JPH10270403A - 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法 - Google Patents
化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH10270403A JPH10270403A JP10037275A JP3727598A JPH10270403A JP H10270403 A JPH10270403 A JP H10270403A JP 10037275 A JP10037275 A JP 10037275A JP 3727598 A JP3727598 A JP 3727598A JP H10270403 A JPH10270403 A JP H10270403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaning
- brush
- deionized water
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 66
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000010909 process residue Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 CMP工程後に適用されるウェーハの洗浄方
法を提供する。 【解決手段】CMP工程を経たウェーハの表面に脱イオ
ン水及び第1化学溶液を供給すると同時にブラシを用い
たスクラビング工程を行なってウェーハの表面を洗浄し
た後、またウェーハの表面に第2化学溶液を供給してウ
ェーハの表面を洗浄する。
法を提供する。 【解決手段】CMP工程を経たウェーハの表面に脱イオ
ン水及び第1化学溶液を供給すると同時にブラシを用い
たスクラビング工程を行なってウェーハの表面を洗浄し
た後、またウェーハの表面に第2化学溶液を供給してウ
ェーハの表面を洗浄する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ洗浄方法に
係り、特にCMP工程後に適用されるウェーハ洗浄方法
に関する。
係り、特にCMP工程後に適用されるウェーハ洗浄方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の集積度が増加することに従
って多層配線の必要性が次第に増大した。多層配線を形
成することにおいて、下部層の配線と上部層の配線を絶
縁させるための目的で用いられる層間絶縁膜を平坦化さ
せるための一つの方法としてCMP方法を使用する。
って多層配線の必要性が次第に増大した。多層配線を形
成することにおいて、下部層の配線と上部層の配線を絶
縁させるための目的で用いられる層間絶縁膜を平坦化さ
せるための一つの方法としてCMP方法を使用する。
【0003】CMP方法でウェーハとポリシングパッド
を摩擦させてウェーハの表面を研磨し、この際ウェーハ
とポリシングパッドの間にスラリー溶液を供給する。ス
ラリー溶液は、通常的にシリカまたはアルミナよりなる
コロイド研磨剤と、酸化剤などの化合物を含む。
を摩擦させてウェーハの表面を研磨し、この際ウェーハ
とポリシングパッドの間にスラリー溶液を供給する。ス
ラリー溶液は、通常的にシリカまたはアルミナよりなる
コロイド研磨剤と、酸化剤などの化合物を含む。
【0004】スラリー溶液内に含まれたコロイド研磨剤
はCMP工程中にウェーハの研磨が進行する間お互い凝
集する傾向があり、このような研磨剤の凝集結果として
CMP工程が完了した後ウェーハ上に数μm以上のサイ
ズを有するように凝集した比較的大きい粒子が多量に存
在し、CMP工程後このように凝集した粒子がウェーハ
上に残存する場合にはウェーハの表面上にスクラッチを
発生させる等の悪影響を及ぼす。
はCMP工程中にウェーハの研磨が進行する間お互い凝
集する傾向があり、このような研磨剤の凝集結果として
CMP工程が完了した後ウェーハ上に数μm以上のサイ
ズを有するように凝集した比較的大きい粒子が多量に存
在し、CMP工程後このように凝集した粒子がウェーハ
上に残存する場合にはウェーハの表面上にスクラッチを
発生させる等の悪影響を及ぼす。
【0005】従って、CMP工程を進行した後には、そ
の後続工程を進行した後にウェーハの表面上に残ってい
る凝集した粒子のような汚染物(以下、”汚染物”とす
る)を除去するための洗浄工程が必要である。
の後続工程を進行した後にウェーハの表面上に残ってい
る凝集した粒子のような汚染物(以下、”汚染物”とす
る)を除去するための洗浄工程が必要である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、CM
P工程後にウェーハ上に残留する汚染物を効率的に除去
できるウェーハ洗浄方法を提供することである。
P工程後にウェーハ上に残留する汚染物を効率的に除去
できるウェーハ洗浄方法を提供することである。
【0007】
【発明を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明ではCMP工程を経たウェーハの表面に脱イ
オン水及び化学溶液を供給すると同時にブラシを用いた
スクラビング工程を行なってウェーハの表面を洗浄した
後、またウェーハの表面に前記化学溶液を供給してウェ
ーハの表面を洗浄する。
に、本発明ではCMP工程を経たウェーハの表面に脱イ
オン水及び化学溶液を供給すると同時にブラシを用いた
スクラビング工程を行なってウェーハの表面を洗浄した
後、またウェーハの表面に前記化学溶液を供給してウェ
ーハの表面を洗浄する。
【0008】前記化学溶液は、各々希釈されたHF溶液
または水酸化アンモニウムと過酸化水素と脱イオン水が
所定の比で混合された混合液であることが好ましい。
または水酸化アンモニウムと過酸化水素と脱イオン水が
所定の比で混合された混合液であることが好ましい。
【0009】また、本発明では、ブラシスクラビングを
行なう時、ロールタイプ、ペンシルタイプ及びドラムタ
イプよりなる群から選択された少なくとも一つのブラシ
を使用することが好ましい。この際、ウェーハの表面中
前面にはペンシルタイプのブラシを適用し、ウェーハの
後面にはロールタイプのブラシを適用することが望まし
い。
行なう時、ロールタイプ、ペンシルタイプ及びドラムタ
イプよりなる群から選択された少なくとも一つのブラシ
を使用することが好ましい。この際、ウェーハの表面中
前面にはペンシルタイプのブラシを適用し、ウェーハの
後面にはロールタイプのブラシを適用することが望まし
い。
【0010】第2洗浄段階でブラシを用いたスクラビン
グ工程が同時に進行できる。また、第2洗浄段階後に脱
イオン水を使用してウェーハの表面を水洗する段階をさ
らに含めることができる。本発明による洗浄方法はCM
P工程とインサイチュで行なうことができる。
グ工程が同時に進行できる。また、第2洗浄段階後に脱
イオン水を使用してウェーハの表面を水洗する段階をさ
らに含めることができる。本発明による洗浄方法はCM
P工程とインサイチュで行なうことができる。
【0011】本発明によれば、CMP工程を経たウェー
ハに対して物理的な洗浄方法及び化学的な洗浄方法を同
時に適用するので洗浄効率を上げうる。
ハに対して物理的な洗浄方法及び化学的な洗浄方法を同
時に適用するので洗浄効率を上げうる。
【0012】
【発明の実施の形態】CMP工程を経たウェーハを洗浄
するための洗浄工程は、ブラシによるスクラビングを用
いた洗浄方法と、洗浄液を用いた化学的洗浄方法があ
る。ブラシによるスクラビングは、ウェーハ上に吸着さ
れた汚染物、たとえば研磨剤及びCMP工程残留物を除
去するために行なうこととして、ウェーハ上に脱イオン
水を噴射させながらブラシを使用して吸着された汚染物
を機械的に除去する。しかし、ブラシを使用する機械的
な方法にだけ依存する場合には、スラリー及びCMP残
留物のような汚染物が完全に除去されなく残っている場
合が多いので後続工程を進行し難い。従って、後続工程
を進行する前に、化学物質よりなる洗浄液を使用した追
加的な洗浄工程によりウェーハ上に残留する汚染物を完
全に除去する必要がある。
するための洗浄工程は、ブラシによるスクラビングを用
いた洗浄方法と、洗浄液を用いた化学的洗浄方法があ
る。ブラシによるスクラビングは、ウェーハ上に吸着さ
れた汚染物、たとえば研磨剤及びCMP工程残留物を除
去するために行なうこととして、ウェーハ上に脱イオン
水を噴射させながらブラシを使用して吸着された汚染物
を機械的に除去する。しかし、ブラシを使用する機械的
な方法にだけ依存する場合には、スラリー及びCMP残
留物のような汚染物が完全に除去されなく残っている場
合が多いので後続工程を進行し難い。従って、後続工程
を進行する前に、化学物質よりなる洗浄液を使用した追
加的な洗浄工程によりウェーハ上に残留する汚染物を完
全に除去する必要がある。
【0013】以下、添付した図面を参照して本発明の望
ましい実施例について詳細に説明する。
ましい実施例について詳細に説明する。
【0014】図1は本発明の望ましい実施例によるウェ
ーハ洗浄方法を説明するためのフローチャートである。
ーハ洗浄方法を説明するためのフローチャートである。
【0015】図1を参照すると、CMP工程を行なった
ポリシングステーションから伝達されてきたウェーハを
洗浄するための第1段階として、ウェーハ洗浄用ブラシ
を具備したブラシステーションから脱イオン水及び第1
化学溶液を供給すると同時にブラシを用いたスクラビン
グ工程によってウェーハの表面を第1洗浄(段階10)
する。即ち、この段階ではウェーハ上に脱イオン水を供
給しながら行なわれるブラシスクラビングを用いた機械
的な方法及び、第1化学溶液を用いた化学的方法を同時
に利用してウェーハの前面及び後面での汚染物を除去す
る。この際、用いられるブラシはロールタイプ、ペンシ
ルタイプ及びドラムタイプよりなる群から選択された少
なくともいずれか一つを使用する。この際、ブラシスク
ラビング工程をウェーハの前面にだけ適用したりまたは
前面及び後面に同時に適用することができる。ウェーハ
の前面及び後面に対してブラシスクラビング工程を全て
適用する場合には、ウェーハの前面にはペンシルタイプ
のブラシを適用し、ウェーハの後面にはロールタイプの
ブラシを適用することがさらに効果的である。その理由
は、ロールタイプのブラシの場合にはウェーハの表面に
接触するブラシの面積が他のタイプのブラシに比べて大
きくて、スクラビング有効面積が大きくなる長所がある
反面、それに相応してブラシによるウェーハ前面の逆汚
染発生可能性も大きくなるためである。
ポリシングステーションから伝達されてきたウェーハを
洗浄するための第1段階として、ウェーハ洗浄用ブラシ
を具備したブラシステーションから脱イオン水及び第1
化学溶液を供給すると同時にブラシを用いたスクラビン
グ工程によってウェーハの表面を第1洗浄(段階10)
する。即ち、この段階ではウェーハ上に脱イオン水を供
給しながら行なわれるブラシスクラビングを用いた機械
的な方法及び、第1化学溶液を用いた化学的方法を同時
に利用してウェーハの前面及び後面での汚染物を除去す
る。この際、用いられるブラシはロールタイプ、ペンシ
ルタイプ及びドラムタイプよりなる群から選択された少
なくともいずれか一つを使用する。この際、ブラシスク
ラビング工程をウェーハの前面にだけ適用したりまたは
前面及び後面に同時に適用することができる。ウェーハ
の前面及び後面に対してブラシスクラビング工程を全て
適用する場合には、ウェーハの前面にはペンシルタイプ
のブラシを適用し、ウェーハの後面にはロールタイプの
ブラシを適用することがさらに効果的である。その理由
は、ロールタイプのブラシの場合にはウェーハの表面に
接触するブラシの面積が他のタイプのブラシに比べて大
きくて、スクラビング有効面積が大きくなる長所がある
反面、それに相応してブラシによるウェーハ前面の逆汚
染発生可能性も大きくなるためである。
【0016】また、第1洗浄段階ではウェーハの前面及
び後面に各々脱イオン水及び第1化学溶液を所定のノズ
ルを通じて継続的に供給する。この際、使用できる第1
化学溶液としては脱イオン水:HF=100:1〜20
0:1の希釈されたHF溶液がある。または、第1化学
溶液として水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオ
ン水が各々1:4:20の割合で混合された混合液を使
用することも出来る。
び後面に各々脱イオン水及び第1化学溶液を所定のノズ
ルを通じて継続的に供給する。この際、使用できる第1
化学溶液としては脱イオン水:HF=100:1〜20
0:1の希釈されたHF溶液がある。または、第1化学
溶液として水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオ
ン水が各々1:4:20の割合で混合された混合液を使
用することも出来る。
【0017】この段階では、ブラシを使用した機械的な
方法と第1化学溶液を使用した化学的な方法を同時に利
用してウェーハ上の汚染物を除去するので、ブラシだけ
を利用する場合に比べてウェーハの洗浄効率を顕著に増
加させうる。しかし、この段階を経た後のウェーハ上の
汚染度は基礎的な清浄度を維持する程度であり、ブラシ
またはその他の洗浄設備構造に起因する逆汚染による問
題を防止するには限界がある。
方法と第1化学溶液を使用した化学的な方法を同時に利
用してウェーハ上の汚染物を除去するので、ブラシだけ
を利用する場合に比べてウェーハの洗浄効率を顕著に増
加させうる。しかし、この段階を経た後のウェーハ上の
汚染度は基礎的な清浄度を維持する程度であり、ブラシ
またはその他の洗浄設備構造に起因する逆汚染による問
題を防止するには限界がある。
【0018】従って、本発明による洗浄方法でCMP工
程を経たウェーハを洗浄するための第2段階として、前
記第1洗浄段階が行なわれたブラシステーションと連続
的に連結されたステーション内で、第2化学溶液を使用
してウェーハの表面を第2洗浄(段階20)する。ここ
で、第2化学溶液としては前記したように希釈されたH
F溶液、または水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱
イオン水が各々1:4:20の割合で混合された混合液
を使用することもできる。望ましくは前記第1洗浄段階
で希釈されたHF溶液を使用した場合には第2洗浄段階
で水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水が各
々1:4:20の割合で混合された混合液を使用し、前
記第1洗浄段階で水酸化アンモニウム、過酸化水素及び
脱イオン水が各々1:4:20の割合で混合された混合
液を使用した場合には第2洗浄段階で希釈されたHF溶
液を使用する。このようにして、相異なる洗浄液よりな
る第1及び第2化学溶液の各々の特性に基づいてウェー
ハ上に残留する各種汚染物を効果的に除去できる。
程を経たウェーハを洗浄するための第2段階として、前
記第1洗浄段階が行なわれたブラシステーションと連続
的に連結されたステーション内で、第2化学溶液を使用
してウェーハの表面を第2洗浄(段階20)する。ここ
で、第2化学溶液としては前記したように希釈されたH
F溶液、または水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱
イオン水が各々1:4:20の割合で混合された混合液
を使用することもできる。望ましくは前記第1洗浄段階
で希釈されたHF溶液を使用した場合には第2洗浄段階
で水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水が各
々1:4:20の割合で混合された混合液を使用し、前
記第1洗浄段階で水酸化アンモニウム、過酸化水素及び
脱イオン水が各々1:4:20の割合で混合された混合
液を使用した場合には第2洗浄段階で希釈されたHF溶
液を使用する。このようにして、相異なる洗浄液よりな
る第1及び第2化学溶液の各々の特性に基づいてウェー
ハ上に残留する各種汚染物を効果的に除去できる。
【0019】選択的に、第2洗浄段階で第2化学溶液に
よる洗浄工程と同時にブラシを使用したスクラビング工
程が適用できる。この際、前記第1洗浄段階と同じよう
にロールタイプ、ペンシルタイプ及びドラムタイプより
なる群から選択された少なくとも一つのブラシをウェー
ハの前面及び後面に対して選択的に使用できる。
よる洗浄工程と同時にブラシを使用したスクラビング工
程が適用できる。この際、前記第1洗浄段階と同じよう
にロールタイプ、ペンシルタイプ及びドラムタイプより
なる群から選択された少なくとも一つのブラシをウェー
ハの前面及び後面に対して選択的に使用できる。
【0020】前記第1洗浄段階及び第2洗浄段階は相互
連続的に連結している別のステージ内で行なわれる。
連続的に連結している別のステージ内で行なわれる。
【0021】その後、前記第2洗浄段階を経たウェーハ
に対して脱イオン水を使用して、例えば超音波を用いた
洗浄方法でウェーハを水洗(段階30)することでウェ
ーハ上に残っている化学溶液及び微細な汚染物を除去す
る。即ち、脱イオン水供給と共にウェーハに超音波を加
えることによって、脱イオン水を流動させる方法だけで
は除去し難い汚染物を完全に除去する。その後、ウェー
ハを例えばスピンドライ(spin dry)方式によ
って乾燥させることによって、CMP工程後のウェーハ
の洗浄工程を完成する。
に対して脱イオン水を使用して、例えば超音波を用いた
洗浄方法でウェーハを水洗(段階30)することでウェ
ーハ上に残っている化学溶液及び微細な汚染物を除去す
る。即ち、脱イオン水供給と共にウェーハに超音波を加
えることによって、脱イオン水を流動させる方法だけで
は除去し難い汚染物を完全に除去する。その後、ウェー
ハを例えばスピンドライ(spin dry)方式によ
って乾燥させることによって、CMP工程後のウェーハ
の洗浄工程を完成する。
【0022】前記のようなウェーハ洗浄工程はCMP工
程を進行する装備とは違う別の装備内で進行することも
でき、CMP工程を行なうポリシングステーションと、
前記第1洗浄段階及び第2洗浄段階が連続的に進行する
ブラシステーションを一つの装備内に連結させることで
CMP工程とインサイチュで進行することもできる。
程を進行する装備とは違う別の装備内で進行することも
でき、CMP工程を行なうポリシングステーションと、
前記第1洗浄段階及び第2洗浄段階が連続的に進行する
ブラシステーションを一つの装備内に連結させることで
CMP工程とインサイチュで進行することもできる。
【0023】図2は膜質を蒸着した直後、本発明による
方法の場合及び従来の方法の各々に対してウェーハ上に
残留する汚染物を各成分別に分析した結果である。図2
において、各々の場合、全てが亜鉛及びアルミニウム成
分は検出限界値以下に存在して図2には示さなかった。
方法の場合及び従来の方法の各々に対してウェーハ上に
残留する汚染物を各成分別に分析した結果である。図2
において、各々の場合、全てが亜鉛及びアルミニウム成
分は検出限界値以下に存在して図2には示さなかった。
【0024】図2のグラフから、本発明による洗浄方法
を適用する場合には従来の方法に比べて汚染物除去能力
にはるかに優れることが分かる。
を適用する場合には従来の方法に比べて汚染物除去能力
にはるかに優れることが分かる。
【0025】図3はCMP工程を経たウェーハに対して
色々な洗浄方法を経た後、各々の洗浄条件に対する洗浄
効率を評価したグラフである。洗浄条件として、CMP
工程後ウェーハ乾燥工程だけを経た場合a、CMP工程
後ウェーハを乾燥して脱イオン水(D.I.)の供給と
共にブラシスクラビングを適用した場合b、CMP工程
の直後脱イオン水の供給と共にブラシスクラビングを適
用した場合c、及び本発明の洗浄方法によってCMP工
程後第1洗浄段階で脱イオン水の供給と共にブラシスク
ラビングを適用することと同時に化学溶液を加え、第2
洗浄段階で再び化学溶液を加えてウェーハを洗浄する場
合dの各々に対してCMP残留物よりなる汚染物による
欠陥の数を測定して示した。
色々な洗浄方法を経た後、各々の洗浄条件に対する洗浄
効率を評価したグラフである。洗浄条件として、CMP
工程後ウェーハ乾燥工程だけを経た場合a、CMP工程
後ウェーハを乾燥して脱イオン水(D.I.)の供給と
共にブラシスクラビングを適用した場合b、CMP工程
の直後脱イオン水の供給と共にブラシスクラビングを適
用した場合c、及び本発明の洗浄方法によってCMP工
程後第1洗浄段階で脱イオン水の供給と共にブラシスク
ラビングを適用することと同時に化学溶液を加え、第2
洗浄段階で再び化学溶液を加えてウェーハを洗浄する場
合dの各々に対してCMP残留物よりなる汚染物による
欠陥の数を測定して示した。
【0026】図3の結果から分かるように、本発明によ
るウェーハ洗浄方法は従来の方法に比べてその洗浄効率
がはるかに高いだけでなく、通常的にCMP工程の後、
後続工程を進行することにおいて問題を起こさない程度
の最小限の欠陥数の許容限界がウェーハ当たり約100
個であることを考える時、本発明による洗浄方法によれ
ばウェーハ上の欠陥数が各ウェーハ当たり100個以下
であるので、CMP工程を進行した後その後続工程を進
行する時にもウェーハ上の汚染物による問題を起こす心
配はないことが分かる。
るウェーハ洗浄方法は従来の方法に比べてその洗浄効率
がはるかに高いだけでなく、通常的にCMP工程の後、
後続工程を進行することにおいて問題を起こさない程度
の最小限の欠陥数の許容限界がウェーハ当たり約100
個であることを考える時、本発明による洗浄方法によれ
ばウェーハ上の欠陥数が各ウェーハ当たり100個以下
であるので、CMP工程を進行した後その後続工程を進
行する時にもウェーハ上の汚染物による問題を起こす心
配はないことが分かる。
【0027】
【発明の効果】前記のように、本発明によればCMP工
程後にウェーハ上に残っている汚染物を除去するために
ブラシを用いたスクラビング工程を進行する時化学溶液
を同時に適用することで、ブラシステーションからウェ
ーハ上の汚染物除去率が顕著に増加できる。従って、C
MP工程後にウェーハ上に残っているCMP工程残留物
を除去するための洗浄効率が顕著に向上でき、本洗浄工
程後の後続工程を進行する前に別の洗浄工程を追加する
必要がない。
程後にウェーハ上に残っている汚染物を除去するために
ブラシを用いたスクラビング工程を進行する時化学溶液
を同時に適用することで、ブラシステーションからウェ
ーハ上の汚染物除去率が顕著に増加できる。従って、C
MP工程後にウェーハ上に残っているCMP工程残留物
を除去するための洗浄効率が顕著に向上でき、本洗浄工
程後の後続工程を進行する前に別の洗浄工程を追加する
必要がない。
【0028】以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳
細に説明したが、本発明は前記実施例に限らず、本発明
の技術的な思想の範囲内で当分野で通常の知識を有する
者によっていろいろな変形ができる。
細に説明したが、本発明は前記実施例に限らず、本発明
の技術的な思想の範囲内で当分野で通常の知識を有する
者によっていろいろな変形ができる。
【図1】本発明の望ましい実施例によるウェーハ洗浄方
法を説明するためのフローチャートである。
法を説明するためのフローチャートである。
【図2】本発明によるウェーハ洗浄方法と従来の洗浄方
法を経た各ウェーハ上に残留する汚染物を各成分別に分
析した結果を示すグラフである。
法を経た各ウェーハ上に残留する汚染物を各成分別に分
析した結果を示すグラフである。
【図3】CMP工程を経たウェーハに対して色々な洗浄
方法を経た後各々の洗浄条件に対する洗浄効率を評価し
たグラフである。
方法を経た後各々の洗浄条件に対する洗浄効率を評価し
たグラフである。
Claims (16)
- 【請求項1】 所定の半導体製造工程を経たウェーハの
表面に脱イオン水及び第1化学溶液を供給すると同時に
ブラシを用いたスクラビング工程によってウェーハの表
面を第1洗浄する段階と、 前記第1洗浄を経たウェーハの表面に第2化学溶液を供
給して、ウェーハの表面を第2洗浄する段階を含むこと
を特徴とするウェーハ洗浄方法。 - 【請求項2】 前記所定の半導体製造工程はCMP工程
であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ洗浄
方法。 - 【請求項3】 前記第1化学溶液は、希釈されたHF溶
液及び水酸化アンモニウムと過酸化水素と脱イオン水が
所定の比で混合された混合液よりなる群から選択された
いずれか一つであることを特徴とする請求項2に記載の
ウェーハ洗浄方法。 - 【請求項4】 前記第2化学溶液は、希釈されたHF溶
液及び水酸化アンモニウムと過酸化水素と脱イオン水が
所定の比で混合された混合液よりなる群から選択された
いずれか一つであることを特徴とする請求項2に記載の
ウェーハ洗浄方法。 - 【請求項5】 前記第1化学溶液は希釈されたHF溶液
及び水酸化アンモニウムと過酸化水素と脱イオン水が所
定の比で混合された混合液よりなる群から選択されたい
ずれか一つであり、前記第2化学溶液は前記選択された
いずれか一つを除外した他のひとつであることを特徴と
する請求項2に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項6】 前記ブラシはロールタイプ、ペンシルタ
イプ及びドラムタイプよりなる群から選択された少なく
とも一つであることを特徴とする請求項2に記載のウェ
ーハ洗浄方法。 - 【請求項7】 前記第1洗浄段階においてウェーハの表
面中前面はペンシルタイプのブラシを適用し、ウェーハ
の後面にはロールタイプのブラシを適用することを特徴
とする請求項6に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項8】 前記第2洗浄段階がブラシを用いた同時
スクラビング工程をさらに含むことを特徴とする請求項
2に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項9】 前記ブラシはロールタイプ、ペンシルタ
イプ及びドラムタイプよりなる群から選択された少なく
とも一つであることを特徴とする請求項8に記載のウェ
ーハ洗浄方法。 - 【請求項10】 前記第2洗浄段階においてウェーハの
表面中前面はペンシルタイプのブラシを適用し、ウェー
ハの後面にはロールタイプのブラシを適用することを特
徴とする請求項8に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項11】 前記第1洗浄段階及び第2洗浄段階は
相互連続的に連結している別のステージ内で行なわれる
ことを特徴とする請求項2に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項12】 前記第1洗浄段階及び第2洗浄段階は
相互連続的に連結している別のステージ内で行なわれる
ことを特徴とする請求項8に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項13】 前記第1洗浄段階及び第2洗浄段階は
CMP工程とインサイチュで行なうことを特徴とする請
求項2に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項14】 前記第2洗浄段階の後に脱イオン水を
使用してウェーハの表面を水洗する段階をさらに含むこ
とを特徴とする請求項1に記載のウェーハ洗浄方法。 - 【請求項15】 前記水洗段階はウェーハに超音波を加
える段階を含むことを特徴とする請求項14に記載のウ
ェーハ洗浄方法。 - 【請求項16】 前記第1洗浄段階、第2洗浄段階及び
水洗段階はCMP工程とインサイチュで行なうことを特
徴とする請求項14に記載のウェーハ洗浄方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR97P9548 | 1997-03-20 | ||
KR1019970009548A KR19980073947A (ko) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | 웨이퍼 세정방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10270403A true JPH10270403A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=19500235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10037275A Withdrawn JPH10270403A (ja) | 1997-03-20 | 1998-02-19 | 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10270403A (ja) |
KR (1) | KR19980073947A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6247198B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-06-19 | Tdk Corporation | Cleaning apparatus |
US7494549B2 (en) | 2002-08-16 | 2009-02-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
CN111584340A (zh) * | 2019-02-19 | 2020-08-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆的清洗方法 |
CN115055439A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-09-16 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030075629A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 세정방법 |
KR20040001522A (ko) * | 2002-06-28 | 2004-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 시엠피 세정방법 |
US8236382B2 (en) * | 2002-09-30 | 2012-08-07 | Lam Research Corporation | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same |
WO2013059009A1 (en) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Applied Materials, Inc | Semiconductor substrate cleaning apparatus, systems, and methods |
-
1997
- 1997-03-20 KR KR1019970009548A patent/KR19980073947A/ko not_active Application Discontinuation
-
1998
- 1998-02-19 JP JP10037275A patent/JPH10270403A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6247198B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-06-19 | Tdk Corporation | Cleaning apparatus |
US6254688B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-07-03 | Tdk Corporation | Cleaning method |
US7494549B2 (en) | 2002-08-16 | 2009-02-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
CN111584340A (zh) * | 2019-02-19 | 2020-08-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆的清洗方法 |
CN111584340B (zh) * | 2019-02-19 | 2023-08-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆的清洗方法 |
CN115055439A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-09-16 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980073947A (ko) | 1998-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6099662A (en) | Process for cleaning a semiconductor substrate after chemical-mechanical polishing | |
US5996594A (en) | Post-chemical mechanical planarization clean-up process using post-polish scrubbing | |
US7270597B2 (en) | Method and system for chemical mechanical polishing pad cleaning | |
US5868863A (en) | Method and apparatus for cleaning of semiconductor substrates using hydrofluoric acid (HF) | |
US6265781B1 (en) | Methods and solutions for cleaning polished aluminum-containing layers, methods for making metallization structures, and the structures resulting from these methods | |
JP3114156B2 (ja) | 洗浄方法および装置 | |
US20050206005A1 (en) | Composition and a method for defect reduction | |
US6632743B1 (en) | Post-planarization, pre-oxide removal ozone treatment | |
KR20150072375A (ko) | 화학 기계적 폴리싱 및 세정을 위한 시스템 및 방법 | |
JP3134267B2 (ja) | 半導体ウェハ表面を洗浄する方法 | |
TW201731632A (zh) | 拋光後晶圓清潔 | |
US5888124A (en) | Apparatus for polishing and cleaning a wafer | |
JPH10270403A (ja) | 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法 | |
US6537381B1 (en) | Method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing | |
JP6228505B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JPH0922885A (ja) | 化学的機械研磨後の基板洗浄方法 | |
JP4317759B2 (ja) | Coralフィルムにおいてエッチングおよび剥離工程後の残留物を除去するための方法 | |
US6057248A (en) | Method of removing residual contaminants in an alignment mark after a CMP process | |
US20070240734A1 (en) | Method of cleaning post-cmp wafer | |
JPH06267918A (ja) | シリコン・ウエハの洗浄方法 | |
KR100744222B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 시스템 | |
JP2004512693A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法およびその装置 | |
KR100677034B1 (ko) | 반도체 소자의 세정방법 및 그 장치 | |
KR100687425B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 연마/세정장치 및 방법 | |
JP3545220B2 (ja) | 研磨方法並びに半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |