JP2002217151A - 半導体ウエハ研磨方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハの研磨面を親水性に仕上げ、パーティ
クルの低減を図る。 【解決手段】 半導体ウエハの表面を研磨材を含む研磨
液を用いて研磨する鏡面研磨工程と、鏡面研磨後の半導
体ウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送
する搬送工程と、を備えた半導体ウエハ研磨方法におい
て、鏡面研磨工程終了後の搬送工程前に、鏡面研磨後の
ウエハに対し水リンス処理を行わずに、ウエハの研磨面
に研磨液を接触させる親水化処理工程を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの研
磨方法に関するものであり、特に 研磨後のウエハに親
水処理を施す半導体ウエハ研磨方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、シリコン単結晶インゴットから
切り出されたシリコンウエハは、ラッピング工程、エッ
チング工程の後、ウエハ表面の平坦化のため研磨材を用
いた鏡面研磨工程が施される。シリコンウエハ表面の清
浄度は、半導体デバイス特性に直接影響を与え、清浄度
が低下すると、デバイスパターン形成時の不良原因とな
ったり、半導体デバイスの電気的特性等に悪影響を及ぼ
す。ウエハ基板表面の清浄度の低下は、ウエハ加工の各
工程でウエハ基板表面に付着したパーティクル（微粒
子）等の異物に起因している。このため、鏡面研磨工程
後は、ウエハ表面に残存するパーティクル等の異物を除
去するために最終洗浄処理を行っている。

【０００３】複数のシリコンウエハを一枚毎に研磨処理
を行って最終洗浄処理へ搬送する従来の枚葉式のウエハ
研磨装置では、ウエハを研磨スラリーを用いて鏡面研磨
処理の仕上げ研磨を行った後、ウエハの研磨面に残留す
るスラリーを除去して洗浄処理における汚染物の持ち込
みを防止するために、ウエハ研磨面に対し低加圧若しく
は無加圧でスラリーの代わりに洗浄水を供給する水リン
ス（水研磨）処理を行っていた。そしてこの水リンス
（水研磨）処理の後、ウエハをウェット状態を保ってウ
エハ表面へのパーティクルの付着を防止するために、最
終洗浄処理を行う洗浄装置に水中搬送していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような水リンス処
理（水研磨処理）及び洗浄装置への水中搬送を行う従来
のウエハ研磨方法によればある程度パーティクルを低減
することはできるが、ウエハの高清浄化を図るには不十
分である。即ち、鏡面研磨後のウエハに対して水リンス
処理を施す際、疎水面であるウエハ研磨面が水リンス処
理で使用する洗浄水や研磨クロス、あるいは気中に晒さ
れることになる。ここで、ウエハの研磨面は、鏡面研磨
処理によって非常に活性な面（疎水面）になっているた
め、水リンス処理の段階でこのようなウエハの研磨面が
洗浄水、研磨クロス、気中に晒されることにより、却っ
てパーティクルが付着し易くなってしまう。水リンス処
理の段階で付着したパーティクルは非常に強固なもので
あり、最終洗浄処理によっても除去することが困難であ
るという問題がある。

【０００５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、鏡面研磨後のウエハ研磨面を親水性にす
ることにより、パーティクルをより一層低減することが
できる半導体ウエハ研磨方法及び装置を提供することを
主な目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、半導体ウエハの表面を研磨
材を含む研磨液を用いて研磨する鏡面研磨工程と、鏡面
研磨後の半導体ウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装
置に水中搬送する搬送工程と、を備えた半導体ウエハ研
磨方法において、鏡面研磨後のウエハに対し親水化処理
を施す親水化処理工程を備えたことを特徴とする。

【０００７】この請求項１に係る発明によれば、親水化
処理工程によって鏡面研磨後のウエハ研磨面を親水性に
することができるので、パーティクルの付着を低減する
ことができる。

【０００８】本発明における親水化処理工程は、ウエハ
の研磨面を親水性にすることができるものであれば良
く、例えば、従来の水リンス処理（水研磨処理）を省略
して鏡面研磨工程終了後に直ちに洗浄装置へ水中搬送し
たり、ウエハ研磨面に有機被膜を形成したり、酸化膜を
形成することにより親水面に仕上げることが可能であ
る。このような親水化処理工程の具体的な態様としては
以下の発明が挙げられる。

【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
半導体ウエハ研磨方法において、前記親水化処理工程
は、前記鏡面研磨工程終了後の前記搬送工程前に、前記
鏡面研磨後のウエハに対し水リンス処理を行わずに、前
記ウエハの研磨面に前記研磨液を接触させるものである
ことを特徴とする。

【００１０】この請求項２における「水リンス処理」と
は、鏡面研磨後、ウエハの研磨面に残留するスラリーを
除去して洗浄処理における汚染物の持ち込みを防止する
ために、ウエハ研磨面に対し低加圧若しくは無加圧でス
ラリーの代わりに洗浄水を供給する処理（水研磨処理）
をいう。

【００１１】この請求項２に係る発明における親水化処
理工程では、鏡面研磨工程終了後に、鏡面研磨後のウエ
ハに対し水リンス処理（水研磨処理）を行わないので、
ウエハの研磨面が洗浄水や研磨クロス又は気中に晒され
ることはない。また、鏡面研磨終了後も親水化処理工程
によってウエハの研磨面に研磨液を接触させるているの
で、研磨液に含有される界面活性剤により研磨面に有機
被膜が形成される。このため、水リンス処理の省略と研
磨面への有機被膜形成によって、ウエハの研磨面を親水
面に仕上げ（即ち疎水面になることを回避し）、パーテ
ィクルの付着をより一層防止することができる。

【００１２】請求項３に係る発明は、請求項１に記載の
半導体ウエハ研磨方法において、前記親水化処理工程
は、前記鏡面研磨工程終了後の前記搬送工程前に、前記
鏡面研磨後のウエハに対し水リンス処理を行わずに、前
記ウエハの研磨面にオゾン水又は過酸化水素水若しくは
界面活性剤を含む水を接触させるものであることを特徴
とする。

【００１３】この請求項３に係る発明でも、鏡面研磨工
程終了後の親水化処理工程において鏡面研磨後のウエハ
に対し水リンス処理（水研磨処理）を行わないので、研
磨面が洗浄水や研磨クロス又は気中に晒されることはな
い。また、親水化処理工程によってウエハの研磨面にオ
ゾン水又は過酸化水素水を接触させているので、研磨面
には酸化膜が形成される。このため、水リンス処理の省
略と研磨面への酸化膜の形成によって、ウエハの研磨面
を親水面に仕上げ（疎水面になることを回避し）、パー
ティクルの付着をより一層防止することができる。

【００１４】また、親水化処理工程によってウエハの研
磨面に界面活性剤を含む水を接触させることにより研磨
面には有機被膜が形成され、、水リンス処理の省略とか
かる有機被膜の形成によって、ウエハの研磨面を親水面
に仕上げてパーティクルの付着をより一層防止すること
ができる。

【００１５】請求項４に係る発明は、請求項１に記載の
半導体ウエハ研磨方法において、前記親水化処理工程
は、前記搬送工程中に、前記搬送水に界面活性剤を添加
するものであることを特徴とする。

【００１６】この請求項４に係る発明では、親水化処理
工程によって搬送工程中に搬送水に界面活性剤を添加し
ているので、研磨後のウエハの搬送中にウエハ研磨面に
有機被膜が形成される。かかる有機被膜の形成によって
ウエハの研磨面を最終洗浄処理前に親水性とすることが
でき、パーティクルの付着をより一層低減することがで
きる。

【００１７】本発明では、鏡面研磨工程後の搬送工程前
に水リンス処理を行うか否かは特に限定されるものでは
ない。搬送工程でウエハの研磨面を親水性に仕上げるこ
とができるからである。しかし、パーティクルの更なる
低減を図るために、鏡面研磨工程後は水リンス処理を行
わずに搬送工程に移行することが好ましい。

【００１８】請求項５に係る発明は、請求項１に記載の
半導体ウエハ研磨方法において、前記親水化処理工程
は、前記搬送工程として、前記搬送水にオゾン水又は過
酸化水素を用いて前記ウエハを搬送するものであること
を特徴とする。

【００１９】この請求項５に係る発明では、親水化処理
工程が搬送水としてオゾン水又は過酸化水素水を用いて
搬送する搬送工程であるので、研磨後のウエハの搬送中
にウエハ研磨面に酸化膜が形成される。かかる酸化膜の
形成によってウエハの研磨面を最終洗浄処理前に親水性
とすることができ、パーティクルの付着をより一層低減
することができる。

【００２０】本発明においても、請求項４に係る発明と
同様に鏡面研磨工程後の搬送工程前に水リンス処理を行
うか否かは特に限定されるものではないが、パーティク
ルの更なる低減を図るために、鏡面研磨工程後は水リン
ス処理を行わずに搬送工程（即ち親水化処理工程）に移
行することが好ましい。

【００２１】請求項６に係る発明は、半導体ウエハの表
面に研磨材を含む研磨液を供給する研磨液供給手段と、
前記ウエハ表面を研磨する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後
のウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送
する搬送手段と、を備えた半導体ウエハ研磨装置におい
て、前記研磨液供給手段は、鏡面研磨終了後も前記ウエ
ハの研磨面に前記研磨液を供給するものであることを特
徴とする。

【００２２】この請求項６に係る発明は、請求項２に係
る半導体ウエハ研磨方法を実施するための装置であり、
請求項２に係る発明と同様の作用効果を奏する。

【００２３】請求項７に係る発明は、半導体ウエハの表
面に研磨材を含む研磨液を供給する研磨液供給手段と、
前記ウエハ表面を研磨する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後
のウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送
する搬送手段と、を備えた半導体ウエハ研磨装置におい
て、鏡面研磨終了後に、前記ウエハの研磨面にオゾン水
又は過酸化水素水若しくは界面活性剤を含む水を供給す
る親水化処理手段を備えたことを特徴とする。

【００２４】この請求項７に係る発明は、請求項３に係
る半導体ウエハ研磨方法を実施するための装置であり、
請求項３に係る発明と同様の作用効果を奏する。

【００２５】請求項８に係る発明は、半導体ウエハの表
面に研磨材を含む研磨液を供給する研磨液供給手段と、
前記ウエハ表面を研磨する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後
のウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送
する搬送手段と、を備えた半導体ウエハ研磨装置におい
て、前記搬送水に界面活性剤を添加する活性剤供給手段
を備えたことを特徴とする。

【００２６】この請求項８に係る発明は、請求項４に係
る半導体ウエハ研磨方法を実施するための装置であり、
請求項４に係る発明と同様の作用効果を奏する。

【００２７】請求項９に係る発明は、半導体ウエハの表
面に研磨材を含む研磨液を供給する研磨液供給手段と、
前記ウエハ表面を研磨する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後
のウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送
する搬送手段と、を備えた半導体ウエハ研磨装置におい
て、前記搬送手段は、前記搬送水として、オゾン水又は
過酸化水素水若しくは界面活性剤を含む水を用いるもの
であることを特徴とする。

【００２８】この請求項９に係る発明は、請求項５に係
る半導体ウエハ研磨方法を実施するための装置であり、
請求項５に係る発明と同様の作用効果を奏する。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態につい
て、以下に図示例とともに説明する。

【００３０】［第１実施形態］第１実施形態のウエハ研
磨装置は、鏡面研磨工程からウエハを搬送して最終洗浄
工程までを連続的に行える構成を備えたものであり、そ
の概略構成を図１に示す。図１に示すように、研磨部１
と、研磨部により鏡面研磨されたウエハを枚葉式の洗浄
装置５へ搬送するための水中搬送路３とを主に備えてい
る。

【００３１】研磨部１には、それぞれ所定研磨布が取付
けられ回転定盤からなる粗研磨装置１２と仕上げ研磨装
置１３が設置されている。

【００３２】水中搬送路３は、仕上げ研磨後のウエハ基
板Ｗを洗浄装置へ搬送するものであり、搬送機構とし
て、例えばローラコンベアを備えたものである。この水
中搬送路３は純水である搬送水で満たされている。

【００３３】洗浄装置５は、研磨後のウエハＷに最終洗
浄処理を行うための装置であり、スピン洗浄装置３２と
スクラブ洗浄装置３１とを備えている。

【００３４】また、粗研磨装置１２と仕上げ研磨装置１
３では、それぞれの工程に応じた研磨スラリーが回転定
盤上に供給される。仕上げ研磨装置１３では、ウエハの
表面を研磨布に当接するように研磨ヘッドにウエハＷが
保持される。そして、所定の界面活性剤を含有した研磨
スラリーがスラリー供給ノズル１４から定盤上の研磨布
上に供給されるようになっている。このスラリー供給ノ
ズル１４は本発明の研磨液供給手段を構成する。

【００３５】鏡面研磨の仕上げ研磨工程では、スラリー
供給手段から研磨布上に研磨スラリーを供給しながら、
研磨ヘッドによりウエハＷを定盤（研磨布）に対し所定
圧力で押圧し、定盤とウエハＷとを回転することにより
仕上げ研磨処理が行われる。

【００３６】仕上げ研磨工程が終了したウエハＷに対し
ては、通常行われるスラリー除去のための水リンス処理
（水研磨処理）は行われない。その代わりに、研磨ヘッ
ドにウエハＷを保持した状態で、研磨ヘッドからの押圧
力を低加圧又は無加圧（０加圧）として、再度（あるい
は仕上げ研磨工程から継続して）スラリー供給ノズル１
４から研磨スラリーをウエハの研磨面に所定時間供給す
る親水化処理工程が実行される。かかる親水化処理工程
で研磨スラリーに含まれる界面活性剤の作用によって、
ウエハの研磨面には有機被膜が形成される。

【００３７】親水化処理工程が終了すると、ウエハＷは
水中搬送路３によって洗浄装置５へ搬送される。水中搬
送路３では、少なくともウエハの研磨面が純水に接した
状態のまま搬出される。本実施形態の装置では、水中搬
送路３は枚葉式でトレー搬送を行う構成で、該トレー内
の搬送水にウエハの研磨面側が浸漬状態となるものとし
ている。

【００３８】このように本実施形態のウエハ研磨装置に
よる研磨方法では、水リンス処理（水研磨処理）を省略
した上に、ウエハＷの研磨面へ有機被膜を形成している
ので、ウエハの研磨面を親水面に仕上げて最終洗浄処理
へ移行でき、この結果ウエハへのパーティクルの付着を
より一層防止することができるようになっている。

【００３９】［第２実施形態］次に第２実施形態のウエ
ハ研磨装置について説明する。第２実施形態のウエハ研
磨装置も、鏡面研磨工程からウエハを搬送して最終洗浄
工程までを連続的に行える構成を備えたものであり、そ
の概略構成を図２に示す。図２に示すように、研磨部１
と、研磨部により鏡面研磨されたウエハを枚葉式の洗浄
装置５へ搬送するための水中搬送路３とを主に備えてい
る。

【００４０】本実施形態のウエハ研磨装置は、仕上げ研
磨装置１３に更にオゾン水供給ノズル１５を備えている
点が第１実施形態と異なる。その他の構成は第１実施形
態と同様なので、図１と同一符号を付し説明を省略す
る。

【００４１】オゾン水供給ノズル１５は、仕上げ研磨工
程終了後に、研磨布上にオゾン水を供給するものであ
り、本発明の親水化処理手段を構成する。第１実施形態
と同様の仕上げ研磨処理を終了すると、本実施形態にお
いても水リンス処理は行わない。その代わりに、研磨ヘ
ッドにウエハＷを保持した状態で、研磨ヘッドからの押
圧力を低加圧又は無加圧（０加圧）として、オゾン水供
給ノズル１５からオゾン水をウエハの研磨面に所定時間
供給する親水化処理工程が実行される。かかる親水化処
理工程のオゾン水の供給によって、ウエハの研磨面には
酸化膜が形成される。尚、オゾン水供給ノズル１５は本
発明の親水化処理手段を構成する。

【００４２】親水化処理工程終了後のウエハＷは第１実
施形態と同様に水中搬送路３を通過して洗浄装置５に搬
送される。このように本実施形態のウエハ研磨装置によ
る研磨方法では、水リンス処理（水研磨処理）を省略し
た上に、ウエハＷの研磨面へ酸化膜を形成しているの
で、ウエハの研磨面を親水面に仕上げて最終洗浄処理へ
移行でき、この結果ウエハへのパーティクルの付着をよ
り一層防止することができるようになっている。

【００４３】尚、本実施形態のウエハ研磨装置では、オ
ゾン水供給ノズル１５を設け、当該ノズルからウエハの
研磨面にオゾン水を供給することにより研磨面に酸化膜
を形成しているが、オゾン水の代わりに過酸化水素水を
ウエハ研磨面に供給することにより酸化膜を形成する構
成としても良い。この場合には、オゾン水供給ノズル１
５の代わりに過酸化水素水供給ノズルを設ければ良い。

【００４４】また、オゾン水の代わりに界面活性剤を含
有する洗浄水をウエハ研磨面に供給することにより研磨
面に有機被膜を形成する構成としても良い。この場合に
は、オゾン水供給ノズル１５の代わりに洗浄水供給ノズ
ルを設ければ良い。

【００４５】［第３実施形態］次に第３実施形態のウエ
ハ研磨装置について説明する。第３実施形態のウエハ研
磨装置も、鏡面研磨工程からウエハを搬送して最終洗浄
工程までを連続的に行える構成を備えたものであり、そ
の概略構成は第１実施形態の装置（図１）と同様である
ので図示を省略する。

【００４６】本実施形態のウエハ研磨装置は、水中搬送
路３の搬送水がオゾン水である点のみが第１実施形態の
装置と異なる。

【００４７】仕上げ研磨装置１３によるウエハＷの仕上
げ研磨処理は第１実施形態と同様に行われる。そして、
仕上げ研磨が終了すると、ウエハＷは直ちに水中搬送路
３によって洗浄装置５へ搬送される。水中搬送路３で
は、少なくともウエハの研磨面が搬送水であるオゾン水
に接した状態のまま搬出され、これによって搬送中のウ
エハＷの研磨面に酸化膜が形成される。

【００４８】本実施形態の装置では、水中搬送路３は枚
葉式でトレー搬送を行う構成で、該トレー内の搬送水に
ウエハの研磨面側が浸漬状態となるものとしている。

【００４９】このように本実施形態のウエハ研磨装置に
よる研磨方法では、水中搬送路３を搬送中のウエハＷの
研磨面に酸化膜を形成しているので、ウエハの研磨面を
親水面に仕上げた状態で最終洗浄処理へ移行することが
でき、この結果パーティクルの付着をより一層防止する
ことができるようになっている。

【００５０】本実施形態の水中搬送路３では搬送水とし
てオゾン水を用いているが、オゾン水の代わりに過酸化
水素水を搬送水として用い、ウエハの研磨面に酸化膜を
形成するように構成しても良い。あるいは、搬送水とし
て界面活性剤を含有する水を用い、搬送中のウエハＷの
研磨面に有機被膜を形成するように構成しても良い。

【００５１】尚、本実施形態では、仕上げ研磨終了後に
直ちにウエハを水中搬送路３で洗浄装置へ搬送する構成
としているが、仕上げ研磨終了後に通常行われる水リン
ス処理を行うように構成しても良い。

【００５２】［第４実施形態］次に第４実施形態のウエ
ハ研磨装置について説明する。第４実施形態のウエハ研
磨装置も、鏡面研磨工程からウエハを搬送して最終洗浄
工程までを連続的に行える構成を備えたものであり、そ
の概略構成を図３に示す。図３に示すように、研磨部１
と、研磨部により鏡面研磨されたウエハを枚葉式の洗浄
装置５へ搬送するための水中搬送路３とを主に備えてい
る。

【００５３】本実施形態のウエハ研磨装置は、水中搬送
路３に界面活性剤供給ノズル１６を備えている点が第１
実施形態と異なる。その他の構成は第１実施形態と同様
なので、図１と同一符号を付し説明を省略する。

【００５４】界面活性剤供給ノズル１６は水中搬送路３
内の搬送水（純水）に所定の界面活性剤を添加するもの
であり、本発明の活性剤供給手段を構成する。

【００５５】仕上げ研磨装置１３によるウエハＷの仕上
げ研磨処理は第１実施形態と同様に行われる。そして、
仕上げ研磨が終了すると、ウエハＷは直ちに水中搬送路
３によって洗浄装置５へ搬送される。水中搬送路３で
は、少なくともウエハの研磨面が搬送水に接した状態の
まま搬出されるが、このとき、界面活性剤供給ノズル１
６から搬送水に回転活性剤が添加される。このため、搬
送中のウエハの研磨面には界面活性剤によって有機被膜
が形成される。

【００５６】このように本実施形態のウエハ研磨装置に
よる研磨方法では、水中搬送路３を搬送中のウエハＷの
研磨面に有機被膜を形成しているので、ウエハの研磨面
を親水面に仕上げた状態で最終洗浄処理へ移行すること
ができ、この結果ウエハへのパーティクルの付着をより
一層防止することができるようになっている。

【００５７】尚、本実施形態においても、仕上げ研磨終
了後に通常行われる水リンス処理を行うように構成して
も良い。

【００５８】

【実施例】以下の[実験１]、[実験２]、[実験３]の各パ
ターンで条件を変えてシリコンウエハの鏡面研磨、水中
搬送、洗浄処理の工程を実行し、ウエハ表面に残存する
パーティクル数を測定した。尚、パーティクル数は８０
ｎｍ以上のサイズのものの残存数である。 [実験１] 研磨（水リンス（水研磨）なし）→純水ロール搬送→洗
浄 [実験２] 研磨（水リンス（水研磨）あり）→界面活性剤添加の純
水ロール搬送→洗浄 [実験３] 研磨（水リンス（水研磨）なし）→界面活性剤添加の純
水ロール搬送→洗浄 また、比較例として以下の工程を実行し、ウエハ表面に
残存するサイズ８０ｎｍ以上のパーティクル数を測定し
た。

【００５９】[比較例] 研磨（水リンス（水研磨）あり）→純水ロール搬送→洗
浄

【００６０】［測定結果］パーティクル数の測定結果を
図４に示す。図４からわかるように、実験１及び実験３
のように水リンス（水研磨）処理を省略した場合の方
が、水リンス処理を行った比較例の場合に比べてパーテ
ィクル数が低減している。また、実験２のように、ウエ
ハの純水ロール搬送で界面活性剤を添加した場合の方
が、界面活性剤を添加せずに純水ロール搬送を行った
[比較例]に比べてパーティクル数が低減していることが
わかる。更に、実験３のように、水リンス処理を省略
し、かつ純水ロール搬送で界面活性剤を添加した場合が
最もパーティクルの低減効果が得られることがわかる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
親水化処理によって鏡面研磨後のウエハ研磨面を親水性
に仕上げて最終洗浄処理へ移行することができるので、
ウエハに対するパーティクルの付着をより一層低減する
ことができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態及び第３実施形態のウエハ研磨装
置の概略構成図である。

【図２】第２実施形態のウエハ研磨装置の概略構成図で
ある。

【図３】第４実施形態のウエハ研磨装置の概略構成図で
ある。

【図４】本実施例によるウエハ表面に残存するパーティ
クル数を示す説明図である。

【符号の説明】

１：研磨部 ３：水中搬送路 ５：洗浄装置 １２：粗研磨装置 １３：仕上げ研磨装置 １４：スラリー供給ノズル（研磨液供給手段） １５：オゾン水供給ノズル（又は過酸化水素水供給ノズ
ル若しくは洗浄水供給ノズル） １６：界面活性剤供給ノズル ３１：スクラブ洗浄装置 ３２：スピン洗浄装置 Ｗ：ウエハ基板

フロントページの続き (72)発明者 川副 公之 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 林 健郎 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AC04 CA01 DA17

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの表面を研磨材を含む研磨
   液を用いて研磨する鏡面研磨工程と、鏡面研磨後の半導
   体ウエハを搬送水を用いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送
   する搬送工程と、を備えた半導体ウエハ研磨方法におい
   て、 鏡面研磨後のウエハに対し親水化処理を施す親水化処理
   工程を備えたことを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。
2. 【請求項２】 前記親水化処理工程は、前記鏡面研磨工
   程終了後の前記搬送工程前に、前記鏡面研磨後のウエハ
   に対し水リンス処理を行わずに、前記ウエハの研磨面に
   前記研磨液を接触させるものであることを特徴とする請
   求項１に記載の半導体ウエハ研磨方法。
3. 【請求項３】 前記親水化処理工程は、前記鏡面研磨工
   程終了後の前記搬送工程前に、前記鏡面研磨後のウエハ
   に対し水リンス処理を行わずに、前記ウエハの研磨面に
   オゾン水又は過酸化水素水若しくは界面活性剤を含む水
   を接触させるものであることを特徴とする請求項１に記
   載の半導体ウエハ研磨方法。
4. 【請求項４】 前記親水化処理工程は、前記搬送工程中
   に、前記搬送水に界面活性剤を添加するものであること
   を特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ研磨方法。
5. 【請求項５】 前記親水化処理工程は、前記搬送工程と
   して、前記搬送水にオゾン水又は過酸化水素を用いて前
   記ウエハを搬送するものであることを特徴とする請求項
   １に記載の半導体ウエハ研磨方法。
6. 【請求項６】 半導体ウエハの表面に研磨材を含む研磨
   液を供給する研磨液供給手段と、前記ウエハ表面を研磨
   する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後のウエハを搬送水を用
   いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送する搬送手段と、を備
   えた半導体ウエハ研磨装置において、 前記研磨液供給手段は、鏡面研磨終了後も前記ウエハの
   研磨面に前記研磨液を供給するものであることを特徴と
   する半導体ウエハ研磨装置。
7. 【請求項７】 半導体ウエハの表面に研磨材を含む研磨
   液を供給する研磨液供給手段と、前記ウエハ表面を研磨
   する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後のウエハを搬送水を用
   いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送する搬送手段と、を備
   えた半導体ウエハ研磨装置において、 鏡面研磨終了後に、前記ウエハの研磨面にオゾン水又は
   過酸化水素水若しくは界面活性剤を含む水を供給する親
   水化処理手段を備えたことを特徴とする半導体ウエハ研
   磨装置。
8. 【請求項８】 半導体ウエハの表面に研磨材を含む研磨
   液を供給する研磨液供給手段と、前記ウエハ表面を研磨
   する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後のウエハを搬送水を用
   いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送する搬送手段と、を備
   えた半導体ウエハ研磨装置において、 前記搬送水に界面活性剤を添加する活性剤供給手段を備
   えたことを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。
9. 【請求項９】 半導体ウエハの表面に研磨材を含む研磨
   液を供給する研磨液供給手段と、前記ウエハ表面を研磨
   する鏡面研磨手段と、鏡面研磨後のウエハを搬送水を用
   いて枚葉式の洗浄装置に水中搬送する搬送手段と、を備
   えた半導体ウエハ研磨装置において、 前記搬送手段は、前記搬送水として、オゾン水又は過酸
   化水素水若しくは界面活性剤を含む水を用いるものであ
   ることを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。