JP4675448B2 - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板の表面を洗浄する半導体基板の洗浄方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板(半導体ウェーハ)の表面を鏡面研磨する仕上げ加工が行われた後には、その半導体基板の表面を清浄化するために半導体基板の洗浄が行われる。この半導体基板の洗浄には様々な手法が提案されている。
【0003】
例えば、アルカリ系洗浄液(例えば、NH4OH−H2O2−H2O混合液(以下、SC−1(Standard Clean,Solution1)洗浄液と記す)を利用したアルカリ洗浄や、酸系洗浄液(例えば、HCl−H2O2−H2O混合液(以下、SC−2(Standard Clean,Solution2)洗浄液と記す)を利用した酸洗浄や、特開平10−6211号公報に示されている「半導体基板の洗浄方法」(以下、提案例1と記す)や、特開平8−124889号公報に示されている「半導体ウェーハの洗浄方法」(以下、提案例2と記す)等がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記仕上げ加工後の半導体基板の表面には、大別して、有機物と金属系ゴミとパーティクルの3種のゴミが付着している。上記有機物は、例えば、仕上げ加工に用いた研磨剤の有機溶媒等であり、金属系ゴミは、研磨剤中の金属イオン等であり、パーティクルは研磨剤中に含まれていたゴミや半導体基板の削り屑等である。
【0005】
上記アルカリ洗浄では、半導体基板の表面から上記パーティクルを有効に除去することはできるが、有機物や金属系ゴミは殆ど除去することができないばかりでなく、上記アルカリ系洗浄液を用いることにより、半導体基板の表面に金属系ゴミが付着し易い状態となってしまうという問題がある。また、アルカリ系洗浄液による半導体基板表面のエッチング(侵食)によって半導体基板の表面にピットが発生したり、半導体基板の表面が荒れてしまって平坦度(マイクロラフネス)を損なわせてしまう等の問題も生じる。
【0006】
上記酸洗浄では、半導体基板の表面から金属系ゴミを除去することはできるが、パーティクルや有機物を除去することはできない。その上、酸系洗浄液を用いることにより、パーティクルが半導体基板の表面に付着し易い状態になるという問題が生じ、要求する清浄度を得ることが困難である。
【0007】
上記提案例1と提案例2はそれぞれ上記アルカリ洗浄や酸洗浄の問題を解決すべく考え出されたものであるが、大粒径のパーティクルを除去できないという問題や、洗浄の途中で半導体基板の表面を汚してしまうという問題が生じ、満足のいくものではなかった。
【0008】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、半導体基板の表面の平坦度を損なうことなく、半導体基板の表面から金属系ゴミと有機物とパーティクルを全て効率的に除去することができ、近年要求されている高い清浄度を持つ品質の良い半導体基板を得ることができる半導体基板の洗浄方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決する手段としている。すなわち、第1の発明は、純水にオゾンが含有されて成るオゾン水をノズルから回転している半導体基板の表面に供給し、該オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程の動作を行い、然る後に、前記オゾン水の供給を停止して、ノズルからHF水溶液を上記回転している半導体基板の表面に供給し、該HF水溶液により上記酸化膜をエッチング除去して該酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除くHF水溶液洗浄工程の動作を行い、次に、前記HF水溶液の供給を停止し、半導体基板の表面が上記HF水溶液により覆われている状態で、ノズルから親水化用洗浄液を回転している半導体基板の表面に供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する親水化処理工程の動作を行い、前記オゾン水洗浄工程から親水化処理工程までの動作は前記半導体基板を連続回転させた状態で行う構成をもって前記課題を解決する手段としている。
【0010】
また、第2の発明は、純水にオゾンが含有されて成るオゾン水をノズルから回転している半導体基板の表面に供給し、該オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程の動作を行い、然る後に、前記オゾン水の供給を停止して、ノズルからHF水溶液を上記回転している半導体基板の表面に供給し、該HF水溶液により上記酸化膜をエッチング除去して該酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除くHF水溶液洗浄工程の動作を行い、然る後に、半導体基板の表面へのHF水溶液の供給を停止し、次に、半導体基板の表面が空気によって汚染される前に、ノズルから回転している半導体基板の表面に親水化用洗浄液を供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する親水化処理工程の動作を行い、前記オゾン水洗浄工程から親水化処理工程までの動作は前記半導体基板を連続回転させた状態で行う構成をもって前記課題を解決する手段としている。
【0011】
第3の発明は、上記第2の発明の構成を備え、HF水溶液の供給を停止してから親水化用洗浄液の供給を開始するまでの時間が5秒未満であることを特徴として構成されている。
【0012】
第4の発明は、純水にオゾンが含有されて成るオゾン水をノズルから回転している半導体基板の表面に供給し、該オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程の動作を行い、然る後に、前記オゾン水の供給を停止して、ノズルからHF水溶液を上記回転している半導体基板の表面に供給し、該HF水溶液により上記酸化膜をエッチング除去して該酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除くHF水溶液洗浄工程の動作を行い、然る後に、半導体基板の表面へのHF水溶液の供給を停止し、回転している半導体基板の表面を一旦乾燥させる乾燥工程の動作を行い、然る後に、回転している半導体基板の表面が空気によって汚染される前に、回転している半導体基板の表面にノズルから親水化用洗浄液を供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する親水化処理工程の動作を行い、前記オゾン水洗浄工程から親水化処理工程までの動作は前記半導体基板を連続回転させた状態で行う構成をもって前記課題を解決する手段としている。
【0013】
第5の発明は、上記第1〜第4の発明の何れか1つの発明の構成を備え、酸化膜生成促進手段を設け、回転している半導体基板の表面に親水化処理工程の動作を行う際には、上記酸化膜生成促進手段を利用して半導体基板表面の酸化膜生成を促進させることを特徴として構成されている。
【0014】
第6の発明は、上記第5の発明の構成を備え、酸化膜生成促進手段は、親水化用洗浄液の供給部を半導体基板の表面に沿ってスイング移動させる構成と成していることを特徴として構成されている。
【0015】
第7の発明は、上記第5の発明の構成を備え、酸化膜生成促進手段は、半導体基板の表面に供給する親水化用洗浄液に超音波を加える構成と成していることを特徴として構成されている。
【0016】
第8の発明は、上記第1〜第7の発明の何れか1つの発明の構成を備え、親水化処理工程の動作が行われた後に、再度、HF水溶液による半導体基板のHF水溶液洗浄工程の動作から半導体基板の親水化処理工程までを繰り返し行うことを特徴として構成されている。
【0017】
第9の発明は、上記第1〜第8の発明の何れか1つの発明の構成を備え、親水化用洗浄液は、オゾン水と、過酸化水素水と、過酸化水素が含有されている洗浄液とのうちの何れかであることを特徴として構成されている。
【0018】
第10の発明は、上記第1〜第9の発明の何れか1つの発明の構成を備え、オゾン水とHF水溶液と親水化用洗浄液の各処理液の温度はそれぞれ5℃以上かつ30℃以下の温度範囲内の温度であることを特徴として構成されている。
【0019】
第11の発明は、上記第1〜第10の発明の何れか1つの発明の構成を備え、オゾン水による半導体基板の洗浄工程の動作とHF水溶液による半導体基板のHF水溶液洗浄工程の動作と親水化用洗浄液による半導体基板の親水化処理工程の動作をそれぞれ行う際には、半導体基板の中心部を回転中心にして半導体基板をその円周方向に回転させている状態で、上記オゾン水あるいはHF水溶液あるいは親水化用洗浄液の処理液を上記半導体基板の回転中心に向けて供給し、上記処理液を回転による遠心力によって半導体基板の中心部から外周部に向けて拡散させて半導体基板の洗浄や親水化処理を行わせることを特徴として構成されている。
【0020】
第12の発明は、上記第1〜第11の発明の何れか1つの発明の構成を備え、オゾン水による半導体基板を洗浄するオゾン水洗浄工程の動作を行った後に、引き続き半導体基板を回転させた状態でブラシスクラブ洗浄工程の動作を行い、その後に、HF水溶液による半導体基板のHF水溶液洗浄工程の動作を行うことを特徴として構成されている。
【0021】
上記構成の発明において、半導体基板の仕上げ加工が成された後に、その半導体基板を洗浄する際には、まず、オゾン水を利用して半導体基板の洗浄を行う。このオゾン水洗浄により、半導体基板の表面に付着している有機物と金属系ゴミとパーティクルのうちの有機物を分解・除去することができる。この際に、上記オゾン水によって半導体基板の表面には酸化膜が形成される。
【0022】
然る後に、上記残りの金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除く洗浄を行う。つまり、半導体基板の表面にHF水溶液を供給し、該HF水溶液によって上記酸化膜をエッチング除去することにより、その酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除く。
【0023】
このように、オゾン洗浄とHF水溶液洗浄を順に行うことによって、半導体基板の表面に付着しているゴミをほぼ除去することができる。
【0024】
ところで、上記HF水溶液によって酸化膜をエッチング除去することによって、半導体基板の表面は化学的に活性化されて空気により汚染され易い状態となる。このため、HF水溶液による洗浄を行った後に、その状態のまま半導体基板を長い時間放置して空気に晒すと、半導体基板の表面が空気により汚染されて半導体基板の清浄度と平坦度を著しく悪化させてしまう。
【0025】
そこで、この発明では、上記HF水溶液による洗浄を行った後には、空気によって半導体基板の表面が汚染される前に、迅速に、親水化用洗浄液を半導体基板の表面に供給し、該親水化用洗浄液によって半導体基板の表面に酸化膜を形成する親水化処理を行う。これにより、上記オゾン水洗浄とHF水溶液洗浄を順に行ってゴミが取り除かれたきれいな半導体基板の表面全面にほぼ均一の厚みを持つ酸化膜が形成されて、半導体基板の表面は安定した状態となり、空気による半導体基板の汚染を防止することができる。上記のように、この発明では、清浄度と平坦度に優れた半導体基板を提供することが可能となる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。
【0027】
図1には本発明に係る半導体基板の洗浄方法の第1の実施形態例がブロック工程図により示されている。この図1に示すように、第1の実施形態例では、半導体基板の表面を鏡面研磨する仕上げ加工が成された後に、まず、オゾン水(純水にオゾンを含有したもの)を利用して半導体基板の洗浄を行う。このオゾン水洗浄では、オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に、半導体基板の表面に酸化膜を形成する。
【0028】
このオゾン水洗浄を行う際には、まず、図2に示すように、半導体基板1の外周部をエッジチャック(図示せず)で保持すると共に、その半導体基板1の表裏両面側にそれぞれ間隔を介してオゾン水供給用ノズル2を配置する。そして、上記半導体基板1を枚葉スピン方式により回転させる。つまり、半導体基板1の中心部Oを回転中心として半導体基板1をその円周方向に回転させる。
【0029】
そして、そのように半導体基板1が回転している状態で、上記オゾン水供給用ノズル2からオゾン水を半導体基板1の回転中心部Oに向けて供給する。この際、オゾン水は半導体基板1の基板面に対して傾きを持って供給される。
【0030】
このように、半導体基板1の回転中心部Oに供給されたオゾン水は、回転による遠心力によって、半導体基板1の中心部から外周部に向けて拡散していき、半導体基板1の表面全面にほぼ均一に広がって、半導体基板1の表面に付着している有機物を分解すると共に酸化膜を形成する。そして、そのオゾン水は上記分解された有機物と共に半導体基板1の縁端部から外部に飛散して、有機物を半導体基板1の表面から取り除く。
【0031】
図3には本発明者の実験により得られた半導体基板1の表面の接触角とオゾン水による半導体基板1の洗浄時間との関係データがオゾン水の温度毎に示されている。上記接触角とは、図4に示すように、液面が固体面に接触する際に成す角度θであって、YANGの式(Y1=Y3+Y2・cosθ)に基づいて定義されるものである。ここでは、この接触角θは、半導体基板1の表面における酸化膜の形成状態を示す指標となるものであり、上記接触角θが小さくなるに従って半導体基板1の表面には酸化膜が形成されて濡れ性が向上していることを表す。
【0032】
なお、上記YANGの式に示すY1は固体の表面張力であり、Y2は液体の表面張力であり、Y3は固体と液体の界面張力である。
【0033】
図3のグラフに示されるように、オゾン水は常温でも上記有機物の分解と酸化膜形成の能力を発揮する。このことから、この第1の実施形態例では、オゾン水を加熱せずに常温のまま、つまり、5℃以上かつ30℃以下の温度範囲内の温度で使用する。
【0034】
ところで、上記半導体基板1の回転速度を速くするに従って、遠心力が強まり、これにより、上記オゾン水によって分解された有機物を半導体基板1の外部に飛散させる効果が高まる。しかし、その一方で、上記半導体基板1の回転速度に対してオゾン水の供給レートが見合っておらず遅いと、半導体基板1の表面にオゾン水が無い乾燥面が生じてしまう。このように乾燥面が発生した場合には半導体基板1の表面に形成される酸化膜の厚みがむらになる等の問題が生じる。
【0035】
このことを踏まえ、この第1の実施形態例では、上記半導体基板1の回転速度とオゾン水の供給レートとの適切な関係を実験等によって求め、この求めた適切な関係に基づいた半導体基板1の回転速度およびオゾン水の供給レートでもってオゾン水洗浄を行っている。
【0036】
また、オゾン水による洗浄時間とオゾン水のオゾン濃度と半導体基板1の表面に形成される酸化膜の膜厚との関係も予め分かるので、その関係に基づいて、所望の厚み(例えば、約1nm)の酸化膜が半導体基板1の表面に形成されたと判断されたときに、半導体基板1の表面へのオゾン水の供給を停止してオゾン水洗浄を終了する。
【0037】
上記の如くオゾン水洗浄を行った後には、図1に示すように、ブラシスクラブ洗浄を行う。このブラシスクラブ洗浄では、上記オゾン水洗浄工程から引き続いて半導体基板1を回転させた状態で、PVA(Polyvinyl alcohol)製等のブラシを用いて物理的に半導体基板1の表面を洗浄して、大粒径のパーティクル等を半導体基板1の表面から除去する。このブラシスクラブ洗浄は上記オゾン水洗浄によって有機物が除去され、かつ、オゾン水による酸化膜形成によって半導体基板1の表面の濡れ性が向上した状態で行われるので、効果的に上記大粒径のパーティクル等を半導体基板1の表面から除去することができる。
【0038】
上記ブラシスクラブ洗浄を行った後には、HF水溶液を利用して半導体基板1の洗浄を行う。このHF水溶液洗浄では、上記ブラシスクラブ洗浄工程から引き続いて半導体基板1を枚葉スピン方式により回転させている状態で、半導体基板1の表裏両面側にそれぞれ間隔を介して上記オゾン水供給用ノズル2とは別個のHF水溶液供給用ノズル3を配置し、該HF水溶液供給用ノズル3から半導体基板1の回転中心部Oに向けてHF水溶液を供給する。この際にも、前記オゾン水洗浄と同様に、HF水溶液を半導体基板1の基板面に対し傾きを付けて供給する。
【0039】
このように半導体基板1の表面に供給されたHF水溶液は、前記同様に、回転による遠心力によって半導体基板1の中心部から外周部に向けて拡散していき、半導体基板1の表面全面にほぼ均一に広がり、上記オゾン水洗浄で形成された酸化膜をエッチングする。
【0040】
このエッチングされた酸化膜はHF水溶液と共に、遠心力によって、半導体基板1の縁端部から外部に飛散して半導体基板1の表面から除去される。この酸化膜の除去に伴って、上記酸化膜中あるいは酸化膜上にあった金属系ゴミとパーティクルも半導体基板1の表面から取り除かれる。
【0041】
図5にはHF水溶液による洗浄時間と接触角θとの関係がHF水溶液の温度毎に示されている。ここでは、上記接触角θは半導体基板1の表面の酸化膜除去状態を示す指標として用いられており、該接触角θが大きくなるに従って半導体基板1の表面における酸化膜のエッチング除去が進んでいることを示す。この図5に示されるように、HF水溶液も、前記オゾン水と同様に、常温で能力を発揮することができることから、この第1の実施形態例では、上記HF水溶液は加熱されずに、常温のまま、つまり、5℃以上かつ30℃以下の温度範囲内の温度でもって半導体基板1の表面に供給される。
【0042】
このHF水溶液洗浄においても、前記オゾン水洗浄と同様に、半導体基板1の回転速度とHF水溶液の供給レートとの間に適切な関係がある。このことから、その適切な関係に基づいた半導体基板1の回転速度およびHF水溶液の供給レートでもってHF水溶液洗浄を行う。また、例えば、直径300mmの半導体基板1をHF水溶液洗浄する際には、半導体基板1の回転速度は50〜800RPMの範囲内、HF水溶液の供給レートは0.1〜3.0リットル/分の範囲内であることが望ましいというように、HF水溶液洗浄に適した半導体基板1の回転速度の範囲、HF水溶液の供給レートの範囲があり、これら適した範囲内であって互いに見合った関係となる回転速度とHF水溶液の供給レートにより、半導体基板1のHF水溶液洗浄が行われる。
【0043】
また、HF水溶液の洗浄時間とエッチングされる表面層の厚みとの関係が予め分かることから、この関係に基づいて、上記オゾン水洗浄で形成された酸化膜のみをエッチング除去してHF水溶液洗浄を終了する。
【0044】
上記HF水溶液洗浄が成された半導体基板1の表面は有機物と金属系ゴミとパーティクルの全てがほぼ除去された清浄度の高い面と成している。
【0045】
上記HF水溶液洗浄を行った後には、迅速に、親水化処理に移行する。この親水化処理では、親水化用洗浄液を利用して上記きれいな半導体基板1の表面に酸化膜を形成する。この第1の実施形態例では、上記親水化用洗浄液は半導体基板1の表面に酸化膜を生成するための液であり、例えば、オゾン水や、過酸化水素水や、過酸化水素を含有した水溶液等により構成される。なお、親水化用洗浄液としてオゾン水を利用する際には、すすぎ洗浄としての能力を発揮し、パーティクルをより確実に除去し、また、有機物の付着を防止する。
【0046】
この親水化処理においても上記HF水溶液洗浄工程から引き続いて半導体基板1を回転させた状態で、半導体基板1の回転中心部Oに向けて親水化用洗浄液を供給する。これにより、前記同様に、その親水化用洗浄液は遠心力によって半導体基板1の中心部から外周部に拡散して半導体基板1の表面全面にほぼ均一に広がり、この親水化用洗浄液によって半導体基板1の表面の全面に亙りほぼ均一の厚みの酸化膜を生成する。
【0047】
ところで、上記HF水溶液洗浄によって半導体基板1の表面は化学的に活性な状態となり、空気により非常に汚染され易くなっている。このことから、上記HF水溶液の供給を停止してから上記親水化用洗浄液の供給が開始されるまでの時間が長いと、半導体基板1の表面が空気に晒されて半導体基板1の表面におけるパーティクルが増加したり、半導体基板1の表面に空気中の酸素と水によるウォーターマーク(水滴跡)が付く事態が発生して、半導体基板1の表面の清浄度が悪化してしまったり、親水化処理で形成される酸化膜の厚みが不均一となって半導体基板1の表面の平坦度が悪くなる等の問題が生じる。
【0048】
そこで、この第1の実施形態例では、HF水溶液洗浄工程から親水化処理工程に移行する際に、半導体基板1の表面がHF水溶液に覆われている状態で、親水化用洗浄液の供給を開始する。すなわち、この第1の実施形態例では、半導体基板1は回転していることから、HF水溶液の供給を停止すると、瞬時に、HF水溶液は回転による遠心力により半導体基板1の表面から飛散してしまうので、HF水溶液の供給を停止すると同時に親水化用洗浄液の供給を開始する。
【0049】
このようにすることによって、HF水溶液工程から親水化処理工程に移行する際に、半導体基板1の表面が空気に晒されることはなく、半導体基板1の表面が空気によって汚染されるのを回避することができ、上記半導体基板1の清浄度および平坦度の悪化問題を防止することができる。
【0050】
また、この親水化処理工程では、半導体基板1の表面に迅速に酸化膜を生成して半導体基板1の表面を活性化した状態から安定した状態に移行させることが望ましい。図6には、オゾン水(親水化用洗浄液)による半導体基板1の洗浄時間と接触角θとの関係がオゾン水のオゾン濃度毎に示されている。
【0051】
前述したように、接触角θは半導体基板1の表面における酸化膜形成状態を示す指標となるものであり、該接触角θが小さくなるに従って半導体基板1の表面には酸化膜が形成されて濡れ性が向上していることを表す。この親水化処理工程において、例えば、オゾン水を用いた親水化処理により半導体基板1の表面に迅速に酸化膜を形成するためには、図6に示すように、オゾン水のオゾン濃度を10〜20ppm程度にするのがよい。
【0052】
なお、親水化用洗浄液としてオゾン水以外のものを用いる場合にも、上記同様に、酸化膜の生成を促進させるのに適した濃度の親水化用洗浄液を利用して半導体基板1の親水化処理を行うのが望ましい。
【0053】
上記親水化処理工程の後には、図1に示すように、半導体基板1の乾燥工程に移行する。この乾燥工程では、上記親水化処理工程に引き続いて半導体基板1を回転させることで、半導体基板1の表面から親水化用洗浄液を飛ばして半導体基板1の乾燥を行う。この乾燥のための半導体基板1の回転速度は、親水化処理工程における半導体基板1の回転速度と等しくともよいが、回転速度を上げて回転による親水化用洗浄液の飛散効果を高めることが望ましい。
【0054】
例えば、オゾン水洗浄工程から親水化処理工程に至るまでの半導体基板1の回転速度が300RPMであるのに対して、乾燥を行う際には、半導体基板1の回転速度を1500RPMに上昇させて約30秒間の半導体基板1の回転を行う。これにより、回転の遠心力により親水化用洗浄液を瞬時に飛散して半導体基板1の表面を乾燥状態とし、半導体基板1の洗浄が終了する。
【0055】
以上のように半導体基板1の洗浄を行うことによって、次に示すような様々な優れた効果を奏することができる。すなわち、オゾン水洗浄を行った後に、HF水溶液洗浄を行うことによって、半導体基板1の表面上の有機物と金属系ゴミとパーティクルの全てを半導体基板1の表面からほぼ除去することができる。
【0056】
また、ブラシスクラブ洗浄を行うので、大粒径のパーティクルをも確実に除去することができる。特に、この第1の実施形態例では、そのブラシスクラブ洗浄はオゾン水洗浄の後に行われるので、オゾン水洗浄によって有機物が除去され且つ半導体基板1の濡れ性が向上した状態で行われることとなり、大粒径のパーティクルを効果的に除去することができる。
【0057】
さらに、このブラシスクラブ洗浄の後にはHF水溶液洗浄が成されるので、ブラシスクラブ洗浄を行っているときにブラシの汚れが半導体基板1に付着してしまっても、その汚れはHF水溶液洗浄によって取り除くことができ、ブラシの汚れに起因した汚染問題の発生を回避することができる。
【0058】
さらに、この第1の実施形態例では、HF水溶液洗浄から親水化処理に移行する際に、HF水溶液によって半導体基板1の表面が覆われている状態で、親水化用洗浄液を供給するので、HF水溶液洗浄によって化学的に活性化している半導体基板表面が空気に晒されるのを防止することができる。これにより、HF水溶液洗浄から親水化処理に移行する際に、空気によって半導体基板1の表面が汚染されるという問題を回避することができる。
【0059】
さらに、この第1の実施形態例では、HF水溶液を用いて酸化膜のエッチングを行っており、そのHF水溶液によるエッチングの制御は容易であることから、アンモニア過酸化水素水を用いてエッチングを行った場合のような過剰エッチング問題を抑制することができ、過剰エッチングに起因した半導体基板1の表面荒れを防止することができて、半導体基板1の表面の平坦度の悪化を回避することができる。
【0060】
さらに、従来の酸洗浄やアルカリ洗浄では、洗浄液を50〜80℃の高温に加熱しており、その洗浄液の温度管理は難しく、洗浄液の温度は不安定に変動してしまっていた。このため、洗浄終了後の半導体基板1における清浄度や平坦度等の品質にばらつきが生じ、半導体基板1の歩留まりを低下させていた。これに対して、この第1の実施形態例では、半導体基板1の洗浄に使用する処理液(つまり、オゾン水やHF水溶液や親水化用洗浄液)は常温で能力を発揮することができることから、加熱する必要が無く、処理液の温度制御が不要となる。また、上記処理液は、5℃以上かつ30℃以下の温度範囲内であれば、温度に依らずにほぼ同様の能力を発揮することができるので、処理液の温度変動に起因した半導体基板1の品質ばらつきを防止することができ、上記半導体基板1の歩留まり低下を回避することができる。
【0061】
さらに、この第1の実施形態例では、オゾン水洗浄とHF水溶液洗浄と親水化処理をそれぞれ行う際には、半導体基板1を枚葉スピン方式で回転させている状態で、処理液を半導体基板1の回転中心部に供給するので、回転による遠心力によって、半導体基板1の中心部から半導体基板1の表面全面にほぼ均一に処理液を拡散させることができ、処理液による洗浄や親水化処理を全面に亙りほぼ均一に行うことができる。これにより、半導体基板1の清浄度や平坦度を表面全面に亙りほぼ一様にすることができて、半導体基板1の品質を向上させることが容易となる。
【0062】
また、半導体基板1は大口径化の傾向にあり、大口径の半導体基板1の表面全面を如何にして均一に処理するかが課題となるが、この第1の実施形態例に示すように、半導体基板1を枚葉スピン方式で回転させている状態で、半導体基板1の回転中心部Oに処理液を供給することによって、大口径の半導体基板1であっても、処理液を瞬時に半導体基板1の表面全面にほぼ均一に供給することができ、処理液による洗浄や親水化処理を全面に亙りほぼ均一に行うことができる。これにより、大口径化に十分に対応できる半導体基板1の洗浄方法を提供することができる。
【0063】
さらに、この第1の実施形態例では、乾燥工程においても、半導体基板1を枚葉スピン方式でもって回転させて半導体基板1の表面の乾燥を行っているので、瞬時に、半導体基板1の表面の全面に亙り一様に乾燥することが可能である。
【0064】
さらに、この第1の実施形態例では、半導体基板1の表裏両面を同時に洗浄していることから、処理液が反対面に回り込むのを防止することができる。
【0065】
本発明者は、仕上げ加工が成された直径300mmの半導体基板1を上記第1の実施形態例に示した半導体基板の洗浄工程に従い、次に示すような条件下で洗浄した。
【0066】
オゾン水洗浄工程では、半導体基板1を回転数300RPMでもって回転させた状態で、オゾン濃度15ppm、液温20℃のオゾン水を半導体基板1の表裏両面に1.0リットル/分のレートでもって約10秒間供給する。次に、ブラシスクラブ洗浄工程では、引き続いて半導体基板1を同様に回転数300RPMで回転させた状態で、ブラシを用いて洗浄する。
【0067】
さらに、HF水溶液洗浄工程では、引き続いて半導体基板1を回転数300RPMで回転させた状態で、HF濃度1%、液温20℃のHF水溶液を半導体基板1の表裏両面に1.0リットル/分のレートでもって約5秒間供給する。
【0068】
さらに、親水化処理工程では、上記オゾン水洗浄工程と同様に、オゾン濃度15ppm、液温20℃のオゾン水を半導体基板1の表裏両面に1.0リットル/分のレートでもって約10秒間供給する。そして、乾燥工程では、半導体基板1の回転速度を上げて回転数1500RPMでもって高速回転させて約30秒間のスピン乾燥を行った。
【0069】
このように洗浄された具体例の半導体基板1について、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Pb、Sn、Na、Znの各金属による半導体基板1の汚染状況を調べたところ、上記全ての金属に関して、5×109atoms/cm2以下であった。また、粒径が0.12μm以上のパーティクル数(LPD(Light Point Defect))をKLA-Tencor社製のSurfscan SP-1装置によって測定したところ、約30個/ウェーハであった。さらに、半導体基板1の表面の平坦度(マイクロラフネス)をAFM装置により測定した結果、Rmsは0.06nm、Raは0.07nm、Rmaxは0.5nmであった。
【0070】
この具体例に対する比較例として、比較例1では、前記SC−1洗浄液を用いたアルカリ洗浄を行い、また、比較例2では、前記SC−2洗浄液を用いた酸洗浄を行い、比較例3では、SC−1洗浄液とSC−2洗浄液を用いたアルカリ洗浄と酸洗浄の組合せ洗浄を行った。そして、それら洗浄後の各半導体基板1について、上記同様に、品質の評価を行った。その結果が表1に示されている。
【0071】
【表1】
【0072】
上記具体例と比較例1〜3とを比べても明らかなように、この第1の実施形態例に示した洗浄手法でもって半導体基板1を洗浄することにより、非常に平坦度と清浄度に優れた半導体基板1を得ることが可能であることが分かる。
【0073】
以下に、第2の実施形態例を説明する。
【0074】
この第2の実施形態例は前記第1の実施形態例を改良したものであり、この第2の実施形態例において特徴的なことは、図7に示すように、HF水溶液洗浄を行った後に、半導体基板の表面を一旦乾燥させてから、親水化処理を行うことと、親水化処理工程において酸化膜の生成を促進させる手段を講じることである。それ以外の構成は前記第1の実施形態例と同様であり、この第2の実施形態例の説明において、その共通部分の重複説明は省略する。
【0075】
前記第1の実施形態例では、HF水溶液洗浄工程から親水化処理工程に移行する際には、空気による半導体基板表面の汚染を防止するために、HF水溶液によって半導体基板1の表面が覆われている状態で、親水化用洗浄液を半導体基板1の表面に供給し始めていた。
【0076】
ところで、このように、HF水溶液によって半導体基板1の表面が覆われている状態で親水化用洗浄液を供給すると、半導体基板1の表面にはHF水溶液と親水化用洗浄液とが共存することとなる。このため、半導体基板1の表面では、HF水溶液によるエッチングと親水化用洗浄液による酸化とが同時に行われてしまうこととなる。このことに起因して親水化処理工程で半導体基板1の表面に生成される酸化膜の膜厚が不均一となり、これにより、良好な平坦度を持つ半導体基板1を得ることができないという問題発生の虞がある。
【0077】
そこで、この第2の実施形態例では、上記したように、HF水溶液洗浄工程の後に、乾燥工程を設けてHF水溶液を半導体基板1の表面から取り除いた後に、親水化処理工程に移行するようにした。
【0078】
上記乾燥工程では、HF水溶液の供給を停止した後にも引き続き半導体基板1を枚葉スピン方式によって回転させて、遠心力によって半導体基板1の表面からHF水溶液を取り除く。この乾燥工程での半導体基板1の回転速度はHF水溶液洗浄工程における半導体基板1の回転速度と等しくともよいし、増加させてもよい。
【0079】
ところで、前記第1の実施形態例でも述べたように、HF水溶液洗浄が行われることによって、半導体基板1の表面は化学的に活性された状態となり、長い時間空気に晒されると、空気によって半導体基板1の表面が汚染されてしまうという問題が生じる。本発明者は、HF水溶液処理後の半導体基板1を空気に晒し、時間の経過に従ってその半導体基板1の表面のパーティクル数(LPD)がどのように変化するかを実験により調べた。その結果が図8のグラフに示されている。なお、図8に示す縦軸は粒径が0.12μm以上のパーティクル数である。
【0080】
この図8に示すように、HF水溶液処理後の半導体基板表面のパーティクル数は空気に触れ始めてから5秒を経過するまでの期間では殆ど増加しないが、経過時間が5秒を越えると、急激に増加している。この実験結果から、空気に晒され始めてから5秒を越えると、空気による半導体基板表面の汚染が始まることが分かった。
【0081】
このことに着目し、この第2の実施形態例では、HF水溶液の供給を停止した後に、上記の如く半導体基板1の表面をスピン乾燥させ、空気による半導体基板表面の汚染が開始される前に、つまり、HF水溶液の供給を停止してから5秒が経過する前に、親水化用洗浄液の供給を開始している。
【0082】
このように、この第2の実施形態例では、乾燥工程を設けたために、親水化処理工程において、半導体基板1の表面全面に酸化膜をより迅速に生成させ、これにより、半導体基板1の表面をより速く安定化させて空気による汚染を防止することが望ましい。そこで、前述したように、この第2の実施形態例では、親水化処理を行う際に酸化膜の生成を促進する手段を講じている。この酸化膜の生成を促進する手段には様々な構成が考えられ、ここでは、その何れの構成をも採用してよいが、その一例を示す。例えば、親水化用洗浄液の供給部であるノズルを半導体基板1の表面に沿って半導体基板1の中心部と外周部との間をスイング(反復運動)させる。この際には、例えば、上記ノズルを半導体基板1の中心部と外周部の間を1往復スイングさせるのに、約5秒間を掛けて行う。これにより、親水化用洗浄液がより速く半導体基板1の表面全面に供給されて酸化膜の生成が促進される。
【0083】
また、次に示すような酸化膜生成促進手段を設けてもよい。例えば、上記ノズルの先端部に超音波発生手段を取り付け、ノズルから流れ出る親水化用洗浄液に超音波を付加するようにしてもよい。これにより、親水化用洗浄液の酸化能力が高められて、半導体基板1の表面における酸化膜生成が促進される。さらに、上記ノズルのスイング移動と超音波の付加とを組み合わせて酸化膜生成促進手段としてもよい。
【0084】
この第2の実施形態例によれば、HF水溶液洗浄工程の後に、半導体基板1の表面を一旦乾燥させてから、親水化用洗浄工程に移行するので、親水化処理を行う際に、半導体基板1の表面にHF水溶液と親水化用洗浄液とが混在することは無く、これにより、親水化処理工程において、半導体基板1の表面でエッチングと酸化が共に行われてしまうという事態発生を防止することができる。
【0085】
しかも、この第2の実施形態例では、HF水溶液処理後の半導体基板表面が空気に露出する時間(乾燥工程に要する時間)は、5秒以下、つまり、空気による汚染が殆ど生じない時間であることから、この第2の実施形態例において特徴的な乾燥工程を設けても、空気による半導体基板表面の汚染をほぼ防止することができる。
【0086】
その上、この第2の実施形態例では、酸化膜生成促進手段を設け、親水化処理工程では、その酸化膜生成促進手段を利用して半導体基板表面に酸化膜を生成するので、乾燥工程後に迅速に酸化膜を生成して空気による半導体基板表面の汚染を確実に防止することができることとなる。このことから、乾燥工程を設けても、空気による半導体基板表面の汚染問題を完璧に回避することができる。
【0087】
上記のように、この第2の実施形態例に示す洗浄手法により半導体基板1の洗浄を行うことによって、半導体基板1の清浄度と平坦度のより一層の向上が図れ、半導体基板1の品質を飛躍的に高めることが可能となる。
【0088】
なお、この発明は上記各実施形態例に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、上記各実施形態例では、親水化処理が終了した後には直ちに乾燥工程に移行していたが、親水化処理工程が終了した後に、再び、上記HF水溶液洗浄工程から親水化処理工程までを1回以上繰り返し行ってもよい。このように、HF水溶液洗浄工程から親水化処理工程までを繰り返し行うことによって、半導体基板1の表面の清浄度をより一層向上させることができる。また、半導体基板1の表面層には前記仕上げ加工による加工歪みが生じている場合があるが、上記HF水溶液洗浄工程から親水化処理工程までを繰り返し行うことによって、HF水溶液による酸化膜エッチングが繰り返し行われることとなり、半導体基板1の表面層における加工歪みをほぼ取り除くことができる。
【0089】
なお、上記のように、HF水溶液洗浄工程から親水化処理工程までを繰り返し行う際には、例えば、1回目の親水化処理工程で使用する親水化用洗浄液はオゾン水であり、2回目の親水化処理工程で使用する親水化用洗浄液は過酸化水素水であるという如く、繰り返し回数に応じて親水化用洗浄液を代えてもよい。もちろん、繰り返し回数によらずに全ての回で同じ親水化用洗浄液を用いてもよい。
【0090】
また、上記各実施形態例では、ブラシスクラブ洗浄を行っていたが、例えば、上記のように、HF水溶液洗浄から親水化処理までの工程が繰り返し行われる場合のように、ブラシスクラブ洗浄を行わなくとも、要求される清浄度を得ることができると想定される場合には、ブラシスクラブ洗浄を省略してもよい。
【0091】
さらに、上記第1の実施形態例では、HF水溶液の供給を停止すると同時に親水化用洗浄液の供給を開始しており、半導体基板1の表面がHF水溶液で覆われている状態で親水化用洗浄液の供給が開始されていたが、例えば、HF水溶液の供給を停止してから5秒を経過する前に、親水化用洗浄液の供給を開始するようにしてもよい。この場合には、HF水溶液の供給を停止してから親水化用洗浄液の供給を開始するまでに、半導体基板1の表面が空気に晒される期間が生じるが、その期間は5秒未満であり、前述したように、空気による半導体基板表面の汚染は抑制され、半導体基板1の清浄度および平坦度の劣化問題は生じない。
【0092】
さらに、上記第1の実施形態例では、親水化処理工程において、前記第2の実施形態例に示すような酸化膜生成促進手段を講じていなかったが、前記第1の実施形態例においても、親水化処理工程で、上記第2の実施形態例に示したと同様な酸化膜生成の促進手段を講じてもよい。
【0093】
さらに、上記各実施形態例に示した親水化用洗浄液に代えて、必要に応じて、前記SC−1洗浄液又はSC−2洗浄液を用いてもよい。
【0094】
【発明の効果】
この発明によれば、オゾン水による洗浄を行って半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に、半導体基板の表面に酸化膜を形成し、然る後に、HF水溶液による洗浄を行って上記酸化膜をエッチング除去して酸化膜中あるいは酸化膜上のパーティクルと金属系ゴミを半導体基板の表面から取り除くので、仕上げ加工が成された後に半導体基板の表面に付着している有機物とパーティクルと金属系ゴミの全てをほぼきれいに除去することが可能となり、清浄度に高い半導体基板を提供することができる。
【0095】
また、上記HF水溶液による洗浄を行うことによって、半導体基板の表面は化学的に活性された状態となり、その状態のまま、長い時間空気に晒されると、半導体基板の表面は空気によって汚染されてしまうが、この発明では、HF水溶液による洗浄工程の後に、HF水溶液によって半導体基板の表面が覆われている状態で半導体基板への親水化用洗浄液の供給を開始する、あるいは、HF水溶液の供給を停止した後に、半導体基板の表面が空気によって汚染される前に、半導体基板の表面に親水化用洗浄液を供給するので、半導体基板の表面が空気によって汚染される前の清浄度の高い表面状態で、その半導体基板の表面に酸化膜を生成することができる。これにより、半導体基板の表面には全面に亙りほぼ均一な膜厚の酸化膜を形成することができて、半導体基板の平坦度を向上させることが可能となる。
【0096】
HF水溶液の供給を停止した後に、半導体基板の表面を一旦乾燥させてから、半導体基板の表面が空気によって汚染される前に、親水化用洗浄液の供給を開始して親水化処理に移行するものにあっては、半導体基板の表面にHF水溶液と親水化用洗浄液とが共に存在して半導体基板の表面でエッチングと酸化膜生成とが同時に行われてしまう事態を確実に防止することができ、半導体基板の表面の荒れを防止することができて半導体基板の平坦度の悪化を回避することができる。
【0097】
酸化膜生成促進手段を設け、親水化処理を施す際には、上記酸化膜生成促進手段を利用して半導体基板表面の酸化膜生成を促進させるものにあっては、HF水溶液により活性されて汚染され易い状態の半導体基板表面に、より迅速に、酸化膜を生成して安定な状態に移行させることができるので、より一層、半導体基板表面の清浄度および平坦度の向上を図ることが可能となる。
【0098】
また、上記酸化膜生成促進手段が親水化用洗浄液の供給部を半導体基板の表面に沿ってスイング移動させる構成のものにあっては、親水化用洗浄液の供給を開始してから、より速く、半導体基板表面の全面に親水化用洗浄液を行き渡らせることが可能となり、酸化膜の生成を促進させることができる。さらに、上記酸化膜生成促進手段が親水化用洗浄液に超音波を加える構成のものにあっては、超音波によって親水化用洗浄液の酸化能力が高められて上記の如く酸化膜生成を促進させることができる。これにより、上記したように、より一層、半導体基板表面の清浄度および平坦度の向上を図ることが可能となる。
【0099】
親水化処理が施された後に、再度、HF水溶液による洗浄工程から親水化処理工程までを繰り返し行うものにあっては、より一層半導体基板表面の清浄度を向上させることができる。その上、HF水溶液による酸化膜のエッチング除去が繰り返し行われることとなるので、仕上げ加工に起因した表面層の加工歪みをほぼ除去することができ、好都合である。
【0100】
また、この発明では、HF水溶液を用いて酸化膜のエッチング除去を行っており、そのHF水溶液によるエッチングの制御は容易であることから、半導体基板の表面層を所望の厚み分だけエッチング除去することができるし、また、エッチングに起因した半導体基板の荒れを防止することができる。
【0101】
親水化用洗浄液がオゾン水と、過酸化水素水と、過酸化水素が含有された洗浄液との何れかであるものにあっては、オゾンと過酸化水素は酸化能力に優れたものであるので、半導体基板の表面における酸化膜生成に要する時間が短くて済む。
【0102】
オゾン水とHF水溶液と親水化用洗浄液の各処理液の温度はそれぞれ5℃以上かつ30℃以下の温度範囲内の温度であるものにあっては、処理液を高温に加熱しなくても、上記各処理液はその処理能力を発揮することができることから、処理液の精密な温度制御が不要となる。その上、上記各処理液は上記温度範囲内であれば、その処理能力に温度依存性が殆ど無いので、多数の半導体基板を順次洗浄する際に、処理液の温度変動に起因して複数の半導体基板間で表面の平坦度や清浄度の品質にばらつきが生じるということはなく、ほぼ同様な品質の半導体基板を提供することができ、品質の信頼性が高い半導体基板を提供することが可能となる。
【0103】
オゾン水による洗浄工程とHF水溶液による洗浄工程と親水化処理工程をそれぞれ行うときには、半導体基板の中心部を回転中心にして半導体基板をその円周方向に回転させている状態で、オゾン水あるいはHF水溶液あるいは親水化用洗浄液の処理液を半導体基板の回転中心に向けて供給し、上記処理液を回転による遠心力によって半導体基板の中心部から外周部に向けて拡散させるものにあっては、半導体基板の表面全面にほぼ均一に瞬時に処理液を行き渡らせることができ、半導体基板の表面全面を偏り無く同様に処理することができ、半導体基板の平坦度を向上させることができる。
【0104】
オゾン水による半導体基板の洗浄を行った後に、ブラシスクラブ洗浄を行い、その後に、HF水溶液による半導体基板の洗浄を行うものにあっては、ブラシスクラブ洗浄によって、大粒径のパーティクルをも確実に半導体基板から除去することができ、半導体基板の清浄度を格段的に高めることが可能となる。また、ブラシスクラブ洗浄の後に、HF水溶液による洗浄が成されるので、ブラシスクラブ洗浄で使用したブラシの汚れが半導体基板の表面に付着してしまっても、HF水溶液による洗浄によって、そのブラシによる汚れを取り除くことができ、半導体基板の清浄度を悪化させるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体基板の洗浄方法における第1の実施形態例を示すブロック工程図である。
【図2】半導体基板表面への処理液の供給形態例を示すモデル図である。
【図3】オゾン水の洗浄時間と接触角との関係例を示すグラフである。
【図4】接触角θを説明するための図である。
【図5】HF水溶液の洗浄時間と接触角との関係例を示すグラフである。
【図6】オゾン水の洗浄時間と接触角との関係例を示すグラフである。
【図7】本発明の半導体基板の洗浄方法における第2の実施形態例を示すブロック工程図である。
【図8】HF水溶液処理後の露出時間とパーティクル数との関係例を示すグラフである。
【符号の説明】
1 半導体基板
2 オゾン水供給用ノズル
3 HF水溶液供給用ノズル
Claims (12)
- 純水にオゾンが含有されて成るオゾン水をノズルから回転している半導体基板の表面に供給し、該オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程の動作を行い、然る後に、前記オゾン水の供給を停止して、ノズルからHF水溶液を上記回転している半導体基板の表面に供給し、該HF水溶液により上記酸化膜をエッチング除去して該酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除くHF水溶液洗浄工程の動作を行い、次に、前記HF水溶液の供給を停止し、半導体基板の表面が上記HF水溶液により覆われている状態で、ノズルから親水化用洗浄液を回転している半導体基板の表面に供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する親水化処理工程の動作を行い、前記オゾン水洗浄工程から親水化処理工程までの動作は前記半導体基板を連続回転させた状態で行うことを特徴とした半導体基板の洗浄方法。
- 純水にオゾンが含有されて成るオゾン水をノズルから回転している半導体基板の表面に供給し、該オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程の動作を行い、然る後に、前記オゾン水の供給を停止して、ノズルからHF水溶液を上記回転している半導体基板の表面に供給し、該HF水溶液により上記酸化膜をエッチング除去して該酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除くHF水溶液洗浄工程の動作を行い、然る後に、半導体基板の表面へのHF水溶液の供給を停止し、次に、半導体基板の表面が空気によって汚染される前に、ノズルから回転している半導体基板の表面に親水化用洗浄液を供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する親水化処理工程の動作を行い、前記オゾン水洗浄工程から親水化処理工程までの動作は前記半導体基板を連続回転させた状態で行うことを特徴とした半導体基板の洗浄方法。
- HF水溶液の供給を停止してから親水化用洗浄液の供給を開始するまでの時間が5秒未満であることを特徴とした請求項2記載の半導体基板の洗浄方法。
- 純水にオゾンが含有されて成るオゾン水をノズルから回転している半導体基板の表面に供給し、該オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程の動作を行い、然る後に、前記オゾン水の供給を停止して、ノズルからHF水溶液を上記回転している半導体基板の表面に供給し、該HF水溶液により上記酸化膜をエッチング除去して該酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除くHF水溶液洗浄工程の動作を行い、然る後に、半導体基板の表面へのHF水溶液の供給を停止し、回転している半導体基板の表面を一旦乾燥させる乾燥工程の動作を行い、然る後に、回転している半導体基板の表面が空気によって汚染される前に、回転している半導体基板の表面にノズルから親水化用洗浄液を供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する親水化処理工程の動作を行い、前記オゾン水洗浄工程から親水化処理工程までの動作は前記半導体基板を連続回転させた状態で行うことを特徴とした半導体基板の洗浄方法。
- 酸化膜生成促進手段を設け、回転している半導体基板の表面に親水化処理工程の動作を行う際には、上記酸化膜生成促進手段を利用して半導体基板表面の酸化膜生成を促進させることを特徴とした請求項1乃至請求項4の何れか1つに記載の半導体基板の洗浄方法。
- 酸化膜生成促進手段は、親水化用洗浄液の供給部を半導体基板の表面に沿ってスイング移動させる構成と成していることを特徴とする請求項5記載の半導体基板の洗浄方法。
- 酸化膜生成促進手段は、半導体基板の表面に供給する親水化用洗浄液に超音波を加える構成と成していることを特徴とする請求項5記載の半導体基板の洗浄方法。
- 親水化処理工程の動作が行われた後に、再度、HF水溶液による半導体基板のHF水溶液洗浄工程の動作から半導体基板の親水化処理工程までを繰り返し行うことを特徴とした請求項1乃至請求項7の何れか1つに記載の半導体基板の洗浄方法。
- 親水化用洗浄液は、オゾン水と、過酸化水素水と、過酸化水素が含有されている洗浄液とのうちの何れかであることを特徴とした請求項1乃至請求項8の何れか1つに記載の半導体基板の洗浄方法。
- オゾン水とHF水溶液と親水化用洗浄液の各処理液の温度はそれぞれ5℃以上かつ30℃以下の温度範囲内の温度であることを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか1つに記載の半導体基板の洗浄方法。
- オゾン水による半導体基板の洗浄工程の動作とHF水溶液による半導体基板のHF水溶液洗浄工程の動作と親水化用洗浄液による半導体基板の親水化処理工程の動作をそれぞれ行う際には、半導体基板の中心部を回転中心にして半導体基板をその円周方向に回転させている状態で、上記オゾン水あるいはHF水溶液あるいは親水化用洗浄液の処理液を上記半導体基板の回転中心に向けて供給し、上記処理液を回転による遠心力によって半導体基板の中心部から外周部に向けて拡散させて半導体基板の洗浄や親水化処理を行わせることを特徴とする請求項1乃至請求項10の何れか1つに記載の半導体基板の洗浄方法。
- オゾン水による半導体基板を洗浄するオゾン水洗浄工程の動作を行った後に、引き続き半導体基板を回転させた状態でブラシスクラブ洗浄工程の動作を行い、その後に、HF水溶液による半導体基板のHF水溶液洗浄工程の動作を行うことを特徴とした請求項1乃至請求項11の何れか1つに記載の半導体基板の洗浄方法。
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