TW201731632A - 拋光後晶圓清潔 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於半導體晶圓處理的設備，包括經組配用於拋光該半導體晶圓的表面的拋光級、經組配用於清潔該半導體晶圓的該表面的清洗級以及與該清洗級連接並且經組配用於供應至少去離子水與惰性氣體的混合物至該清洗級的混合器。

Description

拋光後晶圓清潔
大體上，本發明關於製造積體電路與半導體裝置的領域，並且更特別的是，關於在拋光(polish)後清潔半導體晶圓。
諸如CPU、儲存裝置、ASIC(特定應用積體電路)及類似的先進積體電路的製作，需要根據已指定電路佈局，在給定晶片面積上形成大量電路元件。在各式各樣的電子電路中，場效電晶體代表一種重要類型的電路元件，其實質決定此等積體電路的效能。大體上，目前經實踐用於形成場效電晶體的製程技術有多種，其中，就許多類型的複雜電路系統而言，MOS電晶體鑒於運作速度及/或功率消耗及/或成本效益等特性優越，是目前最有前途的方法其中一者。舉例來說，在使用MOS技術的複雜積體電路的製作期間，例如N通道電晶體及/或P通道電晶體等數百萬電晶體是在包括結晶半導體層的基板上形成。小型化及電路密度提升代表需求持續成長。
半導體晶圓典型為製作有所欲積體電路設計的多個複製物，其往後將會分開並施作成個別晶片。晶圓 通常是分層建構，電路的一部分建立於第一層級上，而傳導貫孔經施作而連接至此電路的下一個層級。在此晶圓上將此電路的各層蝕刻後，將氧化物層放下，使此貫孔得以通過，但包覆前一個電路層級的其餘部分。此電路的各層可能對此晶圓建立或添增不均勻性，必須在產生下一個電路層之前，先將此晶圓平滑化。
化學機械平坦化/拋光(CMP)是一種已確立技術，用於平坦化空白晶圓及之後添加的各材料層。可用的CMP系統通常稱為晶圓拋光機，常使用使此晶圓與拋光墊接觸的轉動晶圓載體，此拋光墊在待平坦化晶圓表面的平面中轉動。諸如化學拋光劑或含微磨擦物的漿料的拋光流體塗敷至此拋光墊以拋光此晶圓。此晶圓載體接著按壓此晶圓抵靠此轉動拋光墊，並且轉動以拋光並且平坦化此晶圓。
在此拋光並平坦化運作後，此晶圓載體自此拋光墊提起並保留於用於傳送此晶圓及晶圓載體的輸送器中。此晶圓載體的外部表面及此晶圓的面部典型是以在此運作期間移離此晶圓表面的殘餘拋光流體與材料來塗布。漿料與拋光墊是使晶圓的表面受污染的來源。
CMP後的晶圓清潔是關鍵問題。晶圓清潔不足而導致在之後的處理期間(例如，最終刷清潔的進一步拋光步驟出現)例如刮損等主要缺陷。這些污染物典型為使用去離子水(DIW)來移除。舉例而言，頭對徑向清洗系統包含此輸送器上所包括的固定洞孔。此晶圓載體在保留於此 輸送器中時，此等洞孔圍繞晶圓載體的上部分。此等洞孔透過管路連至DIW供應器，其經加壓以將DIW從此等洞孔噴出，並且噴到此晶圓載體的外表面上。
然而，現有的站間清洗利用特定表面張力將例如漿料粒子的粒子移除並不可靠。有鑑於此，本發明提供一種新的後拋光晶圓清潔，相比於現有技術，以更可靠的方式從晶圓表面移除污染物。
以下介紹本發明的簡化概要，以便對本發明的一些態樣有基本的瞭解。本概要並非本發明的詳盡概述。用意不在於指認本發明的重要或關鍵要素，或敘述本發明的範疇。目的僅在於以簡化形式介紹一些概念，作為下文更詳細說明的引言。
大體上，本文中所揭示的主題關於在拋光程序之後，尤其是在CMP步驟之後，清潔半導體晶圓的表面。
提供一種用於半導體晶圓處理的設備，其包括經組配用於拋光此半導體晶圓的表面的拋光級、經組配用於清潔此半導體晶圓的此表面的清洗級以及與此清洗級連接並且經組配用於供應至少去離子水與惰性氣體的混合物至此清洗級的混合器。
此外，提供一種清潔半導體晶圓的表面的方法，其包括將該半導體晶圓移動至晶圓處理設備的清洗級、供應至少去離子水(DIW)與惰性氣體的混合物至該清洗級以及在該清洗級中以已供應的該混合物清洗該半導體 晶圓的該表面。
再者，提供一種用於清潔已拋光半導體晶圓的表面的後拋光清潔方法，其包括以包含去離子水(DIW)與已加壓惰性氣體的清洗流體清洗該已拋光半導體晶圓的該表面。
在所有上述實施例中，該混合物可包含附加組分，例如CO2，而該惰性氣體可包含或由已加壓N2所組成。根據特定實施例，該混合物可由該DIW與該惰性氣體所組成。該半導體晶圓可以是一種SOI晶圓，其具有半導體基板、形成於該半導體基板上的埋置型氧化物層以及形成於該埋置型氧化物層上的半導體層。該半導體晶圓可包含諸如FDSOI FET的FDSOI裝置。
10‧‧‧提供晶圓
20‧‧‧第一CMP程序
30‧‧‧第一晶圓清潔
40‧‧‧第二CMP程序
50‧‧‧第二晶圓清潔
60‧‧‧第n次CMP與清洗步驟
70‧‧‧刷清潔
100‧‧‧設備
101‧‧‧載入埠
102‧‧‧機器人
103‧‧‧通過手段
104‧‧‧機器人
105‧‧‧輸入站
106‧‧‧頭載入/載出站
107‧‧‧第一拋光級、拋光級
107a‧‧‧第一拋光後清潔站、拋光後清潔站
108‧‧‧第二拋光級、拋光級
108a‧‧‧第二拋光後清潔站、拋光後清潔站
109‧‧‧第三拋光級、拋光級
109a‧‧‧第三拋光後清潔站、拋光後清潔站
111‧‧‧輸出站
113‧‧‧清潔輸入站
114‧‧‧晶圓清潔與燥化站
115‧‧‧晶圓清潔與燥化站
116‧‧‧晶圓清潔與燥化站
117‧‧‧晶圓清潔與燥化站
119‧‧‧晶圓輸出埠
170‧‧‧混合器
180‧‧‧惰性氣體供應器
190‧‧‧DIW供應器
本發明可搭配附圖參照以下說明來瞭解，其中相同的元件符號表示相似的元件，並且其中：第1圖展示一種設備，其包含拋光站以及供應有DIW與惰性氣體的混合物的清洗站；以及第2圖展示晶圓處理的流程圖，其包括通過DIW與惰性氣體的混合物進行晶圓清潔。
儘管本文中揭示的主題易受各種修改及替代形式影響，其特定具體實施例仍已在附圖中舉例展示，並且於本文中詳述。然而，應瞭解的是，本文中特定具體實施例的說明用意不在於將本發明限制於所揭示的特定形式，相反 地，如隨附申請專利範圍所界定，用意在於涵蓋落於本發明的精神及範疇內的所有修改、均等例及替代方案。
下面說明本發明的各項說明性具體實施例。為了澄清，本說明書中並未說明實際實作態樣的所有特徵。當然，將會領會旳是，在開發任何此實際具體實施例時，必須做出許多實作態樣特定決策才能達到開發者的特定目的，例如符合系統有關及業務有關的限制條件，這些限制條件會隨實作態樣不同而變。此外，將會領會的是，此一開發努力可能複雜且耗時，雖然如此，仍會是受益於本發明的本領域技術人員的例行工作。
以下具體實施例經充分詳述而使本領域技術人員能夠利用本發明。要理解的是，其它具體實施例基於本發明將顯而易見，並且可施作系統、結構、程序或機械變更而不脫離本發明的範疇。在以下說明中，提出特定數值細節是為了得以透徹理解本發明。然而，將顯而易見的是，本發明的具體實施例無需此等特定細節也可予以實踐。為了避免混淆本發明，一些眾所周知的電路、系統組態、結構組態以及程序步驟將不詳細揭示。
本發明現將參照附圖來說明。各種結構、系統及裝置在圖式中只是為了闡釋而繪示，為的是不要因本領域技術人員眾所周知的細節而混淆本發明。雖然如此，仍將附圖包括進來以說明並闡釋本發明的說明性實施例。本文中使用的字組及詞組應瞭解並詮釋為與本領域技術人 員瞭解的字組及詞組具有一致的意義。詞匯或詞組的特殊定義(也就是與本領域技術人員瞭解的通常或慣用意義不同的定義)，用意不在於通過本文詞匯或詞組的一致性用法提供暗示。就一詞匯或詞組用意在於具有特殊意義的方面來說，即有別於本領域技術人員瞭解的意義，此一特殊定義應會按照為此詞匯或詞組直接且不含糊地提供此特殊定義的定義方式，在本說明書中明確提出。
如完整閱讀本申請案後對本領域技術人員將會顯而易見者，本方法適用於各種技術，例如：NMOS、PMOS、CMOS等。本文中所述的技巧與技術可用於製作MOS積體電路裝置，包括NMOS積體電路裝置、PMOS積體電路裝置以及CMOS積體電路裝置。
本發明提供一種用於晶圓CMP與清潔的設備。第1圖繪示此一設備100的一實施例。第1圖的設備100包含用於在設備100中引進待處理晶圓的載入埠101。在設備100中提供用於晶圓傳送的機器人(晶圓機械手)102。此晶圓通過機器人102移送至通過手段(乾區域至濕區域)103。在通過手段103的另一側，提供用於將此晶圓進一步傳送至輸入站105及頭載入/載出站106的另一機器人(濕式機器人)104。
設備100更包含用於晶圓拋光的第一107、第二108以及第三109拋光級(站)。舉例而言，拋光級107、108、109可以是CMP站。第一拋光級107可包含第一拋光墊與第一晶圓載體，第二拋光級108可包含第二拋光墊與 第二晶圓載體，而第三拋光級109可包含第三拋光墊與第三晶圓載體。此等晶圓載體可經組配用於在拋光級107、108與109之間連續移送晶圓。拋光級107、108與109可經組配用以移除佈置於待處理晶圓上的一或多層(圖未示)。舉例而言，此一或多層可包含此晶圓上形成的阻障層、介電層(例如：氧化物或氮化物的層)、金屬層(例如：銅、鋁、鉭、鈦及/或鎢的層)或任何其它層其中之一或多者。設備100可包含另外多個拋光級，而此等另外的拋光級之一者可包含拋光墊，用於前一個拋光級中所處理的晶圓的拋光或表面修整。
設備100更可包含第一拋光級107下游處的第一拋光後清潔站(第一清洗級)107a、第二拋光級108下游處的第二拋光後清潔站(第二清洗級)108a以及第三拋光級109下游處的第三拋光後清潔站(第三清洗級)109a。在拋光級107、108及109其中一者中的拋光步驟之後，可分別在拋光後清潔站107a、108a及109a其中一者中進行清洗步驟。舉例而言，在第一拋光級107中，平坦化或移除此晶圓的第一層，並在第一拋光後清潔站107a清洗產生的晶圓，且隨後在第二拋光級108中處理此晶圓等。
拋光後清潔站107a、108a、109a可通過混合器170來饋入。去離子水(Deionized water，DIW)是自DIW供應器190供應至混合器170，而惰性氣體是自惰性氣體供應器180供應至混合器170。此DIW具有約為6的pH 值。混合器170可以是文氏混合器(venturi mixer)。文氏混合器容許以有效率的方式混合液體與氣體，在本例中為DIW與惰性氣體。可準確調整混合率。DIW與惰性氣體是在混合器170中混合，並且供應至拋光後清潔站107a、108a、109a，以便通過此DIW與此惰性氣體的混合物實行晶圓清潔。惰性氣體可包含或由氮氣或稀有氣體所組成。鑒於DIW可按較低壓力供應至混合器170，惰性氣體可按較高壓力供應。產生的混合物可視為高壓清洗流體。DIW相比於現有的清洗，是通過惰性氣體加速。所涉及的典型壓力為130-280kPa，氣體流率大約為10-30l/min。此清洗流體中可包括其它組分，例如CO2。
與所屬技術領域相反的是，此清洗不是僅通過清洗DIW來進行，而是DIW與惰性氣體的混合物。藉此，即使是重度固定污染粒子，例如出於拋光漿料的苯並三唑(benzotriazole，BTA)粒子，也可在進行拋光程序後直接移離晶圓表面。利用DIW與惰性氣體的拋光後清洗容許移除金屬與離子粒子。通過改良型晶圓清潔，相比於所屬技術領域，交叉污染可顯著降低。最重要的是，可避免後續進行拋光步驟或進行後續刷清潔時移送晶圓至刷清潔站後因晶圓表面上的污染物所造成的刮損。
應注意的是，亦可供應DIW與惰性氣體的混合物至拋光級。添加DIW與惰性氣體的混合物可有利於防止剩餘漿料粒子在晶圓表面上燥化。
在通過上述拋光與拋光後清潔站其中之一或 多者的處理之後，可經由輸出站111及(濕式)機器人104將此晶圓移送至刷清潔站的清潔輸入站113。晶圓清潔與燥化站114至117包含於此設備中以供刷清潔與燥化之用。此晶圓可通過機器人102移送至晶圓輸出埠119，此已清潔與已燥化晶圓可於此處離開設備100。
第2圖中繪示例示性晶圓處理的程序流程。提供晶圓10，此晶圓可以是SOI晶圓，其包含半導體主體基板、形成於該主體基板上的埋置型氧化物層以及形成於該埋置型氧化物層上的半導體層。此半導體基板可以是矽基板，尤其是單晶矽基板。其它材料可用於形成半導體基板，舉例如鍺、矽鍺、磷酸鎵、砷化鎵等。此埋置型氧化物層可包含二氧化矽、氮化矽或任何其它合適的材料。此半導體層可由任何適當的半導體材料所構成，諸如矽、矽/鍺、矽/碳、其它II-VI族或III-V族半導體組分及類似者。此半導體層可包含大量的矽，原因在於高集成密度的半導體裝置可基於矽進行量產來形成，理由是可用性已增強且過去數十年已開發建置良好的製程技術。然而，任何其它適當的半導體材料都可使用，例如，含有其它諸如鍺、碳及類似者的等電子組分的矽基礎材料。可在此晶圓上形成積體電路的圖型。特別的是，此晶圓可包含多個全空乏(Fully Depleted，FD)SOI裝置，例如FDSOI FET。
此晶圓經受第一CMP程序20。在第一CMP程序中，可將金屬或遮罩層移離此晶圓。在完成第一CMP程序20之後，進行第一晶圓清潔30。第一晶圓清潔30包 含利用DIW與例如N2氣體的惰性氣體的混合物高壓清洗此晶圓。在完成第一晶圓清潔30之後，進行第二CMP程序40，舉例而言，用於平坦化介電層。在完成第二CMP程序40之後，進行第二晶圓清潔50。類似於第一晶圓清潔30，第二晶圓清潔50包含利用DIW與例如N2氣體的惰性氣體的混合物高壓清洗此晶圓。可進行另外的CMP與清洗步驟。總之，此晶圓可經受n次CMP與清洗步驟。在完成第n次CMP與清洗步驟60之後，此晶圓進行刷清潔70。要注意的是，可在第二晶圓清潔50之步驟與刷清潔70之步驟間實行第三CMP程序，然後進行第三晶圓清潔。由於先前已通過DIW與惰性氣體的高壓混合物進行有效率的清潔，此刷清潔程序中可大幅避免產生刮損。
在此背景下，也應注意以下事項。就多層級互連的建立，銅已變為非常重要的材料。然而，銅線常在現有的CMP與清潔處理之後展現缺陷。此進而在此等銅線上方沉積的後續層的平坦化造成問題，因為這些層此時可能是在平面性差的表面上沉積。隔離的銅線或相鄰於開路的銅線易於損壞。如本文中所教示，利用DIW與惰性氣體，通過晶圓清潔，可解決或至少緩和這些問題。
半導體晶圓的整體處理可包括在半導體基板上方形成介電層、在此介電層內蝕刻多個溝槽，以及在此介電層與此等溝槽上方形成阻障層。這些已知程序亦可包括在此阻障層上方形成銅晶種層以及在此銅晶種層上方形成銅層，使得此銅晶種層的一部分及此銅層的一部分亦佈 置於此等溝槽中。在這些已知程序中，通過相對此晶圓轉動的拋光墊的手段，可在第一及/或第二CMP程序20與40期間，移除部分此晶圓上方的銅層、銅晶種層及阻障層。此晶圓亦可相對此轉動的拋光墊轉動。此晶圓上拋光與各個層接觸的拋光墊的側邊可佈置漿料組成物，其中此漿料組成物有助於此等層的拋光及/或氧化。舉例而言，一個拋光墊可在第一CMP程序20期間用於移除(多個)銅層，而另一拋光墊可在第二CMP程序期間用於移除阻障層。
應注意的是，第2圖中展示的程序流程中可能進行另外的步驟。舉例而言，可進行另外的CMP與清洗步驟。舉例而言，可進行一或多個拋光步驟及燥化步驟。此外，在利用包含DIW與惰性氣體的清洗流體進行晶圓清潔程序之後，可進行此晶圓的超音波振盪處理。舉例而言，具有適當pH值的超音波振盪槽進一步移除粒子及金屬與離子污染物。超音波振盪清潔槽可通過在此超音波振盪槽箱填充諸如NH4OH的清潔液並施加250瓦特等級的超音波振盪功率來完成。可在此超音波振盪清潔槽之前與之後新增快速清潔週期以改善結果。也可包括超音波振盪清洗槽。超音波振盪清洗槽包含在此箱填充諸如DIW的清洗液並且施加250瓦特等級的超音波振盪功率。
在此超音波振盪槽(若有所欲者)之後，可例如使用濕式移送將此晶圓移送至洗滌器進行刷清潔70。此晶圓在等待刷清潔時可存放於DIW溶液中。此洗滌器含有用於晶圓存放的盒子，於此處以DIW或其它先前適 當的化學品不斷地噴塗晶圓。此洗滌器可含有用於洗滌此晶圓表面的刷子。此晶圓與此刷子兩者都可在添加諸如NH4OH及/或DIW的受控制pH溶液時轉動。可使用其它化學品取代NH4OH，較佳是具有類似於與CMP程序20及40期間使用的漿料的pH值。各晶圓的正面與背面都可使用不同洗滌站來刷清潔。必要時，可在刷清潔後使用低濃度HF噴塗移除金屬污染物。在完成刷清潔程序70之後，可將此晶圓移送至可對其進行旋轉燥化的旋轉燥化站。之後，此晶圓已準備好進行後續處理或測試。
結果是，提供一種用於晶圓拋光與清潔的設備及一種在晶圓拋光後進行晶圓清潔的方法。特別的是，本文中所揭示的晶圓清潔可整合於22nm FDSOI技術中。
以上所揭示的特定具體實施例僅具有說明性，因為本發明可採用對受益於本文教示的本領域技術人員顯而易見的不同但均等方式來修改並且實踐。舉例而言，以上所提出的程序步驟可按照不同順序來進行。再者，除了申請專利範圍中所述外，未意圖限制於本文所示構造或設計的細節。因此，證實可改變或修改以上揭示的特定具體實施例且所有此類變例全都視為在本發明的範疇及精神內。要注意的是，本說明書中及所附申請專利範圍中諸如“第一”、“第二”、“第三”或“第四”等用以說明各種程序或結構的用語只是當作此類步驟/結構的節略參考在使用，不必然隱喻此類步驟/結構有依排定順序來進行/形成。當然，取決於精準的申請專利範圍用語，此類程序 的順序可或可不需要排序。因此，本文尋求的保護如申請專利範圍中所提。
100‧‧‧設備
101‧‧‧載入埠
102‧‧‧機器人
103‧‧‧通過手段
104‧‧‧機器人
105‧‧‧輸入站
106‧‧‧頭載入/載出站
107‧‧‧第一拋光級、拋光級
107a‧‧‧第一拋光後清潔站、拋光後清潔站
108‧‧‧第二拋光級、拋光級
108a‧‧‧第二拋光後清潔站、拋光後清潔站
109‧‧‧第三拋光級、拋光級
109a‧‧‧第三拋光後清潔站、拋光後清潔站
111‧‧‧輸出站
113‧‧‧清潔輸入站
114‧‧‧晶圓清潔與燥化站
115‧‧‧晶圓清潔與燥化站
116‧‧‧晶圓清潔與燥化站
117‧‧‧晶圓清潔與燥化站
119‧‧‧晶圓輸出埠
170‧‧‧混合器
180‧‧‧惰性氣體供應器
190‧‧‧DIW供應器

Claims (20)

  1. 一種用於半導體晶圓處理的設備，其包含：拋光級，經組配用於拋光該半導體晶圓的表面；清洗級，經組配用於清潔該半導體晶圓的該表面；以及混合器，與該清洗級連接並且經組配用於供應至少去離子水(DIW)與惰性氣體的混合物至該清洗級。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的設備，更包含與該混合器連接的惰性氣體供應器以及與該混合器連接的DIW供應器。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的設備，其中，該惰性氣體供應器組配成用來加壓該惰性氣體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中，該混合器為文氏混合器。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中，該拋光級經組配用於對該半導體晶圓的該表面進行化學機械平坦化。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的設備，更包含該拋光與清洗站下游處所配置的刷清潔站。
  7. 一種處理半導體晶圓的表面的方法，該方法包含：移動該半導體晶圓至晶圓處理設備的清洗級；供應至少去離子水(DIW)與惰性氣體的混合物至該清洗級；以及在該清洗級中以已供應的該混合物清洗該半導體 晶圓的該表面。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中，該惰性氣體為已加壓氮。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的方法，更包含在完成該清洗程序後，刷清潔該半導體晶圓的該表面。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的方法，更包含在進行該清洗程序前，先拋光該半導體晶圓的該表面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中，該拋光程序包含在該半導體晶圓的該表面與用於該拋光程序的拋光墊之間佈置漿料組成物。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的方法，更包含：當該半導體晶圓處於第一狀態時，在第一拋光墊與該半導體晶圓的該表面之間佈置第一漿料組成物；當該半導體晶圓處於第二狀態時，在第二拋光墊與該半導體晶圓的該表面之間佈置第二漿料組成物；供應該DIW與該惰性氣體的該混合物至另一清洗級；於第一開始時間，通過該第一拋光墊與第一漿料組成物，在該半導體晶圓的該表面上開始第一拋光；於該清洗級中完成該第一拋光後，以已供應的該混合物清洗該半導體晶圓的該表面；以及於該另一清洗級中完成該第二拋光後，以已供應的該混合物清洗該半導體晶圓的該表面。
  13. 如申請專利範圍第7項所述的方法，更包含： 當第一半導體晶圓處於第一狀態時，在第一拋光墊與該第一半導體晶圓之間佈置第一漿料組成物；當第二半導體晶圓處於第二狀態時，在第二拋光墊與該第二半導體晶圓之間佈置第二漿料組成物；於第一開始時間，通過該第一拋光墊與第一漿料組成物，在該第一半導體晶圓上開始第一拋光；於有別於該第一開始時間的第二開始時間，通過該第二拋光墊與第二漿料，在該第二半導體晶圓上開始第二拋光；以及在完成該第一或第二拋光後，清洗該第一與第二半導體晶圓其中至少一者。
  14. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中，該混合物通過混合器供應至該清洗級，以及更包含自惰性氣體供應器供應該惰性氣體至該混合器，並且自DIW供應器供應該DIW至該混合器。
  15. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中，該半導體晶圓為包含FDSOI裝置的SOI晶圓。
  16. 一種用於清潔已拋光半導體晶圓的表面的拋光後清潔方法，該方法包含：以包含去離子水(DIW)與已加壓惰性氣體的清洗流體清洗該已拋光半導體晶圓的該表面。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中，該已加壓惰性氣體包含氮。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的方法，更包含刷清潔該 半導體晶圓的已清潔且已拋光的該表面。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的方法，更包含拋光該半導體晶圓的已清洗且已拋光的該表面以獲得該晶圓的進一步已拋光表面，且以該清洗流體清洗該已拋光半導體晶圓的該進一步已拋光表面。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中，該半導體晶圓為包含FDSOI裝置的SOI晶圓。
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