CN109047160B - 一种掩膜版玻璃基板的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。

Description

一种掩膜版玻璃基板的清洗方法
技术领域
本发明涉及芯片制造领域，特别是涉及一种掩膜版玻璃基板的清洗方法。
背景技术
随着近年来科技不断的进步，芯片的制备工艺得到了极大的发展，其中掩模版在芯片制备工艺中起到了重中之重的作用。
在现阶段，通常都是通过光刻的方法，使用掩模版在芯片的基底上刻蚀线路图案，掩膜版是光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响，所以掩膜版必须保持“完美”。而在掩膜版的制作工艺中，来源于玻璃基底本身的缺陷或微小沾污占整个掩膜版制作工艺的70至80％。该玻璃基底本身的沾污及任何残留在基底表面的沾污都可传播和扩散到掩膜版内部，甚至扩散到后续的半导体芯片内部。最终这些缺陷与沾污都将造成掩膜版成品率的大大损失及可靠性降低，进而导致掩膜版“不完美”。
所以如何提供一种可以全方面清洗掩膜版玻璃基板的方法是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，可以有效去除玻璃基底表面的各种沾污以及颗粒。
为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，其特征在于，包括：
将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中；其中，所述第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值；
将所述玻璃基板浸入纯水中，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂；
在清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂之后，将所述玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中进行超声清洗；其中，所述中性无机洗剂与所述碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6，包括端点值；
将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液；
在清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液之后，以预设的提拉速度从所述纯水中提拉出所述玻璃基板。
可选的，所述第一SPM洗剂的温度的取值范围为80℃至100℃，包括端点值。
可选的，所述将所述玻璃基板浸入纯水中包括：
将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中，所述第一温度的取值范围为40℃至60℃，包括端点值；
在将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中之后，将所述玻璃基板浸入具有室温温度的纯水中。
可选的，所述预设的提拉速度的取值范围为2mm/s至10mm/s，包括端点值。
可选的，所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗包括：
将所述玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗。
可选的，所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗包括：
将所述玻璃基板浸入纯水中；
使用至少两个频率的超声波交替对所述玻璃基板进行兆级超声清洗。
可选的，所述混合液的温度的取值范围为30℃至50℃，包括端点值。
可选的，在所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗之后，所述方法还包括：
将所述玻璃基板浸入纯水中进行漂洗，同时向所述该纯水中鼓入二氧化碳气体。
可选的，在所述将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中之后，所述方法还包括：
当所述第一SPM洗剂使用时间小于时间阈值时，根据预设的频率向所述第一SPM洗剂中添加第二SPM洗剂，所述第二SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为1:1至1:2，包括端点值；
当所述第一SPM洗剂使用时间大于时间阈值时，根据预设的频率向所述第一SPM洗剂中添加第三SPM洗剂，所述第三SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为2:1至4:1，包括端点值。
可选的，在所述将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中之前，所述方法还包括：
使用纯水将所述玻璃基板润湿。
本发明所提供的一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图；
图2为本发明实施例所提供的另一种掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图；
图3为本发明实施例所提供的一种具体的掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种掩膜版玻璃基板的清洗方法。在现有技术中，通常对于玻璃基板的清洗仅仅是去除玻璃基板表面的静电以及存放过程中的沾污等，在现阶段并没有一种针对玻璃基板表面微小颗粒、沾污等全方面清洗玻璃基板的方法。
而本发明所提供的一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例所提供的一种掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图。
参见图1，在本发明实施例中，掩膜版玻璃基板的清洗方法包括：
S101：将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中。
在本发明实施例中，所述第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值。
上述玻璃基板即在本发明实施例中需要进行清洗的玻璃基板，该玻璃基板具体作为在光刻过程中所使用的掩膜版所使用。在本步骤之前，通常会先使用纯水将所述玻璃基板润湿，以减少玻璃基板表面的接触角，同时清除掉玻璃基板表面的浮灰。
在本步骤中，会将玻璃基板浸入由浓硫酸和过氧化氢混合而成的第一SPM洗剂中。在SPM洗剂中，浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值。即在第一SPM洗剂中，浓硫酸与过氧化氢的比例可以恰好为4:1，或者是恰好为6:1。在本发明实施例中，上述浓硫酸优选为浓度在98％左右的浓硫酸，而过氧化氢优选为纯度在电子级的过氧化氢。
在本步骤中，通过第一SPM洗剂可以有效去除玻璃基板表面的有机物、油脂、手指印等有机物类沾污，同时通过双氧水与浓硫酸反应生成的微小气泡可以去除玻璃基板表面的部分颗粒。通常情况下，在本步骤中，第一SPM洗剂的温度的取值范围为80℃至100℃，包括端点值。即在本步骤中，玻璃基板需要浸入温度较高的第一SPM洗剂中，以保证有效去除玻璃基板表面的有机物类沾污。
S102：将玻璃基板浸入纯水中，以清洗玻璃基板表面残留的第一SPM洗剂。
在本步骤中，会使用纯水对玻璃基板进行漂洗，从而有效去除玻璃基板表面残留的浓硫酸、过氧化氢、以及附着在玻璃基板表面的颗粒。
由于在S101中通常情况下需要将玻璃基板浸入到温度处于80℃至100℃之间的第一SPM洗剂中，从而使得玻璃基板通常也具有80℃左右的高温。同时由于玻璃基板在清洗之前，通常需要经过裁切、抛光等工艺，上述工艺容易使得玻璃基板表面存在损伤及暗伤等，若温度激变可能会引起玻璃基板发生碎片、裂片等事故。为了解决上述问题，在本发明实施例中，作为优选的，S102具体可分为两个步骤：第一步，将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中，所述第一温度的取值范围为40℃至60℃，包括端点值。在本步骤中纯水的温度处于40℃至60℃之间，当然纯水的温度可以恰好为40℃或60℃；第二步，在将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中之后，将所述玻璃基板浸入具有室温温度的纯水中。在本步骤中纯水的温度通常处在20℃左右。
在上述第一步骤中，会将玻璃基板的温度从80℃的高温降低至50℃左右；在上述第二步骤中会将玻璃基板的温度从50℃左右降低至20℃左右。通过上述两个步骤呈梯度的将玻璃基板的温度从80℃左右降低至20℃左右，可以有效避免玻璃基板发生碎片、裂片等事故。
S103：在清洗玻璃基板表面残留的第一SPM洗剂之后，将玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中进行超声清洗。
在本发明实施例中，所述中性无机洗剂与所述碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6，包括端点值。
在本步骤中，会将玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中。在该混合液中，除了上述中性无机洗剂和碱性无机洗剂之外，通常还包括有纯水，即上述中性无机洗剂和碱性无机洗剂时添加在纯水中对玻璃基板进行清洗。具体的，上述中性无机洗剂和碱性无机洗剂的质量和通常占纯水质量的2％至10％，上述中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6，包括端点值，即上述中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例可以恰好为1:4或1:6。通常情况下，上述混合液的温度的取值范围为30℃至50℃，包括端点值，即该混合液的温度可以恰好为30℃或50℃。
在本步骤中将玻璃基板浸入上述混合液之后，会同时使用超声波对玻璃基板进行超声清洗。通常情况下，在本步骤中超声采用的功率为定频20KHZ或40KHZ，该超声的功率通常为1KW至2KW。上述中性无机洗剂及碱性无机洗剂的主要物质为表面活性剂。该表面活性剂主要起润滑作用，在超声清洗的过程中玻璃基板表面的颗粒以及沾污在超声波及水流的冲击下会被清洗脱落。
S104：将玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗，以清洗玻璃基板表面残留的混合液。
在本步骤中，会使用纯水对玻璃基板进行超声清洗，以除去玻璃基板表面残留的混合液以及附着在玻璃基板表面的细小颗粒。在本步骤中，具体可以使用兆级超声清洗玻璃基板，有关兆级超声清洗的具体步骤将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
在本步骤之后，还可以通过二氧化碳气体消除玻璃基板的静电。具体的，在本步骤之后，还可以将所述玻璃基板浸入纯水中进行漂洗，同时向该纯水中鼓入二氧化碳气体。
在此处使用纯水对玻璃基板进行漂洗可以去除玻璃基板表面重新粘附的沾污及颗粒，同时通入的二氧化碳气体会与纯水反应形成碳酸，碳酸在水中可以电离出的氢根离子和碳酸氢根离子，该氢根离子和碳酸氢根离子可以去除在清洗以及运输玻璃基板时产生的静电。
S105：在清洗玻璃基板表面残留的混合液之后，以预设的提拉速度从纯水中提拉出玻璃基板。
在本步骤中，会从纯水中以预设的提拉速度提拉出玻璃基板，在提拉的过程中可以使得玻璃基板干燥脱水，以最终完成玻璃基板的清洗。
在本步骤中，通常会先将玻璃基板浸入温度在40℃至90℃之间的纯水中，在按照预设的提拉速度将玻璃基板提拉出纯水，以完成清洗。在本发明实施例中，上述预设的提拉速度取值范围优选为2mm/s至10mm/s，包括端点值，即上述预设的提拉速度可以恰好为2mm/s或10mm/s。以上述预设的提拉速度将玻璃基板拉出纯水可以在保证拉干玻璃基板的同时，提升后续膜层与玻璃基底的粘附力；以及减少水分蒸发过程中颗粒等重新污染玻璃基板。
本发明实施例所提供的一种玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。
为了保证在第一SPM洗剂在长时间使用过程中依然可以保证良好的清洁性能，可以设置自动添液步骤；同时可以使用兆级超声清洗玻璃基板以去除玻璃基板表面细小的颗粒。详细内容将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图2，图2为本发明实施例所提供的另一种掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图。
参见图2，在本发明实施例中，掩膜版玻璃基板的清洗方法包括：
S201：将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中。
本步骤与上述S101基本相同，详细内容请参照上述发明实施例，在此不再进行赘述。
S202：当第一SPM洗剂使用时间小于时间阈值时，根据预设的频率向第一SPM洗剂中添加第二SPM洗剂。
在本发明实施例中，所述第二SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为1:1至1:2，包括端点值。
由于在清洗过程中第一SPM洗剂会发生化学反应而造成消耗，相应的在本发明实施例中设置有自动添液的步骤，可以自动向第一SPM洗剂中添加其他配比的洗剂以保证第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例保持稳定。具体的，在本步骤中，当第一SPM洗剂的使用时间小于时间阈值时，会向第一SPM洗剂中添加浓硫酸与过氧化氢的比例为1:1至1:2之间的第二SPM洗剂，以保证第一SPM洗剂中浓硫酸和过氧化氢的比例保持稳定。有关每次添加第二SPM洗剂的量以及添加第二SPM洗剂的频率具体可以根据实际情况自行设置，在本发明实施例中并不做具体限定。上述时间阈值通常为48小时，即当第一SPM洗剂的使用时间小于48小时时，需要向在添液过程中需要向第一SPM洗剂中添加第二SPM洗剂。上述第二SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例可以恰好为1:1或1:2。
S203：当第一SPM洗剂使用时间大于时间阈值时，根据预设的频率向第一SPM洗剂中添加第三SPM洗剂。
在本发明实施例中，所述第三SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为2:1至4:1，包括端点值。
与上述S202相类似，在本步骤中，当第一SPM洗剂的使用时间大于时间阈值时，会向第一SPM洗剂中添加浓硫酸与过氧化氢的比例为2:1至4:1之间的第三SPM洗剂，以保证第一SPM洗剂中浓硫酸和过氧化氢的比例保持稳定。有关每次添加第三SPM洗剂的量以及添加第三SPM洗剂的频率具体可以根据实际情况自行设置，在本发明实施例中并不做具体限定。上述时间阈值通常为48小时，即当第一SPM洗剂的使用时间大于48小时时，需要向在添液过程中需要向第一SPM洗剂中添加第三SPM洗剂。上述第三SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例可以恰好为2:1或4:1。
当然，在本发明实施例中S202以及S203这两个步骤通常不会在清洗任一块玻璃基板中均执行，详细内容可以根据实际情况自行设置，在本发明实施例中并不做具体限定。
S204：将玻璃基板浸入纯水中，以清洗玻璃基板表面残留的第一SPM洗剂。
S205：在清洗玻璃基板表面残留的第一SPM洗剂之后，将玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中进行超声清洗。
上述S204以及S205与上述发明实施例中S102以及S103基本相同，详细内容请参照上述发明实施例，在此不再进行赘述。
S206：将玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗。
所谓兆级超声清洗，使用频率在850KHZ左右的超声波对玻璃基板进行清洗。作为优选的，为了更好的去除玻璃基板表面细小的颗粒，在本发明实施例中可以进一步的对玻璃基板进行变频兆级超声清洗。具体如下：首先，将玻璃基板浸入纯水中；其次，使用至少两个频率的超声波交替对玻璃基板进行兆级超声清洗。通常情况下，在本步骤中会交替使用2至4个频率在850KHZ左右的超声波交替对玻璃基板进行清洗。以使用3个频率为例，在本步骤中会依次顺序的使用频率在750KHZ，850KHZ，950KHZ的超声波清洗玻璃基板表面。经过超声换能器转换后，不同频率的超声波会产生不同的强度变化。采用上述变化的形式更有利于细小颗粒的清洗及剥离。
S207：在清洗玻璃基板表面残留的混合液之后，以预设的提拉速度从纯水中提拉出所述玻璃基板。
本步骤与上述发明实施例中S105基本相同，详细内容请参照上述发明实施例，在此不再进行赘述。
本发明实施例中所提供的一种玻璃基板的清洗方法，通过自动向第一SPM洗剂中按照时间阈值添加第二SPM洗剂或者是第三SPM洗剂可以保持第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢比例的稳定；通过兆级超声清洗可以有效去除玻璃基板表面的细小颗粒。
下面将提供一种具体的清洗玻璃基板的方法，并提供具体的效果。
请参考图3，图3为本发明实施例所提供的一种具体的掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图。
参见图3，在本发明实施例中，掩膜版玻璃基板的清洗方法包括：
S301：使用纯水将玻璃基板润湿。
在本步骤中，通常会使用纯水润湿并清洗玻璃基板80s。在本步骤中可以同时向纯水中充氮气鼓泡，氮气流量通常控制在50Lpm左右，以使槽内的水活动起来，加速玻璃基板表面颗粒以及沾污的剥离。
S302：将玻璃基板浸入温度为100℃，浓硫酸与过氧化氢的比例为4:1的第一SPM洗剂中。
在本步骤中，通常会将玻璃基板浸入第一SPM洗剂500s。本步骤通常会在一密封槽体内进行清洗，上述第一SPM洗剂液采取内循环，内循环需经过一个过滤芯，对第一SPM洗剂溶液进行过滤。
在本步骤中，当第一SPM洗剂使用时间在36小时之内时，在每次添液过程中会向第一SPM洗剂中添加浓硫酸与过氧化氢的比例为1:1的第二SPM洗剂；当第一SPM洗剂使用时间超过36小时时，在每次添液过程中会向第一SPM洗剂中添加浓硫酸与过氧化氢的比例为4:1的第三SPM洗剂。
S303：将玻璃基板浸入温度为70℃的纯水中进行漂洗。
在本步骤中，通常会使用温度在70℃的纯水清洗玻璃基板30s，同时向纯水中充氮气鼓泡，氮气流量通常控制在50Lpm左右。
S304：将玻璃基板浸入具有室温温度的纯水中进行漂洗。
在本步骤中，通常会使用温度在室温20℃左右的纯水清洗玻璃基板400s，同时会向纯水中充氮气鼓泡，氮气流量通常控制在50Lpm左右。
S305：将玻璃基板浸入温度为50℃，包括的中性无机洗剂和碱性无机洗剂的比例为1:6，中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合质量占纯水质量20％的混合液中进行超声清洗。
在本步骤中，超声清洗采用的功率为定频40KHZ，功率为2KW。本步骤通常会在一密封槽体内进行清洗，上述混合液采取内循环，内循环需经过一个过滤芯，对混合液溶液进行过滤。为了保证超声清洗的效果良好，在本步骤中会将槽体内的进水流量控制在5L/min。在本步骤中，通常会对玻璃基板超声清洗300s。
S306：将玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗。
在本步骤中，超声清洗采用的功率为定频40KHZ，功率为2KW，以清洗玻璃基板表面的中性无机洗剂和碱性无机洗剂。在本步骤中，通常会对玻璃基板超声清洗500s；同时会向纯水中充氮气鼓泡，氮气流量通常控制在50Lpm左右。在本步骤中会将槽体内的进水流量控制在70L/min左右。
S307：将玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗。
在本步骤中，超声清洗的频率会在两个频率之间来回变动，这两个频率在950KHZ左右，以对玻璃基板进行变频兆级清洗。在本步骤中，通常会对玻璃基板兆级超声清洗500s；同时会向纯水中充氮气鼓泡，氮气流量通常控制在50Lpm左右。在本步骤中会将槽体内的进水流量控制在70L/min左右。
S308：以8mm/s的提拉速度从70℃的纯水中提拉出玻璃基板。
在本步骤中，会先将玻璃基板浸入温度在70℃的纯水，再以8mm/s的提拉速度从纯水中提拉出玻璃基板。本步骤的提拉时间通常在100s左右。
需要说明的是，上述各个步骤中在槽体中的清洗方式均为机械手夹持上下抛动清洗。各个步骤之间运输均采用自动机械手装置。
经过上述步骤的清洗之后，通过颗粒测试仪检测5英寸大小的玻璃基底表面不同等级颗粒大小的数量，其结果如下表1所示：
表1
0.2-0.25μm 0.25-0.5μm 0.5-1μm 1-1.5μm 1.5maxμm total
样片1 1个 1个 1个 0个 0个 3个
样片2 4个 2个 1个 0个 0个 7个
样片3 2个 1个 3个 0个 0个 6个
同时通过强光灯对玻璃基底进行检测，目视无亮点、划伤、水印迹、指印、油污等其他不良缺陷，即缺陷为零。
本发明实施例所提供的一种玻璃基板的清洗方法，通过上述方法可以使得清洗后的玻璃基板表面0.2微米以上的颗粒残留为每英寸0.6个至2个，1微米以上的颗粒残留为每英寸0个，其余油污、指印、印迹、水剂类等缺陷为0。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种掩膜版玻璃基板的清洗方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，其特征在于，包括：
将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中；其中，所述第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值；
将所述玻璃基板浸入纯水中，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂；
在清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂之后，将所述玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中进行超声清洗；其中，所述中性无机洗剂与所述碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6，包括端点值；
将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液；
在清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液之后，以预设的提拉速度从所述纯水中提拉出所述玻璃基板；
在所述将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中之后，所述方法还包括：
当所述第一SPM洗剂使用时间小于时间阈值时，根据预设的频率向所述第一SPM洗剂中添加第二SPM洗剂，所述第二SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为1:1至1:2，包括端点值；
当所述第一SPM洗剂使用时间大于时间阈值时，根据预设的频率向所述第一SPM洗剂中添加第三SPM洗剂，所述第三SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为2:1至4:1，包括端点值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一SPM洗剂的温度的取值范围为80℃至100℃，包括端点值。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述玻璃基板浸入纯水中包括：
将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中，所述第一温度的取值范围为40℃至60℃，包括端点值；
在将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中之后，将所述玻璃基板浸入具有室温温度的纯水中。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设的提拉速度的取值范围为2mm/s至10mm/s，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗包括：
将所述玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗包括：
将所述玻璃基板浸入纯水中；
使用至少两个频率的超声波交替对所述玻璃基板进行兆级超声清洗。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合液的温度的取值范围为30℃至50℃，包括端点值。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗之后，所述方法还包括：
将所述玻璃基板浸入纯水中进行漂洗，同时向该纯水中鼓入二氧化碳气体。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中之前，所述方法还包括：
使用纯水将所述玻璃基板润湿。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111804664B (zh) * 2020-07-22 2022-07-19 万津实业(赤壁)有限公司 玻璃元件的清洗方法
CN112404100A (zh) * 2020-11-03 2021-02-26 福建晶安光电有限公司 一种滤波器基片的回收工艺
CN114247699A (zh) * 2021-12-13 2022-03-29 安徽光智科技有限公司 晶振片超声波脱膜方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3920429B2 (ja) * 1997-12-02 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置
JP4484980B2 (ja) * 1999-05-20 2010-06-16 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液
CN1421285A (zh) * 2002-12-30 2003-06-04 中国航天科技集团公司第九研究院七七一研究所 掩膜母版清洁法
CN101700520B (zh) * 2009-12-03 2011-04-06 杭州海纳半导体有限公司 单晶/多晶硅片的清洗方法
CN102446755B (zh) * 2011-10-12 2014-03-12 上海华力微电子有限公司 一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法
CN102527676B (zh) * 2011-12-14 2013-11-06 青岛吉阳新能源有限公司 一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法
CN103846245B (zh) * 2012-11-29 2018-01-16 盛美半导体设备（上海）有限公司 基板清洗装置及清洗方法
CN103017483A (zh) * 2013-01-11 2013-04-03 彩虹（佛山）平板显示有限公司 一种掩膜版清洗后的干燥方法
CN204912166U (zh) * 2015-06-29 2015-12-30 徐州同鑫光电科技股份有限公司 用于蓝宝石的内外循环混酸清洗槽及其清洗设备
CN106238302B (zh) * 2016-08-26 2018-10-16 北京七星华创电子股份有限公司 一种频率动态变化的超声波/兆声波清洗装置
CN107870510A (zh) * 2016-09-27 2018-04-03 上海凸版光掩模有限公司 光掩膜版的清洗方法及去胶方法
CN107096782A (zh) * 2017-05-20 2017-08-29 合肥市惠科精密模具有限公司 一种MicroLED玻璃基板超声波清洗方法

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