KR20230104495A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230104495A
KR20230104495A KR1020220050609A KR20220050609A KR20230104495A KR 20230104495 A KR20230104495 A KR 20230104495A KR 1020220050609 A KR1020220050609 A KR 1020220050609A KR 20220050609 A KR20220050609 A KR 20220050609A KR 20230104495 A KR20230104495 A KR 20230104495A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
processing space
fluid
temperature
Prior art date
Application number
KR1020220050609A
Other languages
English (en)
Inventor
강기문
오승언
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to US18/068,940 priority Critical patent/US20230211390A1/en
Priority to TW111150043A priority patent/TWI832635B/zh
Priority to CN202211731997.9A priority patent/CN116387136A/zh
Publication of KR20230104495A publication Critical patent/KR20230104495A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 처리 공간에서 기준 레시피에 따라 기판을 처리하는 제1공정 단계, 상기 처리 공간에서 상기 기준 레시피에 따라 상기 제1공정 단계에 후속하여 기판을 처리하는 제2공정 단계 및 상기 기준 레시피에 따라 상기 처리 공간의 내부 환경을 최적화하는 최적화 단계를 포함하되, 상기 최적화 단계에서는 상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 수행할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 건조 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진 공정(Photo Process), 식각 공정(Etching Process), 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 그리고 증착 공정(Deposition Process) 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한, 이러한 공정들을 수행하는 과정에서 파티클, 유기 오염물, 금속 불순물 등의 다양한 이물질이 발생한다. 이러한 이물질들은 기판에 결함을 일으켜 반도체 소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 반도체 소자의 제조 공정에는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수반된다.
최근에는 기판을 세정하는 공정 또는 기판을 현상하는 공정에 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 처리액을 기판의 상부면에 웨팅한 이후, 이산화탄소 등의 유체를 초임계 상태 상 변화시켜 기판의 상부면에 공급하여 기판에 남아있는 처리액을 제거하는 방식으로 진행될 수 있다. 초임계 유체를 사용하여 기판을 처리할 때 초임계 유체가 공정에 적합한 압력 및 온도를 벗어나는 경우, 초임계 유체는 초임계 상태로 유지되지 못한다. 초임계 유체가 유동하는 공간은 공정 압력 및 공정 온도를 유지해야 한다. 예컨대, 기판이 처리되는 처리 공간의 내부와 초임계 유체가 공급되는 배관은 공정 압력 및 공정 온도를 유지해야 한다.
초임계 유체를 이용하여 선행 기판을 처리한 이후, 일정 시간 대기하고 초임계 유체를 이용하여 후속 기판을 처리할 수 있다. 대기하는 시간 동안 처리 공간 내부의 온도와 압력은 변동된다. 변동된 처리 공간의 내부 압력과 온도를 공정 압력과 공정 온도로 변경시키기 위해서는 많은 시간이 소요된다. 또한, 대기하는 시간 동안 초임계 유체가 공급되는 배관에서도 그 내부 압력과 온도가 변동된다. 공급 배관의 압력 및 온도가 변동되는 경우, 초임계 유체가 공급 배관의 내부에서 상 변화로 인해 액화되어 고착된다. 이에, 공급 배관을 통한 초임계 유체의 원할한 공급이 어렵고, 초임계 유체가 배관 내부에서 고착됨으로 인해 배관 내부에 불순물(Byproduct)이 형성된다. 배관 내부에 형성된 불순물은 초임계 유체가 처리 공간으로 공급될 때 함께 처리 공간으로 유동하여 처리 공간 내부의 오염도를 증가시킨다. 처리 공간 내부로 유동한 불순물은 후속 기판을 처리할 때, 재차 기판으로 부착되어 기판의 공정 불량을 야기한다. 또한, 배관 내부에 초임계 유체가 고착되는 경우, 배관 내부의 압력이 증가하고 궁극적으로는 배관의 파손을 야기한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 때 장치 내부에서 불순물이 발생되는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 동안 장치 내부에서 발생된 불순물을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 처리 공간에서 기준 레시피에 따라 기판을 처리하는 제1공정 단계, 상기 처리 공간에서 상기 기준 레시피에 따라 상기 제1공정 단계에 후속하여 기판을 처리하는 제2공정 단계 및 상기 기준 레시피에 따라 상기 처리 공간의 내부 환경을 최적화하는 최적화 단계를 포함하되, 상기 최적화 단계에서는 상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1공정 단계가 수행된 이후, 상기 제2공정 단계를 수행하기 이전까지 대기하는 아이들(idle) 구간이 제공되고, 상기 최적화 단계는 상기 아이들 구간에서 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 퍼지 동작은 상기 아이들 구간에서, 상기 처리 공간의 온도 및 상기 처리 유체를 공급하는 배관의 온도 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 경우 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 퍼지 동작은 상기 처리 공간의 온도 및 상기 배관의 온도 각각이 상기 기준 범위를 만족할 때까지 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 최적화 단계는 상기 제1공정 단계에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간으로 반입되기 이전에 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 최적화 단계는 상기 제1공정 단계에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간에서 처리된 이후 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 상기 처리 공간의 상부와 하부를 향해 각각 공급될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 초임계 유체일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 내부 환경은 온도, 압력, 또는 오염도를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1공정 단계 및 상기 제2공정 단계는 상기 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하여 기판에 형성된 액을 제거할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 처리 공간을 가지는 공정 챔버에서 초임계 유체를 이용하여 기판을 공정 처리하고, 상기 공정 처리가 완료된 이후 후속하는 기판을 처리하기까지 대기하는 아이들(idle) 구간이 제공되고, 상기 아이들 구간 이후 상기 공정 챔버에서 초임계 유체를 이용하여 상기 후속하는 기판을 공정 처리하되, 상기 아이들 구간에서 상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 수행하여 상기 처리 공간의 내부 환경을 최적화 단계를 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 퍼지 동작은 상기 아이들 구간에서 상기 처리 공간의 온도 및 상기 처리 유체를 공급하는 배관의 온도 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 경우 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 퍼지 동작은 상기 처리 공간의 온도 및 상기 배관의 온도가 상기 기준 범위를 만족할 때까지 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 유체는 상기 초임계 유체로 제공되고, 상기 처리 공간의 상부 및 하부에서 각각 공급되고, 상기 처리 공간의 하부에서 배출될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 내부 환경은 온도, 압력, 또는 오염도를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 최적화 단계는 상기 아이들 구간 이전에 수행되는 공정에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간으로 반입되기 이전에 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 최적화 단계는 상기 아이들 구간 이전에 수행되는 공정에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간에서 처리된 이후 수행될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 유체를 공급하는 공급 배관을 가지는 유체 공급 유닛, 상기 처리 공간에서 상기 공정 유체를 배출하는 유체 배출 유닛, 상기 처리 공간의 온도 및 상기 공급 배관의 온도를 조절하는 가열 유닛 및 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간에서 기준 레시피에 따라 제1공정을 수행하고, 상기 처리 공간에서 상기 기준 레시피에 따라 제1공정에 후속하는 제2공정을 수행하되, 상기 제1공정과 상기 제2공정 사이에 상기 장치가 대기하는 아이들(idle) 구간을 제공하고, 상기 아이들 구간에서는 상기 기준 레시피에 따라 상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 수행하여 상기 처리 공간의 내부 환경을 최적화하도록 상기 장치를 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 아이들 구간에서, 상기 처리 공간의 온도 및 상기 처리 유체를 공급하는 배관의 온도 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 경우 상기 퍼지 동작을 수행하도록 상기 장치를 제어하고, 상기 가열 유닛을 제어하여 상기 처리 공간의 온도 및 상기 공급 배관의 온도를 변경시켜 상기 처리 공간의 온도 및 상기 공급 배관의 온도 각각이 기준 범위를 만족할 때까지 상기 퍼지 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 공정 유체와 상기 처리 유체는 초임계 유체일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 또한, 본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 때 처리 공간 및 초임계 유체가 유동하는 배관 내부에서 불순물이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 또한, 본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 동안 처리 공간 및 초임계 유체가 유동하는 배관 내부에서 불순물이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 이산화탄소의 상 변화 그래프를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 일 실시예에 따른 건조 챔버에서 기판을 처리하는 방법에 대한 플로우 차트이다.
도 6은 도 5의 일 실시예에 따른 제1공정 단계를 수행하는 건조 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 최적화 단계가 수행되는 구간을 개략적으로 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 7의 일 실시예에 따른 최적화 단계에서 퍼지 동작을 수행하는 건조 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9 내지 도 11은 도 7의 다른 실시예에 따른 최적화 단계가 수행되는 구간을 개략적으로 보여주는 도면들이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 실시예에서는 기판 상에 세정액과 같은 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 공정을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이하에서 설명하는 본 실시예는 세정 공정에 한정되는 것은 아니고, 식각 공정, 애싱 공정, 또는 현상 공정 등과 같이 액을 사용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 공정에 적용될 수 있다.
이하에서는, 도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치(1)의 일 예를 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정 유체를 사용하여 기판(W)을 건조하는 건조 공정을 포함한 세정 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 초임계 유체를 사용하여 기판(W)을 건조하는 건조 공정을 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 평면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10, Index Module)과 처리 모듈(20, Treating Module)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치된다. 이하에서는, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(2)이라 정의한다. 상부에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)이라 하고, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)이라 정의한다.
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 카세트(C)로부터 기판(W)을 처리하는 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송한다. 인덱스 모듈(10)은 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 카세트(C)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(4)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120)와 인덱스 프레임(140)을 가진다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 카세트(C)가 안착된다. 로드 포트(120)는 인덱스 프레임(140)을 기준으로 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치한다. 로드 포트(120)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 로드 포트(120)들은 제2방향(4)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(120)의 개수는 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.
카세트(C)에는 복수 개의 슬롯(미도시)들이 형성된다. 슬롯(미도시)에는 기판(W)들이 안착될 수 있다. 복수 개의 슬롯(미도시)들은 제3방향(6)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 기판(W)들은 슬롯(미도시)에 각각 안착되어 지면에 대해 수평하게 배치된 상태로 카세트(C)에 수납될 수 있다.
카세트(C)는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 카세트(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)이나 작업자에 의해 로드 포트(120)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(140)의 내부에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 인덱스 프레임(140) 내에서 그 길이 방향이 제2방향(4)을 따라 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 기판(W)을 반송할 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 모듈(10)과 후술할 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다.
인덱스 로봇(144)은 인덱스 핸드(146)를 포함한다. 인덱스 핸드(146)에는 기판(W)이 안착된다. 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142) 상에서 제2방향(4)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 이에, 인덱스 핸드(146)는 인덱스 레일(142)을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 축으로 한 회전이 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 인덱스 핸드(146)는 제3방향(6)을 따라 수직 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 핸드(146)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들은 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수의 인덱스 핸드(146)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다.
제어기(30)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치(1)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 후술하는 건조 챔버(400)에 제공되는 구성들을 제어하여 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 반송 프레임(240), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(220)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 버퍼 공간을 제공한다. 반송 프레임(240)은 버퍼 유닛(220), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송하는 반송 공간을 제공한다.
액 처리 챔버(300)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행할 수 있다. 건조 챔버(400)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 처리를 수행할 수 있다. 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 공정은 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예컨대, 액 처리 챔버(300)에서는 기판(W) 상에 케미칼, 린스액, 및/또는 유기용제를 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 예컨대, 건조 챔버(400)에서는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 처리가 수행될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 인덱스 프레임(140)과 반송 프레임(240) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 반송 프레임(240)의 일단에 위치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)은 복수 개 제공된다. 복수의 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(6)을 따라 이격되게 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 프레임(140)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 프레임(240)과 마주보는 면일 수 있다. 인덱스 로봇(144)은 전면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근하고, 후술하는 반송 로봇(244)은 후면을 통해 버퍼 유닛(220)에 접근할 수 있다.
반송 프레임(240)은 그 길이 방향이 제1방향(2)을 따라 제공될 수 있다. 반송 프레임(240)의 양 측에는 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)가 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 반송 프레임(240)의 측부에 배치될 수 있다. 반송 프레임(240)과 액 처리 챔버(300)는 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다. 또한, 반송 프레임(240)과 건조 챔버(400)는 제2방향(4)을 따라 배치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 양 측에 배치되고, 건조 챔버(400)들은 반송 프레임(240)의 양 측에 배치된다. 액 처리 챔버(300)들은 건조 챔버(400)들보다 버퍼 유닛(220)에 상대적으로 가까운 위치에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)들은 반송 프레임(240)의 일 측에서 제1방향(2) 및 제3방향(6)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(2)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(300)의 수이고, B는 제3방향(6)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(300)의 수이다. 예컨대, 반송 프레임(240)의 일 측에 액 처리 챔버(300)가 4개 제공되는 경우, 액 처리 챔버(300)들은 2 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(300)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(300)는 반송 프레임(240)의 일 측에만 제공되고, 일 측과 대향되는 타 측에는 건조 챔버(400)들만 배치될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(300)와 건조 챔버(400)는 반송 프레임(240)의 일 측 및 양 측에 단층으로 제공될 수 있다.
반송 프레임(240)은 가이드 레일(242)과 반송 로봇(244)을 가진다. 가이드 레일(242)과 반송 로봇(244)은 반송 프레임(240) 내부에 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(2)으로 제공될 수 있다. 반송 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(2)을 따라 직선 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(244)은 버퍼 유닛(220), 액 처리 챔버(300), 그리고 건조 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 로봇(244)은 기판(W)이 놓이는 반송 핸드(246)를 포함한다. 반송 핸드(246)는 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(2)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 이에, 반송 핸드(246)는 가이드 레일(242)을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하다. 또한, 반송 핸드(246)는 제3방향(6)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(6)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 핸드(246)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 반송 핸드(246)들은 상하 방향으로 이격되게 제공될 수 있다. 복수의 반송 핸드(246)들은 서로 독립적으로 전진, 후진, 및 회전 운동할 수 있다.
액 처리 챔버(300)는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행한다. 예컨대, 액 처리 챔버(300)는 기판(W)에 부착된 공정 부산물, 또는 파티클 등의 불순물(Byproduct)을 제거하는 세정 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 액 처리 챔버(300)는 기판(W)을 처리하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 각각의 액 처리 챔버(300)들은 서로 동일한 구조를 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(300)는 챔버(310), 처리 용기(320), 지지 부재(330), 그리고 액 공급 유닛(340)을 포함한다.
챔버(310)는 내부 공간을 가진다. 챔버(310)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 챔버(310)의 일 측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구(미도시)는 기판(W)이 반송 로봇(244)에 의해 챔버(310)의 내부 공간으로 반입되거나, 내부 공간으로부터 반출되는 출입구로 기능한다. 처리 용기(320), 지지 부재(330), 그리고 액 공급 유닛(340)은 챔버(310)의 내부 공간에 배치된다.
처리 용기(320)는 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 처리 용기(320)는 처리 공간을 가지는 바울(Bowl)일 수 있다. 처리 용기(320)는 처리 공간을 감싸도록 제공될 수 있다. 처리 용기(320)가 가지는 처리 공간은 후술하는 지지 부재(330)가 기판(W)을 지지 및 회전시키는 공간으로 제공된다. 또한, 처리 공간은 후술하는 액 공급 유닛(340)이 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 공간으로 제공된다.
일 예에 의하면, 처리 용기(320)는 안내벽(321)과 복수의 회수통들(323, 325, 327)을 가질 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)은 기판(W)의 처리에 사용된 액들 중 서로 상이한 액을 분리 회수한다. 회수통들(323, 325, 327)은 각각 기판(W)의 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가질 수 있다.
안내벽(321)과 회수통들(323, 325, 327)은 지지 부재(330)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 기판(W) 상에 액을 공급할 때, 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 액은 후술하는 각각의 회수통들(323, 325, 327)의 유입구들(323a, 325a, 327a)을 통해 회수 공간으로 유입될 수 있다. 각각의 회수통들(323, 325, 327)에는 서로 상이한 종류의 액이 유입될 수 있다.
처리 용기(320)는 안내벽(321), 제1회수통(323), 제2회수통(325), 그리고 제3회수통(327)을 가진다. 안내벽(321)은 지지 부재(330)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(323)은 안내벽(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제2회수통(325)은 제1회수통(323)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제3회수통(327)은 제2회수통(325)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.
안내벽(321)과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액이 유입되는 제1유입구(323a)로 기능한다. 제1회수통(323)과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액이 유입되는 제2유입구(325a)로 기능한다. 제2회수통(325)과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액이 유입되는 제3유입구(327a)로 기능한다. 제2유입구(325a)는 제1유입구(323a)보다 상부에 위치되고, 제3유입구(327a)는 제2유입구(325a)보다 상부에 위치될 수 있다. 제1유입구(323a)로 유입되는 액, 제2유입구(325a)로 유입되는 액, 그리고 제3유입구(327a)로 유입되는 액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다.
안내벽(321)의 하단과 제1회수통(323)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 불순물과 기류가 배출되는 제1배출구(323b)로 기능한다. 제1회수통(323)의 하단과 제2회수통(325)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 불순물과 기류가 배출되는 제2배출구(325b)로 기능한다. 제2회수통(325)의 하단과 제3회수통(327)의 사이 공간은 액으로부터 발생된 불순물과 기류가 배출되는 제3배출구(327b)로 기능한다. 제1배출구(323b), 제2배출구(325b), 그리고 제3배출구(327b)로부터 배출된 불순물과 기류는 후술하는 배기 유닛(370)을 통해 액 처리 챔버(300)의 외부로 배기된다.
각각의 회수통들(323, 325, 327)의 저면에는 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인들(323c, 325c, 327c)이 연결된다. 각각의 회수 라인들(323c, 325c, 327c)은 각각의 회수통들(323, 325, 327)을 통해 유입된 액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
지지 부재(330)는 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지하고 회전시킨다. 지지 부재(330)는 스핀 척(331), 지지 핀(333), 척 핀(335), 회전 축(337), 그리고 구동기(339)를 가질 수 있다.
스핀 척(331)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 척(331)의 상부면은 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다.
지지 핀(333)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면에 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면 가장자리부에 일정 간격으로 이격되게 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 위 방향으로 돌출되게 형성된다. 지지 핀(333)들은 서로 간의 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 갖도록 배치된다. 지지 핀(333)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정 거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리 영역을 지지한다.
척 핀(335)은 복수 개 제공된다. 척 핀(335)은 지지 핀(333)보다 스핀 척(331)의 중심 영역으로부터 상대적으로 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(335)은 스핀 척(331)의 상부면으로부터 위 방향으로 돌출된다. 척 핀(335)은 기판(W)이 회전될 때, 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부 영역을 지지한다.
회전 축(337)은 스핀 척(331)과 결합된다. 회전 축(337)은 스핀 척(331)의 하면과 결합한다. 회전 축(337)은 길이 방향이 제3방향(6)을 향하도록 제공될 수 있다. 회전 축(337)은 구동기(339)로부터 동력을 전달받아 회전 가능하도록 제공된다. 회전 축(337)이 구동기(339)에 의해 회전되고, 회전 축(337)을 매개로 스핀 척(331)이 회전된다. 구동기(339)는 회전 축(337)을 회전시킨다. 구동기(339)는 회전 축(337)의 회전 속도를 가변할 수 있다. 구동기(339)는 구동력을 제공하는 모터일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 구동력을 제공하는 공지된 장치로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
액 공급 유닛(340)은 기판(W)에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(340)은 지지 부재(330)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 액 공급 유닛(340)이 기판(W)에 공급하는 액은 복수의 종류로 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(340)은 지지 로드(341), 아암(342), 구동기(343), 제1액 공급 노즐(344), 그리고 제2액 공급 노즐(345)을 포함할 수 있다.
지지 로드(341)는 챔버(310)의 내부 공간에 위치한다. 지지 로드(341)는 내부 공간에서 처리 용기(320)의 일 측에 위치할 수 있다. 지지 로드(341)는 그 길이 방향이 제3방향(6)을 향하는 로드 형상을 가질 수 있다. 지지 로드(341)는 후술하는 구동기(343)에 의해 회전 가능하도록 제공된다.
아암(342)은 지지 로드(341)의 상단에 결합된다. 아암(342)은 지지 로드(341)의 길이 방향으로부터 수직하게 연장된다. 아암(342)은 제3방향(6)으로 그 길이 방향이 형성될 수 있다. 아암(342)의 끝단에는 후술하는 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346)이 고정 결합될 수 있다.
아암(342)은 그 길이 방향을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 아암(342)은 지지 로드(341)를 매개로, 지지 로드(341)를 회전시키는 구동기(343)에 의해 스윙 이동될 수 있다. 아암(342)의 회전에 의해 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346)도 스윙 이동되어 공정 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다.
공정 위치는 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346) 중 어느 하나가 지지 부재(330)에 지지된 기판(W)과 대향하는 위치일 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346) 중 어느 하나의 중심과 지지 부재(330)에 지지된 기판(W)의 중심이 대향되는 위치일 수 있다. 대기 위치는 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346) 모두가 공정 위치를 벗어난 위치일 수 있다.
구동기(343)는 지지 로드(341)와 결합한다. 구동기(343)는 챔버(310)의 바닥면에 배치될 수 있다. 구동기(343)는 지지 로드(341)를 회전시키는 구동력을 제공한다. 구동기(343)는 구동력을 제공하는 공지된 모터로 제공될 수 있다.
제1액 공급 노즐(344)은 기판(W) 상에 제1액을 공급한다. 제1액 공급 노즐(344)은 지지 부재(330)에 지지된 기판(W) 상으로 제1액을 공급할 수 있다. 제2액 공급 노즐(345)은 기판(W) 상에 제2액을 공급한다. 제2액 공급 노즐(345)은 지지 부재(330)에 지지된 기판(W) 상으로 제2액을 공급한다. 제3액 공급 노즐(346)은 기판(W) 상에 제3액을 공급한다. 제3액 공급 노즐(346)은 지지 부재(330)에 지지된 기판(W) 상으로 제3액을 공급한다.
일 실시예에 따르면, 제1액, 제2액, 그리고 제3액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 중 어느 하나일 수 있다. 예컨대, 케미칼은 희석된 황산(H2SO4, Diluted Sulfuric acid Peroxide), 인산(P2O5), 불산(HF), 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 예컨대, 린스액은 순수(Pure Water) 또는 탈이온수(DIW)를 포함할 수 있다. 예컨대, 유기용제는 이소프로필 알코올(Isopropyl Alcohol;IPA)과 같은 알코올을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1액은 케미칼일 수 있다. 또한, 제2액은 린스액일 수 있다. 또한, 제3액은 유기용제일 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛(340)은 아암(342)에 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346)이 모두 결합된 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1액 공급 노즐(344), 제2액 공급 노즐(345), 그리고 제3액 공급 노즐(346) 각각은 독립적으로 아암, 지지 로드, 그리고 구동기를 가질 수 있고, 독립적으로 스윙 이동 및 전후진 이동하여 공정 위치와 대기 위치 간에 이동할 수 있다.
승강 유닛(350)은 챔버(310)의 내부 공간에 배치된다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)와 지지 부재(330) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(350)은 처리 용기(320)를 제3방향(6)으로 직선 이동시킬 수 있다. 이에, 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 액을 회수하는 회수통들(323, 325, 327)의 높이가 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 처리 용기(320)는 고정 설치되고, 승강 유닛(350)은 지지 부재(330)를 상하 방향으로 이동시켜 지지 부재(330)와 처리 용기(320) 사이의 상대 높이를 변경시킬 수 있다.
배기 유닛(370)은 처리 공간에 발생된 불순물을 배기한다. 배기 유닛(370)에 제공된 감압 유닛(미도시)에 의해 기판(W)을 액 처리할 때 발생되는 불순물은 배기된다. 배기 유닛(370)은 처리 용기(320)의 바닥면에 결합될 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(370)은 회전 축(337)과 처리 용기(320)의 내측벽 사이 공간에 배치될 수 있다.
건조 챔버(400)는 외부 환경과 밀폐된 공정 챔버일 수 있다. 건조 챔버(400)는 공정 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거한다. 일 예에 의하면, 건조 챔버(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 제3액(예컨대, 유기 용제)을 제거한다. 건조 챔버(400)에서는 초임계 유체의 특성을 이용하여 초임계 공정이 수행된다. 그 대표적인 예로, 초임계 건조 공정과 초임계 식각 공정이 있다. 이하에서는 초임계 공정에 관하여 초임계 건조 공정을 기준으로 설명한다. 다만, 이는 이해의 편의를 위한 것에 불과하므로, 건조 챔버(400)는 초임계 건조 공정 이외의 다른 초임계 공정을 수행할 수 있다. 일 실시예에 의한, 초임계 유체는 초임계 이산화탄소(scCO2; supercritical carbon dioxide)가 사용될 수 있다.
도 3은 이산화탄소의 상 변화에 관한 그래프를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 이산화탄소는 임계 온도가 31.1℃이고, 임계 압력이 7.38MPa로 비교적 낮아 초임계 상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상 변화를 제어하기 용이하며, 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지닌다. 초임계 이산화탄소는 물이나 기타 유기 용제와 비교하여 확산계수(Diffusion Coefficient)가 대략 10 ~ 100배 높아 침투가 빠르며, 유기용제의 치환이 빠르다. 또한, 초임계 이산화탄소는 표면 장력이 거의 없어 미세한 회로 패턴을 가지는 기판(W)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 초임계 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에, 초임계 건조 공정에 사용한 이후 이를 기체로 전환시켜 유기 용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능하여 환경 오염의 측면에서도 부담이 적다.
도 4는 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 건조 챔버(400)는 하우징(410), 지지 유닛(430), 유체 공급 유닛(440), 유체 배출 유닛(470), 가열 유닛(480), 그리고 차단 플레이트(490)를 포함할 수 있다.
하우징(410)은 내부에 처리 공간(401)을 가진다. 처리 공간(401)에서는 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행될 수 있다. 하우징(410)은 제1바디(412), 제2바디(414), 그리고 승강 부재(416)를 포함할 수 있다.
제1바디(412)와 제2바디(414)는 서로 조합되어 처리 공간(401)을 정의한다. 일 실시예에 의하면, 제1바디(412)는 제2바디(414)보다 상부에 위치할 수 있다. 제1바디(412)와 제2바디(414)에는 각각 공급 포트(412a, 414a)가 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제1바디(412)에 형성된 제1공급 포트(412a)는 상부에서 바라볼 때, 제1바디(412)의 중앙 영역에 형성될 수 있다. 또한, 제2바디(414)에 형성된 제2공급 포트(414a)는 상부에서 바라볼 때, 제2바디(414)의 중앙 영역에 형성될 수 있다. 또한, 제2바디(414)에는 배출 포트(414b)가 형성될 수 있다. 배출 포트(414b)는 상부에서 바라볼 때, 제2바디(414)의 중심 축으로부터 일정 거리 편심된 위치에 형성될 수 있다. 예컨대, 배출 포트(414b)는 공급 포트(414a)가 형성된 위치로부터 일정 거리 이격된 위치에 형성될 수 있다.
승강 부재(416)는 제2바디(414)를 승강시킨다. 승강 부재(416)는 승강 실린더(417)와 승강 로드(418)를 포함할 수 있다. 승강 실린더(417)는 제2바디(414)에 결합될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 승강 실린더(417)가 제2바디(414)에 결합함으로써, 제2바디(414)는 승강 이동할 수 있다. 이와 달리, 제1바디(412)는 그 위치가 고정될 수 있다.
승강 실린더(417)는 제2바디(414)를 이동시켜 제1바디(412)와 제2바디(414)를 밀착시킬 수 있다. 승강 실린더(417)는 기판(W)에 대한 건조 처리가 수행되는 동안 처리 공간(401)의 임계 압력 이상의 고압을 이기고, 제1바디(412)와 제2바디(414)를 밀착시켜 처리 공간(401)을 외부 환경으로부터 밀폐시킬 수 있다.
승강 실린더(417)는 제2바디(414)를 이동시켜 제1바디(412)와 제2바디(414)를 서로 이격시킬 수 있다. 제1바디(412)와 제2바디(414)가 서로 이격되면 처리 공간(401)은 개방된다. 처리 공간(401)이 개방되면, 기판(W)이 처리 공간(401)으로 반입되거나, 기판(W)이 처리 공간(401)으로부터 반출될 수 있다. 처리 공간(401)으로 반입되는 기판(W)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)일 수 있다. 예컨대, 처리 공간(401)으로 반입되는 기판(W)은 그 상면에 유기용제가 잔류한 기판(W)일 수 있다.
승강 로드(418)는 승강력을 발생시킨다. 예컨대, 승강 로드(418)는 제3방향(6)으로 이동하는 힘을 발생시킬 수 있다. 승강 로드(418)는 그 길이 방향이 제3방향(6)을 향하는 방향으로 형성될 수 있다. 승강 로드(418)의 일단은 승강 실린더(417)에 삽입될 수 있다. 승강 로드(418)의 타단은 제1바디(412)에 결합될 수 있다. 승강 실린더(417)와 승강 로드(418)의 상대적인 승강 운동에 의해 제2바디(414)는 제3방향(6)으로 이동할 수 있다. 제2바디(414)가 수직 방향(예컨대, 제3방향(6))으로 이동되는 동안 승강 로드(418)는 제1바디(412)와 제2바디(414)가 수평 방향(예컨대, 제1방향(2) 및 제2방향(4))으로 움직이는 것을 방지한다. 승강 로드(418)는 제2바디(414)의 수직 이동 방향을 안내한다. 승강 로드(418)는 제1바디(412)와 제2바디(414)가 서로 정 위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 예에 따르면, 제2바디(414)가 상하 방향으로 이동하여 처리 공간(401)을 밀폐하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1바디(412)와 제2바디(414)가 각각 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 제1바디(412)가 상하 방향으로 이동하고, 제2바디(414)는 그 위치가 고정될 수 있다.
상술한 예와 달리, 하우징(410)의 일 측에 기판(W)이 반출입되는 개구(미도시)가 형성된 단일한 하우징(410)으로 제공될 수 있다. 하우징(410)에는 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 도어(미도시)는 상하 방향으로 이동하여 개구(미도시)를 개폐하고, 하우징(410)을 밀폐 상태로 유지할 수 있다.
지지 유닛(430)은 처리 공간(401) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(430)은 제1바디(412)의 하면에 고정 설치될 수 있다. 지지 유닛(430)은 고정 로드(432)와 거치대(434)를 가질 수 있다.
고정 로드(432)는 제1바디(412)에 고정 설치된다. 고정 로드(432)는 제1바디(412)의 하면으로부터 아래로 돌출되게 형성될 수 있다. 고정 로드(432)는 로드 형상을 가질 수 있다. 고정 로드(432)는 그 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 고정 로드(432)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 고정 로드(432)들은 서로 이격되게 배치된다. 복수의 고정 로드(432)들에 의해 둘러싸인 공간으로 기판(W)이 반입 또는 반출될 때, 복수의 고정 로드(432)들은 기판(W)과 간섭되지 않는 위치에 배치된다. 각각의 고정 로드(432)들에는 거치대(434)가 결합된다.
거치대(434)는 고정 로드(432)로부터 연장된다. 거치대(434)는 고정 로드(432)의 하단에 결합되어 고정 로드(432)들에 의해 둘러싸인 공간을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 거치대(434)는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지한다. 상술한 구조로 인해, 기판(W)의 상면 전체 영역, 기판(W)의 저면 중 중앙 영역, 그리고 기판(W)의 저면 중 가장자리 영역의 일부는 처리 공간(401)으로 공급된 공정 유체에 노출될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(W)의 저면은 패턴이 형성되지 않은 면일 수 있고, 기판(W)의 상면은 패턴이 형성된 면일 수 있다.
유체 공급 유닛(440)은 후술하는 제1공정 단계(S10) 및 제2공정 단계(S30)에서 처리 공간(401)으로 공정 유체를 공급한다. 또한, 유체 공급 유닛(440)은 후술하는 최적화 단계(S40)에서 처리 공간(401)으로 처리 유체를 공급한다. 일 실시예에 의하면, 공정 유체는 초임계 이산화탄소(scCO2; supercritical carbon dioxide)일 수 있다. 또한, 처리 유체는 초임계 이산화탄소(scCO2; supercritical carbon dioxide)일 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 유체 공급 유닛(440)이 처리 공간(401)에 초임계 이산화탄소(scCO2)를 포함한 초임계 유체를 공급하는 것을 예로 들어 설명한다.
유체 공급 유닛(440)은 메인 공급 배관(442), 제1유체 공급 유닛(450), 그리고 제2유체 공급 유닛(460)을 포함할 수 있다.
메인 공급 배관(442)은 제1유체 공급 유닛(450)과 제2유체 공급 유닛(460)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 메인 공급 배관(442)의 일단은 초임계 유체가 저장되는 저장원(미도시)과 연결된다. 일 실시예에 의하면, 저장원(미도시)은 리저버(Reservoir)일 수 있다. 메인 공급 배관(442)의 타단은 후술하는 제1공급 배관(452)과 제2공급 배관(462)으로 분기될 수 있다. 메인 공급 배관(442)에는 후술하는 제1히터(482)가 설치될 수 있다.
제1유체 공급 유닛(450)은 처리 공간(401)으로 초임계 유체를 공급한다. 제1유체 공급 유닛(450)은 제1바디(412)에 형성된 제1공급 포트(412a)를 매개로 처리 공간(401)에 초임계 유체를 공급한다. 일 실시예에 의하면, 제1유체 공급 유닛(450)은 처리 공간(401)의 상부 영역으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 제1유체 공급 유닛(450)은 지지 유닛(430)에 지지된 기판(W)의 상면을 향하는 방향으로 초임계 유체를 공급할 수 있다.
제1유체 공급 유닛(450)은 제1공급 배관(452)과 제1밸브(454)를 포함할 수 있다. 제1공급 배관(452)의 일단은 메인 공급 배관(442)으로부터 분기된다. 제1공급 배관(452)의 타단은 제1공급 포트(412a)에 연결된다. 제1공급 배관(452)은 메인 공급 배관(442)으로부터 초임계 유체를 전달받고, 이를 제1공급 포트(412a)를 통해 처리 공간(401)으로 공급한다.
제1밸브(454)는 제1공급 배관(452)에 설치된다. 제1밸브(454)는 제1공급 배관(452)을 선택적으로 개폐할 수 있는 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 제1밸브(454)가 개방되면 저장원(미도시)에 저장된 초임계 유체는 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제1공급 포트(412a)를 거쳐 처리 공간(401)으로 공급될 수 있다.
또한, 제1공급 배관(452)에는 초임계 유체의 유량을 조절할 수 있는 제1유량 조절 밸브(456)가 설치될 수 있다. 제1유량 조절 밸브(456)는 제1밸브(454)보다 제1공급 배관(452)의 상류에 제공될 수 있다. 제1유량 조절 밸브(456)가 제1공급 배관(452) 내부의 유량을 조절함으로써, 처리 공간(401)에 공급되는 초임계 유체의 단위 시간당 유량은 변경될 수 있다. 처리 공간(401)에 공급되는 초임계 유체의 단위 시간당 유량이 변경되어 제1공급 배관(452) 내부와 처리 공간(401) 내부의 초임계 유체에 의한 압력이 변경될 수 있다.
제2유체 공급 유닛(460)은 처리 공간(401)으로 초임계 유체를 공급한다. 제2유체 공급 유닛(460)은 제2바디(414)에 형성된 제2공급 포트(414a)를 매개로 처리 공간(401)에 초임계 유체를 공급한다. 일 실시예에 의하면, 제2유체 공급 유닛(460)은 처리 공간(401)의 하부 영역으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 제2유체 공급 유닛(460)은 지지 유닛(430)에 지지된 기판(W)의 하면을 향하는 방향으로 초임계 유체를 공급할 수 있다.
제2유체 공급 유닛(460)은 제2공급 배관(462)과 제2밸브(464)를 포함할 수 있다. 제2공급 배관(462)의 일단은 메인 공급 배관(442)으로부터 분기된다. 제2공급 배관(462)의 타단은 제2공급 포트(414a)에 연결된다. 제2공급 배관(462)은 메인 공급 배관(442)으로부터 초임계 유체를 전달받고, 이를 제2공급 포트(414a)를 통해 처리 공간(401)으로 공급한다.
제2밸브(464)는 제2공급 배관(462)에 설치된다. 제2밸브(464)는 제2공급 배관(462)을 선택적으로 개폐하는 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 제2밸브(464)가 개방되면 저장원(미도시)에 저장된 초임계 유체는 메인 공급 배관(442), 제2공급 배관(462), 그리고 제2공급 포트(414a)를 거쳐 처리 공간(401)으로 공급될 수 있다.
또한, 제2공급 배관(462)에는 초임계 유체의 유량을 조절할 수 있는 제2유량 조절 밸브(466)가 설치될 수 있다. 제2유량 조절 밸브(466)는 제2밸브(464)보다 제2공급 배관(462)의 상류에 제공될 수 있다. 제2유량 조절 밸브(466)가 개방 유량을 조절함으로써, 처리 공간(401)에 공급되는 초임계 유체의 단위 시간당 유량은 변경될 수 있다. 처리 공간(401)에 공급되는 초임계 유체의 단위 시간당 유량이 변경되어 제2공급 배관(462) 내부와 처리 공간(401) 내부의 초임계 유체에 의한 압력이 변경될 수 있다.
상술한 제1유량 조절 밸브(456)와 제2유량 조절 밸브(466)는 미터링 밸브로 제공될 수 있다. 선택적으로, 제1유량 조절 밸브(456)와 제2유량 조절 밸브(466)는 펜듈럼(Pendulum) 밸브 또는 버퍼 플라이 밸브로 제공될 수 있다. 다만, 제 제1유량 조절 밸브(456)와 제2유량 조절 밸브(466)의 종류는 이에 한정되는 것은 아니고, 유체의 유량을 조절할 수 있는 공지된 유량 조절 밸브로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
또한, 상술한 예에서는 제1밸브(454)가 제1유량 조절 밸브(456)보다 제1공급 배관(452)의 상류에 설치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1밸브(454)는 제1유량 조절 밸브(456)보다 제1공급 배관(452)의 하류에 설치될 수 있다. 또한, 제2밸브(464)는 제2유량 조절 밸브(466)보다 제2공급 배관(462)의 하류에 설치될 수 있다.
유체 배출 유닛(470)은 처리 공간(401)의 분위기를 배기한다. 또한, 유체 배출 유닛(470)은 처리 공간(401)에 공급된 초임계 유체를 배출한다. 유체 배출 유닛(470)은 배출 배관(472), 감압 부재(474), 그리고 배출 밸브(476)를 포함할 수 있다.
배출 배관(472)의 일단은 제2바디(414)에 형성된 배출 포트(414b)와 연결된다. 배출 배관(472)의 타단은 감압 부재(474)와 연결된다. 감압 부재(474)는 음압을 제공하는 모터로 제공될 수 있다. 처리 공간(401)에 공급된 초임계 유체는 배출 포트(414b)와 배출 배관(472)을 순차적으로 거쳐 하우징(410)의 외부로 배출된다. 또한, 배출 배관(472)에는 배출 밸브(476)가 설치된다. 배출 밸브(476)는 개폐 밸브로 제공될 수 있다.
가열 유닛(480)은 초임계 유체의 온도를 변경시킨다. 일 실시예에 의하면, 가열 유닛(480)은 히터로 제공될 수 있다. 가열 유닛(480)은 제1히터(482)와 제2히터(484)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제1히터(482)는 하우징(410)의 측벽에 설치될 수 있다. 예컨대, 제1히터(482)는 제1바디(412) 및 제2바디(414) 중 적어도 어느 하나의 측벽 내부에 매설될 수 있다. 제1히터(482)는 처리 공간(401)의 온도를 변경시켜 처리 공간(401)을 유동하는 초임계 유체의 온도를 변경시킬 수 있다. 제1히터(482)는 처리 공간(401)에 공급된 초임계 유체를 임계 온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지시킬 수 있다. 또한, 제1히터(482)는 처리 공간(401)에 공급된 초임계 유체가 액화된 경우, 다시 초임계 상으로 상 변화하도록 처리 공간(401)에 공급된 초임계 유체를 가열할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제2히터(484)는 유체 공급 유닛(440)에 설치될 수 있다. 예컨대, 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442)에 설치될 수 있다. 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442)의 내부 온도를 변경시켜 메인 공급 배관(442) 내부를 유동하는 초임계 유체의 온도를 변경시킬 수 있다. 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442) 내부를 유동하는 초임계 유체를 임계 온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지시킬 수 있다. 또한, 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442)의 내부를 유동하는 초임계 유체가 액화된 경우, 다시 초임계 상으로 상 변화하도록 메인 공급 배관(442)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다.
상술한 예에서는 제2히터(484)가 메인 공급 배관(442)에 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제2공급 배관(462) 중 적어도 어느 하나 이상에 설치될 수 있다.
차단 플레이트(490, Blocking Plate)는 처리 공간(401)에 배치된다. 차단 플레이트(490)는 제2공급 포트(414a)로부터 공급되는 초임계 유체의 경로 상에 배치될 수 있다. 차단 플레이트(490)는 상부에서 바라볼 때, 제2바디(414)에 형성된 제2공급 포트(414a) 및 배출 포트(414b)와 중첩되는 위치에 설치될 수 있다. 차단 플레이트(490)는 제2공급 포트(414a)로부터 공급된 초임계 유체가 기판(W)을 향해 직접적으로 토출되어 기판(W)의 하면을 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
차단 플레이트(490)의 하단에는 지지대(492)가 결합된다. 지지대(492)는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 지지대(492)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 지지대(492)들은 서로 간에 일정 거리 이격되게 배치된다. 지지대(492)는 하우징(410)의 바닥면에 결합한다. 지지대(492)는 하우징(410)의 바닥면으로부터 상부로 돌출되게 형성된다. 이에, 차단 플레이트(490)는 하우징(410)의 바닥면으로부터 상부로 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 건조 챔버(400)에서 수행될 수 있다. 또한, 제어기(30)는 건조 챔버(400)가 가지는 구성들을 제어하여, 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있다.
도 5는 도 4의 일 실시예에 따른 건조 챔버에서 기판을 처리하는 방법에 대한 플로우 차트이다. 도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 제1공정 단계(S10)와 제2공정 단계(S30)를 포함할 수 있다. 또한, 제1공정 단계(S10)가 완료된 이후, 제2공정 단계(S30)가 시작되기 이전에는 아이들(IDLE) 구간(S20)이 제공될 수 있다. 아이들 구간(S20)은 건조 챔버(400)의 처리 공간(401)에서 기판(W)이 처리되지 않고 대기하는 구간일 수 있다. 예컨대, 아이들 구간(S20)에서는 처리 공간(401)에 기판(W)이 반입되지 않은 상태를 유지할 수 있다.
제1공정 단계(S10)는 액 처리 챔버(300)에서 기판(W)에 액 처리를 완료한 이후 수행될 수 있다. 제1공정 단계(S10)에서 건조 챔버(400)로 반입되는 기판(W)은 액 처리 챔버(300)에서 액 처리가 완료된 기판(W)일 수 있다. 예컨대, 처리 공간(401)으로 반입되는 기판(W)은 그 상면에 유기용제가 잔류한 기판(W)일 수 있다.
제1공정 단계(S10)에서는 건조 챔버(400)에서 기판(W)을 처리할 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1공정 단계(S10)에서는 처리 공간(401)에 공정 유체를 공급하여 기판(W)에 공급된 액을 제거하는 건조 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 공정 유체는 초임계 유체일 수 있다. 제1공정 단계(S10)에서는 기준 레시피에 근거하여 기판(W)에 대한 건조 공정을 수행한다. 제1공정 단계(S10)에서는 기준 레시피가 가지는 온도와 압력 조건 하에 처리 공간(401)에 위치한 기판(W)을 건조할 수 있다. 예컨대, 기준 레시피가 가지는 온도와 압력 조건은 초임계 유체가 초임계 상태로 유지될 수 있는 임계 온도와 임계 압력일 수 있다.
제2공정 단계(S30)에서는 처리 공간(401)에 공정 유체를 공급하여 기판(W)에 공급된 액을 제거하는 건조 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 공정 유체는 초임계 유체일 수 있다. 제2공정 단계(S30)는 제1공정 단계(S10)가 완료된 이후에 수행될 수 있다. 또한, 제2공정 단계(S30)는 아이들 구간(S20)이 지난 이후에 수행될 수 있다.
제1공정 단계(S10)에서는 도 1을 참조하여 설명한 로드 포트(120)에 놓인 카세트(C)들 중 어느 하나의 카세트(C)에 수납된 기판(W)들을 건조할 수 있다. 또한, 제2공정 단계(S30)에서는 로드 포트(120)에 놓인 카세트(C)들 중 다른 하나의 카세트(C)에 수납된 후속하는 기판(W)들을 건조할 수 있다.
제1공정 단계(S10)와 제2공정 단계(S30)는 대부분 유사한 공정을 수행한다. 예컨대, 제1공정 단계(S10)에서 기판(W)에 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 건조하는 공정은 제2공정 단계(S30)에서도 유사하게 제공된다. 이에, 이하에서는 제1공정 단계(S10)에 대해 상세히 설명하고, 그 내용이 중복되는 제2공정 단계(S30)에 대해서는 설명을 생략한다.
도 6은 도 5의 일 실시예에 따른 제1공정 단계를 수행하는 건조 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 제1공정 단계(S10)는 처리 공간(401)으로 기판(W)이 반입되어 지지 유닛(430)에 안착된 이후, 제1바디(412)와 제2바디(414)가 서로 밀착되어 처리 공간(401)이 밀폐된 상태에서 수행된다. 제1공정 단계(S10)는 처리 공간(401)이 밀폐된 이후, 초임계 유체를 처리 공간(401)으로 공급한다. 처리 공간(401)으로 공급되는 초임계 유체는 기준 레시피를 만족한 상태일 수 있다.
제1공정 단계(S10)에서는 제1밸브(454)와 제2밸브(464)를 모두 개방하여 처리 공간(401)에 초임계 유체를 공급할 수 있다. 제1밸브(454)가 개방되면, 초임계 유체는 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제1공급 포트(412a)를 거쳐 처리 공간(401)의 상부 영역으로 공급된다. 예컨대, 초임계 유체는 제1공급 포트(412a)를 통해 기판(W)의 상면을 향해 공급될 수 있다. 제2밸브(464)가 개방되면, 초임계 유체는 메인 공급 배관(442), 제2공급 배관(462), 그리고 제2공급 포트(414a)를 거쳐 처리 공간(401)의 하부 영역으로 공급된다. 예컨대, 초임계 유체는 제2공급 포트(414a)를 통해 기판(W)의 하면을 향해 공급될 수 있다.
제1공정 단계(S10)에서 처리 공간(401)으로 초임계 유체를 공급하는 동안, 제1히터(482)는 처리 공간(401)을 가열할 수 있다. 예컨대, 제1히터(482)는 처리 공간(401)의 내부 온도를 임계 온도 이상으로 유지할 수 있다. 또한, 제1공정 단계(S10)에서 메인 공급 배관(442)에 설치된 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442) 내부의 온도를 변경시킬 수 있다. 예컨대, 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442) 내부를 유동하는 초임계 유체의 온도를 임계 온도 이상으로 유지할 수 있다. 이에, 온도가 조절된 초임계 유체는 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제1공급 포트(412a)를 거쳐 처리 공간(401)의 상부 영역으로 공급될 수 있다. 또한, 온도가 조절된 초임계 유체는 메인 공급 배관(442), 제2공급 배관(462), 그리고 제2공급 포트(414a)를 거쳐 처리 공간(401)의 하부 영역으로 공급될 수 있다.
또한, 제1공정 단계(S10)에서 처리 공간(401)으로 초임계 유체를 공급하는 동안, 제1공급 배관(452) 내부를 유동하는 초임계 유체의 압력은 일정하게 유지될 수 있다. 예컨대, 제1유량 조절 밸브(456)는 그 개방율을 변경시켜 제1공급 배관(452) 내부를 유동하는 초임계 유체의 압력을 임계 압력 이상으로 유지시킬 수 있다. 또한, 제2유량 조절 밸브(466)는 그 개방율을 변경시켜 제2공급 배관(462) 내부를 유동하는 초임계 유체의 압력을 임계 압력 이상으로 유지시킬 수 있다. 이에, 초임계 유체의 압력은 임계 압력으로 유지된 상태에서 처리 공간(401)으로 공급될 수 있다.
처리 공간(401)에 임계 온도 및 압력을 가진 초임계 유체가 공급되고, 초임계 유체와 기판(W)의 상면에 잔류한 액(예컨대, 유기용제)이 서로 혼화(混和)되어, 기판(W)의 상면에 잔류하는 액을 제거할 수 있다. 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 과정에서, 발생되는 불순물 등은 배출 배관(472)을 통해 하우징(410)의 외부로 배출된다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 최적화 단계가 수행되는 구간을 개략적으로 보여주는 그래프이다. 도 7의 가로 축은 시간을 의미하고, 세로 축은 배관들(442, 452, 462) 내부의 초임계 유체의 온도를 의미한다.
이하에서는 도 4에서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 건조 챔버에서 최적화 단계가 수행되는 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 4 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 최적화 단계(S40)에서는 제1공정 단계(S10) 및 제2공정 단계(S30)에서 기판(W)을 처리하는 기준 레시피에 근거하여, 도 4에 도시된 처리 공간(401)의 내부 환경을 최적화한다. 내부 환경이란, 처리 공간(401)의 온도, 압력, 또는 불순물에 의한 오염도를 포함하는 개념일 수 있다. 예컨대, 기준 레시피가 가지는 온도 조건은 초임계 유체가 초임계 상태로 유지될 수 있는 임계 온도(T0)일 수 있다. 예컨대, 기준 레시피가 가지는 압력 조건은 초임계 유체가 초임계 상태로 유지될 수 있는 임계 압력일 수 있다. 또한, 기준 레시피가 가지는 오염도 조건은 처리 공간(401)의 내부에 불순물이 제거된 상태를 의미할 수 있다.
일 실시예에 따른 최적화 단계(S40)는 아이들 구간(S20)에서 수행될 수 있다. 예컨대, 최적화 단계(S40)는 아이들 구간(S20) 중에서, 처리 공간의 온도가 기준 범위를 벗어난 경우에 수행될 수 있다. 또한, 최적화 단계(S40)는 아이들 구간(S20) 중에서, 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제2공급 배관(462)의 내부 온도가 기준 범위를 벗어난 경우에 수행될 수 있다. 예컨대, 최적화 단계(S40)는 아이들 구간(S20) 중에서 처리 공간(401)의 온도 및 배관들(442, 452, 462)의 내부 온도 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 경우에 수행될 수 있다.
처리 공간(401)의 온도 및/또는 배관들(442, 452, 462)의 내부 온도는 도시되지 않은 온도 측정 센서에 의해 측정될 수 있다. 예컨대, 온도 측정 센서(미도시)는 하우징(410)의 내벽에 매설될 수 있다. 예컨대, 온도 측정 센서(미도시)는 배관들(442, 452, 462)에 각각 설치될 수 있다. 처리 공간(401) 및/또는 배관들(442, 452, 462)의 내부 온도 기준 범위는 기준 레시피가 가지는 초임계 유체의 임계 온도(T0)의 상한(TH)과 하한(TL)을 정한 값일 수 있다. 온도 기준 범위 값은 제어기(30)에 미리 저장된 값일 수 있다.
또한, 최적화 단계(S40)는 아이들 구간(S20) 중에서, 처리 공간(401)의 압력이 기준 범위를 벗어난 경우에 수행될 수 있다. 또한, 최적화 단계(S40)는 아이들 구간(S20) 중에서, 배관들(442, 452, 462)의 내부 압력이 기준 범위를 벗어난 경우에 수행될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 최적화 단계(S40)는 아이들 구간(S20) 중에서 처리 공간(401)의 압력 및 배관들(442, 452, 462)의 내부 압력 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 시점부터 기준 범위를 만족할 때까지 수행될 수 있다.
이하에서는 이해의 편의를 위해, 최적화 단계(S40)가 아이들 구간(S20) 중에서, 배관들(442, 452, 462)의 내부 온도가 기준 범위를 벗어난 경우에 수행되는 경우를 예로 들어 설명한다.
상술한 바와 같이, 아이들 구간(S20)에서는 초임계 유체가 처리 공간(401)으로 공급되지 않는다. 즉, 아이들 구간(S20)에서는 제1밸브(454)와 제2밸브(464)가 모두 폐쇄된 상태로 제공된다. 이에, 아이들 구간(S20)에서는 배관들(442, 452, 462) 내부에 초임계 유체가 유동하지 않고 머무르게 된다. 이에, 제1공정 단계(S10)에서 임계 온도(T0)로 유지되던 초임계 유체는 아이들 구간(S20)에서 시간이 경과함에 따라 그 온도가 하강하여 배관들(442, 452, 462) 내부에 머무르는 초임계 유체의 온도가 기준 범위(예컨대, 하한 온도(TL))를 벗어날 수 있다.
배관들(442, 452, 462) 내부에 머무르는 초임계 유체의 온도가 기준 범위를 벗어나는 시점(A1)에서 최적화 단계(S40)가 수행된다. 최적화 단계(S40)에서 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442)의 내부 온도를 상승시킨다. 이에, 메인 공급 배관(442)에 머무르는 초임계 유체의 온도는 상승한다. 예컨대, 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442) 내부에 머무르는 초임계 유체의 온도가 임계 온도(T0) 이상의 온도를 만족할 때까지 메인 공급 배관(442)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다. 즉, 최적화 단계(S40)는 메인 공급 배관(442) 내부의 초임계 유체의 온도가 기준 범위를 만족하는 시점(A2)까지 수행될 수 있다.
도 8은 도 7의 일 실시예에 따른 최적화 단계에서 퍼지 동작을 수행하는 건조 챔버의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8을 참조하면, 최적화 단계(S40)에서는 제1밸브(454), 제2밸브(464), 그리고 배출 밸브(476)를 개방한다. 최적화 단계(S40)에서는 처리 공간(401)의 내부로 처리 유체를 공급하고, 배출할 수 있다. 예컨대, 처리 유체는 초임계 유체일 수 있다. 최적화 단계(S40)에서는 메인 공급 배관(442) 내부의 초임계 유체의 온도를 승온시키는 동시에, 배관들(442, 452, 462) 내부에 머무르던 초임계 유체를 처리 공간(401)으로 공급한다. 또한, 처리 공간(401)으로 공급된 초임계 유체는 배출 배관(472)을 통해 처리 공간(401)의 외부로 배출된다. 즉, 최적화 단계(S40)에서는 배관들(442, 452, 462) 내부의 초임계 유체를 승온시키고, 승온된 초임계 유체를 처리 공간(401)으로 공급하고, 처리 공간(401)으로 공급된 유체를 다시 처리 공간(401)의 외부로 배출하는 퍼지 동작을 수행한다. 초임계 유체를 승온시키는 동작, 승온된 초임계 유체를 공급하는 동작, 그리고 승온된 초임계 유체를 배출하는 동작은 모두 동시에 수행될 수 있다.
도 6을 참조하여 설명한 제1공정 단계(S10)를 수행하는 과정에서, 처리 공간(401)에 발생된 불순물은 하우징(410)의 내벽에 부착될 수 있다. 또한, 지지 유닛(430)이 기판(W)의 이면 가장자리 영역을 지지하여 제1공정 단계(S10)를 수행할 때, 기판(W)의 이면 가장자리 영역에 잔류하는 액이 지지 유닛(430)에 부착될 수 있다. 제1공정 단계(S10)를 수행하는 과정에서 처리 공간(401) 내부에 잔류한 불순물은 후속 공정인 제2공정 단계(S30)에서 처리되는 후속하는 기판(W)을 오염시키는 오염원으로 작용한다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 퍼지 동작은 처리 공간(401)의 내부로 초임계 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 반복한다. 퍼지 동작에 의해 처리 공간(401)의 내부에 잔류하는 불순물은 처리 공간(401) 내부로 초임계 유체를 공급하는 공급 동작에 의해 제거될 수 있다. 처리 공간(401)에서 제거된 불순물은 공급된 초임계 유체와 함께 처리 공간(401)의 외부로 배출된다. 이에, 제1공정 단계(S10)에서 발생되어 처리 공간(401)에 잔류하는 불순물을 제2공정 단계(S30)가 수행되기 이전인 아이들 구간(S20)에서 선제적으로 제거하여, 제2공정 단계(S30)에서 처리되는 후속하는 기판(W)에 대한 오염을 최소화할 수 있다.
아이들 구간(S20) 이후 제2공정 단계(S30)를 수행할 때, 제2공정 단계(S30)에서 처리되는 초기 기판(W)은 처리 공간(401)의 내부 환경의 변화로 인해 손상될 수 있다. 구체적으로, 아이들 구간(S20)에서는 전술한 바와 같이, 초임계 유체가 처리 공간(401)으로 공급되지 않으므로, 제2공정 단계(S30)의 초기의 처리 공간(401)의 내부 환경(예컨대, 온도 또는 압력)이 제1공정 단계(S10)와 상이할 수 있다. 예컨대, 제2공정 단계(S30)의 초기 구간은 제1공정 단계(S10)보다 상대적으로 처리 공간(401)의 내부 오염도가 증가한 상태일 수 있다. 또한, 제2공정 단계(S30)의 초기 구간은 제1공정 단계(S10)보다 상대적으로 처리 공간(401)의 내부 온도가 낮아진 상태일 수 있다. 또한, 제2공정 단계(S30)의 초기 구간은 제1공정 단계(S10)보다 상대적으로 내부 압력이 낮아진 상태일 수 있다.
이에, 제2공정 단계(S30)의 초기 구간에서 처리 공간(401)의 온도 및 압력은 초임계 유체의 임계 온도 및 임계 압력에 미달된 상태에서 진행될 수 있다. 처리 공간(401)의 변동된 온도 및 압력으로 인해, 처리 공간(401)으로 공급되는 초임계 유체는 액화될 수 있다. 더욱이, 아이들 구간(S20)에서 온도 및 압력이 떨어진 상태로 배관들(442, 452, 462) 내부에 머무르던 초임계 유체는 배관들(442, 452, 462) 내부에서 액화될 수 있다. 액화된 초임계 유체가 중력에 의해 처리 공간(401)에 위치하는 기판(W) 상에 낙하되어 기판(W)의 상면에 형성된 패턴이 손상된다. 또한, 처리 공간(401)에 공급되는 초임계 유체가 임계 온도 및 임계 압력을 가지는 기준 레시피에 만족하기 위해서는, 상당 시간이 소요된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 최적화 단계(S40)에서는 제2공정 단계(S30)를 수행하기 이전에 아이들 구간(S20)에서 처리 공간(401)의 내부 환경을 최적화할 수 있다. 최적화 단계(S40)에서는 기준 범위를 만족하도록 온도 및 압력이 조절된 초임계 유체가 처리 공간(401)으로 공급된다. 즉, 최적화 단계(S40)에서는 제1공정 단계(S10) 및/또는 제2공정 단계(S30)에서의 기준 레시피의 온도와 동일 또는 유사한 온도를 가지는 초임계 유체를 처리 공간(401)으로 공급할 수 있다. 또한, 최적화 단계(S40)에서는 제1공정 단계(S10) 및/또는 제2공정 단계(S30)에서의 기준 레시피의 압력와 동일 또는 유사한 압력을 가지는 초임계 유체를 처리 공간(401)으로 공급할 수 있다. 이에, 제2공정 단계(S30)의 초기 구간에서도 기준 레시피를 가지는 초임계 유체가 처리 공간(401)으로 공급될 수 있다.
또한, 제1공정 단계(S10), 아이들 구간(S20), 제2공정 단계(S30)에서 처리 공간(401)의 내부 환경을 일정하게 유지함으로써, 각 단계가 변경될 때 초기 구간에서 발생될 수 있는 초임계 유체에 의한 유량 헌팅 현상을 억제할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 처리 공간(401)의 내부 환경 중 온도 또는 압력뿐만 아니라, 퍼지 동작으로 인한 처리 공간(401)에 잔류하는 불순물을 제거하여 처리 공간(401)의 오염도를 개선할 수 있다.
상술한 실시예에서는 메인 공급 배관(442) 내부의 초임계 유체 온도에 따라 제2히터(484)가 가열되어 최적화 단계(S40)를 수행하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 바와 같이, 제2히터(484)는 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제2공급 배관(462) 중 적어도 어느 하나 이상에 설치될 수 있으므로, 최적화 단계(S40)는 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제2공급 배관(462) 중 그 내부 초임계 유체의 온도가 기준 범위를 벗어난 경우 해당 배관에 설치된 제2히터(484)를 가열하여 초임계 유체의 온도를 독립적으로 승온시키고, 퍼지 동작을 수행할 수 있다.
또한, 처리 공간(401)의 압력이 기준 범위를 벗어난 경우, 도 4에 도시된 제1밸브(454), 제2밸브(464), 그리고 배출 밸브(476)를 개방하고, 제1유량 조절 밸브(456) 및 제2유량 조절 밸브(466)의 개방율을 증가시켜 처리 공간(401)으로 공급되는 초임계 유체의 단위 시간당 유량을 증가시킬 수 있다. 초임계 유체의 유동 유량을 증가시켜 처리 공간(401) 및/또는 배관들(442, 452, 462)의 내부 압력이 기준 범위에 만족할 때까지 최적화 단계(S40)가 수행될 수 있다.
도 9 내지 도 11은 도 7의 다른 실시예에 따른 최적화 단계가 수행되는 구간을 개략적으로 보여주는 도면들이다.
도 9를 참조하면, 최적화 단계(S40)는 도 4에 도시된 메인 공급 배관(442)의 내부 온도가 임계 온도(T0)를 벗어나는 시점부터 임계 온도(T0)까지 승온되는 시점까지 수행될 수 있다. 이에, 도 4에 도시된 메인 공급 배관(442)의 내부 온도가 임계 온도(T0)를 벗어난 시점부터 임계 온도(T0)를 만족하는 시점까지 퍼지 동작을 수행할 수 있다. 상술한 예와 같이, 도 9의 일 실시예에 따른 최적화 단계(S40)에서도 도 4에 도시된 메인 공급 배관(442), 제1공급 배관(452), 그리고 제2공급 배관(462) 중 그 내부 초임계 유체의 온도가 기준 범위를 벗어난 경우 해당 배관에 설치된 제2히터(484)를 가열하여 초임계 유체의 온도를 독립적으로 승온시키고, 퍼지 동작을 수행할 수 있다.
도 10을 참조하면, 최적화 단계(S40)는 도 4에 도시된 건조 챔버(400)에서 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하기 이전에 수행될 수 있다. 예컨대, 최적화 단계(S40)는 제1공정 단계(S10) 이전에 수행될 수 있다. 구체적으로, 최적화 단계(S40)는 제1공정 단계(S10)에서 도 4에 도시된 처리 공간(401)으로 어느 하나의 카세트(C, 도 1 참조)에 수납된 선행 기판(W)이 반입되기 이전에 수행될 수 있다. 또한, 최적화 단계(S40)는 제2공정 단계(S30) 이전에 수행될 수 있다. 구체적으로, 최적화 단계(S40)는 제2공정 단계(S30)에서 도 4에 도시된 처리 공간(401)으로 다른 하나의 카세트(C, 도 1 참조)에 수납된 선행 기판(W)이 반입되기 이전에 수행될 수 있다. 최적화 단계(S40)에서는 상술한 퍼지 동작을 수행할 수 있다.
상술한 실시예에 따르면, 기판(W)이 도 4에 도시된 건조 챔버(400)에서 처리되기 이전에, 선제적으로 처리 공간(401)의 내부 환경을 초임계 유체로 기판(W)을 처리하기 적합한 환경으로 조성할 수 있다.
도 11을 참조하면, 최적화 단계(S40)는 도 4에 도시된 건조 챔버(400)에서 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리하는 공정 중에 수행될 수 있다. 예컨대, 최적화 단계(S40)는 제1공정 단계(S10) 및/또는 제2공정 단계(S30)에서 수행될 수 있다. 보다 구체적으로, 최적화 단계(S40)는 제1공정 단계(S10)에서, 어느 하나의 카세트(C, 도 1 참조)에 수납된 선행 기판(W)이 처리된 이후 시점부터 수행될 수 있다. 예컨대, 최적화 단계(S40)에서는 제1공정 단계(S10)에서 어느 하나의 카세트(C, 도 1 참조)에 수납된 기판(W) 1장을 처리한 이후, 해당 기판(W)을 도 4에 도시된 처리 공간(401)으로부터 반출한 시점(A3)부터 수행될 수 있다.
또한, 최적화 단계(S40)는 제2공정 단계(S30)에서, 다른 하나의 카세트(C, 도 1 참조)에 수납된 선행 기판(W)이 처리된 이후 수행될 수 있다. 예컨대, 최적화 단계(S40)에서는 제2공정 단계(S30)에서 다른 하나의 카세트(C, 도 1 참조)에 수납된 기판(W) 1장을 처리한 이후, 해당 기판(W)을 도 4에 도시된 처리 공간(401)으로부터 반출한 시점(A4)부터 수행될 수 있다.
상술한 바와 달리, 도 10 및 도 11에서 설명한 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 아이들 구간(S20)이 제공되지 않을 수 있다. 예컨대, 기판 처리 방법은 제1공정 단계(S10)와 제2공정 단계(S30)를 포함하고, 최적화 단계(S40)는 각 공정 단계(S10, S30)가 수행되기 이전에 수행될 수 있다. 또한, 기판 처리 방법은 제1공정 단계(S10)와 제2공정 단계(S30)를 포함하고, 최적화 단계(S40)는 각 공정 단계(S10, S30)에서 최초의 기판(W)이 처리된 이후 수행될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 바람직하거나 다양한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
인덱스 모듈 : 10
처리 모듈 : 20
액 처리 챔버 : 300
건조 챔버 : 400
처리 공간 : 401
하우징 : 410
지지 유닛 : 430
유체 공급 유닛 : 440
메인 공급 배관 : 442
제1유체 공급 유닛 : 450
제1공급 배관 : 452
제2유체 공급 유닛 : 460
제2공급 배관 : 462
유체 배출 유닛 : 470
가열 유닛 : 480
S10 : 제1공정 단계
S20 : 아이들 구간
S30 : 제2공정 단계
S40 : 최적화 단계

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    처리 공간에서 기준 레시피에 따라 기판을 처리하는 제1공정 단계;
    상기 처리 공간에서 상기 기준 레시피에 따라 상기 제1공정 단계에 후속하여 기판을 처리하는 제2공정 단계; 및
    상기 기준 레시피에 따라 상기 처리 공간의 내부 환경을 최적화하는 최적화 단계를 포함하되,
    상기 최적화 단계에서는,
    상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 수행하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1공정 단계가 수행된 이후, 상기 제2공정 단계를 수행하기 이전까지 대기하는 아이들(idle) 구간이 제공되고,
    상기 최적화 단계는 상기 아이들 구간에서 수행되는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 퍼지 동작은,
    상기 아이들 구간에서, 상기 처리 공간의 온도 및 상기 처리 유체를 공급하는 배관의 온도 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 경우 수행되는 기판 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 퍼지 동작은,
    상기 처리 공간의 온도 및 상기 배관의 온도 각각이 상기 기준 범위를 만족할 때까지 수행되는 기판 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 최적화 단계는,
    상기 제1공정 단계에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간으로 반입되기 이전에 수행되는 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 최적화 단계는,
    상기 제1공정 단계에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간에서 처리된 이후 수행되는 기판 처리 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 유체는,
    상기 처리 공간의 상부와 하부를 향해 각각 공급되는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 처리 유체는 초임계 유체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 내부 환경은 온도, 압력, 또는 오염도를 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1공정 단계 및 상기 제2공정 단계는,
    상기 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하여 기판에 형성된 액을 제거하는 기판 처리 방법.
  11. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    처리 공간을 가지는 공정 챔버에서 초임계 유체를 이용하여 기판을 공정 처리하고, 상기 공정 처리가 완료된 이후 후속하는 기판을 처리하기까지 대기하는 아이들(idle) 구간이 제공되고, 상기 아이들 구간 이후 상기 공정 챔버에서 초임계 유체를 이용하여 상기 후속하는 기판을 공정 처리하되,
    상기 아이들 구간에서 상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 수행하여 상기 처리 공간의 내부 환경을 최적화 단계을 수행하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 퍼지 동작은,
    상기 아이들 구간에서 상기 처리 공간의 온도 및 상기 처리 유체를 공급하는 배관의 온도 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 경우 수행되는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 퍼지 동작은,
    상기 처리 공간의 온도 및 상기 배관의 온도가 상기 기준 범위를 만족할 때까지 수행되는 기판 처리 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 처리 유체는,
    상기 초임계 유체로 제공되고, 상기 처리 공간의 상부 및 하부에서 각각 공급되고, 상기 처리 공간의 하부에서 배출되는 기판 처리 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 내부 환경은 온도, 압력, 또는 오염도를 포함하는 기판 처리 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 최적화 단계는,
    상기 아이들 구간 이전에 수행되는 공정에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간으로 반입되기 이전에 수행되는 기판 처리 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 최적화 단계는,
    상기 아이들 구간 이전에 수행되는 공정에서 카세트에 수납된 선행 기판이 상기 처리 공간에서 처리된 이후 수행되는 기판 처리 방법.
  18. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 하우징;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간에 공정 유체를 공급하는 공급 배관을 가지는 유체 공급 유닛;
    상기 처리 공간에서 상기 공정 유체를 배출하는 유체 배출 유닛;
    상기 처리 공간의 온도 및 상기 공급 배관의 온도를 조절하는 가열 유닛; 및
    제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 처리 공간에서 기준 레시피에 따라 제1공정을 수행하고, 상기 처리 공간에서 상기 기준 레시피에 따라 제1공정에 후속하는 제2공정을 수행하되, 상기 제1공정과 상기 제2공정 사이에 상기 장치가 대기하는 아이들(idle) 구간을 제공하고, 상기 아이들 구간에서는 상기 기준 레시피에 따라 상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하고 배출하는 퍼지 동작을 수행하여 상기 처리 공간의 내부 환경을 최적화하도록 상기 장치를 제어하는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 아이들 구간에서, 상기 처리 공간의 온도 및 상기 처리 유체를 공급하는 배관의 온도 중 어느 하나가 기준 범위를 벗어난 경우 상기 퍼지 동작을 수행하도록 상기 장치를 제어하고,
    상기 가열 유닛을 제어하여 상기 처리 공간의 온도 및 상기 공급 배관의 온도를 변경시켜 상기 처리 공간의 온도 및 상기 공급 배관의 온도 각각이 기준 범위를 만족할 때까지 상기 퍼지 동작을 수행하는 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 공정 유체와 상기 처리 유체는 초임계 유체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020220050609A 2021-12-30 2022-04-25 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20230104495A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/068,940 US20230211390A1 (en) 2021-12-30 2022-12-20 Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate
TW111150043A TWI832635B (zh) 2021-12-30 2022-12-27 用於處理基板之設備及用於處理基板的方法
CN202211731997.9A CN116387136A (zh) 2021-12-30 2022-12-30 用于处理基板的设备及用于处理基板的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210192306 2021-12-30
KR1020210192306 2021-12-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230104495A true KR20230104495A (ko) 2023-07-10

Family

ID=87155858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220050609A KR20230104495A (ko) 2021-12-30 2022-04-25 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230104495A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8685169B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
KR101489314B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2007019500A (ja) 半導体素子製造装置及び方法
US20220172966A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20130134996A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102149485B1 (ko) 약액공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
US20230033534A1 (en) Apparatus for treating substrate
TWI734876B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理系統的控制裝置、半導體基板的製造方法及半導體基板
US20190164787A1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR20230104495A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230211390A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate
TWI832635B (zh) 用於處理基板之設備及用於處理基板的方法
KR20230097934A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102640149B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230098469A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102550896B1 (ko) 기판 처리 장치
US20230201884A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102567503B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230201883A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102609394B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7406601B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20230057511A (ko) 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102578764B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230207306A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR20230097965A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal