KR20040006369A - 반도체 기판의 세정방법 - Google Patents
반도체 기판의 세정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040006369A KR20040006369A KR1020020040626A KR20020040626A KR20040006369A KR 20040006369 A KR20040006369 A KR 20040006369A KR 1020020040626 A KR1020020040626 A KR 1020020040626A KR 20020040626 A KR20020040626 A KR 20020040626A KR 20040006369 A KR20040006369 A KR 20040006369A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- solution
- iii
- surfactant
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 claims description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- XSXHWVKGUXMUQE-UHFFFAOYSA-N osmium dioxide Inorganic materials O=[Os]=O XSXHWVKGUXMUQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- C11D2111/22—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
반도체 기판의 세정방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상의 막을 평탄화하여 소수성인 막을 노출시킨다. 상기 기판 표면을 산화제 또는 계면활성제로 처리하여 친수화시킴으로써 물반점 생성을 억제시킨다. 반도체 기판 상에 형성된 표면이 소수성인 막을 평탄화하고, 상기 기판 표면을 버핑 용액으로 처리하여 평탄화를 마무리하며 세정한다. 상기 기판을 마르지 않도록 이동시킨 후, 상기 기판을 린스하여 표면의 이물질을 제거한다. 상기 기판을 브러시 세정하고, 상기 기판을 물에 비해 휘발성이 높은 용액으로 린스한다. 기판 표면을 친수화하거나, 휘발을 원활하게 하여 후속에 상기 기판을 건조할 때, 물반점과 같은 문제점이 발생하지 않아 불량을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 기판의 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 CMP 세정 공정 후 물반점이 생성되지 않는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것이다.
급속도로 발전하는 정보화 사회에 있어서 대량의 정보를 보다 빠르게 처리하게 위해 데이터 전송속도가 높은 반도체 소자가 요구되고 있다. 반도체 소자의 데이터 전송속도를 높이기 위해서는 하나의 칩(chip)상에 고집적도로 셀(cell)들을집적시켜야한다.
따라서, 반도체 소자에 셀들을 집적시키기 위해 디자인 룰(design rule)을 축소시키는 작업이 활발하게 진행되고 있다. 상기와 같은 디자인 룰의 축소 작업으로 반도체 소자의 배선들은 입체적인 형태를 갖으며 다층으로 형성되고 있다.
상기와 같이 배선을 다층으로 형성함으로서 상기 층간 배선들을 전기적으로 절연시키기 위해 층간 절연막을 증착한 후 상기 층간 절연막을 평탄화(planerization)하기 위한 공정이 진행된다.
평탄화하기 위한 공정으로 널리 상용되고 있는 방법 중 대표적인 방법으로 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing;CMP, 이하 "CMP"라고 한다.) 방법을 들 수 있다. 미국 특허 번호 6,293,852(Roberts et al.)에 화학 기계적 연마 방법이 개시되어 있다.
CMP 방법은 단차를 가진 반도체 기판을 연마패드 위에 밀착시킨 후 연마제를 이용하여 반도체 기판을 연마함으로서 평탄화하는 방법으로서 낮은 온도에서 전체적인 평탄화를 실시할 수 있다는 장점을 갖고 있다.
그러나, 고집적도의 반도체 소자를 제조함에 있어서, 이에 대응한 제조 공정은 매우 청정한 분위기를 요구하고 있으므로, 이러한 상황하에서의 CMP 공정은 대량의 콜로이드상의 슬러리가 전체 시스템에 유입되는 문제점을 안고 있다. 따라서 CMP 공정이 반도체 프로세스 속으로 유입되기 위해서는 평탄화공정과 CMP 후세정(post cleaning) 공정이 동시에 진행되어야한다.
최근 신호 지연(Rc delay) 감소를 통한 반도체 소자의 속도 향상을 목적으로구리(Cu)를 배선 재료로 사용하고, 블랙 다이아몬드(black diamond)등의 저유전율 물질을 유전체(dielectric) 재료로 사용하고 있다. 그러나, 블랙 다이아몬드, SiLK(C86H56On)등 과 같은 대부분의 저유전율 재료들은 소수성을 띄고 있다. 상기 소수성을 띄는 재료로 성막된 기판을 슬러리(slurry)와 탈이온수(deionized water; DI water)를 사용하는 CMP 공정과 CMP 후세정(Post CMP Cleaning) 공정으로 처리하면, 상기 기판 상에 용액이 고르게 퍼지지 못하고 맺힌 상태로 존재하여 후에 상기 용액을 제거하는 도중 건조가 균일하게 되지 않고 기판 상에 물에 의한 막이 형성되는 물반점(water mark)이 나타나는 문제점이 있다. 특히, 지름이 넓어진 대구경의 반도체 웨이퍼를 사용할 경우 물반점이 생기는 문제가 더욱 심화된다.
그리고 후속되는 공정에서 원하지 않는 결과를 초래하는 매개로 작용하고, 불량의 원인이 된다. 상기와 같이, 물반점은 불량을 유발함으로써, 반도체 장치의 제조에 있어서 신뢰도를 저하시키는 문제점을 야기시킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 물반점을 억제하기 위한 반도체 기판의 세정방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 화학 기계적 연마(CMP) 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 화학 기계적 연마(CMP) 공정의 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 화학 기계적 연마(CMP) 후세정 장치의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 화학 기계적 연마(CMP) 후세정 공정의 흐름도이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 기판 상의 막을 평탄화하여 소수성인 막을 노출시키는 단계 및 상기 기판 표면을 산화제 또는 계면활성제로 처리하여 친수화시킴으로써 물반점 생성을 억제시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 방법은 반도체 기판 상에 형성된 표면이 소수성인 막을 평탄화하는 단계, 상기 기판 표면을 버핑 용액으로 처리하여 평탄화를 마무리하며 세정하는 단계, 상기 기판을 마르지 않도록 이동시키는 단계, 상기 기판을 린스하여 표면의 이물질을 제거하는 단계, 상기 기판을 브러시 세정하는 단계, 및 상기 기판을 물에 비해 휘발성이 높은 용액으로 린스하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이와 같이, 반도체 공정의 CMP를 진행하고 세정하는 과정에 쓰이는 용액에 친수화 용액을 사용함으로서 부가적인 공정을 추가하지 않고 기판 표면을 친수화하여 건조 후에 물반점과 같은 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 화학 기계적 연마(CMP) 장치의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 CMP 공정의 흐름도이다.
도 1을 참조하면, CMP 장치는 기판 트랜스퍼 스테이션(100), 기판 로드/언로드 모듈(110), 연마모듈(120) 및 버핑 스테이션(130)으로 이루어진다. 상기 연마모듈(120)은 연마 패드(미도시)가 부착된 연마 플레이트(125), 연마 헤드(127) 및 연마액를 공급하는 노즐(129)로 이루어진다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기와 같은 CMP 장치에 있어서, 트랜스퍼 스테이션(100) 및 기판 로드/언로드 모듈(110)을 거쳐, 막이 형성된 기판(140)을 연마모듈로 로드한다.(S210) 상기 로딩된 기판(140)을 연마 헤드(127)에 안착시킨 후, 상기 연마 플레이트(125) 및 상기 연마 헤드(127)를 동시에 회전시켜 상기 기판(140) 표면을 연마시킨다.(S220)
상기 기판(140)에 압력을 가해 연마하면서 연마되는 정도를 모니터하여 상기 기판(140) 전면이 편평해지도록 연마를 진행하여 소수성 막을 노출시킨다.
이때, 상기 연마 플레이트(125) 상부에 위치한 노즐(129)로부터 슬러리를 함유한 연마액을 공급한다.
상기 연마의 종결점이 감지되면, 상기 기판(140)을 상기 연마 플레이트(125)에서 제거하여 버핑(buffing) 스테이션(130)으로 이송하여 버핑 과정을 진행한다.(S230) 상기 버핑 과정은 탈이온수 분위기에서 패드를 이용하여 기판을 문지르는 러빙(rubbing)을 함으로써 기판 표면에 붙어 있는 파티클(particle)을 일차적으로 제거하기 위한 것이다.
이때, 상기 탈이온수에 산화제 또는 계면활성제(surfactant)를 혼합하여 상기 기판(140)을 처리함으로서 상기 기판(140) 표면을 친수화한다. 상기 산화제는 과산화수소 또는 질산이며, 상기 계면활성제는 상기 소수성 막과 결합할 수 있는 라디컬 또는 이온을 함유하는 물질로 -OH, -COOH, -NH2, -COONa 및 -OSO2로 이루어지는 그룹 중 선택된 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기와 같은 친수화 용액으로 상기 기판(140)을 처리하면, 상기 언급한 용액의 성질로 인해 상기 소수성인 표면이 친수성으로 바뀌게 된다. 공정 전반에 걸쳐 탈이온수를 사용하므로 상기 기판(140) 표면을 친수성으로 하면 상기 기판표면에 걸쳐 균일하게 액체 막이 형성된다. 따라서, 후속에 상기 기판(140)을 건조하면 균일하게 용액이 제거되어, 물반점과 같은 오염물이 남지 않아 소자의 불량을 감소시킬 수 있다.
상기 버핑 과정이 완결되면, 상기 기판(140)을 언로딩하여,(S240) 다음 공정으로 이송한다.(S250)
실시예 2
실시예 2는 상기 실시예 1과 유사한 방법으로 진행하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
연마 모듈(120)로 막이 형성된 기판(140)을 로딩하여 연마 헤드(127)에 안착시킨다.(S210) 연마 플레이트(125) 및 연마 헤드(127)를 동시에 회전시키며 연마액을 공급한다. 상기 기판(140)의 전면이 편평해지도록 연마를 진행하여 소수성 막을 노출시킨다.(S220)
상기 연마의 종결점이 감지되면, 상기 기판(140)을 상기 연마 플레이트(125)로부터 버핑 스테이션(130)으로 이송하여, 기판(140) 표면의 잔류 파티클을 제거하기 위해 일차적으로 버핑 과정을 진행한다.(S230)
상기 버핑 과정이 완결되면, 상기 기판(140)을 언로드하여(S240) 다음 공정으로 이송하기 위해 트랜스퍼 스테이션(100)에 안착한다.
기판이 이송도중 건조되는 것을 방지하기 위해 상기 스테이션의 상부로부터 건조 방지액을 분사하며 이송한다.(S250) 이때, 상기 건조 방지액은 산화제 또는 계면활성제(surfactant)를 혼합하여 상기 기판을 처리함으로서 상기 기판 표면을 친수화한다. 상기 산화제는 과산화수소 또는 질산이며, 상기 계면활성제는 상기 소수성 막과 결합할 수 있는 라디컬 또는 이온을 함유하는 물질로 -OH, -COOH, -NH2, -COONa 및 -OSO2로 이루어지는 그룹 중 선택된 적어도 어느 하나를 포함한다.
건조방지를 위해서는 상기 친수화 용액에 상기 기판을 침지하여 후속 공정으로 이송할 수 있다.
실시예 3
도 3은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 화학 기계적 연마(CMP) 후세정 장치의 개략도이고, 도 4는 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 CMP 후세정 공정의 흐름도이다.
실시예 3은 상기 실시예 2와 유사한 방법으로 진행하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
연마 모듈(120)로 막이 형성된 기판(140)을 로드하여 연마 헤드(127)에 안착시킨다.(S210) 연마 플레이트(125) 및 연마 헤드(127)를 동시에 회전시키며 상기 기판(140)에 연마액을 공급하여 상기 기판(140)의 전면이 편평해지도록 연마를 진행하여 소수성 막을 노출시킨다.(S220)
상기 연마의 종결점이 감지되면, 상기 기판(140)을 상기 연마 플레이트(125)에서 제거하여 버핑 스테이션(130)으로 이송하여 기판(140) 표면의 잔류 파티클을 제거하기 위해 일차적으로 버핑 과정을 진행한다.(S230)
상기 버핑 과정이 완결되면, 상기 기판(140)을 로드하여(S240) 상기 기판(140)이 마르지 않도록 건조 방지액을 분사하며 다음 공정으로 이송한다.(S250)
전 공정에서 이송된 기판을 로드 스테이션(320)을 거쳐 로드하여(S410) 제1 스테이션(310)에서 탈이온화 용액으로 린스한다.(S420) 이때, 상기 탈이온화 용액은 산화제 또는 계면활성제(surfactant)를 혼합하여 제조함으로서 상기 기판을 린스시, 상기 기판 표면을 친수화한다. 상기 산화제는 과산화수소 또는 질산이며, 상기 계면활성제는 상기 소수성 막과 결합할 수 있는 라디컬 또는 이온을 함유하는 물질로 -OH, -COOH, -NH2, -COONa 및 -OSO2로 이루어지는 그룹 중 선택된 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 기판을 브러시 세정하여 잔류 불순물을 제거한다.
상기 탈이온화 용액만으로 세정이 되지 않는 경우, 제2 스테이션(320)에서 화학 용액으로 상기한 과정을 한번 더 반복한다.(S430) 즉, 화학 용액으로 상기 기판을 린스하여 세정한 후 브러시 세정을 반복하여 상기 기판 표면에 잔류하는 파티클을 제거한다.
상기 파티클이 제거된 기판을 제3 스테이션(330)에서 탈이온화 용액으로 린스하여(S440) 상기 기판 표면을 친수화한 후 후속 공정으로 언로드 스테이션(350)을 통해 상기 기판을 언로드한다.(S450)
실시예 4
실시예 4는 상기 실시예 3과 유사한 방법으로 진행하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
연마 모듈(120)로 막이 형성된 기판(140)을 로드하여 연마 헤드(127)에 안착시킨다.(S210) 연마 플레이트(125) 및 연마 헤드(127)를 동시에 회전시키며 상기 기판(140)에 연마액을 공급하여 상기 기판(140)의 전면이 편평해지도록 연마를 진행하여 소수성 막을 노출시킨다.(S220)
상기 연마의 종결점이 감지되면, 상기 기판(140)을 상기 연마 플레이트(125)에서 제거하여 버핑 스테이션(130)으로 이송하여 기판(140) 표면의 잔류 파티클을 제거하기 위해 일차적으로 버핑 과정을 진행한다.(S230)
상기 버핑 과정이 완결되면, 상기 기판(140)을 언로드하여(S240) 마르지 않도록 건조 방지액을 분사하며 다음 공정으로 이송한다.(S250)
전 공정에서 이송된 기판을 로드 스테이션(300)을 통해 로드하여(S410) 제1 스테이션(310)에서 탈이온화 용액으로 린스하고, 상기 기판을 브러시 세정하여 잔류 불순물을 제거한다.(S420)
상기 탈이온화 용액만으로 세정이 되지 않는 경우, 제2 스테이션(320)에서 화학 용액으로 상기한 과정을 한번 더 반복한다.(S430) 즉, 화학 용액으로 상기 기판을 린스하여 세정한 후 브러시 세정을 반복하여 상기 기판 표면에 잔류하는 파티클을 제거한다.
상기 파티클이 제거된 기판을 제3 스테이션(330)에서 물보다 휘발성이 높은용액으로 린스한다.(S440) 바람직하게는, 상기 용액은 이소프로필알코올(isopropyl alcohol;ISP, 이하, ISP라고 한다.)이다. 상기 용액의 휘발성을 이용하여 상기 기판을 린스하면, 상기 용액의 휘발도에 의해 세정을 진행하면서 상기 기판 상에 존재하는 용액도 함께 휘발되므로 얼룩과 같은 오염물을 남지 않고 깨끗이 건조시킬 수 있다.
상기 세정된 기판을 후속 공정으로 언로드한다.(S450)
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 기판 상에 형성된 막을 평탄화하여 소수성막이 노출된 기판을 CMP 또는 CMP 후세정 공정 중에 친수화 용액을 사용하거나, 물보다 휘발성이 높은 용매를 사용하여 세정한다.
이와 같이, 세정함으로서 기판 표면을 친수화하거나, 휘발을 원활하게 하여 후속에 상기 기판을 건조할 때, 물반점과 같은 문제점이 발생하지 않아 불량을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 세정방법은 CMP 또는 CMP 후공정을 진행하는 과정 중에 사용되는 용액만을 교체하여 진행함으로서 부가적인 공정을 추가하지 않으므로 설비투자에 대한 비용을 절감시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (12)
- ⅰ) 반도체 기판 상의 막을 평탄화하여 소수성인 막을 노출시키는 단계; 및ⅱ) 상기 기판 표면을 산화제 또는 계면활성제로 처리하여 친수화시킴으로써 물반점 생성을 억제시키는 단계를 포함하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화제는 과산화수소 또는 질산인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 계면활성제는 상기 소수성 막과 결합할 수 있는 라디컬 또는 이온을 함유한 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제3항에 있어서, 상기 물질은 -OH, -COOH, -NH2, -COONa 및 -OSO2로 이루어지는 그룹 중 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계는, 평탄화 공정 후 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 버핑 공정에서 사용하는 버핑 용액에 상기 산화제 또는 계면활성제를 포함함으로서, 상기 버핑 공정과 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계는, 상기 기판을 산화제 또는 계면활성제에 침지시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계는 상기 기판 상에 산화제 또는 계면활성제를 분사시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계는 상기 기판을 산화제 또는 계면활성제로 세정 또는 린스하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제8항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계를 진행하고 상기 기판을 브러시 세정하여 잔류 불순물을 제거하는 단계; 및상기 기판을 탈이온화 용액으로 린스하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제8항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계를 진행하기 전에 상기 기판을 린스하여 표면의 화학 기계 연마 공정으로 인한 이물질을 제거하는 단계; 및상기 기판을 브러시 세정하여 잔류 불순물을 제거하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- ⅰ) 반도체 기판 상에 형성된 표면이 소수성인 막을 평탄화하는 단계;ⅱ) 상기 기판 표면을 버핑 용액으로 처리하여 평탄화를 마무리하며 세정하는 단계;ⅲ) 상기 기판을 마르지 않도록 이동시키는 단계;ⅳ) 상기 기판을 린스하여 표면의 이물질을 제거하는 단계;ⅴ) 상기 기판을 브러시 세정하는 단계; 및ⅵ) 상기 기판을 물에 비해 휘발성이 높은 용액으로 린스하는 단계를 포함하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제11항에 있어서, 상기 ⅵ) 단계는 이소 프로필 알콜을 사용하여 린스하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020040626A KR20040006369A (ko) | 2002-07-12 | 2002-07-12 | 반도체 기판의 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020040626A KR20040006369A (ko) | 2002-07-12 | 2002-07-12 | 반도체 기판의 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040006369A true KR20040006369A (ko) | 2004-01-24 |
Family
ID=37316270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020040626A KR20040006369A (ko) | 2002-07-12 | 2002-07-12 | 반도체 기판의 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040006369A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100854455B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 워터마크 제거방법 |
| CN105400645A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-03-16 | 杨海锋 | 荞麦酿造清香型大曲酒的方法 |
-
2002
- 2002-07-12 KR KR1020020040626A patent/KR20040006369A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100854455B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 워터마크 제거방법 |
| CN105400645A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-03-16 | 杨海锋 | 荞麦酿造清香型大曲酒的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6099662A (en) | Process for cleaning a semiconductor substrate after chemical-mechanical polishing | |
| JP3326642B2 (ja) | 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置 | |
| US6994611B2 (en) | Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad | |
| US6368190B1 (en) | Electrochemical mechanical planarization apparatus and method | |
| US6276997B1 (en) | Use of chemical mechanical polishing and/or poly-vinyl-acetate scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers | |
| US5702563A (en) | Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination | |
| US5922136A (en) | Post-CMP cleaner apparatus and method | |
| JP2003332274A (ja) | 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置 | |
| US20090056744A1 (en) | Wafer cleaning compositions and methods | |
| US6632743B1 (en) | Post-planarization, pre-oxide removal ozone treatment | |
| JP5265669B2 (ja) | 早期乾燥を阻止する方法 | |
| EP1145287A1 (en) | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer | |
| JP2008294233A (ja) | 洗浄装置 | |
| US6743080B2 (en) | Method for seasoning a polishing pad | |
| KR20040006369A (ko) | 반도체 기판의 세정방법 | |
| JPH10270403A (ja) | 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法 | |
| KR100543928B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정 방법 및 장치 | |
| US5700348A (en) | Method of polishing semiconductor substrate | |
| JP2010278448A (ja) | シリコン・ポリシリコン表面の制御的パッシベーションのための研磨プラーテンリンス | |
| JP3498288B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨方法 | |
| JP2000133623A (ja) | 平坦化方法及び平坦化装置 | |
| KR100744222B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 시스템 | |
| KR100687425B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 연마/세정장치 및 방법 | |
| KR100677034B1 (ko) | 반도체 소자의 세정방법 및 그 장치 | |
| KR100744221B1 (ko) | 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적연마공정 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |