JPH10309666A - エッジポリッシング装置及びその方法 - Google Patents
エッジポリッシング装置及びその方法Info
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- JPH10309666A JPH10309666A JP9135809A JP13580997A JPH10309666A JP H10309666 A JPH10309666 A JP H10309666A JP 9135809 A JP9135809 A JP 9135809A JP 13580997 A JP13580997 A JP 13580997A JP H10309666 A JPH10309666 A JP H10309666A
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- oxide film
- edge polishing
- edge
- silicon wafer
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/02—Lapping machines or devices; Accessories designed for working surfaces of revolution
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハ等の表面に親水性の酸化膜を
形成して、ウエハ表面のシミ，汚れや傷付きを防止する
と共に、ウエハをドライ状態で保管可能なエッジポリッ
シング装置及びその方法を提供する。 【解決手段】 カセット１０に収納されたドライ状態の
シリコンウエハＷを搬送部１のロボット１２で取り出
し、酸化膜形成部２に搬送して、酸化水槽２０内のオゾ
ン水２１内に浸し、シリコンウエハＷ表面に親水性の酸
化膜を形成する。このシリコンウエハＷを洗浄器２８の
純水シャワー２９で洗浄した後、搬送部３のロボット３
２でエッジポリッシング部４に搬送し、研磨ドラム４１
でシリコンウエハＷのエッジを鏡面加工する。そして、
シリコンウエハＷを洗浄部５の一対のブラシ５１でブラ
ッシングしながら純水シャワー５３で洗浄し、洗浄した
シリコンウエハＷを搬送部６のロボット６０で乾燥部７
に搬送した後、シリコンウエハＷをドライ状態でカセッ
ト７９に収納する。
形成して、ウエハ表面のシミ，汚れや傷付きを防止する
と共に、ウエハをドライ状態で保管可能なエッジポリッ
シング装置及びその方法を提供する。 【解決手段】 カセット１０に収納されたドライ状態の
シリコンウエハＷを搬送部１のロボット１２で取り出
し、酸化膜形成部２に搬送して、酸化水槽２０内のオゾ
ン水２１内に浸し、シリコンウエハＷ表面に親水性の酸
化膜を形成する。このシリコンウエハＷを洗浄器２８の
純水シャワー２９で洗浄した後、搬送部３のロボット３
２でエッジポリッシング部４に搬送し、研磨ドラム４１
でシリコンウエハＷのエッジを鏡面加工する。そして、
シリコンウエハＷを洗浄部５の一対のブラシ５１でブラ
ッシングしながら純水シャワー５３で洗浄し、洗浄した
シリコンウエハＷを搬送部６のロボット６０で乾燥部７
に搬送した後、シリコンウエハＷをドライ状態でカセッ
ト７９に収納する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、面取りされたウ
エハのエッジを自動的に鏡面加工するエッジポリッシン
グ装置及びその方法に関するものである。
エハのエッジを自動的に鏡面加工するエッジポリッシン
グ装置及びその方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来のエッジポリッシング装置
を示すブロック図である。このエッジポリッシング装置
１００は、エッジポリッシング部１０１と洗浄部１０２
と保管部１０３とを具備している。これにより、カセッ
ト２００内のドライなシリコンウエハＷを一枚ずつエッ
ジポリッシング部１０１に搬送し、エッジポリッシング
部１０１においてスラリを供給しながらシリコンウエハ
Ｗのエッジを鏡面加工する。そして、鏡面加工されたシ
リコンウエハＷを洗浄部１０２に搬送し、洗浄部１０２
において、純水シャワーをシリコンウエハＷにかけ、付
着したスラリなどを洗い落とした後、シリコンウエハＷ
を保管部１０３に搬送する。保管部１０３では、洗浄さ
れたシリコンウエハＷを純水で満たされたタンク内に浸
漬しておく。このように、一台のエッジポリッシング装
置によってシリコンウエハＷのエッジポリッシングと洗
浄と保管とを連続的に行うことで、加工作業の効率化を
図っている。
を示すブロック図である。このエッジポリッシング装置
１００は、エッジポリッシング部１０１と洗浄部１０２
と保管部１０３とを具備している。これにより、カセッ
ト２００内のドライなシリコンウエハＷを一枚ずつエッ
ジポリッシング部１０１に搬送し、エッジポリッシング
部１０１においてスラリを供給しながらシリコンウエハ
Ｗのエッジを鏡面加工する。そして、鏡面加工されたシ
リコンウエハＷを洗浄部１０２に搬送し、洗浄部１０２
において、純水シャワーをシリコンウエハＷにかけ、付
着したスラリなどを洗い落とした後、シリコンウエハＷ
を保管部１０３に搬送する。保管部１０３では、洗浄さ
れたシリコンウエハＷを純水で満たされたタンク内に浸
漬しておく。このように、一台のエッジポリッシング装
置によってシリコンウエハＷのエッジポリッシングと洗
浄と保管とを連続的に行うことで、加工作業の効率化を
図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
のエッジポリッシング装置では次のような問題があっ
た。工程中にシミや汚れがシリコンウエハＷの表面に付
き易い。すなわち、シリコンウエハＷの表面は疎水性で
あるので、図９に示すように、純水が水滴状にシリコン
Ｗに付着し、この水滴の中にエッジポリッシング部１０
１において供給されたスラリの砥粒などの不純物が凝集
し、これらがシリコンウエハＷの乾燥時にその表面にシ
ミや汚れとなって現れる。これに対処する方法として、
洗浄部１０２において、スクラブ洗浄することが考えら
れる。すなわち、シリコンウエハＷに単に純水シャワー
をかけるだけでなく、ブラシで不純物を掻き落としなが
ら純水をシャワーリングすることで、シリコンウエハＷ
にシミ等を発生させないほぼ完全な洗浄を達成すること
ができる。しかしながら、この方法では、シリコンウエ
ハＷの表面がブラシによって傷付けられるおそれがあ
る。また、従来のエッジポリッシング装置では、シリコ
ンウエハＷを保管部１０３においてウェット状態で保管
するので、シリコンウエハＷを、次工程のクリーンルー
ムに搬送する前に洗浄，乾燥する必要があり、エッジポ
リッシング装置で作業を終了したシリコンウエハＷを直
接クリーンルームに搬送することができない。
のエッジポリッシング装置では次のような問題があっ
た。工程中にシミや汚れがシリコンウエハＷの表面に付
き易い。すなわち、シリコンウエハＷの表面は疎水性で
あるので、図９に示すように、純水が水滴状にシリコン
Ｗに付着し、この水滴の中にエッジポリッシング部１０
１において供給されたスラリの砥粒などの不純物が凝集
し、これらがシリコンウエハＷの乾燥時にその表面にシ
ミや汚れとなって現れる。これに対処する方法として、
洗浄部１０２において、スクラブ洗浄することが考えら
れる。すなわち、シリコンウエハＷに単に純水シャワー
をかけるだけでなく、ブラシで不純物を掻き落としなが
ら純水をシャワーリングすることで、シリコンウエハＷ
にシミ等を発生させないほぼ完全な洗浄を達成すること
ができる。しかしながら、この方法では、シリコンウエ
ハＷの表面がブラシによって傷付けられるおそれがあ
る。また、従来のエッジポリッシング装置では、シリコ
ンウエハＷを保管部１０３においてウェット状態で保管
するので、シリコンウエハＷを、次工程のクリーンルー
ムに搬送する前に洗浄，乾燥する必要があり、エッジポ
リッシング装置で作業を終了したシリコンウエハＷを直
接クリーンルームに搬送することができない。
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、シリコンウエハ等の表面に親水性の酸
化膜を形成して、ウエハ表面のシミ，汚れや傷付きを防
止すると共に、ウエハをドライ状態で保管可能なエッジ
ポリッシング装置及びその方法を提供することを目的と
するものである。
なされたもので、シリコンウエハ等の表面に親水性の酸
化膜を形成して、ウエハ表面のシミ，汚れや傷付きを防
止すると共に、ウエハをドライ状態で保管可能なエッジ
ポリッシング装置及びその方法を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明に係るエッジポリッシング装置は、
エッジが面取りされたウエハの表面を親水性の酸化膜で
覆う酸化膜形成部と、酸化膜で覆われたウエハのエッジ
を鏡面加工するエッジポリッシング部とを具備する構成
とした。かかる構成により、酸化膜形成部において、ウ
エハの表面が親水性の酸化膜で覆われ、このウエハのエ
ッジがエッジポリッシング部において鏡面加工される。
また、上記エッジポリッシング装置において、酸化膜形
成部は、ウエハをオゾン水中に浸して酸化膜をウエハ表
面に形成するものである構成とした。また、上記エッジ
ポリッシング装置において、酸化膜形成部は、ウエハを
電解酸化水中に浸して酸化膜をウエハ表面に形成するも
のである構成とした。さらに、上記エッジポリッシング
装置において、エッジポリッシング部の後段に、エッジ
が鏡面加工されたウエハを洗浄する洗浄部を設けた構成
としてある。かかる構成により、ウエハエッジの鏡面加
工とウエハの洗浄とを一台の装置で行うことができる。
特に、上記エッジポリッシング装置において、洗浄部
は、ウエハを回転ブラシでブラッシングしながら純水シ
ャワーで洗浄するスクラブ洗浄部である構成とすること
で、ウエハのほぼ完全な洗浄を達成することができる。
また、上記エッジポリッシング装置において、洗浄部の
後段に、洗浄されたウエハを乾燥する乾燥部を設けた構
成とした。かかる構成により、ウエハエッジの鏡面加工
とウエハの洗浄とウエハの乾燥とを一台の装置で達成す
ることができ、ウエハをドライの状態で提供することが
できる。
に、請求項１の発明に係るエッジポリッシング装置は、
エッジが面取りされたウエハの表面を親水性の酸化膜で
覆う酸化膜形成部と、酸化膜で覆われたウエハのエッジ
を鏡面加工するエッジポリッシング部とを具備する構成
とした。かかる構成により、酸化膜形成部において、ウ
エハの表面が親水性の酸化膜で覆われ、このウエハのエ
ッジがエッジポリッシング部において鏡面加工される。
また、上記エッジポリッシング装置において、酸化膜形
成部は、ウエハをオゾン水中に浸して酸化膜をウエハ表
面に形成するものである構成とした。また、上記エッジ
ポリッシング装置において、酸化膜形成部は、ウエハを
電解酸化水中に浸して酸化膜をウエハ表面に形成するも
のである構成とした。さらに、上記エッジポリッシング
装置において、エッジポリッシング部の後段に、エッジ
が鏡面加工されたウエハを洗浄する洗浄部を設けた構成
としてある。かかる構成により、ウエハエッジの鏡面加
工とウエハの洗浄とを一台の装置で行うことができる。
特に、上記エッジポリッシング装置において、洗浄部
は、ウエハを回転ブラシでブラッシングしながら純水シ
ャワーで洗浄するスクラブ洗浄部である構成とすること
で、ウエハのほぼ完全な洗浄を達成することができる。
また、上記エッジポリッシング装置において、洗浄部の
後段に、洗浄されたウエハを乾燥する乾燥部を設けた構
成とした。かかる構成により、ウエハエッジの鏡面加工
とウエハの洗浄とウエハの乾燥とを一台の装置で達成す
ることができ、ウエハをドライの状態で提供することが
できる。
【０００６】請求項７の発明に係るエッジポリッシング
方法は、エッジが面取りされたウエハの表面を親水性の
酸化膜で覆う酸化膜形成工程と、酸化膜形成工程を経た
ウエハのエッジを鏡面加工するエッジポリッシング工程
とを具備する構成とした。また、上記エッジポリッシン
グ方法において、酸化膜形成工程は、ウエハをオゾン水
中に浸して酸化膜を形成する構成とした。また、上記エ
ッジポリッシング方法において、酸化膜形成工程は、ウ
エハを電解酸化水中に浸して酸化膜を形成する構成とし
た。また、上記エッジポリッシング方法において、エッ
ジポリッシング工程で鏡面加工されたウエハを洗浄する
洗浄工程を設けた構成としてある。また、上記エッジポ
リッシング方法において、洗浄工程で洗浄されたウエハ
を乾燥する乾燥工程を設けた構成とした。
方法は、エッジが面取りされたウエハの表面を親水性の
酸化膜で覆う酸化膜形成工程と、酸化膜形成工程を経た
ウエハのエッジを鏡面加工するエッジポリッシング工程
とを具備する構成とした。また、上記エッジポリッシン
グ方法において、酸化膜形成工程は、ウエハをオゾン水
中に浸して酸化膜を形成する構成とした。また、上記エ
ッジポリッシング方法において、酸化膜形成工程は、ウ
エハを電解酸化水中に浸して酸化膜を形成する構成とし
た。また、上記エッジポリッシング方法において、エッ
ジポリッシング工程で鏡面加工されたウエハを洗浄する
洗浄工程を設けた構成としてある。また、上記エッジポ
リッシング方法において、洗浄工程で洗浄されたウエハ
を乾燥する乾燥工程を設けた構成とした。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明の一実
施形態に係るエッジポリッシング装置の概略構造図であ
る。このエッジポリッシング装置は、搬送部１と酸化膜
形成部２と搬送部３とエッジポリッシング部４と洗浄部
５と搬送部６と乾燥部７とを具備している。
いて図面を参照して説明する。図１は、この発明の一実
施形態に係るエッジポリッシング装置の概略構造図であ
る。このエッジポリッシング装置は、搬送部１と酸化膜
形成部２と搬送部３とエッジポリッシング部４と洗浄部
５と搬送部６と乾燥部７とを具備している。
【０００８】搬送部１は、カセット１０に収納されてい
る複数のシリコンウエハＷを一枚ずつ酸化膜形成部２に
搬送するための部分であり、レール１１とレール１１上
を移動するロボット１２とで構成されている。具体的に
は、円盤状のシリコンウエハＷのエッジには、図２に示
すように、面取部Ｗａ，Ｗｂが前工程の図示しない装置
によって形成されており、図１のカセット１０内には、
このような複数のシリコンウエハＷがドライ状態で収納
されている。ロボット１２は、このようなカセット１０
にそのアーム１２ａを伸ばして、アーム１２ａ先端のチ
ャック１２ｂでシリコンウエハＷを吸着し、酸化膜形成
部２側に移動した後、シリコンウエハＷをテーブル３０
に載置するようになっている。
る複数のシリコンウエハＷを一枚ずつ酸化膜形成部２に
搬送するための部分であり、レール１１とレール１１上
を移動するロボット１２とで構成されている。具体的に
は、円盤状のシリコンウエハＷのエッジには、図２に示
すように、面取部Ｗａ，Ｗｂが前工程の図示しない装置
によって形成されており、図１のカセット１０内には、
このような複数のシリコンウエハＷがドライ状態で収納
されている。ロボット１２は、このようなカセット１０
にそのアーム１２ａを伸ばして、アーム１２ａ先端のチ
ャック１２ｂでシリコンウエハＷを吸着し、酸化膜形成
部２側に移動した後、シリコンウエハＷをテーブル３０
に載置するようになっている。
【０００９】酸化膜形成部２は、酸化水槽２０と洗浄器
２８とで構成されている。酸化水槽２０は、所定濃度の
オゾン水２１で満たされており、ロボット１２で搬送さ
れてきたシリコンウエハＷをこのオゾン水２１内に所定
時間浸すことで、図３に示すように、二酸化珪素でなる
１０数オングストロームの厚さの親水性の酸化膜Ｓをシ
リコンウエハＷの表面全体に形成する。洗浄器２８はシ
リコンウエハＷに付着したオゾン水２１を洗い落とす器
機であり、器機内に挿入されたシリコンウエハＷに純水
シャワー２９をかけて洗浄する。
２８とで構成されている。酸化水槽２０は、所定濃度の
オゾン水２１で満たされており、ロボット１２で搬送さ
れてきたシリコンウエハＷをこのオゾン水２１内に所定
時間浸すことで、図３に示すように、二酸化珪素でなる
１０数オングストロームの厚さの親水性の酸化膜Ｓをシ
リコンウエハＷの表面全体に形成する。洗浄器２８はシ
リコンウエハＷに付着したオゾン水２１を洗い落とす器
機であり、器機内に挿入されたシリコンウエハＷに純水
シャワー２９をかけて洗浄する。
【００１０】搬送部３は、ロボット１２によってテーブ
ル３０上に載置されたシリコンウエハＷをエッジポリッ
シング部４と洗浄部５とに搬送する部分であり、レール
３１とレール３１上を移動するロボット３２とで構成さ
れている。すなわち、ロボット３２は、テーブル３０上
のシリコンウエハＷにアーム３２ａを伸ばして、アーム
３２ａ先端のチャック３２ｂでシリコンウエハＷを吸着
し、後述するエッジポリッシング部４の回転真空チャッ
ク４０まで搬送して回転真空チャック４０に吸着させ、
鏡面加工後のシリコンウエハＷを回転真空チャック４０
から取り出して、レール３１上を移動し、洗浄部５に搬
送する。
ル３０上に載置されたシリコンウエハＷをエッジポリッ
シング部４と洗浄部５とに搬送する部分であり、レール
３１とレール３１上を移動するロボット３２とで構成さ
れている。すなわち、ロボット３２は、テーブル３０上
のシリコンウエハＷにアーム３２ａを伸ばして、アーム
３２ａ先端のチャック３２ｂでシリコンウエハＷを吸着
し、後述するエッジポリッシング部４の回転真空チャッ
ク４０まで搬送して回転真空チャック４０に吸着させ、
鏡面加工後のシリコンウエハＷを回転真空チャック４０
から取り出して、レール３１上を移動し、洗浄部５に搬
送する。
【００１１】エッジポリッシング部４は、シリコンウエ
ハＷのエッジを鏡面加工する部分である。図４は、エッ
ジポリッシング部４の概略図である。図４に示すよう
に、このエッジポリッシング部４は、回転真空チャック
４０と研磨ドラム４１とを有している。回転真空チャッ
ク４０は、シリコンウエハＷを真空吸着するためのもの
であり、取付体４２内部のモータによって回転する。ま
た、取付体４２は、レール４５上をスライドする基台４
３に首振り可能に取り付けられている。一方、研磨ドラ
ム４１は、モータ４４に組み付けられており、このモー
タ４４によって回転させられるようになっている。すな
わち、回転真空チャック４０で吸着したシリコンウエハ
Ｗの面取部Ｗａが研磨ドラム４１の周面と所定角度にな
るように取付体４２を傾けて、回転真空チャック４０を
回転させながら取付体４２を研磨ドラム４１側にスライ
ドさせて、シリコンウエハＷの面取部Ｗａを回転する研
磨ドラム４１に接触させ、スラリＧをその接触部分に供
給しながら面取部Ｗａの鏡面加工を行うようになってい
る。また、二点鎖線で示すように、回転真空チャック４
０を真上に向けることで、シリコンウエハＷの周側部Ｗ
ｃを研磨ドラム４１で鏡面加工することができるように
なっている。そして、図示しないウエハ反転機構により
シリコンウエハＷを裏返しにして、回転真空チャック４
０を傾け、面取部Ｗｂの鏡面加工を行うことができるよ
うになっている。
ハＷのエッジを鏡面加工する部分である。図４は、エッ
ジポリッシング部４の概略図である。図４に示すよう
に、このエッジポリッシング部４は、回転真空チャック
４０と研磨ドラム４１とを有している。回転真空チャッ
ク４０は、シリコンウエハＷを真空吸着するためのもの
であり、取付体４２内部のモータによって回転する。ま
た、取付体４２は、レール４５上をスライドする基台４
３に首振り可能に取り付けられている。一方、研磨ドラ
ム４１は、モータ４４に組み付けられており、このモー
タ４４によって回転させられるようになっている。すな
わち、回転真空チャック４０で吸着したシリコンウエハ
Ｗの面取部Ｗａが研磨ドラム４１の周面と所定角度にな
るように取付体４２を傾けて、回転真空チャック４０を
回転させながら取付体４２を研磨ドラム４１側にスライ
ドさせて、シリコンウエハＷの面取部Ｗａを回転する研
磨ドラム４１に接触させ、スラリＧをその接触部分に供
給しながら面取部Ｗａの鏡面加工を行うようになってい
る。また、二点鎖線で示すように、回転真空チャック４
０を真上に向けることで、シリコンウエハＷの周側部Ｗ
ｃを研磨ドラム４１で鏡面加工することができるように
なっている。そして、図示しないウエハ反転機構により
シリコンウエハＷを裏返しにして、回転真空チャック４
０を傾け、面取部Ｗｂの鏡面加工を行うことができるよ
うになっている。
【００１２】図１において、洗浄部５は、ロボット３２
で搬送されてきたシリコンウエハＷをスクラブ洗浄する
部分である。図５は、洗浄部５の概略図である。図５に
示すように、洗浄部５は、ロボット３２によって載置さ
れたシリコンウエハＷをコンベア５０で一対のブラシ５
１まで搬送する。この一対のブラシ５１の前段には一対
のローラ５２が配設されており、搬送されてきたシリコ
ンウエハＷを挟んで一対のブラシ５１間に送り込むよう
になっている。一対のブラシ５１は共に回転しており、
純水シャワー５３を浴びながら送り込まれてきたシリコ
ンウエハＷの両面をブラッシングする。一対のブラシ５
１でブラッシングされ、洗浄されたシリコンウエハＷは
一対のローラ５４によってテーブル５５上に送り出され
る。
で搬送されてきたシリコンウエハＷをスクラブ洗浄する
部分である。図５は、洗浄部５の概略図である。図５に
示すように、洗浄部５は、ロボット３２によって載置さ
れたシリコンウエハＷをコンベア５０で一対のブラシ５
１まで搬送する。この一対のブラシ５１の前段には一対
のローラ５２が配設されており、搬送されてきたシリコ
ンウエハＷを挟んで一対のブラシ５１間に送り込むよう
になっている。一対のブラシ５１は共に回転しており、
純水シャワー５３を浴びながら送り込まれてきたシリコ
ンウエハＷの両面をブラッシングする。一対のブラシ５
１でブラッシングされ、洗浄されたシリコンウエハＷは
一対のローラ５４によってテーブル５５上に送り出され
る。
【００１３】図１において、搬送部６は、テーブル５５
に載置されたシリコンウエハＷを乾燥部７に搬送するた
めの部分であり、ロボット６０でなる。すなわち、ロボ
ット６０は、テーブル５５上のシリコンウエハＷにアー
ム６０ａを伸ばし、アーム６０ａ先端のチャック６０ｂ
でシリコンウエハＷを吸着して、後述する乾燥部７のス
ピナー７０に搬送し、スピナー７０にシリコンウエハＷ
を吸着させ、乾燥されたシリコンウエハＷをスピナー７
０から取り出してカセット７９に収納する。
に載置されたシリコンウエハＷを乾燥部７に搬送するた
めの部分であり、ロボット６０でなる。すなわち、ロボ
ット６０は、テーブル５５上のシリコンウエハＷにアー
ム６０ａを伸ばし、アーム６０ａ先端のチャック６０ｂ
でシリコンウエハＷを吸着して、後述する乾燥部７のス
ピナー７０に搬送し、スピナー７０にシリコンウエハＷ
を吸着させ、乾燥されたシリコンウエハＷをスピナー７
０から取り出してカセット７９に収納する。
【００１４】乾燥部７は、洗浄部５で洗浄されたシリコ
ンウエハＷを乾燥する部分である。図６は、乾燥部７の
概略図である。乾燥部７は、図６に示すように、スピナ
ー７０と取付体７１とを有している。スピナー７０は、
シリコンウエハＷを真空吸着するためのものであり、取
付体７１内部のモータによって高速回転するようになっ
ている。
ンウエハＷを乾燥する部分である。図６は、乾燥部７の
概略図である。乾燥部７は、図６に示すように、スピナ
ー７０と取付体７１とを有している。スピナー７０は、
シリコンウエハＷを真空吸着するためのものであり、取
付体７１内部のモータによって高速回転するようになっ
ている。
【００１５】次に、この実施形態のエッジポリッシング
装置が示す動作について説明する。なお、このエッジポ
リッシング装置はその動作時において請求項７，請求項
８，請求項１０及び請求項１１のエッジポリッシング方
法を具体的に達成するものでもある。また、搬送部１の
ロボット１２，酸化膜形成部２の洗浄器２８，搬送部３
のロボット３２，エッジポリッシング部４，洗浄部５，
搬送部６のロボット６０及び乾燥部７の動作は、図示し
ないコンピュータによって制御されるようになってい
る。
装置が示す動作について説明する。なお、このエッジポ
リッシング装置はその動作時において請求項７，請求項
８，請求項１０及び請求項１１のエッジポリッシング方
法を具体的に達成するものでもある。また、搬送部１の
ロボット１２，酸化膜形成部２の洗浄器２８，搬送部３
のロボット３２，エッジポリッシング部４，洗浄部５，
搬送部６のロボット６０及び乾燥部７の動作は、図示し
ないコンピュータによって制御されるようになってい
る。
【００１６】先ず、酸化膜形成工程が実行される。すな
わち、図１の実線で示すように、カセット１０内に収納
されたドライ状態のシリコンウエハＷが搬送部１のロボ
ット１２によって１枚ずつ取り出され、酸化膜形成部２
の酸化水槽２０まで搬送されて、図１の一点鎖線で示す
ように、シリコンウエハＷがロボット１２によって酸化
水槽２０のオゾン水２１内に所定時間浸される。そし
て、図３に示したように、１０数オングストロームの親
水性の酸化膜ＳがシリコンウエハＷの表面に形成された
時点で、シリコンウエハＷがオゾン水２１から出され、
破線で示すように、洗浄器２８まで搬送されて、付着し
たオゾン水２１が純水シャワー２９によって洗い落とさ
れる。充分な洗浄が行われたシリコンウエハＷは、ロボ
ット１２によってテーブル３０上に載置され、酸化膜形
成工程が終了する。
わち、図１の実線で示すように、カセット１０内に収納
されたドライ状態のシリコンウエハＷが搬送部１のロボ
ット１２によって１枚ずつ取り出され、酸化膜形成部２
の酸化水槽２０まで搬送されて、図１の一点鎖線で示す
ように、シリコンウエハＷがロボット１２によって酸化
水槽２０のオゾン水２１内に所定時間浸される。そし
て、図３に示したように、１０数オングストロームの親
水性の酸化膜ＳがシリコンウエハＷの表面に形成された
時点で、シリコンウエハＷがオゾン水２１から出され、
破線で示すように、洗浄器２８まで搬送されて、付着し
たオゾン水２１が純水シャワー２９によって洗い落とさ
れる。充分な洗浄が行われたシリコンウエハＷは、ロボ
ット１２によってテーブル３０上に載置され、酸化膜形
成工程が終了する。
【００１７】次に、エッジポリッシング工程に移行され
る。すなわち、テーブル３０上のシリコンウエハＷがロ
ボット３２によってエッジポリッシング部４に搬送さ
れ、回転真空チャック４０に吸着される。すると、図４
に示したように、回転する研磨ドラム４１によって、シ
リコンウエハＷの面取部Ｗａ，周側部Ｗｃ，面取部Ｗｂ
が順次鏡面加工される。この加工中には、スラリＧがシ
リコンウエハＷと研磨ドラム４１との接触部分に供給さ
れ続ける。このようにして、シリコンウエハＷのエッジ
の鏡面加工が終了すると、回転真空チャック４０による
シリコンウエハＷへの吸着力が解放されて、シリコンウ
エハＷがロボット３２によって取り出され、エッジポリ
ッシング工程が終了する。
る。すなわち、テーブル３０上のシリコンウエハＷがロ
ボット３２によってエッジポリッシング部４に搬送さ
れ、回転真空チャック４０に吸着される。すると、図４
に示したように、回転する研磨ドラム４１によって、シ
リコンウエハＷの面取部Ｗａ，周側部Ｗｃ，面取部Ｗｂ
が順次鏡面加工される。この加工中には、スラリＧがシ
リコンウエハＷと研磨ドラム４１との接触部分に供給さ
れ続ける。このようにして、シリコンウエハＷのエッジ
の鏡面加工が終了すると、回転真空チャック４０による
シリコンウエハＷへの吸着力が解放されて、シリコンウ
エハＷがロボット３２によって取り出され、エッジポリ
ッシング工程が終了する。
【００１８】そして、シリコンウエハＷは、二点鎖線で
示すように、洗浄部５に搬送され、洗浄工程が実行され
る。このとき、スラリＧなどの不純物がシリコンウエハ
Ｗに付着しているが、シリコンウエハＷが親水性の酸化
膜Ｓによって覆われているので、図７に示すように、水
が酸化膜Ｓの表面一様に付着する。このため、スラリＧ
内の砥粒等の不純物はこの水内にほとんど凝集すること
はなく、略均一に拡散する。このようなシリコンウエハ
Ｗは、ロボット３２によって洗浄部５のコンベア５０上
に載置され、コンベア５０によって一対のブラシ５１側
に搬送されていく。そして、シリコンウエハＷが一対の
ブラシ５１の間に送り込まれると、シリコンウエハＷが
純水シャワー５３を浴びながら一対のブラシ５１によっ
てブラッシングされ、表面に付着したスラリＧなどの不
純物がほぼ完全に洗い落とされる。すなわち、上記不純
物が凝集状態で酸化膜Ｓの表面に付着していても、ブラ
ッシングによって洗い流され、シミなどとして残ること
はない。また、このブラッシング時において、一対のブ
ラシ５１は、シリコンウエハＷを覆う硬い酸化膜Ｓに接
触するので、その表面が傷付くことはない。
示すように、洗浄部５に搬送され、洗浄工程が実行され
る。このとき、スラリＧなどの不純物がシリコンウエハ
Ｗに付着しているが、シリコンウエハＷが親水性の酸化
膜Ｓによって覆われているので、図７に示すように、水
が酸化膜Ｓの表面一様に付着する。このため、スラリＧ
内の砥粒等の不純物はこの水内にほとんど凝集すること
はなく、略均一に拡散する。このようなシリコンウエハ
Ｗは、ロボット３２によって洗浄部５のコンベア５０上
に載置され、コンベア５０によって一対のブラシ５１側
に搬送されていく。そして、シリコンウエハＷが一対の
ブラシ５１の間に送り込まれると、シリコンウエハＷが
純水シャワー５３を浴びながら一対のブラシ５１によっ
てブラッシングされ、表面に付着したスラリＧなどの不
純物がほぼ完全に洗い落とされる。すなわち、上記不純
物が凝集状態で酸化膜Ｓの表面に付着していても、ブラ
ッシングによって洗い流され、シミなどとして残ること
はない。また、このブラッシング時において、一対のブ
ラシ５１は、シリコンウエハＷを覆う硬い酸化膜Ｓに接
触するので、その表面が傷付くことはない。
【００１９】最後に、乾燥工程が実行される。すなわ
ち、スクラブ洗浄されたテーブル５５上のシリコンウエ
ハＷがロボット６０によって乾燥部７まで搬送され、ス
ピナー７０上に載置される。すると、このシリコンウエ
ハＷがスピナー７０に吸着され、スピナー７０が高速回
転して、シリコンウエハＷ表面に付着している純水がシ
リコンウエハＷの遠心力によって飛散される。そして、
シリコンウエハＷ表面の純水が完全に飛散され、シリコ
ンウエハＷが乾燥状態になると、スピナー７０の回転が
停止されると共に吸着力が解放され、乾燥工程が終了す
る。この結果、乾燥され、シミや汚れのないシリコンウ
エハＷが、ロボット６０によってスピナー７０から取り
出され、カセット７９内にドライ状態のまま収納され
る。
ち、スクラブ洗浄されたテーブル５５上のシリコンウエ
ハＷがロボット６０によって乾燥部７まで搬送され、ス
ピナー７０上に載置される。すると、このシリコンウエ
ハＷがスピナー７０に吸着され、スピナー７０が高速回
転して、シリコンウエハＷ表面に付着している純水がシ
リコンウエハＷの遠心力によって飛散される。そして、
シリコンウエハＷ表面の純水が完全に飛散され、シリコ
ンウエハＷが乾燥状態になると、スピナー７０の回転が
停止されると共に吸着力が解放され、乾燥工程が終了す
る。この結果、乾燥され、シミや汚れのないシリコンウ
エハＷが、ロボット６０によってスピナー７０から取り
出され、カセット７９内にドライ状態のまま収納され
る。
【００２０】このように、この実施形態のエッジポリッ
シング装置によれば、親水性の酸化膜Ｓで覆われたシリ
コンウエハＷをエッジポリッシング部４，洗浄部５，搬
送部６において鏡面加工，洗浄，乾燥する構成であるの
で、スラリＧの砥粒等の不純物がシリコンウエハＷの表
面にシミや汚れとなって現れることはない。また、シリ
コンウエハＷが硬い酸化膜Ｓで覆われているので、洗浄
部５でスクラブ洗浄してもその表面に傷が付くことはな
い。さらに、乾燥部７で乾燥したドライなシリコンウエ
ハＷを保管しておくことができるので、次工程のクリー
ンルームにシリコンウエハＷを直接搬送することができ
る。
シング装置によれば、親水性の酸化膜Ｓで覆われたシリ
コンウエハＷをエッジポリッシング部４，洗浄部５，搬
送部６において鏡面加工，洗浄，乾燥する構成であるの
で、スラリＧの砥粒等の不純物がシリコンウエハＷの表
面にシミや汚れとなって現れることはない。また、シリ
コンウエハＷが硬い酸化膜Ｓで覆われているので、洗浄
部５でスクラブ洗浄してもその表面に傷が付くことはな
い。さらに、乾燥部７で乾燥したドライなシリコンウエ
ハＷを保管しておくことができるので、次工程のクリー
ンルームにシリコンウエハＷを直接搬送することができ
る。
【００２１】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
エッジポリッシング部４を図４に示す構造とし、洗浄部
５を図５に示す構造とし、搬送部６を図６に示す構造と
したが、エッジポリッシング部４において、シリコンウ
エハＷのエッジを鏡面加工し得る全ての技術を適用する
ことができ、洗浄部５において、シリコンウエハＷをス
クラブ洗浄し得る全ての技術を適用することができ、搬
送部６において、スピン乾燥だけでなく、加熱乾燥等の
全ての技術を適用することができることは勿論である。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
エッジポリッシング部４を図４に示す構造とし、洗浄部
５を図５に示す構造とし、搬送部６を図６に示す構造と
したが、エッジポリッシング部４において、シリコンウ
エハＷのエッジを鏡面加工し得る全ての技術を適用する
ことができ、洗浄部５において、シリコンウエハＷをス
クラブ洗浄し得る全ての技術を適用することができ、搬
送部６において、スピン乾燥だけでなく、加熱乾燥等の
全ての技術を適用することができることは勿論である。
【００２２】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、請求項１及
び請求項７の発明によれば、ウエハのエッジを鏡面加工
する前に、ウエハの表面が親水性の酸化膜で覆われてい
るので、スラリなどの不純物がウエハに付着しても、こ
れらの不純物は酸化膜の表面で拡散し、凝集しない。こ
の結果、シミや汚れのないウエハを提供することができ
るという効果がある。
び請求項７の発明によれば、ウエハのエッジを鏡面加工
する前に、ウエハの表面が親水性の酸化膜で覆われてい
るので、スラリなどの不純物がウエハに付着しても、こ
れらの不純物は酸化膜の表面で拡散し、凝集しない。こ
の結果、シミや汚れのないウエハを提供することができ
るという効果がある。
【００２３】また、請求項２，３及び請求項８，９の発
明によれば、オゾン水や電解酸化水を用いて酸化膜を形
成するので、ウエハに悪影響を与えることなく所望の酸
化膜を形成することができるという効果がある。
明によれば、オゾン水や電解酸化水を用いて酸化膜を形
成するので、ウエハに悪影響を与えることなく所望の酸
化膜を形成することができるという効果がある。
【００２４】請求項４及び請求項１０の発明によれば、
ウエハ表面にシミや汚れを発生することなく、ウエハの
エッジ鏡面加工と洗浄とを連続的に行うことができると
いう効果がある。特に、請求項５の発明によれば、酸化
膜で覆われたウエハを回転ブラシでブラッシングしなが
ら洗浄するので、ウエハ表面を傷付けることなく、ほぼ
完全な洗浄が可能となる。
ウエハ表面にシミや汚れを発生することなく、ウエハの
エッジ鏡面加工と洗浄とを連続的に行うことができると
いう効果がある。特に、請求項５の発明によれば、酸化
膜で覆われたウエハを回転ブラシでブラッシングしなが
ら洗浄するので、ウエハ表面を傷付けることなく、ほぼ
完全な洗浄が可能となる。
【００２５】請求項６及び請求項１１の発明によれば、
ウエハ表面にシミ，汚れや傷を発生させることなく、ウ
エハのエッジ鏡面加工と洗浄と乾燥とを連続的に行うこ
とができるので、ドライ状態のウエハを提供することが
でき、この結果、特別の工程を介せずにクリーンルーム
からクリーンルームにウエハを直接搬送することができ
るという効果がある。
ウエハ表面にシミ，汚れや傷を発生させることなく、ウ
エハのエッジ鏡面加工と洗浄と乾燥とを連続的に行うこ
とができるので、ドライ状態のウエハを提供することが
でき、この結果、特別の工程を介せずにクリーンルーム
からクリーンルームにウエハを直接搬送することができ
るという効果がある。
【図１】この発明の一実施形態に係るエッジポリッシン
グ装置の概略構造図である。
グ装置の概略構造図である。
【図２】シリコンウエハの側面図である。
【図３】酸化膜で覆われたシリコンウエハの側面図であ
る。
る。
【図４】エッジポリッシング部の概略構造図である。
【図５】洗浄部の概略構造図である。
【図６】乾燥部の概略構造図である。
【図７】酸化膜による不純物の水中拡散状態を示す側面
図である。
図である。
【図８】従来のエッジポリッシング装置を示すブロック
図である。
図である。
【図９】不純物の凝集状態を示す側面図である。
２・・・酸化膜形成部、 ４・・・エッジポリッシング
部、 ５・・・洗浄部、 ７・・・乾燥部、 ２０・・
・酸化水槽、 ２１・・・オゾン水、 Ｓ・・・酸化
膜、 Ｗ・・・シリコンウエハ。
部、 ５・・・洗浄部、 ７・・・乾燥部、 ２０・・
・酸化水槽、 ２１・・・オゾン水、 Ｓ・・・酸化
膜、 Ｗ・・・シリコンウエハ。
Claims (11)
- 【請求項１】 エッジが面取りされたウエハの表面を親
水性の酸化膜で覆う酸化膜形成部と、 上記酸化膜で覆われたウエハのエッジを鏡面加工するエ
ッジポリッシング部と、 を具備することを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のエッジポリッシング装
置において、 上記酸化膜形成部は、上記ウエハをオゾン水中に浸して
上記酸化膜をウエハ表面に形成するものである、 ことを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のエッジポリッシング装
置において、 上記酸化膜形成部は、上記ウエハを電解酸化水中に浸し
て上記酸化膜をウエハ表面に形成するものである、 ことを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載のエッジポリッシング装置において、 上記エッジポリッシング部の後段に、エッジが鏡面加工
されたウエハを洗浄する洗浄部を設けた、 ことを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のエッジポリッシング装
置において、 上記洗浄部は、上記ウエハを回転ブラシでブラッシング
しながら純水シャワーで洗浄するスクラブ洗浄部であ
る、 ことを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項６】 請求項４又は請求項５に記載のエッジポ
リッシング装置において、 上記洗浄部の後段に、洗浄されたウエハを乾燥する乾燥
部を設けた、 ことを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項７】 エッジが面取りされたウエハの表面を親
水性の酸化膜で覆う酸化膜形成工程と、 上記酸化膜形成工程を経たウエハのエッジを鏡面加工す
るエッジポリッシング工程と、 を具備することを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のエッジポリッシング方
法において、 上記酸化膜形成工程は、上記ウエハをオゾン水中に浸し
て上記酸化膜を形成する、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項９】 請求項７に記載のエッジポリッシング方
法において、 上記酸化膜形成工程は、上記ウエハを電解酸化水中に浸
して上記酸化膜を形成する、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項１０】 請求項７ないし請求項９のいずれかに
記載のエッジポリッシング方法において、 上記エッジポリッシング工程で鏡面加工されたウエハを
洗浄する洗浄工程を設けた、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載のエッジポリッシン
グ方法において、 上記洗浄工程で洗浄されたウエハを乾燥する乾燥工程を
設けた、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9135809A JPH10309666A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | エッジポリッシング装置及びその方法 |
| EP98108249A EP0877418A3 (en) | 1997-05-09 | 1998-05-06 | Edge-polishing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9135809A JPH10309666A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | エッジポリッシング装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10309666A true JPH10309666A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=15160335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9135809A Pending JPH10309666A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | エッジポリッシング装置及びその方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0877418A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10309666A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000190191A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェ―ハの加工方法 |
| KR100668729B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-01-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
| US7250365B2 (en) | 2001-04-17 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2009027198A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-05 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2011523598A (ja) * | 2008-06-06 | 2011-08-18 | グレンツェバッハ・マシーネンバウ・ゲーエムベーハー | クリーンルーム環境下において、ガラス板のエッジを自動で研磨する装置及び方法 |
| KR20190057394A (ko) * | 2016-12-20 | 2019-05-28 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1054457B1 (en) * | 1999-05-20 | 2010-08-04 | Kaneka Corporation | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| DE102007012359A1 (de) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Fupo Electronics Corp. | Verfahren zur Herstellung von Bondpad eines epitaxischen Leuchtdiodenchips und dieser Leuchtdiodenchip |
| JP6856383B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2021-04-07 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| CN108838677B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-06-05 | 广州市铁鑫金属结构有限公司 | 一种石油油罐筒体自动加工机器人 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3027882B2 (ja) * | 1992-07-31 | 2000-04-04 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部研磨装置 |
| US5424224A (en) * | 1993-01-19 | 1995-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method of surface protection of a semiconductor wafer during polishing |
| JP2760418B2 (ja) * | 1994-07-29 | 1998-05-28 | 住友シチックス株式会社 | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 |
| US5516730A (en) * | 1994-08-26 | 1996-05-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pre-thermal treatment cleaning process of wafers |
| JP3625331B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2005-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
| TW316995B (ja) * | 1995-01-19 | 1997-10-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP9135809A patent/JPH10309666A/ja active Pending
-
1998
- 1998-05-06 EP EP98108249A patent/EP0877418A3/en not_active Withdrawn
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| KR100668729B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-01-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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| US8556680B2 (en) | 2008-06-06 | 2013-10-15 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Process and apparatus for automatically grinding edges of glass sheets under clean room conditions |
| JP2009027198A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-05 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| KR20190057394A (ko) * | 2016-12-20 | 2019-05-28 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0877418A2 (en) | 1998-11-11 |
| EP0877418A3 (en) | 2000-08-09 |
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