JP2021174912A5 - - Google Patents

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  1. 研磨後の半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法であって、
    前記研磨後の半導体ウェーハをオゾン水により洗浄し酸化膜を形成する第一のオゾン水処理工程を行い、
    該第一のオゾン水処理工程後、前記半導体ウェーハを濃度が100ppm以上1000ppm以下の炭酸水によりブラシ洗浄するブラシ洗浄工程を行い、
    その後、前記半導体ウェーハをフッ酸により洗浄し前記酸化膜を除去した後、オゾン水により洗浄し再度酸化膜を形成する第二のオゾン水処理工程を1回以上行う、ことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
  2. 前記第一のオゾン水処理工程及び前記ブラシ洗浄工程において、前記オゾン水及び前記炭酸水を常温かつpH=7.0以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
  3. 前記第一及び第二のオゾン水処理工程において、前記オゾン水の濃度を10ppm以上50ppm以下とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
  4. 前記第一及び第二のオゾン水処理工程において、前記形成する酸化膜の厚さを0.8nm以上1.5nm以下とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
  5. 前記第二のオゾン水処理工程において、前記フッ酸の濃度を1.0%以下とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
  6. 前記第二のオゾン水処理工程を、スピン洗浄またはバッチ洗浄で行うことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
  7. 前記各工程で出た廃液のうち、前記オゾン水及び前記炭酸水の廃液を回収し再利用することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
  8. 前記半導体ウェーハを、シリコンウェーハとすることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
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