JP2002246349A - シリコンウエハの研磨洗浄方法及び装置 - Google Patents
シリコンウエハの研磨洗浄方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002246349A JP2002246349A JP2001035326A JP2001035326A JP2002246349A JP 2002246349 A JP2002246349 A JP 2002246349A JP 2001035326 A JP2001035326 A JP 2001035326A JP 2001035326 A JP2001035326 A JP 2001035326A JP 2002246349 A JP2002246349 A JP 2002246349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- silicon wafer
- polishing
- water
- wafer according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 135
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 135
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 135
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 134
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 128
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄工程における負荷の軽減、処理時間の短
縮、薬液量の削減に寄与することにより、シリコンウエ
ハの品質や生産性を向上することができるシリコンウエ
ハの研磨洗浄方法及び装置を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハのメカノケミカルポリッ
シングを行うためのシリコンウエハの研磨洗浄方法及び
装置である。シリコンウエハ表面に研磨材を含んだ研磨
水を供給しながら研磨する研磨手段１０と、研磨手段１
０終了後のシリコンウエハから研磨スラリー等の汚染物
を除去する前洗浄手段と、前洗浄手段終了後のシリコン
ウエハが乾燥しないように、適宜洗浄水に浸漬しなが
ら、速やかに洗浄手段４０に搬送する搬送手段３０と、
搬送手段３０で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物
や微粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高め
る洗浄手段４０とを有する。
縮、薬液量の削減に寄与することにより、シリコンウエ
ハの品質や生産性を向上することができるシリコンウエ
ハの研磨洗浄方法及び装置を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハのメカノケミカルポリッ
シングを行うためのシリコンウエハの研磨洗浄方法及び
装置である。シリコンウエハ表面に研磨材を含んだ研磨
水を供給しながら研磨する研磨手段１０と、研磨手段１
０終了後のシリコンウエハから研磨スラリー等の汚染物
を除去する前洗浄手段と、前洗浄手段終了後のシリコン
ウエハが乾燥しないように、適宜洗浄水に浸漬しなが
ら、速やかに洗浄手段４０に搬送する搬送手段３０と、
搬送手段３０で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物
や微粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高め
る洗浄手段４０とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウエハ
の研磨洗浄方法及び装置に関する。
の研磨洗浄方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】 通常、シリコンウエハの製造工程にお
いては、シリコンウエハの研磨（メカノケミカルポリッ
シング）工程と、研磨工程後のシリコンウエハ表面の汚
染物を除去する洗浄工程とがそれぞれ独立している。研
磨工程から洗浄工程へのシリコンウエハの受け渡し時に
は、研磨液によるシリコンウエハの面荒れを防止するた
め、研磨工程後のシリコンウエハを一度乾燥した上で、
洗浄工程に送られている。
いては、シリコンウエハの研磨（メカノケミカルポリッ
シング）工程と、研磨工程後のシリコンウエハ表面の汚
染物を除去する洗浄工程とがそれぞれ独立している。研
磨工程から洗浄工程へのシリコンウエハの受け渡し時に
は、研磨液によるシリコンウエハの面荒れを防止するた
め、研磨工程後のシリコンウエハを一度乾燥した上で、
洗浄工程に送られている。
【０００３】 このとき、研磨工程後のシリコンウエハ
をそのまま乾燥させてしまうと、研磨スラリー等の汚染
物がシリコンウエハ表面に強固に付着してしまうため、
洗浄工程における負荷が大きくなり、洗浄装置のスルー
プットが落ちてしまうだけでなく、処理時間を短縮する
ため、強い薬液を使用した場合、シリコンウエハ表面の
マイクロラフネスが増大してしまう等の問題点があっ
た。
をそのまま乾燥させてしまうと、研磨スラリー等の汚染
物がシリコンウエハ表面に強固に付着してしまうため、
洗浄工程における負荷が大きくなり、洗浄装置のスルー
プットが落ちてしまうだけでなく、処理時間を短縮する
ため、強い薬液を使用した場合、シリコンウエハ表面の
マイクロラフネスが増大してしまう等の問題点があっ
た。
【０００４】 これらの問題点を解消するため、例え
ば、研磨工程後のシリコンウエハを前洗浄した後、乾燥
した上で、洗浄工程に送ることが行われている。しかし
ながら、前洗浄後にシリコンウエハを乾燥させてしまう
と、汚染物の一部がシリコンウエハ表面に再付着するた
め、洗浄工程におけるシリコンウエハ表面の清浄度及び
マイクロラフネスを十分に向上させることが困難であっ
た。
ば、研磨工程後のシリコンウエハを前洗浄した後、乾燥
した上で、洗浄工程に送ることが行われている。しかし
ながら、前洗浄後にシリコンウエハを乾燥させてしまう
と、汚染物の一部がシリコンウエハ表面に再付着するた
め、洗浄工程におけるシリコンウエハ表面の清浄度及び
マイクロラフネスを十分に向上させることが困難であっ
た。
【０００５】 以上の問題点を考慮すると、前洗浄後に
シリコンウエハを乾燥させることなく、洗浄工程に送る
ことが好ましいが、搬送中にシリコンウエハが乾燥し易
いため、ウォーターマーク等のシリコンウエハへの悪影
響を防止するため、煩雑な搬送工程が必要であった。
シリコンウエハを乾燥させることなく、洗浄工程に送る
ことが好ましいが、搬送中にシリコンウエハが乾燥し易
いため、ウォーターマーク等のシリコンウエハへの悪影
響を防止するため、煩雑な搬送工程が必要であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は、このよう
な従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、研磨スラリー等の汚染物の固
着や研磨液によるシリコンウエハの面荒れが起こる前
に、研磨工程後のシリコンウエハを洗浄工程に受け渡す
ことにより、洗浄工程における負荷の軽減、処理時間の
短縮、薬液量の削減に寄与することができるため、シリ
コンウエハの品質や生産性を向上することができるシリ
コンウエハの研磨洗浄方法及び装置を提供することにあ
る。
な従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、研磨スラリー等の汚染物の固
着や研磨液によるシリコンウエハの面荒れが起こる前
に、研磨工程後のシリコンウエハを洗浄工程に受け渡す
ことにより、洗浄工程における負荷の軽減、処理時間の
短縮、薬液量の削減に寄与することができるため、シリ
コンウエハの品質や生産性を向上することができるシリ
コンウエハの研磨洗浄方法及び装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、シリコンウエハのメカノケミカルポリッシングを
行うためのシリコンウエハの研磨洗浄方法であって、シ
リコンウエハ表面に、研磨材を含んだ研磨水を供給しな
がら研磨する研磨工程と、前記研磨工程終了後のシリコ
ンウエハから研磨スラリー等の汚染物を除去する前洗浄
工程と、前記前洗浄工程終了後のシリコンウエハが乾燥
しないように、適宜洗浄水に浸漬しながら、速やかに洗
浄工程に搬送する搬送工程と、前記搬送工程で搬送され
たシリコンウエハ表面の不純物や微粒子を除去し、シリ
コンウエハ表面の清浄度を高める洗浄工程と、を有する
ことを特徴とするシリコンウエハの研磨洗浄方法が提供
される。このとき、研磨工程直後から洗浄工程開始まで
の時間は、３分以内であることが好ましい。
れば、シリコンウエハのメカノケミカルポリッシングを
行うためのシリコンウエハの研磨洗浄方法であって、シ
リコンウエハ表面に、研磨材を含んだ研磨水を供給しな
がら研磨する研磨工程と、前記研磨工程終了後のシリコ
ンウエハから研磨スラリー等の汚染物を除去する前洗浄
工程と、前記前洗浄工程終了後のシリコンウエハが乾燥
しないように、適宜洗浄水に浸漬しながら、速やかに洗
浄工程に搬送する搬送工程と、前記搬送工程で搬送され
たシリコンウエハ表面の不純物や微粒子を除去し、シリ
コンウエハ表面の清浄度を高める洗浄工程と、を有する
ことを特徴とするシリコンウエハの研磨洗浄方法が提供
される。このとき、研磨工程直後から洗浄工程開始まで
の時間は、３分以内であることが好ましい。
【０００８】 また、本発明では、搬送工程前に、シリ
コンウエハを親水性にすることが好ましい。例えば、シ
リコンウエハを添加剤で均質に覆ったり、シリコンウエ
ハに酸化膜を形成させることにより、シリコンウエハを
親水性にすることができる。
コンウエハを親水性にすることが好ましい。例えば、シ
リコンウエハを添加剤で均質に覆ったり、シリコンウエ
ハに酸化膜を形成させることにより、シリコンウエハを
親水性にすることができる。
【０００９】 更に、本発明では、前洗浄工程が、機械
的洗浄又は水研磨洗浄からなることが好ましく、また機
械的洗浄が、ブラシ、超音波、ジェット流のいずれか、
あるいはそれらの組み合わせを使用することが好まし
い。
的洗浄又は水研磨洗浄からなることが好ましく、また機
械的洗浄が、ブラシ、超音波、ジェット流のいずれか、
あるいはそれらの組み合わせを使用することが好まし
い。
【００１０】 尚、本発明では、洗浄水が、オゾン水、
水素水、イオン水のいずれか、あるいはそれらの組み合
わせであることが好ましい。
水素水、イオン水のいずれか、あるいはそれらの組み合
わせであることが好ましい。
【００１１】 また、本発明によれば、シリコンウエハ
のメカノケミカルポリッシングを行うためのシリコンウ
エハの研磨洗浄装置であって、シリコンウエハ表面に研
磨材を含んだ研磨水を供給しながら研磨する研磨手段
と、前記研磨手段終了後のシリコンウエハから研磨スラ
リー等の汚染物を除去する前洗浄手段と、前記前洗浄手
段終了後のシリコンウエハが乾燥しないように、適宜洗
浄水に浸漬しながら、速やかに洗浄手段に搬送する搬送
手段と、前記搬送手段で搬送されたシリコンウエハ表面
の不純物や微粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄
度を高める洗浄手段と、を有することを特徴とするシリ
コンウエハの研磨洗浄装置が提供される。このとき、本
発明では、搬送手段の前に、複数枚のシリコンウエハを
収容する水槽が配設されていることが好ましい。
のメカノケミカルポリッシングを行うためのシリコンウ
エハの研磨洗浄装置であって、シリコンウエハ表面に研
磨材を含んだ研磨水を供給しながら研磨する研磨手段
と、前記研磨手段終了後のシリコンウエハから研磨スラ
リー等の汚染物を除去する前洗浄手段と、前記前洗浄手
段終了後のシリコンウエハが乾燥しないように、適宜洗
浄水に浸漬しながら、速やかに洗浄手段に搬送する搬送
手段と、前記搬送手段で搬送されたシリコンウエハ表面
の不純物や微粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄
度を高める洗浄手段と、を有することを特徴とするシリ
コンウエハの研磨洗浄装置が提供される。このとき、本
発明では、搬送手段の前に、複数枚のシリコンウエハを
収容する水槽が配設されていることが好ましい。
【００１２】 また、本発明では、研磨手段と洗浄手段
とが独立しており、且つ、全ての工程が自動化されてい
ることが好ましく、また研磨手段及び洗浄手段が、枚葉
単位で行われることが好ましい。
とが独立しており、且つ、全ての工程が自動化されてい
ることが好ましく、また研磨手段及び洗浄手段が、枚葉
単位で行われることが好ましい。
【００１３】 更に、本発明では、前洗浄手段が、機械
的洗浄手段又は洗浄水を供給してシリコンウエハを研磨
する水研磨洗浄手段であることが好ましく、また機械的
洗浄手段が、ブラシ、超音波、ジェット流のいずれか、
あるいはそれらの組み合わせを使用することが好まし
い。
的洗浄手段又は洗浄水を供給してシリコンウエハを研磨
する水研磨洗浄手段であることが好ましく、また機械的
洗浄手段が、ブラシ、超音波、ジェット流のいずれか、
あるいはそれらの組み合わせを使用することが好まし
い。
【００１４】 尚、本発明では、洗浄水が、オゾン水、
水素水、イオン水のいずれか、あるいはそれらの組み合
わせであることが好ましい。
水素水、イオン水のいずれか、あるいはそれらの組み合
わせであることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】 本発明に係るシリコンウエハの
研磨洗浄方法を概説すると、シリコンウエハ表面に、研
磨材を含んだ研磨水を供給しながら研磨する研磨工程
と、研磨工程終了後のシリコンウエハから研磨スラリー
等の汚染物を除去する前洗浄工程と、前洗浄工程終了後
のシリコンウエハが乾燥しないように、適宜洗浄水に浸
漬しながら、速やかに洗浄工程に搬送する搬送工程と、
搬送工程で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物や微
粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高める洗
浄工程を有するものである。これにより、洗浄工程にお
ける負荷の軽減、処理時間の短縮、薬液量の削減に寄与
することができるため、シリコンウエハの品質や生産性
を向上することができる。
研磨洗浄方法を概説すると、シリコンウエハ表面に、研
磨材を含んだ研磨水を供給しながら研磨する研磨工程
と、研磨工程終了後のシリコンウエハから研磨スラリー
等の汚染物を除去する前洗浄工程と、前洗浄工程終了後
のシリコンウエハが乾燥しないように、適宜洗浄水に浸
漬しながら、速やかに洗浄工程に搬送する搬送工程と、
搬送工程で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物や微
粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高める洗
浄工程を有するものである。これにより、洗浄工程にお
ける負荷の軽減、処理時間の短縮、薬液量の削減に寄与
することができるため、シリコンウエハの品質や生産性
を向上することができる。
【００１６】 このとき、本発明では、研磨工程直後か
ら洗浄工程開始までの時間が、３分以内であることが好
ましい。これは、研磨スラリー等の汚染物の固着や研磨
液によるシリコンウエハの面荒れが起こる前に、研磨工
程後のシリコンウエハを洗浄工程に受け渡す必要がある
からである。
ら洗浄工程開始までの時間が、３分以内であることが好
ましい。これは、研磨スラリー等の汚染物の固着や研磨
液によるシリコンウエハの面荒れが起こる前に、研磨工
程後のシリコンウエハを洗浄工程に受け渡す必要がある
からである。
【００１７】 また、本発明では、搬送工程前に、シリ
コンウエハを親水性にすることが好ましい。これは、シ
リコンウエハが乾き易くなることを防ぐとともに、ウォ
ーターマーク等のシリコンウエハへの悪影響を予防する
ことができるからである。ここで、シリコンウエハを親
水性にする方法としては、例えば、シリコンウエハを添
加剤（例えば、界面活性剤）で均質に覆う方法や、シリ
コンウエハに酸化膜を形成させる方法がある。特に、シ
リコンウエハに酸化膜を形成させる方法は、シリコンウ
エハ表面の保護にも寄与することができる。
コンウエハを親水性にすることが好ましい。これは、シ
リコンウエハが乾き易くなることを防ぐとともに、ウォ
ーターマーク等のシリコンウエハへの悪影響を予防する
ことができるからである。ここで、シリコンウエハを親
水性にする方法としては、例えば、シリコンウエハを添
加剤（例えば、界面活性剤）で均質に覆う方法や、シリ
コンウエハに酸化膜を形成させる方法がある。特に、シ
リコンウエハに酸化膜を形成させる方法は、シリコンウ
エハ表面の保護にも寄与することができる。
【００１８】 更に、本発明では、前洗浄工程が、機械
的洗浄又は水研磨洗浄からなることが好ましい。ここ
で、機械的洗浄は、ブラシ、超音波、ジェット流のいず
れか、あるいはそれらの組み合わせを使用することが好
ましい。一方、水研磨洗浄は、研磨工程後、研磨材を含
んだ研磨水の代わりに、洗浄水を用いてシリコンウエハ
を研磨する方法であり、準化学的洗浄と水研磨による物
理的洗浄とを組み合わせたものであるため、ワイピング
機能だけでなく、パーティクル、金属不純物、有機物の
異物を除去する機能を更に有するものである。従って、
従来の最終洗浄前に行われていた前洗浄（洗浄槽の中に
シリコンウエハを浸漬し、洗浄水を洗浄槽内へ供給して
オーバーフローさせながら、その水流によって、シリコ
ンウエハ表面の汚染物を洗い流すもの）のように大量の
洗浄水を必要としないという利点がある。
的洗浄又は水研磨洗浄からなることが好ましい。ここ
で、機械的洗浄は、ブラシ、超音波、ジェット流のいず
れか、あるいはそれらの組み合わせを使用することが好
ましい。一方、水研磨洗浄は、研磨工程後、研磨材を含
んだ研磨水の代わりに、洗浄水を用いてシリコンウエハ
を研磨する方法であり、準化学的洗浄と水研磨による物
理的洗浄とを組み合わせたものであるため、ワイピング
機能だけでなく、パーティクル、金属不純物、有機物の
異物を除去する機能を更に有するものである。従って、
従来の最終洗浄前に行われていた前洗浄（洗浄槽の中に
シリコンウエハを浸漬し、洗浄水を洗浄槽内へ供給して
オーバーフローさせながら、その水流によって、シリコ
ンウエハ表面の汚染物を洗い流すもの）のように大量の
洗浄水を必要としないという利点がある。
【００１９】 尚、本発明では、洗浄水が、オゾン水、
水素水、イオン水のいずれか、あるいはそれらの組み合
わせであることが好ましい。
水素水、イオン水のいずれか、あるいはそれらの組み合
わせであることが好ましい。
【００２０】 以下、本発明のシリコンウエハの研磨洗
浄装置の各例を、図１〜２に従って説明する。本発明の
シリコンウエハの研磨洗浄装置は、図１〜２に示すよう
に、シリコンウエハ表面に研磨材を含んだ研磨水を供給
しながら研磨する研磨手段１０と、研磨手段１０終了後
のシリコンウエハから研磨スラリー等の汚染物を除去す
る前洗浄手段と、前洗浄手段終了後のシリコンウエハが
乾燥しないように、適宜洗浄水に浸漬しながら、速やか
に洗浄手段４０に搬送する搬送手段３０と、搬送手段３
０で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物や微粒子を
除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高める洗浄手段
４０とを有するものである。
浄装置の各例を、図１〜２に従って説明する。本発明の
シリコンウエハの研磨洗浄装置は、図１〜２に示すよう
に、シリコンウエハ表面に研磨材を含んだ研磨水を供給
しながら研磨する研磨手段１０と、研磨手段１０終了後
のシリコンウエハから研磨スラリー等の汚染物を除去す
る前洗浄手段と、前洗浄手段終了後のシリコンウエハが
乾燥しないように、適宜洗浄水に浸漬しながら、速やか
に洗浄手段４０に搬送する搬送手段３０と、搬送手段３
０で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物や微粒子を
除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高める洗浄手段
４０とを有するものである。
【００２１】 このとき、本発明では、搬送手段３０の
前に、複数枚のシリコンウエハを収容する水槽（図示せ
ず）が配設されていることが好ましい。これにより、一
度に複数枚処理する研磨機と接続しても複数枚のシリコ
ンウエハを乾燥させることなく、同時に洗浄を開始する
ことができる。
前に、複数枚のシリコンウエハを収容する水槽（図示せ
ず）が配設されていることが好ましい。これにより、一
度に複数枚処理する研磨機と接続しても複数枚のシリコ
ンウエハを乾燥させることなく、同時に洗浄を開始する
ことができる。
【００２２】 また、本発明では、研磨手段１０と洗浄
手段４０とが独立しており、且つ、全ての工程が自動化
されていることが好ましく、また研磨手段１０及び洗浄
手段４０が、枚葉単位で行われることが好ましい。
手段４０とが独立しており、且つ、全ての工程が自動化
されていることが好ましく、また研磨手段１０及び洗浄
手段４０が、枚葉単位で行われることが好ましい。
【００２３】 ここで、本発明で用いる研磨手段１０
は、シリコンウエハの研磨面に、研磨材を含んだ研磨液
を供給しながら、シリコンウエハを収容する研磨ヘッド
１２を回転させ、回転する研磨テーブル１４上に適切な
圧力で押し付けることにより、シリコンウエハ表面に当
接しつつ両者を相互に摺動させながら、シリコンウエハ
表面を研磨するものである。
は、シリコンウエハの研磨面に、研磨材を含んだ研磨液
を供給しながら、シリコンウエハを収容する研磨ヘッド
１２を回転させ、回転する研磨テーブル１４上に適切な
圧力で押し付けることにより、シリコンウエハ表面に当
接しつつ両者を相互に摺動させながら、シリコンウエハ
表面を研磨するものである。
【００２４】 尚、本発明で用いる前洗浄手段（図示せ
ず）は、機械的洗浄手段又は水研磨洗浄手段であること
が好ましい。
ず）は、機械的洗浄手段又は水研磨洗浄手段であること
が好ましい。
【００２５】 また、本発明で用いる搬送手段３０は、
搬送ロボット３６が主に用いられるが、図２に示すよう
に、研磨手段１０からの引き受け時に、シリコンウエハ
を浸漬するように搬送水を供給しながら、シリコンウエ
ハを搬送するスライダー３２を用いることがより好まし
い。これにより、搬送工程を簡略化でき、装置のフット
プリントを小さくできる上に、シリコンウエハの乾燥を
防ぐための水の使用量を減らすことができる。尚、研磨
手段１０から搬送手段３０に受け渡す際に、シリコンウ
エハの研磨面を表側にする必要があるため、反転ロボッ
ト３５（図１参照）、反転装置３３（図２参照）が用い
られる。
搬送ロボット３６が主に用いられるが、図２に示すよう
に、研磨手段１０からの引き受け時に、シリコンウエハ
を浸漬するように搬送水を供給しながら、シリコンウエ
ハを搬送するスライダー３２を用いることがより好まし
い。これにより、搬送工程を簡略化でき、装置のフット
プリントを小さくできる上に、シリコンウエハの乾燥を
防ぐための水の使用量を減らすことができる。尚、研磨
手段１０から搬送手段３０に受け渡す際に、シリコンウ
エハの研磨面を表側にする必要があるため、反転ロボッ
ト３５（図１参照）、反転装置３３（図２参照）が用い
られる。
【００２６】 更に、本発明で用いる洗浄手段４０は、
ブラシを用いた洗浄であることが好ましい。
ブラシを用いた洗浄であることが好ましい。
【００２７】
【発明の効果】 以上説明した通り、本発明の研磨洗浄
方法及び装置は、研磨スラリー等の汚染物の固着や研磨
液によるシリコンウエハの面荒れが起こる前に、研磨工
程後のシリコンウエハを洗浄工程に受け渡すことによ
り、洗浄工程における負荷の軽減、処理時間の短縮、薬
液量の削減に寄与することができるため、シリコンウエ
ハの品質や生産性を向上することができる。
方法及び装置は、研磨スラリー等の汚染物の固着や研磨
液によるシリコンウエハの面荒れが起こる前に、研磨工
程後のシリコンウエハを洗浄工程に受け渡すことによ
り、洗浄工程における負荷の軽減、処理時間の短縮、薬
液量の削減に寄与することができるため、シリコンウエ
ハの品質や生産性を向上することができる。
【図１】 本発明のシリコンウエハの研磨洗浄装置の一
例を示す概要図である。
例を示す概要図である。
【図２】 本発明のシリコンウエハの研磨洗浄装置の他
の例を示す概要図である。
の例を示す概要図である。
１０…研磨手段、１２…研磨ヘッド、１４…研磨テーブ
ル、１６…搬送ロボット、１７…ローダー、１８…アン
ローダー、３０…搬送手段、３２…スライダー、３３…
反転装置、３４…水槽、３５…反転ロボット、３６…搬
送ロボット、４０…洗浄手段、４２，４３…洗浄モジュ
ール（洗浄手段）、４４，４６…搬送ロボット、５２，
５４…カセット。
ル、１６…搬送ロボット、１７…ローダー、１８…アン
ローダー、３０…搬送手段、３２…スライダー、３３…
反転装置、３４…水槽、３５…反転ロボット、３６…搬
送ロボット、４０…洗浄手段、４２，４３…洗浄モジュ
ール（洗浄手段）、４４，４６…搬送ロボット、５２，
５４…カセット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ａ ６４８Ｈ Ｂ０８Ｂ 1/04 Ｂ０８Ｂ 1/04 3/08 3/08 Ｚ 3/12 3/12 Ｚ Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB01 BA02 BA06 BA12 BB21 BB83 CA05 3B201 AA03 AB01 BA02 BA06 BA12 BB21 BB83 BB94 CA05 CB22
Claims (15)
- 【請求項１】 シリコンウエハのメカノケミカルポリッ
シングを行うためのシリコンウエハの研磨洗浄方法であ
って、 シリコンウエハ表面に、研磨材を含んだ研磨水を供給し
ながら研磨する研磨工程と、 前記研磨工程終了後のシリコンウエハから研磨スラリー
等の汚染物を除去する前洗浄工程と、 前記前洗浄工程終了後のシリコンウエハが乾燥しないよ
うに、適宜洗浄水に浸漬しながら、速やかに洗浄工程に
搬送する搬送工程と、 前記搬送工程で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物
や微粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高め
る洗浄工程と、を有することを特徴とするシリコンウエ
ハの研磨洗浄方法。 - 【請求項２】 研磨工程直後から洗浄工程開始までの時
間が、３分以内である請求項１に記載のシリコンウエハ
の研磨洗浄方法。 - 【請求項３】 搬送工程前に、シリコンウエハを親水性
にする請求項１又は２に記載のシリコンウエハの研磨洗
浄方法。 - 【請求項４】 搬送工程前に、シリコンウエハを添加剤
で均質に覆う請求項３に記載のシリコンウエハの研磨洗
浄方法。 - 【請求項５】 搬送工程前に、シリコンウエハ表面に酸
化膜を形成させる請求項３に記載のシリコンウエハの研
磨洗浄方法。 - 【請求項６】 前洗浄工程が、ブラシ、超音波、ジェッ
ト流のいずれか、あるいはそれらの組み合わせを使用す
る機械的洗浄からなる請求項１〜５のいずれか１項に記
載のシリコンウエハの研磨洗浄方法。 - 【請求項７】 前洗浄工程が、洗浄水を供給して研磨す
る水研磨洗浄からなる請求項１〜５のいずれか１項に記
載のシリコンウエハの研磨洗浄方法。 - 【請求項８】 洗浄水が、オゾン水、水素水、イオン水
のいずれか、あるいはそれらの組み合わせである請求項
１〜７のいずれか１項に記載のシリコンウエハの研磨洗
浄方法。 - 【請求項９】 シリコンウエハのメカノケミカルポリッ
シングを行うためのシリコンウエハの研磨洗浄装置であ
って、 シリコンウエハ表面に研磨材を含んだ研磨水を供給しな
がら研磨する研磨手段と、 前記研磨手段終了後のシリコンウエハから研磨スラリー
等の汚染物を除去する前洗浄手段と、 前記前洗浄手段終了後のシリコンウエハが乾燥しないよ
うに、適宜洗浄水に浸漬しながら、速やかに洗浄手段に
搬送する搬送手段と、 前記搬送手段で搬送されたシリコンウエハ表面の不純物
や微粒子を除去し、シリコンウエハ表面の清浄度を高め
る洗浄手段と、を有することを特徴とするシリコンウエ
ハの研磨洗浄装置。 - 【請求項１０】 搬送手段の前に、複数枚のシリコンウ
エハを収容する水槽が配設されている請求項９に記載の
シリコンウエハの研磨洗浄装置。 - 【請求項１１】 研磨手段と洗浄手段とが独立してお
り、且つ、全ての工程が自動化されている請求項９又は
１０に記載のシリコンウエハの研磨洗浄装置。 - 【請求項１２】 研磨手段及び洗浄手段が、枚葉単位で
行われる請求項９〜１１のいずれか１項に記載のシリコ
ンウエハの研磨洗浄装置。 - 【請求項１３】 前洗浄手段が、ブラシ、超音波、ジェ
ット流のいずれか、あるいはそれらの組み合わせを使用
する機械的洗浄手段である請求項９〜１２のいずれか１
項に記載のシリコンウエハの研磨洗浄装置。 - 【請求項１４】 前洗浄手段が、洗浄水を供給してシリ
コンウエハを研磨する水研磨洗浄手段である請求項９〜
１２のいずれか１項に記載のシリコンウエハの研磨洗浄
装置。 - 【請求項１５】 洗浄水が、オゾン水、水素水、イオン
水のいずれか、あるいはそれらの組み合わせである請求
項９〜１４のいずれか１項に記載のシリコンウエハの研
磨洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001035326A JP2002246349A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | シリコンウエハの研磨洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001035326A JP2002246349A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | シリコンウエハの研磨洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246349A true JP2002246349A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18898785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001035326A Withdrawn JP2002246349A (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | シリコンウエハの研磨洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103028568A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-04-10 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种模块化硅片清洗系统 |
-
2001
- 2001-02-13 JP JP2001035326A patent/JP2002246349A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103028568A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-04-10 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种模块化硅片清洗系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08187475A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
| JP2003502840A (ja) | 半導体ウェハを洗浄するための方法及びシステム | |
| JPH11340184A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6988761B2 (ja) | 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法 | |
| US6632743B1 (en) | Post-planarization, pre-oxide removal ozone treatment | |
| TW201731632A (zh) | 拋光後晶圓清潔 | |
| JP2001053050A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3413726B2 (ja) | ウエハ洗浄方法 | |
| JP2008294233A (ja) | 洗浄装置 | |
| US9941109B2 (en) | Surface treatment in a chemical mechanical process | |
| JP2003510838A (ja) | 化学機械研磨後に半導体ウエハを洗浄および処理するための方法 | |
| JPH10309666A (ja) | エッジポリッシング装置及びその方法 | |
| JP2002246349A (ja) | シリコンウエハの研磨洗浄方法及び装置 | |
| JP2002198345A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| JPH10270403A (ja) | 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法 | |
| JP3498288B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨方法 | |
| US5700348A (en) | Method of polishing semiconductor substrate | |
| JP4752117B2 (ja) | 半導体ウェハ上の粒子を除去する方法 | |
| JPH11307485A (ja) | 半導体ウエハ研磨方法、半導体ウエハ研磨装置、及び研磨ウエハ | |
| JP3225273B2 (ja) | ウエハ基板の総合研磨装置 | |
| TWI614089B (zh) | 半導體基板的保護膜形成方法 | |
| JP4541012B2 (ja) | 半導体ウエハの接着前表面処理 | |
| JP3122742B2 (ja) | ウエハの表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置 | |
| KR100628226B1 (ko) | 반도체 소자의 화학 기계적 연마장치 및 방법 | |
| KR100677034B1 (ko) | 반도체 소자의 세정방법 및 그 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080513 |