JPH11167195A - フォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
フォトマスクの洗浄方法および洗浄装置Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 残留硫酸や異物の除去効果が高く、また、位
相シフトフォトマスクの遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）の透
過率等に変動を与えることなく異物除去を効果的に行う
ことのできるフォトマスクの洗浄方法を得る。 【解決手段】 半導体製造の写真製版工程において原盤
として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物
を分解し、また金属不純物を除去するために高温の硫酸
と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程
と、フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する
第二の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物を除
去する第三の工程と、第一、第二および第三の工程が終
了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを備えたフ
ォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程はアノード
水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除
去し、第三の工程はカソード水を用いて異物を除去す
る。
相シフトフォトマスクの遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）の透
過率等に変動を与えることなく異物除去を効果的に行う
ことのできるフォトマスクの洗浄方法を得る。 【解決手段】 半導体製造の写真製版工程において原盤
として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物
を分解し、また金属不純物を除去するために高温の硫酸
と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程
と、フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する
第二の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物を除
去する第三の工程と、第一、第二および第三の工程が終
了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを備えたフ
ォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程はアノード
水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除
去し、第三の工程はカソード水を用いて異物を除去す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体（ＬＳＩ）製
造の写真製版工程において原盤として使用され、極めて
清浄な表面を得ることが要求されるフォトマスクの洗浄
方法およびその洗浄装置に関するものである。
造の写真製版工程において原盤として使用され、極めて
清浄な表面を得ることが要求されるフォトマスクの洗浄
方法およびその洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクは、半導体製造の写真製版
工程において、転写装置でウエハの表面に集積回路のパ
ターンを転写する際に原盤となるものであり、その表面
に作り込まれたパターンに欠陥があったり、解像限界以
上の異物が存在すると、それがウエハ上にパターンとし
て転写されてしまう。従って、フォトマスクの表面上に
は解像限界以上のいかなる欠陥も異物の存在も許されな
い。また、集積回路の高集積化・微細化に伴い、許容さ
れる欠陥や異物のサイズは０．５μｍまで要求されてき
ている。従来のフォトマスクの洗浄は、ウエハ洗浄で実
績のあるＲＣＡ洗浄（硫酸等の酸と過酸化水素水の混合
液あるいはアンモニア水等のアルカリ性薬液と過酸化水
素水の混合液を用いた洗浄）をベースにした洗浄方法を
採用していた。その洗浄プロセスのフローを図１１に示
す。
工程において、転写装置でウエハの表面に集積回路のパ
ターンを転写する際に原盤となるものであり、その表面
に作り込まれたパターンに欠陥があったり、解像限界以
上の異物が存在すると、それがウエハ上にパターンとし
て転写されてしまう。従って、フォトマスクの表面上に
は解像限界以上のいかなる欠陥も異物の存在も許されな
い。また、集積回路の高集積化・微細化に伴い、許容さ
れる欠陥や異物のサイズは０．５μｍまで要求されてき
ている。従来のフォトマスクの洗浄は、ウエハ洗浄で実
績のあるＲＣＡ洗浄（硫酸等の酸と過酸化水素水の混合
液あるいはアンモニア水等のアルカリ性薬液と過酸化水
素水の混合液を用いた洗浄）をベースにした洗浄方法を
採用していた。その洗浄プロセスのフローを図１１に示
す。
【０００３】図１１に基づいて、従来のフォトマスク洗
浄工程について説明する。まず、ステップ１の工程にお
いて、フォトマスク表面に存在するレジスト、溶剤残等
の有機物を分解し、また、金属不純物を除去するために
高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いた洗浄をす
る。この工程でフォトマスク表面のぬれ性は改善され、
その後の洗浄の効率を上げている。次に、ステップ２の
工程において、フォトマスク表面に残留する硫酸等の薬
液の残留を除去するために高温の純水によるリンス（濯
ぎ）を行う。次に、ステップ３の工程において、付着し
た異物を除去することを目的として加温したアンモニア
と過酸化水素水の混合液中で浸漬洗浄する。
浄工程について説明する。まず、ステップ１の工程にお
いて、フォトマスク表面に存在するレジスト、溶剤残等
の有機物を分解し、また、金属不純物を除去するために
高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いた洗浄をす
る。この工程でフォトマスク表面のぬれ性は改善され、
その後の洗浄の効率を上げている。次に、ステップ２の
工程において、フォトマスク表面に残留する硫酸等の薬
液の残留を除去するために高温の純水によるリンス（濯
ぎ）を行う。次に、ステップ３の工程において、付着し
た異物を除去することを目的として加温したアンモニア
と過酸化水素水の混合液中で浸漬洗浄する。
【０００４】この時、より効果的に異物を除去するため
に浸漬槽にメガソニック超音波を加えることもある。次
に、この工程の後にも、ステップ４の工程に示すように
純水によるリンス（濯ぎ）が必要である。最後に、ステ
ップ５の工程において純水でリンスされたフォトマスク
を乾燥させる。なお、ステップ３の工程では、アンモニ
アと過酸化水素水の混合液は用いずに純水のみや洗剤を
加えた純水を用いてメガソニック等の超音波を加えた洗
浄も行うこともある。
に浸漬槽にメガソニック超音波を加えることもある。次
に、この工程の後にも、ステップ４の工程に示すように
純水によるリンス（濯ぎ）が必要である。最後に、ステ
ップ５の工程において純水でリンスされたフォトマスク
を乾燥させる。なお、ステップ３の工程では、アンモニ
アと過酸化水素水の混合液は用いずに純水のみや洗剤を
加えた純水を用いてメガソニック等の超音波を加えた洗
浄も行うこともある。
【０００５】以上説明したような浸漬洗浄方法では、複
数のフォトマスクを同時に槽内に浸漬することで洗浄処
理の効率を上げることができるが、汚染のひどいフォト
マスクの汚れが別の比較的清浄なフォトマスクを汚染し
てしまう可能性がある。この点を改善するために、１枚
のフォトマスクを洗浄するための薬液を使い捨てる方式
として、固定されたまたはスイングするノズルから薬
液、純水等を水平に回転させたフォトマスクの表面にそ
そぎ、１枚のフォトマスクを洗浄するための薬液を使い
捨てる方式（スピン方式）の洗浄も行われている。スピ
ン方式の洗浄方法では、異物を効果的に除去する手段と
して高圧ジェット純水リンス、メガソニック純水リンス
等の機械的な洗浄を行うこともある。
数のフォトマスクを同時に槽内に浸漬することで洗浄処
理の効率を上げることができるが、汚染のひどいフォト
マスクの汚れが別の比較的清浄なフォトマスクを汚染し
てしまう可能性がある。この点を改善するために、１枚
のフォトマスクを洗浄するための薬液を使い捨てる方式
として、固定されたまたはスイングするノズルから薬
液、純水等を水平に回転させたフォトマスクの表面にそ
そぎ、１枚のフォトマスクを洗浄するための薬液を使い
捨てる方式（スピン方式）の洗浄も行われている。スピ
ン方式の洗浄方法では、異物を効果的に除去する手段と
して高圧ジェット純水リンス、メガソニック純水リンス
等の機械的な洗浄を行うこともある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１１に示したような
従来の洗浄方法では、硫酸／過酸化水素水の処理（ステ
ップ１の工程）後の洗浄が不十分なためにフォトマスク
表面に硫酸が残留した場合にはフォトマスクの表面にく
もりが発生する。フォトマスク表面にこのようなくもり
が発生するとフォトマスク上のパターンのない部分（ウ
エハに転写する時に光が透過する部分）の透過率が下が
り、ウエハ上にパターン形成されたレジストの寸法に変
動が生じ、集積回路（ＬＳＩ）内の配線の断線等を引き
起こし、ＬＳＩ自体の特性を悪化させる。従来の洗浄方
法では、この硫酸の残留を防ぐために硫酸／過酸化水素
水の処理（ステップ１の工程）後に大量の純水リンスを
するか純水を加温した温純水でのリンス（ステップ２の
工程）を行っていたが、大量の純水の消費や純水を加温
するための電気エネルギーを消費していた。
従来の洗浄方法では、硫酸／過酸化水素水の処理（ステ
ップ１の工程）後の洗浄が不十分なためにフォトマスク
表面に硫酸が残留した場合にはフォトマスクの表面にく
もりが発生する。フォトマスク表面にこのようなくもり
が発生するとフォトマスク上のパターンのない部分（ウ
エハに転写する時に光が透過する部分）の透過率が下が
り、ウエハ上にパターン形成されたレジストの寸法に変
動が生じ、集積回路（ＬＳＩ）内の配線の断線等を引き
起こし、ＬＳＩ自体の特性を悪化させる。従来の洗浄方
法では、この硫酸の残留を防ぐために硫酸／過酸化水素
水の処理（ステップ１の工程）後に大量の純水リンスを
するか純水を加温した温純水でのリンス（ステップ２の
工程）を行っていたが、大量の純水の消費や純水を加温
するための電気エネルギーを消費していた。
【０００７】また、異物除去の目的のアンモニア／過酸
化水素の処理工程（ステップ３の工程）における浸漬方
式の洗浄では複数のフォトマスクを同じ薬液を用いて処
理するので、薬液の劣化や汚染をさけるために薬液の交
換頻度が増加し、薬液の使用量が増加する。さらに、洗
浄効率（洗浄歩留まり）が悪い場合には１枚のフォトマ
スク当たりの洗浄回数が増えることになり、そのために
薬液使用量、純水使用量、電気等のエネルギーの使用量
が増加する。また、最近はフォトマスクを透過した位相
を部分的に変えることによりウエハ上でのレジストの解
像力を上げる位相シフトフォトマスクが開発され実用化
している。
化水素の処理工程（ステップ３の工程）における浸漬方
式の洗浄では複数のフォトマスクを同じ薬液を用いて処
理するので、薬液の劣化や汚染をさけるために薬液の交
換頻度が増加し、薬液の使用量が増加する。さらに、洗
浄効率（洗浄歩留まり）が悪い場合には１枚のフォトマ
スク当たりの洗浄回数が増えることになり、そのために
薬液使用量、純水使用量、電気等のエネルギーの使用量
が増加する。また、最近はフォトマスクを透過した位相
を部分的に変えることによりウエハ上でのレジストの解
像力を上げる位相シフトフォトマスクが開発され実用化
している。
【０００８】ＭｏＳｉＯＮ膜はこの位相シフトフォトマ
スクの一種であるハーフトーンフォトマスクの遮光膜に
使用されている材料であるが、従来のアンモニア／過酸
化水素水中への浸漬処理のような強アルカリの洗浄処理
では透過率や位相角が大幅に変動してしまい製品として
出荷する際の品質を保持できなかった。従って、実際に
は異物除去に有効なアンモニア／過酸化水素水を用いた
洗浄工程（ステップ３の工程）はＭｏＳｉＯＮ膜には実
施できず、純水のみや洗剤を用いた洗浄を行っていたの
で異物の残留が問題になっていた。
スクの一種であるハーフトーンフォトマスクの遮光膜に
使用されている材料であるが、従来のアンモニア／過酸
化水素水中への浸漬処理のような強アルカリの洗浄処理
では透過率や位相角が大幅に変動してしまい製品として
出荷する際の品質を保持できなかった。従って、実際に
は異物除去に有効なアンモニア／過酸化水素水を用いた
洗浄工程（ステップ３の工程）はＭｏＳｉＯＮ膜には実
施できず、純水のみや洗剤を用いた洗浄を行っていたの
で異物の残留が問題になっていた。
【０００９】本発明はこのような問題点を解決するたに
なされたものであり、（１）洗浄工程後にフォトマスク
表面に残留する薬液（主として硫酸）を効果的に除去
し、フォトマスクの品質を向上させる、（２）少量の薬
液で従来の洗浄方法と同等あるいはそれ以上の異物除去
効果を発揮し薬液や純水の使用量を削減する、（３）ま
た、位相シフトフォトマスクの遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ
膜）の透過率等に変動を与えずに異物除去を効果的に行
う、ことのできるフォトマスクの洗浄方法および洗浄装
置を提供することを目的とする。
なされたものであり、（１）洗浄工程後にフォトマスク
表面に残留する薬液（主として硫酸）を効果的に除去
し、フォトマスクの品質を向上させる、（２）少量の薬
液で従来の洗浄方法と同等あるいはそれ以上の異物除去
効果を発揮し薬液や純水の使用量を削減する、（３）ま
た、位相シフトフォトマスクの遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ
膜）の透過率等に変動を与えずに異物除去を効果的に行
う、ことのできるフォトマスクの洗浄方法および洗浄装
置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係るフォトマ
スクの洗浄方法は、半導体製造の写真製版工程において
原盤として使用されるフォトマスクの表面に存在する有
機物を分解し、また、金属不純物を除去するために高温
の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の
工程と、フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去
する第二の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物
を除去する第三の工程と、上記第一、第二および第三の
工程が終了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを
備えたフォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程は
アノード水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留
硫酸を除去することを特徴とするものである。
スクの洗浄方法は、半導体製造の写真製版工程において
原盤として使用されるフォトマスクの表面に存在する有
機物を分解し、また、金属不純物を除去するために高温
の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の
工程と、フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去
する第二の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物
を除去する第三の工程と、上記第一、第二および第三の
工程が終了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを
備えたフォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程は
アノード水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留
硫酸を除去することを特徴とするものである。
【００１１】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法は、第二の工程に用いられるアノード水は、３０℃
以上に加温されていることを特徴とするものである。
方法は、第二の工程に用いられるアノード水は、３０℃
以上に加温されていることを特徴とするものである。
【００１２】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法の第三の工程は、カソード水を用いて異物を除去す
ることを特徴とするものである。
方法の第三の工程は、カソード水を用いて異物を除去す
ることを特徴とするものである。
【００１３】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法の第三の工程に用いられるカソード水は、微量のア
ンモニアを含んでいることを特徴とするものである。
方法の第三の工程に用いられるカソード水は、微量のア
ンモニアを含んでいることを特徴とするものである。
【００１４】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法の第一の工程乃至第三の工程の少なくとも１つの工
程において超音波処理を併用することを特徴とするもの
である。
方法の第一の工程乃至第三の工程の少なくとも１つの工
程において超音波処理を併用することを特徴とするもの
である。
【００１５】この発明に係るフォトマスクの洗浄装置
は、半導体製造の写真製版工程において原盤として使用
されるフォトマスクの表面に存在する有機物を分解し、
また、金属不純物を除去するために高温の硫酸と過酸化
水素水の混合液を用いて上記フォトマスクの表面を洗浄
する酸槽と、電解水生成ユニットで生成されたアノード
水を用いてフォトマスクの表面を洗浄するリンス槽と、
電解水生成ユニットで生成されたカソード水を用いてフ
ォトマスクの表面を洗浄する異物除去槽と、洗浄された
フォトマスクを乾燥する乾燥槽と、酸槽、リンス槽およ
び異物除去槽のそれぞれに供給する洗浄液を所定の濃度
あるいは温度に制御する洗浄液供給・制御手段とを備え
たことを特徴とするものである。
は、半導体製造の写真製版工程において原盤として使用
されるフォトマスクの表面に存在する有機物を分解し、
また、金属不純物を除去するために高温の硫酸と過酸化
水素水の混合液を用いて上記フォトマスクの表面を洗浄
する酸槽と、電解水生成ユニットで生成されたアノード
水を用いてフォトマスクの表面を洗浄するリンス槽と、
電解水生成ユニットで生成されたカソード水を用いてフ
ォトマスクの表面を洗浄する異物除去槽と、洗浄された
フォトマスクを乾燥する乾燥槽と、酸槽、リンス槽およ
び異物除去槽のそれぞれに供給する洗浄液を所定の濃度
あるいは温度に制御する洗浄液供給・制御手段とを備え
たことを特徴とするものである。
【００１６】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
装置の酸槽、リンス槽および異物除去槽の少なくとも１
つは超音波処理機能も有していることを特徴とするもの
であるめ。
装置の酸槽、リンス槽および異物除去槽の少なくとも１
つは超音波処理機能も有していることを特徴とするもの
であるめ。
【００１７】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
装置のリンス槽で用いられるアノード水は、３０℃以上
に加温されていることを特徴とするものである。
装置のリンス槽で用いられるアノード水は、３０℃以上
に加温されていることを特徴とするものである。
【００１８】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
装置は、所定の濃度のアンモニア水を異物除去槽に供給
する手段を有し、異物除去槽で用いられるカソード水は
微量のアンモニアを含んでいることを特徴とするもので
ある。
装置は、所定の濃度のアンモニア水を異物除去槽に供給
する手段を有し、異物除去槽で用いられるカソード水は
微量のアンモニアを含んでいることを特徴とするもので
ある。
【００１９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本実施の形態１で
は、硫酸／過酸化水素水処理後のフォトマスクの表面に
残留する残留硫酸イオンを効果的に除去する方法につい
て述べる。図１は、５インチ角約２ｍｍ厚のフォトマス
ク用ガラス基板を硫酸に浸漬処理した後、オーバーフロ
ー槽内で各種のリンス液（純水、希アンモニア水、アノ
ード水）に浸漬してリンス処理した後、このガラス基板
に残留した硫酸イオン量をイオンクロマトグラフィーで
分析した結果を示す。
は、硫酸／過酸化水素水処理後のフォトマスクの表面に
残留する残留硫酸イオンを効果的に除去する方法につい
て述べる。図１は、５インチ角約２ｍｍ厚のフォトマス
ク用ガラス基板を硫酸に浸漬処理した後、オーバーフロ
ー槽内で各種のリンス液（純水、希アンモニア水、アノ
ード水）に浸漬してリンス処理した後、このガラス基板
に残留した硫酸イオン量をイオンクロマトグラフィーで
分析した結果を示す。
【００２０】図１に示すように、リンス液としては、 Ａ１：室温（２５℃）の純水、 Ａ２：４０℃の純水、 Ａ３：６０℃の純水、 Ａ４：８０℃の純水、 Ｂ１：水素イオン濃度ｐＨ１０の室温の希アンモニア
水、 Ｂ２：アンモニア水を微量添加して水素イオン濃度ｐＨ
を約１０とした室温のカソード水、 Ｃ１：室温（２５℃）のカソード水、 Ｃ２：３０℃のアノード水、 Ｃ３：４０℃のアノード水、 Ｃ４：６０℃のアノード水、 Ｃ５：８０℃のアノード水、 を用いた。
水、 Ｂ２：アンモニア水を微量添加して水素イオン濃度ｐＨ
を約１０とした室温のカソード水、 Ｃ１：室温（２５℃）のカソード水、 Ｃ２：３０℃のアノード水、 Ｃ３：４０℃のアノード水、 Ｃ４：６０℃のアノード水、 Ｃ５：８０℃のアノード水、 を用いた。
【００２１】なお、アノード水とは純水を電気分解する
ことにより陽極槽において生成される酸素がほぼ飽和状
態に溶解した状態の電解水、カソード水とは陰極槽にお
いて生成される水素がほぼ飽和状態に溶解した状態の電
解水のことであり、生成方法については後述する。図に
おいて、縦軸は残留硫酸イオン量（単位：ｉｏｎ／ｃｍ
2）であり、図から明らかなように、純水のみのリンス
（Ａ１〜Ａ４）では使用される純水の温度が室温（２５
℃）から８０℃まで上昇するにしたがって残留硫酸イオ
ン量は減少している。また、ｐＨ１０の希アンモニア水
（Ｂ１）で同様にリンスしたガラス基板も室温の純水で
リンスした場合よりも残留硫酸イオンの量は減少し、６
０℃の純水（Ａ３）でリンスした場合よりも残留量は少
なかった。
ことにより陽極槽において生成される酸素がほぼ飽和状
態に溶解した状態の電解水、カソード水とは陰極槽にお
いて生成される水素がほぼ飽和状態に溶解した状態の電
解水のことであり、生成方法については後述する。図に
おいて、縦軸は残留硫酸イオン量（単位：ｉｏｎ／ｃｍ
2）であり、図から明らかなように、純水のみのリンス
（Ａ１〜Ａ４）では使用される純水の温度が室温（２５
℃）から８０℃まで上昇するにしたがって残留硫酸イオ
ン量は減少している。また、ｐＨ１０の希アンモニア水
（Ｂ１）で同様にリンスしたガラス基板も室温の純水で
リンスした場合よりも残留硫酸イオンの量は減少し、６
０℃の純水（Ａ３）でリンスした場合よりも残留量は少
なかった。
【００２２】また、遮光膜としてＣｒＯＮ膜（位相シフ
トフォトマスク用の遮光膜ではない一般的な遮光膜の一
種）を片面に成膜したガラス基板を用いて、硫酸処理後
のリンス処理の違いによるガラス基板表面のくもりの発
生状況を実験した結果、室温（２５℃）での純水でリン
スしただけでは洗浄終了後１日経過後にすでにくもりが
発生しているのが確認された。６０℃の純水でリンスし
たフォトマスクブランクスには１日経過後にはくもりは
確認されなかったが約１カ月後に薄いくもりを確認し
た。しかし、希アンモニア水のリンスを行ったフォトマ
スク基板では約１カ月後でもくもりは確認されなかっ
た。
トフォトマスク用の遮光膜ではない一般的な遮光膜の一
種）を片面に成膜したガラス基板を用いて、硫酸処理後
のリンス処理の違いによるガラス基板表面のくもりの発
生状況を実験した結果、室温（２５℃）での純水でリン
スしただけでは洗浄終了後１日経過後にすでにくもりが
発生しているのが確認された。６０℃の純水でリンスし
たフォトマスクブランクスには１日経過後にはくもりは
確認されなかったが約１カ月後に薄いくもりを確認し
た。しかし、希アンモニア水のリンスを行ったフォトマ
スク基板では約１カ月後でもくもりは確認されなかっ
た。
【００２３】以上の結果から、硫酸処理後のリンスでフ
ォトマスク基板表面に残留する硫酸の量が希アンモニア
水で達成された残留硫酸イオン量のレベル（図１のＨで
示したレベル）であれば、フォトマスクにくもりは発生
しないものと考えられる。しかし、図１から明らかなよ
うに、この条件を達成するためには純水のみでは少なく
とも約６０℃以上に、望ましくは８０℃程度に加温する
必要がある。また、図１に示すように、純水を電気分解
して生成した室温（２５℃）のアノード水（Ｃ１）を用
いて同様のリンスを行うと約６０℃の純水（Ａ３）でリ
ンスしたときと同レベルまで硫酸を除去することができ
る。また、３０℃のアノード水（Ｃ１）でリンスするこ
とにより約８０℃の純水（Ａ４）でリンスした場合とほ
ぼ同レベル（図１のＨで示したレベル）まで残留硫酸を
除去することができることが判った。また、３０℃以上
に加温したアノード水（Ｃ２〜Ｃ５）を用いてリンスを
すればさらに効果的に残留硫酸イオンを除去できる。
ォトマスク基板表面に残留する硫酸の量が希アンモニア
水で達成された残留硫酸イオン量のレベル（図１のＨで
示したレベル）であれば、フォトマスクにくもりは発生
しないものと考えられる。しかし、図１から明らかなよ
うに、この条件を達成するためには純水のみでは少なく
とも約６０℃以上に、望ましくは８０℃程度に加温する
必要がある。また、図１に示すように、純水を電気分解
して生成した室温（２５℃）のアノード水（Ｃ１）を用
いて同様のリンスを行うと約６０℃の純水（Ａ３）でリ
ンスしたときと同レベルまで硫酸を除去することができ
る。また、３０℃のアノード水（Ｃ１）でリンスするこ
とにより約８０℃の純水（Ａ４）でリンスした場合とほ
ぼ同レベル（図１のＨで示したレベル）まで残留硫酸を
除去することができることが判った。また、３０℃以上
に加温したアノード水（Ｃ２〜Ｃ５）を用いてリンスを
すればさらに効果的に残留硫酸イオンを除去できる。
【００２４】このようにアノード水を使用することによ
って、残留硫酸イオンを効果的に除去することができ
る。即ち、純水のみの場合と比較してより低温のアノー
ド水で十分な硫酸除去効果が得られるので純水の場合ほ
どの加温の必要がなく、電気使用量を削減できる。ま
た、純水からアノード水に変更することで除去効果が向
上するのでリンス時間を短縮することが可能となり、純
水の使用量を削減することもできる。以上のように本実
施の形態では、硫酸／過酸化水素水処理後の残留硫酸イ
オンを除去するためにアノード水を用いてリンスするこ
とにより、３０℃程度の低温の加温であってもフォトマ
スクの表面に残留する硫酸イオンを効果的に除去するこ
とができる。このように残留硫酸イオンの除去効率が上
がるので、処理時間を短縮することができると共に、純
水の使用量の削減や加温のための電気エネルギー消費量
の削減を図ることができる。
って、残留硫酸イオンを効果的に除去することができ
る。即ち、純水のみの場合と比較してより低温のアノー
ド水で十分な硫酸除去効果が得られるので純水の場合ほ
どの加温の必要がなく、電気使用量を削減できる。ま
た、純水からアノード水に変更することで除去効果が向
上するのでリンス時間を短縮することが可能となり、純
水の使用量を削減することもできる。以上のように本実
施の形態では、硫酸／過酸化水素水処理後の残留硫酸イ
オンを除去するためにアノード水を用いてリンスするこ
とにより、３０℃程度の低温の加温であってもフォトマ
スクの表面に残留する硫酸イオンを効果的に除去するこ
とができる。このように残留硫酸イオンの除去効率が上
がるので、処理時間を短縮することができると共に、純
水の使用量の削減や加温のための電気エネルギー消費量
の削減を図ることができる。
【００２５】なお、アノード水とは純水を電気分解する
ことにより陽極槽において生成される酸素がほぼ飽和状
態に溶解した状態の電解水のことであり、また、カソー
ド水とは陰極槽において生成される水素がほぼ飽和状態
に溶解した状態の電解水のことであるが、このような電
解水の生成装置の一例とその生成メカニズムを図２に基
づいて説明しておく。図２において、３は陽電極、４は
陽極槽（アノード槽）、５は陰電極、６は陰極槽（カソ
ード槽）、７は中間槽、８は純水を注入するイン側配
管、９はイオン交換膜、１０は陽極槽４で生成されたア
ノード水、１１は陰極槽６で生成されたカソード水であ
る。また、図に示した化学反応式は陽電極３および陰電
極５における純水の電気分解を示す反応式である。
ことにより陽極槽において生成される酸素がほぼ飽和状
態に溶解した状態の電解水のことであり、また、カソー
ド水とは陰極槽において生成される水素がほぼ飽和状態
に溶解した状態の電解水のことであるが、このような電
解水の生成装置の一例とその生成メカニズムを図２に基
づいて説明しておく。図２において、３は陽電極、４は
陽極槽（アノード槽）、５は陰電極、６は陰極槽（カソ
ード槽）、７は中間槽、８は純水を注入するイン側配
管、９はイオン交換膜、１０は陽極槽４で生成されたア
ノード水、１１は陰極槽６で生成されたカソード水であ
る。また、図に示した化学反応式は陽電極３および陰電
極５における純水の電気分解を示す反応式である。
【００２６】図に示すように、電解水の生成装置は陽電
極３を設置した陽極槽（アノード槽）４、陰電極５を設
置した陰極槽（カソード槽）６およびイオン交換樹脂を
充填した中間槽７の三槽からなっている。また、中間槽
７と陽極槽（アノード槽）４の間および中間槽７と陰極
槽（カソード槽）６の間はそれぞれイオン交換膜９で分
離されている。純水をイン側配管８から注入して、陽電
極３および陰電極５にそれぞれプラスおよびマイナスの
電位をかけるとイオン交換樹脂の交換基に結合していた
Ｈ+ 、ＯＨ- が隣接する交換基との結合／解離をくりか
えして電場方向に移動し、最終的に電極表面に到達して
酸化還元反応により陽電極３では酸素分子（Ｏ2 ）、陰
電極５では水素分子（Ｈ2 ）となり液中に溶解する。Ｈ
+ 、ＯＨ- が奪われた交換基は連続的に純水を解離させ
て新たなイオン結合を形成する。このように純水を電気
分解することにより陽極槽４からは酸素がほぼ飽和状態
に溶解したアノード水１０が、また、陰極槽６からは水
素がほぼ飽和状態に溶解したカソード水１１が得られ
る。なお、場合によっては、中間槽７を有することな
く、陽極槽４と陰極槽６とをイオン交換膜９で分離した
二槽からなる電解水の生成装置も使用することができ
る。
極３を設置した陽極槽（アノード槽）４、陰電極５を設
置した陰極槽（カソード槽）６およびイオン交換樹脂を
充填した中間槽７の三槽からなっている。また、中間槽
７と陽極槽（アノード槽）４の間および中間槽７と陰極
槽（カソード槽）６の間はそれぞれイオン交換膜９で分
離されている。純水をイン側配管８から注入して、陽電
極３および陰電極５にそれぞれプラスおよびマイナスの
電位をかけるとイオン交換樹脂の交換基に結合していた
Ｈ+ 、ＯＨ- が隣接する交換基との結合／解離をくりか
えして電場方向に移動し、最終的に電極表面に到達して
酸化還元反応により陽電極３では酸素分子（Ｏ2 ）、陰
電極５では水素分子（Ｈ2 ）となり液中に溶解する。Ｈ
+ 、ＯＨ- が奪われた交換基は連続的に純水を解離させ
て新たなイオン結合を形成する。このように純水を電気
分解することにより陽極槽４からは酸素がほぼ飽和状態
に溶解したアノード水１０が、また、陰極槽６からは水
素がほぼ飽和状態に溶解したカソード水１１が得られ
る。なお、場合によっては、中間槽７を有することな
く、陽極槽４と陰極槽６とをイオン交換膜９で分離した
二槽からなる電解水の生成装置も使用することができ
る。
【００２７】実施の形態２．本実施の形態２では、製造
工程中にフォトマスクの表面（特に、遮光膜の表面）に
付着する微細なゴミや金属や有機物などの微粒子の異物
を効果的に除去する方法について述べる。なお、一般的
にこの工程は前述した実施の形態１で説明したような硫
酸／過酸化水素水処理後のフォトマスクの表面に残留す
る残留硫酸イオンを除去する工程の後に行われる。図３
は、ＣｒＯＮ膜が遮光膜として形成されているフォトマ
スクの表面に、異物としてシリカ（ＳｉＯ2 ）の粒子を
付着させた後に、図４に示すような超音波振動子を備え
た石英製のオーバーフロー槽内で種々の薬液中に浸漬
し、メガソニック超音波処理を行ったときのシリカ粒子
の除去率を示したものである。なお、図４において、２
１は超音波振動子、２２はオーバーフロー槽の内槽、２
３はオーバーフロー槽の外槽である。
工程中にフォトマスクの表面（特に、遮光膜の表面）に
付着する微細なゴミや金属や有機物などの微粒子の異物
を効果的に除去する方法について述べる。なお、一般的
にこの工程は前述した実施の形態１で説明したような硫
酸／過酸化水素水処理後のフォトマスクの表面に残留す
る残留硫酸イオンを除去する工程の後に行われる。図３
は、ＣｒＯＮ膜が遮光膜として形成されているフォトマ
スクの表面に、異物としてシリカ（ＳｉＯ2 ）の粒子を
付着させた後に、図４に示すような超音波振動子を備え
た石英製のオーバーフロー槽内で種々の薬液中に浸漬
し、メガソニック超音波処理を行ったときのシリカ粒子
の除去率を示したものである。なお、図４において、２
１は超音波振動子、２２はオーバーフロー槽の内槽、２
３はオーバーフロー槽の外槽である。
【００２８】図３に示すように、薬液としては Ａ：純水、 Ｂ：希アンモニア水（ｐＨ１０）、 Ｃ：０．１％濃度のアンモニア水、 Ｄ：カソード水、 Ｅ：微量のアンモニアを添加しｐＨを約１０にしたカソ
ード水、 Ｆ：アンモニアを０．１％添加したカソード水 を用いて実験し、それぞれの場合の異物の除去率を確認
した。なお、異物の除去率は超音波処理により除去され
た粒子の個数を処理前に存在した粒子の個数で除した値
から求めた。
ード水、 Ｆ：アンモニアを０．１％添加したカソード水 を用いて実験し、それぞれの場合の異物の除去率を確認
した。なお、異物の除去率は超音波処理により除去され
た粒子の個数を処理前に存在した粒子の個数で除した値
から求めた。
【００２９】図から明らかなように、純水（Ａ）中、ｐ
Ｈ１０の希アンモニア水（Ｂ）中では除去率はそれぞれ
０．１％および−３０％となり、異物を模したシリカ粒
子はほとんど除去されなかった。しかし、純水を電解し
て生成したカソード水（Ｄ）では３０．６％の除去率で
粒子が除去された。さらに、ごく微量のアンモニア水を
添加し水素イオン濃度ｐＨを約１０にした純水を電解し
て生成したカソード水（Ｅ）中では６７．２％まで除去
率が向上した。また、アンモニアを０．１％添加したカ
ソード水（Ｆ）中では、単に０．１％の濃度のアンモニ
ア水（Ｃ）中での除去率が５２．０％であったのに対し
て、９９．２％もの高除去率で粒子が除去された。
Ｈ１０の希アンモニア水（Ｂ）中では除去率はそれぞれ
０．１％および−３０％となり、異物を模したシリカ粒
子はほとんど除去されなかった。しかし、純水を電解し
て生成したカソード水（Ｄ）では３０．６％の除去率で
粒子が除去された。さらに、ごく微量のアンモニア水を
添加し水素イオン濃度ｐＨを約１０にした純水を電解し
て生成したカソード水（Ｅ）中では６７．２％まで除去
率が向上した。また、アンモニアを０．１％添加したカ
ソード水（Ｆ）中では、単に０．１％の濃度のアンモニ
ア水（Ｃ）中での除去率が５２．０％であったのに対し
て、９９．２％もの高除去率で粒子が除去された。
【００３０】このようにカソード水中でメガソニック超
音波処理することでフォトマスクの表面に付着する微粒
子状の異物を効果的に除去することができる。また、微
量のアンモニアを添加したカソード水を用いることでフ
ォトマスクの表面に付着した異物粒子の除去効率を大幅
に改善できることが判った。使用するアンモニアの濃度
はｐＨ１０の場合で約０．００３％であり、このように
極めて低濃度で洗浄効果を上げることができるので、従
来の洗浄方法に比較して薬液の大幅な削減ができる。ま
た、濃厚な薬品を使用する場合と比較してその後のリン
スに使用する純水の量を大幅に削減できる。さらに、洗
浄能力の向上で異物除去のための洗浄処理時間が短縮で
き、電気等のエネルギーを節約できる。
音波処理することでフォトマスクの表面に付着する微粒
子状の異物を効果的に除去することができる。また、微
量のアンモニアを添加したカソード水を用いることでフ
ォトマスクの表面に付着した異物粒子の除去効率を大幅
に改善できることが判った。使用するアンモニアの濃度
はｐＨ１０の場合で約０．００３％であり、このように
極めて低濃度で洗浄効果を上げることができるので、従
来の洗浄方法に比較して薬液の大幅な削減ができる。ま
た、濃厚な薬品を使用する場合と比較してその後のリン
スに使用する純水の量を大幅に削減できる。さらに、洗
浄能力の向上で異物除去のための洗浄処理時間が短縮で
き、電気等のエネルギーを節約できる。
【００３１】実施の形態３．本実施の形態３では、ハー
フトーンフォトマスクのような位相シフトフォトマスク
の場合の異物除去に最適な洗浄方法について述べる。図
５は、ハーフトーンフォトマスクの遮光膜であるＭｏＳ
ｉＯＮ膜のアルカリ性薬液を用いた洗浄処理後の透過率
の変動を示したものである。ＭｏＳｉＯＮ膜が約０．１
μｍ成膜されたガラス基板を種々の洗浄液中に２時間浸
漬して、波長２４８ｎｍにおける透過率の変動（％）を
確認した。
フトーンフォトマスクのような位相シフトフォトマスク
の場合の異物除去に最適な洗浄方法について述べる。図
５は、ハーフトーンフォトマスクの遮光膜であるＭｏＳ
ｉＯＮ膜のアルカリ性薬液を用いた洗浄処理後の透過率
の変動を示したものである。ＭｏＳｉＯＮ膜が約０．１
μｍ成膜されたガラス基板を種々の洗浄液中に２時間浸
漬して、波長２４８ｎｍにおける透過率の変動（％）を
確認した。
【００３２】なお、洗浄液としては、図５に示すよう
に、 Ａ：１％濃度のアンモニア水 Ｂ：アンモニア／過酸化水素水、 Ｃ：５％濃度のアンモニア水、 Ｄ：１０％濃度のアンモニア水、 Ｅ：カソード水、 Ｆ：アンモニアを微量添加したカソード水（ｐＨ１０） を用いて実験した。
に、 Ａ：１％濃度のアンモニア水 Ｂ：アンモニア／過酸化水素水、 Ｃ：５％濃度のアンモニア水、 Ｄ：１０％濃度のアンモニア水、 Ｅ：カソード水、 Ｆ：アンモニアを微量添加したカソード水（ｐＨ１０） を用いて実験した。
【００３３】その結果、従来のフォトマスク洗浄で異物
除去目的で使用されていたアンモニア／過酸化水素水
（Ｂ）の処理では透過率が１．０４％上昇した。また、
アンモニア濃度５％の純水（Ｃ）、アンモニア濃度１％
の純水（Ａ）では透過率がそれぞれ０．９％、０．２７
％上昇した。しかし、純水を電解して生成したカソード
水（Ｅ）あるいはアンモニアを微量添加したｐＨ１０の
カソード水（Ｆ）では、それぞれ０．０２％、０．１％
しか透過率は上昇しなかった。
除去目的で使用されていたアンモニア／過酸化水素水
（Ｂ）の処理では透過率が１．０４％上昇した。また、
アンモニア濃度５％の純水（Ｃ）、アンモニア濃度１％
の純水（Ａ）では透過率がそれぞれ０．９％、０．２７
％上昇した。しかし、純水を電解して生成したカソード
水（Ｅ）あるいはアンモニアを微量添加したｐＨ１０の
カソード水（Ｆ）では、それぞれ０．０２％、０．１％
しか透過率は上昇しなかった。
【００３４】フォトマスクの表面に形成した遮光膜であ
るＭｏＳｉＯＮ膜の透過率が変動すると、ウエハ上に回
路パターンを転写したときのレジスト形状、寸法に変動
が発生し、最終的にＬＳＩの特性を劣化させてしまうの
で、その透過率は厳しく管理されている。従来のアンモ
ニア／過酸化水素水（Ｂ）での処理では透過率の変動が
大きいため、ＭｏＳｉＯＮ膜を形成したフォトマスクの
洗浄には使用できない。しかし、カソード水（Ｅ）ある
いはアンモニアを微量添加したｐＨ１０のカソード水
（Ｆ）での変動量であれば許容できる範囲である。
るＭｏＳｉＯＮ膜の透過率が変動すると、ウエハ上に回
路パターンを転写したときのレジスト形状、寸法に変動
が発生し、最終的にＬＳＩの特性を劣化させてしまうの
で、その透過率は厳しく管理されている。従来のアンモ
ニア／過酸化水素水（Ｂ）での処理では透過率の変動が
大きいため、ＭｏＳｉＯＮ膜を形成したフォトマスクの
洗浄には使用できない。しかし、カソード水（Ｅ）ある
いはアンモニアを微量添加したｐＨ１０のカソード水
（Ｆ）での変動量であれば許容できる範囲である。
【００３５】また、図６はＭｏＳｉＯＮ膜に異物として
付着させたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子の種々の液中で
のメガソニック超音波処理をしたときのアルミナ粒子の
除去率を示したものである。除去率は、メガソニック処
理で除去された粒子の個数を処理前に存在した粒子の個
数で除した値から計算して求めた。なお、使用する液と
しては、図６に示すよう、 Ａ：純粋、 Ｂ：ｐＨ１０の希アンモニア水、 Ｃ：カソード水、 Ｄ：アンモニアを微量添加したｐＨ１０のカソード水、 Ｅ：アンモニア濃度１％のカソード水、 Ｆ：アンモニア／過酸化水素水、 を用いて実験した。
付着させたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子の種々の液中で
のメガソニック超音波処理をしたときのアルミナ粒子の
除去率を示したものである。除去率は、メガソニック処
理で除去された粒子の個数を処理前に存在した粒子の個
数で除した値から計算して求めた。なお、使用する液と
しては、図６に示すよう、 Ａ：純粋、 Ｂ：ｐＨ１０の希アンモニア水、 Ｃ：カソード水、 Ｄ：アンモニアを微量添加したｐＨ１０のカソード水、 Ｅ：アンモニア濃度１％のカソード水、 Ｆ：アンモニア／過酸化水素水、 を用いて実験した。
【００３６】その結果、純水（Ａ）、希アンモニア水
（Ｂ）、カソード水（Ｃ）中では除去率はそれぞれ５．
０％、ー０．２％、０．０％であり、異物としてのアル
ミナ粒子はほとんど除去されていない。しかし、アンモ
ニアを微量添加したカソード水（Ｄ）中では３１．６％
の除去率で除去された。さらにアンモニアの添加量を増
やしアンモニア濃度１％のカソード水中では３９．６％
の除去率で除去された。従来より用いられている異物除
去に有効なアンモニア／過酸化水素水（Ｆ）中では３
０．１％の除去率で除去されているので、アンモニアを
微量添加したカソード水（Ｄ）を用いることにより、従
来のアンモニア／過酸化水素水（Ｆ）中での処理と同等
の異物除去効果が得られることが判った。
（Ｂ）、カソード水（Ｃ）中では除去率はそれぞれ５．
０％、ー０．２％、０．０％であり、異物としてのアル
ミナ粒子はほとんど除去されていない。しかし、アンモ
ニアを微量添加したカソード水（Ｄ）中では３１．６％
の除去率で除去された。さらにアンモニアの添加量を増
やしアンモニア濃度１％のカソード水中では３９．６％
の除去率で除去された。従来より用いられている異物除
去に有効なアンモニア／過酸化水素水（Ｆ）中では３
０．１％の除去率で除去されているので、アンモニアを
微量添加したカソード水（Ｄ）を用いることにより、従
来のアンモニア／過酸化水素水（Ｆ）中での処理と同等
の異物除去効果が得られることが判った。
【００３７】従って、図５および図６に示した結果よ
り、濃度が０．００３％ような微量のアンモニアを添加
したカソード水を用いて異物洗浄処理をすることでＭｏ
ＳｉＯＮ膜の透過率を変動させることなく従来と同等ま
たはそれ以上の洗浄効果を出すことができることが判っ
た。また、アンモニア濃度が１％以下であれば短時間の
洗浄処理に限定することにより透過率変動を管理基準
（例えば、０．５％）以下に抑え、かつ洗浄効率を上げ
ることができる。
り、濃度が０．００３％ような微量のアンモニアを添加
したカソード水を用いて異物洗浄処理をすることでＭｏ
ＳｉＯＮ膜の透過率を変動させることなく従来と同等ま
たはそれ以上の洗浄効果を出すことができることが判っ
た。また、アンモニア濃度が１％以下であれば短時間の
洗浄処理に限定することにより透過率変動を管理基準
（例えば、０．５％）以下に抑え、かつ洗浄効率を上げ
ることができる。
【００３８】なお、実施の形態１乃至３において、使用
するカソード水、微量のアンモニア水を添加したカソー
ド水等の洗浄用の薬液は加温することによりさらに洗浄
効果を上げることができる。また、実施の形態１乃至３
において、図４に示したようなオーバーフロー槽を用
い、超音波を照射しながら洗浄処理を行うことにより、
さらに洗浄能力を増加できる。また、実施の形態２ある
いは３において、カソード水に添加するアンモニアのか
わりに微量のＫＯＨ等の電解質物質を添加して弱アルカ
リ性にした薬液を用いても同様の効果が得られる。
するカソード水、微量のアンモニア水を添加したカソー
ド水等の洗浄用の薬液は加温することによりさらに洗浄
効果を上げることができる。また、実施の形態１乃至３
において、図４に示したようなオーバーフロー槽を用
い、超音波を照射しながら洗浄処理を行うことにより、
さらに洗浄能力を増加できる。また、実施の形態２ある
いは３において、カソード水に添加するアンモニアのか
わりに微量のＫＯＨ等の電解質物質を添加して弱アルカ
リ性にした薬液を用いても同様の効果が得られる。
【００３９】実施の形態４．本実施の形態４では、フォ
トマスク洗浄工程の全体工程について述べる。図７は、
本発明による高性能な洗浄プロセスの全体フローを示す
図である。まず、ステップ１の工程において、フォトマ
スク表面に存在するレジスト、溶剤残等の有機物の分
解、表面ぬれ性の改善、また、金属不純物の除去のため
に高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いた洗浄をす
る。次に、ステップ２の工程において、フォトマスク表
面に残留する硫酸等の薬液の残留を除去する洗浄処理を
行う。具体的には、前述の実施の形態１に示したように
アノード水を用いて洗浄処理を行う。アノード水は３０
℃程度のわずかな加温でも従来の高温の純水と同等ある
いはそれ以上の残留硫酸を除去する能力があるので、処
理時間を短縮することができると共に、純水の使用量の
削減や加温のための電気エネルギー消費量の削減を図る
ことができる。
トマスク洗浄工程の全体工程について述べる。図７は、
本発明による高性能な洗浄プロセスの全体フローを示す
図である。まず、ステップ１の工程において、フォトマ
スク表面に存在するレジスト、溶剤残等の有機物の分
解、表面ぬれ性の改善、また、金属不純物の除去のため
に高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いた洗浄をす
る。次に、ステップ２の工程において、フォトマスク表
面に残留する硫酸等の薬液の残留を除去する洗浄処理を
行う。具体的には、前述の実施の形態１に示したように
アノード水を用いて洗浄処理を行う。アノード水は３０
℃程度のわずかな加温でも従来の高温の純水と同等ある
いはそれ以上の残留硫酸を除去する能力があるので、処
理時間を短縮することができると共に、純水の使用量の
削減や加温のための電気エネルギー消費量の削減を図る
ことができる。
【００４０】次に、ステップ３の工程において、付着し
た異物を除去する処理を行う。具体的には、洗浄される
フォトマスクに形成されている遮光膜がＣｒＯＮ膜の場
合には、実施の形態２に示したように、カソード水ある
いは微量のアンモニアを添加したカソード水中でメガソ
ニック超音波処理することでフォトマスクの表面に付着
する微粒子状の異物を効果的に除去することができる。
使用するアンモニアの濃度はｐＨ１０の場合で約０．０
０３％であり、このようなきわめて低濃度で洗浄効果を
上げることができるので、従来の洗浄方法に比較して薬
液の大幅に削減ができる。また、濃厚な薬品を使用する
場合と比較してその後のリンスに使用する純水の量を大
幅に削減できる。さらに、洗浄能力の向上で異物除去の
ための洗浄処理時間が短縮でき、電気等のエネルギーを
節約できる。
た異物を除去する処理を行う。具体的には、洗浄される
フォトマスクに形成されている遮光膜がＣｒＯＮ膜の場
合には、実施の形態２に示したように、カソード水ある
いは微量のアンモニアを添加したカソード水中でメガソ
ニック超音波処理することでフォトマスクの表面に付着
する微粒子状の異物を効果的に除去することができる。
使用するアンモニアの濃度はｐＨ１０の場合で約０．０
０３％であり、このようなきわめて低濃度で洗浄効果を
上げることができるので、従来の洗浄方法に比較して薬
液の大幅に削減ができる。また、濃厚な薬品を使用する
場合と比較してその後のリンスに使用する純水の量を大
幅に削減できる。さらに、洗浄能力の向上で異物除去の
ための洗浄処理時間が短縮でき、電気等のエネルギーを
節約できる。
【００４１】また、洗浄されるフォトマスクがハーフト
ーンマスクであり、形成されている遮光膜がＭｏＳｉＯ
Ｎ膜の場合には、このステップ３の工程は実施の形態３
に示したように、濃度が０．００３％ような微量のアン
モニアを添加したカソード水を用いて異物洗浄処理をす
る。このような薬液を用いて処理することにより、Ｍｏ
ＳｉＯＮ膜の透過率を変動させることなく従来と同等ま
たはそれ以上の洗浄効果を出すことができる。また、ア
ンモニア濃度が１％以下であれば短時間の洗浄処理に限
定することにより透過率変動を管理基準（例えば、０．
５％）以下に抑え、かつ洗浄効率を上げることができ
る。この際、メガソニック超音波処理を併用すればさら
に効果的であることはいうまでもない。次に、ステップ
４の工程において、洗浄されたフォトマスクを乾燥して
終了する。
ーンマスクであり、形成されている遮光膜がＭｏＳｉＯ
Ｎ膜の場合には、このステップ３の工程は実施の形態３
に示したように、濃度が０．００３％ような微量のアン
モニアを添加したカソード水を用いて異物洗浄処理をす
る。このような薬液を用いて処理することにより、Ｍｏ
ＳｉＯＮ膜の透過率を変動させることなく従来と同等ま
たはそれ以上の洗浄効果を出すことができる。また、ア
ンモニア濃度が１％以下であれば短時間の洗浄処理に限
定することにより透過率変動を管理基準（例えば、０．
５％）以下に抑え、かつ洗浄効率を上げることができ
る。この際、メガソニック超音波処理を併用すればさら
に効果的であることはいうまでもない。次に、ステップ
４の工程において、洗浄されたフォトマスクを乾燥して
終了する。
【００４２】以上のように、このような洗浄プロセスを
用いることにより、従来の処理と比べて残留硫酸や付着
異物の除去効率が向上するので、その処理時間は短縮さ
れると共に、純水の使用量や電気エネルギーを削減でき
る。また、洗浄に使用する薬液の使用量も大幅に削減で
きる。さらに、遮光膜がＭｏＳｉＯＮ膜の場合であって
も 透過率を変動させることなく効果的な洗浄を行うこ
とができる。
用いることにより、従来の処理と比べて残留硫酸や付着
異物の除去効率が向上するので、その処理時間は短縮さ
れると共に、純水の使用量や電気エネルギーを削減でき
る。また、洗浄に使用する薬液の使用量も大幅に削減で
きる。さらに、遮光膜がＭｏＳｉＯＮ膜の場合であって
も 透過率を変動させることなく効果的な洗浄を行うこ
とができる。
【００４３】実施の形態５．本実施の形態５では、実施
の形態１乃至４によるフォトマスク洗浄方法を実現する
ための洗浄装置について述べる。図８は、本実施の形態
による高性能なフォトマスク洗浄装置の構成を示した図
である。図において、１００は装置本体、２００は装置
本体１００に配置された各槽に対して薬液あるいは純水
等を所定の濃度や温度に設定制御して供給する洗浄液供
給・制御部である。図に示すように装置本体１００は、
センダーユニット１０１、酸槽１０２、リンス槽１０
３、異物除去槽１０４、乾燥槽１０５およびレシーバ１
０６で構成されている。また、洗浄液供給・制御部２０
０は、酸調合タンク２０１、アルカリ・洗剤調合タンク
２０２、電解水生成ユニット２０３、ＩＰＡ（イソプロ
ピルアルコール）ユニット２０４および制御ユニット２
０５で構成されている。
の形態１乃至４によるフォトマスク洗浄方法を実現する
ための洗浄装置について述べる。図８は、本実施の形態
による高性能なフォトマスク洗浄装置の構成を示した図
である。図において、１００は装置本体、２００は装置
本体１００に配置された各槽に対して薬液あるいは純水
等を所定の濃度や温度に設定制御して供給する洗浄液供
給・制御部である。図に示すように装置本体１００は、
センダーユニット１０１、酸槽１０２、リンス槽１０
３、異物除去槽１０４、乾燥槽１０５およびレシーバ１
０６で構成されている。また、洗浄液供給・制御部２０
０は、酸調合タンク２０１、アルカリ・洗剤調合タンク
２０２、電解水生成ユニット２０３、ＩＰＡ（イソプロ
ピルアルコール）ユニット２０４および制御ユニット２
０５で構成されている。
【００４４】次に、図８に基づいて装置の動作について
説明する。フォトマスクは装置本体１００のセンダーユ
ニット１０１にセットされる。この際、フォトマスクは
１枚ずつまたは複数枚同時にセットされる。センダーユ
ニット１０１でセットされたフォトマスクは、酸槽１０
２に送り込まれ、酸槽１０２では酸調合タンク２０１か
ら供給される硫酸／過酸化水素水等により硫酸／過酸化
水素水等による酸処理を行う。酸槽１０２での処理が終
了すると、フォトマスクは次にリンス槽１０３に送り込
まれ、リンス槽１０３ではアノード水の処理をしてフォ
トマスク基板上の硫酸をフォトマスク基板にくもりが発
生しないレベルまで除去する。
説明する。フォトマスクは装置本体１００のセンダーユ
ニット１０１にセットされる。この際、フォトマスクは
１枚ずつまたは複数枚同時にセットされる。センダーユ
ニット１０１でセットされたフォトマスクは、酸槽１０
２に送り込まれ、酸槽１０２では酸調合タンク２０１か
ら供給される硫酸／過酸化水素水等により硫酸／過酸化
水素水等による酸処理を行う。酸槽１０２での処理が終
了すると、フォトマスクは次にリンス槽１０３に送り込
まれ、リンス槽１０３ではアノード水の処理をしてフォ
トマスク基板上の硫酸をフォトマスク基板にくもりが発
生しないレベルまで除去する。
【００４５】この時に使用されるアノード水は、電解水
生成ユニット２０３から供給されるが、実施の形態１で
説明したようにアノード水は３０℃程度以上に加温され
ておれば硫酸／過酸化水素水等による酸処理後の残留硫
酸を許容レベル以下になるように効果的な洗浄処理がで
きる。従って、制御部２００の制御ユニット２０５は電
解水生成ユニット２０３で生成するアノード水の温度を
例えば３０℃程度に加温するように制御する。このアノ
ード水を用いてリンスをすればさらに効果的に残留硫酸
イオンを除去できる。
生成ユニット２０３から供給されるが、実施の形態１で
説明したようにアノード水は３０℃程度以上に加温され
ておれば硫酸／過酸化水素水等による酸処理後の残留硫
酸を許容レベル以下になるように効果的な洗浄処理がで
きる。従って、制御部２００の制御ユニット２０５は電
解水生成ユニット２０３で生成するアノード水の温度を
例えば３０℃程度に加温するように制御する。このアノ
ード水を用いてリンスをすればさらに効果的に残留硫酸
イオンを除去できる。
【００４６】リンス槽１０３での処理が終了すると、次
にフォトマスクは異物除去槽１０４に送り込まれる。異
物除去槽１０４には、制御ユニット２０５に制御により
電解水生成ユニット２０３で生成されたカソード水とア
ルカリ・洗剤調合タンクで所定の濃度に設定されたアン
モニア水が供給されるように構成されている。異物除去
槽１０４では実施の形態３で説明したように、カソード
水中でメガソニック超音波処理することでフォトマスク
の表面に付着する微粒子状の異物を効果的に除去するこ
とができる。また、微量のアンモニアを添加したカソー
ド水を用いることでフォトマスクの表面に付着した異物
粒子の除去効率を大幅に改善できる。
にフォトマスクは異物除去槽１０４に送り込まれる。異
物除去槽１０４には、制御ユニット２０５に制御により
電解水生成ユニット２０３で生成されたカソード水とア
ルカリ・洗剤調合タンクで所定の濃度に設定されたアン
モニア水が供給されるように構成されている。異物除去
槽１０４では実施の形態３で説明したように、カソード
水中でメガソニック超音波処理することでフォトマスク
の表面に付着する微粒子状の異物を効果的に除去するこ
とができる。また、微量のアンモニアを添加したカソー
ド水を用いることでフォトマスクの表面に付着した異物
粒子の除去効率を大幅に改善できる。
【００４７】この場合、使用するアンモニアの濃度はｐ
Ｈ１０の場合で約０．００３％であり、このようなきわ
めて低濃度で洗浄効果を上げることができるので、使用
する薬液の量を大幅に削減ができる。また、濃厚な薬品
を使用する場合と比較してその後のリンスに使用する純
水の量を大幅に削減できる。さらに、洗浄能力の向上で
異物除去のための洗浄処理時間が短縮でき、電気等のエ
ネルギーを節約できる。
Ｈ１０の場合で約０．００３％であり、このようなきわ
めて低濃度で洗浄効果を上げることができるので、使用
する薬液の量を大幅に削減ができる。また、濃厚な薬品
を使用する場合と比較してその後のリンスに使用する純
水の量を大幅に削減できる。さらに、洗浄能力の向上で
異物除去のための洗浄処理時間が短縮でき、電気等のエ
ネルギーを節約できる。
【００４８】なお、酸槽１０２、リンス槽１０３および
異物除去槽１０４の構成は、図４に示したようなオーバ
ーフロー槽の構成を採用することにより、超音波処理も
併用できるので洗浄効果をさらに改善できると共に、各
槽の薬液をオーバーフロー、循環フィルタリングするこ
とで純水や薬液の使用量を節約し、かつ薬液内の異物数
を低いレベルに管理できる。各槽内において、アノード
水、カソード水あるいは低濃度のアンモニア水等の薬液
をフォトマスク表面に注ぐための方法の一例を図９に示
す。図９に示すように、水平に回転させたフォトマスク
基板３０の表面に洗浄処理チャンバ（槽）内に固定した
ノズル３１またはスイングするアーム３２に固定したノ
ズルからアノード水、カソード水または微量のアンモニ
ア水を加えたカソード水を注ぐことで効果的な処理が行
える。
異物除去槽１０４の構成は、図４に示したようなオーバ
ーフロー槽の構成を採用することにより、超音波処理も
併用できるので洗浄効果をさらに改善できると共に、各
槽の薬液をオーバーフロー、循環フィルタリングするこ
とで純水や薬液の使用量を節約し、かつ薬液内の異物数
を低いレベルに管理できる。各槽内において、アノード
水、カソード水あるいは低濃度のアンモニア水等の薬液
をフォトマスク表面に注ぐための方法の一例を図９に示
す。図９に示すように、水平に回転させたフォトマスク
基板３０の表面に洗浄処理チャンバ（槽）内に固定した
ノズル３１またはスイングするアーム３２に固定したノ
ズルからアノード水、カソード水または微量のアンモニ
ア水を加えたカソード水を注ぐことで効果的な処理が行
える。
【００４９】また、図１０に示すように各洗浄槽内にお
いてライン型のメガソニックノズル４０を使用して、メ
ガソニック超音波を加えたアノード水、カソード水また
は微量のアンモニア水を加えたカソード水でフォトマス
ク基板３０をリンスすることで、メガソニック超音波洗
浄を併用した洗浄が可能である。また、図９においてス
イングするアーム３２に固定したメガソニック超音波発
振ノズルからメガソニックを加えたアノード水でリンス
することでも同様の効果が得られる。また、このメガソ
ニックノズルからメガソニックが加わった純水のみを注
ぎ、そこに別のノズルからアンモニア水、アンモニア水
／過酸化水素水の混合液、カソード水、アンモニア水を
微量添加したカソード水等を注いで効果的に異物除去を
することもできる。
いてライン型のメガソニックノズル４０を使用して、メ
ガソニック超音波を加えたアノード水、カソード水また
は微量のアンモニア水を加えたカソード水でフォトマス
ク基板３０をリンスすることで、メガソニック超音波洗
浄を併用した洗浄が可能である。また、図９においてス
イングするアーム３２に固定したメガソニック超音波発
振ノズルからメガソニックを加えたアノード水でリンス
することでも同様の効果が得られる。また、このメガソ
ニックノズルからメガソニックが加わった純水のみを注
ぎ、そこに別のノズルからアンモニア水、アンモニア水
／過酸化水素水の混合液、カソード水、アンモニア水を
微量添加したカソード水等を注いで効果的に異物除去を
することもできる。
【００５０】また、処理するフォトマスクの種類により
洗浄パスを区分する場合のために、各洗浄槽は複数槽ず
つ設置してもよい。また、各洗浄槽に制御部２００より
供給される薬液はインラインヒーター等の加熱装置によ
り加温することができる。また、乾燥槽１０５はＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）等のアルコールの蒸気乾燥
や水平状態でフォトマスクを高回転させるスピン乾燥そ
の他の乾燥方法のユニットに接続されている。図８では
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ユニット２０４に接
続した構成の装置を示している。スピン乾燥ユニットを
設置した場合は、ＩＰＡユニット２０４は省略される。
乾燥されたフォトマスクはレシーバーユニットに搬送さ
れて専用のケース等に収納される。
洗浄パスを区分する場合のために、各洗浄槽は複数槽ず
つ設置してもよい。また、各洗浄槽に制御部２００より
供給される薬液はインラインヒーター等の加熱装置によ
り加温することができる。また、乾燥槽１０５はＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）等のアルコールの蒸気乾燥
や水平状態でフォトマスクを高回転させるスピン乾燥そ
の他の乾燥方法のユニットに接続されている。図８では
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ユニット２０４に接
続した構成の装置を示している。スピン乾燥ユニットを
設置した場合は、ＩＰＡユニット２０４は省略される。
乾燥されたフォトマスクはレシーバーユニットに搬送さ
れて専用のケース等に収納される。
【００５１】以上のように、各洗浄槽で使用する薬液は
本体から独立した洗浄液供給・制御部２００の各薬液供
給ユニット（酸調合タンク２０１、アルカリ・洗剤調合
タンク２０２、電解水生成ユニット２０３）から供給さ
れる。これらの各薬液供給ユニットには装置の動作を最
適に制御するためのシーケンサー等の制御ユニット２０
５が設置される。乾燥されたフォトマスクはレシーバー
ユニットに搬送されて専用のケース等に収納される。
本体から独立した洗浄液供給・制御部２００の各薬液供
給ユニット（酸調合タンク２０１、アルカリ・洗剤調合
タンク２０２、電解水生成ユニット２０３）から供給さ
れる。これらの各薬液供給ユニットには装置の動作を最
適に制御するためのシーケンサー等の制御ユニット２０
５が設置される。乾燥されたフォトマスクはレシーバー
ユニットに搬送されて専用のケース等に収納される。
【００５２】
【発明の効果】この発明に係るフォトマスクの洗浄方法
によれば、半導体製造の写真製版工程において原盤とし
て使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物を分
解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫酸と
過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程と、
フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する第二
の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物を除去す
る第三の工程と、上記第一、第二および第三の工程が終
了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを備えたフ
ォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程はアノード
水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除
去するので、アノード水は室温（２５℃）程度であって
も従来の高温の純水を用いた場合と同程度の残留硫酸除
去能力があるため従来のように洗浄液であるアノード水
を高温に加温する必要がなく、電気エネルギーの消費が
削減できるという効果がある。
によれば、半導体製造の写真製版工程において原盤とし
て使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物を分
解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫酸と
過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程と、
フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する第二
の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物を除去す
る第三の工程と、上記第一、第二および第三の工程が終
了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを備えたフ
ォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程はアノード
水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除
去するので、アノード水は室温（２５℃）程度であって
も従来の高温の純水を用いた場合と同程度の残留硫酸除
去能力があるため従来のように洗浄液であるアノード水
を高温に加温する必要がなく、電気エネルギーの消費が
削減できるという効果がある。
【００５３】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法によれば、第二の工程に用いられるアノード水は、
３０℃以上に加温されているので、残留硫酸除去のため
の洗浄効果をさらに高めることができると共に、洗浄効
果が高くなるので薬液あるいは純水等の使用量を減らす
ことができるという効果がある。
方法によれば、第二の工程に用いられるアノード水は、
３０℃以上に加温されているので、残留硫酸除去のため
の洗浄効果をさらに高めることができると共に、洗浄効
果が高くなるので薬液あるいは純水等の使用量を減らす
ことができるという効果がある。
【００５４】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法によれば、第三の工程はカソード水を用いて異物を
除去するので、ＭｏＳｉＯＮ膜が遮光膜として形成され
た位相シフトフォトマスクに対しても透過率を損なうこ
となくフォトマスクの表面に付着した異物の除去処理が
行えるという効果がある。
方法によれば、第三の工程はカソード水を用いて異物を
除去するので、ＭｏＳｉＯＮ膜が遮光膜として形成され
た位相シフトフォトマスクに対しても透過率を損なうこ
となくフォトマスクの表面に付着した異物の除去処理が
行えるという効果がある。
【００５５】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法によれば、第三の工程に用いられるカソード水は、
微量のアンモニアを含んでいるので、ＭｏＳｉＯＮ膜が
遮光膜として形成された位相シフトフォトマスクに対し
てもさらに効果的にフォトマスクの表面に付着した異物
の除去処理が行えるとと共に、薬液あるいは純水等の使
用量を減らすことができるという効果がある。
方法によれば、第三の工程に用いられるカソード水は、
微量のアンモニアを含んでいるので、ＭｏＳｉＯＮ膜が
遮光膜として形成された位相シフトフォトマスクに対し
てもさらに効果的にフォトマスクの表面に付着した異物
の除去処理が行えるとと共に、薬液あるいは純水等の使
用量を減らすことができるという効果がある。
【００５６】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
方法によれば、第一の工程乃至第三の工程の少なくとも
１つの工程において超音波処理を併用するので、洗浄効
果が増大できるという効果がある。
方法によれば、第一の工程乃至第三の工程の少なくとも
１つの工程において超音波処理を併用するので、洗浄効
果が増大できるという効果がある。
【００５７】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
装置によれば、半導体製造の写真製版工程において原盤
として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物
を分解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫
酸と過酸化水素水の混合液を用いて上記フォトマスクの
表面を洗浄する酸槽と、電解水生成ユニットで生成され
たアノード水を用いてフォトマスクの表面を洗浄するリ
ンス槽と、電解水生成ユニットで生成されたカソード水
を用いてフォトマスクの表面を洗浄する異物除去槽と、
洗浄されたフォトマスクを乾燥する乾燥槽と、酸槽、リ
ンス槽および異物除去槽のそれぞれに供給する洗浄液を
所定の濃度あるいは温度に制御する洗浄液供給・制御手
段とを備えたので、フォトマスクの表面に残留する残留
硫酸を除去するための洗浄水であるアノード水は室温程
度でも洗浄能力が高いため高温に加温する必要はなく、
電気エネルギーの消費が削減できる。また、カソード水
を洗浄液として用いて異物除去処理を行うので、ＭｏＳ
ｉＯＮ膜が遮光膜として形成された位相シフトフォトマ
スクに対しても透過率を損なうことなくフォトマスクの
表面に付着した異物の除去処理が行えるという効果があ
る。
装置によれば、半導体製造の写真製版工程において原盤
として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物
を分解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫
酸と過酸化水素水の混合液を用いて上記フォトマスクの
表面を洗浄する酸槽と、電解水生成ユニットで生成され
たアノード水を用いてフォトマスクの表面を洗浄するリ
ンス槽と、電解水生成ユニットで生成されたカソード水
を用いてフォトマスクの表面を洗浄する異物除去槽と、
洗浄されたフォトマスクを乾燥する乾燥槽と、酸槽、リ
ンス槽および異物除去槽のそれぞれに供給する洗浄液を
所定の濃度あるいは温度に制御する洗浄液供給・制御手
段とを備えたので、フォトマスクの表面に残留する残留
硫酸を除去するための洗浄水であるアノード水は室温程
度でも洗浄能力が高いため高温に加温する必要はなく、
電気エネルギーの消費が削減できる。また、カソード水
を洗浄液として用いて異物除去処理を行うので、ＭｏＳ
ｉＯＮ膜が遮光膜として形成された位相シフトフォトマ
スクに対しても透過率を損なうことなくフォトマスクの
表面に付着した異物の除去処理が行えるという効果があ
る。
【００５８】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
装置によれば、酸槽、リンス槽および異物除去槽の少な
くとも１つは超音波処理機能も有しているので、洗浄効
果をさらに増大することができるという効果がある。
装置によれば、酸槽、リンス槽および異物除去槽の少な
くとも１つは超音波処理機能も有しているので、洗浄効
果をさらに増大することができるという効果がある。
【００５９】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
装置によれば、リンス槽で用いられるアノード水は、３
０℃以上に加温されているので、残留硫酸除去のための
洗浄効果をさらに高めることができると共に、洗浄効果
が高くなるので薬液あるいは純水等の使用量を減らすこ
とができるという効果がある。
装置によれば、リンス槽で用いられるアノード水は、３
０℃以上に加温されているので、残留硫酸除去のための
洗浄効果をさらに高めることができると共に、洗浄効果
が高くなるので薬液あるいは純水等の使用量を減らすこ
とができるという効果がある。
【００６０】また、この発明に係るフォトマスクの洗浄
装置によれば、所定の濃度のアンモニア水を異物除去槽
に供給する手段を有し、異物除去槽で用いられるカソー
ド水は微量のアンモニアを含んでいるので、ＭｏＳｉＯ
Ｎ膜が遮光膜として形成された位相シフトフォトマスク
に対してもさらに効果的にフォトマスクの表面に付着し
た異物の除去処理が行えるとと共に、薬液あるいは純水
等の使用量を減らすことができるという効果がある。
装置によれば、所定の濃度のアンモニア水を異物除去槽
に供給する手段を有し、異物除去槽で用いられるカソー
ド水は微量のアンモニアを含んでいるので、ＭｏＳｉＯ
Ｎ膜が遮光膜として形成された位相シフトフォトマスク
に対してもさらに効果的にフォトマスクの表面に付着し
た異物の除去処理が行えるとと共に、薬液あるいは純水
等の使用量を減らすことができるという効果がある。
【図１】 実施の形態１による各種薬液によるリンス処
理後の残留硫酸イオン量を示す図である。
理後の残留硫酸イオン量を示す図である。
【図２】 電解水を生成する装置およびその生成プロセ
スを説明するための図である。
スを説明するための図である。
【図３】 実施の形態２による各種薬液によるＣｒＯＮ
膜上の異物（シリカ粒子）の除去率を示す図である。
膜上の異物（シリカ粒子）の除去率を示す図である。
【図４】 超音波振動子を設置したオーバーフロー槽の
説明図である。
説明図である。
【図５】 実施の形態３による各種薬液に対するＭｏＳ
ｉＯＮ膜のアルカリ処理後の透過率の変動量を示す図で
ある。
ｉＯＮ膜のアルカリ処理後の透過率の変動量を示す図で
ある。
【図６】 実施の形態３による各種薬液による洗浄処理
後のＭｏＳｉＯＮ膜上のアルミナ粒子の除去率を示す図
である。
後のＭｏＳｉＯＮ膜上のアルミナ粒子の除去率を示す図
である。
【図７】 実施の形態４によるフォトマスク洗浄プロセ
スの全体工程を示す図である。
スの全体工程を示す図である。
【図８】 実施の形態５によるフォトマスク洗浄装置の
構成図である。
構成図である。
【図９】 水平にフォトマスクを回転させて洗浄する方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図１０】 ライン型のメガソニックノズルを使用した
フォトマスク洗浄方法を説明するための図である。
フォトマスク洗浄方法を説明するための図である。
【図１１】 従来の方法によるフォトマスク洗浄プロセ
スの全体工程を示す図である。
スの全体工程を示す図である。
３ 陽電極 ４ 陽極槽 ５ 陰
電極 ６ 陰極槽 ７ 中間槽 ８ イ
ン側配管 ９ イオン交換膜 １０ アノード水 １１ カ
ソード水 ２１ 超音波振動子 ２２ 内槽 ２３
外槽 ３０ フォトマスク基板 ３１ ノズル ３２
アーム ４０ ライン型メガソニックノズル １００ 洗浄装置本体 １０１ センダーユニット １０２ 酸槽 １０３ リンス槽 １０４
異物除去槽 １０５ 乾燥槽 １０６ レシーバ ２００ 洗浄液供給・制御部 ２０１
酸調合タンク ２０３ アルカリ・洗剤調合タンク ２０４
ＩＰＡユニット ２０５ 制御ユニット
電極 ６ 陰極槽 ７ 中間槽 ８ イ
ン側配管 ９ イオン交換膜 １０ アノード水 １１ カ
ソード水 ２１ 超音波振動子 ２２ 内槽 ２３
外槽 ３０ フォトマスク基板 ３１ ノズル ３２
アーム ４０ ライン型メガソニックノズル １００ 洗浄装置本体 １０１ センダーユニット １０２ 酸槽 １０３ リンス槽 １０４
異物除去槽 １０５ 乾燥槽 １０６ レシーバ ２００ 洗浄液供給・制御部 ２０１
酸調合タンク ２０３ アルカリ・洗剤調合タンク ２０４
ＩＰＡユニット ２０５ 制御ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１Ｊ ６５１ 21/30 ５０３Ｇ (72)発明者 吉岡 信行 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 碓井 穂積 東京都中央区日本橋室町四丁目２番16号 株式会社渡邊商行内 (72)発明者 山中 弘次 埼玉県戸田市川岸一丁目４番９号 オルガ ノ株式会社総合研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体製造の写真製版工程において原盤
として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物
を分解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫
酸と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程
と、 上記フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する
第二の工程と、 上記フォトマスクの表面に付着した異物を除去する第三
の工程と、 上記第一、第二および第三の工程が終了した上記フォト
マスクを乾燥する第四の工程とを備えたフォトマスクの
洗浄方法であって、 上記第二の工程は、アノード水を用いて上記フォトマス
クの表面に残留する残留硫酸を除去することを特徴とす
るフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項２】 第二の工程に用いられるアノード水は、
３０℃以上に加温されていることを特徴とする請求項１
に記載のフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項３】 第三の工程は、カソード水を用いて異物
を除去することを特徴とする請求項１に記載のフォトマ
スクの洗浄方法。 - 【請求項４】 第三の工程に用いられるカソード水は、
微量のアンモニアを含んでいることを特徴とする請求項
３に記載のフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項５】 第一の工程乃至第三の工程の少なくとも
１つの工程において超音波処理を併用することを特徴と
する請求項１乃至４のいずれか1項に記載のフォトマス
クの洗浄方法。 - 【請求項６】 半導体製造の写真製版工程において原盤
として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物
を分解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫
酸と過酸化水素水の混合液を用いて上記フォトマスクの
表面を洗浄する酸槽と、 電解水生成ユニットで生成されたアノード水を用いて上
記フォトマスクの表面を洗浄するリンス槽と、 上記電解水生成ユニットで生成されたカソード水を用い
て上記フォトマスクの表面を洗浄する異物除去槽と、 洗浄された上記フォトマスクを乾燥する乾燥槽と、 上記酸槽、上記リンス槽および上記異物除去槽のそれぞ
れに供給する洗浄液を所定の濃度あるいは温度に制御す
る洗浄液供給・制御手段とを備えたことを特徴とするフ
ォトマスクの洗浄装置。 - 【請求項７】 上記酸槽、上記リンス槽および上記異物
除去槽の少なくとも１つは超音波処理機能も有している
ことを特徴とする請求項６に記載のフォトマスクの洗浄
装置。 - 【請求項８】 リンス槽で用いられるアノード水は、３
０℃以上に加温されていることを特徴とする請求項６に
記載のフォトマスクの洗浄装置。 - 【請求項９】 所定の濃度のアンモニア水を異物除去槽
に供給する手段を有し、上記異物除去槽で用いられるカ
ソード水は微量のアンモニアを含んでいることを特徴と
する請求項６に記載のフォトマスクの洗浄装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33179797A JP3920429B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
| US09/122,763 US6071376A (en) | 1997-12-02 | 1998-07-27 | Method and apparatus for cleaning photomask |
| TW087113967A TW440475B (en) | 1997-12-02 | 1998-08-25 | Method for cleaning photomask and cleaning device |
| KR1019980039812A KR100316374B1 (ko) | 1997-12-02 | 1998-09-24 | 포토마스크의 세정방법 및 세정장치 |
| DE19844443A DE19844443C2 (de) | 1997-12-02 | 1998-09-28 | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer Fotomaske |
| US09/562,929 US6277205B1 (en) | 1997-12-02 | 2000-05-02 | Method and apparatus for cleaning photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33179797A JP3920429B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006005677A Division JP4205106B2 (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167195A true JPH11167195A (ja) | 1999-06-22 |
| JP3920429B2 JP3920429B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=18247757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33179797A Expired - Lifetime JP3920429B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6071376A (ja) |
| JP (1) | JP3920429B2 (ja) |
| KR (1) | KR100316374B1 (ja) |
| DE (1) | DE19844443C2 (ja) |
| TW (1) | TW440475B (ja) |
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|---|---|
| US6277205B1 (en) | 2001-08-21 |
| TW440475B (en) | 2001-06-16 |
| KR100316374B1 (ko) | 2002-09-26 |
| JP3920429B2 (ja) | 2007-05-30 |
| US6071376A (en) | 2000-06-06 |
| KR19990062510A (ko) | 1999-07-26 |
| DE19844443C2 (de) | 2002-01-17 |
| DE19844443A1 (de) | 1999-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040303 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040305 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040303 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050811 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051021 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060113 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060123 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070213 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070215 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140223 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |