JP4318561B2 - フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
また、特にガラス基板の側面や面取り面の端面に付着している異物は、主にハンドリング時に発生する有機物であったり、保管ケース接触部から発生する有機物である場合が多い。ガラス基板上に形成する被転写体に転写するための転写パターンとなる薄膜は、スパッタリングによる成膜の際、回り込みにより、ガラス基板の側面や面取り面の端面に極薄く形成される。この端面に付着した有機物は、ガラス基板の端面に形成される極薄い膜に対して、密着性低下という悪影響を与え、膜剥がれによる発塵汚染を招く恐れがある。
また、透光性基板の端面に有機物が残留していないので、スパッタリングによる成膜の際、回り込みにより透光性基板の端面に極薄い膜が形成されても、膜剥がれによる発塵汚染は発生しない。
また、主表面の洗浄前に端面を洗浄しておくことにより、例えばその後のエッチング洗浄が浸漬式である場合でも、端面の異物などの主表面への回り込みを極めて少なくすることができる。
図1は、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法おける一実施の形態において、透明基板を洗浄するために用いられるスピン洗浄装置を示す構成図である。図2は、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法における一実施の形態において、透明基板を洗浄するために用いられる他のスピン洗浄装置を示す構成図である。図3は、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法における一実施の形態において、透明基板の表面を改質するための紫外線照射装置を示す正面図である。図4は、本発明に係るフォトマスクブランクの製造方法における一実施形態において、透明基板の端面を洗浄する端面洗浄装置を示す平面図である。図5は、図1のスピン洗浄装置等にて洗浄された透明基板上に成膜を施すスパッタリング装置を示す構成図である。図6は、フォトマスクブランクの構成要素である透明基板の一部を示す部分側面図である。
また、透光性基板1の端面6に付着した有機物が除去されているので、スパッタリングによる成膜の際、回り込みにより透光性基板1の端面6に極薄い膜が形成されても、膜剥がれによる発塵を防止でき、このため、パーティクル等の欠陥が極めて少なくなって、高品質なフォトマスクブランクの製造が可能となる。
スクラブ洗浄は、図2のスピン洗浄装置25において、洗浄液供給ノズル27から透明基板1へ洗浄液を供給しつつ、電動モータ17により透明基板1を回転させ、この状態で洗浄ツール26を透明基板1とは逆方向に回転させつつ、透明基板1の主表面2に押し付けて接触させることにより、透明基板1の主表面2を洗浄するものである。
更に、浸漬洗浄は、図示しないオーバーフロー槽に貯溜された洗浄液としての溶媒に超音波を印加し、このオーバーフロー槽内に透明基板1を浸漬させて振動させることにより、透明基板1の主表面2を洗浄するものである。
各実施例における透明基板1の表面改質処理は、図3の紫外線照射装置40において、波長172nmのXe2エキシマUVランプを用い70秒間紫外線を照射して行った。
2流体噴射洗浄及び超音波洗浄のいずれの場合も、2流体噴射ノズル13、超音波洗浄ノズル14を透明基板1の主表面2の中央から端面の間でスイングさせ、その1往復を10秒のペースで80秒間実行した。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、その後、透明基板1の主表面2にスクラブ洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が956個、洗浄後が27個であり、異物除去率は97.2%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、その後、透明基板1の主表面2に2流体噴射洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が1013個、洗浄後が13個であり、異物除去率は98.7%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、その後、透明基板1の主表面2に超音波洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が798個、洗浄後が14個であり、異物除去率は98.2%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、その後、透明基板1の主表面2に2流体噴射洗浄及び超音波洗浄を同時に実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が861個、洗浄後が8個であり、異物除去率は99.1%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2にスクラブ洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が922個、洗浄後が16個であり、異物除去率は98.3%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2に2流体噴射洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が973個、洗浄後が9個であり、異物除去率は99.1%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2に超音波洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が1088個、洗浄後が4個であり、異物除去率は99.6%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2に2流体噴射洗浄及び超音波洗浄を同時に実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が801個、洗浄後が0個であり、異物除去率は100%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2にスクラブ洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が729個、洗浄後が2個であり、異物除去率は99.7%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2にスクラブ洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が939個、洗浄後が1個であり、異物除去率は99.9%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2にスクラブ洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が842個、洗浄後が3個であり、異物除去率は99.6%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、次に、透明基板1の主表面2にパドルエッチング処理を実施し、その後、透明基板1の主表面2にスクラブ洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が868個、洗浄後が6個であり、異物除去率は99.3%であった。
透明基板1に紫外線を照射することで表面改質処理を実施し、次に、透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、その後、透明基板1の主表面2に浸漬洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が960個、洗浄後が25個であり、異物除去率は97.4%であった。
透明基板1を浸漬エッチング処理し、次に、この透明基板1の端面6に端面スクラブ洗浄を実施し、その後、透明基板1の主表面2にスクラブ洗浄を実施した後、透明基板1をリンス処理し乾燥した。この透明基板1の端面6は端面研磨処理され、鏡面に研磨されたものである。
透明基板1の表面の異物(大きさが0.1μm以上)数をレーザーテック社製MAGICSで測定したところ、洗浄前が733個であり、洗浄後が156個であり、異物除去率は78.7%であった。
その後、熱処理装置を用い250℃にて30分間熱処理を実行して、モリブデンとシリコンと窒素から実質的になる単層の光半透過膜を有する、ArFエキシマレーザ(193nm)用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。
得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを収納ケースに保管し、マスク製造ラインに搬送した。搬送後、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの表面の異物をレーザーテック社製MAGICSで確認したところ、端面からの膜剥れによる異物は確認されなかった。
2 透明基板の主表面
6 透明基板の端面
10 スピン洗浄装置
13 2流体噴射ノズル
14 超音波洗浄ノズル
22 エッチングノズル
25 スピン洗浄装置
26 洗浄ツール
40 紫外線照射装置
41 紫外線照射ユニット
50 端面洗浄装置
57 端面洗浄ツール
Claims (7)
- 透光性基板の表面を洗浄した後、上記透光性基板の表面に、被転写体に転写するための転写パターンとなる薄膜を形成するフォトマスクブランクの製造方法において、
上記透光性基板の表面の洗浄は、当該透光性基板の表面の濡れ性を改善する表面改質処理を実施し、次に、当該透光性基板の表面のうちの端面を洗浄し、次に、上記透光性基板表面から異物を剥離するために上記透光性基板の主表面にエッチング液を所定時間静止した状態で接触させるパドルエッチング処理を実施し、その後、当該透光性基板の表面のうちの主表面を洗浄するものであることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 上記透光性基板の端面の洗浄は、回転した洗浄ツールを上記透光性基板の端面に接触させて洗浄するスクラブ洗浄であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記透光性基板の主表面の洗浄は、回転した洗浄ツールを上記透光性基板の主表面に接触させて洗浄するスクラブ洗浄と、気体と溶媒とを混合した洗浄液を透光性基板の主表面に噴射して洗浄を行う2流体噴射洗浄と、超音波が印加された洗浄液を透光性基板の主表面に供給して洗浄を行う超音波洗浄との少なくとも1つであることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記透光性基板の表面における表面改質処理の実施前に、上記透光性基板の端面を端面研磨処理することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記エッチング処理と、上記主表面の洗浄とを、同一の装置によって連続して行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記フォトマスクブランクは、ArFエキシマレーザーを露光光として用いるフォトマスクを製造するために用いられるものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のフォトマスクブランクにおける薄膜をパターンニン
グして、透光性基板の表面に転写パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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