JPH1126419A - ウエハ洗浄装置及びウエハ研磨システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハ等をスクラブ洗浄するウエハ洗
浄装置において、洗浄効率を向上させる。 【解決手段】 洗浄液１２を収容する洗浄槽１０内に
は、被洗浄ウエハ１６を保持して矢印Ｐ方向に回転させ
るローラー１４ａ〜１４ｄと、ウエハ１６を挟んだ状態
で互いに反対方向に回転する１８ａ等の２つのブラシと
を設ける。洗浄液１２中でウエハ１６をローラー１４ａ
〜１４ｄで回転させつつウエハ１６を１８ａ等のブラシ
でスクラブ洗浄する。この結果、ウエハ１６の洗浄むら
が低減されると共にブラシからウエハ１６に再付着する
異物が低減される。洗浄液１２を矢印Ｓ方向に流した
り、給気管２２から洗浄液１２中にＮ₂ 等のバブリング
ガスを流したりしてもよい。ウエハ研磨装置の近傍に洗
浄槽１０を設け、研磨したウエハをすぐに洗浄してもよ
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ等
のウエハをスクラブ洗浄するためのウエハ洗浄装置と、
この洗浄装置を備えたウエハ研磨システムとに関し、特
に洗浄液中でスクラブ洗浄を行なうことにより洗浄効率
の向上を図ったものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハをスクラブ洗浄する
ウエハ洗浄装置としては、半導体ウエハを直立状態に保
持して回転させると共に半導体ウエハの両面に洗浄液を
かけながら半導体ウエハの両面を各々回転する２つのブ
ラシでこするようにしたものが知られている（例えば、
特開平６−３２６０６６号公報参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術によ
ると、（イ）ウエハの洗浄面内に洗浄液が均一に供給さ
れないため、洗浄むらが生ずること、（ロ）ブラシに付
着した異物を除去する能力が低いため、ブラシに付着し
た異物がウエハの洗浄面に再付着することなどの理由に
より洗浄効率が低いという問題点がある。

【０００４】この発明の第１の目的は、洗浄効率が高い
新規なウエハ洗浄装置を提供することにある。

【０００５】この発明の第２の目的は、研磨したウエハ
を効率よく洗浄することができる新規なウエハ研磨シス
テムを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係るウエハ洗
浄装置は、被洗浄ウエハを収容すると共に洗浄液を収容
する洗浄槽と、前記被洗浄ウエハを前記洗浄液に浸した
状態で回転させる回転手段と、前記被洗浄ウエハが前記
回転手段により前記洗浄液中で回転されているときに前
記被洗浄ウエハの少なくとも一方の主面を前記洗浄液中
で回転するブラシでこすることによりスクラブ洗浄を行
なう洗浄手段とを備えたものである。

【０００７】このようなウエハ洗浄装置によれば、洗浄
液中でスクラブ洗浄が行なわれるので、ウエハの洗浄面
内には洗浄液が均一に供給されるようになり、洗浄むら
が低減される。また、ブラシに付着した異物がブラシの
回転により洗浄液で洗われて速やかに除去されるので、
ブラシからウエハの洗浄面に再付着する異物が低減され
る。従って、洗浄効率が向上する。

【０００８】この発明のウエハ洗浄装置にあっては、洗
浄液を洗浄槽を介して流通させたり、洗浄液中にバブリ
ングガスを供給したりしてもよい。このようにすると、
ウエハ及びブラシからの異物除去が促進され、洗浄効率
が一層向上する。

【０００９】この発明に係るウエハ研磨システムは、盤
面に研磨布を固着した状態で回転駆動される定盤と、被
処理ウエハを保持して前記定盤の回転中に該被処理ウエ
ハを回転させつつ前記研磨布に圧接する保持手段と、前
記研磨布に研磨剤を供給する供給手段とを有する研磨部
と、この研磨部の近傍に設けられた洗浄部であって、被
洗浄ウエハを収容すると共に洗浄液を収容する洗浄槽
と、前記被洗浄ウエハを前記洗浄液に浸した状態で回転
させる回転手段と、前記被洗浄ウエハが前記回転手段に
より前記洗浄液中で回転されているときに前記被洗浄ウ
エハの少なくとも一方の主面を前記洗浄液中で回転する
ブラシでこすることによりスクラブ洗浄を行なう洗浄手
段とを有するものと、前記研磨部での研磨が終了した被
処理ウエハを前記洗浄部まで搬送して前記洗浄部に前記
被洗浄ウエハとして供給する搬送手段とを備えたもので
ある。

【００１０】このようなウエハ研磨システムによれば、
研磨部での研磨が終了した被処理ウエハは、搬送手段に
より研磨部の近傍の洗浄部に被洗浄ウエハとして速やか
に供給される。従って、洗浄部では、ウエハ表面の研磨
剤が乾燥しないうちに効率よくウエハ表面をスクラブ洗
浄することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１及び図２は、この発明の第１
の実施形態に係るウエハ洗浄装置を示すもので、図２
は、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面を示している。

【００１２】図１，２に示すウエハ洗浄装置は、純水又
は薬液等の洗浄液１２を収容する洗浄槽１０を備えてい
る。洗浄槽１０内には、半導体ウエハ等の被洗浄ウエハ
１６を洗浄液に浸した状態で保持するように４個のロー
ラー１４ａ〜１４ｄが設けられると共に、ウエハ１６を
挟むように２個のブラシ１８ａ，１８ｂが設けられてい
る。ウエハ１６は、ローラー１４ａ〜１４ｄとブラシ１
８ａ，１８ｂとで直立状態に保持される。

【００１３】ローラー１４ａ〜１４ｄは、それぞれ図示
しない回転駆動装置により駆動されて矢印Ｐ方向に回転
し、それによってウエハ１６が直立状態のまま矢印Ｑ方
向に回転する。ブラシ１８ａ，１８ｂは、それぞれ図示
しない回転駆動装置により駆動されて矢印Ｒ，Ｒ’で示
すように互いに反対方向に回転する。ウエハ１６を矢印
Ｑ方向に回転させつつブラシ１８ａ，１８ｂを矢印Ｒ，
Ｒ’方向に回転させることによりウエハ１６の両面を同
時にスクラブ洗浄することができる。

【００１４】洗浄処理に際しては、被洗浄ウエハ１６を
ブラシ１８ａ，１８ｂの間を通してローラー１４ａ〜１
４ｄ上に載置する。このようにウエハ１６をロードする
前又はロードした後、洗浄液１２を洗浄槽１０に供給し
てウエハ１６全体が洗浄液１２に浸るようにする。そし
て、ローラー１４ａ〜１４ｄを矢印Ｐ方向に回転させて
ウエハ１６を矢印Ｑ方向に回転させる一方、ブラシ１８
ａ，１８ｂをウエハ１６の両面に押し付けながら矢印
Ｒ，Ｒ’方向に回転させる。この結果、ウエハ１６の両
面が洗浄液中でブラシ１８ａ，１８ｂにより同時的にこ
すられることによりウエハ１６の両面で同時にスクラブ
洗浄が行なわれる。

【００１５】洗浄処理が終了したときは、洗浄槽１０か
らウエハ１６を取出し、次の工程（乾燥、検査など）へ
送る。

【００１６】上記した第１の実施形態によれば、洗浄液
１２中でスクラブ洗浄が行なわれるので、ウエハ１６の
洗浄面内には洗浄液１２が均一に供給されるようにな
り、洗浄むらが低減される。また、ブラシ１８ａ，１８
ｂに付着した研磨屑、パーティクル等の異物がブラシ１
８ａ，１８ｂの回転により洗浄液１２で洗われて速やか
に除去されるので、ブラシ１８ａ，１８ｂからウエハ１
６の洗浄面に再付着する異物が低減される。従って、洗
浄効率が向上する。

【００１７】図３及び図４は、この発明の第２の実施形
態に係るウエハ洗浄装置を示すもので、図４は、図３の
Ｂ−Ｂ’線に沿う断面を示している。図３，４におい
て、図１，２と同様の部分には同様の符号を付して詳細
な説明を省略する。

【００１８】図３，４に示すウエハ洗浄装置の特徴は、
洗浄槽１０を介して洗浄液１２を流通させるようにした
ことである。すなわち、洗浄槽１０の底部に１０ａ，１
０ｂ等の多数の給液孔を設け、給液管２０から１０ａ，
１０ｂ等の給液孔を介して洗浄槽１０内に洗浄液１２を
供給して洗浄槽１０の上部から洗浄液１２をオーバーフ
ローさせる構成としたことを特徴とし、他の構成は、図
１，２のものと同様である。

【００１９】第２の実施形態によれば、洗浄液１２は、
洗浄中所定の流量で矢印Ｓのように上方に向けて流れ続
ける。このため、ブラシ１８ａ，１８ｂでウエハ１６か
ら除去された異物が洗浄液１２の流れにより上方へ押し
流されると共に、ブラシ１８ａ，１８ｂに付着した異物
が洗浄液１２の流れにより洗われて上方へ押し長され
る。このようにウエハ１６及びブラシ１８ａ，１８ｂか
らの異物除去が洗浄液１２の流れにより促進されるの
で、第１の実施形態に比べて一層洗浄効率が向上する。

【００２０】図５及び図６は、この発明の第３の実施形
態に係るウエハ洗浄装置を示すもので、図６は、図５の
Ｃ−Ｃ’線に沿う断面を示している。図５，６におい
て、図１〜４と同様の部分には同様の符号を付して詳細
な説明を省略する。

【００２１】図５，６に示すウエハ洗浄装置の特徴は、
洗浄液１２中にバブリングガスを供給したことである。
すなわち、洗浄槽１０の底部に複数の給気管２２を設
け、給気管２２から洗浄液１２中にバブリングガスを供
給する構成としたことを特徴とし、他の構成は、図３，
４のものと同様である。バブリングガスとしては、窒素
（Ｎ₂ ）等のガスを用いることができる。

【００２２】第３の実施形態によれば、Ｎ₂ 等のガスの
バブリングによりウエハ１６からの異物除去とブラシ１
８ａ，１８ｂからの異物除去とが促進されるので、第２
の実施形態に比べて一層洗浄効率が向上する。

【００２３】なお、洗浄液中にバブリングガスを供給す
る構成は、図１，２に示したウエハ洗浄装置において採
用することもできる。このようにした場合にも、ウエハ
及びブラシからの異物除去が促進され、洗浄効率が一層
向上する。

【００２４】図７及び図８は、この発明に係るウエハ研
磨装置を示すものである。

【００２５】図７，８に示す研磨装置の本体３０には、
ウエハキャリア３２ａ，３２ｂが載置される載置部３２
と、搬送装置３４Ａによりウエハの搬送を行なう搬送部
３４と、被処理ウエハ５２にＣＭＰ（化学機械研磨）処
理を施す研磨部３６と、ＣＭＰ処理が終ったウエハ５
２’に図１〜６で述べたような洗浄処理を施す洗浄部３
８と、洗浄処理が終ったウエハ５２”に乾燥処理を施す
乾燥部４０とが設けられている。

【００２６】載置部３２において、ウエハキャリア３２
ａは、ＣＭＰ処理を受けるべき多数の半導体ウエハが格
納されたものであり、ウエハキャリア３２ｂは、乾燥処
理が終ったウエハを格納するためのものである。

【００２７】研磨部３６には、盤面に研磨布４４が固着
された定盤４２が設けられている。定盤４２は、図示し
ない回転駆動装置により駆動されて図７の矢印ａ方向に
回転する。本体３０には、定盤４２の近傍に支持スタン
ド４６が設けられている。支持スタンド４６には、ウエ
ハホルダ５０を保持するホルダ保持部４８が移動自在に
設けられている。ウエハホルダ５０は、真空吸着等によ
り被処理ウエハ５２を保持するもので、図示しない回転
駆動装置により駆動されてウエハ保持状態のまま図７の
矢印ｂ方向に回転する。ウエハホルダ５０は、ウエハ保
持・回転状態において定盤４２の盤面に沿って揺動可能
である。滴下ノズル５４は、研磨布４４に研磨剤を滴下
・供給するものである。

【００２８】ＣＭＰ処理に際しては、ウエハホルダ５０
が定盤４２の近傍のウエハ授受位置にて被処理ウエハ５
２を保持した後、その保持状態のまま定盤４２の上方ま
で移動してくる。そして、ウエハホルダ５０が降下して
ウエハ５２を定盤４２上の研磨布４４に圧接する。この
ような圧接状態において滴下ノズル５４から研磨布４４
に研磨剤を滴下しつつ定盤４２及びウエハホルダ５０を
図７の矢印ａ及びｂの方向にそれぞれ回転させることに
よりウエハ５２の研磨を行なう。このとき、必要に応じ
てウエハホルダ５０を揺動させることもできる。

【００２９】本体３０の内部には、定盤４２を取囲むよ
うに廃液受け５６が設けられており、廃液受け５６の上
端は、定盤４２の盤面レベルよりやや高くなっている。
研磨により生じた研磨廃液は、廃液受け５６で集めら
れ、図示しない廃液処理槽に供給される。

【００３０】本体３０において、研磨部３６と載置部３
２、搬送部３４、洗浄部３８及び乾燥部４０との間に
は、研磨部３６からの発塵による汚染を防止するための
仕切板５８が設けられている。仕切板５８には、搬送装
置３４Ａによるウエハの出し入れを可能にするための開
口部５８ａが設けられると共に開口部５８ａを開閉する
ための開閉板５８Ａが設けられている。開閉板５８Ａが
開口部５８ａを開放するのは、搬送装置３４Ａが研磨部
３６へウエハを渡したり、研磨部３６からウエハを取出
したりするときである。これらのとき以外（特に研磨部
３６でのＣＭＰ処理中）は開口部５８ａが開閉板５８Ａ
で閉じられるので、載置部３２、搬送部３４、洗浄部３
８及び乾燥部４０が研磨部３６からの発塵で汚染される
のを未然に防止することができる。

【００３１】洗浄部３８は、図１，２、図３，４又は図
５，６のいずれかに示したウエハ洗浄装置と同様に構成
されるものである。乾燥装置４０は、一例として、ウエ
ハ５２”を真空吸着等により保持して回転させる回転具
４０Ａを備え、回転中のウエハ５２”に乾燥気体を吹付
ける構成にすることができる。

【００３２】図７の研磨装置の全体的な動作は、次のよ
うにして行なわれる。搬送装置３４Ａは、ウエハキャリ
ア３２ａから第１の半導体ウエハを取出し、研磨部３６
に向けて搬送する。第１の半導体ウエハが仕切板５８の
開口部５８ａに接近すると、開閉板５８Ａが開口部５８
ａを開放する。搬送装置３４Ａは、開口部５８ａを介し
て第１の半導体ウエハを研磨部３６内に搬送し、所定の
ウエハ授受位置に載置する。この後、開口部５８ａを開
閉板５８Ａで閉じる。

【００３３】次に、研磨部３６では、ウエハホルダ５０
がウエハ授受位置にある第１の半導体ウエハを被処理ウ
エハ５２として保持する。そして、前述したようにして
第１の半導体ウエハにＣＭＰ処理を施す。ＣＭＰ処理が
終ると、ウエハホルダ５０は、第１の半導体ウエハをウ
エハ授受位置に戻す。

【００３４】次に、開閉板５８Ａが開口部５８ａを開放
する。搬送装置３４Ａは、研磨部３６内のウエハ授受位
置から第１の半導体ウエハを取出し、開口部５８ａを介
して洗浄部３８まで搬送し、洗浄部３８に被洗浄ウエハ
５２’（図１〜６の１６に対応）として供給する。この
後、開口部５８ａを開閉板５８Ａで閉じる。

【００３５】次に、洗浄部３８では、図１〜６で述べた
と同様にして第１の半導体ウエハに洗浄処理を施す。洗
浄処理が終ると、搬送装置３４Ａは、洗浄部３８から第
１の半導体ウエハを取出し、乾燥部４０まで搬送し、乾
燥部４０に被乾燥ウエハ５２”として供給する。乾燥部
４０では、第１の半導体ウエハに乾燥処理を施す。乾燥
処理が終ると、搬送装置３４Ａは、乾燥部４０から第１
の半導体ウエハを取出し、ウエハキャリア３２ｂまで搬
送し、ウエハキャリア３２ｂ内に格納する。

【００３６】上記したのは、第１の半導体ウエハに関す
る研磨、洗浄及び乾燥の一連の処理であるが、このよう
な処理の進行中に第２及び第３の半導体ウエハに関する
処理を開始することができる。例えば、第１の半導体ウ
エハを洗浄部にセットした後、第２の半導体ウエハを研
磨部３６にセットし、第１の半導体ウエハの洗浄と第２
の半導体ウエハの研磨とを並行して行なうことができ
る。また、第１の半導体ウエハを乾燥部４０にセットす
ると共に第２の半導体ウエハを洗浄部３８にセットした
後、第３の半導体ウエハを研磨部３６にセットし、第１
の半導体ウエハの乾燥処理と、第２の半導体ウエハの洗
浄処理と、第３の半導体ウエハの研磨処理とを並行して
行なうことができる。上記したような順次の動作は、マ
イクロコンピュータの制御下で自動的に遂行される。

【００３７】図７，８の研磨装置によれば、研磨部３６
の近傍に洗浄部３８を設け、研磨が終了したウエハを搬
送装置３４Ａで研磨部３６から洗浄部３８へ搬送するよ
うにしたので、洗浄部３８では、ウエハ表面の研磨剤が
乾燥して固くならないうちに効率よくウエハ表面をスク
ラブ洗浄することができる。

【００３８】図９〜１２は、この発明の一応用例として
の配線形成法を示すものである。

【００３９】図９の工程では、例えばシリコンからなる
半導体基板６０の表面にシリコンオキサイド等の絶縁膜
６２を形成した後、絶縁膜６２に周知のホトリソグラフ
ィ及びドライエッチング処理により所望の接続孔６２ａ
を形成する。接続孔６２ａは、基板表面の不純物ドープ
領域等の被接続部に達するように形成する。

【００４０】次に、絶縁膜６２の上に接続孔６２ａを覆
ってＡｌ又はＡｌ合金等の配線材を約０．５μｍの厚さ
でスパッタ法で堆積する。そして、堆積膜をホトリソグ
ラフィ及びドライエッチング処理によりパターニングし
て配線層６４を形成する。配線層６４は、接続孔６２ａ
を介して基板表面の被接続部に接続される。

【００４１】図１０の工程では、絶縁膜６２の上に配線
層６４を覆って層間絶縁膜６６を形成する。絶縁膜６６
としては、ＴＥＯＳ(Tetra Ethyl Ortho Silicate)を原
料とするプラズマＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジ
ション）により約１μｍの厚さのシリコンオキサイド膜
を形成することができる。

【００４２】図１１の工程では、図７の研磨部３６にお
いて被処理ウエハ５２として半導体基板６０をセットす
ることにより絶縁膜６６を約０．５μｍの厚さで平坦状
に研磨・除去し、絶縁膜６６を平坦な表面を有する形で
残存させる。このときの研磨条件は、一例として、 使用研磨剤：シリカ砥粒を１０ｗｔ％含む研磨剤 研磨布４４：発泡ポリウレタン製の研磨布 定盤４２の回転数：３０ｒｐｍ ウエハホルダ５０のヘッド回転数：３０ｒｐｍ 滴下ノズル５４からの研磨剤の滴下流量：１００ｃｃ／
ｍｉｎ ウエハ５２への荷重：３００ｇ／ｃｍ² ウエハホルダ５０の揺動：速さ０．１ｍ／ｍｉｎ、幅５
ｃｍ［６インチウエハの場合］ とすることができる。

【００４３】次に、半導体基板６０は、図７の研磨部３
６から洗浄部３８へ搬送装置３４Ａで搬送され、洗浄部
３８に被洗浄ウエハ５２’として供給される。そして、
洗浄部３８において、図１〜６で説明したようなスクラ
ブ洗浄が行なわれる。

【００４４】このときのスクラブ洗浄は、一例として、
図５，６のウエハ洗浄装置を用いて次の３ステップで行
なうことができる。

【００４５】ステップ１：処理時間１分 純水オーバーフロー流量 １０［ｌ／ｍｉｎ］ Ｎ₂ 流量 １０［ｌ／ｍｉｎ］ ブラシ回転数 １００ｒｐｍ ウエハ回転数 ３０ｒｐｍ ステップ２：処理時間１分 希フッ酸オーバーフロー流量 ５［ｌ／ｍｉｎ］ ブラシ回転数 １００ｒｐｍ ウエハ回転数 ３０ｒｐｍ ステップ３：処理時間１分 純水オーバーフロー流量 １０［ｌ／ｍｉｎ］ ブラシ回転数 １００ｒｐｍ ウエハ回転数 ３０ｒｐｍ スクラブ洗浄処理の後、半導体基板６０は、図７の乾燥
部４０に被乾燥ウエハ５２”として供給され、乾燥され
る。

【００４６】図１２の工程では、絶縁膜６６に接続孔６
６ａを配線層６４に達するように形成する。そして、図
９で述べたと同様に絶縁膜６６の平坦面上に接続孔６６
ａを覆ってＡｌ又はＡｌ合金等の配線材を被着し、その
被着層をパターニングすることにより配線層６８を形成
する。配線層６８は、絶縁孔６６ａを介して配線層６４
に接続される。

【００４７】この発明は、上記した実施形態に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、次のような変更が可能である。

【００４８】（１）ウエハ１６は、直立状態に限らず、
水平状態又は４５°傾斜させた状態等任意の状態で回転
させることができる。

【００４９】（２）ウエハ１６は、両面同時に洗浄する
のではなく、一方の主面のみ洗浄するようにしてもよ
い。

【００５０】（３）図１，２の装置にあっては、洗浄液
を撹拌する手段を設けたり、定期的に又は汚れ状態に応
じて洗浄液を交換する手段を設けたりしてもよい。

【００５１】（４）図３，４又は図５，６の装置におい
て、洗浄液１２の流通方向は、下から上に向う方向に限
らず、ウエハ１６の配置状態等を考慮して適宜の方向を
選定することができる。

【００５２】（５）図７，８の構成において、研磨部３
６と洗浄部３８は、一体化させる代りに別体として構成
し、並べて配置した状態で使用してもよい。

【００５３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、洗浄
液中でウエハをスクラブ洗浄するようにしたので、洗浄
むらが低減されると共にブラシからウエハに再付着する
異物が低減され、洗浄効率が向上する効果が得られる。

【００５４】また、洗浄液を洗浄槽を介して流通させた
り、洗浄液中にバブリングガスを供給したりすると、洗
浄効率が一層向上する効果が得られる。

【００５５】さらに、研磨部での研磨が終了した被処理
ウエハを搬送手段により研磨部の近傍の洗浄部へ被洗浄
ウエハとして供給するようにしたので、研磨したウエハ
を効率よく洗浄可能となる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１の実施形態に係るウエハ洗浄
装置においてウエハの一主面側から見た構成を示す側面
図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図３】 この発明の第２の実施形態に係るウエハ洗浄
装置においてウエハの一主面側から見た構成を示す側面
図である。

【図４】 図３のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。

【図５】 この発明の第３の実施形態に係るウエハ洗浄
装置においてウエハの一主面側から見た構成を示す側面
図である。

【図６】 図５のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。

【図７】 この発明に係るウエハ研磨装置における各部
の平面配置を示す平面図である。

【図８】 図７のＸ−Ｘ’線に沿う断面図である。

【図９】 この発明の一応用例としての配線形成法にお
ける配線形成工程を示す基板断面図である。

【図１０】 図９の工程に続く絶縁膜堆積工程を示す基
板断面図である。

【図１１】 図１０の工程に続く研磨及び洗浄工程を示
す基板断面図である。

【図１２】 図１１の工程に続く配線形成工程を示す基
板断面図である。

【符号の説明】

１０：洗浄槽、１２：洗浄液、１４ａ〜１４ｄ：ローラ
ー、１６，５２，５２’，５２”：ウエハ、１８ａ，１
８ｂ：ブラシ、２０：給液管、２２：給気管、３０：研
磨装置の本体、３２：載置部、３２ａ，３２ｂ：ウエハ
キャリア、３４：搬送部、３４Ａ：搬送装置、３６：研
磨部、３８：洗浄部、４０：乾燥部、４２：定盤、４
４：研磨布、４６：支持スタンド、５０：ウエハホル
ダ、５８：仕切板。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被洗浄ウエハを収容すると共に洗浄液を収
   容する洗浄槽と、 前記被洗浄ウエハを前記洗浄液に浸した状態で回転させ
   る回転手段と、 前記被洗浄ウエハが前記回転手段により前記洗浄液中で
   回転されているときに前記被洗浄ウエハの少なくとも一
   方の主面を前記洗浄液中で回転するブラシでこすること
   によりスクラブ洗浄を行なう洗浄手段とを備えたウエハ
   洗浄装置。
2. 【請求項２】 前記洗浄液を前記洗浄槽を介して流通さ
   せる流通手段を更に備えた請求項１記載のウエハ洗浄装
   置。
3. 【請求項３】 前記洗浄液中にバブリングガスを供給す
   る供給手段を更に備えた請求項１又は２記載のウエハ洗
   浄装置。
4. 【請求項４】盤面に研磨布を固着した状態で回転駆動さ
   れる定盤と、被処理ウエハを保持して前記定盤の回転中
   に該被処理ウエハを回転させつつ前記研磨布に圧接する
   保持手段と、前記研磨布に研磨剤を供給する供給手段と
   を有する研磨部と、 この研磨部の近傍に設けられた洗浄部であって、被洗浄
   ウエハを収容すると共に洗浄液を収容する洗浄槽と、前
   記被洗浄ウエハを前記洗浄液に浸した状態で回転させる
   回転手段と、前記被洗浄ウエハが前記回転手段により前
   記洗浄液中で回転されているときに前記被洗浄ウエハの
   少なくとも一方の主面を前記洗浄液中で回転するブラシ
   でこすることによりスクラブ洗浄を行なう洗浄手段とを
   有するものと、 前記研磨部での研磨が終了した被処理ウエハを前記洗浄
   部まで搬送して前記洗浄部に前記被洗浄ウエハとして供
   給する搬送手段とを備えたウエハ研磨システム。