搬送される。第１の実施形態と同様に、これらの２つの経路の搬送は互いに並行して行われる。

キャリアブロックＡ８の各移載部本体４０Ａ、４０Ｂは第１の保持アーム４７によりキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂの各キャリアＣから夫々ウエハＷを受け渡しモジュールＳＣＰＬ２１に受け渡す。また、移載部本体４０Ａ、４０Ｂは第２の保持アーム４８により、単位ブロックＢ１で反射防止膜が形成され、受け渡しモジュールＣＰＬ２１に搬送されたウエハＷを受け渡しモジュールＳＣＰＬ２２に搬送し、さらに単位ブロックＢ２でレジスト膜が形成され、受け渡しモジュールＣＰＬ２２に搬送されたウエハＷを受け渡しモジュールＳＣＰＬ２３に搬送する（図２８）。そして、移載部本体４０Ａ、４０Ｂは、第１の保持アーム４７により単位ブロックＢ３で上層側反射防止膜が形成されたウエハＷを、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂに載置されたキャリアＣに戻す（図２９）。

キャリアブロックＡ８の上側の移載部本体４０Ｃ、４０Ｄは、アクセスするキャリアＣが夫々キャリア載置部１５Ｃ、１５ＤのキャリアＣであること、単位ブロックＢ４〜Ｂ６に対応する高さの受け渡しモジュールＣＰＬ、ＳＣＰＬにアクセスすることを除いて移載部本体４０Ａ、４０Ｂと同様に動作し、前記キャリアＣから払い出されたウエハＷは、図２８に示すように単位ブロックＢ４、Ｂ５、Ｂ６を順番に搬送されて各膜が形成された後、図２９に示すように前記キャリアＣに戻される。

塗布装置１２１の他の搬送例について図３０を用いて説明する。この例ではキャリア載置部１５Ａ、１５Ｃに上記のセンダーキャリアＳＣを載置し、キャリア載置部１５Ｂ、１５ＤにレシーバキャリアＲＣを載置して搬送を行う。キャリア載置部１５ＡのセンダーキャリアＳＣから払い出されたウエハＷは、上記のように単位ブロックＢ１〜Ｂ３を搬送され、各膜が形成された後にキャリア載置部１５ＢのレシーバキャリアＲＣに搬入される。また、キャリア載置部１５ＣのセンダーキャリアＳＣから払い出されたウエハＷは、上記のように単位ブロックＢ４〜Ｂ６を搬送され、各膜が形成された後にキャリア載置部１５ＤのレシーバキャリアＲＣに搬入される。なお、キャリア載置部１５Ａ、１５ＣにレシーバキャリアＲＣを、キャリア載置部１５Ｂ、１５ＤにセンダーキャリアＳＣを夫々載置して搬送を行ってもよい。このようにキャリアブロック及び処理ブロックを塗布装置として構成した場合も、塗布、現像装置として構成した場合と同様にスループットの向上及び占有床面積の低減化の効果が得られる。

（第６の実施形態）
単位ブロックＢ１〜Ｂ３間、単位ブロックＢ４〜Ｂ６間で夫々並行してウエハＷを搬送して塗布、現像処理が行えるように装置を構成してもよい。図３１は、そのように構成された塗布、現像装置１３１を示している。塗布装置１２１との差異点として、処理ブロックＡ１０を構成する単位ブロックＢ２、Ｂ４は、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び上層側反射防止膜形成モジュールＴＣＴを備えており、単位ブロックＢ３、Ｂ６は現像モジュールＤＥＶを備えていることが挙げられる。この実施形態のキャリアブロックＡ８は、タワー部３１の受け渡しモジュールが処理ブロックに対応した配置になっていることを除いて第５の実施形態と同様である。インターフェイスタワー部７５には単位ブロックＢ２、Ｂ４で処理済みのウエハＷを露光装置に搬送し、露光済みのウエハＷを単位ブロックＢ３、Ｂ６に搬送できるように受け渡しモジュールＴＲＳが配置されている。

この塗布、現像装置１３１においては、塗布装置１２１と略同様にウエハＷの搬送が行われる。図３２、３３を参照しながら差異点を中心に説明すると、キャリアブロックＡ８の移載部本体４０Ａ、４０Ｂは、第１の保持アーム４７によりキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂの各キャリアＣからウエハＷを、受け渡しモジュールＳＣＰＬを介して単位ブロックＢ１へ払い出し、その後、移載部本体４０Ａ、４０Ｂの第２の保持アーム４８を介して単位ブロックＢ２へ搬送されたウエハＷはレジスト膜形成後に上層側反射防止膜が形成される。然る後、前記ウエハＷはインターフェイスブロックＡ３を介して露光装置Ａ４に搬入された後、単位ブロックＢ３へ搬入されて現像処理を受ける（図３２）。そして、移載部本体４０Ａ、４０Ｂの第１の保持アーム４７により前記キャリアＣに戻される（図３３）。

キャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄの各キャリアＣのウエハＷは、移載部本体４０Ａ、４０Ｂの代わりに移載部本体４０Ｃ、４０Ｄが搬送に用いられること、単位ブロックＢ４〜Ｂ６で処理を受けること、これら単位ブロックＢ４〜Ｂ６に対応する高さの受け渡しモジュールに搬送されることを除いてキャリア載置部１５Ａ、１５Ｂの各キャリアＣから払い出されたウエハＷと同様に搬送される。
また、塗布装置１２１と同様に塗布、現像装置１３１においても、キャリア載置部１５Ａ、１５Ｂのいずれか一方にセンダーキャリアＳＣ、他方にレシーバキャリアＲＣを載置してウエハＷの搬送を行ってもよいし、キャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄのいずれか一方にセンダーキャリアＳＣ、他方にレシーバキャリアＲＣを載置してウエハＷの搬送を行ってもよい。このような塗布、現像装置１３１も塗布、現像装置１と同様の効果を奏する。

（第７の実施形態）
図３４に塗布、現像装置１４１を示している。塗布、現像装置１３１との差異点として、処理ブロックＡ１１を構成する単位ブロックＢ１、Ｂ２が、反射防止膜形成モジュールＢＣＴを備え、単位ブロックＢ３、Ｂ４は、レジスト塗布モジュールＣＯＴ及び上層側反射防止膜形成モジュールＴＣＴを備え、単位ブロックＢ５、Ｂ６が現像モジュールＤＥＶを備えていることが挙げられる。

図３５は、塗布、現像装置１４１におけるウエハＷの搬送経路を示している。この例では、キャリア載置部１５Ａ、１５ＢにセンダーキャリアＳＣを載置し、キャリア載置部１５Ｃ、１５ＤにレシーバキャリアＲＣを載置する。そして、キャリア載置部１５ＡのセンダーキャリアＳＣのウエハＷを単位ブロックＢ１、Ｂ３、Ｂ５で順次処理してキャリア載置部１５ＣのレシーバキャリアＲＣに受け渡し、キャリア載置部１５ＢのセンダーキャリアＳＣのウエハＷを単位ブロックＢ２、Ｂ４、Ｂ６で順次処理してキャリア載置部１５ＤのレシーバキャリアＲＣに受け渡す。

前記キャリア載置部１５ＡのセンダーキャリアＳＣから搬送されるウエハＷの経路について、さらに説明する。当該ウエハＷは、移載部本体４０Ａの第１の保持アーム４７により、タワー部３１の受け渡しモジュールＳＣＰＬに搬送されて単位ブロックＢ１で処理された後、移載部本体４０Ａまたは４０Ｂの第２の保持アーム４８により受け渡しモジュールＳＣＰＬに搬送されて、単位ブロックＢ３に搬送される。それによって、表面に各種の膜が形成された後、ウエハＷは塗布、現像装置１３１と同様に露光装置Ａ４に搬送されて露光され、然る後、単位ブロックＢ５に搬送されて現像処理された後、受け渡しモジュールＳＣＰＬに搬送され、移載部本体４０Ｃの第１の保持アーム４７によりキャリア載置部１５ＣのレシーバキャリアＲＣに受け渡される。

キャリア載置部１５ＢのセンダーキャリアＳＣから払い出されるウエハＷは、当該キャリアＳＣから払い出されるときに移載部本体４０Ａの代わりに移載部本体４０Ｂが用いられること、単位ブロックＢ２、Ｂ４、Ｂ６で処理を受けること、これら単位ブロックＢ２、Ｂ４、Ｂ６に対応する高さの受け渡しモジュールに搬送されること、レシーバキャリアＲＣに搬送されるときに移載部本体４０Ｃの代わりに移載部本体４０Ｄが用いられることを除いて、キャリア載置部１５ＡのセンダーキャリアＳＣのウエハＷと同様に搬送される。なお、この例では移載部本体４０Ｃ、４０Ｄの第２の保持アーム４８は使用されずに搬送が行われる。

ところで、既述した各実施形態においても第１の実施形態と同様に、同じキャリアＣから払い出したウエハＷを異なる単位ブロックに振り分けて搬送してもよいし、同一に構成された単位ブロックで異なる処理条件でウエハＷを処理してもよい。また、センダーキャリアＳＣとレシーバキャリアＲＣとの間で搬送を行う場合は、ウエハＷがタワー部３１のレシーバキャリアＲＣへの搬入を行うための受け渡しモジュールに搬入されるまで、各移載本体部をウエハＷの払い出し用、ウエハＷの昇降搬送用とに役割を分けて使用してもよい。

（第８の実施形態）
処理ブロックの構成としては、同一に構成した単位ブロックを２つずつ設けることに限られない。例えば図３６の塗布、現像装置１５１の処理ブロックＡ１２では、単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３が反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ、上層側反射防止膜形成モジュールＴＣＴを夫々備え、単位ブロックＢ４〜Ｂ６が現像モジュールＤＥＶを備えている。キャリア載置部１５Ａ、１５ＢのセンダーキャリアＳＣから払い出されたウエハＷは、移載部本体４０Ａ、４０Ｂの第１の保持アーム４７→受け渡しモジュールＳＣＰＬ→単位ブロックＢ１→受け渡しモジュールＣＰＬ→移載部本体４０Ａ、４０Ｂの第２の保持アーム４８→受け渡しモジュールＳＣＰＬ→単位ブロックＢ２→受け渡しモジュールＣＰＬ→移載部本体４０Ａ、４０Ｂの第２の保持アーム４８→単位ブロックＢ３→露光装置Ｓ４の順に搬送される。その後、単位ブロックＢ４〜Ｂ６のいずれかに搬送されたのち移載部本体４０Ｃ、４０Ｄの第１の保持アーム４７によりキャリア載置部１５Ｃ、１５ＤのレシーバキャリアＲＣに受け渡される。

この塗布、現像装置１５１についても同じキャリアＣから払い出したウエハＷを単位ブロックＢ４〜Ｂ６のうち同一の単位ブロックに受け渡してもよく、例えば同じキャリアＣから払い出した順に単位ブロックＢ４〜Ｂ６に振り分けて搬送してもよい。また、塗布、現像装置１４１、１５１において、キャリア載置部１５Ａ、１５ＢにおいてウエハＷがすべて払い出されたキャリアＣを、キャリア交換機構１０１によりキャリア載置部１５Ｃ、１５Ｄに移動させ、この移動したキャリアＣに処理済みのウエハＷを格納してもよい。また、単位ブロックの積層数としては複数であればよく６つに限られない。また、処理ブロックＡ２は、現像用の単位ブロックだけを積層して構成してもよい。また、第５〜第８の実施形態ではキャリアブロックＡ８を用いることに限られず、キャリアブロックＡ１など既述の他の構成のキャリアブロックに上下の移載本体部を適用した構成のキャリアブロックを用いて装置を構成してもよい。

Ｃ キャリア
Ｗ ウエハ
ＣＰＬ、ＳＣＰＬ 受け渡しモジュール
ＢＵ バッファモジュール
Ａ１ キャリアブロック
Ａ２ 処理ブロック
Ａ３ インターフェイスブロック
Ａ４ 露光装置
４０ 移載部本体
４１ 第１のウエハ移載ユニット
４２ 第２のウエハ移載ユニット
４７ 第１の保持アーム
４８ 第２の保持アーム
５１〜５６ 主ウエハ搬送機構
７０ 制御部

Claims (7)

1. 複数の基板を収納する搬送容器であるキャリアが載置されるキャリア載置部を上下方向に複数備えたキャリアブロックと、
   基板を処理するために前記キャリアブロックの背面側に設けられ、基板の処理の順番が前後する複数の階層部分を積層した構造を備えると共に各階層ごとに基板搬送機構及び基板を処理する処理モジュールが設けられた処理ブロックと、
   各々対応する階層の前記基板搬送機構により基板の受け渡しが行われる高さ位置に配置された複数の基板載置部を積層したタワー部と、
   前記各キャリア載置部上のキャリアと前記タワー部の基板載置部との間、及び前記タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行う進退、昇降自在な基板移載機構と、を備え、
   前記基板移載機構は、キャリアと基板載置部との間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第１の基板保持部材と、タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第２の基板保持部材と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１の基板保持部材は、基板の下面の周縁部よりも中央寄りの部位を保持するように構成され、
   前記第２の基板保持部材は、基板の周囲を囲むように設けられた支持部と、この支持部の内周縁に設けられ、基板の下面の周縁部を保持する保持爪と、を備え、
   前記第２の基板保持部材により基板の受け渡しが行われる基板載置部は、基板を載置するための載置プレートと、この載置プレートの外周に形成され、前記保持爪が通過できる切り欠き部と、を備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１の基板保持部材により基板の受け渡しが行われる基板載置部は、当該基板保持部材と平面的に干渉しない位置にて、基板載置部と基板保持部材との間で基板の移し替えができるように、基板を昇降させるための昇降部材が設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 複数の基板を収納する搬送容器であるキャリアが載置されるキャリア載置部を上下方向に複数備えたキャリアブロックと、
   基板を処理するために前記キャリアブロックの背面側に設けられ、基板の処理の順番が前後する複数の階層部分を積層した構造を備えると共に各階層ごとに基板搬送機構及び基板を処理する処理モジュールが設けられた処理ブロックと、
   各々対応する階層の前記基板搬送機構により基板の受け渡しが行われる高さ位置に配置された複数の基板載置部を積層したタワー部と、を用い、
   前記各キャリア載置部上のキャリアから、基板移載機構の第１の保持部材により基板を取り出して前記タワー部の基板載置部に移載する工程と、
   次いで前記処理ブロックにおける対応する基板搬送機構が前記基板載置部上の基板を受け取って処理モジュールに搬送する工程と、
   前記処理モジュールにて処理された基板を前記基板搬送機構により前記タワー部の基板載置部に搬送する工程と、
   この工程で基板載置部に載置された基板を、前記基板移載機構における第１の保持部材とは異なる第２の保持部材により受け取って、次の処理が行われる階層に対応する前記タワー部の他の基板載置部に移載する工程と、
   前記次の処理が行われる階層の基板搬送機構により、前記他の基板載置部上の基板を受け取って処理モジュールに搬送し、当該処理モジュールにて基板を処理する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
5. 前記第１の基板保持部材は、基板の下面の周縁部よりも中央寄りの部位を保持するように構成され、
   前記第２の基板保持部材は、基板の周囲を囲むように設けられた支持部と、この支持部の内周縁に設けられ、基板の下面の周縁部を保持する保持爪と、を備え、
   前記第２の基板保持部材により基板の受け渡しが行われる基板載置部は、基板を載置するための載置プレートと、この載置プレートの外周に形成され、前記保持爪が通過できる切り欠き部と、を備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
6. 前記第１の基板保持部材により基板の受け渡しが行われる基板載置部は、当該基板保持部材と平面的に干渉しない位置にて、基板載置部と基板保持部材との間で基板の移し替えができるように、基板を昇降させるための昇降部材が設けられていることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
7. 複数の基板を収納する搬送容器であるキャリアが配置されるキャリアブロックと、基板の処理の順番が前後する複数の階層部分を積層した構造を備えると共に各階層ごとに基板搬送機構及び基板を処理する処理モジュールが設けられた処理ブロックと、各々対応する階層の前記基板搬送機構により基板の受け渡しが行われる高さ位置に配置された複数の基板載置部を積層したタワー部と、を備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
   前記コンピュータプログラムは、請求項４ないし６のいずれか一項に記載された基板処理方法を実行するように構成されたステップ群を備えていることを特徴とする記憶媒体。

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