JP2021174912A - 半導体ウェーハの洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、純水ではパーティクルの除去能力が低いことや、ブラシとウェーハの摩擦により帯電しパーティクルが付着してしまう問題があった。
また、炭酸水というエッチングの伴わない洗浄液でブラシ洗浄を行うことによって、従来のSC1でのブラシ洗浄とは異なり、ウェーハ面上の欠陥発生を低減し、表面粗さの悪化を防止することができる。
さらに、使用する炭酸水やオゾン水では常温処理ができるので、コストを削減することができる。また、炭酸水はSC1に比べて廃水処理が容易であり、再利用可能であるため、環境負荷を低減することができる。
第一のオゾン水処理工程でこのようなオゾン水を用いれば、より簡便かつ効果的に有機物の除去と酸化膜形成を行うことができる。また、ブラシ洗浄工程でこのような炭酸水を用いれば、より確実にウェーハ面上の欠陥発生を低減し、表面粗さの悪化を防止することができる。
炭酸水の濃度が100ppm以上であれば、ブラシ洗浄においてより一層十分な洗浄効果を得ることができる。また、1000ppm以下であれば、洗浄中に気泡化して悪影響を及ぼすことを抑制できる。
オゾン水の濃度が10ppm以上であれば、有機物をより効果的に除去し、ウェーハ品質をより確実に向上させることができる。また、50ppm以下であれば、形成する酸化膜が厚くなりすぎるのを防止できる。
酸化膜の厚さが0.8nm以上であれば、研磨剤の有機物や金属汚染を十分に除去することができる。また、1.5nm以下であれば、形成された酸化膜を除去する場合でも、その工程に要する時間を短くすることができる。
フッ酸の濃度が1.0%以下であれば、酸化膜の除去にかかる時間が短すぎて制御が困難になることがない。
このような洗浄方法であれば、一般に行われており、個別に又は複数同時に酸化膜の除去と形成を行うことができる。
このように、廃液を再利用することで、より一層コスト削減、環境負荷低減に繋げることができる。
本発明の洗浄方法は、ブラシ洗浄においてシリコンのエッチングを伴わない炭酸水を使用するため、シリコンウェーハに対し特に好適である。
さらに、炭酸水やオゾン水は常温処理や廃液の再利用ができるのでコスト削減、環境負荷低減に繋がることを見出し、本発明を完成させた。
まず、研磨直後の研磨剤が全面に付着しているウェーハを用意した(工程1)。ウェーハの種類は特に限定されないが、ここではシリコンウェーハとする。ここで、ウェーハに施した研磨条件は特に限定されないが、研磨剤にシリカ、特には、シリカ粒径の一次粒子径が10〜35nm、シリカ濃度が0.01〜1.0質量%のものを使用することができる。このシリカは、後述するブラシ洗浄工程と第二のオゾン水処理工程(特にフッ酸による洗浄)によって除去が可能である。
また、オゾン水の濃度を10ppm以上50ppm以下とすることができる。オゾン水の濃度が10ppm以上であれば、有機物をより効果的に除去でき、ウェーハ品質をより確実に向上させることができる。また、50ppm以下であれば、形成する酸化膜が厚くなりすぎるのを防止できる。
また、このとき形成する酸化膜の厚さを0.8nm以上1.5nm以下とすることができる。酸化膜の厚さが0.8nm以上であれば、研磨剤の有機物や金属汚染をより一層十分に除去することができる。また、1.5nm以下であれば、形成された酸化膜を除去する場合でも、その工程に要する時間を短くすることができる。
このとき、炭酸水を常温かつpH=7.0以下とすることができる。このようにすれば、より確実にウェーハ面上の欠陥発生を低減し、表面粗さの悪化を防止することができる。
また、炭酸水の濃度を100ppm以上1000ppm以下とすることができる。炭酸水の濃度が100ppm以上であれば、ブラシ洗浄においてより一層十分な洗浄効果を得ることができる。また、1000ppm以下であれば、洗浄中に気泡化して悪影響を及ぼすことを抑制できる。
このとき、上記の第一のオゾン水処理工程と同様に、オゾン水の濃度を10ppm以上50ppm以下とすることができる。また、形成する酸化膜の厚さを0.8nm以上1.5nm以下とすることができる。
また、フッ酸による酸化膜除去及びオゾン水による酸化膜形成を、スピン洗浄またはバッチ洗浄で行うことができる。このような洗浄方法であれば、汎用的に行われており好適であるし、個別に又は複数同時に酸化膜の除去と形成を行うことができる。
図1に示すような本発明の洗浄フローで、研磨後の研磨剤が付着しているシリコンウェーハをオゾン水により第一のオゾン水処理工程を行った後、炭酸水によりブラシ洗浄工程を行い、その後スピン洗浄で、フッ酸及びオゾン水により第二のオゾン水処理工程を1回行い、乾燥処理を行った。各工程は以下の条件で行った。
・第一のオゾン水処理工程:オゾン水濃度=30ppm、pH=5.0
・ブラシ洗浄工程:炭酸水濃度=100ppm、pH=4.0
・第二のオゾン水処理工程:フッ酸濃度=1.0質量%、pH=3.0、オゾン水濃度=30ppm、pH=5.0
図4に示すような洗浄フローで、ブラシ洗浄工程を純水(比較例1)またはSC1(比較例2)で行った以外は、実施例と同様にして洗浄を行った。
また、ヘイズ値については、DW2のOriginal Std.Classic Averageを使用した。測定結果を図3及び表1に示す。
また、図3及び表1に示すように、実施例ではSC1を用いた比較例2のようなヘイズ(表面粗さ)の悪化は見られなかった。
さらに、実施例で用いた炭酸水は比較例1の純水と同様に、廃液を回収し再利用することで、コスト削減、環境負荷低減に繋げることができた。
Claims (9)
- 研磨後の半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法であって、
前記研磨後の半導体ウェーハをオゾン水により洗浄し酸化膜を形成する第一のオゾン水処理工程を行い、
該第一のオゾン水処理工程後、前記半導体ウェーハを炭酸水によりブラシ洗浄するブラシ洗浄工程を行い、
その後、前記半導体ウェーハをフッ酸により洗浄し前記酸化膜を除去した後、オゾン水により洗浄し再度酸化膜を形成する第二のオゾン水処理工程を1回以上行う、ことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 - 前記第一のオゾン水処理工程及び前記ブラシ洗浄工程において、前記オゾン水及び前記炭酸水を常温かつpH=7.0以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記ブラシ洗浄工程において、前記炭酸水の濃度を100ppm以上1000ppm以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記第一及び第二のオゾン水処理工程において、前記オゾン水の濃度を10ppm以上50ppm以下とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記第一及び第二のオゾン水処理工程において、前記形成する酸化膜の厚さを0.8nm以上1.5nm以下とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記第二のオゾン水処理工程において、前記フッ酸の濃度を1.0%以下とすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記第二のオゾン水処理工程を、スピン洗浄またはバッチ洗浄で行うことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記各工程で出た廃液のうち、前記オゾン水及び前記炭酸水の廃液を回収し再利用することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記半導体ウェーハを、シリコンウェーハとすることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
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