JP2009099856A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程(ST1)と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程(ST2)と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程(ST3)とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程(ST1)と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程(ST2)と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程(ST3)とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板処理方法に係り、特に、被処理基板の裏面の洗浄方法に関する。又、本発明は、上記の基板処理方法に使用される基板処理装置に関する。
半導体装置の製造工程において、リソグラフィ技術が用いられており、それによって、半導体装置の回路パターンが、被処理基板上に塗布されたレジストに露光転写されている。
レジストや下層反射防止膜などの塗布膜を形成する工程においては、塗布膜が被処理基板の端部を経由して被処理基板裏面に回り込み、被処理基板の端部や基板裏面側のベベル部などを汚染することがあるため、塗布膜形成工程の後に、被処理基板の裏面はバックリンス処理などによって、洗浄されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、一般的に、塗布膜が被処理基板上に形成される前に、被処理基板と塗布膜との密着性を向上させるために、被処理基板に対して、疎水化処理が施されている。
この疎水化処理時に、疎水化処理液が被処理基板の裏面に回りこみ、基板裏面まで疎水化されてしまい、基板裏面の洗浄を行う際の洗浄液と基板裏面との接触角が大きくなる。
このため、基板裏面洗浄処理工程の際、特に、被処理基板終端部の面取り加工されたベベル部に洗浄液が十分行き渡らず、基板端部や基板裏面側のベベル部に、汚染物質が残存してしまう。
特開2006−332185号公報
本発明の例は、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる技術を提案する。
本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを備える。
本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板に対して疎水化処理を行う工程と、前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、前記塗布膜を形成した後且つ前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを備える。
本発明の例に関わる基板処理装置は、被処理基板を保持する被処理基板保持手段と、前記被処理基板の表面に塗布液を供給するための塗布液供給手段と、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を施すための基板裏面親水化処理手段と、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給するための基板裏面洗浄手段とを備える。
本発明の例によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するためのいくつかの形態について詳細に説明する。
2. 実施形態
(1) 基本形態
図1を用いて、本発明の実施形態である基板処理方法の基本形態について、説明する。
(1) 基本形態
図1を用いて、本発明の実施形態である基板処理方法の基本形態について、説明する。
図1に示すように、本実施形態の基板処理方法において、はじめに、被処理基板表面に塗布膜が形成される(ST1)。次に、被処理基板の裏面に対して、親水化処理が行われる(ST2)。その後、親水化された被処理基板の裏面に対して、洗浄液が供給され、被処理基板裏面が洗浄される(ST3)。
上記の基板処理方法において、被処理基板裏面が、親水化処理されることによって、被処理基板の裏面の親水性が高まり、被処理基板と基板裏面洗浄のための洗浄液との接触角を小さくすることができる。
よって、被処理基板裏面に対する洗浄効果が向上し、塗布液が基板裏面側に回り込むことによって形成される塗布膜の除去を容易に行うことができる。
それゆえ、本発明の実施形態によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する被処理基板表面に形成された保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、被処理基板裏面の汚染物質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置などの汚染を防止することができる。
したがって、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
したがって、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
上記の基板処理方法は、特に、被処理基板と塗布膜との密着性の向上のために、被処理基板が疎水化処理される際に、基板裏面も疎水化されてしまい、基板裏面洗浄工程において、基板裏面と洗浄液との接触角が大きくなることで、基板裏面に形成された塗布膜の除去が困難となってしまう場合に、より効果的となる。
以下、上記の基本形態に基づくいくつかの実施形態について、下層反射防止膜の塗布工程に対して本発明の実施形態が適用される場合を例として、説明する。
(2) 第1の実施形態
以下、図2乃至図6を用いて、本発明の第1の実施形態について説明する。
以下、図2乃至図6を用いて、本発明の第1の実施形態について説明する。
図2は、本実施形態の基板処理方法の各工程を示すフローチャートである。
はじめに、図2に示すように、被処理基板は、疎水化処理液又はその蒸気によって、疎水化処理される(ST0)。次に、疎水化処理された被処理基板の表面に、塗布膜として、例えば、下層反射防止膜が、形成される(ST1)。
続いて、被処理基板の裏面に親水化処理液が供給され、基板裏面が親水化される(ST2a)。その後、親水化された被処理基板の裏面に対して、洗浄液が供給され、基板裏面洗浄が行われる(ST3)。
以上の工程に示すように、被処理基板裏面に対して親水化処理工程(ST2a)を行うことで、疎水化処理液によって疎水化された被処理基板裏面は、親水化される。そのため、被処理基板1の裏面の親水性が高まり、基板裏面洗浄工程において、被処理基板1の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。
それゆえ、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、塗布液が被処理基板裏面側に回り込むことで基板裏面に形成される下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
したがって、被処理基板裏面の汚染物質に起因する被処理基板表面に形成される保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、被処理基板裏面の汚染物質に起因する露光転写時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
以上のように、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
また、図3は、本発明の第1の実施形態の基板処理方法に使用される基板処理装置20を示している。基板処理装置20は、例えば、基板裏面洗浄機構を有する塗布膜形成装置を図示している。
図3に示すように、本実施形態の基板処理装置20において、被処理基板1は、基板保持ステージ(被処理基板保持手段)2A上に搭載される。基板保持ステージ2Aは回転機構2Bを備え、基板保持ステージ2A上の被処理基板1を回転機構2Bによって回転させることで、下層反射防止膜などの塗布膜が被処理基板1表面に形成される。
基板処理装置20内の被処理基板表面側には、塗布液供給ノズル(塗布液供給手段)3が設けられ、塗布液は、塗布液供給ノズル3によって被処理基板1表面に供給される。この塗布液供給ノズル3は、例えば、塗布液を被処理基板1表面の全面に供給できるように、移動機構を備えている。
基板処理装置20内の被処理基板裏面側には、親水化処理ノズル(基板裏面親水化手段)4及び洗浄ノズル(基板裏面洗浄手段)5が設けられている。親水化処理液は、親水化処理ノズル4によって、被処理基板1裏面に供給される。また、親水化処理ノズル4は、例えば、親水化処理液を、被処理基板1裏面側のベベル部まで供給できるように、移動機構を備えている。同様に、洗浄液は、洗浄ノズル5によって、被処理基板1裏面に供給される。
また、飛散防止カップ6が、親水化処理液や洗浄液の飛散を防止するために、被処理基板1及び基板保持ステージ2の周囲を取り囲むように、設けられる。尚、例えば、被処理基板1に疎水化処理を施すための疎水化処理手段を、さらに備えていてもよい。
以下、図4乃至図6を用いて、図3に示される基板処理装置によって行われる本実施形態の基板処理方法について、詳細に説明する。
はじめに、被処理基板1は、被処理基板と後の工程で形成される塗布膜との密着性を向上させるために、例えば、基板処理装置20とは別途の装置を用いて、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)などの疎水化溶液又はその蒸気によって、疎水化処理される(ST0)。尚、基板処理装置20が疎水化手段を備える場合には、それによって、被処理基板1に対して、疎水化処理を施してもよい。
次に、疎水化処理された被処理基板1は、基板処理装置20内に搬送され、図4に示すように、基板処理装置20の基板保持ステージ2A上に搭載される。
そして、塗布液が、塗布液供給ノズル3から被処理基板1表面、主に、回路パターンが露光転写されて素子が形成される素子形成領域に供給され、回転機構2Bによる回転塗布によって、塗布膜の形成及び乾燥されて、被処理基板1の表面に下層反射防止膜が形成される(ST1)。
図4に示すように、回転塗布において下層反射防止膜を形成する場合、供給された塗布液が被処理基板1裏面側に回りこみ、下層反射防止膜10が、被処理基板1の端部1Aや、被処理基板1の裏面、特に、ベベル部1Bの裏面に、付着してしまうことがある。このように被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜が、汚染物質として、半導体装置の製造歩留まりを低下させてしまう。
そして、塗布液が、塗布液供給ノズル3から被処理基板1表面、主に、回路パターンが露光転写されて素子が形成される素子形成領域に供給され、回転機構2Bによる回転塗布によって、塗布膜の形成及び乾燥されて、被処理基板1の表面に下層反射防止膜が形成される(ST1)。
図4に示すように、回転塗布において下層反射防止膜を形成する場合、供給された塗布液が被処理基板1裏面側に回りこみ、下層反射防止膜10が、被処理基板1の端部1Aや、被処理基板1の裏面、特に、ベベル部1Bの裏面に、付着してしまうことがある。このように被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜が、汚染物質として、半導体装置の製造歩留まりを低下させてしまう。
続いて、図5に示すように、被処理基板1の裏面に対し、例えば、現像液などのアルカリ溶液が、親水化処理液として親水化処理ノズル4から供給される(ST2a)。これによって、基板端部1A及びベベル部1Bを含む被処理基板1の裏面は親水性が高まり、被処理基板1裏面と後の工程で供給される洗浄液との接触角を小さくすることができる。
被処理基板1裏面の親水化処理工程の後、図6に示すように、被処理基板1の裏面に対して、洗浄液が、洗浄ノズル5から供給され、被処理基板1の裏面の洗浄が行われる(ST3)。それによって、ベベル部1Bの裏面などの被処理基板1裏面や被処理基板1の端部1Aに形成された下層反射防止膜が除去される。
この際、基板裏面の親水化処理工程によって、洗浄液と被洗浄基板裏面との接触角が小さくなっているため、洗浄効果は向上し、基板裏面に回り込んで形成された下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
この際、基板裏面の親水化処理工程によって、洗浄液と被洗浄基板裏面との接触角が小さくなっているため、洗浄効果は向上し、基板裏面に回り込んで形成された下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
尚、洗浄液には、例えば、シクロヘキサンが使用される。使用する溶剤としては、塗布膜に含まれる物質を溶解しやすいものが好ましく、例えば、ガンマブチロラクトンや、PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)とPGMEA(プロプレングリコールモノメチルエーテルアセテート)の混合溶剤が用いられる。
被処理基板裏面洗浄工程(ST3)の後、被処理基板1表面の下層反射防止膜上には、SOG(Spin On Glass)膜(図示せず)、化学増幅型レジスト膜(図示せず)、保護膜(図示せず)が順次形成される。この際、被処理基板1の裏面の汚染物質は除去されており、基板裏面に付着した汚染物質に起因して、下層反射防止膜上に形成される各塗布膜の被覆性の悪化や剥がれを防止できる。また、各塗布膜を形成するための塗布装置・現像装置の汚染を防止できる。
その後、所定のパターンが、露光用レチクルを介して、ArFエキシマレーザによって、被処理基板上のレジスト膜に縮小投影露光される。この際、基板裏面に形成された下層反射防止膜のような汚染物質に起因して、被処理基板がレチクルに対して傾くことを防止でき、露光転写時のデフォーカスを抑制できる。また、基板裏面の汚染物質に起因する露光装置の汚染を防止できる。
尚、本発明の第1の実施形態は、基板裏面洗浄工程(ST3)の前ならば、塗布膜形成工程と親水化処理工程との順序は問わず、図7に示すように、親水化処理工程(ST11)の後に、塗布膜形成工程(ST12)を行っても良い。この場合には、被処理基板裏面は親水化されているので、被処理基板の裏面と親水化処理工程の後に形成される塗布膜との密着性は低下する。それゆえ、基板裏面洗浄工程(ST13)において、被処理基板裏面に対する洗浄効果は向上し、基板裏面に付着した汚染物質の除去を容易に行うことができる。
以上のように、本発明の第1の実施形態において、被処理基板1の裏面に対して親水化処理が施される。それによって、被処理基板1の裏面の親水性が高まり、基板裏面洗浄工程において、被処理基板1の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。
そのため、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、基板裏面に回り込んで基板端部1Aや裏面側のベベル部1Bに形成された下層反射防止膜(塗布膜)の除去を容易に行うことができる。また、基板裏面に対して親水化処理を施すことによって、上述のような基板裏面の塗布膜以外の基板裏面の汚染物(例えば、パーティクル)に対しても、洗浄効果を向上させることができる。
それゆえ、被処理基板裏面の汚染物質に起因する基板表面に形成された保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、基板裏面の汚染物質質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
したがって、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
(3) 第2の実施形態
以下、図8を用いて、本発明の第2の実施形態について説明する。
以下、図8を用いて、本発明の第2の実施形態について説明する。
第1の実施形態においては、親水化処理液として、例えば、現像液などのアルカリ溶液を用いて、被処理基板裏面の親水化処理工程を行った。しかし、親水化処理液はアルカリ溶液に限定されず、例えば、オゾン水を用いて被処理基板裏面の親水化処理を行っても良い。
第2の実施形態においては、親水化処理液にオゾン水を用いた場合の基板処理方法について説明する。尚、本実施形態の基板処理方法に用いられる基板処理装置は、図3に示す基板処理装置と同じでよく、説明は省略する。
第2の実施形態においては、親水化処理液にオゾン水を用いた場合の基板処理方法について説明する。尚、本実施形態の基板処理方法に用いられる基板処理装置は、図3に示す基板処理装置と同じでよく、説明は省略する。
図8に示すように、第1の実施形態と同様に、被処理基板に対して疎水化処理工程(ST0)が行われた後、被処理基板の表面に、下層反射防止膜が形成される(ST1)。この際、回転塗布においては、塗布液が被処理基板の裏面に回りこみ、基板裏面に塗布液が付着してしまうことがある。
そして、下層反射防止膜が形成された後、被処理基板の裏面に対し、オゾン水が供給され、オゾン水による親水化処理が行われる(ST2b)。
親水化処理液としてオゾン水を用いることで、被処理基板裏面は親水化される。また、その酸化作用により、下層反射防止膜を構成する有機物の表面にカルボニル基やカルボキシル基が形成されるため、下層反射防止膜の表面も親水化される。
それによって、被処理基板裏面の基板端部及びベベル部の親水性が高まり、基板裏面と後の工程で供給される洗浄液との接触角を小さくすることができる。
また、親水化効果に加え、オゾン水による酸化作用によって、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜が含む有機物が分解され、基板裏面の洗浄効果がさらに向上する。
親水化処理液としてオゾン水を用いることで、被処理基板裏面は親水化される。また、その酸化作用により、下層反射防止膜を構成する有機物の表面にカルボニル基やカルボキシル基が形成されるため、下層反射防止膜の表面も親水化される。
それによって、被処理基板裏面の基板端部及びベベル部の親水性が高まり、基板裏面と後の工程で供給される洗浄液との接触角を小さくすることができる。
また、親水化効果に加え、オゾン水による酸化作用によって、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜が含む有機物が分解され、基板裏面の洗浄効果がさらに向上する。
そして、被処理基板の裏面に対して、洗浄液が供給され、基板裏面洗浄が行われる(ST3)。それによって、被処理基板1のベベル部1Bの裏面や被処理基板1の端部1Aに形成された下層反射防止膜が除去される。
この際、基板裏面の親水化処理工程によって、洗浄液と被洗浄基板裏面との接触角が小さくなっているため、洗浄効果は向上し、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
この際、基板裏面の親水化処理工程によって、洗浄液と被洗浄基板裏面との接触角が小さくなっているため、洗浄効果は向上し、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
その後、第1の実施形態と同様に、下層反射防止膜上には、SOG膜、化学増幅型レジスト膜、保護膜が順次形成される。さらに、所定のパターンが、被処理基板上のレジスト膜に縮小投影露光される。
以上のように、本発明の第2の実施形態において、被処理基板裏面の親水化処理工程の際に、被処理基板は、親水化処理液としてのオゾン水によって親水化される。それによって、被処理基板1の裏面の親水性が高まり、基板裏面洗浄工程において、被処理基板1の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。また、オゾン水による酸化作用により、被処理基板の裏面に形成された下層反射防止膜が含む有機物が分解される。
そのため、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、裏面に回り込んで形成された下層反射防止膜(塗布膜)の除去が容易になる。また、基板裏面の他の汚染物(例えば、パーティクル)の除去に対しても、有効である。
それゆえ、被処理基板に形成される保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、基板裏面の汚染物質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
したがって、本発明の第2の実施形態によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
尚、本発明の第2の実施形態においては、被処理基板の表面に下層反射防止膜を形成した後に、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行った基板処理方法について説明したが、第1の実施形態と同様に、被処理基板裏面の親水化処理を行った後に、被処理基板の表面に下層反射防止膜を形成してもよい。
(4) 第3の実施形態
以下、図9及び図10を用いて、本発明の第3の実施形態について説明する。
以下、図9及び図10を用いて、本発明の第3の実施形態について説明する。
第1及び第2の実施形態においては、アルカリ溶液又はオゾン水などの親水化処理液を用いて、被処理基板裏面の親水化処理工程を行った。
しかし、本発明の実施形態は、親水化処理液による親水化処理に限定されず、図9に示すように、UV光を用いたUV洗浄によって被処理基板裏面の親水化処理工程を行ってもよい。この場合、本実施形態の基板処理装置20は、図10に示すように、親水化処理手段として、UV光源7を備えている。
図9を用いて、第3の実施形態の基板処理方法について説明する。
図9に示すように、第1及び第2の実施形態と同様に、被処理基板が疎水化処理された(ST0)後、被処理基板の表面に下層反射防止膜が形成される(ST1)。
次に、被処理基板裏面に対して、UV洗浄が行われる(ST2c)。具体的には、例えば、波長が184nmのUV光が、UV光源から照射され、それによって、基板処理装置内に、オゾンが発生する(ST2c−1)。
さらに、発生したオゾンに対して、例えば、254nmの波長のUV光が、UV光源から被処理基板裏面に照射される。それによって、励起状態の酸素原子が生成される。この酸素原子の酸化作用によって、被処理基板裏面の表面や下層反射防止膜を構成する有機物表面に、カルボニル基やカルボキシル基などが生成されるため、被処理基板裏面は親水化される(ST2c−2)。
また、UV光(波長254nm)を被処理基板裏面に照射することによって、基板裏面の下層反射防止膜に含まれる有機物の結合が切断される。そして、有機物の未結合手と励起状態の酸素原子とが反応することで、有機物からCO2やH2Oが生成され、有機物が揮発する。
さらに、発生したオゾンに対して、例えば、254nmの波長のUV光が、UV光源から被処理基板裏面に照射される。それによって、励起状態の酸素原子が生成される。この酸素原子の酸化作用によって、被処理基板裏面の表面や下層反射防止膜を構成する有機物表面に、カルボニル基やカルボキシル基などが生成されるため、被処理基板裏面は親水化される(ST2c−2)。
また、UV光(波長254nm)を被処理基板裏面に照射することによって、基板裏面の下層反射防止膜に含まれる有機物の結合が切断される。そして、有機物の未結合手と励起状態の酸素原子とが反応することで、有機物からCO2やH2Oが生成され、有機物が揮発する。
続いて、被処理基板の裏面に洗浄液が供給され、洗浄液による洗浄効果と、UV洗浄による有機物の揮発によって、被処理基板1のベベル部1Bの裏面や被処理基板1の端部1Aに形成された下層反射防止膜が除去される(ST3)。
その後、第1の実施形態と同様に、下層反射防止膜上には、SOG膜、化学増幅型レジスト膜、保護膜が順次形成される。さらに、所定のパターンが、被処理基板上のレジスト膜に縮小投影露光される。
以上のように、本発明の第3の実施形態においては、被処理基板裏面の親水化処理工程の際に、被処理基板の裏面がUV光よって励起された酸素原子による酸化作用によって、親水化される。それによって、被処理基板1の裏面の親水性が高まり、基板裏面の洗浄工程において、被処理基板1の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。
また、UV光が被処理基板裏面の下層反射防止膜に照射されることによって、励起状態の酸素原子と下層反射防止膜に含まれる有機物が反応し、有機物が揮発・除去される。
また、UV光が被処理基板裏面の下層反射防止膜に照射されることによって、励起状態の酸素原子と下層反射防止膜に含まれる有機物が反応し、有機物が揮発・除去される。
そのため、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜の除去が容易になる。また、基板裏面の他の汚染物(例えば、パーティクル)の除去に対しても、有効である。
それゆえ、被処理基板に形成される保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、基板裏面の汚染物質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
したがって、本発明の第3の実施形態によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
尚、本発明の第3の実施形態においては、被処理基板の表面に下層反射防止膜を形成した後に、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行った基板処理方法について説明したが、第1の実施形態と同様に、UV洗浄による親水化処理の後に、下層反射防止膜を形成しても良い。
3. その他
本発明の第1乃至第3の実施形態においては、被処理基板裏面の汚染物質として、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜(塗布膜)を例としたが、それに限定されない。
例えば、回転塗布によって形成されるSOG膜、化学増幅型レジスト膜及び保護膜や、パーティクルなども、被処理基板裏面の汚染物質に含まれるのは、勿論である。
本発明の第1乃至第3の実施形態においては、被処理基板裏面の汚染物質として、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜(塗布膜)を例としたが、それに限定されない。
例えば、回転塗布によって形成されるSOG膜、化学増幅型レジスト膜及び保護膜や、パーティクルなども、被処理基板裏面の汚染物質に含まれるのは、勿論である。
本発明の例は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1:被処理基板、1A:基板端部、1B:ベベル部、2A:基板保持ステージ、2B:回転機構、3:塗布液供給ノズル、4:親水化処理ノズル、5:洗浄ノズル、6:飛散防止カップ、7:UV光源、10:下層反射防止膜、20:基板処理装置。
Claims (5)
- 被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、
前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、
前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板に対して疎水化処理を行う工程と、
前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、
前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、
前記塗布膜を形成した後且つ前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。 - 前記親水化処理は、前記基板端部又は前記被処理基板のベベル部の裏面に対して行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理方法。
- 前記親水化処理は、アルカリ溶液、オゾン水の供給及びUV光の照射のうちいずれか1つで行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 被処理基板を保持する被処理基板保持手段と、
前記被処理基板の表面に塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を施すための基板裏面親水化処理手段と、
前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給するための基板裏面洗浄手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
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2007
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