JP6279037B2 - 基板洗浄方法および基板洗浄システム - Google Patents
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Description
<基板洗浄システムの概略構成>
まず、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成について図1を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成を示す図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。また、以下では、X軸負方向側を基板洗浄システムの前方、X軸正方向側を基板洗浄システムの後方と規定する。
次に、第1の実施形態に係る基板洗浄装置7が行う基板洗浄方法の内容について図2A〜図2Cを参照して説明する。図2A〜図2Cは、基板洗浄方法の説明図である。なお、以下においては、ウェハWの回路形成面を「主面」とし、主面と反対側の面を「裏面」とする。
次に、基板洗浄装置7の構成および動作について具体的に説明する。まず、第1処理部5の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1処理部5の構成を示す模式図である。なお、図3では、第1処理部5の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
基板洗浄装置の構成は、第1の実施形態において示した構成に限定されない。そこで、以下では、基板洗浄装置の他の構成について図9を参照して説明する。図9は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
次に、第3の実施形態に係る基板洗浄装置について説明する。図10Aおよび図10Bは、第2処理部が備える回転保持機構の変形例を示す模式図である。
上述してきた各実施形態では、成膜用処理液供給処理を第1処理部において行い、揮発促進処理および除去液供給処理を第2処理部において行う場合の例について説明した。しかし、揮発促進処理は、第1処理部において行なってもよい。そこで、以下では、第1処理部に揮発促進機能を設ける場合の変形例について図12Aおよび図12Bを参照して説明する。図12Aおよび図12Bは、第1処理部に揮発促進機能を設ける場合の変形例を示す図である。
また、上述してきた各実施形態では、揮発促進処理を第1処理部および第2処理部のいずれかにおいて行うこととしたが、基板洗浄装置は、揮発促進処理用の処理ユニットをさらに備えてもよい。かかる場合の例について図13を参照して説明する。図13は、第5の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成を示す模式図である。
第1の実施形態では、ウェハWの裏面に対してSC1等の洗浄液を供給する処理を裏面洗浄処理として行う場合の例を示したが、裏面洗浄処理は、上記の処理に限定されない。たとえば、ブラシ等の洗浄体を用いたスクラブ洗浄、洗浄液をガスによってミスト化してウェハWの裏面に吹き付ける2流体ノズルを用いた2流体洗浄、あるいは、超音波振動子等を用いた超音波洗浄等を裏面洗浄処理として行なってもよい。
上述してきた各実施形態では、基板洗浄装置が複数の処理ユニットを備え、成膜用処理液供給処理と除去液供給処理とを異なる処理ユニットで行う場合の例について説明した。しかしながら、基板洗浄装置は、成膜用処理液供給処理と除去液供給処理とを単一のチャンバ内で行なってもよい。かかる場合の基板洗浄装置の構成例について図16を用いて説明する。図16は、第7の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。
上述してきた各実施形態では、成膜用処理液としてトップコート液を用いる場合の例について説明したが、成膜用処理液は、トップコート液に限定されない。
5 第1処理部
6 第2処理部
7 基板洗浄装置
8 制御装置
9 第3処理部
52 第1基板保持部
521 吸着保持部
53,54,55 液供給部
62 第2基板保持部
621 回転保持機構
621a 把持部
622 流体供給部
63 液供給部
100 基板洗浄システム
Claims (10)
- 基板の回路形成面である主面全面にDHFを供給することにより前記基板の主面に付着したパーティクルの付着力を弱めるDHF供給工程と、
前記DHF供給工程の後、揮発成分を含み前記基板の主面全面に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第1供給工程と、
前記処理液から前記揮発成分が揮発することによって固化または硬化して形成された膜で前記基板の主面全面が覆われた状態で、前記基板の主面の反対側の面である裏面を洗浄処理する裏面洗浄処理工程と、
前記裏面洗浄処理工程後、前記基板の主面に付着したパーティクルとともに前記膜の全てを除去する除去液を前記基板へ供給する第2供給工程と、
前記第2供給工程後、前記基板の主面のリンス処理を行うリンス処理工程と
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記裏面洗浄処理工程は、前記基板の周縁部を把持した状態で行うこと
を特徴とする請求項1に記載の基板洗浄方法。 - 前記第1供給工程は、前記基板の裏面を吸着保持した状態または前記基板の周縁部を把持した状態で行い、
前記第2供給工程は、前記基板の周縁部を把持した状態で行うこと
を特徴とする請求項1又は2に記載の基板洗浄方法。 - 前記処理液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進工程
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 前記揮発促進工程は、
前記第1供給工程後かつ前記裏面洗浄処理工程前に行われること
を特徴とする請求項4に記載の基板洗浄方法。 - 前記揮発促進工程は、前記処理液を加熱することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項4または5に記載の基板洗浄方法。 - 前記第1供給工程前に、前記基板の主面に有機溶剤を供給する有機溶剤供給工程
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 基板の回路形成面である主面全面にDHFを供給することにより前記基板の主面に付着したパーティクルの付着力を弱めるDHF供給部と、
前記DHF供給部によるDHF供給の後、揮発成分を含み前記基板の主面全面に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第1供給部と、
前記処理液から前記揮発成分が揮発することによって固化または硬化して形成された膜で前記基板の主面全面が覆われた状態で、前記基板の主面の反対側の面である裏面を洗浄処理する裏面洗浄処理部と、
前記基板の主面に付着したパーティクルとともに前記膜の全てを除去する除去液を前記基板へ供給する第2供給部と、
前記基板の主面のリンス処理を行うためのリンス液を供給するリンス液供給部と
を備えることを特徴とする基板洗浄システム。 - 前記基板の裏面を吸着保持する第1保持部と、
前記基板の周縁部を把持する第2保持部と
をさらに有することを特徴とする請求項8に記載の基板洗浄システム。 - 前記処理液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進部
をさらに備えることを特徴とする請求項8又は9に記載の基板洗浄システム。
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