^ 44 04 75 A7 B7 拎滂部屮吹楮肀局妇^^^ 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 1 [發明f 好屬之技術領域] 1 1 | 本 發 1 明 係 關 於 以 原 盤 被 用 於 製 造 半 導 體 裝 置 (如LS I)之 1 I 照 相 製 販 步 m 中 且 被 要 求 可 得 到 極 清 淨 之 表 面 之 掩 模 (光 先 1 1 閱 掩 模 )之* 先淨方法及洗淨裝置者 0 讀 背 1 [先前技術] 1¾ 之 !·主 Ί 掩 模 為 在 製 造 半 m 體 裝 置 之 昭 相 製 販 步 驟 中 f 積 mm 握 電 路 意 事 項 1 1 再 1 之 圖 型 藉 轉 印 裝 置 轉 印 於 晶 片 表 面 之 際 被 用 作 原 盤 者 * 若 裝 形 成 於 其 表 面 上 之 圖 型 有 缺 陷 或 有 解 像 界 限 Μ 上 之 異 物 之 頁 1 I 存 在 9 此 等 缺 陷 或 異 物 則 被 當 作 圖 型 轉 印 於 晶 片 上 〇 1 1 從 而 掩 模 之 表 面 上 不 容 許 解 像 界 限 K 上 之 任 何 缺 陷 或 1 異 物 之 存 在 〇 i 訂 1 I 再 者 DS m 著 積 體 βΒ 電 路 之 高 集 積 化 细 微 化 可 容 許 之 缺 陷 或 異 物 之 大 小 已 被 要 求 至 〇. bum 之 程 度 〇 1 1 J 習 知 之 洗 淨 掩 模 之 方 法 採 用 一 種 在 晶 片 洗 淨 方 面 有 實 際 1 1 成 績 之 RCA洗法（使 用 硫 酸 等 之 酸 與 過 氧 化 氫 水 溶 液 之 混 合 1 '.- 液 或 氨 水 等 之 G& m 性 m 液 與 過 氧 化 氫 水 溶 液 之 混 合 液 之 洗 法 1 I )為基礎之洗淨方法< > 1 其 洗 淨 方 法 之 流 程 圖 乃 示 於 圖 11 中 〇 1 1 I 茲 根 據 画 11 關 於 習 知 之 掩 模 洗 淨 步 驟 加 Μ 說 明 〇 1 首 先 * 在 步 驟 1之過程中 使用高溫之硫酸與過氧化氫 1 1 水 溶 液 之 混 合 疲 >1 胞 行 洗 淨 而 使 存 在 於 掩 模 表 面 上 之 光 刻 1 | 膠 溶 劑 殘 渣 等 之 有 櫬 物 分 解 且 除 去 金 臛 不 純 物 0 1 I 藉 此 步 驟 來 改 善 掩 模 表 面 之 可 沾 性 而 提 高 其 後 之 洗 淨 效 1 1 I 率 〇 1 1 木紙張尺度適川中國國家摞肀（（'NS ) Λ4規格（2】0Χ297公釐） 44 04 7 5 A7 B7 衍Μ部中"精卑局αί-τ消费合啊.衫印^ 五、發明説明 ( 2 ) 1 1 I 其 次 t 在 步 驟 2之過程中 ，利 B高溫鈍水_ 农施 ίτ 漂洗以 ! 1 1 除 去 掩 i 模 表 面 上 留 存之藥 液 (如硫酸等） 殘 留 物 〇 1 I 其 次 t 在 步 驟 3之過程中 ，在附著異物之去除， 目的之 ih 1 1 閲 下 » 施 行 被 加 溫 之 氨與過 氣 化氫 水 溶 液 之 混 合 液 中 之 浸 -潰 讀 背 j \ii I 洗 淨 ύ 之 注 t 意 I 此 時 t 為 了 更 有 效除去 異 物， 有 時 將 百 萬 赫 m 超 曰 波 ( 孝 項 1 I 再 1 以 下 t 暫 稱 為 ”極超音波”）施加1 冷浸濱槽中 0 裝 本 其 次 9 在 此 步 驟 後亦需 要 如步 软 4所示之純水漂洗 0 頁 ·- 1 I 最 後 9 在 步 驟 5之過程中使經過純水溧洗之掩模乾燥 0 1 [ I 又 按 在 步 驟 3之過程中 >有時不用氨與過氧化氫水溶 1 液 之 混 合 液 f 而 僅 用純水 或 混有 清 潔 劑 之 純 水 * Μ 進 行 施 1 訂 加 超 音 波 (如極超音被等）之 洗淨 0 1 1 依 昭 Μ 上 所 逑 之 浸漬洗 淨 方法 9 雖 然 使 複 數 之 掩 模 同 時 1 浸 潢 於 槽 内 時 可 提 高洗淨 裝 置， 但 高 度 污 染 之 掩 模 之 污 物 t 1 I 有 可 能 污 染 其 他 之 較清淨 之 掩模 〇 1 .-J * 為 了 改 善 此 點 亦沲行 依 照一 種 不 重 複 使 用 每 Η 掩 模 之 1 1 洗 淨 用 m 液 之 方 式 (用完即棄式） 亦 即 將 m 液 -> 純 水 等 從 1 固 定 或 擺 動 之 噴 嘴 噴射於 水 平旋 轉 之 掩 模 之 表 面 上 而 用 1 完 即 棄 掉 其 為 每 片 掩模之 洗 淨所 用 之 藥 液 等 之 方 式 (旋轉 1 1 方 式 )之洗淨c 1 1 在 旋 轉 方 式 之 洗 淨方法 中 ，為 有 效 除 去 異 饬 之 手 段 f 有 1 1 時 施 行 如 高 壓 噴 射 纯水漂 洗 、極 超 音 波 純 水 漂 洗 等 之 機 械 1 1 性 洗 淨 〇 1 I [本發明所欲解決之問題] 1 1 本紙張尺度適川中國國家標?f ( CNS ) Λ4規格（210Χ297公f ) 5 44047 5 A7 B7 MM部屮决標卑局負-T消赍合竹社印黧 五、發明説明 ( 3 ) ί 1 I 在 固 圖 1 L所 示 之 習 知 洗 淨 方法 中， 由 於 硫 酸 /過氧化氫水 1 1 1 溶 液 之 處 理 (步驟1 )後之ΐ 先淨不充分 *在掩横之表面留存 1 1 有 硫 酸 之 場 八 a 掩 横 之 表 面會 產生 霧 痕 〇 η 先 閱 » ] I 當 掩 模 之 表 面 產 生 it 種 霧痕 時， 掩 模 上 之 未 具 圖 型 之 部 讀 背 1 面 I 分 (在晶片上轉印時透光之部分）之 透 射 率 則 降 低 使 白 片 之 注 I 意 1 [ 上 形 成 圖 型 之 光 刻 膠 之 尺 寸發 生變 動 引 起 積 體 電 路 (LSI 事 項 1 再 1 )内之配猓等之斷線 >而使LS I本身 之 特 性 惡 化 〇 裝 本 在 晋 知 之 洗 淨 方 法 中 為了 防止 此 項 硫 酸 之 殘 留 9 在 硫 頁 »· 1 I 酸 /過氧化氫水溶液之處理（步 驟1) 後 f 施 行 大 最 純 水 之 漂 1 1 I 洗 或 加 溫 鈍 水 之 漂 洗 (步驟2) 因而消耗大最之純水或消 1 耗 純 水 加 溫 用 之 電 能 0 1 iT\ 再 者 在 除 去 異 物 為 巨 的之 氨/過氧化氫之處理過程（步 1 I 驟 3) 中 之 浸 潰 方 式 之 洗 淨 之情 況， 由 於 使 用 同 一 藥 液 來 處 i 1 理 複 數 之 掩 模 增 加 藥 液 之調 換頻 度 以 免 藥 液 之 劣 化 或 汚 I I 1 染 因 而 增 加 藥 液 之 使 用 量。 此 外 在 洗 淨 效 率 (洗淨效率）低 劣 之 場 合 每 片 掩 模 1 1 之 洗 淨 次 數 則 會 增 多 * 因 而增 加藥 液 使 用 量 * 純 水 使 用 量 1 9 電 能 等 之 能 量 〇 1 再 者 t 最 近 有 — 種 掩 模 即相 移掩 模 r 可 藉 由 掩 模 之 相 位 1 1 r —** 部 分 之 改 變 來 提 高 90 片 上之 光刻 膠 之 解 像 力 者 9 被 開 發 1 i 旦 已 實 用 化 〇 ί 1 Mo S iON 膜 為 被 使 用 於 上 述相 移掩 横 之 -r 種 之 中 間 調 (濃 I | 淡 網 點 )掩模中作為遮光膜之材料| 其若經過強驗洗淨處 1 I 理 如 習 知 之 氨 /過氧化氫水溶液中之浸憒處理等， 其透射 1 1 本紙張尺度適用中國國家標嘩（CNS ) Λ4規格（2]0X 297公釐） 一 6 一 440475 A7 B7 經湞部屮央枒淖灼兵Τ,消费Atiir.t.印：^ 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 率 或 相 角 則 會 大 幅 變 動 * 無 法 保 持 產 品 之 出 廠 品 質 0 1 1 從 而 r 在 Me )S ] ON膜 實 際 無 法 實 施 對 異 物 之 去 除 有 效 之 使 1 ! 用 氨 /過氧化氫水溶液之洗淨步驟1 :步 驟 3) t 僅 用 純 水 或 用 η 1 I 1 清 潔 劑 來 施 行 洗 淨 9 因 此 9 異 物 之 殘 留 成 為 問 題 〇 閱 讀 背 I 本 發 明 乃 為 解 決 上 述 問 題 而 創 案 之 發 明 9 其 巨 的 為 提 供 面 之 1 注 1 可 實 琨 下 逑 事 項 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 及 洗 淨 裝 置 意 筆 1 項 ί (1 )可有效除去其洗淨處理後留存於掩模表面之槩液< Μ 硫 填 酸 為 主 ) 1 寫 本 頁 策 1 (2) Μ少量之藥液即可發揮與習知之洗淨方法同等或更高 1 ! 之 異 物 去 除 效 果 而 減 少 槩 液 或 純 水 之 用 蠆 1 I (3)又可在相移掩模之遮光膜（Mo Si 0N膜 )之透射率等不致 1 訂 發 生 變 at*. 動 之 下 有 效 施 行 異 物 之 去 除 〇 1 [解決問題之手段] 1 1 本 發 明 有 翮 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 為 具 備 用 高 溫 之 硫 酸 與 1 | 過 氧 化 氫 水 溶 液 之 混 合 液 來 洗 淨 被 用 於 製 造 半 導 體 裝 置 之 1 照 相 製 版 步 m 中 作 為 原 盤 之 掩 横 之 表 面 Μ 使 存 在 於 該 表 面 1 1 之 有 機 物 分 解 且 除 去 金 屬 不 純 物 之 第 — 步 驟 除 去 該 掩 模 t 1 表 面 上 殘 留 之 硫 酸 之 第 二 步 驟 除 去 該 掩 模 表 面 上 附 著 之 1 異 物 之 第 三 步 驟 » 及 使 經 過 上 述 第 一 、 第 二 及 第 三 步 驟 ! 處 理 終 了 之 該 掩 模 乾 燥 之 第 四 步 驟 而 成 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 I | t 其 中 在 第 二 步 驟 使 用 陽 極 水 Μ 除 去 該 掩 模 表 面 上 殘 留 之 1 1 硫 酸 為 特 徵 者 〇 1 I 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 亦 有 下 述 特 徴 : 在 第 二 步 1 1 驟 所 用 之 陽 極 水 為 已 被 加 溫 至 3〇υ 上 者 0 1 1 本紙張尺度诚川中國闺家標卑（CNS ) Λ4規格（2】0X297公犛） "7 ~ 44 04 7 5 a? B7 抄斌部屮决榡"貞工消於合竹社印4,14 五、發明説明 ( 5 ) 1 1 本 發 明 有 ΒΒ 闞 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 亦 有 下 逑 特 徵 在 第 二 步 1 1 驟 使 用 陰 極 水 Η 除 去 異 物 〇 1 1 本 發' 明 有 Μ 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 亦 有 下 述 特 激 * 在 第 三 步 1 先 1 揉 所 用 之 陰 極 水 為 含 有 徽 量 氨 者 0 閱 讀 一 背 1 本 發 明 有 闞 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 亦 有 下 述 特 徴 * 在 第 一 步 面 之 1 驟 至 第 三 步 驟 中 之 至 少 步 驟 兼 併 使 用 (即與其本來之處 注 意 事 1 1 | 理 起 使 用 )超音波處理 再 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 之 特 徴 為 具 備 酸 槽 * 藉 本 頁 裝 1 此 使 用 高 溫 之 硫 酸 與 過 氧 化 氫 水 溶 液 之 混 合 疲 來 洗 淨 被 用 、_·> 1 | 於 製 造 半 導 體 装 置 之 昭 ysvs 相 製 版 步 m 中 作 為 原 盤 之 掩 模 之 表 1 I 面 ΡΛ 使 存 在 於 該 表 面 之 有 機 物 分 解 且 除 去 金 屬 不 純 物 漂 1 訂 1 洗 槽 藉 此 使 用 電 解 水 製 造 裝 置 所 產 生 之 陽 掻 水 Μ 洗 淨 該 掩 模 之 表 面 異 物 去 除 槽 藉 此 使 用 該 電 解 水 製 造 裝 置 所 1 1 產 生 之 陰 掻 水 Μ 洗 淨 該 掩 模 之 表 面 乾 燥 槽 被 用 於 洗 淨 1 | 後 之 掩 横 之 乾 燥 及 洗 淨 液 供 給 /控制機構 被用Μ按 1 指 定 之 濃 度 或 溫 度 控 制 各 別 供 給 於 酸 槽 飞 漂 洗 槽 及 異 物 丁 i 去 除 槽 之 洗 淨 液 〇 1 ! 本 發 明 有 闞 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 亦 有 下 述 特 徵 ： 在 酸 槽 \ 1 漂 洗 槽 以 及 異 物 去 除 槽 中 之 至 少 槽 兼 具 超 音 波 處 理 之 功 I 能 〇 1 1 I 本 發 明 有 闞 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 亦 有 下 述 特 激 在 漂 洗 槽 I 1 所 用 之 陽 極 水 為 已 被 加 溫 至 30 Ό >λ 上 者 0 1 i 本 發 明 有 Si 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 亦 有 下 述 特 激 • 具 有 被 用 I 1 Μ 將 指 定 濃 度 之 氨 水 供 給 於 異 物 去 除 槽 之 撤 構 4 « 在 異 物 去 1 1 紙張尺度適州中國國家標彳{ C'NS ) Λ4規格（210X 297公釐） ~ 8 ~ 440475 Μ Β7 經滴部屮次枒卑局負工消贽含竹社印來
五、發明説明 (6 ) 1 1 除 槽 所用 之陰極 水為 含 有 微 量 氨 者 0 1 1 [發明之實施形態] 1 ! 實 旃 形態 1 % ! | 先 1 在 本實 施肜態 1中 *醞於硫酸/ 過 氧 化 氫 水 溶 液 處 理 後 留 if 背 1 存 於 掩模 上之殘 留硫 酸 離 子 之 有 效 去 除 方 法 加 Μ 說 明 〇 面 之 1 注 圖 1展示*對於掩模用之破璃基板 :圼 每 邊 5吋之方形 * 意 筆 I 項 1 厚 度 約2η H)經過 硫酸 浸 漬 處 理 後 在 溢 流 槽 内 各 別 浸 漬 於 各 再 ά 1 棰 漂 洗液 (純水 、稀氨水 、陽極水}中 而 被 腌 加 漂 洗 處 理 者 寫 本 頁 木 1 9 藉 離子 層析法 予以 分 析 留 存 於 該 玻 璃 基 板 之 硫 酸 雜 子 量 、_* 1 j 之 結 果。 1 I 如 圖1所示*所用之漂洗液為 1 1 訂 Α1 室溫 (25 t：) 之纯 水 1 Α2 40 V 之純水 > 1 1 A3 6〇 υ 之純水 » I 1 Α4 80*C 之純水 9 1 Β1 氫離 子澹度 pHIO 之 室 溫 稀 氨 水 1 j Β2 ： 添加 有微量 氨水 之 氫 離 子 m 度 pH約 10 之 室 溫 陰 極 水 r 1 J C1 ： 室潙 (25 t：) 之陰 極 水 * 1 C2 30 "C 之陽極 水， ! C3 = 401C 之陽極 水* 1 I C4 : 601C 之陽極 水* 1 1 C5 801C 之陽極 水0 1 1 又 按， ”陽極水”一 詞 係 指 由 純 水 之 電 解 而 溶 有 產 生 於 陽 1 1 極 槽 之約 略飽和 狀態 之 氧 氣 之 電 解 水 而 言 ί ”陰極水" — 詞 1 I 本紙it尺度適用中國围家標呤（ΓΝ5 ) Λ4规格（2丨Ο〆 297公髮） -9 - 4404 7 F A7 B7 五、發明説明（7 ) 係指溶有產生於陰極槽之約略飽和狀暹_之氧緝之霞解水而 言，至於其產生方法乃如後所述。 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在圖1中，縱軸為殘留硫酸離子量（單位：ion/cB2 )， 由該圖可知，在僅用純水之漂洗（A1〜A4)之情況，随著所 用純水之溫度從室溫（251C)至801C之上升，殘留硫酸離子 量減少。 再者，用pHIO之稀氨水（B1)同樣漂洗之玻璃基板亦顯示 ，其殘留硫酸離子量比室溫純水漂洗者為少，且其殘留量 少於6 0 t純水（A3 )漂洗之場合。 再者，使用一圾璃基板，在其單面形成有作為遮光膜之 CrOK膜（一般性遮光膜之一種*並非相移掩模用之遮光膜） 者，以實驗硫酸處理後之不同漂洗處理所引起之玻璃基板 表面之產生霧痕之狀況*其结果，在僅用室溫（25C)純水 漂洗之場合，在洗淨终了後經過1天即產生孩痕之事實被 確認。 在60Ϊ；純水漂洗之掩模坯件之情況，經過1天後並未確 認霧痕，但在約1個月後確認稀薄之霧痕。 然而*經過稀氨水漂洗之掩模基板卻在約1.個月後亦未 確認菘痕。 由Μ上之結果可推斷，主要硫酸處理後完成漂洗時留存 於掩模基板表面之碕酸離子量達到稀氨水所達成之殘留硫 酸離子量之基準（圖1中之Η所示之基準），掩模則不會產生 霧痕。 但由圖1坷知，為了達成此一條件，在僅用純水時必需 本紙张尺度適川中®囤家標今（rNS ) Λ4規格（2】〇Χ 297公f ) ,. 440475 Λ7 Α7 Β7 五、發明説明（8 ) 將純水加溫至601CM上，K801C程度之溫度較佳。 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又如圖1所示，使用由純水之電解所產生之室溫（25Ό) 陰極水（C1)K施行相同之漂洗時，可將硫酸除去至等於約 60Ό純水（A3)之漂洗所達之程度。 又發琨，用3〇υ之陽掻水（C1)來漂洗時，可將殘留硫酸 除去至約略等於約80 Ί0純水（Α4)之漂洗所達之程度（圖1之 Η所示之基準）。 再者，使用被加溫至30t；M上之陽極水（C1〜C5)來漂洗 時*更可有效除去殘留硫酸離子。 如此使用陽極水時》可有效除去殘留硫酸離子。 即，與僅用纯水之場合相較，由更低溫之陽極水珂得到 充分之除去硫酸之效果，因此不需要如使用鈍水時之程度 之加溫，可減少用電量。 再者，由於改用陽極水Μ代替纯水時可提高去除效果， 有可能縮短漂洗時間，而亦可減少純水使用量。 如上所述*在本實胞形態中，為了除去硫酸/過氧化氣 水溶液處理後之殘留碕酸離子而使用陽極水來漂洗時，即 使在3〇υ程度之低溫加熱之情況亦可有效除去留存於光掩 模表面上之硫酸雜子。 由於如此可提高殘留硫酸離子之去除效果，可縮短處理 時間之同時*可企求純水使用量之減少或加溫用之電能消 耗量之減少。 又按，”陽極水”一詞係指由純水之電解而溶有產生於陽 極槽之純略飽和狀態之氧氣之電解水而言 > "陰極水”一詞 本紙張尺度滴用中國國家楛，（（’NS ) Λ4規格（210 X 297公釐） _ ι 1 _ A7 440475 B7 五、發明説明（9 ) ("先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 係指溶有產生於陰極權之約略飽和狀態之氫氣之電解水而 言，茲為此種電解水之製造（產生）裝置之一例及其產生機 理（作用原理），根據圖2加Μ說明。 在圖2中，3為陽電極* 4為陽極槽，5為陰電極，6為陰 極槽* 7為中間槽，8為純水注入用之進入側管路，9為離 子交換膜，10為陽極槽4所產生之陽極水，11為陰極槽6所 產生之陰極水。 再者，該圖中所示之化學反應式為展示各別在陽電棰3 及陰電槿5進行之鈍水之電解之反應式。 如該圖所示*電解水之製造裝置係由三槽，即設有陽電 棰3之陽槿槽4*設有陰電掻5之陰極槽6* Μ及填充有離子 交換樹脂之中間槽所構成。 此外，中間槽7與陽極槽4之間暨中間槽7與陰極槽6之間 係各別藉離子交換膜9分隔者。 將純水從進人側管路8注入槽内•而對陽電極3及陰電極 5各別施加正電位及負電位時*輿離子交換樹脂之交換基 結合之Η+ * 0Η —則反覆其與鄰接交換基之结合/解離而移 往電場方向，最後到達電極表面*由於氧化遒原反應|在 陽電搔3產生氧分子且在陰電極5產生氫分子，而溶於液中。 被奪去Η+ ，0«_之交換基使純水連續解離而形成新離 子結合。 如此施行純水之電解時，可從陽極槽4得到約略Μ飽和 狀態溶有氧氣之陽極水10，而從陰極播6得到約略Μ飽和 狀態溶有氫氣之陰極水11。 本紙乐尺度適用中國國家標埤（（’NS ) Λ4規格（210X297公釐） -ΙΟ- -T 妗Μ部中欢掠準扃兵h消灼合竹社印5^ 4 4 0475 A7 B7 五、發明説明（10 ) 又按，在某些情況亦可使用一種在未具中間槽7之下由 離子交換膜9分隔之二槽即陽極槽4與陰極槽6所構成之電 i 解水製造裝置。 實施形態2 在本實施形態2中，關於製造過程中附著於掩模之表面（ 尤其遮光膜之表面）之细微塵埃及金屬或有機物等之微粒 異物之有效去除方法加Μ說明。 又按，一般而言*此一步級係在如上述實施形態1所說 明之殘留硫酸離子（在硫酸/過氧化氫水溶液處理後留存於 掩模者）之去除步嫌後施行之步驟。 圈3展示，使充當異物之二氧化矽（Si 02)粒子附著於形 成有CrON膜作為遮光膜之掩模之表面後，在如圖4所示之 具備有超音波振動子之石英製溢流槽內各別浸潰於各種槩 液中，而施行極超音波處理時所得之二氧化矽粒子之去除 率。 又按，在圖4中* 21為超音波振動子，22為溢流槽之内 槽，2 3為溢流槽之外槽。 如圖3所示*為藥液使用 A :純水， B:稀氨水（pHIO)， C: 0.1¾濃度之氨水* D :陰掻水， E:添加有微量氨之PH約10之陰極水， F:添加有氨0.U之陰極水， 本紙乐尺度適用中國國家樓( (’NS ) Λ4規格（2] 0 X 297公聲） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈 '11 44047 5 A7 B7 五、發明説明（11 ). Μ進行實驗而確認各場合之異物去除率。 - - —II m nn HI —ϋ t n ^^^1 11!*- -- I -- \ r . - Ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又按，異物去i除率係由超音波處理所除去之粒子數目除 Μ處理前所存在之粒子數目而得到之數值求出者。 由圖3可知，在纯水（Α)中或pHIO之稀氨水（Β)中之處理 之情況，其去除率各別為0.1：I!-30S；*即充當異物之二氧化 矽粒子幾乎未被除去。 然而，在純水之電解所產生之陰極水（D)中之處理之情 況|得到以30. 6¾之去除率除去粒子之结果。 再者，輿僅用0.U濃度之氨水（C)時之去除率52.0¾相較 ，在添加有0.1¾氨之陰極水（F)時，得到Μ高達99.2¾之去 除率除去粒子之結果。 如此在陰極水中施行極超音波處理時，可將附著於掩横 表面上之微粒狀異物予Μ有效除去。 又發現，在使用添加有微量氨之陰極水（Ρ)時·可將附 著於掩模表面上之異物粒子之去除效率予以大_提高之事 實。 所用之氨水之濃度在pHIO之埸合為約0.003¾而已，即如 此極低濃度即可提高洗淨效果，因此與習知洗淨方法相較 一......-· ，可大幅減少槩液用量。 又與使用§厚槩品之場合相較，可大幅減少其後之漂洗 用之純水虽。 此外*由於洗淨能力之提高，可縮短異物去除上之洗淨 處理時間•而可節省電能等之能量。 實施形態3 本紙张尺廋適用中家標肀（（'NS ) Λ4規袼（210X297公釐） -1 4 ~ A7 B7 五、發明説明（12 ) 在本霣施形態3中，翮於相移掩橫（如中間調掩模等）之 埸合在^異去除上最適之洗淨方法加以說明。 圖5展示MoSiON膜（中間調掩模之遮光膜）經過利用醮性 藥液之洗淨處理後之透射率之變動情形。 使形成有約O.lw a之HoSiOH膜之玻璃基板在各種洗淨疲 中浸濱2小時* K確認波長248nn之透射率之變動U)。 又按，如圈5所示*為藥液使用 A : U濃度之氨水， B:氨/過氧化氫水溶液， C : 5¾濃度之氨水， D: 10¾濃度之氨水， E :陰極水， F:添加有微霣氨之陰極水（pH10)i Μ進行實驗。 其结果，氨/過氧化氫水溶液（Β)之處理，在習知之掩構 洗淨中為除去異物所用者*其透射率提高1.0U。 再者，在氨漶度5¾之純水（C)及氨濃度U之純水U)之情 況*其透射率各別提高0.9SS* 0.27X。 然而*在使用由純水之電解所產生之陰極水（E)或添加 有微量氨之PH10之陰極水（F)之情況，其透射率各別僅提 高 0.02¾ ， 0.1¾而已。 形成於掩模表面上之作為遮光膜之MoSiON膜若其透射率 有變動*則使電路圓型轉印於晶片時之光刻膠之形狀及尺 寸發生變動，最後造成LSI之特性之惡化*因此嚴格控制 本紙張尺廋適州中國囤家標肀（CNS ) Λ4規格（210'乂 297公釐） (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
，1T 15 經漓部中次#準灼員.Τ-消免合作社印褽 44 04 7 5 A7 B7 五、發明説明（l3 ) 該MoS ί Η膜之透射率。 依照習知之氨/過氧化氫水溶液（Β)之處理，由於其透射 ) 率之變動大*無法使用於形成有HoSiOH膜之掩模之洗淨。 但使用陰極水（E)或添加有微量氨之pHIO之陰極水（F)時 所產生之變動量係在可容許之範圍。 圖6展示，附著有充當異物之氧化鋁（A1203)粒子之 MoSi ON膜在各棰槩液中經過極超音波處理時所得之氧化鋁 粒子之去除率。 去除率係由極超音坡處理所除去之粒子數目除以處理前 所存在之粒子數目而得到之數值求出者。 又按*如圖6所示•為藥液使用 A :纯水， B : pHIO之烯氨水， C :陰極水， D:添加有微虽氨之pHIO之陰極水， E :氨濃度1¾之陰極， F :氨/過氧化氫水溶液， Μ進行實驗。 其结果*在純水（Α)或稀氨水（Β>或陰極水（C)中處理之 情況，其去除率各別為5.0%-0.23!，0.0¾，即充當異物之 氧化鋁粒子幾乎未被除去。 然而，在添加有微量氨之陰極水（D)中處理之情況*得 到Μ 31 . 6X之去除宰除去粒子之结果。 再者•在增加氨添加量之氨澹度U之陰極水中處理之情 本紙張尺度適用中國國家標冷（（^15)八4規格（210父297公釐） _ i _ (諳先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁)
klT 440475 A7 B7 五、發明説明（U ) 況，得到M39.6¾之去除率除去粒子之結果。 卽發現*由於對異物之去除有效之習用氨/過氧化氫水 ^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 —^^1 ^^—^1 I < (对先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁)
I 溶液（F)中之處理得到30.1¾之去除率，使用添加有微量氨 之陰極水（D)時，可得到與習用氨/過氣化氫水溶液（Π中 之處理同等之異物去除结果之事實。 從而，根據_5及圖6所示之結果得知，使用添加有微量 (如濃度0.00 355等）氨之陰極水來施行異物洗淨處理時*可 在Mo SiON膜之透射率不致變動之下達成與習知方法同等或 更高之洗淨效果。 再者，主要在下之氨濃度之下限定短時間之洗淨處 理時 > 可將透射率之變動抑制於控制基準（例如5¾) Μ下且 可提高洗淨效率。 又按，在實施形態1至3中，將用於洗淨之藥液（如陰極 水*添加有微量氨之陰槿水等）予Μ加溫時可進一步提高 洗淨效果。 再者，在實_形態1至3中*使用如圖4所示之溢流槽且 在照射超音波之下施行洗淨處理時，可進一步提高洗淨能 力0 此外，在實施形態2或3中，使用由微量1C0H等電解質物 質代替氨加入陰極水而生成之弱鹼性藥液時亦可得到相同 之效果。 宵施形態4 在本實施形態4中，關於掩模之洗淨方法之全部步驟加 以說明。 本紙張尺度適川中國阀冢標中（（’NS ) Λ4#見格（2丨0>< 297公釐} 17 44 〇4 75 A7 B1 五、發明説明（I5 )
方在 淨存 洗了 能為 性 ， 高中等 之程部 明過殘 發之劑 本II溶 昭二、 步 依 膠 在 示 刻 展『光 7 另 J 8 J 如 圈首 W 解 分 之 機 之有 程之 滾面 部表 全模 之掩 法於 Μ 善 改 之 性 沾 可 面 表 水 氫 化 氧 過 與 酸 硫 之 溫 高 用 利 行 拖 * ο 除淨 去洗 之之 物液 純合 不混 匾之 金液 及溶 留 殘 其 去 除 面 表 模 掩 從 行 施 中 程 過 之 2 驟 步 在 理 處 淨 洗 之 %1/ 等 酸 , 硫 欠如 3 ( 其液 藥 行 施 來 水 極 陰 用 使 示 所 11 態 形 腌 實 述 上 如 言 〇 而理 體處 具淨 洗 溫理 高處 知短 習縮 與可 有 此 具因 亦， 時力 溫能 加之 微酸 輕硫 之留 度殘 程去 υ 除 ο . 3 之 在高 使更 即或 水等 極 同 陰水 “Ju Μ 消 tt 有 電 之 用 溫 加 或 少 滅 之 量 用 使 水 純 求 企 可 ， ο 時少 同減 之之 間量 時耗 處 除 去 之 物 異 之 著 附 所 行 施 中 程 過 之 3 驟 步 在 次 其 (誚先閲讀背而之注意事項再填寫本頁)
ill U3TI TJ 為 膜 光 遮 之 上 模 搏 之 淨 洗 待 於 成態 形形 在拖 * 實 言 如 而 -體 合 具場 之 膜 示 所 2 之 氨 量 微 有 加 添 或 水 極 陰 在 表 模 掩 於 著 附 其 去 除 效 有 可 時 理 處 波 音 〇 超物 搔異 行狀 _ 粒 中微 水之 極上 陰面 tt, 如較 即相 ’ 法 已方 而淨 3 S5 0 0 0 努 ο 習 為與 合此 埸因 之 ， 10果 II PH效 在淨 。 度洗量 濃高用 之提液 水可藥 镇 即少 之度滅 用澴幅 所低大 極可 洗 漯 之 後 其 少 滅 帼 大 可 較 相 合 場 之 品 0 厚 濃 〇 用量 使水 與純 又之 用 本紙张尺度適用中阈阀家標啤（CNS ) Μ規格（210X297公f ) 18 440475 A7 B7 蚵消部屮丈枒卑灼苋T,消贽合刊社印$ 五、發明説明 (16 ) 1 1 I 再 者 1 由 於 洗 淨 能 力 之 提 高 ， 可 締 短 異 物 去 除 上 之 洗 淨 1 1 1 處 理 間 f 而 可 節 省 電 能 等 之 能 量 0 1 I 此 外 » 在 待 洗 淨 之 掩 模 為 中 間 調 掩 模 且 其 上 形 成 之 遮 光 η 1 1 閱 m 為 Ho S ί ON膜 之 場 合 此 步 m 3則如實施形態3所 示 * 使 用 讀 背 1 I I 添 加 有 微 量 (如濃度0 ‘ 003¾等） 氨 之 陰 極 水 來 行 異 物 洗 淨 之 注 1 I 意 1 [ 處 理 〇 事 項 1 1 4 由 於 使 用 此 種 藥 液 來 處 理 > 可 在 HoS iOK m 之 透 射 率 不 致 本 變 動 之 下 達 成 與 習 知 方 法 同 等 或 更 高 之 洗 淨 效 果 〇 頁 1 I 再 者 主 要 在 下 之 氨 濃 度 之 下 限 定 短 時 間 之 洗 淨 1 1 1 處 理 時 可 將 透 射 率 之 變 動 抑 制 於 控 制 基 準 (例如51) 以 下 1 且 可 提 高 洗 淨 效 率 〇 1 訂 此 際 兼 併 使 用 極 超 音 波 處 理 時 其 效 果 則 更 高 自 不 1 待 B 〇 1 I 其 次 在 步 驟 4之過程中 使洗淨後之掩模經過乾燥而 1 1 I 完 成 處 理 〇 1 如 上 所 述 由 於 採 用 上 述 洗 淨 方 法 * 與 習 知 處 理 相 較 f 1 1 可 提 高 殘 留 硫 酸 或 附 著 異 物 之 去 除 效 率 ， 因 此 可 縮 短 其 處 1 理 時 間 之 同 時 t 可 減 少 純 水 使 用 量 或 電 能 〇 再 者 > 亦 可 大 1 1 I 幅 減 少 洗 淨 用 之 藥 液 使 用 量 〇 \ 1 此 外 9 即 使 在 遮 光 膜 為 Mo S ί ON膜 之 場 合 » 亦 可 在 透 射 率 1 i 不 致 變 動 之 下 施 行 有 效 之 洗 淨 0 ί 1 實 雅 形 態 5 1 I 在 本 實 施 形 態 5中， 闞於依照實施形態1 至 4之洗淨方法 1 1 I 之 實 琨 為 百 的 之 洗 淨 裝 置 加 Μ 說 明 〇 ί i 本紙張尺度4川中國國家標埤（（’奶）八4規格（210乂 297公釐） 19 04 75 A7 B7 五、發明説明（I7 ) 圈8為展示依照本實施形態之高性能掩模洗淨裝置之结 構之圖。 在圈中，1〇〇為装置本體，2〇〇為洗淨液供姶/控制部 ，被用以將藥液或純水等按指定澹度或溫度予以設定控制 K供姶於被配置於裝置本體100之各槽者。 如該圖所示*裝置本體100為由發送單元101，酸槽102 ，漂洗槽103*異物去除槽104*乾燥槽105M及接受器106 所構成。 再者，洗淨液供給/控制部200為由酸調配槽201，鹼/清 潔劑調配槽202，電解水製造單元203，IPA(異丙酵）單元 204M及控制單元205所構成。 其次I關於該裝置之操作，根據匾8加Μ說明。 在裝置本體100之發送單元101内安排掩模。 此際，逐片或複數片同時安排掩模。 將掩模在發送里元101内安排後，予Μ送入酸槽102，而 在酸楢102藉酸調配槽201所供給之硫酸/過氧化氫水溶液 等施行酸處理。 在酸槽102所行之處理終了後，將掩模送人漂洗槽103 * 而在漂洗槽103施加陽極水之處理，Κ除去掩模基板上之 硫酸•直至掩模基板不致產生霧痕之程度。 此時使用之陽極水係由電解水製造軍元20 3供給者，而 如實施形態1中所說明，主要將陽極水加溫至約301C Μ上 之溫度，即可實琨有效之洗淨處理，使硫酸/過氧化氫水 溶液等之酸處理後之殘留碕酸達到可容許基準Μ下。 本紙張尺度適川中國國家標β ( (’NS ) Λ4規格（2】0Χ 297公嫠) ~ 20 - ϊϊ£ ^11^1 (^^1 n^i ^ϋ— ^^^1 · κ^· —^ϋ ^^^1 \ > - 1 .¾.-5 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^404 75 at B7 五、發明説明（IS ) 從而，控制部200之控制單元205例如以加溫至約30勺之 方式控制電解水製造單元2 0 3所產生之陽極水之溫度。 f 主要使用此項陽極水來施行漂洗，即可更有效除去殘留 硫酸離子。 在漂洗槽103所行之處理終了後，將掩模送入異物去除 槽 104。 異物去除槽104為Μ —種可在控制單元205之控制之下被 供給由電解水製造單元203產生之陰極水Μ及被供給藉鹼/ 清潔劑調配槽202設成指定濃度之氨水之方式所構成。 在異物去除槽]04，如簧施形態3所說明，在陰極水中施 加極超音波處理時可有效除去掩模表面上附著之微粒狀異 物。 再者，使用添加有微量氨之陰極水時，可大幅改菩掩模 表面上所附著之異物粒子之去除效率。 在此場合，所用之氨水之濃度在pHIO時為約0.003¾而已 ，即如此極低濃度即可提高洗淨效果，因此可大幅減少藥 液用量。 又與使用濃厚藥品之場合相較，可大幅減少其後之澴洗用 之純水量。 此外*由於洗淨能力之提高，可縮短異物去除上之洗淨 處理時間，而可節省電能等之能量。 又按•為酸_102，漂洗槽103K及異物去除槽104之结 構採用如圖4所示之溢流槽之结構時，由於亦可兼併使用 超音被處理，可進一步改善洗淨效果，並且使各槽藥液溢 i紙张尺度適用中國闺家標率（（’NS ) Λ4規格（210 X 297公釐） -21 - (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
*1T 、44047 5 Μ Β7 耔米部中呔^h 3消於含竹和卬y 五、發明説狀 ( 19 ) I ! | 流 及 循 環 過 m 時 ， 可 節 省 纯 水或藥 液之使 用量且 可 將藥 液 I 1 I 内 之 異 物 量 控 制 至 低 含 量 〇 1 I 各 槽 内 之 藥 液 (如陽搔水 >陰極水 > 或低湄度氨水等） 對 η 先 I 1 掩 模 表 面 澆 注 之 方 法 之 —. 例 被示圖 9中。 閲 讀 背 | 1 I 如 圖 9所示 ，將陽極水 *陰極水 ，或添加有微量氨水之 之 1 注 1 陰 極 水 從 固 定 於 洗 淨 處 理 室 (槽）内 之噴嘴 3 1或固 定 於擺 動 意 1 項 I 懸 臂 32上 之 噴 嘴 澆 注 於 水 平 ·« .«H-IJ -1 — 旋轉中 之掩模 基板30之 表面 即 可 施 行 有 效 之 處 理 〇 本 頁 | 另 如 圖 10所 示 9 在 各 洗 淨 槽内， 使用線 型極超 音 波噴 峨 嘴 1 I 40之 下 藉 被 施 加 極 超 音 波 之陽極 水，陰 極水* 或 添加 有 1 1 微 量 氨 水 之 陰 極 水 來 漂 洗 掩 模基板 30時- 有可能 實 現併 用 1 極 超 音 波 洗 淨 之 洗 淨 0 訂 I 再 者 在 圖 9中 利用從固定於据動懸臂32上之極超音 1 1 汲 噴 嘴 噴 出 之 被 施 加 極 超 立 m 波之陰 極水來 施行漂 洗 時， 亦 1 1 可 得 到 相 同 之 效 果 〇 1 t 此 外 亦 可 Μ 由 此 極 超 音 波噴嘴 僅使被 施加極 超 音波 之 純 水 澆 注 於 該 掩 模 基 板 上 而對此 ，另由 不同之 噴 嘴澆 注 1 1 K 氨 水 * 氨 水 /過氣化氯水溶液之混合液 陰極水 添加 1 有 微 量 氨 水 之 陰 極 水 等 9 Μ 施行有 效之異 物去除 0 1 I 再 者 * 為 依 照 處 理 對 象 之掩模 之種類 來區分 洗 淨槽 之 1 I 煬 合 亦 可 >1 每 了· 種 洗 淨 槽 各別設 置複數 槽。 1 | 此 外 9 由 控 制 部 200供給於各洗淨槽之藥液係可藉序列 1 I 加 熱 器 等 之 加 埶 裝 置 予 Μ 加 溫者。 1 1 再 者 7 乾 煉 槽 105連接於- -單元， 此單元施行IPA (異丙 1 1 醇 )等酵類之蒸氣脫水或掩模之旋轉乾燥（水平狀 高 速旋 轉 1 ί 本紙張尺度適川中國國家標準（CNS ) Α4現格（210X297公釐） 44 04 75 A7 B7 五、發明説明（2〇 )等之脫水或乾燥方法。 在中，展示一棰輿IPA(異丙醇）單元204連接之结構 之裝置。 在設有旋轉乾燥之單元之場合，IPA單元204則被省略。 乾燥後之掩模被運送至接受單元而被收容於專用之箱子 等。 如上所述，各洗淨槽使用之藥液係由皤本體獨立之洗淨 疲供給/控制部20 0之各藥液供給簞元（酸調配槽201，鹸/ 清潔劑調配槽202，電解水製造單元203)供給者。 為了此等各藥液供給單元設有如程序器等之控制單元 205，Μ便最適控制本裝置之動作。 乾燥後之掩模被理送至接受單元而被收容於專用之箱子 等。 [發明之效果] 依照本發明有闥之掩模之洗淨方法，其為具備：用高溫 之硫酸與過氧化氫水溶疲之混合液來洗淨被用於製造半導 體裝置之照相製版步驟中作為原盤之掩模之表面以使存在 於該表面之有機物分解且除去金鼷不純物之第一步驟；除 去該掩模表面上殘留之硫酸之第二步驟：除去該掩模表面 上附著之異物之第三步驟；Μ及使經過上逑第一、第二及 第三步驟處理终了之該掩模乾燥之第四步驟而成之掩模之 洗淨方法，其中在第二步驟使用陽極水Κ除去該掩模表面 上殘留之硫酸，因此，陽極水即使在室溫（25它）程度之溫 度時亦具有與習知之利用高溫純水之場合同等程度之殘留 本紙乐尺度ii」州中國围家標率（（’NS ) Λ4規格（210X297公廣） (韵先閣讀背16之注意事項再填寫本頁) 裝 11Τ 23 44047 5 B7 五、發明説明 (21 ) 1 1 I 硫 酸 去 除 能 力 T 如 此 不 需 要 洗 淨 疲 (在本發明之上述洗淨 1 1 i 方 法 係 j 指 陽 極 水 )之如習3 ®方法f 听行之高i 显1 5K熱 - 具有 i 1 可 減 少 電 能 消 耗 量 之 效 果 〇 先 1 1 閱 再 者 9 依 昭 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 t 第 二 步 驟 所 讀 背 ιδ 1 用 之 陽 極 水 已 被 加 溫 至 30 t： Μ 上 9 因 此 具 有 下 述 效 果 * 可 之 注 1 Ί 意 I 1 進 一 步 提 高 殘 留 硫 酸 去 除 上 之 洗 淨 效 果 之 同 時 * 由 於 洗 淨 華 項 1 1 再 1 效 果 變 高 9 可 減 少 藥 液 或 純 水 等 之 使 用 量 〇 填 寫 本 策 再 者 * 依 昭 4<kVH 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 由 於 在 第 三 頁 'W 1 I 步 m 使 用 陰 極 水 Μ 除 去 異 物 9 而 具 有 下 述 效 果 ： 對 於 相 移 1 1 J 掩 模 ， 形 成 有 作 為 遮 光 膜 之 Mo S iON膜 者 f 亦 可 在 透 射 率 不 1 致 受 損 之 下 施 行 附 著 於 掩 模 表 面 之 異 物 之 去 除 處 理 〇 1 訂 再 者 依 昭 V、、、 本 發 明 有 翻 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 t 由 於 第 —~τ 步 1 驟 所 用 之 陰 極 水 為 含 有 微 量 氨 而 具 有 下 逑 效 果 對 於 相 1 I 移 掩 模 形 成 有 作 為 遮 光 膜 之 Mo Si 0K膜 者 亦 可 更 有 效 施 1 1 I 行 附 著 於 掩 模 表 面 之 異 物 之 去 除 處 理 之 同 時 可 減 少 藥 疲 l 或 純 水 等 之 使 用 量 〇 1 1 再 者 ， 依 昭 /、、、 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 方 法 由 於 在 第 一 ! 步 驟 至 第 三 歩 驟 中 之 至 少 步 驟 兼 併 使 用 超 音 波 處 理 t 而 1 I 具 有 可 提 高 洗 淨 效 果 之 效 果 ΰ l· 1 再 者 * 依 照 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 為 具 備 酸 槽 1 1 1 藉 此 使 用 高 溫 之 硫 酸 與 過 氧 化 氫 水 溶 液 之 混 合 液 來 洗 淨 1 1 被 用 於 製 造 半 導 體 裝 置 之 m IVi、 相 製 版 步 驟 中 作 為 原 盤 之 掩 模 1 t 之 表 面 以 使 存 在 於 該 表 面 之 有 機 物 分 解 且 除 去 金 屬 不 純 物 1 I 漂 洗 權 f 藉 此 使 用 電 解 水 製 造 裝 置 所 產 生 之 陽 極 水 洗 1 ί 本紙张尺度適州中阈围家標肀（（’NS ) Μ現格（210X297公漦） 44 04 75 A7 B7 朽：·ίΓί部中"行"局兑τ_消贽合社印： 五、發明説明 (22 ) I I 淨 該 掩 模 之 表 面 * 異 物 去 除 槽 9 藉 此 使 用 該 電 解 水 製 造 裝 I I i 置 所 產 1 生 之 陰 極 水 以 洗 淨 該 掩 横 之 表 面 i 乾 燦 槽 被 用 於 I I t 洗 淨 後 之 掩 模 之 乾 燥 f Μ 及 洗 淨 疲 供 給 /控制機構 ，被用 η 先 I I Μ 按 指 定 之 m 度 或 溫 度 控 制 各 別 供 給 於 酸 槽 % 漂 洗 槽 Μ 及 閱 ή 背 1 i τ6 I 異 物 去 除 槽 之 洗 淨 液 1 因 此 t 陽 極 水 (靥於為了除去掩模 1 表 面 上 之 殘 留 硫 酸 而 使 用 之 洗 淨 水 )即使在室溫程度之溫 意 事 1 項 1 度 亦 具 有 高 度 洗 淨 能 力 9 如 此 不 需 要 高 溫 加 鉻 費 而 可 減 少 再 填 電 能 消 耗 量 寫 本 頁 裝 1 再 者 ， 依 m 丨、、、 本 發 明 有 關 之 掩 横 之 洗 淨 裝 置 * 由 於 使 用 陰 1 1 極 水 為 洗 淨 液 以 施 行 異 物 去 除 處 理 f 而 具 有 下 述 效 果 ： 對 1 於 相 移 掩 模 形 成 有 作 為 遮 光 膜 之 Ho S ί 0N膜 者 亦 可 在 透 1 訂 射 率 不 致 受 損 之 下 施 行 附 著 於 掩 模 表 面 上 之 異 物 之 去 除 Ι 處 理 ύ 1 1 再 者 依 昭 八、S 本 發 明 有 顒 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 由 於 酸 槽 Λ 1 1 漂 洗 槽 Μ 及 異 物 去 除 槽 中 之 至 少 —. 槽 兼 具 超 音 波 處 理 之 功 1 能 而 具 有 可 進 一 步 提 高 洗 淨 效 果 之 效 果 〇 1 1 再 者 j 依 照 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 1 其 漂 洗 槽 所 1 1 用 之 陽 極 水 已 被 加 溫 至 30 Μ 上 ， 因 此 具 有 下 逑 效 果 可 1 進 ____ 步 提 高 殘 留 硫 酸 去 除 上 之 洗 淨 效 果 之 同 時 由 於 洗 淨 'r I 效 果 變 高 9 可 減 少 藥 液 或 純 水 等 之 使 用 量 0 1 1 再 者 t 依 昭 本 發 明 有 關 之 掩 模 之 洗 淨 裝 置 t 由 於 具 有 被 1 1 用 Μ 將 指 定 漘 度 之 氨 水 供 姶 於 異 物 去 除 槽 之 機 構 且 異 物 去 1 1 1 除 槽 所 用 之 陰 極 水 含 有 微 量 氨 t 而 具 有 下 逑 效 果 對 於 相 1 1 移 掩 模 ， 形 成 有 作 為 遮 光 膜 之 Mo Si 0N膜 者 9 亦 可 更 有 效 施 1 1 本紙張尺度適川中國囤家榡率（rNS ) Λ4規柘（2IOX 297公漦） 4 4 04 7 5 A1 B7五、發明説明（23 ) 行附著於掩模表面之異物之去除處理之同時，可減少藥液 或純水等之使用量。 I [圖式之篛單說明] 圖1為展示依照實施形態1之藉各種藥液施行漯洗處理後 之殘留硫酸離子量之圈。 圖2為被用Μ說明電解水製造裝置及電解水之產生過程 之圖。 圖3為展示依照茛施形態2在使用各種Μ疲之下所得CrON 細上之異物（二氧化矽粒子）之去除率之圖。 圖4為設有超音波振動子之溢流槽之說明圖。 圖5為展示依照貿施形態3之Mo SiON膜經過各種藥疲有關 之鹼處理後之透射率變動虽之圖。 圖6為展示依照實施形態3在使用各棰藥疲之下施行洗淨 處理後所得之MoSiOH膜上之氧化鋁粒子之去除率之圖。 圖7展示依照實施形態4之掩模之洗淨方法之全部流程之 圖° 圖8為依照實施形態5之掩模洗淨裝置之結構圖。 圖9為被用以說明一種使掩模水平旋轉之同時予Μ洗淨 之方法之圖。 _10為被用以說明利用線型極超音波噴嘴之掩模洗淨方 法之圖。 画11為展示依照習知方法之掩模洗淨方法之全部流程之 _ 〇 [符號之說明] 本紙張尺度適州中國國家標準{ CNS ) Λ4規格（2!0x 297公嫠） -2 6 - ί - · -I - - - I— —^it Jr^. 1^1 I ' . 、-° ("先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 440475 A7 B7 五、發明説明（24 3.. .陽電極， 4.,.陽極槽， 5.…陰電極， 6...陰極 槽， 7...中間槽， 8·..進入側管路， 9...離子交換 J 膜， 10...陽極水， 11.·,陰極水， 21.…超音波振 動子， 22...内槽， 23...外槽， 30,..掩模基板， 31.. .噴嘴， 32...懸臂， 40...線型搔超音波噴嘴 ， 100...洗淨裝置本體， 101...發送單元， 102... 酸榷，103·.·標洗槽， 104...異物去除槽， 105...乾 燥槽， 106.,.接受器， 200...洗淨液供給/控制部， 201.. .酸調配槽， 203...鹼/清潔劑調配槽， 204.. .1PA單元* 205….控制單元。 (誚先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 好·%;-部中次標嗥局負_τ消於合印欠 本紙張尺度il用中國國家榡岑（rNS ) Λ4規格（210X29?公#_ ) 27 Ο 7 -