JP2023168146A - 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
Description
シリコンウェーハを洗浄するための洗浄液であって、
前記洗浄液はオゾンを含むフッ酸水溶液であり、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすものである洗浄液を提供する。
前記洗浄液をオゾンを含むフッ酸水溶液とし、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすようにしてシリコンウェーハを洗浄するウェーハの洗浄方法を提供する。
本発明の洗浄液は、オゾンを含むフッ酸水溶液であり、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ、フッ酸濃度とオゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たす。
本発明の洗浄液中、フッ酸濃度は、フッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上、好ましくは0.004~0.04nm/secとなる濃度である。
本発明の洗浄液中、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度である。このようなオゾン濃度とすれば、ウェーハ表面をほぼ酸化させることがなく、酸化膜を形成させない。特にオゾンの酸化膜形成レートが0.0005~0.005nm/secの条件にてオゾンを低濃度で添加すれば、フッ酸溶液に混合しても、洗浄したシリコンウェーハの表面粗さは悪化せず、パーティクル除去率も低下しない。
本発明では常に酸化膜を形成しないことが重要であるため、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比を1以下にする(従来はこのレート比は1より大きい値となっていた)。さらにこのレート比が0.5以下であれば、ウェーハ面は常にベア面となり、安定する。特に0.1以下の場合には洗浄能力を落とすこと無く、さらにヘイズの悪化も無く処理が可能である。
また本発明では、洗浄液によりシリコンウェーハを洗浄する方法であって、
前記洗浄液をオゾンを含むフッ酸水溶液とし、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすようにしてシリコンウェーハを洗浄するウェーハの洗浄方法を提供する。
研磨後のウェーハを、まずはオゾン水洗浄を行った(図1中の(1))。このオゾン水洗浄はオゾン(25ppm)30秒、1000rpmの条件で実施した。次に、SC1洗浄を実施した(図1中の(2))。SC1の濃度はNH4OH:1、H2O2:1、超純水:10の比率で調整し、温度は80℃で実施した。その後、純水で洗浄した(図1中の(3))。
まず、研磨後のウェーハのオゾン水洗浄をオゾン(25ppm)で実施した(図1中の(1))。その後、SC1(40℃,60sec)で洗浄した(図1中の(2))。SC1の濃度はNH4OH:1、H2O2:1、超純水:10の比率で調整し、温度は80℃で実施した。その後、純水洗浄を実施した(図1中の(3))。
[1]:シリコンウェーハを洗浄するための洗浄液であって、前記洗浄液はオゾンを含
むフッ酸水溶液であり、前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチ
ングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾ
ンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ
、前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/
(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関
係を満たすものであることを特徴とする洗浄液。
[2]:前記フッ酸濃度が、0.1%以上1.0%以下であることを特徴とする上記
[1]に記載の洗浄液。
[3]:前記オゾン濃度が、0.5ppm以上2.0ppm以下であることを特徴とする
上記[1]又は上記[2]に記載の洗浄液。
[4]:前記レート比が、0.5以下であることを特徴とする上記[1]、上記[2]、
又は上記[3]に記載の洗浄液。
[5]:前記レート比が、0.1以下であることを特徴とする上記[1]、上記[2]、
上記[3]、又は上記[4]に記載の洗浄液。
[6]:洗浄液によりシリコンウェーハを洗浄する方法であって、前記洗浄液をオゾンを
含むフッ酸水溶液とし、前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチ
ングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾン
による酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、前
記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ
酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満
たすようにしてシリコンウェーハを洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄方
法。
[7]:前記フッ酸濃度を、0.1%以上1.0%以下とすることを特徴とする上記
[6]に記載のウェーハの洗浄方法。
[8]:前記オゾン濃度を、0.5ppm以上2.0ppm以下とすることを特徴とする
上記[6]又は上記[7]に記載のウェーハの洗浄方法。
[9]:前記レート比を、0.5以下とすることを特徴とする上記[6]、上記[7]、
又は上記[8]に記載のウェーハの洗浄方法。
[10]:前記レート比を、0.1以下とすることを特徴とする上記[6]、上記[7]
、上記[8]、又は上記[9]に記載のウェーハの洗浄方法。
Claims (12)
- シリコンウェーハを洗浄するための洗浄液であって、
前記洗浄液はオゾンを含むフッ酸水溶液であり、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度であり、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度であり、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度は、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすものであることを特徴とする洗浄液。 - 前記フッ酸濃度が、0.1%以上1.0%以下であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄液。
- 前記オゾン濃度が、0.5ppm以上2.0ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄液。
- 前記オゾン濃度が、0.5ppm以上2.0ppm以下であることを特徴とする請求項2に記載の洗浄液。
- 前記レート比が、0.5以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の洗浄液。
- 前記レート比が、0.1以下であることを特徴とする請求項5に記載の洗浄液。
- 洗浄液によりシリコンウェーハを洗浄する方法であって、
前記洗浄液をオゾンを含むフッ酸水溶液とし、
前記洗浄液中、フッ酸濃度はフッ酸による酸化膜エッチングレートが0.004nm/sec以上となる濃度とし、オゾン濃度はオゾンによる酸化膜形成レートが0.01nm/sec以下となる濃度とし、かつ、
前記フッ酸濃度と前記オゾン濃度を、(オゾンによる酸化膜形成レート)/(フッ酸による酸化膜エッチングレート)で示されるレート比が1以下となる関係を満たすようにしてシリコンウェーハを洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄方法。 - 前記フッ酸濃度を、0.1%以上1.0%以下とすることを特徴とする請求項7に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記オゾン濃度を、0.5ppm以上2.0ppm以下とすることを特徴とする請求項7に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記オゾン濃度を、0.5ppm以上2.0ppm以下とすることを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記レート比を、0.5以下とすることを特徴とする請求項7から請求項10のいずれか一項に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記レート比を、0.1以下とすることを特徴とする請求項11に記載のウェーハの洗浄方法。
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