TWI734876B - 基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的製造方法及半導體基板 - Google Patents

Abstract

本發明的課題是在於提供一種可從基板適當地除去硼單膜的基板處理方法，基板處理裝置，基板處理系統，基板處理系統的控制裝置，半導體基板的製造方法及半導體基板。 　　其解決手段為實施形態的基板處理方法是使混合硝酸、比硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於在包含矽系膜的膜上形成有硼單膜的基板，藉此從基板除去硼單膜。

Description

基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的製造方法及半導體基板

揭示的實施形態是有關基板處理方法，基板處理裝置，基板處理系統，基板處理系統的控制裝置，半導體基板的製造方法及半導體基板。

以往，作為被使用在半導體基板的蝕刻處理之硬質遮罩，是使用碳膜等(參照專利文獻1)。

近年來，作為新的硬質遮罩材料，硼系膜漸漸受到注目。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2000-133710號公報

儘管在硼系膜之中，硼單膜也具有比以往的 硬質遮罩更高的選擇比。然而，有關從基板除去被成膜的硼單膜之技術的有用的見解尚未取得。

實施形態之一形態是以提供一種可從基板適當地除去硼單膜的基板處理方法，基板處理裝置，基板處理系統，基板處理系統的控制裝置，半導體基板的製造方法及半導體基板為目的。

實施形態之一形態的基板處理方法是使混合硝酸、比硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於在包含矽系膜的膜上形成有硼單膜的基板，藉此從基板除去硼單膜。

若根據實施形態的一形態，則可從基板適當地除去硼單膜。

W:晶圓

1:基板處理裝置

1D:基板處理裝置

1H:基板處理裝置

1H-1:基板處理裝置

2:搬入出站

3:處理站

4,400,500:控制裝置

4D:控制裝置

11:載體載置部

12:搬送部

13:基板搬送裝置

14:交接部

15:搬送部

16:處理單元

16A:處理單元

16B:處理單元

16C:處理單元

16D1:晶邊處理單元

16D2:背面處理單元

16D3:表面處理單元

16E:處理單元

16F:處理單元

16G:處理單元

17:基板搬送裝置

18,401,501:控制部

19,402,502:記憶部

20:腔室

21:FFU(Fan：Filter：Unit)

30:基板保持機構

30D1:基板保持機構

30D2:基板保持機構

31:保持部

31D1:保持部

32:支柱部

32D1:支柱構件

33:驅動部

33D1:驅動部

33D2:驅動部

40:處理流體供給部

40B:處理流體供給部

41:除去液供給噴嘴

42:DIW供給噴嘴

43:硫酸供給噴嘴

44:硝酸供給噴嘴

50:回收杯

51:排液口

52:排氣口

60:加熱部

70:處理流體供給源

70A:處理流體供給源

70B:處理流體供給源

80:晶邊供給部

90:背面供給部

100:基板處理系統

100D:基板處理系統

111:矽氧化膜

112:硼單膜

113:凹部

200:成膜裝置

201:成膜處理單元

210:加熱爐

211:隔熱體

212:加熱器

220:處理容器

230:晶舟

240:含硼氣體供給機構

241:含硼氣體供給源

242:成膜氣體配管

243:流量控制器

244:開閉閥

250:惰性氣體供給機構

251:惰性氣體供給源

252:惰性氣體配管

253:流量控制器

254:開閉閥

261:排氣管

262:壓力調整機構

263:真空泵

300:蝕刻裝置

301:蝕刻處理單元

310:腔室

311:把持部

320:載置台

330:温調機構

340:淋浴頭

350:氣體供給管

360:閥

370:蝕刻氣體供給源

380:排氣管線

390:排氣裝置

711:除去液供給源

712:DIW供給源

713:硫酸供給源

714:硝酸供給源

721:除去液供給路

722:DIW供給路

723:硫酸供給路

724:硝酸供給路

731:溫度調整部

733:温度調整部

741~744:閥

750:混合部

760:除去液供給路

1010:蓋體

1011:加熱部

1012:昇降部

1020:載置部

1021:底部

1022:周壁部

1023:內周面

1024:保持部

1025:昇降部

1026:加熱部

1030:噴嘴

1031:閥

1032:除去液供給源

1033:泵

1034:移動部

2002:載體搬入出部

2003:批量形成部

2004:批量載置部

2005:批量搬送部

2006:批量處理部

2006-1:批量處理部

2007:控制部

2009:載體

2010:載體平台

2011:載體搬送機構

2012,2013:載體庫

2014:載體載置台

2015:基板搬送機構

2016:批量載置台

2017:搬入側批量載置台

2018:搬出側批量載置台

2019:批量搬送機構

2020:軌道

2021:移動體

2022:基板保持體

2023:處理單元

2024:基板保持體洗淨單元

2025:處理單元

2027:處理槽

2028:基板昇降機構

2029:處理槽

2030:處理槽

2031:處理槽

2032,2033:基板昇降機構

2034:內槽

2035:外槽

2038:記憶媒體

2040:DIW供給部

2041:硝酸供給部

2042:硫酸供給部

2043:DIW供給源

2044:DIW供給路

2045:閥

2046:硝酸供給源

2047:硝酸供給路

2048:閥

2049:硫酸供給源

2050:硫酸供給路

2051:閥

2052:循環部

2054:噴嘴

2055:循環流路

2056:泵

2057:加熱部

2058:過濾器

2059:硝酸濃度検出部

2060:濃度調整液供給部

2061:硝酸供給源

2062:硝酸供給路

2063:閥

2064:第1處理液排出部

2065:第2處理液排出部

2066:排液流路

2067:閥

2068:排液流路

2069:閥

2070:內側配管

2071:外側配管

2072:淨化部

2073:上游側配管

2074:下游側配管

2075:流體供給源

2076:閥

2077:泵

2090:處理單元

2091:處理單元

2092:處理槽

2093:基板昇降機構

2094:處理槽

2095:處理槽

2096,2097:基板昇降機構

2101:排氣管

2102:排氣管

2103:集合配管

2104:洗滌器裝置

2110:腔室

2111:第1收容部分

2112:第2收容部分

2113:開口部

2114:FFU

2115:開閉部

2116:蓋體

2117:驅動部

2121:框體

2122:流路

2123:儲存部

2124:噴霧噴嘴

2125:除霧器

2126:DIW供給路

2127:DIW供給源

2128:閥

2129:排去管

2130:框體

2131:NOx檢測部

2132:顯示燈

2200:DIW供給部

2201:DIW供給源

2202:DIW供給路

2203,2213,2223,2067,2069:閥

2210:NH4OH供給部

2211:NH4OH供給源

2212:NH4OH供給路

2220:H2O2供給部

2221:H2O2供給源

2222:H2O2供給路

圖1A是表示第1實施形態的基板處理方法的一例之圖。

圖1B是表示第1實施形態的基板處理方法的一例之圖。

圖1C是表示第1實施形態的基板處理方法的一例之圖。

圖1D是表示第1實施形態的基板處理方法的一例之圖。

圖2是表示第1實施形態的基板處理系統的一例的方塊圖。

圖3是表示成膜處理單元的構成的一例之圖。

圖4是表示蝕刻處理單元的構成的一例之圖。

圖5是表示第1實施形態的基板處理裝置的概略構成之圖。

圖6是表示第1實施形態的處理單元的概略構成之圖。

圖7是表示第1實施形態的處理單元的處理液供給系的構成的一例之圖。

圖8是表示第1實施形態的基板處理系統所實行的基板處理的程序的一例的流程圖。

圖9是表示第2實施形態的處理單元的處理液供給系的構成的一例之圖。

圖10是表示第3實施形態的處理單元的處理液供給系的構成的一例之圖。

圖11A是表示第4實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖11B是表示第4實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖12是表示第5實施形態的基板處理系統的構成的一例之圖。

圖13是表示晶邊處理單元的構成的一例之圖。

圖14是表示背面處理單元的構成的一例之圖。

圖15A是表示第6實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖15B是表示第6實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖16A是表示第7實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖16B是表示第7實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖17A是表示第8實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖17B是表示第8實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

圖18是表示除去液的稀釋倍率與硼單膜的蝕刻速率的關係的圖表。

圖19是表示第9實施形態的基板處理裝置的構成的一例之圖。

圖20是表示進行除去處理的處理槽及其周邊的構成例的圖。

圖21是表示循環流路的構成例的圖。

圖22是表示進行粒子除去處理的處理槽及其周邊的構成例的圖。

圖23是表示第9實施形態的基板處理裝置所實行的基板處理的程序的一例的流程圖。

圖24是表示第9實施形態的變形例的基板處理裝置的構成的一例之圖。

圖25是表示在變形例的處理單元中進行粒子除去處理的處理槽及其周邊的構成例的圖。

圖26是表示批量處理部的排氣路徑的構成例的圖。

圖27是表示批量處理部的排氣路徑的構成例的圖。

圖28是表示洗滌器裝置的構成例的圖。

圖29是表示基板處理裝置的外觀構成例的圖。

圖30是表示異常對應處理的處理程序的一例的流程圖。

以下，參照附圖，詳細說明本案揭示的基板處理方法，基板處理裝置，基板處理系統，基板處理系統的控制裝置，半導體基板的製造方法及半導體基板的實施形態。另外，並非是藉由以下所示的實施形態來限定本發明。

(第1實施形態)

<基板處理方法>

首先，參照圖1A~圖1D來說明有關第1實施形態的基板處理方法的一例。圖1A~圖1D是表示第1實施形態的基板處理方法的一例之圖。

本實施形態的基板處理方法是以具有包含矽 系膜的膜之矽晶圓等的半導體基板(以下簡稱為「晶圓」)作為對象。

在此，為了容易理解，針對以只具有矽氧化膜作為矽系膜的晶圓為對象時進行說明，但晶圓是亦可具有矽氧化膜以外的膜。又，矽系膜是亦可為SiN膜或多晶矽膜等。

如圖1A所示般，在第1實施形態的基板處理方法中，首先，在晶圓W的矽氧化膜111上形成硼單膜112(成膜工程)。

硼單膜112是由硼(B)單體所成的膜。但，硼單膜112是亦可在不可避免地混入的範圍內含有不可避免的雜質，該不可避免的雜質是在成膜工程中不可避免地混入。作為不可避免的雜質是例如包含氫(H)、氧(O)、碳(C)等。

接著，如圖1B所示般，在第1實施形態的基板處理方法中，蝕刻成膜工程後的晶圓W(蝕刻工程)。

具體而言，在蝕刻工程中，以在成膜工程中成膜的硼單膜112作為硬質遮罩，在矽氧化膜111的深度方向，形成例如500nm以上的凹部(溝)113。

硼單膜112是在矽氧化膜111的蝕刻條件難被蝕刻，相對於硼單膜112，可以高的選擇比來蝕刻矽氧化膜111。因此，即使凹部113的深度為500nm以上，還是可以抑制凹部113的開口寬b相對於硼單膜112的開口寬a過剩地擴大。

接著，如圖1C所示般，在第1實施形態的基板處理方法中，從蝕刻工程後的晶圓W除去硼單膜112。

具體而言，保持蝕刻工程後的晶圓W之後(保持工程)，使除去液接觸於保持的晶圓W，藉此從晶圓W除去硼單膜112(除去工程)。

在此，除去液是硝酸(HNO3)、比硝酸更強的強酸及水(H2O)的混合液。在本實施形態中，說明使用硫酸(H2SO4)作為強酸的例子。強酸是除此之外例如可使用碳硼烷酸、三氟甲磺酸等。亦即，在Bronsted的定義中，只要可對硝酸賦予質子(H+)的酸即可。水是例如DIW(純水)。另外，亦可替換水或使混合，使用有機酸(羧酸的蟻酸(HCOOH)、草酸((COOH)2)、醋酸(CH3COOH)、丙酸(CH3CH2COOH)、丁酸(CH3(CH2)2COOH)、戊酸(CH3(CH2)3COOH)等)。

如此的除去液是硝酸作為鹽基作用，藉由強酸來脫水，生成硝基離子，藉由與硼單膜112反應來使從晶圓W剝離。藉此，如圖1D所示般，可從晶圓W除去硼單膜112。

如此，藉由第1實施形態的基板處理方法，可從晶圓W適當地除去被成膜於矽氧化膜111上的硼單膜112。

另外，只要除去液的硫酸的濃度為64wt%以下，硝酸的濃度為3wt%以上69wt%以下，便可發揮上述效果。更理想是硫酸的濃度為50wt%以下且硝酸的濃度為 3wt%以上69wt%以下。

為了提高硼單膜112的除去性能，使蝕刻劑產生更多為重要，為此，最好在成為硼的蝕刻劑的物質(離子)的產生適當地調整不可缺少的水的比例。

在此，參照圖18說明有關除去液的水的有用性。圖18是表示除去液的稀釋倍率與硼單膜112的蝕刻速率的關係的圖表。另外，圖18所示的圖表是在橫軸取以水稀釋硫酸為46wt%、硝酸為3wt%的除去液時的稀釋倍率。因此，例如在圖18的橫軸，「1倍」是表示硫酸為46wt%、硝酸為3wt%的除去液其本身，「5倍」是表示以水將硫酸為46wt%、硝酸為3wt%的除去液稀釋成5倍者。並且，「0倍」是表示硫酸及硝酸的混合液未含水者。而且，在圖18的縱軸是表示將被測定的蝕刻速率之中最大的值設為1時的蝕刻速率的相對值。

本發明者們發現藉由以特定的稀釋倍率來稀釋除去液，換言之，藉由將硫酸及硝酸的混合液稀釋成特定的濃度，與例如將稀釋倍率設為0倍的情況(使用不含水的硫酸及硝酸的混合液的情況)或以上述特定的稀釋倍率以外的倍率來稀釋的情況(將硫酸及硝酸的混合液稀釋成特定的濃度以外的濃度的情況)作比較，可用非常高的蝕刻速率來除去硼單膜112。具體而言，如圖18所示般，可知藉由以水來將含有硫酸46wt%、硝酸3wt%的硫酸及硝酸的混合液稀釋成0.45以上1.8倍以下，與以其他的倍率來稀釋的情況或將稀釋倍率設為0倍的情況作比較，可取得非 常大的蝕刻速率。更具體而言，以水來將上述混合液稀釋成0.9倍時的硼單膜112的蝕刻速率為最高。

<基板處理系統的構成>

其次，參照圖2來說明有關本實施形態的基板處理系統的構成的一例。圖2是表示第1實施形態的基板處理系統的構成的一例的方塊圖。

如圖2所示般，基板處理系統100是具備：成膜裝置200、蝕刻裝置300及基板處理裝置1。

成膜裝置200是進行上述的成膜工程的裝置。成膜裝置200是具備成膜處理單元201。有關成膜處理單元201的構成是利用圖3後述。

另外，在此雖省略圖示，但成膜裝置200是除了成膜處理單元201以外，例如，具備載置晶圓W的載置部或將被載置於載置部的晶圓W搬送至成膜處理單元201的搬送裝置等。

蝕刻裝置300是進行上述的蝕刻工程的裝置。蝕刻裝置300是具備蝕刻處理單元301。有關蝕刻處理單元301的構成是利用圖4後述。

另外，在此雖省略圖示，但蝕刻裝置300是除了蝕刻處理單元301以外，例如，具備載置晶圓W的載置部或將被載置於載置部的晶圓W搬送至蝕刻處理單元301的搬送裝置等。

基板處理裝置1是進行上述的保持工程及除去 工程的裝置。有關基板處理裝置1的構成是利用圖5及圖6等後述。

基板處理裝置1、成膜裝置200及蝕刻裝置300是分別連接控制裝置4，400，500。控制裝置4，400，500是分別具備控制部18，401，501及記憶部19，402，502。

控制部18，401，501是包含例如具有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、輸出入埠等的微電腦或各種的電路。控制部18，401，501是CPU會以RAM作為作業領域使用來實行被記憶於ROM的程式，藉此控制基板處理裝置1、成膜裝置200及蝕刻裝置300的動作。

另外，上述程式是亦可為被記錄於可藉由電腦來讀取的記錄媒體者，由該記錄媒體來安裝於控制裝置的記憶部者。作為可藉由電腦來讀取的記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等。

記憶部19，402，502是例如藉由RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶體元件，或硬碟、光碟等的記憶裝置來實現。

<成膜處理單元的構成>

其次，參照圖3來說明有關成膜裝置200所具備的成膜處理單元201的構成的一例。圖3是表示成膜處理單元201的構成的一例之圖。

如圖3所示般，成膜處理單元201是構成為可一次處理複數片，例如50~150片的晶圓W之批量式的處理裝置，具備加熱爐210，該加熱爐210具有：具備頂部的筒狀的隔熱體211，及被設於隔熱體211的內周面的加熱器212。

在加熱爐210內是插入有由例如石英所成的處理容器220。而且，上述加熱器212是被設成圍繞處理容器220的外側。

在處理容器220的內部是配置有晶舟230。晶舟230是以石英所形成，將例如50~150片的晶圓W以預定間隔的間距來堆疊而收容。晶舟230是藉由未圖示的昇降機構來昇降，藉此朝處理容器220的搬入搬出成為可能。

並且，成膜處理單元201是具有：含硼氣體供給機構240，其係將作為成膜原料氣體的含硼氣體例如B2H6氣體導入至處理容器220內；及惰性氣體供給機構250，其係將作為淨化氣體等使用的惰性氣體導入至處理容器220內。

含硼氣體供給機構240是具備：含硼氣體供給源241，其係供給含硼氣體例如B2H6氣體，作為成膜原料氣體；及成膜氣體配管242，其係從含硼氣體供給源241引導成膜氣體至處理容器220內。

在成膜氣體配管242設有流量控制器243及開閉閥244。

惰性氣體供給機構250是具備：惰性氣體供給源251，及從惰性氣體供給源251引導惰性氣體至處理容器220的惰性氣體配管252。在惰性氣體配管252設有質量流控制器之類的流量控制器253及開閉閥254。惰性氣體是可使用N2氣體或Ar氣體之類的稀有氣體。

並且，在處理容器220連接排氣管261，排氣管261是經由包含壓力調整閥等的壓力調整機構262來連接真空泵263。藉此，可一面以真空泵263來將處理容器220內排氣，一面以壓力調整機構262來將處理容器220內調整至預定的壓力。

<蝕刻處理單元的構成>

其次，參照圖4說明有關蝕刻裝置300所具備的蝕刻處理單元301的構成。圖4是表示蝕刻處理單元301的構成的一例之圖。

如圖4所示般，蝕刻處理單元301是具備收容晶圓W的密閉構造的腔室310，在腔室310內是設有以水平狀態來載置晶圓W的載置台320。載置台320是具備溫調機構330，該溫調機構330是將晶圓W冷卻或加熱而調節成預定的溫度。在腔室310之側壁是設有用以將晶圓W搬出入之未圖示的搬出入口。

在腔室310的頂部是設有淋浴頭340。淋浴頭340是連接氣體供給管350。此氣體供給管350是經由閥360來連接蝕刻氣體供給源370，從蝕刻氣體供給源370對淋浴 頭340供給預定的蝕刻氣體。淋浴頭340是將從蝕刻氣體供給源370供給的蝕刻氣體供給至腔室310內。

另外，從蝕刻氣體供給源370供給的蝕刻氣體是例如CH3F氣體、CH2F2氣體、CF4氣體、O2氣體、Ar氣體源等。

在腔室310的底部是經由排氣管線380來連接排氣裝置390。腔室310的內部的壓力是藉由該排氣裝置390來維持於減壓狀態。

<基板處理裝置的構成>

其次，參照圖5來說明有關基板處理裝置1的構成的一例。圖5是表示第1實施形態的基板處理裝置1的概略構成的圖。以下，為了明確位置關係，而規定彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設為鉛直向上方向。

如圖1所示般，基板處理裝置1是具備搬出入站2及處理站3。搬出入站2與處理站3是鄰接而設。

搬出入站2是具備載體載置部11及搬送部12。在載體載置部11是載置複數的載體C，該複數的載體C是以水平狀態來收容複數片的基板，在本實施形態是半導體晶圓(以下稱為晶圓W)。

搬送部12是與載體載置部11鄰接而設，在內部具備基板搬送裝置13及交接部14。基板搬送裝置13是具備保持晶圓W的晶圓保持機構。並且，基板搬送裝置13是朝水平方向及鉛直方向的移動及以鉛直軸為中心的迴旋為 可能，利用晶圓保持機構在載體C與交接部14之間進行晶圓W的搬送。

處理站3是與搬送部12鄰接而設。處理站3是具備搬送部15及複數的處理單元16。複數的處理單元16是排列於搬送部15的兩側而設。

搬送部15是在內部具備基板搬送裝置17。基板搬送裝置17是具備保持晶圓W的晶圓保持機構。並且，基板搬送裝置17是朝水平方向及鉛直方向的移動及以鉛直軸為中心的迴旋為可能，利用晶圓保持機構在交接部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。

處理單元16是對於藉由基板搬送裝置17來搬送的晶圓W進行預定的基板處理。

在如上述般構成的基板處理裝置1中，首先，搬出入站2的基板搬送裝置13會從被載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，將取出的晶圓W載置於交接部14。被載置於交接部14的晶圓W是藉由處理站3的基板搬送裝置17來從交接部14取出，而搬入至處理單元16。

被搬入至處理單元16的晶圓W是藉由處理單元16來處理之後，藉由基板搬送裝置17來從處理單元16搬出，而被載置於交接部14。然後，被載置於交接部14的處理完畢的晶圓W是藉由基板搬送裝置13來返回至載體載置部11的載體C。

<處理單元的構成>

其次，參照圖6來說明有關處理單元16的構成。圖6是表示第1實施形態的處理單元16的概略構成的圖。

如圖6所示般，處理單元16是具備：腔室20、基板保持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。

腔室20是收容基板保持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。在腔室20的頂部是設有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21是在腔室20內形成降流。

基板保持機構30是具備保持部31、支柱部32及驅動部33。保持部31是水平地保持晶圓W。支柱部32是延伸於鉛直方向的構件，基端部會藉由驅動部33來可旋轉地被支撐，在前端部水平地支撐保持部31。驅動部33是使支柱部32繞著鉛直軸旋轉。如此的基板保持機構30是利用驅動部33來使支柱部32旋轉，藉此使被支撐於支柱部32的保持部31旋轉，藉由以上，使被保持於保持部31的晶圓W旋轉。

處理流體供給部40是對於晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40是被連接至處理流體供給源70。

回收杯50是被配置成為包圍保持部31，捕集藉由保持部31的旋轉來從晶圓W飛散的處理液。在回收杯50的底部是形成有排液口51，藉由回收杯50所捕集的處理液是從該排液口51來排出至處理單元16的外部。並且，在回收杯50的底部是形成有將從FFU21供給的氣體排出至處理單元16的外部的排氣口52。

其次，參照圖7來說明有關處理單元16的處理 液供給系的構成的一例。圖7是表示第1實施形態的處理單元16的處理液供給系的構成的一例之圖。

例如圖7所示般，處理單元16是具備除去液供給噴嘴41及DIW供給噴嘴42，作為處理流體供給部40。除去液供給噴嘴41是對於晶圓W供給除去液的噴嘴，DIW供給噴嘴42是對於晶圓W供給作為洗滌液的DIW的噴嘴。

處理流體供給源70是具備除去液供給源711、除去液供給路721、溫度調整部731及閥741，作為除去液的供給系。

除去液供給源711是儲存除去液亦即硫酸、硝酸及水的混合液的槽。除去液供給路721是連接除去液供給源711與除去液供給噴嘴41的配管。溫度調整部731是被設於除去液供給路721，將流通於除去液供給路721的除去液加熱。溫度調整部731是例如加熱器。閥741是被設於除去液供給路721，將除去液供給路721開閉。

藉由閥741從閉狀態驅動至開狀態，預先被儲存於除去液供給源711的除去液會流通於除去液供給路721，藉由溫度調整部731來加熱，而從除去液供給噴嘴41供給至晶圓W。

又，處理流體供給源70是具備DIW供給源712、DIW供給路722及閥742作為DIW的供給系。然後，藉由閥742從閉狀態驅動至開狀態，DIW會從DIW供給源712經由DIW供給路722來供給至DIW供給噴嘴42，DIW會從DIW供給噴嘴42供給至晶圓W。

<基板處理系統的具體的動作>

其次，參照圖8來說明有關基板處理系統100的具體的動作的一例。圖8是表示第1實施形態的基板處理系統100所實行的基板處理的程序的一例的流程圖。圖8所示的各處理程序是按照控制部18，401，501的控制來實行。

如圖8所示般，在基板處理系統100中，首先，將具有矽氧化膜111的晶圓W搬入至成膜裝置200的成膜處理單元201。然後，在成膜處理單元201中，進行在矽氧化膜111上形成硼單膜112的成膜處理(步驟S101)。

具體而言，首先，將處理容器220內控制成預定的溫度，例如200~500℃，在大氣壓的狀態下，將搭載複數的晶圓W的晶舟230插入至處理容器220內。由該狀態進行抽真空而將處理容器220內設為真空狀態。接著，將處理容器220內調壓成預定的低壓狀態，例如133.3Pa(1.0Torr)，使晶圓W的溫度安定化。在此狀態下，藉由含硼氣體供給機構240來將B2H6氣體等的含硼氣體導入至處理容器220內，藉由在晶圓W表面使含硼氣體熱分解的CVD，在晶圓W表面形成硼單膜112。然後，從惰性氣體供給機構250供給惰性氣體至處理容器220內，淨化處理容器220內，接著藉由真空泵263來將處理容器220內抽真空，然後，使處理容器220內返回至大氣壓而結束處理。藉此，在晶圓W的矽氧化膜111上形成有硼單膜112(參照圖1A)。

成膜處理後的晶圓W是從成膜裝置200搬出後，被搬入至蝕刻裝置300的蝕刻處理單元301。然後，在蝕刻處理單元301中，以硼單膜112作為硬質遮罩，進行蝕刻晶圓W的矽氧化膜111之蝕刻處理(步驟S102)。

具體而言，利用排氣裝置390來將腔室310的內部減壓之後，從淋浴頭340供給蝕刻氣體至腔室310內，藉此乾蝕刻被載置於載置台320的晶圓W。藉此，在晶圓W形成凹部113(參照圖1B)。

蝕刻處理後的晶圓W是從蝕刻裝置300搬出後，被搬入至基板處理裝置1的處理單元16。被搬入至處理單元16的晶圓W是在使在矽氧化膜111上形成有硼單膜112的面朝向上方的狀態下藉由保持部31來水平地保持。然後，在處理單元16中，進行從晶圓W除去硼單膜112的除去處理(步驟S103)。

具體而言，在除去處理中，處理流體供給部40的除去液供給噴嘴41會位於晶圓W的中央上方。然後，藉由閥741被開放預定時間，從除去液供給噴嘴41對於晶圓W供給除去液(參照圖1C)。被供給至晶圓W的除去液是藉由伴隨晶圓W的旋轉之離心力來擴展於晶圓W的表面，該晶圓W的旋轉是藉由驅動部33(參照圖6)產生。藉此，硼單膜112會從晶圓W被除去(參照圖1D)。

接著，在處理單元16中，進行以DIW來洗滌晶圓W的表面的洗滌處理(步驟S104)。在如此的洗滌處理中，DIW供給噴嘴42會位於晶圓W的中央上方。然後，藉 由閥742被開放預定時間，從DIW供給噴嘴42供給DIW至旋轉的晶圓W的表面，從晶圓W除去(剝離)的硼單膜112及殘存於晶圓W上的除去液會藉由DIW來洗掉。

接著，在處理單元16中，使晶圓W的旋轉速度增加預定時間，藉此進行甩掉殘存於晶圓W的表面的DIW而使晶圓W乾燥的乾燥處理(步驟S105)。然後，晶圓W的旋轉停止。

乾燥處理後的晶圓W是藉由基板搬送裝置17來從處理單元16取出，經由交接部14及基板搬送裝置13來收容於載體載置部11所載置的載體C。藉此，有關1片的晶圓W的一連串的基板處理完畢。

如上述般，第1實施形態的基板處理系統100是具備：成膜裝置200、蝕刻裝置300及基板處理裝置1。成膜裝置200是在具有包含矽氧化膜111的膜之晶圓W(基板的一例)形成硼單膜112。蝕刻裝置300是蝕刻藉由成膜裝置200形成有硼單膜112的晶圓W。基板處理裝置1是從藉由蝕刻裝置300來蝕刻的晶圓W除去硼單膜112。並且，基板處理裝置1是具備：保持部31、處理流體供給部40及處理流體供給源70。保持部31是保持晶圓W。處理流體供給部40及處理流體供給源70是使硫酸、硝酸及水的除去液接觸於藉由保持部31所保持的晶圓W，藉此從晶圓W除去硼單膜112。

因此，若根據第1實施形態的基板處理系統100，則可從晶圓W適當地除去硼單膜112。

(第2實施形態)

其次，說明有關第2實施形態。另外，在以下的說明中，有關與已經說明的部分同樣的部分是附上與已經說明的部分相同的符號，省略重複的說明。

圖9是表示第2實施形態的處理單元的處理液供給系的構成的一例之圖。如圖9所示般，第2實施形態的處理流體供給源70A是具備硫酸供給源713、硫酸供給路723、溫度調整部733及閥743，作為硫酸的供給系。

硫酸供給源713是儲存以水(純水)來稀釋成預定的濃度的硫酸之槽。例如，在硫酸供給源713是儲存有被稀釋成50%的濃度的硫酸。

硫酸供給路723是連接硫酸供給源713與後述的混合部750之配管。溫度調整部733是被設於硫酸供給路723，加熱流通於硫酸供給路723的硫酸。溫度調整部733是例如加熱器。閥743是被設於硫酸供給路723，開閉硫酸供給路723。

又，處理流體供給源70A是具備硝酸供給源714、硝酸供給路724及閥744，作為硝酸的供給系。

硝酸供給源714是儲存以水(純水)來稀釋成預定的濃度的硝酸之槽。例如，在硝酸供給源714是儲存有被稀釋成69%的濃度的硝酸。

硝酸供給路724是連接硝酸供給源714與後述的混合部750之配管。閥744是將硝酸供給路724開閉。

又，處理流體供給源70A是具備DIW供給源712、DIW供給路722及閥742，作為DIW的供給系。

處理單元16A是具備混合部750及除去液供給路760。混合部750是在持有流速的狀態下以預先設定的混合比來混合硫酸及硝酸而生成混合液的除去液，該硫酸是從硫酸供給路723以預定的流速供給，該硝酸是從硝酸供給路724以預定的流速供給。例如，混合部750是以50%濃度的硫酸：69%濃度的硝酸=10：1的比例混合。

混合部750是被配置於處理單元16A的腔室20(參照圖6)內。例如，混合部750是可設於保持除去液供給噴嘴41的臂。

除去液供給路760是連接混合部750與除去液供給噴嘴41，將在混合部750中被生成的除去液供給至除去液供給噴嘴41。

其次，說明第2實施形態的除去處理。在第2實施形態的除去處理中，藉由保持部31來保持蝕刻處理後的晶圓W之後，使處理流體供給部40的除去液供給噴嘴41位於晶圓W的中央上方。

然後，藉由閥743及閥744被開放預定時間，以水稀釋的硫酸藉由溫度調整部733來加熱者及以水稀釋的硝酸會被流入至混合部750而生成除去液。

然後，在混合部750中被生成的除去液會從除去液供給噴嘴41供給至晶圓W。被供給至晶圓W的除去液是藉由伴隨晶圓W的旋轉之離心力來擴展於晶圓W的表 面，該晶圓W的旋轉是藉由驅動部33產生。藉此，硼單膜112會從晶圓W被除去。

如此，第2實施形態的處理單元16A是具備處理流體供給部40及處理流體供給源70A。具體而言，處理單元16A是具備：硫酸供給路723、硝酸供給路724、混合部750及除去液供給噴嘴41。硫酸供給路723是流通從供給藉由水稀釋的硫酸的硫酸供給源713所供給之藉由水稀釋的硫酸。硝酸供給路724是流通從供給藉由水稀釋的硝酸的硝酸供給源714所供給之藉由水稀釋的硝酸。混合部750是在供給除去液至晶圓W之前，在持有流速的狀態下混合：流通於硫酸供給路723之藉由水稀釋的硫酸，及流通於硝酸供給路724之藉由水稀釋的硝酸。除去液供給噴嘴41是將藉由混合部750所生成的除去液供給至晶圓W。

若根據如此的處理單元16A，則由於被生成的除去液也持有流速，因此立即到達至晶圓W，所以與例如預先生成除去液來儲存於槽的情況作比較，更新鮮，換言之，可將硼單膜112的除去性能降低之前的除去液供給至晶圓W。因此，若根據第2實施形態的處理單元16A，則可更適當地除去硼單膜112。

另外，處理單元16A是不須一定要具備溫度調整部733，亦可將藉由硫酸與硝酸的反應熱被加熱的除去液供給至晶圓W。此情況，例如，可藉由實驗等來預先計測伴隨混合硫酸與硝酸後的反應熱之除去液的溫度變化，當除去液的溫度為包含最大值的預定範圍內時，以除去液 能夠接觸於晶圓W的方式，使除去液供給路760的長度最適化為理想。

又，處理單元16A是亦可在混合部750中生成比所望的濃度更高濃度的除去液，從除去液供給噴嘴41供給至晶圓W，且從DIW供給噴嘴42供給DIW至晶圓W，在晶圓W上藉由DIW來稀釋高濃度的除去液，藉此生成所望的濃度的除去液。

(第3實施形態)

圖10是表示第3實施形態的處理單元的處理液供給系的構成的一例之圖。如圖10所示般，第3實施形態的處理單元16B是具備DIW供給噴嘴42、硫酸供給噴嘴43(強酸供給噴嘴的一例)及硝酸供給噴嘴44，作為處理流體供給部40B。

硫酸供給噴嘴43是對於晶圓W供給硫酸的噴嘴，硝酸供給噴嘴44是對於晶圓W供給硝酸的噴嘴。

處理流體供給源70B是具備硫酸供給源713、硫酸供給路723、溫度調整部733及閥743，作為硫酸的供給系，硫酸供給路723是被連接至硫酸供給噴嘴43。

又，處理流體供給源70B是具備硝酸供給源714、硝酸供給路724及閥744，作為硝酸的供給系，硝酸供給路724是被連接至硝酸供給噴嘴44。

又，處理流體供給源70B是具備DIW供給源712、DIW供給路722及閥742，作為DIW的供給系，DIW供 給路722是被連接至DIW供給噴嘴42。

其次，說明有關第3實施形態的除去處理。在第3實施形態的除去處理中，蝕刻處理後的晶圓W藉由保持部31來保持之後，處理流體供給部40B的硫酸供給噴嘴43及硝酸供給噴嘴44會位於晶圓W的上方。然後，藉由閥743及閥744被開放預定時間，以水稀釋的硫酸藉由溫度調整部733來加熱者及以水稀釋的硝酸會分別從硫酸供給噴嘴43及硝酸供給噴嘴44供給至晶圓W。硫酸及硝酸的流量是藉由閥743及閥744來調整，而使成為預定的流量比。例如，硫酸及硝酸的流量比是被調整成10：1。

被供給至晶圓W的硫酸及硝酸會在晶圓W上混合，藉此在晶圓W上生成除去液。被生成的除去液是藉由伴隨晶圓W的旋轉之離心力來擴展於晶圓W的表面，該晶圓W的旋轉是藉由驅動部33產生。藉此，硼單膜112會從晶圓W被除去。

如此，第3實施形態的處理單元16B是具備處理流體供給部40B及處理流體供給源70B。具體而言，處理單元16B是具備：硫酸供給路723、硝酸供給路724、硫酸供給噴嘴43及硝酸供給噴嘴44。硫酸供給路723是流通從供給藉由水稀釋的硫酸的硫酸供給源713所供給之藉由水稀釋的硫酸。硝酸供給路724是流通從供給藉由水稀釋的硝酸的硝酸供給源714所供給之藉由水稀釋的硝酸。硫酸供給噴嘴43是將流通於硫酸供給路723之藉由水稀釋的硫酸供給至晶圓W。硝酸供給噴嘴44是將流通於硝酸供給 路724之藉由水稀釋的硝酸供給至晶圓W。然後，在第3實施形態的除去處理中是對於藉由保持部31所保持的晶圓W供給以水稀釋的硫酸及以水稀釋的硝酸，藉此在晶圓W上生成除去液，除去硼單膜112。

若根據如此的處理單元16B，則與具備混合部750的構成作比較，可用更簡易的構成來將被生成不久的較新鮮的除去液供給至晶圓W。

(第4實施形態)

其次，說明有關第4實施形態。圖11A及圖11B是表示第4實施形態的處理單元16C的構成的一例之圖。

如圖11A所示般，第4實施形態的處理單元16C是具備加熱部60。加熱部60是例如電阻加熱加熱器或燈加熱器等，在保持部31的上方，與保持部31不同個體地被配置。另外，加熱部60是亦可一體地被設於保持部31。例如，加熱部60是亦可被內藏於保持部31。

其次，說明有關第4實施形態的除去處理。第4實施形態的除去處理是在藉由保持部31來保持的蝕刻處理後的晶圓W的上面形成除去液的液膜(液膜形成處理)。

例如圖11A所示般，從除去液供給噴嘴41供給除去液至晶圓W，藉由驅動部33(參照圖6)來使晶圓W旋轉，藉此在晶圓W上形成除去液的液膜。

另外，不限於上述的例子，亦可從硫酸供給噴嘴43及硝酸供給噴嘴44供給硫酸及硝酸至旋轉的晶圓 W，在晶圓W上生成除去液，藉此在晶圓W上形成除去液的液膜。

接著，如圖11B所示般，液膜形成處理後，將在晶圓W上形成有除去液的液膜的狀態維持預定時間(維持處理)。具體而言，停止晶圓W的旋轉，停止從除去液供給噴嘴41往晶圓W的除去液的供給，藉此使相同的除去液在晶圓W上滯留預定時間。

藉此，與例如持續晶圓W的旋轉及從除去液供給噴嘴41朝晶圓W的除去液的供給的情況(亦即持續置換除去液的情況)作比較，可提高硼單膜112的除去效率。這可思考是因為硼與除去液的反應物成為蝕刻劑，而使硼單膜112的除去促進所致。

並且，在維持處理中，處理單元16C是利用加熱部60來加熱晶圓W上的除去液，藉此將晶圓W上的除去液保持於一定的溫度。藉此，可抑制溫度的降低所造成之除去性能的降低。

如此，第4實施形態的處理單元16C是在除去處理中，進行：在藉由保持部31來保持的晶圓W上形成除去液的液膜的液膜形成處理，及在液膜形成處理後，將在晶圓W上形成有除去液的液膜的狀態維持預定時間的維持處理。具體而言，處理單元16C是在維持處理中，使相同的除去液在晶圓W上滯留預定時間。

藉此，與持續置換晶圓W上的除去液的情況作比較，可提高硼單膜112的除去效率。並且，可削減除去 液的使用量。

(第5實施形態)

其次，說明有關第5實施形態。圖12是表示第5實施形態的基板處理系統的構成的一例之圖。

如圖12所示般，第5實施形態的基板處理系統100D是具備成膜裝置200、蝕刻裝置300及基板處理裝置1D。

在基板處理系統100D中，在成膜處理後且蝕刻處理前，使除去液接觸於晶圓W的背面及晶邊部，藉此進行從晶圓W的背面及晶邊部除去硼單膜112的事前除去處理。

基板處理裝置1D是具備：晶邊處理單元16D1、背面處理單元16D2及表面處理單元16D3。並且，基板處理裝置1D是被連接至控制裝置4D，晶邊處理單元16D1、背面處理單元16D2及表面處理單元16D3是藉由控制裝置4D來控制動作。

晶邊處理單元16D1是藉由除去液來除去被成膜於晶圓W的晶邊部的硼單膜112。在此，參照圖13來說明有關晶邊處理單元16D1的構成的一例。圖13是表示晶邊處理單元16D1的構成的一例之圖。

如圖13所示般，晶邊處理單元16D1是具備基板保持機構30D1及晶邊供給部80。

基板保持機構30D1是具備：吸附保持晶圓W 的保持部31D1，支撐保持部31D1的支柱構件32D1，及使支柱構件32D1旋轉的驅動部33D1。保持部31D1是被連接至真空泵等的吸氣裝置，利用藉由該吸氣裝置的吸氣而產生的負壓來吸附晶圓W的背面，藉此水平地保持晶圓W。保持部31D1是可使用例如多孔式吸盤。

晶邊供給部80是被設於例如未圖示的回收杯的底部，對於晶圓W的背面側的周緣部供給除去液。除去液的供給系的構成是例如可採用圖7所示的處理流體供給源70或圖9所示的處理流體供給源70A。

晶邊處理單元16D1是如上述般構成，利用保持部31D1來保持晶圓W，且利用驅動部33D1來使晶圓W旋轉之後，從晶邊供給部80對於晶圓W的背面側的周緣部供給除去液。被供給至晶圓W的背面側的周緣部的除去液是繞進晶圓W的晶邊部，除去被成膜於晶邊部的硼單膜112。然後，晶圓W的旋轉停止。

另外，晶邊供給部80是被連接至未圖示的DIW供給源，從晶圓W的晶邊部除去硼單膜112之後，對於晶圓W的背面側的周緣部供給DIW而洗掉殘存於晶邊部的硼單膜112及除去液的洗滌處理也進行。

背面處理單元16D2是藉由除去液來除去被成膜於晶圓W的背面的硼單膜112。在此，參照圖14來說明有關背面處理單元16D2的構成的一例。圖14是表示背面處理單元16D2的構成的一例之圖。

如圖14所示般，背面處理單元16D2是具備： 可旋轉地保持晶圓W的基板保持機構30D2，及被插通於基板保持機構30D2的中空部，供給除去液至晶圓W的背面的背面供給部90。

在基板保持機構30D2的上面是設有把持晶圓W的周緣部的複數的把持部311，晶圓W是藉由如此的複數的把持部311以些微離開基板保持機構30D2的上面的狀態來水平地保持。

又，基板保持機構30D2是具備驅動部33D2，藉由如此的驅動部33D2來繞著鉛直軸旋轉。然後，藉由基板保持機構30D2旋轉，被保持於基板保持機構30D2的晶圓W會與基板保持機構30D2一體地旋轉。

背面供給部90是被插通於基板保持機構30D2的中空部，對於晶圓W的背面中央部供給除去液。作為除去液的供給系的構成，例如可採用圖7所示的處理流體供給源70或圖9所示的處理流體供給源70A。

背面處理單元16D2是如上述般構成，利用基板保持機構30D2的複數的把持部311來保持晶圓W，利用驅動部33D2來使晶圓W旋轉之後，從背面供給部90對於晶圓W的背面中央部供給除去液。被供給至晶圓W的背面中央部的除去液是藉由伴隨晶圓W的旋轉之離心力來擴展於晶圓W的背面，除去被成膜於背面的硼單膜112。然後，晶圓W的旋轉停止。

另外，背面供給部90是被連接至未圖示的DIW供給源，從晶圓W的背面除去硼單膜112之後，對於 晶圓W的背面中央部供給DIW而洗掉殘存於背面的硼單膜112及除去液的洗滌處理也進行。

表面處理單元16D3是除去被成膜於晶圓W的表面的硼單膜112。表面處理單元16D3是可適用處理單元16，16A~16C的其中任一個。

其次，說明有關第5實施形態的基板處理的程序。在第5實施形態的基板處理系統100D中，結束成膜裝置200所進行的成膜處理之後，將成膜處理後的晶圓W搬入至基板處理裝置1D的晶邊處理單元16D1。然後，在晶邊處理單元16D1中，進行除去被成膜於晶圓W的晶邊部的硼單膜112之晶邊除去處理。

接著，晶邊除去處理後的晶圓W是在晶邊處理單元16D1中進行洗滌處理及乾燥處理之後，被搬入至背面處理單元16D2，在背面處理單元16D2中，進行除去被成膜於晶圓W的背面的硼單膜112之背面除去處理。

接著，背面除去處理後的晶圓W是在背面處理單元16D2中進行洗滌處理及乾燥處理之後，從基板處理裝置1D搬出，而被搬入至蝕刻裝置300。然後，在蝕刻裝置300進行蝕刻處理。

接著，蝕刻處理後的晶圓W是被搬入至基板處理裝置1D的表面處理單元16D3，在表面處理單元16D3中進行上述的除去處理、洗滌處理及乾燥處理。

如上述般，在第5實施形態的基板處理系統100D中，在成膜處理後且蝕刻處理前，使除去液接觸於晶 圓W的背面及晶邊部，藉此進行從晶圓W的背面及晶邊部除去硼單膜112的事前除去處理。藉此，可在蝕刻處理前除去在蝕刻處理所不要的背面及晶邊部的硼單膜112。

另外，在此是晶邊除去處理之後，進行背面除去處理，但亦可在背面除去處理之後，進行晶邊除去處理。又，亦可在1個的處理單元設置晶邊供給部80及背面供給部90，同時進行晶邊除去處理及背面除去處理。

並且，在此是顯示1個的基板處理裝置1D具備晶邊供給部80、背面供給部90及處理流體供給部40全部的情況的例子，但基板處理系統100D是亦可為具備：具有晶邊供給部80及背面供給部90的第1基板處理裝置，及具有處理流體供給部40的第2基板處理裝置之構成。

(第6實施形態)

其次，說明有關第6實施形態。圖15A及圖15B是表示第6實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

如圖15A所示般，第6實施形態的處理單元16E是具備蓋體1010。蓋體1010是被配置於保持部31的上方。蓋體1010是與被保持於保持部31的晶圓W對向，其對向面是與晶圓W同徑或成為比晶圓W更大徑的平面。

在蓋體1010中內藏有加熱器等的加熱部1011。另外，加熱部1011是亦可被內藏於保持部31，或被內藏於蓋體1010及保持部31的雙方。並且，處理單元16E是具備使蓋體1010昇降的昇降部1012。

其次，說明有關第6實施形態的除去處理。在第6實施形態的除去處理中，在藉由保持部31保持的蝕刻處理後的晶圓W的上面形成除去液的液膜(液膜形成處理)。

例如，從除去液供給噴嘴41(參照圖7等)供給除去液至晶圓W，藉由驅動部33(參照圖6)來使晶圓W旋轉，藉此在晶圓W上形成除去液的液膜。或者，亦可從硫酸供給噴嘴43及硝酸供給噴嘴44(參照圖10)將硫酸及硝酸供給至旋轉的晶圓W，在晶圓W上生成除去液，藉此在晶圓W上形成除去液的液膜。

接著，液膜形成處理後，停止晶圓W的旋轉，停止從除去液供給噴嘴41往晶圓W的除去液或硫酸及硝酸的供給之後，如圖15B所示般，利用昇降部1012來使蓋體1010降下，藉此使蓋體1010接觸於除去液的液膜。然後，在蓋體1010接觸於除去液的液膜的狀態下，一邊利用加熱部1011來加熱除去液，一邊使相同的除去液預定時間滯留於晶圓W上(維持處理)。

本發明者們查明因加熱除去液，從除去液產生氣體的情形。又，本發明者們查明因氣體從除去液脫離，除去液之與硼單膜112的反應性降低的情形。於是，在第6實施形態中，使蓋體1010接觸於除去液的液膜，而縮小液膜的露出面積，藉此極力使氣體不會從除去液脫離。藉此，可抑制起因於氣體的產生之除去液的反應性的降低。

然後，停止加熱部1011所進行的加熱，利用昇降部1012來使蓋體1010上昇之後，利用驅動部33(參照圖6)來使保持部31旋轉，從晶圓W去除除去液。接著，從DIW供給噴嘴42(參照圖7等)對於晶圓W供給洗滌液的DIW，藉此去除殘存於晶圓W上的除去液(洗滌處理)。

接著，藉由使晶圓W的旋轉數增加，從晶圓W除去DIW，使晶圓W乾燥(乾燥處理)。然後，使晶圓W的旋轉停止，從處理單元16E搬出晶圓W，藉此基板處理完畢。

另外，在上述的各實施形態中，舉從下方吸附保持晶圓W的保持部31為例進行說明，但例如亦可如圖14所示的基板保持機構30D2般，使用利用複數的把持部311來把持晶圓W的周緣部的型式的保持部來進行除去處理。

在上述的各實施形態中，對於晶圓W供給除去液之後，進行洗滌處理及乾燥處理。但，並非限於此，亦可在對於晶圓W供給除去液之後，進行洗滌處理之前，進行對於晶圓W供給硝酸的處理。例如，在圖9所示的處理單元16A或圖10所示的處理單元16B中，將閥743及閥744開放預定時間之後，只關閉閥743，只將閥744再開放預定時間，藉此在洗滌處理之前，可供給硝酸至晶圓W。

並且，在上述的各實施形態中，從除去液供給噴嘴41對於晶圓W供給除去液，或從硫酸供給噴嘴43及硝酸供給噴嘴44個別地供給硫酸及硝酸，藉此使除去液接 觸於晶圓W。但，使除去液接觸於晶圓W的方法是不限於此。

例如，以可保持複數片的晶圓W之批量(保持部的一例)使晶圓W保持後(保持工程)，使批量浸漬於儲存於處理槽的除去液，藉此使除去液接觸於晶圓W，從晶圓W除去硼單膜112(除去工程)。藉此，可一次處理被批量保持的複數片的晶圓W。

(第7實施形態)

其次，說明有關第7實施形態。圖16A及圖16B是表示第7實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

如圖16A所示般，第7實施形態的處理單元16F是具備碟狀的載置部1020。載置部1020是例如具備：被連接至支柱部32的圓板狀的底部1021，及被設於底部1021的上面的圓環狀的周壁部1022。周壁部1022是具有朝下方逐漸縮徑的內周面1023，在內周面1023與晶圓W的晶邊部接觸。晶圓W是藉由在晶邊部與內周面1023接觸，在自底部1021隔離的狀態下被載置於載置部1020。另外，在此是底部1021與周壁部1022為不同個體，但底部1021與周壁部1022是亦可形成為一體。

又，處理單元16F是具備保持部1024及昇降部1025。保持部1024是在將硼單膜112的成膜面朝向下方的狀態下從上方保持晶圓W。保持部1024是可使用例如吸附保持晶圓W的真空吸盤或伯努利吸盤等。昇降部1025是使 保持部1024昇降。

在載置部1020的底部1021是內藏有加熱器等的加熱部1026。另外，加熱部1026是只要被內藏於底部1021、周壁部1022及保持部1024的至少1個即可。

其次，說明有關第7實施形態的除去處理。在第7實施形態的除去處理中，首先，利用除去液供給噴嘴41(參照圖7等)或硫酸供給噴嘴43及硝酸供給噴嘴44(參照圖10)，在碟狀的載置部1020停滯除去液。

接著，利用昇降部1025來使保持部1024降下，藉此使被保持於保持部1024的晶圓W接觸於被停滯在載置部1020的除去液(參照圖16B)。然後，在晶圓W接觸於除去液的狀態下，利用加熱部1026來加熱除去液。藉此，晶圓W上的硼單膜112會藉由除去液來除去。另外，為了抑制氣體的產生，除去液的加熱是在晶圓W接觸於除去液之後開始為理想。

然後，停止加熱部1026所進行之除去液的加熱，利用昇降部1025來使保持部1024上昇。

除去處理後的晶圓W是被搬送至例如具有圖6所示的構成的其他的處理單元(未圖示)之後，在被保持於旋轉的保持部31的狀態下，從處理流體供給部40(DIW供給噴嘴42)供給洗滌液的DIW，藉此從晶圓W去除除去液。然後，使晶圓W的旋轉數增加來使晶圓W乾燥之後，使晶圓W的旋轉停止，從處理單元16F搬出晶圓W，藉此基板處理完畢。

另外，在處理單元16F中，進行利用驅動部33來使載置部1020旋轉，藉此從載置部1020內去除停滯於於載置部1020的除去液之處理，但從載置部1020去除除去液的方法並非限於此。例如，亦可在載置部1020設置使周壁部1022昇降的昇降部，藉由如此的昇降部來使周壁部1022上昇，藉此從載置部1020去除除去液。又，亦可在底部1021設置排出口，從如此的排出口排出除去液。

若根據第7實施形態的處理單元16F，則如圖16B所示般，藉由晶圓W的晶邊部接觸於載置部1020的周壁部1022的內周面1023，製作出除去液被密閉的狀態。因此，與第6實施形態的處理單元16E比較，可更確實地抑制藉由加熱所產生的氣體從除去液脫離。因此，可更確實地抑制起因於氣體的產生之除去液的反應性的降低。

(第8實施形態)

其次，說明有關第8實施形態。圖17A及圖17B是表示第8實施形態的處理單元的構成的一例之圖。

如圖17A所示般，第8實施形態的處理單元16G是具備噴嘴1030。噴嘴1030是具有例如二重管構造，在外側的管是經由閥1031來連接有除去液供給源1032，在內側的管是連接有泵1033。若根據如此的噴嘴1030，則取得經由閥1031來從除去液供給源1032供給的除去液的流量與藉由泵1033來吸引的除去液的流量之平衡，藉此可維持在噴嘴1030與晶圓W之間形成有除去液的液滴的狀態。並且， 噴嘴1030是內藏加熱器等的加熱部(未圖示)，可加熱從除去液供給源1032供給的除去液。

並且，處理單元16G是具備使噴嘴1030移動的移動部1034。移動部1034是使噴嘴1030移動於鉛直方向及水平方向。

其次，說明有關第8實施形態的除去處理。在第8實施形態的除去處理中，利用保持部31來保持蝕刻處理後的晶圓W之後，利用移動部1034來使噴嘴1030降下而成為接近晶圓W的狀態。然後，將閥1031開放，使泵1033作動，藉此成為在噴嘴1030與晶圓W之間形成有除去液的液滴的狀態。

接著，如圖17B所示般，利用驅動部33來使晶圓W旋轉。然後，保持噴嘴1030的高度位置不動，利用移動部1034來使噴嘴1030從晶圓W的一端側的外周部朝向另一端側的外周部水平移動，藉此在晶圓W的全面供給除去液。藉此，晶圓W上的硼單膜112會被除去。

然後，關閉閥1031，停止泵1033，使噴嘴1030上昇。接著，從DIW供給噴嘴42對於晶圓W供給DIW，藉此去除殘存於晶圓W上的除去液，藉由使晶圓W的旋轉數增加來使晶圓W乾燥。然後，使晶圓W的旋轉停止，從處理單元16G搬出晶圓W，藉此基板處理完畢。

藉由如此使用可維持在與晶圓W之間形成除去液的液滴的狀態之噴嘴1030來進行硼單膜112的除去處理，可削減除去液的使用量。

(第9實施形態)

其次，說明有關第9實施形態。圖19是第9實施形態的基板處理裝置的構成的一例之圖。

如圖19所示般，基板處理裝置1H是具備載體搬出入部2002、批量形成部2003、批量載置部2004、批量搬送部2005、批量處理部2006及控制部2007。

載體搬出入部2002是進行以水平姿勢來上下排列複數片(例如25片)的晶圓W而收容的載體2009的搬入及搬出。

在載體搬出入部2002是設有：載置複數個的載體2009的載體平台2010，進行載體2009的搬送的載體搬送機構2011，暫時性地保管載體2009的載體庫2012，2013，及載置載體2009的載體載置台2014。在此，載體庫2012是在以批量處理部2006處理之前暫時性地保管成為製品的晶圓W。並且，載體庫2013是在以批量處理部2006處理之後暫時性地保管成為製品的晶圓W。

然後，載體搬出入部2002是將從外部搬入至載體平台2010的載體2009予以利用載體搬送機構2011來搬送至載體庫2012或載體載置台2014。又，載體搬出入部2002是將被載置於載體載置台2014的載體2009予以利用載體搬送機構2011來搬送至載體庫2013或載體平台2010。被搬送至載體平台2010的載體2009是朝外部搬出。

批量形成部2003是形成由組合被收容於1個或 複數的載體2009的晶圓W來同時處理的複數片(例如50片)的晶圓W所成的批量。另外，形成批量時，是可以使在晶圓W的表面形成有圖案的面彼此對向的方式形成批量，且亦可以使在晶圓W的表面形成有圖案的面全部朝向一方的方式形成批量。

在此批量形成部2003是設有搬送複數片的晶圓W的基板搬送機構2015。另外，基板搬送機構2015是在晶圓W的搬送途中使晶圓W的姿勢從水平姿勢變更成垂直姿勢及從垂直姿勢變更成水平姿勢。

然後，批量形成部2003是從被載置於載體載置台2014的載體2009利用基板搬送機構2015來將晶圓W搬送至批量載置部2004，將形成批量的晶圓W載置於批量載置部2004。並且，批量形成部2003是將被載置於批量載置部2004的批量以基板搬送機構2015來搬送至被載置於載體載置台2014的載體2009。另外，基板搬送機構2015是作為用以支撐複數片的晶圓W的基板支撐部，具有：支撐處理前(以批量搬送部2005來搬送之前)的晶圓W的處理前基板支撐部，及支撐處理後(以批量搬送部2005來搬送之後)的晶圓W的處理後基板支撐部的2種類。藉此，防止附著於處理前的晶圓W等的粒子等轉而附著於處理後的晶圓W等。

批量載置部2004是在批量載置台2016暫時性地載置(待機)藉由批量搬送部2005在批量形成部2003與批量處理部2006之間被搬送的批量。

在此批量載置部2004是設有：載置處理前(以批量搬送部2005搬送前)的批量之搬入側批量載置台2017，及載置處理後(以批量搬送部2005搬送後)的批量之搬出側批量載置台2018。在搬入側批量載置台2017及搬出側批量載置台2018是1批量份的複數片的晶圓W會以垂直姿勢來排列於前後而載置。

然後，在批量載置部2004中，以批量形成部2003形成的批量會被載置於搬入側批量載置台2017，該批量會經由批量搬送部2005來搬入至批量處理部2006。並且，在批量載置部2004中，從批量處理部2006經由批量搬送部2005來搬出的批量會被載置於搬出側批量載置台2018，該批量會被搬送至批量形成部2003。

批量搬送部2005是在批量載置部2004與批量處理部2006之間或批量處理部2006的內部間進行批量的搬送。

在此批量搬送部2005是設有進行批量的搬送的批量搬送機構2019。批量搬送機構2019是以跨越批量載置部2004與批量處理部2006來沿著X軸方向而配置的軌道2020，及一邊保持複數片的晶圓W一邊沿著軌道2020來移動的移動體2021所構成。在移動體2021是進退自如地設有基板保持體2022，該基板保持體2022是保持以垂直姿勢來排列於前後的複數片的晶圓W。

然後，批量搬送部2005是以批量搬送機構2019的基板保持體2022來接受被載置於搬入側批量載置台 2017的批量，將該批量交給批量處理部2006。並且，批量搬送部2005是以批量搬送機構2019的基板保持體2022來接受以批量處理部2006被處理的批量，將該批量交給搬出側批量載置台2018。而且，批量搬送部2005是利用批量搬送機構2019在批量處理部2006的內部進行批量的搬送。

批量處理部2006是以在垂直姿勢排列於前後的複數片的晶圓W作為1批量進行蝕刻或洗淨或乾燥等的處理。

在此批量處理部2006是配置有：進行晶圓W的乾燥處理的處理單元2023，及進行基板保持體2022的洗淨處理的基板保持體洗淨單元2024。並且，在批量處理部2006是進行從晶圓W除去硼單膜112(參照圖1A)的除去處理及用以除去附著於除去處理後的晶圓W的粒子的粒子除去處理的處理單元2025會被配置2個。處理單元2023、基板保持體洗淨單元2024及2個的處理單元2025是沿著批量搬送部2005的軌道2020來排列配置。

處理單元2023是在處理槽2027昇降自如地設置基板昇降機構2028。在處理槽2027中，作為例如乾燥用的處理液，是供給例如IPA。在基板昇降機構2028是1批量份的複數片的晶圓W會以垂直姿勢來排列於前後而保持。處理單元2023是從批量搬送機構2019的基板保持體2022以基板昇降機構2028來接受批量，在基板昇降機構2028使該批量昇降，藉此以供給至處理槽2027的IPA來進行晶圓W的乾燥處理。並且，處理單元2023是從基板昇降機構 2028將批量交給批量搬送機構2019的基板保持體2022。

基板保持體洗淨單元2024是可將洗淨用的處理液及乾燥氣體供給至處理槽2029，將洗淨用的處理液供給至批量搬送機構2019的基板保持體2022之後，供給乾燥氣體，藉此進行基板保持體2022的洗淨處理。

處理單元2025是具有進行除去處理的處理槽2030及進行粒子除去處理的處理槽2031。在處理槽2030是儲存有除去液。並且，在處理槽2031是例如SC1或被稀釋成預定的濃度的氨水(以下記載成「稀氨水」)以外，DIW等的洗滌液會依序被儲存。在各處理槽2030，2031是昇降自如地設有基板昇降機構2032，2033。

在基板昇降機構2032，2033是1批量份的複數片的晶圓W會以垂直姿勢來排列於前後而保持。處理單元2025是首先從批量搬送機構2019的基板保持體2022以基板昇降機構2032來接受批量，以基板昇降機構2032使該批量降下，藉此使批量浸漬於被儲存於處理槽2030的除去液。藉此，從晶圓W除去硼單膜112。

然後，處理單元2025是從基板昇降機構2032將批量交給批量搬送機構2019的基板保持體2022。並且，處理單元2025是從批量搬送機構2019的基板保持體2022以基板昇降機構2033來接受批量，以基板昇降機構2033使該批量降下，藉此使批量浸漬於被儲存於處理槽2031的DIW而進行晶圓W的洗滌處理。接著，處理單元2025是從處理槽2031排出DIW，在處理槽2031儲存SC1或稀氨水，藉此 使批量浸漬於SC1或稀氨水。接著，處理單元2025是從處理槽2031排出SC1或稀氨水，在處理槽2031再度儲存DIW，藉此使批量浸漬於DIW而進行晶圓W的洗滌處理。然後，處理單元2025是從基板昇降機構2033將批量交給批量搬送機構2019的基板保持體2022。

控制部2007是控制基板處理裝置1H的各部(載體搬出入部2002、批量形成部2003、批量載置部2004、批量搬送部2005、批量處理部2006等)的動作。

此控制部2007是例如電腦，具備可用電腦讀取的記憶媒體2038。在記憶媒體2038中儲存有用以控制在基板處理裝置1H中被實行的各種的處理之程式。控制部2007是讀出被記憶於記憶媒體2038的程式而實行，藉此控制基板處理裝置1H的動作。另外，程式是被記憶於可藉由電腦來讀取的記憶媒體2038者，亦可為從其他的記憶媒體來安裝於控制部2007的記憶媒體2038者。可藉由電腦來讀取的記憶媒體2038是例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等。

其次，說明有關處理單元2025的構成例。首先，參照圖20來說明有關進行除去處理的處理槽2030及其周邊的構成例。圖20是表示進行除去處理的處理槽2030及其周邊的構成例的圖。

如圖20所示般，處理單元2025所具備的處理槽2030是具備：內槽2034，及在內槽2034的上部周圍與內槽2034鄰接而設的外槽2035。內槽2034及外槽2035皆是上 部被開放，構成為除去液會從內槽2034的上部溢出至外槽2035。

處理單元2025是具備：用以對處理槽2030供給DIW的DIW供給部2040，用以對處理槽2030供給硝酸的硝酸供給部2041，及用以對處理槽2030供給硫酸的硫酸供給部2042。

DIW供給部2040是具備：DIW供給源2043、DIW供給路2044及閥2045。然後，藉由閥2045從閉狀態往開狀態驅動，從DIW供給源2043經由DIW供給路2044來供給DIW至處理槽2030的外槽2035。另外，藉由DIW供給部2040所供給的DIW是在被實行於檢測出NOx的洩漏時的後述的異常對應處理被使用。有關如此的點如後述。

硝酸供給部2041是具備：硝酸供給源2046、硝酸供給路2047及閥2048。硝酸供給源2046是儲存以水(純水)來稀釋成預定的濃度的硝酸的槽。例如，在硝酸供給源2046是儲存有被稀釋成69%的濃度的硝酸。然後，藉由閥2048從閉狀態往開狀態驅動，從硝酸供給源2046經由硝酸供給路2047來供給被稀釋的硝酸至處理槽2030的外槽2035。

硫酸供給部2042是具備：硫酸供給源2049、硫酸供給路2050及閥2051。硫酸供給源2049是儲存以水(純水)來稀釋成預定的濃度的硫酸的槽。例如，在硫酸供給源2049是儲存有被稀釋成96~98%的濃度的硫酸。然後，藉由閥2051從閉狀態往開狀態驅動，從硫酸供給源 2049經由硫酸供給路2050來供給被稀釋的硫酸至處理槽2030的外槽2035。

被稀釋成預定濃度的硝酸及硫酸會被供給至外槽2035，藉此該等硝酸及硫酸會在外槽2035內被混合而生成所望的濃度的除去液。如此，外槽2035是相當於混合流通於硫酸供給路2050(強酸供給路的一例)之藉由水稀釋的硫酸與流通於硝酸供給路2047之藉由水稀釋的硝酸之混合部的一例。

並且，處理單元2025是具備：將被儲存於處理槽2030的除去液從處理槽2030取出而返回至處理槽2030的循環部2052。

具體而言，循環部2052是具備：噴嘴2054、循環流路2055、泵2056、加熱部2057、過濾器2058及硝酸濃度檢測部2059。

噴嘴2054是在內槽2034的內部被配置於比以基板昇降機構2032(參照圖19)所保持的晶圓W更下方。噴嘴2054是具有延伸於複數片的晶圓W的配列方向的筒形狀。而且，被構成為從被穿設於其周面的複數的吐出口來朝被保持於基板昇降機構2032的晶圓W吐出除去液。如此，噴嘴2054是相當於將藉由外槽2035(混合部的一例)所生成的除去液供給至晶圓W的除去液供給噴嘴的一例。

循環流路2055是兩端部會分別被連接至外槽2035的底部及噴嘴2054。泵2056、加熱部2057及過濾器2058是對於循環流路2055依此順序而設。循環部2052是藉 由使泵2056驅動來使除去液從外槽2035循環至內槽2034。此時，除去液是藉由加熱部2057來加熱至預定的溫度，藉由過濾器2058來除去雜質。

在外槽2035中被生成的除去液是流通於循環流路2055，從噴嘴2054朝內槽2034吐出。藉此，除去液會被儲存於內槽2034。並且，被吐出至內槽2034的除去液是從內槽2034往外槽2035溢出，從外槽2035再度朝循環流路2055流動。藉此，形成除去液的循環流。

硝酸濃度檢測部2059是被設於循環流路2055，檢測出流動於循環流路2055的除去液的硝酸濃度，將檢測結果輸出至控制部2007。

並且，處理單元2025是具備濃度調整液供給部2060。濃度調整液供給部2060是供給作為調整除去液的濃度的濃度調整液之硝酸。如此的濃度調整液供給部2060是具備硝酸供給源2061、硝酸供給路2062及閥2063。然後，藉由閥2063從閉狀態驅動至開狀態，從硝酸供給源2061經由硝酸供給路2062來供給硝酸至循環流路2055。藉由如此對於循環流路2055供給濃度調整液，可使除去液的濃度更早期地安定化。

並且，處理單元2025是具備：從內槽2034將除去液排出的第1處理液排出部2064，及從外槽2035將除去液排出的第2處理液排出部2065。

第1處理液排出部2064是具備：連接內槽2034的底部與外部的排液管之排液流路2066，及將排液流路 2066開閉的閥2067。第2處理液排出部2065是具備：連接外槽2035的底部與外部的排液管之排液流路2068，及將排液流路2068開閉的閥2069。

處理單元2025所具備的閥2045，2048，2051，2063，2067，2069、泵2056、加熱部2057是藉由控制部2007來控制。

如此，第9實施形態的基板處理裝置1H是藉由使晶圓W浸漬於被儲存於處理槽2030的除去液來從晶圓W除去硼單膜112。

與如在第4實施形態中說明般對於晶圓W持續除去液的供給的情況(亦即持續置換除去液的情況)作比較，持續使相同的除去液接觸於晶圓W，較可提高硼單膜112的除去效率。因此，如第9實施形態的基板處理裝置1H般，藉由一面利用循環部2052來使除去液循環，一面使晶圓W浸漬於被儲存於處理槽2030的除去液，與持續置換晶圓W上的除去液的情況作比較，可提高硼單膜112的除去效率。並且，可削減除去液的使用量。

並且，利用加熱部2057來加熱流動於循環流路2055的除去液，藉此可將被供給至晶圓W的除去液保持於一定的溫度。藉此，可抑制隨除去液的溫度降低之除去性能的降低。

而且，基板處理裝置1H的控制部2007是當藉由硝酸濃度檢測部2059所檢測出的除去液的濃度低於臨界值時，開啟濃度調整液供給部2060的閥2063而供給硝酸至 循環流路2055。藉此，可抑制硝酸從除去液揮發所造成之硝酸濃度的降低。

可是，雖循環流路2055以例如氟樹脂等的耐腐蝕性高的配管所形成，但從除去液產生的硝酸氣體恐有透過如此的配管來使被設於外部的構件腐蝕之虞。

於是，在基板處理裝置1H中，將循環流路2055設為二重配管構造，淨化配管內，藉此抑制往循環流路2055的外部之硝酸氣體的洩漏。

參照圖21來說明有關此點。圖21是表示循環流路2055的構成例的圖。

如圖21所示般，循環流路2055是具有二重配管構造，該二重配管構造是具備：被配置於內側的內側配管2070，及被配置於內側配管2070的外側的外側配管2071。內側配管2070及外側配管2071是以例如氟樹脂等的耐腐蝕性高的構件所形成。

內側配管2070是在兩端部分別被連接至外槽2035的底部及噴嘴2054而使除去液流通。

外側配管2071是連接淨化部2072。淨化部2072是具備被連接至外側配管2071的上游側的上游側配管2073及被連接至外側配管2071的下游側的下游側配管2074，且在上游側配管2073是設有對於上游側配管2073供給淨化用流體的流體供給源2075及開閉上游側配管2073的閥2076，在下游側配管2074是設有泵2077。淨化用流體是亦可為空氣等的氣體或水等的液體。

如此的淨化部2072是將從流體供給源2075供給的淨化用流體經由上游側配管2073來供給至外側配管2071。又，淨化部2072是將被供給至外側配管2071的淨化用流體藉由泵2077來經由下游側配管2074排出至外部的配管。藉此，透過內側配管2070的硝酸氣體是與淨化用流體一起排出至外部的配管。因此，可抑制從除去液產生的硝酸氣體朝循環流路2055外洩漏。

其次，參照圖22來說明有關進行粒子除去處理的處理槽2031及其周邊的構成例。圖22是表示進行粒子除去處理的處理槽2031及其周邊的構成例的圖。

如圖22所示般、處理單元2025所具備的處理槽2031是與處理槽2030同樣、具備內槽2034及外槽2035，在內槽2034的內部是設有噴嘴2054。並且，與處理槽2030同樣，在處理槽2031是設有第1處理液排出部2064及第2處理液排出部2065。

在處理槽2031是設有DIW供給部2200、NH4OH供給部2210及H2O2供給部2220。DIW供給部2200是具備：DIW供給源2201、使從DIW供給源2201供給的DIW流通的DIW供給路2202、及開閉DIW供給路2202的閥2203，將從DIW供給源2201供給的DIW經由DIW供給路2202來朝噴嘴2054供給。

NH4OH供給部2210是具備：NH4OH供給源2211、使從NH4OH供給源2211供給的NH4OH流通的NH4OH供給路2212、及開閉NH4OH供給路2212的閥 2213，將從NH4OH供給源2211供給的NH4OH經由NH4OH供給路2212來朝噴嘴2054供給。

H2O2供給部2220是具備：H2O2供給源2221、使從H2O2供給源2221供給的H2O2流通的H2O2供給路2222、及開閉H2O2供給路2222的閥2223，將從H2O2供給源2221供給的H2O2經由H2O2供給路2222來朝噴嘴2054供給。

供給作為洗滌液的DIW時，是在關閉閥2213，2223的狀態下，開啟閥2203。藉此，從噴嘴2054朝內槽2034供給DIW。

另一方面，供給作為粒子除去液的稀氨水時，是在關閉閥2223的狀態下，開啟閥2203，2213。藉此，從DIW供給源2201供給的DIW與從NH4OH供給源2211供給的NH4OH會被混合，從噴嘴2054朝內槽2034供給稀氨水。在DIW供給路2202及NH4OH供給路2212是設有未圖示的流量調整機構，藉由如此的流量調整機構來調整DIW及NH4OH的流量，藉此DIW與NH4OH是以所望的比例來混合。

又，供給作為粒子除去液的SC1時，是開啟閥2203，2213，2223。藉此，從DIW供給源2201供給的DIW、從NH4OH供給源2211供給的NH4OH及從H2O2供給源2221供給的H2O2會被混合，從噴嘴2054朝內槽2034供給SC1。在DIW供給路2202、NH4OH供給路2212及H2O2供給路2222是設有未圖示的流量調整機構，且藉由如此的流 量調整機構來調整DIW、NH4OH及H2O2的流量，藉此DIW、NH4OH及H2O2是以所望的比例來混合。

閥2067，2069，2203，2213，2223及未圖示的流量調整機構是藉由控制部2007來開閉控制。

在如此的處理槽2031中，將作為洗滌液的DIW及作為粒子除去液的稀氨水或SC1依序供給、排液，以單一的槽進行對於晶圓W的複數的處理，進行所謂的POU(Point of Use)方式的處理。有關如此的點如後述。

其次，參照圖23來說明有關基板處理裝置1H的具體的動作的一例。圖23是表示第9實施形態的基板處理裝置1H所實行的基板處理的程序的一例的流程圖。圖23所示的各處理程序是按照控制部2007的控制來實行。並且，圖23所示的處理是在進行圖8所示的步驟S101的成膜處理及步驟S102的蝕刻處理之後被實行。

如圖23所示般，在基板處理裝置1H中，對於蝕刻處理後的晶圓W進行除去處理(步驟S201)。

在除去處理中，處理單元2025是從批量搬送機構2019的基板保持體2022以基板昇降機構2032接受批量，以基板昇降機構2032來使該批量降下，藉此使批量浸漬於被儲存於處理槽2030的除去液。藉此，硼單膜112會從晶圓W被除去。

之後，處理單元2025是利用基板昇降機構2032來從處理槽2030取出批量之後，將取出的批量交給批量搬送機構2019的基板保持體2022。

接著，在基板處理裝置1H中，進行洗滌處理(步驟S202)。在洗滌處理中，處理單元2025是從批量搬送機構2019的基板保持體2022以基板昇降機構2033接受批量，以基板昇降機構2033來該批量降下，藉此使批量浸漬於被儲存於處理槽2031的DIW。藉此，除去液會從晶圓W被去除。

從內槽2034溢出至外槽2035的DIW是從第2處理液排出部2065排出至外部的排液管。因此，經常新鮮的DIW會被供給至複數的晶圓W。

之後，處理單元2025是將DIW供給部2200的閥2203關閉，以預定時間開啟第1處理液排出部2064的閥2067，從處理槽2031排出DIW。

接著，在基板處理裝置1H中，進行粒子除去處理(步驟S203)。在粒子除去處理中，處理單元2025是例如開啟DIW供給部2200的閥2203、NH4OH供給部2210的閥2213及H2O2供給部2220的閥2223，在處理槽2031的內槽2034儲存SC1，而使被配置於內槽2034內的批量浸漬於SC1。藉此，從晶圓W除去粒子。從內槽2034溢出至外槽2035的SC1是從第2處理液排出部2065排出至外部的排液管。因此，在複數的晶圓W是經常被供給新鮮的SC1。

另外，處理單元2025是亦可具備對於內槽2034施加超音波振動的超音波振動部。此情況，處理單元2025是在粒子除去處理中，利用超音波振動部來對內槽2034施加超音波振動。藉此，除SC1所持有的化學性作用 (蝕刻作用)之外，可將超音波振動所致之物理力賦予晶圓W，可提高粒子的除去效率。

之後，處理單元2025是將閥2203，2213，2223關閉，以預定時間開啟第1處理液排出部2064的閥2067，從處理槽2031排出SC1。

另外，在粒子除去處理中，亦可藉由開啟DIW供給部2200的閥2203及NH4OH供給部2210的閥2213，將稀氨水儲存於內槽2034。

接著，在基板處理裝置1H中，進行洗滌處理(步驟S204)。在洗滌處理中，處理單元2025是開啟DIW供給部2200的閥2203，在處理槽2031的內槽2034儲存DIW，而使被配置於內槽2034內的批量浸漬於DIW。藉此，從晶圓W除去SC1。

之後，處理單元2025是從基板昇降機構2033批量交給批量搬送機構2019的基板保持體2022。

接著，在基板處理裝置1H中，進行乾燥處理(步驟S205)。在乾燥處理中，處理單元2023是從批量搬送機構2019的基板保持體2022以基板昇降機構2028來接受批量，以基板昇降機構2028使該批量降下，藉此使批量浸漬於被儲存於處理槽2027的IPA。藉此，從晶圓W除去DIW。然後，處理單元2023是利用基板昇降機構2028來使批量上昇。藉此，殘存於晶圓W的IPA會揮發，晶圓W會乾燥。

然後，處理單元2023是從基板昇降機構2028 將批量交給批量搬送機構2019的基板保持體2022，批量搬送機構2019是將批量載置於批量載置部2004。之後，批量形成部2003是以基板搬送機構2015來將被載置於批量載置部2004的批量搬送至被載置於載體載置台2014的載體2009。然後，載體搬出入部2002是利用載體搬送機構2011來將被載置於載體載置台2014的載體2009搬送至載體平台2010。藉此，在基板處理裝置1H中被實行的一連串的基板處理結束。另外，被搬送至載體平台2010的載體2009是被搬出至外部。

其次，參照圖24來說明有關上述的基板處理裝置1H的變形例。圖24是表示第9實施形態的變形例的基板處理裝置的構成的一例之圖。又，圖25是表示在變形例的處理單元2091中進行粒子除去處理的處理槽及其周邊的構成例的圖。另外，在圖24中，主要將批量處理部的構成予以一部分省略顯示。有關批量處理部以外的構成是與基板處理裝置1H同樣。

如圖24所示般，變形例的基板處理裝置1H-1是具備批量處理部2006-1。

在批量處理部2006-1是具備：進行除去處理及之後的洗滌處理的處理單元2090，及進行粒子除去處理及之後的洗滌處理的處理單元2091。

處理單元2090是具有：進行除去處理的處理槽2030、及進行洗滌處理的處理槽2092。處理槽2092是與處理槽2030，2031同樣，具備內槽2034及外槽2035。處理 槽2092的周邊構成是與由圖22所示的構成除去NH4OH供給部2210及H2O2供給部2220後的構成同樣。在處理槽2092是昇降自如地設有基板昇降機構2093。

處理單元2091是具有：進行粒子除去處理的處理槽2094，及進行洗滌處理的處理槽2095。

如圖25所示般，處理槽2094是具備內槽2034及外槽2035，在內槽2034是設有噴嘴2054及第1處理液排出部2064，在外槽2035是設有第2處理液排出部2065。

處理單元2091是具備DIW供給部2200、NH4OH供給部2210及H2O2供給部2220。DIW供給部2200、NH4OH供給部2210及H2O2供給部2220是分別將DIW、NH4OH及H2O2供給至外槽2035。藉由供給DIW及NH4OH至外槽2035，在外槽2035內混合DIW及NH4OH而生成稀氨水。並且，藉由供給DIW、NH4OH及H2O2至外槽2035，在外槽2035內混合DIW、NH4OH及H2O2而生成SC1。

又，處理單元2091具備循環部2052。在循環部2052的循環流路2055設有泵2056、加熱部2057及過濾器2058。循環部2052是藉由使泵2056驅動來使SC1或稀氨水從外槽2035循環至處理槽2094。此時，SC1或稀氨水是藉由加熱部2057來加熱至預定溫度，藉由過濾器2058來除去雜質。

處理槽2095及其周邊構成是與上述的處理槽2092及其周邊構成同樣。在處理槽2094，2095是昇降自如 地設有基板昇降機構2096，2097。

在上述般構成的基板處理裝置1H-1中，上述的除去處理(步驟S201)、洗滌處理(步驟S202)、粒子除去處理(步驟S203)、洗滌處理(步驟S204)會分別在處理槽2030，2092，2094，2095中被進行。藉此，由於不須如基板處理裝置1般將DIW排出而儲存SC1或稀氨水的處理或將SC1或稀氨水排出而儲存DIW的處理，因此可削減該等的處理所要的時間。

並且，在變形例的基板處理裝置1H-1中，使在粒子除去處理(步驟S203)中使用的SC1或稀氨水循環再利用，因此可壓制SC1或稀氨水的使用量。

其次，參照圖26及圖27來說明有關批量處理部2006的排氣路徑的構成。圖26及圖27是表示批量處理部2006的排氣路徑的構成例的圖。另外，在此，說明有關批量處理部2006的排氣路徑的構成例，但有關變形例的批量處理部2006-1也同樣。

如圖27所示般，處理單元2025是具備腔室2110。腔室2110是具備：收容基板昇降機構2032的第1收容部分2111，及收容處理槽2030的第2收容部分2112。第1收容部分2111與第2收容部分2112是經由開口部2113來連通。

在第1收容部分2111的頂部是設有FFU2114。FFU2114是在腔室2110內形成降流。

在第2收容部分2112，在開口部2113與處理槽 2030之間設有開閉部2115。開閉部2115是在腔室2110內被配置於比處理槽2030更上方，具備：將腔室2110內隔開成上下的可開閉的蓋體2116，及驅動蓋體2116的驅動部2117。藉由驅動部2117來關閉蓋體2116，藉此在第2收容部分2112是在比蓋體2116更下方形成大致密閉處理槽2030的空間。

處理單元2025是具備：將腔室2110內的空間之中比蓋體2116更下方的空間排氣的排氣管2101(第1排氣管的一例)，及將腔室2110內的空間之中比蓋體2116更上方的空間排氣的排氣管2102(第2排氣管的一例)。排氣管2101是一端部會在比蓋體2116更下方被連接至第2收容部分2112，另一端部會被連接至圖27所示的集合配管2103。並且，排氣管2102是一端部會在比蓋體2116更上方被連接至第2收容部分，另一端部會被連接至排氣管2101。

如此，在處理單元2025是除了用以將第2收容部分2112內的空間之中，比蓋體2116更下方的空間，亦即配置有儲存除去液的處理槽2030的空間排氣的排氣管2101之外，還具備用以將比蓋體2116更上方的空間排氣的排氣管2102。藉此，假設即使從除去液產生的NOx漏出至比蓋體2116更上方的空間時，還是可將如此的NOx以排氣管2102來排氣。因此，與不具備排氣管2102的情況作比較，可將從除去液產生的NOx更確實地集合於集合配管2103。另外，NOx(氮氧化物)是氮的氧化物的總稱，例如一氧化氮、二氧化氮、一氧化二氮、三氧化二氮等。

排氣管2102是被配置於蓋體2116的近旁為理想。藉由在蓋體2116的近旁配置排氣管2102，可將從蓋體2116漏出的NOx予以有效地排氣。

如圖27所示般，批量處理部2006是具備對應於2個的處理單元2025的各處理槽2030，2031之複數(在此是4個)的排氣管2101。另外，在處理槽2031是未儲存有除去液，因此在對應於處理槽2031的排氣管2101是不須一定要設有排氣管2102。

各排氣管2101是被連接至集合配管2103。在集合配管2103是設有用以從流動於集合配管2103的排氣體除去NOx的洗滌器裝置2104。在此，參照圖28來說明關於洗滌器裝置2104的構成例。圖28是表示洗滌器裝置2104的構成例的圖。

如圖28所示般，洗滌器裝置2104是具備框體2121。在框體2121的上部是設有流路2122，在下部是設有液體的儲存部2123。

在流路2122是設有噴霧噴嘴2124及除霧器2125。噴霧噴嘴2124是被連接至DIW供給路2126。在DIW供給路2126是設有DIW供給源2127及開閉DIW供給路2126的閥2128。從DIW供給源2127供給的DIW是經由DIW供給路2126來從噴霧噴嘴2124朝流路2122噴霧。除霧器2125是被設於噴霧噴嘴2124的下方，從排氣體除去霧。從排氣體除去的霧是朝下方落下而被儲存於儲存部2123。儲存部2123是連接排去管2129，被儲存於儲存部2123的液體是從 排去管2129朝外部排出。

洗滌器裝置2104是如上述般構成，從上游側的集合配管2103流入至流路2122的排氣體是藉由與從噴霧噴嘴2124噴霧的DIW接觸來除去NOx，藉由通過除霧器2125來除去水分。然後，被除去NOx及水分的排氣體會從流路2122往下游側的集合配管2103流出。

藉由如此在集合配管2103設置洗滌器裝置2104，可從流通於集合配管2103的排氣體除去NOx。

其次，參照圖29及圖30來說明有關假設NOx流出至基板處理裝置1H的外部的情況的對應。圖29是表示基板處理裝置1H的外觀構成例的圖。又，圖30是表示異常對應處理的處理程序的一例的流程圖。另外，在此是舉例說明基板處理裝置1H，但有關變形例的基板處理裝置1H-1也是同樣。

如圖29所示般，基板處理裝置1H是具備收容上述的載體搬出入部2002的載體搬送機構2011或批量形成部2003的基板搬送機構2015、批量處理部2006的處理單元2025等的框體2130。在框體2130的外側面是設有複數(在此是2個)的NOx檢測部2131及顯示燈2132。NOx檢測部2131是檢測出框體2130的外部的NOx濃度，將檢測結果輸出至控制部2007。顯示燈2132是例如LED(Light Emitting Diode)燈。

如圖30所示般，基板處理裝置1H的控制部2007是判定藉由NOx檢測部2131所檢測出的NOx濃度是否 超過臨界值(步驟S301)。當藉由NOx檢測部2131所檢測出的NOx濃度未超過臨界值時(步驟S301，No)，控制部2007是至NOx濃度超過臨界值為止，重複步驟S301的處理。

另一方面，在步驟S301中，當藉由NOx檢測部2131所檢測出的NOx濃度判定成超過臨界值時(步驟S301，Yes)、控制部2007是進行報知處理(步驟S302)。在報知處理中，控制部2007是例如使顯示燈2132點燈。或，控制部2007是亦可從基板處理裝置1H所具備之未圖示的喇叭輸出警告音。藉此，可對作業者等報知NOx的洩漏。

接著，控制部2007是進行排液處理(步驟S303)。在排液處理中，控制部2007是將第1處理液排出部2064的閥2067開放預定時間，藉此將被儲存於處理槽2030的除去液排出。又，控制部2007是進行DIW供給處理(步驟S304)。在DIW供給處理中，控制部2007是關閉硝酸供給部2041的閥2048及硫酸供給部2042的閥2051，將DIW供給部2040的閥2045開放預定時間，藉此在處理槽2030中儲存DIW。如此，從處理槽2030排出除去液而置換成DIW，藉此可抑制NOx的再產生。

如上述般，第9實施形態的基板處理裝置1H，1H-1的處理單元2025，2090是具備：儲存除去液的處理槽2030，及被配置於處理槽2030的上方，保持晶圓W而使昇降的基板昇降機構2032。而且，基板處理裝置1H，1H-1的控制部2007是在處理槽2030儲存除去液之後，利用基板昇降機構2032來使晶圓W浸漬於被儲存於處理槽2030的除 去液。

因此，若根據第9實施形態的基板處理裝置1H，1H-1，則與持續置換除去液的情況作比較，可提高硼單膜112的除去效率。並且，可削減除去液的使用量。

進一步的效果或變形例是可藉由該當業者來容易導出。因此，本發明的更廣泛的形態是不限於如以上般表示且記述的特定的詳細及代表性的實施形態。因此，可不脫離藉由所附上的申請專利範圍及其均等物所定義的總括性的發明的概念的精神或範圍，實施各種的變更。

W‧‧‧晶圓

111‧‧‧矽氧化膜

112‧‧‧硼單膜

113‧‧‧凹部

Claims (24)

1. 一種基板處理方法，其特徵為： 　　藉由使混合硝酸、比前述硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於在包含矽系膜的膜上形成有硼單膜的基板，從前述基板除去前述硼單膜。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，除去前述硼單膜，係在將前述除去液供給至前述基板上之前，在持有用以互相朝前述基板供給的流速之狀態下混合藉由前述水稀釋的強酸及藉由前述水稀釋的硝酸，藉此生成前述除去液。
3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，除去前述硼單膜，係於前述基板上混合藉由前述水稀釋的強酸與藉由前述水稀釋的硝酸，藉此生成前述除去液。
4. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，除去前述硼單膜，係於前述基板上形成前述除去液的液膜，形成前述液膜後，預定時間維持在前述基板上形成有前述除去液的液膜的狀態。
5. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，預定時間維持在前述基板上形成有前述除去液的液膜的狀態，係形成前述液膜後，使前述除去液預定時間滯留於前述基板上。
6. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，除去前述硼單膜，係於前述基板上形成前述除去液的液膜，形成前述液膜後，在使在與前述基板對向之側具有平面的蓋體接觸於前述液膜之狀態下，加熱前述除去液。
7. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，除去前述硼單膜，係於碟狀的載置部停滯前述除去液，該碟狀的載置部係具有朝下方逐漸縮徑的內周面，在前述內周面與前述基板的晶邊部接觸， 　　在藉由將前述基板載置於前述載置部，使前述基板接觸於被停滯在前述載置部的前述除去液之狀態下，加熱前述除去液。
8. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，除去前述硼單膜，係將前述除去液儲存於處理槽，使前述基板浸漬於被儲存於前述處理槽的前述除去液。
9. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，在具有包含前述矽系膜的膜之基板形成前述硼單膜， 　　藉由使前述除去液接觸於前述成膜後的基板的背面及晶邊部，從前述基板的背面及晶邊部除去前述硼單膜， 　　蝕刻前述除去後的基板的表面， 　　除去前述硼單膜，係對於前述蝕刻後的基板進行。
10. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，前述除去液的前述強酸為硫酸，前述硫酸的濃度為64wt%以下， 　　前述除去液的前述硝酸的濃度為3wt%以上69wt%以下。
11. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，前述除去液的前述強酸為硫酸，前述硫酸的濃度為50wt%以下， 　　前述除去液的前述硝酸的濃度為3wt%以上69wt%以下。
12. 一種基板處理裝置，其特徵為： 　　具備處理單元，其係保持在包含矽氧化膜的膜上形成有硼單膜的基板，使混合硝酸、比前述硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於被保持的前述基板，藉此從前述基板除去前述硼單膜。
13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，前述處理單元，係具備： 　　混合部，其係被連接至強酸供給路及硝酸供給路，將流通於前述強酸供給路之藉由前述水稀釋的強酸與流通於前述硝酸供給路之藉由前述水稀釋的硝酸混合，該強酸供給路係流通從供給藉由水稀釋的強酸的強酸供給源所供給之藉由前述水稀釋的強酸，該硝酸供給路係流通從供給藉由水稀釋的硝酸的硝酸供給源所供給之藉由前述水稀釋的硝酸；及 　　除去液供給噴嘴，其係將藉由前述混合部所生成的前述除去液供給至前述基板。
14. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，前述處理單元，係更具備： 　　強酸供給噴嘴，其係被連接至強酸供給路，該強酸供給路係流通從供給藉由水稀釋的強酸的強酸供給源所供給之藉由前述水稀釋的強酸；及 　　硝酸供給噴嘴，其係被連接硝酸供給路，該硝酸供給路係流通從供給藉由水稀釋的硝酸的硝酸供給源所供給之藉由前述水稀釋的硝酸， 　　前述強酸供給噴嘴，係將流通於前述強酸供給路之藉由前述水稀釋的強酸供給至前述基板， 　　前述硝酸供給噴嘴，係將流通於前述硝酸供給路之藉由前述水稀釋的硝酸供給至前述基板。
15. 如申請專利範圍第12~14項中的任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述處理單元，係具備： 　　保持部，其係保持前述基板； 　　蓋體，其係在與被保持於前述保持部的前述基板對向之側具有平面； 　　加熱部，其係被內藏於前述蓋體或前述保持部；及 　　昇降部，其係使前述蓋體昇降， 　　在前述基板上形成前述除去液的液膜之後，利用前述昇降部來使前述蓋體降下，藉此使前述蓋體接觸於前述液膜的狀態下，利用前述加熱部來加熱前述除去液。
16. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，前述處理單元，係具備： 　　碟狀的載置部，其係具有朝下方逐漸縮徑的內周面，在前述內周面與前述基板的晶邊部接觸； 　　保持部，其係在將前述硼單膜的成膜面朝向下方的狀態下從上方保持前述基板； 　　加熱部，其係被內藏於前述載置部或前述保持部；及 　　昇降部，其係使前述保持部昇降， 　　在前述載置部停滯前述除去液之後，在利用前述昇降部來使前述保持部降下，藉此將被保持於前述保持部的前述基板載置於前述載置部，而使前述基板接觸於被停滯在前述載置部的前述除去液之狀態下，利用前述加熱部來加熱前述除去液。
17. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理裝置，其中，前述處理單元，係具備： 　　處理槽，其係儲存前述除去液；及 　　基板昇降機構，其係被配置於前述處理槽的上方，保持前述基板而使昇降， 　　在前述處理槽儲存前述除去液之後，利用前述基板昇降機構來使前述基板浸漬於被儲存於前述處理槽的前述除去液。
18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，前述處理單元，係具備：循環部，其係取出被儲存於前述處理槽的前述除去液而返回至前述處理槽。
19. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，前述處理單元，係具備： 　　腔室，其係收容前述處理槽及前述基板昇降機構； 　　可開閉的蓋體，其係在前述腔室內被配置於比前述處理槽更上方，將前述腔室內隔開成上下； 　　第1排氣管，其係將前述腔室內的空間之中比前述蓋體更下方的空間排氣；及 　　第2排氣管，其係將前述腔室內的空間之中比前述蓋體更上方的空間排氣。
20. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，具備： 　　框體，其係收容前述處理單元；及 　　NOx檢測部，其係被設於前述框體的外側面，檢測出前述框體的外部的NOx濃度， 　　當藉由前述NOx檢測部所檢測出的NOx濃度超過臨界值時，將被儲存於前述處理槽的前述除去液排出。
21. 一種基板處理系統，其特徵係具備： 　　成膜裝置，其係在具有包含矽系膜的膜之基板形成硼單膜； 　　蝕刻裝置，其係蝕刻藉由前述成膜裝置形成有前述硼單膜的基板；及 　　基板處理裝置，其係從藉由前述蝕刻裝置所蝕刻的基板除去前述硼單膜， 　　前述基板處理裝置，係具備：處理單元，其係保持前述基板，使混合硝酸、比前述硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於前述被保持的基板，藉此從前述基板除去前述硼單膜。
22. 一種控制裝置，係基板處理系統的控制裝置，該基板處理系統具備： 　　成膜裝置，其係在具有包含矽氧化膜的膜之基板形成硼單膜； 　　蝕刻裝置，其係蝕刻藉由前述成膜裝置形成有前述硼單膜的基板；及 　　基板處理裝置，其係從藉由前述蝕刻裝置所蝕刻的基板除去前述硼單膜， 　　其特徵為： 　　控制成為使前述基板保持於前述基板處理裝置，使混合硝酸、比前述硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於前述被保持的基板，藉此從前述基板除去前述硼單膜。
23. 一種半導體基板的製造方法，其特徵為： 　　使混合硝酸、比前述硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於在包含矽系膜的膜上形成有硼單膜的基板，藉此製造被除去前述硼單膜的基板。
24. 一種半導體基板，其特徵為： 　　使混合硝酸、比前述硝酸更強的強酸及水之除去液接觸於在包含矽系膜的膜上形成有硼單膜的基板，藉此被製造之被除去前述硼單膜者。

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