JP6993806B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6993806B2 JP6993806B2 JP2017148111A JP2017148111A JP6993806B2 JP 6993806 B2 JP6993806 B2 JP 6993806B2 JP 2017148111 A JP2017148111 A JP 2017148111A JP 2017148111 A JP2017148111 A JP 2017148111A JP 6993806 B2 JP6993806 B2 JP 6993806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating film
- main surface
- cleaning
- substrate
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Description
基板の主面を薬液で処理することによって基板の主面に金属パターンが露出する。金属パターンが露出した状態で基板を長時間放置しておくと、金属パターンが酸化するおそれがある。そこで、特許文献2および3には、基板の主面を被覆するトップコート膜を形成する基板処理方法が開示されている。これにより、金属パターンの酸化が抑制される。基板の主面に更なる処理を施す際には、トップコート膜が除去される。
そこで、この発明の1つの目的は、基板の主面に被覆膜が形成される構成において、当該主面の汚染を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この方法によれば、被覆膜形成工程において昇華性の被覆膜が形成される。そのため、液体を用いることなく第1主面から被覆膜を除去することが可能である。また、被覆膜洗浄工程において、昇華性の被覆膜の表面が洗浄される。そのため、被覆膜洗浄工程後に被覆膜が昇華したとしても、被覆膜の表面に付着していた汚れが第1主面に残ることを抑制することができる。したがって、基板の第1主面の汚染を抑制することができる。
この方法によれば、第2主面洗浄工程によって、第2主面が洗浄される。その一方で、第2主面に着液した洗浄液が、基板の周辺を浮遊して被覆膜の表面に付着するおそれがある。第2主面に着液した洗浄液が、基板の周辺に配置された部材に向かって飛散し、当該部材に跳ね返されて被覆膜の表面に付着するおそれもある。さらに、第2主面に着液した洗浄液が、第1主面側に回り込み被覆膜の表面に付着するおそれもある。第2主面に一度着液した洗浄液には、パーティクル等の汚れが含まれていることがある。基板の周辺に配置された部材に跳ね返された洗浄液には、パーティクル等の汚れが一層含まれやすい。
そのため、第2主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を即座に除去することができる。第2主面洗浄工程の開始前に被覆膜の表面に既に汚れが付着していた場合、第2主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に到達するまでに、当該汚れの除去を開始することができる。さらに、被覆膜洗浄工程が終了するまでの時間を短縮することもできる。したがって、単位時間当たりに処理できる基板の枚数を増大させることができる。つまり、スループットの向上が図れる。このように、スループットの向上を図りつつ、第1主面の汚染を抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表層を除去する工程を含む。ここで、パーティクルが被覆膜の表面に強固に付着することによって、被覆膜の表面からパーティクルを除去しにくい場合が有り得る。このような場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜の表層とともにパーティクルを除去することができる。したがって、被覆膜の表面を確実に洗浄することができる。
ここで、第1主面に供給された被覆剤は、第1主面の周縁部から第2主面に回り込み、第2主面の周縁部に付着することがある。この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記固化工程の開始前に、前記第2主面の周縁を洗浄する周縁洗浄工程をさらに含む。そのため、被覆剤による第2主面の汚染を抑制することができる。
この発明の一実施形態では、第1主面、および前記第1主面の反対側の第2主面を有する基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記第1主面を覆う昇華性の被覆膜を形成可能な被覆剤を前記第1主面に供給する被覆剤供給ユニットと、前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニットと、前記基板保持ユニット、前記被覆剤供給ユニットおよび前記被覆膜洗浄ユニットを制御する制御ユニットとを含み、前記制御ユニットが、前記基板保持ユニットによって、前記基板が水平に保持される基板保持工程と、前記被覆剤供給ユニットから前記被覆剤を前記第1主面に供給することによって、前記被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の表面が洗浄される被覆膜洗浄工程とを実行するようにプログラムされている、基板処理装置を提供する。
そのため、第2主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を即座に除去することができる。第2主面洗浄工程の開始前に被覆膜の表面に既に汚れが付着していた場合、第2主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に到達するまでに、当該汚れの除去を開始することができる。さらに、被覆膜洗浄工程が終了するまでの時間を短縮することもできる。したがって、単位時間当たりに処理できる基板の枚数を増大させることができる。つまり、スループットの向上が図れる。このように、スループットの向上を図りつつ、第1主面の汚染を抑制することができる。
そのため、被覆膜洗浄工程において被覆膜の表面に供給された洗浄液は、被覆膜の表面上で広がる。そのため、被覆膜の表面の洗浄時間を低減することができる。
<第1実施形態>
図1Aは、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための平面図である。図1Bは、基板処理装置1の構成を説明するための図解的な立面図である。
図1Aを参照して、基板処理装置1は、半導体ウエハ等の基板W一枚ずつに対して、洗浄処理やエッチング処理等の各種の処理を施す枚葉式の装置である。基板処理装置1で処理される基板Wは、例えば、主面に金属パターンが形成された基板である。詳しくは、基板Wは、第1主面W1と、第1主面W1の反対側の主面である第2主面W2とを有する(図1B参照)。第1主面W1には、金属パターンが形成されており、第2主面W2には、金属パターンが形成されていない。
基板処理装置1は、処理タワー2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理タワー2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御ユニット3とをさらに含む。
複数の処理タワー2は、搬送路5を挟んで対称に配置されている。複数の処理タワー2は、搬送路5の両側のそれぞれにおいて、搬送路5が延びる方向(延長方向X)に沿って並んでいる。本実施形態では、処理タワー2は、搬送路5の両側に2つずつ配置されている。
具体的には、第1処理タワー2Aは、第1液処理ユニットM11およびM12と、第1加熱ユニットD11とを含む。第2処理タワー2Bは、第1液処理ユニットM13およびM14と、第1加熱ユニットD12とを含む。第3処理タワー2Cは、第2液処理ユニットM21およびM22と、第2加熱ユニットD21とを含む。第4処理タワー2Dは、第2液処理ユニットM23およびM24と、第2加熱ユニットD22とを含む。
第1液処理ユニットM1は、チャンバR1と、基板Wを回転可能に水平に保持する第1スピンチャック10と、第1スピンチャック10を取り囲む複数のカップ11,12(第1カップ11および第2カップ12)と、基板W上から基板W外に排除される処理液を受ける複数のガード13,14(第1ガード13および第2ガード14)とを含む。第1スピンチャック10、複数のカップ11,12、および複数のガード13,14は、チャンバR1内に配置されている。
各カップ11,12は、上向きに開いた環状の溝を有している。各カップ11,12は、第1スピンチャック10を取り囲んでいる。第2カップ12は、第1カップ11よりも径方向外方に配置されている。各カップ11,12の溝には、回収配管(図示せず)または排出配管(図示せず)が接続されている。
被覆剤供給ユニット17は、基板Wの上面に向けて被覆剤を吐出する被覆剤ノズル60と、被覆剤ノズル60に結合された被覆剤供給管61と、被覆剤供給管61に介装された被覆剤バルブ62とを含む。被覆剤供給管61には、リンス液供給源から、被覆剤が供給されている。被覆剤バルブ62は、被覆剤供給管61内の流路を開閉する。
図3は、第2液処理ユニットM2の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第2液処理ユニットM2は、チャンバR2と、基板Wを回転可能に水平に保持する第2スピンチャック100と、第2スピンチャック100を取り囲む第3カップ101と、基板W上から基板W外に排除される処理液を受ける第3ガード102とを含む。第2スピンチャック100、第3カップ101および第3ガード102は、チャンバR2内に配置されている。
第3カップ101は、上向きに開いた環状の溝を有している。第3カップ101は、第2スピンチャック100を取り囲んでいる。第3カップ101の溝には、回収配管(図示せず)または排出配管(図示せず)が接続されている。第3ガード102は、平面視で第2スピンチャック100を取り囲むように配置されている。
基板Wから排除される処理液は、第3筒状部102Aを伝って第3カップ101に導かれる。第3カップ101の底部に導かれた処理液は、回収配管または排出配管を通じて、回収または廃棄される。
第1基板ホルダ200は、基板Wが水平な姿勢となるように基板Wを下方から支持する板状の部材である。第1基板ホルダ200は、基板Wを水平に保持する基板保持ユニットに含まれる。第1基板ホルダ200は、チャンバR3内に収容されている。
複数の第1リフトピン203は、第1基板ホルダ200を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。複数の第1リフトピン203が、第1リフトピン昇降ユニット216によって、上位置と下位置との間で昇降される。複数の第1リフトピン203が上位置に位置するとき、基板Wは、第1基板ホルダ200から上方に離間する。複数の第1リフトピン203が下位置に位置するとき、複数の第1リフトピン203の上端部が第1基板ホルダ200の内部に退避する。そのため、基板Wが第1基板ホルダ200によって下方から支持される。
第2加熱ユニットD2は、密閉可能なチャンバR4と、基板Wを保持する第2基板ホルダ300と、基板Wを加熱する第2ヒータ301と、基板Wを冷却する第2冷却ユニット302と、基板Wを上下動させる複数の第2リフトピン303と、チャンバR4を排気する排気ユニット304とを含む。
第2ヒータ301および第2冷却ユニット302は、第2基板ホルダ300に内蔵されている。第2ヒータ301、第2冷却ユニット302および第2基板ホルダ300によって、温度調節プレートが構成されている。第2ヒータ301は、伝熱または熱輻射によって基板Wを加熱する。第2ヒータ301には、第2ヒータ301に電力を供給する第2ヒータ通電ユニット310が接続されている。第2ヒータ301は、第1ヒータ201(図4参照)よりも基板Wを高温に加熱することができるように構成されていればよい。第2ヒータ301は、例えば、基板Wを約300℃に加熱可能であればよい。
複数の第2リフトピン303は、第2基板ホルダ300を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。複数の第2リフトピン303が、第2リフトピン昇降ユニット316によって、上位置と下位置との間で昇降される。複数の第2リフトピン303が上位置に位置するとき、基板Wは、第2基板ホルダ300から上方に離間する。複数の第2リフトピン303が下位置に位置するとき、複数の第2リフトピン303の上端部が第2基板ホルダ300の内部に退避する。そのため、基板Wが第2基板ホルダ300によって下方から支持される。
図6は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット3は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット3は、プロセッサ(CPU)3Aと、プログラムが格納されたメモリ3Bとを含む。制御ユニット3は、プロセッサ3Aがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット3は、搬送ロボットIR,CR、シャッタ開閉ユニット33,133、蓋部駆動ユニット214,314、リフトピン昇降ユニット216,316、ヒータ通電ユニット210,310、ガード昇降ユニット36,37,136、ノズル移動ユニット38、バルブ類28,42,52,62,72,82,142,152,162,172,318等の動作を制御する。
基板処理装置1による基板処理では、基板Wが連続して処理される。基板Wの連続処理中、第1加熱ユニットD1の第1ヒータ201は、第1ヒータ通電ユニット210によって通電された状態で維持される(図4参照)。同様に、基板Wの連続処理中、第2加熱ユニットD2の第2ヒータ301は、第2ヒータ通電ユニット310によって通電された状態で維持される(図5参照)。
そして、電動モータ23が基板Wの回転を開始させる(基板回転工程)。そして、ガード昇降ユニット36,37がガード13,14を上位置に配置する。そして、薬液バルブ42が開かれる。これにより、薬液供給ユニット15の薬液ノズル40から基板Wの第1主面W1への薬液の供給が開始される(薬液供給工程)。第1主面W1に供給された薬液は、遠心力によって第1主面W1の全体に行き渡る。これにより、基板Wが薬液によって処理される(ステップS2:薬液処理工程)。遠心力によって基板W外へ排出された薬液は、第1ガード13によって受けられる。
その後、図2を参照して、シャッタ開閉ユニット33によって再びシャッタ32が開かれる。そして、搬送ロボットCRは、出入口31を介して第1液処理ユニットM1にアクセスし、第1液処理ユニットM1から基板Wを搬出する(ステップS7:第1搬出工程)。
そして、図4を参照して、第1蓋部駆動ユニット214によって第1可動蓋部212が上位置に位置させられ、第1リフトピン昇降ユニット216によって、複数の第1リフトピン203が上位置に移動される。そして、搬送ロボットCRが複数の第1リフトピン203から基板Wを受け取り、第1加熱ユニットから基板Wを搬出する(ステップS10:第2搬出工程)。
第2液処理ユニットM2では、図8Fを参照して、第2主面W2が洗浄液によって洗浄される(ステップS12:第2主面洗浄工程)。具体的には、第2洗浄液バルブ152が開かれる。これにより、第2洗浄液供給ユニット104の第2洗浄液ノズル150から基板Wの第2主面W2に向けて洗浄液が供給される(第2洗浄液供給工程)。第2主面W2に供給された洗浄液は、遠心力によって第2主面W2の全体に行き渡る。これにより、第2主面W2が洗浄される。このように、第2洗浄液供給ユニット104は、第2主面洗浄ユニットとして機能する。遠心力によって、基板W外へ飛散した洗浄液は第3ガード102によって受けられる。第2主面洗浄工程は、被覆膜形成工程の終了後に行われている。
その後、図3も参照して、シャッタ開閉ユニット133によって再びシャッタ132が開かれる。そして、搬送ロボットCRは、出入口131を介して第2液処理ユニットM2にアクセスし、第2液処理ユニットM2から基板Wを搬出する(ステップS16:第3搬出工程)。
図9Aに示すように、被覆膜250の厚さT1が第1主面W1に形成された金属パターンPの高さT2よりも大きくなるように、被覆膜250が形成されていることが好ましい。
被覆膜洗浄工程で用いられる洗浄液が、被覆膜250の表層252を溶解させる液体であれば、図9Bに示すように、被覆膜洗浄工程によって、表面251に付着していたパーティクル256,257が表層252ごと除去される(表層除去工程)。ここで、パーティクル256,257が被覆膜250の表面251に強固に付着しており、被覆膜250の表面251からパーティクル256,257を除去しにくい場合が有り得る。このような場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜250の表層252とともにパーティクル256,257を除去することによって、被覆膜250の表面251を確実に洗浄することができる。
以上のように、本実施形態によれば、基板処理装置1は、基板保持ユニット(第1スピンチャック10、第2スピンチャック100、第1基板ホルダ200および第2基板ホルダ300)と、被覆剤を第1主面W1に供給する被覆剤供給ユニット17と、第1主面W1を覆う被覆膜250の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニット(第1洗浄液供給ユニット103)と、制御ユニット3とを含む。そして、制御ユニット3が、第1スピンチャック10、第2スピンチャック100、第1基板ホルダ200および第2基板ホルダ300に、基板Wを水平に保持させる基板保持工程(第1~第4基板保持工程)と、被覆剤供給ユニット17から被覆剤を第1主面W1に供給させることによって、被覆膜250を形成する被覆膜形成工程と、第1洗浄液供給ユニット103に被覆膜250の表面を洗浄させる被覆膜洗浄工程とを実行する。
そのため、被覆膜洗浄工程において被覆膜250の表面251に供給された洗浄液は、被覆膜250の表面251上で広がる。そのため、被覆膜250の表面251の洗浄時間を低減することができる。
第1実施形態に係る基板処理装置1による基板処理は、上述した例に限られない。第1実施形態に係る基板処理装置1による基板処理は、以下に示すような例であってもよい。
第3例の基板処理によれば、汚染された洗浄液の被覆膜250の表面への付着が保護液によって抑制される。したがって、第1主面W1の汚染を抑制することができる。
<第2実施形態>
図13は、第2実施形態に係る基板処理装置1Pに備えられた第2液処理ユニットM2Pの構成例を説明するための図解的な断面図である。図13では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
ブラシ180は、ブラシ移動ユニット183によって、水平方向および鉛直方向に移動される。ブラシ移動ユニット183は、水平方向の移動によって、中央位置と退避位置との間でブラシ180を移動させる。ブラシ180は、中央位置に位置するとき、基板Wの上面の回転中心位置に鉛直方向から対向する。ブラシ180は、退避位置に位置するとき、基板Wの上面に鉛直方向から対向しない。ブラシ移動ユニット183は、制御ユニット3によって制御される(図6参照)
基板処理装置1Pでは、被覆膜洗浄工程(図7のステップS13)を除いて、基板処理装置1とほぼ同様の基板処理が実行される。基板処理装置1Pによる基板処理における被覆膜洗浄工程では、ブラシユニット108によって、被覆膜250の表面がスクラブ洗浄される。具体的には、ブラシ移動ユニット183が、ブラシアーム182を移動させて、被覆膜250の表面にブラシ180を押し付ける。基板Wは、回転されているので、ブラシ180は、被覆膜250の表面に擦り付けられる。したがって、被覆膜250を一層確実に洗浄することができる。このように、基板処理装置1Pによる基板処理では、ブラシユニット108が被覆膜洗浄ユニットとして機能する。なお、ブラシ180が被覆膜250を洗浄する際、第1実施形態の基板処理装置1による基板処理と同様に、被覆膜250の表層252が除去されてもよい(図9Aおよび図9Bを参照)。
また、基板処理装置1Pによる基板処理では、第1実施形態の基板処理装置1による基板処理の第4例と同様に、第2主面W2が上面となるように基板Wを、第2液処理ユニットM2Pの第2スピンチャック100に保持させてもよい。この基板処理では、第2主面洗浄工程(図7のステップS12)において、ブラシ180によって第2主面W2がスクラブ洗浄される。また、被覆膜洗浄工程(図7のステップS13)において、第2洗浄液ノズル150から被覆膜250の表面に向けて洗浄液が供給される。このように、この基板処理では、ブラシユニット108が第2主面洗浄ユニットとして機能し、第2洗浄液供給ユニット104が被覆膜洗浄ユニット(洗浄液供給ユニット)として機能する。
<第3実施形態>
図14は、第3実施形態に係る基板処理装置1Qに備えられた第2液処理ユニットM2Qの構成例を説明するための図解的な断面図である。図14では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
第3洗浄液供給ユニット109は、二流体ノズル190と、第3洗浄液供給管191と、第3洗浄液バルブ192と、気体供給管196と、気体バルブ197とを含む。二流体ノズル190は、SC1等の洗浄液と、窒素ガス(N2)等の気体とを混合して吐出する。第3洗浄液供給管191および気体供給管196は、二流体ノズル190に結合されている。第3洗浄液供給管191には、第3洗浄液供給源から、洗浄液が供給されている。第3洗浄液バルブ192は、第3洗浄液供給管191内の流路を開閉する。気体供給管196には、気体供給源から窒素ガスなどの気体が供給されている。気体バルブ197は、気体供給管196内の流路を開閉する。第3洗浄液バルブ192および気体バルブ197は、制御ユニット3によって制御される(図6参照)。
気体供給源から気体供給管196に供給される気体としては、窒素ガスなどの不活性ガスが好ましい。不活性ガスとは、窒素ガスに限らず、基板Wの上面およびパターンに対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガス以外に、アルゴンなどの希ガス類が挙げられる。
また、基板処理装置1Qによる基板処理では、第1実施形態の基板処理装置1による基板処理の第4例と同様に、第2主面W2が上面となるように基板Wを、第2液処理ユニットM2Pの第2スピンチャック100に保持させてもよい。この基板処理では、第2主面洗浄工程(図7のステップS12)において、二流体ノズル190から第2主面W2に向けて洗浄液が供給される。また、被覆膜洗浄工程(図7のステップS13)において、第2洗浄液ノズル150から被覆膜250の表面に向けて洗浄液が供給される。このように、この基板処理では、第3洗浄液供給ユニット109が第2主面洗浄ユニットとして機能し、第2洗浄液供給ユニット104が被覆膜洗浄ユニット(洗浄液供給ユニット)として機能する。
なお、第3実施形態の基板処理装置1Qによって、第1実施形態の基板処理装置1による基板処理の第2例および第3例と同様の基板処理を行うこともできる。これらの場合であっても、当然、第1洗浄液供給ユニット103の代わりに第3洗浄液供給ユニット09が用いられる。
図15は、第4実施形態に係る基板処理装置1Rの構成を説明するための図解的な立面図である。図15では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
基板処理装置1Rが第1実施形態の基板処理装置1(図1B参照)と主に異なる点は、基板処理装置1Rが、第2加熱ユニットD21,D22の代わりに、第1加熱ユニットD13,D14を含むことである。詳しくは、第3処理タワー2Cは、第2液処理ユニットM21およびM22と、第1加熱ユニットD13とを含む。第4処理タワー2Dは、第2液処理ユニットM23およびM24と、第1加熱ユニットD14とを含む。この基板処理装置1Rによる基板処理では、図7のステップS17~ステップS19は実行されない。基板Wの第1主面W1に形成された被覆膜250は、基板処理装置1Rから取り出された後に、基板処理装置1Rとは別に設けられた昇華ユニット(例えば、プラズマアッシング装置)によって昇華されてもよい。
上述の実施形態とは異なり、基板処理装置1,1P,1Qでは、第2加熱ユニットD2の代わりに、被覆膜250を除去可能なプラズマアッシャーユニット(昇華ユニット)が設けられていてもよい。
1P :基板処理装置
1Q :基板処理装置
1R :基板処理装置
3 :制御ユニット
10 :第1スピンチャック(基板保持ユニット)
17 :被覆剤供給ユニット
18 :除去液供給ユニット(周縁洗浄ユニット)
100 :第2スピンチャック(基板保持ユニット)
103 :第1洗浄液供給ユニット(被覆膜洗浄ユニット、第2主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット)
104 :第2洗浄液供給ユニット(被覆膜洗浄ユニット、第2主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット)
105 :第2リンス液供給ユニット(被覆膜洗浄ユニット、第2主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット、保護液供給ユニット)
106 :第3リンス液供給ユニット(被覆膜洗浄ユニット、第2主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット、保護液供給ユニット)
108 :ブラシユニット(被覆膜洗浄ユニット、第2主面洗浄ユニット)
109 :第3洗浄液供給ユニット(被覆膜洗浄ユニット、第2主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット)
200 :第1基板ホルダ(基板保持ユニット)
201 :第1ヒータ(基板加熱ユニット)
250 :被覆膜
252 :表層
300 :第2基板ホルダ(基板保持ユニット)
301 :第2ヒータ(昇華ユニット)
P :金属パターン
W :基板
W1 :第1主面
W2 :第2主面
Claims (21)
- 金属パターンが形成された第1主面、および前記第1主面の反対側の第2主面を有する基板を水平に保持する基板保持工程と、
被覆剤を前記第1主面に供給することによって、前記第1主面を覆う昇華性の被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、
前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄工程とを含み、
前記被覆膜形成工程が、前記被覆剤が前記第1主面に供給された後に、前記基板を加熱することによって前記被覆剤を固化させて前記被覆膜を形成する固化工程を含み、
前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記被覆膜を昇華させる昇華工程をさらに含む、基板処理方法。 - 前記被覆膜形成工程の終了後に、前記第2主面を洗浄する第2主面洗浄工程をさらに含み、
前記被覆膜洗浄工程が、前記第2主面洗浄工程の終了後に開始され、または、前記第2主面洗浄工程と並行して実行される、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記被覆膜洗浄工程が、前記第2主面洗浄工程の終了後に前記被覆膜の表面の洗浄を開始する第1洗浄工程を含む、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記被覆膜洗浄工程が、前記第2主面洗浄工程と並行して前記被覆膜の表面を洗浄する第2洗浄工程を含む、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記第2洗浄工程が、前記第2主面洗浄工程の終了後に終了される、請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記被覆膜の表面を保護する保護液を前記被覆膜の表面に供給する保護液供給工程をさらに含み、
前記保護液供給工程が、前記被覆膜洗浄工程の開始前に前記第2主面洗浄工程と並行して実行される、請求項2~5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表面に洗浄液を供給することによって、前記被覆膜の表面を洗浄する工程を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表層を除去する工程を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記固化工程の開始前に、前記第2主面の周縁を洗浄する周縁洗浄工程をさらに含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 金属パターンが形成された第1主面、および前記第1主面の反対側の第2主面を有する基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
前記第1主面を覆う昇華性の被覆膜を形成可能な被覆剤を前記第1主面に供給する被覆剤供給ユニットと、
前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニットと、
前記基板を加熱する基板加熱ユニットと、
前記被覆膜を昇華する昇華ユニットと、
前記基板保持ユニット、前記被覆剤供給ユニット、前記被覆膜洗浄ユニット、前記基板加熱ユニット、および、前記昇華ユニットを制御する制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットが、前記基板保持ユニットによって、前記基板が水平に保持される基板保持工程と、前記被覆剤供給ユニットから前記被覆剤を前記第1主面に供給することによって、前記被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記被覆膜洗浄ユニットによって前記被覆膜の表面が洗浄される被覆膜洗浄工程とを実行するようにプログラムされており、
前記制御ユニットが、前記被覆膜形成工程において、前記被覆剤が前記第1主面に供給された後に、前記基板加熱ユニットによって前記基板が加熱されることによって、前記被覆膜を固化させる固化工程を実行するようにプログラムされており、
前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記昇華ユニットによって前記被覆膜が昇華される昇華工程を実行するようにプログラムされている、基板処理装置。 - 前記第2主面を洗浄する第2主面洗浄ユニットをさらに含み、
前記制御ユニットが、前記被覆膜形成工程の終了後に、前記第2主面洗浄ユニットによって、前記第2主面が洗浄される第2主面洗浄工程をさらに実行するようにプログラムされており、
前記制御ユニットが、前記第2主面洗浄工程の終了後に前記被覆膜洗浄工程を開始するように、または、前記第2主面洗浄工程と並行して前記被覆膜洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記第2主面洗浄工程の終了後に、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の洗浄が開始される第1洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記第2主面洗浄工程と並行して、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の表面が洗浄される第2洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記制御ユニットが、前記第2主面洗浄工程の終了後に前記第2洗浄工程を終了させるようにプログラムされている、請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記被覆膜の表面を保護する保護液を前記第1主面に供給する保護液供給ユニットをさらに含み、
前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程の開始前に前記第2主面洗浄工程と並行して、前記保護液供給ユニットから前記被覆膜の表面に前記保護液を供給する保護液供給工程を実行するようにプログラムされている、請求項11~14のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記被覆膜洗浄ユニットが、前記第1主面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給ユニットを有し、
前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記洗浄液供給ユニットから前記第1主面に向けて洗浄液を供給することによって、前記被覆膜の表面を洗浄する工程を実行するようにプログラムされている、請求項10~15のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記被覆膜の表層を除去する工程を実行するようにプログラムされている、請求項10~16のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第2主面の周縁を洗浄する周縁洗浄ユニットをさらに含み、
前記制御ユニットが、前記固化工程の開始前に、前記周縁洗浄ユニットによって、前記第2主面の周縁が洗浄される周縁洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項10~17のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - パターンが形成された第1主面、および前記第1主面の反対側の第2主面を有する基板を水平に保持する基板保持工程と、
被覆剤を前記第1主面に供給することによって、前記第1主面を覆う昇華性の被覆膜を、前記被覆膜の厚さが前記パターンの高さよりも大きくなるように形成する被覆膜形成工程と、
前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄工程と、
前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記基板を加熱することによって前記被覆膜を昇華させる昇華工程とを含み、
前記被覆膜洗浄工程は、前記被覆膜の表層を除去する工程であり、
前記被覆膜の前記表層の除去が、前記被覆膜の前記表層の除去の後においても前記被覆膜の厚さが前記パターンの高さよりも大きくなり前記パターンが露出しないように、行われ、
前記昇華工程は、前記被覆膜の前記表層の除去後に前記第1主面に残存する前記被覆膜の全てを除去する工程である、基板処理方法。 - 前記被覆膜形成工程が、前記被覆剤が前記第1主面に供給された後に、前記基板を加熱することによって前記被覆剤を固化させて前記被覆膜を形成する固化工程を含む、請求項19に記載の基板処理方法。
- 前記パターンが、金属パターンを含む、請求項19または20に記載の基板処理方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017148111A JP6993806B2 (ja) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR1020180072953A KR102159477B1 (ko) | 2017-07-31 | 2018-06-25 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US16/018,511 US10651058B2 (en) | 2017-07-31 | 2018-06-26 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
TW107122120A TWI704614B (zh) | 2017-07-31 | 2018-06-27 | 基板處理方法以及基板處理裝置 |
CN201810722348.XA CN109326535B (zh) | 2017-07-31 | 2018-06-29 | 基板处理方法和基板处理装置 |
CN202210830098.8A CN115148641A (zh) | 2017-07-31 | 2018-06-29 | 基板处理方法和基板处理装置 |
KR1020200119930A KR102276773B1 (ko) | 2017-07-31 | 2020-09-17 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017148111A JP6993806B2 (ja) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019029527A JP2019029527A (ja) | 2019-02-21 |
JP6993806B2 true JP6993806B2 (ja) | 2022-01-14 |
Family
ID=65038879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017148111A Active JP6993806B2 (ja) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10651058B2 (ja) |
JP (1) | JP6993806B2 (ja) |
KR (2) | KR102159477B1 (ja) |
CN (2) | CN109326535B (ja) |
TW (1) | TWI704614B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7160624B2 (ja) | 2018-10-17 | 2022-10-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7191748B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2022-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR102288985B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2021-08-13 | 세메스 주식회사 | 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11177146B2 (en) * | 2019-10-31 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
KR102248770B1 (ko) * | 2020-02-06 | 2021-05-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008140818A (ja) | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | デバイス素子製造方法およびダイシング方法 |
JP2012243869A (ja) | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP2013016699A (ja) | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2013042093A (ja) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2015065396A (ja) | 2013-08-27 | 2015-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP2015149410A (ja) | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、前処理装置、後処理装置、基板処理システムおよび記憶媒体 |
US20160099160A1 (en) | 2014-10-06 | 2016-04-07 | Lam Research Corporation | Method for collapse-free drying of high aspect ratio structures |
JP2016103595A (ja) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3739220B2 (ja) | 1998-11-19 | 2006-01-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法及びその装置 |
JP4897159B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2012-03-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法 |
JP4832201B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2011-12-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2009099856A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP5586734B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2014-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP2014216556A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターン付き基板の加工方法およびパターン付き基板の加工装置 |
US20150064911A1 (en) | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium |
TWI584370B (zh) * | 2013-08-27 | 2017-05-21 | Tokyo Electron Ltd | A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium |
JP6438649B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2018-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2015157396A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 凸版印刷株式会社 | 金属箔パターン積層体及び太陽電池モジュール |
TWI651574B (zh) * | 2015-01-12 | 2019-02-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
JP2017004788A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 株式会社リコー | 導電パターン形成基板及び基板製造方法 |
JP6279037B2 (ja) | 2016-08-30 | 2018-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄システム |
JP6325067B2 (ja) | 2016-12-15 | 2018-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
-
2017
- 2017-07-31 JP JP2017148111A patent/JP6993806B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-25 KR KR1020180072953A patent/KR102159477B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-26 US US16/018,511 patent/US10651058B2/en active Active
- 2018-06-27 TW TW107122120A patent/TWI704614B/zh active
- 2018-06-29 CN CN201810722348.XA patent/CN109326535B/zh active Active
- 2018-06-29 CN CN202210830098.8A patent/CN115148641A/zh active Pending
-
2020
- 2020-09-17 KR KR1020200119930A patent/KR102276773B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008140818A (ja) | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | デバイス素子製造方法およびダイシング方法 |
JP2012243869A (ja) | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP2013016699A (ja) | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2013042093A (ja) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2015065396A (ja) | 2013-08-27 | 2015-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP2015149410A (ja) | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、前処理装置、後処理装置、基板処理システムおよび記憶媒体 |
US20160099160A1 (en) | 2014-10-06 | 2016-04-07 | Lam Research Corporation | Method for collapse-free drying of high aspect ratio structures |
JP2016103595A (ja) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109326535A (zh) | 2019-02-12 |
US20190035650A1 (en) | 2019-01-31 |
TW201911407A (zh) | 2019-03-16 |
CN109326535B (zh) | 2022-07-12 |
KR102276773B1 (ko) | 2021-07-12 |
JP2019029527A (ja) | 2019-02-21 |
KR20190013470A (ko) | 2019-02-11 |
CN115148641A (zh) | 2022-10-04 |
US10651058B2 (en) | 2020-05-12 |
KR102159477B1 (ko) | 2020-09-24 |
KR20200110727A (ko) | 2020-09-25 |
TWI704614B (zh) | 2020-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6993806B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6000822B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄システム | |
JP5543633B2 (ja) | 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 | |
TWI244131B (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
TW200527498A (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
JP6356295B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法および記憶媒体 | |
JP6279037B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄システム | |
JP6725384B2 (ja) | 基板処理方法 | |
TWI669769B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP7149087B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI666697B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體 | |
TW201916219A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP4787038B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7160624B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102343636B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP7182879B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP3964177B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2009081370A (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
JP4046972B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2002280292A (ja) | 基板処理方法および現像処理方法 | |
TW202314838A (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
JP2019186388A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TW201820409A (zh) | 顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6993806 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |